JP2018156763A - プラズマ発生用のアンテナ及びそれを備えるプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】アンテナにコンデンサを組み込んでアンテナのインピーダンスを低減させるとともに、第１の電極となる導体要素と誘電体との間に生じる隙間を無くす。【解決手段】高周波電流が流されて、プラズマＰを発生させるためのアンテナ３であって、少なくとも２つの導体要素３１と、互いに隣り合う導体要素３１の間に設けられて、それら導体要素３１を絶縁する絶縁要素３２と、互いに隣り合う導体要素３１と電気的に直列接続された容量素子３３とを備え、容量素子３３は、互いに隣り合う導体要素３１の一方の一部からなる第１の電極３３Ａと、第１の電極３３Ａの外面から絶縁要素３２の外面に亘って設けられた誘電体３３Ｃと、互いに隣り合う導体要素３１の他方と電気的に接続されるとともに、誘電体３３Ｃを介して第１の電極３３Ａに対向して配置された第２の電極３３Ｂとを有し、誘電体３３Ｃは、第１の電極３３Ａの外面に形成された誘電体材料からなるコーティング膜ＣＦである。【選択図】図２

Description

本発明は、高周波電流が流されて誘導結合型のプラズマを発生させるためのアンテナ、及び、当該アンテナを備えたプラズマ処理装置に関するものである。

アンテナに高周波電流を流し、それによって生じる誘導電界によって誘導結合型のプラズマ（略称ＩＣＰ）を発生させ、この誘導結合型のプラズマを用いて基板に処理を施すプラズマ処理装置が従来から提案されている。

この種のプラズマ処理装置においては、大型の基板に対応する等のためにアンテナを長くすると、当該アンテナのインピーダンスが大きくなり、それによってアンテナの両端間に大きな電位差が発生する。その結果、この大きな電位差の影響を受けてプラズマの密度分布、電位分布、電子温度分布等のプラズマの均一性が悪くなり、ひいては基板処理の均一性が悪くなるという問題がある。また、アンテナのインピーダンスが大きくなると、アンテナに高周波電流を流しにくくなるという問題もある。

このような問題を解決する等のために、特許文献１に示すように、複数の金属パイプを、隣り合う金属パイプ間に中空絶縁体を介在させて接続するとともに、中空絶縁体の外周部にコンデンサを配置したものが考えられている。このコンデンサは、中空絶縁体の両側の金属パイプに電気的に直列接続されており、中空絶縁体の一方側の金属パイプの一部からなる第１の電極と、第１の電極の外面から絶縁パイプの外面に亘って設けられた誘電体シートと、中空絶縁体の他方側の金属パイプに電気的に接続されるとともに、誘電体を介して第１の電極に対向して配置された第２の電極とを有している。

特開２０１７−４６０２号公報

しかしながら、上記のコンデンサは、第１の電極となる金属パイプの外面に誘電体シートを巻き付ける構造であるため、第１の電極及び誘電体の間に隙間が生じる可能性がある。そうすると、この隙間においてアーク放電が発生し、誘電体の損傷又はコンデンサの劣化に繋がる可能性が考えられるため、コンデンサの構造に改善の余地がある。

そこで本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものであり、アンテナに容量素子を組み込んでアンテナのインピーダンスを低減させるとともに、第１の電極となる導体要素と誘電体との間に生じる隙間を無くすことをその主たる課題とするものである。

すなわち本発明に係るプラズマ発生用のアンテナは、高周波電流が流されて、プラズマを発生させるためのアンテナであって、少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間に設けられて、それら導体要素を絶縁する絶縁要素と、互いに隣り合う前記導体要素と電気的に直列接続された容量素子とを備え、前記容量素子は、互いに隣り合う前記導体要素の一方の一部からなる第１の電極と、前記第１の電極の外面から前記絶縁要素の外面に亘って設けられた誘電体と、互いに隣り合う前記導体要素の他方と電気的に接続されるとともに、前記誘電体を介して前記第１の電極に対向して配置された第２の電極とを有し、前記誘電体は、前記第１の電極の外面に形成された誘電体材料からなるコーティング膜であることを特徴とする。

このようなプラズマ発生用のアンテナであれば、絶縁要素を介して互いに隣り合う導体要素に容量素子を電気的に直列接続しているので、アンテナの合成リアクタンスは、簡単に言えば、誘導性リアクタンスから容量性リアクタンスを引いた形になるので、アンテナのインピーダンスを低減させることができる。その結果、アンテナを長くする場合でもそのインピーダンスの増大を抑えることができ、アンテナに高周波電流が流れやすくなり、プラズマを効率良く発生させることができる。
特に本発明によれば、誘電体が第１の電極の外面に形成された誘電体材料からなるコーティング膜であるので、第１の電極及び誘電体の間に生じる隙間を無くすことができる。その結果、第１の電極及び誘電体の間の隙間に発生しうるアーク放電を無くし、そのアーク放電に起因する容量素子の破損を無くすことができる。また、従来のように誘電体シートを導体要素に取り付ける構成では、組み立て時に取り付け位置の管理が必要であったが、誘電体をコーティング膜にすることにより、組み立て時における位置管理が不要となり、製造上の品質を安定化させることができる。

前記第２の電極は、前記導体要素の他方及び前記誘電体の外面に形成された導電性材料からなるコーティング膜から形成されていることが望ましい。
この構成であれば、第１の電極及び誘電体の間に生じる隙間だけでなく、誘電体及び第２の電極の間に生じる隙間を無くすことができる。その結果、誘電体及び第２の電極の間の隙間に発生しうるアーク放電を無くし、そのアーク放電に起因する容量素子の破損を無くすことができる。また、容量素子を構成する電極及び誘電体の間に生じる隙間を無くすことができるので、隙間を考慮することなく、第１の電極及び第２の電極の距離、対向面積及び誘電体の比誘電率からキャパシタンス値を精度良く設定することができる。さらに、隙間を埋めるための電極及び誘電体を押圧する構造も不要にすることができ、当該押圧構造によるアンテナ周辺の構造の複雑化及びそれにより生じるプラズマの均一性の悪化を防ぐことができる。

導体要素の表面は、保管環境や使用環境等による表面酸化等によって表面抵抗（表皮電流深さ）が変化してしまう。この表面抵抗の変化によってプラズマの均一性が悪化してしまう恐れがある。
この問題を好適に解決するためには、前記誘電体材料からなるコーティング膜は、前記導体要素の外面において前記電極が接続される部分を除いた全体に形成されていることが望ましい。
この構成であれば、導体要素の外面において外気に触れる部分に誘電体材料からなるコーティング膜を形成しているので、表面酸化等を抑えて表面抵抗の変化を抑制することができる。その結果、導体要素に安定して電流を流すことができ、プラズマの均一性の悪化を防ぐことができる。

アンテナを冷却してプラズマを安定して発生させるためには、前記導体要素及び前記絶縁要素は、管状をなすものであり、前記導体要素及び前記絶縁要素の内部に冷却液が流れるように構成されていることが望ましい。
この構成であれば、第１の電極となる導体要素の外面に誘電体が密着しているので、導体要素に冷却液を流すことによる誘電体の冷却効率を向上させることができ、これによっても、容量素子の熱劣化を防ぐことができる。

また本発明に係るプラズマ処理装置は、真空排気されかつガスが導入される真空容器と、前記真空容器内に配置されたアンテナと、前記アンテナに高周波電流を流す高周波電源とを備え、前記アンテナによって発生させたプラズマを用いて基板に処理を施すように構成されており、前記アンテナが上述した構成であることを特徴とする。
このプラズマ処理装置によれば、上述したアンテナにより均一性の良いプラズマを効率良く発生させることができるので、基板処理の均一性及び効率を高めることができる。

このように構成した本発明によれば、アンテナに容量素子を組み込むことによってアンテナのインピーダンスを低減させるとともに、第１の電極となる導体要素と誘電体との間に生じる隙間を無くすことができるので、その隙間に生じ得るアーク放電を無くし、そのアーク放電に起因する容量素子の破損を無くすことができる。

本実施形態のプラズマ処理装置の構成を模式的に示す縦断面図である。 同実施形態のアンテナにおける容量素子の周辺構造を模式的に示す拡大断面図である。

以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。

＜装置構成＞
本実施形態のプラズマ処理装置１００は、誘導結合型のプラズマＰを用いて基板Ｗに処理を施すものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Ｗに施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。

なお、このプラズマ処理装置１００は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はプラズマスパッタリング装置とも呼ばれる。

具体的にプラズマ処理装置１００は、図１に示すように、真空排気され且つガス７が導入される真空容器２と、真空容器２内に配置された直線状のアンテナ３と、真空容器２内に誘導結合型のプラズマＰを生成するための高周波をアンテナ３に印加する高周波電源４とを備えている。なお、アンテナ３に高周波電源４から高周波を印加することによりアンテナ３には高周波電流ＩＲが流れて、真空容器２内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマＰが生成される。

真空容器２は、例えば金属製の容器であり、その内部は真空排気装置６によって真空排気される。真空容器２はこの例では電気的に接地されている。

真空容器２内に、例えば流量調整器（図示省略）及びアンテナ３に沿う方向に配置された複数のガス導入口２１を経由して、ガス７が導入される。ガス７は、基板Ｗに施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマＣＶＤ法によって基板Ｗに膜形成を行う場合には、ガス７は、原料ガス又はそれを希釈ガス（例えばＨ_２）で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがＳｉＨ_４の場合はＳｉ膜を、ＳｉＨ_４＋ＮＨ_３の場合はＳｉＮ膜を、ＳｉＨ_４＋Ｎ_２ＯもしくはＳｉＨ_４＋Ｏ_２の場合はＳｉＯ_２膜を、ＳｉＦ_４＋Ｎ_２の場合はＳｉＮ：Ｆ膜（フッ素化シリコン窒化膜）を、それぞれ基板Ｗ上に形成することができる。

また、真空容器２内には、基板Ｗを保持する基板ホルダ８が設けられている。この例のように、基板ホルダ８にバイアス電源９からバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は、例えば負の直流電圧、負のバイアス電圧等であるが、これに限られるものではない。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマＰ中の正イオンが基板Ｗに入射する時のエネルギーを制御して、基板Ｗの表面に形成される膜の結晶化度の制御等を行うことができる。基板ホルダ８内に、基板Ｗを加熱するヒータ８１を設けておいても良い。

アンテナ３は、真空容器２内における基板Ｗの上方に、基板Ｗの表面に沿うように（例えば、基板Ｗの表面と実質的に平行に）配置されている。真空容器２内に配置するアンテナ３は、１つでも良いし、複数でも良い。

アンテナ３の両端部付近は、真空容器２の相対向する側壁２ａ、２ｂをそれぞれ貫通している。アンテナ３の両端部を真空容器２外へ貫通させる部分には、絶縁部材１１がそれぞれ設けられている。この各絶縁部材１１を、アンテナ３の両端部が貫通しており、その貫通部は例えばパッキン１２によって真空シールされている。各絶縁部材１１と真空容器２との間も、例えばパッキン１３によって真空シールされている。なお、絶縁部材１１の材質は、例えば、アルミナ等のセラミックス、石英、又はポリフェニンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等のエンジニアリングプラスチック等である。

さらに、アンテナ３において、真空容器２内に位置する部分は、直管状の絶縁カバー１０により覆われている。この絶縁カバー１０の両端部は絶縁部材１１によって支持されている。なお、絶縁カバー１０の両端部と絶縁部材１１間はシールしなくても良い。絶縁カバー１０内の空間にガス７が入っても、当該空間は小さくて電子の移動距離が短いので、通常は空間にプラズマＰは発生しないからである。なお、絶縁カバー１０の材質は、例えば、石英、アルミナ、フッ素樹脂、窒化シリコン、炭化シリコン、シリコン等である。

絶縁カバー１０を設けることによって、プラズマＰ中の荷電粒子がアンテナ３を構成する金属パイプ３１に入射するのを抑制することができるので、金属パイプ３１に荷電粒子（主として電子）が入射することによるプラズマ電位の上昇を抑制することができると共に、金属パイプ３１が荷電粒子（主としてイオン）によってスパッタされてプラズマＰおよび基板Ｗに対して金属汚染（メタルコンタミネーション）が生じるのを抑制することができる。

アンテナ３の一端部である給電端部３ａには、整合回路４１を介して高周波電源４が接続されており、他端部である終端部３ｂは直接接地されている。なお、終端部３ｂは、コンデンサ又はコイル等を介して接地しても良い。

上記構成によって、高周波電源４から、整合回路４１を介して、アンテナ３に高周波電流ＩＲを流すことができる。高周波の周波数は、例えば、一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではない。

アンテナ３は、内部に冷却液ＣＬが流通する流路を有する中空構造のものである。具体的にアンテナ３は、図２に示すように、少なくとも２つの管状をなす金属製の導体要素３１（以下、「金属パイプ３１」という。）と、互いに隣り合う金属パイプ３１の間に設けられて、それら金属パイプ３１を絶縁する管状の絶縁要素３２（以下、「絶縁パイプ３２」という。）と、互いに隣り合う金属パイプ３１と電気的に直列接続された容量素子であるコンデンサ３３とを備えている。

本実施形態では金属パイプ３１の数は２つであり、絶縁パイプ３２及びコンデンサ３３の数は各１つである。以下の説明において、一方の金属パイプ３１を「第１の金属パイプ３１Ａ」、他方の金属パイプを「第２の金属パイプ３１Ｂ」ともいう。なお、アンテナ３は、３つ以上の金属パイプ３１を有する構成であってもしても良く、この場合、絶縁パイプ３２及びコンデンサ３３の数はいずれも金属パイプ３１の数よりも１つ少ないものになる。

なお、冷却液ＣＬは、真空容器２の外部に設けられた循環流路１４によりアンテナ３を流通するものであり、前記循環流路１４には、冷却液ＣＬを一定温度に調整するための熱交換器などの温調機構１４１と、循環流路１４において冷却液ＣＬを循環させるためのポンプなどの循環機構１４２とが設けられている。冷却液ＣＬとしては、電気絶縁の観点から、高抵抗の水が好ましく、例えば純水またはそれに近い水が好ましい。その他、例えばフッ素系不活性液体などの水以外の液冷媒を用いても良い。

金属パイプ３１は、内部に冷却液ＣＬが流れる直線状の流路３１ｘが形成された直管状をなすものである。そして、金属パイプ３１の少なくとも長手方向一端部の外周部には、雄ねじ部３１ａが形成されている。本実施形態の金属パイプ３１は、雄ねじ部３１ａが形成された端部とそれ以外の部材とを別部品により形成してそれらを接合しているが、単一の部材から形成しても良い。なお、複数の金属パイプ３１を接続する構成との部品の共通化を図るべく、金属パイプ３１の長手方向両端部に雄ねじ部３１ａを形成して互換性を持たせておくことが望ましい。金属パイプ３１の材質は、例えば、銅、アルミニウム、これらの合金、ステンレス等である。

絶縁パイプ３２は、内部に冷却液ＣＬが流れる直線状の流路３２ｘが形成された直管状をなすものである。そして、絶縁パイプ３２の軸方向両端部の側周壁には、金属パイプ３１の雄ねじ部３１ａと螺合して接続される雌ねじ部３２ａが形成されている。本実施形態の絶縁パイプ３２は、単一の部材から形成しているが、これに限られない。なお、絶縁パイプ３２の材質は、例えば、アルミナ、フッ素樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、エンジニアリングプラスチック（例えばポリフェニンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）など）等である。

ここで、金属パイプ３１と絶縁パイプ３２とは、金属パイプ３１に設けられた凸部３１ｚと絶縁パイプ３２に設けられた凹部３２ｚとが係合することにより液密に接続される。具体的には、この凸部３１ｚの外周部に雄ねじ部３１ａが形成されており、凹部３２ｚの内周部に雄ねじ部３１ａに螺合する雌ねじ部３２ａが形成されている。凸部３１ｚにおいて雄ねじ部３１ａよりも基端側に凹部３２ｚの内周との間に液密にシールするための例えばＯリング等のシール構造１５が設けられている。

コンデンサ３３は、互いに隣り合う金属パイプ３１の一方（第１の金属パイプ３１Ａ）の一部を構成要素とする層状のものである。具体的にコンデンサ３３は、第１の金属パイプ３１Ａの一部からなる第１の電極３３Ａと、第１の電極３３Ａの外面から絶縁パイプ３２の外面に亘って設けられた誘電体３３Ｃと、互いに隣り合う金属パイプ３１の他方（第２の金属パイプ３１Ｂ）と電気的に接続されるとともに、誘電体３３Ｃを介して第１の電極３３Ａに対向して配置された第２の電極３３Ｂとを有している。つまり、第１の電極３３Ａとなる第１の金属パイプ３１Ａの一部の外面に誘電体３３Ｃ及び第２の電極３３Ｂが積層された構造となる。

第１の電極３３Ａは、第１の金属パイプ３１Ａにおける絶縁パイプ３２側の端部に、具体的には、絶縁パイプ３２側の一端から軸方向に沿って所定範囲に亘って設定されている。なお、第１の電極３３Ａは、第１の金属パイプ３１Ａにおいて後述する誘電体３３Ｃが設けられて誘電体３３Ｃにより被覆された部分でもある。

誘電体３３Ｃは、第１の金属パイプ３１Ａの絶縁パイプ３２側の端部の外面に設けられている。また、誘電体３３Ｃは、第１の金属パイプ３１Ａの前記端部の外面において全周に亘って設けられている。この誘電体３３Ｃの材質は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、アルミナ等のセラミックス等である。

そして、誘電体３３Ｃは、第１の電極３３Ａの外面に形成された誘電体材料からなるコーティング膜ＣＦにより構成されている。本実施形態では、第１の金属パイプ３１Ａにおいて第１の電極３３Ａとなる部分の外面だけでなく、その他に、第１の金属パイプ３１Ａの外面において第２の電極３３Ｂが接続される部分３１ｋを除いた部分にも誘電体材料からなるコーティング膜ＣＦが形成されている。このコーティング膜ＣＦの形成方法としては、ディップコーティング法や溶射法等を用いることができる。

また、上述した金属パイプ３１の雄ねじ部３１ａと絶縁パイプ３２の雌ねじ部３２ａとが螺合して液密に接続されることにより、金属パイプ３１における凸部３１ｚの外側にある軸方向端面と、絶縁パイプ３２における凹部３２ｚの外側にある軸方向端面とが対向することになる。この構造において、金属パイプ３１における凸部３１ｚの外側にある軸方向端面にも、前記コーティング膜ＣＦが形成されている。この構成により、金属パイプ３１と絶縁パイプ３２とが接続された状態において、金属パイプ３１の軸方向端面と絶縁パイプ３２の軸方向端面との間には、絶縁体が介在することになる。その結果、金属パイプ３１における凸部３１ｚの外側にある軸方向端面部分３１ｒと、第２の電極３３Ｂとの放電を防止することができる。

第２の電極３３Ｂは、誘電体３３Ｃの絶縁パイプ３２側の端部の外面から、絶縁パイプ３２を介して、第２の金属パイプ３１Ｂの絶縁パイプ３２側の端部の外面に亘って連続的に設けられている。また、第２の電極３３Ｂは、誘電体３３Ｃの前記端部の外面において全周に亘って設けられており、絶縁パイプ３２の外面において全周に亘って設けられており、前記第２の金属パイプ３１Ｂの前記端部の外面において全周に亘って設けられている。この第２の電極３３Ｂは、例えば金属の膜、箔、フィルム、シート等である。第２の電極３３Ｂの材質は、例えば、アルミニウム、銅、これらの合金等である。

＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態のプラズマ処理装置１００によれば、絶縁パイプ３２を介して互いに隣り合う金属パイプ３１にコンデンサ３３を電気的に直列接続しているので、アンテナ３の合成リアクタンスは、簡単に言えば、誘導性リアクタンスから容量性リアクタンスを引いた形になるので、アンテナ３のインピーダンスを低減させることができる。その結果、アンテナ３を長くする場合でもそのインピーダンスの増大を抑えることができ、アンテナ３に高周波電流が流れやすくなり、誘導結合型のプラズマＰを効率良く発生させることができる。

特に本実施形態によれば、誘電体３３Ｃが第１の電極３３Ａの外面に形成された誘電体材料からなるコーティング膜ＣＦであるので、第１の電極３３Ａ及び誘電体３３Ｃの間に生じる隙間を無くすことができる。その結果、第１の電極３３Ａ及び誘電体３３Ｃの間の隙間に発生しうるアーク放電を無くし、そのアーク放電に起因するコンデンサ３３の破損を無くすことができる。また、従来のように誘電体シートを金属パイプ３１に取り付ける構成では、組み立て時に取り付け位置の管理が必要であったが、誘電体３３Ｃをコーティング膜ＣＦから形成することにより、組み立て時における位置管理が不要となり、製造上の品質を安定化させることができる。

さらに、金属パイプ３１及び絶縁パイプ３２の内部に冷却液が流れるように構成されているので、アンテナ３を冷却してプラズマＰを安定して発生させることができる。この構成において、第１の電極３３Ａとなる金属パイプ３１の外面に誘電体３３Ｃが密着しているので、金属パイプ３１に冷却液を流すことによる誘電体３３Ｃの冷却効率を向上させることができ、これによっても、コンデンサ３３の熱劣化を防ぐことができる。

＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。

例えば、前記実施形態の第２の電極を、第２の金属パイプ３１Ｂ及び誘電体３３Ｃの外面に形成された導電性材料からなるコーティング膜から構成しても良い。この構成であれば、第１の電極３３Ａ及び誘電体３３Ｃの間に生じる隙間だけでなく、誘電体３３Ｃ及び第２の電極３３Ｂの間に生じる隙間を無くすことができる。その結果、誘電体３３Ｃ及び第２の電極３３Ｂの間の隙間に発生しうるアーク放電を無くし、そのアーク放電に起因するコンデンサ３３の破損を無くすことができる。また、コンデンサ３３を構成する電極３３Ａ、３３Ｂ及び誘電体３３Ｃの間に生じる隙間を無くすことができるので、隙間を考慮することなく、第１の電極３３Ａ及び第２の電極３３Ｂの距離、対向面積及び誘電体の比誘電率からキャパシタンス値を精度良く設定することができる。さらに、隙間を埋めるための電極３３Ａ、３３Ｂ及び誘電体３３Ｃを押圧する構造も不要にすることができ、当該押圧構造によるアンテナ３周辺の構造の複雑化及びそれにより生じるプラズマＰの均一性の悪化を防ぐことができる。

また、第２の電極３３Ｂの外面にも、金属パイプ３１と同様に、誘電体材料からなるコーティング膜を施しても良い。この構成であれば、第２の電極３３Ｂの外面において外気に触れる部分に誘電体材料からなるコーティング膜を形成しているので、表面酸化等を抑えて表面抵抗の変化を抑制することができる。その結果、プラズマＰの均一性の悪化を防ぐことができる。

その上、前記実施形態では、アンテナは直線状をなすものであったが、湾曲又は屈曲した形状であっても良い。この場合、金属パイプが湾曲又は屈曲した形状であっても良いし、絶縁パイプが湾曲又は屈曲した形状であっても良い。

加えて、導体要素及び絶縁要素は、１つの内部流路を有する管状をなすものであったが、２以上の内部流路を有するもの、或いは、分岐した内部流路を有するものであっても良い。また、導体要素及び／又は絶縁要素が中実のものであっても良い。

その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。

１００・・・プラズマ処理装置
Ｗ ・・・基板
Ｐ ・・・プラズマ
２ ・・・真空容器
３ ・・・アンテナ
３１ ・・・金属パイプ（導体要素）
３２ ・・・絶縁パイプ（絶縁要素）
３３ ・・・コンデンサ
３３Ａ・・・第１の電極
３３Ｂ・・・第２の電極
３３Ｃ・・・誘電体
ＣＦ ・・・コーティング膜
ＣＬ ・・・冷却液
４ ・・・高周波電源

Claims (5)

1. 高周波電流が流されて、プラズマを発生させるためのアンテナであって、
   少なくとも２つの導体要素と、互いに隣り合う前記導体要素の間に設けられて、それら導体要素を絶縁する絶縁要素と、互いに隣り合う前記導体要素と電気的に直列接続された容量素子とを備え、
   前記容量素子は、互いに隣り合う前記導体要素の一方の一部からなる第１の電極と、前記第１の電極の外面から前記絶縁要素の外面に亘って設けられた誘電体と、互いに隣り合う前記導体要素の他方と電気的に接続されるとともに、前記誘電体を介して前記第１の電極に対向して配置された第２の電極とを有し、
   前記誘電体は、前記第１の電極の外面に形成された誘電体材料からなるコーティング膜であるアンテナ。
2. 前記第２の電極は、前記導体要素の他方及び前記誘電体の外面に形成された導電性材料からなるコーティング膜から形成されている、請求項１記載のアンテナ。
3. 前記誘電体材料からなるコーティング膜は、前記導体要素の外面において前記電極が接続される部分を除いた全体に形成されている、請求項１又は２記載のアンテナ。
4. 前記導体要素及び前記絶縁要素は、管状をなすものであり、
   前記導体要素及び前記絶縁要素の内部に冷却液が流れるように構成されている、請求項１乃至３の何れか一項に記載のアンテナ。
5. 真空排気されかつガスが導入される真空容器と、
   前記真空容器内に配置された請求項１乃至４の何れか一項に記載のアンテナと、
   前記アンテナに高周波電流を流す高周波電源とを備え、
   前記アンテナによって発生させたプラズマを用いて基板に処理を施すように構成されているプラズマ処理装置。