TW202332325A - 天線以及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明在謀求天線所包括的電容元件的靜電電容的增大的情況下，使電流在電容元件所包括的各第二電極中充分且均勻地流動。天線（3）包括天線元件（31）及電容元件（32），電容元件（32）包括第一電極（32A）及第二電極（32B），在第一電極（32A）所包括的第一圓柱部（321A）的內側形成多個貫穿孔（H1），所述多個貫穿孔（H1）沿著第一圓柱部（321A）的側面（ES1）排列形成，並且供第二電極（32B）所包括的多個棒狀電極（32C）分別插入。

Description

天線以及電漿處理裝置
本揭示是有關於一種天線以及電漿處理裝置。
專利文獻1中揭示有一種天線，其用以產生電漿，且包括至少兩個導體要素、及與彼此相鄰的導體要素電性串聯連接的電容元件。電容元件包括與彼此相鄰的導體要素的其中一者電性連接的第一電極、及與彼此相鄰的導體要素的另一者電性連接的第二電極。 [現有技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2018-133326號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，在專利文獻1所揭示的天線中，第一電極的延伸部及第二電極的延伸部呈圓筒形狀，彼此配置於同軸上。因此，集膚效應導致存在如下可能性：關於第一電極及第二電極，相較於處於外側的電極，電流不易流至處於內側的電極，或電流無法流至處於內側的電極。
本揭示的一態樣的目的在於：在謀求天線所包括的電容元件的靜電電容的增大的情況下，使電流充分且均勻地流至電容元件所包括的各第二電極。 [解決課題之手段]
為了解決所述課題，本揭示的一態樣的天線沿著軸延伸，藉由流通高頻電流而釋放出用以產生電漿的電磁波，所述天線包括：至少兩個天線元件，沿著所述軸依次配置；以及至少一個電容元件，配置於彼此相鄰的兩個所述天線元件之間，所述電容元件包括：第一電極，與彼此相鄰的所述天線元件的其中一者電性連接；以及第二電極，與彼此相鄰的所述天線元件的另一者電性連接，所述第一電極包括沿著所述軸向延伸的第一圓柱部，所述第二電極包括沿著所述軸向延伸的多個棒狀電極，在所述第一圓柱部的內側形成多個貫穿孔，所述多個貫穿孔沿著所述軸向延伸，沿著所述第一圓柱部的側面排列形成，並且供多個所述棒狀電極分別插入。 [發明的效果]
根據本揭示的一態樣，在謀求天線所包括的電容元件的靜電電容的增大的情況下，能夠使電流充分且均勻地流至電容元件所包括的各第二電極。
〔實施方式1〕 ＜電漿處理裝置1的結構＞ 圖1是表示本揭示的實施方式1的電漿處理裝置1的剖面結構的剖視圖。在圖1中，將天線3所延伸的方向設為X軸方向，將自真空容器2朝向天線3的方向設為Z軸方向，將與X軸方向及Z軸方向的兩個方向正交的方向設為Y軸方向。
如圖1所示，電漿處理裝置1使用感應耦合型的電漿P1對基板W1實施電漿處理。基板W1例如為液晶顯示器或有機電致發光（Electroluminescence，EL）顯示器等平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）用的基板、或軟性顯示器用的軟性基板等。而且，對基板W1實施的處理例如為利用電漿化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD）法或濺鍍法進行的膜形成、利用電漿進行的蝕刻、灰化或被覆膜去除等。
電漿處理裝置1包括真空容器2、天線3、高頻電源4、真空排氣裝置5、保持部6、絕緣蓋7、及絕緣構件8。真空容器2例如為金屬製的容器，藉由真空排氣裝置5對真空容器2的內部進行真空排氣。真空容器2電性接地。在真空容器2形成有氣體導入口21，自氣體導入口21向真空容器2的內部導入氣體G1。
氣體G1對應於對基板W1實施的處理內容即可。例如，在藉由電漿CVD法對基板W1進行膜形成的情況下，氣體G1為原料氣體或利用H 2等稀釋氣體將其稀釋而成的氣體。若進一步列舉具體例，則在原料氣體為SiH 4的情況下可在基板W1上形成Si膜，在為SiH 4＋NH 3的情況下可在基板W1上形成SiN膜，在為SiH 4＋O 2的情況下可在基板W1上形成SiO 2膜，在為SiF 4＋N 2的情況下可在基板W1上形成SiN：F膜（氟化矽氮化膜）。
天線3藉由流通高頻電流IR而釋放出用以產生電漿P1的電磁波，配置於真空容器2的內部。天線3在真空容器2的內部以沿著基板W1的表面的方式相對於基板W1而配置於Z軸正方向側。配置於真空容器2的內部的天線3的根數可為一根，亦可為多根。
高頻電源4對天線3施加用以在真空容器2的內部產生電漿P1的高頻。藉由高頻電源4對天線3施加高頻，高頻電流IR流至天線3，在真空容器2的內部產生感應電場，而產生電漿P1。保持部6設置於真空容器2的內部，保持基板W1。
天線3的兩端部分別貫穿真空容器2所包括的彼此相向的側壁。在真空容器2中天線3的兩端部所貫穿的部分分別設置有絕緣構件8。天線3的兩端部貫穿各絕緣構件8。在天線3與絕緣構件8之間設置有襯墊9。在真空容器2與絕緣構件8之間亦設置有襯墊10。
絕緣構件8的材質例如為氧化鋁等陶瓷、石英、或聚苯硫醚（polyphenylenesulfide，PPS）或聚醚醚酮（polyetheretherketone，PEEK）等工程塑膠等。天線3中位於真空容器2的內部的部分被管狀的絕緣蓋7所覆蓋。絕緣蓋7的兩端部由絕緣構件8所支持。絕緣蓋7的大部分部分不與天線3接觸。
再者，絕緣蓋7的兩端部與絕緣構件8之間亦可不封閉。其原因在於：絕緣蓋7的內部的空間小，即便氣體G1進入絕緣蓋7的內部的空間，帶電粒子的移動距離亦短，因此通常在絕緣蓋7的內部的空間不產生電漿P1。而且，絕緣蓋7的材質例如為石英、氧化鋁、氮化矽或碳化矽等無機的高電阻材料。
藉由設置絕緣蓋7，能夠抑制入射至天線3的電漿P1中的帶電粒子的量。因此，能夠抑制帶電粒子入射至天線3引起的天線3的電漿電位的上升，並且能夠抑制天線3被帶電粒子濺鍍而對基板W1產生金屬污染。
經由匹配電路41在作為天線3的一端部的供電端部3a連接有高頻電源4，作為天線3的另一端部的終端部3b直接接地。再者，終端部3b亦可經由電容器或線圈等而接地。高頻電源4可經由匹配電路41在天線3中流通高頻電流IR。高頻的頻率例如為通常的13.56 MHz，但不限定於此。
冷卻液CL藉由設置於真空容器2的外部的循環流路11而在天線3中流通。在循環流路11設置有溫度調整機構12及循環機構13。溫度調整機構12是用以將冷卻液CL調整為一定溫度的熱交換器等。循環機構13是用以在循環流路11中使冷卻液CL循環的泵等。作為冷卻液CL，就電性絕緣的觀點而言，較佳為高電阻的水，例如較佳為純水或與其接近的水。而且，作為冷卻液CL，例如亦可使用氟系惰性液體等水以外的液冷媒。
＜天線3的內部結構＞ 圖2是表示圖1所示的電漿處理裝置1所包括的天線3的內部結構的剖視圖。如圖2所示，天線3包括至少兩個天線元件31、至少一個電容元件32、及絕緣要素33。天線3沿著軸AX延伸，為內部形成供冷卻液CL流通的流路的中空結構。軸AX為沿著X軸方向的軸。
至少兩個天線元件31沿著軸AX依次配置，在X軸方向上彼此相鄰配置。天線元件31是呈管狀的金屬製的金屬管。天線元件31呈內部形成有供冷卻液CL流通的直線狀的流路的管狀。天線元件31的材質例如為銅、鋁、該些的合金或不鏽鋼等。圖2示出彼此相鄰的兩個天線元件31。將彼此相鄰的天線元件31的其中一個設為天線元件31A，將彼此相鄰的天線元件31的另一個設為天線元件31B。
電容元件32配置於彼此相鄰的兩個天線元件31之間。電容元件32包括第一電極32A、及第二電極32B。第一電極32A與天線元件31A電性連接，第二電極32B與天線元件31B電性連接。電容元件32與天線元件31A、天線元件31B電性串聯連接。
第一電極32A插入絕緣要素33的內部。第一電極32A包括沿著X軸方向延伸的第一圓柱部321A、第二圓柱部321B及第一連接部321C。在第一圓柱部321A的內側形成沿著X軸方向延伸的多個貫穿孔H1。第二圓柱部321B以側面與第一圓柱部321A連續的方式連接於第一圓柱部321A。
在第二圓柱部321B的內部形成與各貫穿孔H1連通的內部空間SP1。第一連接部321C將天線元件31A與絕緣要素33連接。而且，第一連接部321C以側面與第二圓柱部321B連續的方式連接於第二圓柱部321B。
第一圓柱部321A、第二圓柱部321B及第一連接部321C包括一體的構件。該一體的構件為一體成形的構件、或藉由焊接等將多個構件接合組裝而成的組裝構件。如圖2所示，在第一電極32A的內側，第二圓柱部321B的內徑大於第一連接部321C的內徑，但第二圓柱部321B的內徑亦可與第一連接部321C的內徑相同。
第二電極32B包括多個棒狀電極32C、及第二連接部32D。第二連接部32D包括突出部326、及連接部327。第二連接部32D是第二電極32B中與天線元件31B連接的部分。突出部326自連接部327朝向X軸負方向突出。
在突出部326中與連接部327鄰接的部分形成沿著自天線3的外側朝向內側的方向延伸的多個貫穿孔H2。多個貫穿孔H2以沿著天線3的周向排列的方式形成於突出部326。藉由在突出部326形成貫穿孔H2，能夠使處於絕緣要素33與突出部326之間的冷卻液CL沿著X軸正方向流動。
連接部327將天線元件31B與絕緣要素33連接。多個棒狀電極32C分別插入多個貫穿孔H1中。第一電極32A及第二電極32B的材質例如為鋁、銅或該些的合金等。再者，為了抑制冷卻液CL引起的各電極的電化學性的劣化，亦可對第一電極32A及第二電極32B實施與各電極各自的材料相應的耐酸鋁處理等表面處理。
棒狀電極32C包括延伸部321、凸緣部322、及突起部323。延伸部321沿著X軸方向延伸。凸緣部322以與延伸部321的延伸方向、即X軸方向大致正交的方式設置於延伸部321的後端。突起部323連接於凸緣部322。凸緣部322及突起部323構成棒狀電極32C的後端。
棒狀電極32C藉由突起部323插入第二連接部32D的突出部326而連接於第二連接部32D。再者，突起部323可藉由銷或螺絲等固定構件固定於突出部326。而且，突起部323亦可藉由螺合於形成於突出部326的螺孔而將棒狀電極32C固定於突出部326。
藉由將突起部323插入第二連接部32D，能夠準確地決定棒狀電極32C中由貫穿孔H1包圍的部分的長度L1。而且，由於凸緣部322與棒狀電極32C的延伸方向大致正交，故而可以棒狀電極32C的延伸方向與貫穿孔H1的延伸方向一致的方式將棒狀電極32C容易地連接於第二連接部32D。
在第一連接部321C的側面ES2形成有凹部324，在凹部324中嵌入有O環等襯墊325。藉此，能夠防止冷卻液CL流至絕緣要素33與第一電極32A之間。而且，在連接部327的側面ES3形成有凹部328，在凹部328中嵌入有O環等襯墊329。藉此，能夠防止冷卻液CL流至絕緣要素33與連接部327之間。
絕緣要素33設置於天線元件31A與天線元件31B之間，為與天線元件31A及天線元件31B分別連接的管狀的絕緣管。藉此，能夠藉由絕緣要素33將彼此相鄰的天線元件31各者絕緣。
在絕緣要素33的內部形成有供冷卻液CL流通的直線狀的流路，供第一電極32A及第二電極32B插入。絕緣要素33的材質例如為氧化鋁等陶瓷、氟樹脂、聚乙烯（polyethylene，PE）、或者聚苯硫醚（PPS）或聚醚醚酮（PEEK）等工程塑膠等。
而且，在絕緣要素33設置有貫穿絕緣要素33並且插入第一連接部321C的固定構件34。藉此，第一電極32A被固定構件34固定於絕緣要素33。進而，在絕緣要素33設置有貫穿絕緣要素33並且插入連接部327的固定構件35。藉此，第二電極32B被固定構件35固定於絕緣要素33。固定構件34、固定構件35例如為銷或螺絲。
藉由將第一電極32A及第二電極32B固定於絕緣要素33，能夠準確地確定第一電極32A的中心軸與第二電極32B的中心軸的位置。藉此，能夠準確地確定形成於第一電極32A的貫穿孔H1與棒狀電極32C的中心軸的相對位置，而能夠容易地實現使冷卻液CL在棒狀電極32C的周圍均勻地流動。
圖3是圖2所示的天線3的A1-A1線箭視剖視圖。如圖3所示，在第一圓柱部321A的內側，多個貫穿孔H1沿著第一圓柱部321A的側面ES1排列成環狀而形成。在規定貫穿孔H1的第一圓柱部321A的內面I1與延伸部321之間的空間SP2流通作為介電體的冷卻液CL。藉此，可藉由第一圓柱部321A、延伸部321及冷卻液CL構成電容器。空間SP2是由內面I1包圍的空間所包括的空間。
由於多個棒狀電極32C分別插入沿著第一圓柱部321A的側面ES1排列形成的多個貫穿孔H1中，故而各棒狀電極32C沿著第一圓柱部321A的側面ES1而配置。因此，能夠充分減小針對第一電極32A的集膚效應引起的電流在各棒狀電極32C中的流動容易性的差異。由此，在謀求電容元件32的靜電電容的增大的情況下，能夠使電流充分且均勻地流至各棒狀電極32C。
而且，藉由將多個貫穿孔H1沿著第一圓柱部321A的側面ES1排列形成，與藉由電容元件的電極在天線的周向上重疊的多重結構構成天線的情況相比，能夠減小電容元件32的尺寸。由此，能夠使天線3變細，而能夠實現天線3的小型化。
在圖3中，多個貫穿孔H1沿著一個圓C1形成於第一圓柱部321A的內側，但亦可沿著半徑彼此不同的多個圓形成於第一圓柱部321A的內側。即，多個貫穿孔H1可交錯形成於第一圓柱部321A的內側。
藉由形成多個第一圓柱部321A的內面I1與延伸部321之間的空間SP2，與形成一個空間SP2的情況相比，能夠增大第一圓柱部321A中與延伸部321相向的部分的面積。例如，在圖3中，形成有六個空間SP2，形成六個空間SP2的情況下的靜電電容成為形成一個空間SP2的情況下的靜電電容的6倍。由此，能夠增大電容元件32的靜電電容，而能夠減小天線3的電壓的增減幅度。
〔實施方式2〕 以下對本揭示的實施方式2進行說明。再者，為了方便說明，而對與實施方式1中所說明的構件具有相同的功能的構件附註相同的符號，而不再重覆其說明。圖4是表示本揭示的實施方式2的電漿處理裝置所包括的天線3A的內部結構的剖視圖。實施方式2的電漿處理裝置將天線3變更為天線3A，該方面不同於實施方式1的電漿處理裝置。此處對天線3A不同於天線3的內容進行說明。
如圖4所示，在天線3A的第二圓柱部521B的內部形成有與多個貫穿孔H1連通的內部空間SP3。天線3A的棒狀電極52C所包括的延伸部521的長度長於延伸部321的長度，多個棒狀電極52C的延伸部521各自的前端E1配置於內部空間SP3。
即，延伸部521的前端E1配置於貫穿孔H1的外側。由於棒狀電極52C的前端E1配置於與多個貫穿孔H1分別連通的內部空間SP3，故而能夠減少電場集中於棒狀電極52C的前端E1的情況。
而且，包圍內部空間SP3的第二圓柱部521B的內面IS相較於多個貫穿孔H1而形成於第一電極52A的與中心軸AX1分離的位置。藉此，由於棒狀電極52C的前端E1與包圍配置棒狀電極52C的前端E1的內部空間SP3的第二圓柱部521B的內面IS之間的距離增大，故而能夠進一步減少電場集中於棒狀電極52C的前端E1的情況。
進而，在包圍內部空間SP3的內面IS與貫穿孔H1之間的邊界部分形成有切缺部CT。藉此，延伸部521的前端E1與第一電極52A之間的距離增大，因此能夠進一步減少電場集中於前端E1的情況。而且，在第一電極52A中與突出部526相向一側形成有切缺部CT2。
〔實施方式3〕 以下對本揭示的實施方式3進行說明。再者，為了方便說明，而對與實施方式1及實施方式2中所說明的構件具有相同的功能的構件附註相同的符號，而不再重覆其說明。圖5是表示本揭示的實施方式3的電漿處理裝置所包括的天線3B的內部結構的剖視圖。實施方式3的電漿處理裝置將天線3A變更為天線3B，該方面不同於實施方式2的電漿處理裝置。此處對天線3B不同於天線3A的內容進行說明。
如圖5所示，天線3B的第一電極62A包括第一圓柱部621A、第二圓柱部621B及第一連接部621C。第一圓柱部621A設置於絕緣要素33的內部。在第一圓柱部621A的內側形成多個貫穿孔H1。第一圓柱部621A及第二圓柱部621B包括一體的構件。第二圓柱部621B連接於第一連接部621C，並且設置於絕緣要素33的內部。第一連接部621C是第一電極62A中與天線元件31B連接的部分。第一連接部621C將天線元件31A與絕緣要素33連接。
構成第一圓柱部621A及第二圓柱部621B的一體的構件藉由接著劑等固定於絕緣要素33。再者，亦可藉由形成於該一體的構件及絕緣要素33的其中一者的凸部嵌合於形成於所述一體的構件及絕緣要素33的另一者的凹部，而將所述一體的構件固定於絕緣要素33。
而且，第一連接部621C以能夠與構成第一圓柱部621A及第二圓柱部621B的一體的構件分離的方式設置。藉由將第一連接部621C以能夠與所述一體的構件分離的方式設置，在組裝天線3B的情況下，使第一連接部621C與所述一體的構件分離，而能夠確認貫穿孔H1與棒狀電極52C的位置關係。而且，即便在對天線3B執行保養的情況下，亦使第一連接部621C與所述一體的構件分離，而能夠確認貫穿孔H1與棒狀電極52C的位置關係。
〔實施方式4〕 以下對本揭示的實施方式4進行說明。再者，為了方便說明，而對與實施方式1～實施方式3中所說明的構件具有相同的功能的構件附註相同的符號，而不再重覆其說明。圖6是表示本揭示的實施方式4的電漿處理裝置1A的剖面結構的剖視圖。此處，對實施方式4的電漿處理裝置1A不同於電漿處理裝置1的內容進行說明。
如圖6所示，電漿處理裝置1A包括多根天線3、及連接導體71。各天線3的兩端部分別貫穿真空容器2所包括的彼此相向的側壁。各天線3可包括多個電容元件32、及多個絕緣要素33。天線元件31與電容元件32及絕緣要素33交替連接。
彼此鄰接的天線3中的一天線3的端部與另一天線3的端部可藉由連接導體71電性連接。此處，藉由連接導體71連接的兩根天線3的端部為位於相同的側壁側的端部。藉此，多根天線3以彼此反向的高頻電流IR在彼此鄰接的天線3中流動的方式構成。藉由利用連接導體71使多根天線3成為一根天線結構，電漿處理裝置1A可對大型的基板W1實施電漿處理。
在連接導體71的內部形成有供冷卻液CL流通的流路。具體而言，連接導體71的一端部與其中一天線3的流路連通，連接導體71的另一端部與另一天線3的流路連通。藉此，在彼此鄰接的天線3中的一天線3中流通的冷卻液CL經由連接導體71的流路流至另一天線3的流路。而且，可藉由共通的冷卻液CL將天線3及連接導體71的兩者冷卻。進而，可藉由一條流路將多根天線3冷卻，因此能夠簡化循環流路11的結構。
連接導體71包括其中一導體部71A、另一導體部71B、及電容元件71C。其中一導體部71A連接於彼此鄰接的天線3中的其中一天線3。另一導體部71B連接於彼此鄰接的天線3中的另一天線3。電容元件71C電性串聯連接於導體部71A及導體部71B。
再者，導體部71A、導體部71B的結構例如可與天線元件31的結構相同，電容元件71C的結構例如可與電容元件32的結構相同。如此，藉由連接導體71包括電容元件71C，能夠使連接導體71的阻抗相當於零，而能夠減少連接導體71引起的阻抗的增加。
〔匯總〕 本揭示的一方面的天線沿著軸延伸，藉由流通高頻電流而釋放出用以產生電漿的電磁波，所述天線包括：至少兩個天線元件，沿著所述軸依次配置；以及至少一個電容元件，配置於彼此相鄰的兩個所述天線元件之間，所述電容元件包括：第一電極，與彼此相鄰的所述天線元件的其中一者電性連接；以及第二電極，與彼此相鄰的所述天線元件的另一者電性連接，所述第一電極包括沿著所述軸向延伸的第一圓柱部，所述第二電極包括沿著所述軸向延伸的多個棒狀電極，在所述第一圓柱部的內側形成多個貫穿孔，所述多個貫穿孔沿著所述軸向延伸，沿著所述第一圓柱部的側面排列形成，並且供多個所述棒狀電極分別插入。
根據所述結構，由於多個棒狀電極分別插入沿著第一圓柱部的側面排列形成的多個貫穿孔中，故而各棒狀電極沿著第一圓柱部的側面配置。因此，能夠充分地減小針對第一電極的集膚效應引起的電流在各棒狀電極中的流動容易性的差異。由此，在謀求電容元件的靜電電容的增大的情況下，能夠使電流充分且均勻地流至各棒狀電極。
在所述一方面的天線中，可為在規定所述貫穿孔的所述第一圓柱部的內面與所述棒狀電極之間的空間流通冷卻液。根據所述結構，可藉由第一圓柱部、棒狀電極及冷卻液構成電容器。
在所述一方面的天線中，可為所述第一電極包括第二圓柱部，所述第二圓柱部以側面與所述第一圓柱部連續的方式連接於所述第一圓柱部，在所述第二圓柱部的內部形成有與各所述貫穿孔連通的內部空間，所述棒狀電極各自的前端配置於所述內部空間。根據所述結構，由於將棒狀電極的前端配置於與多個貫穿孔分別連通的內部空間，故而能夠減少電場集中於棒狀電極的前端的情況。
在所述一方面的天線中，可為包圍所述內部空間的所述第二圓柱部的內面相較於所述多個貫穿孔而形成於所述第一電極的與中心軸分離的位置。根據所述結構，棒狀電極的前端與包圍配置棒狀電極的前端的內部空間的第二圓柱部的內面之間的距離增大，因此能夠進一步減少電場集中於棒狀電極的前端的情況。
所述一方面的天線可進而包括：管狀的絕緣要素，連接於彼此相鄰的所述天線元件的各者，在內部插入所述第一電極及所述第二電極。根據所述結構，能夠藉由絕緣要素將彼此相鄰的天線元件的各者絕緣。
在所述一方面的天線中，可為所述第一電極包括第一連接部，所述第一連接部為與所述天線元件的其中一者連接的部分，所述第一圓柱部及第二圓柱部包括一體的構件，所述第一連接部以能夠與所述一體的構件分離的方式設置。根據所述結構，藉由將第一連接部以能夠與一體的構件分離的方式設置，在組裝天線的情況下，使第一連接部與所述一體的構件分離，而能夠確認貫穿孔與棒狀電極的位置關係。
在所述一方面的天線中，可為所述第一電極及所述第二電極藉由固定構件而固定於所述絕緣要素。根據所述結構，藉由將第一電極及第二電極固定於絕緣要素，而能夠準確地確定第一電極的中心軸與第二電極的中心軸的位置。藉此，能夠準確地確定形成於第一電極的貫穿孔與棒狀電極的中心軸的相對位置。
在所述一方面的天線中，可為所述第二電極包括第二連接部，所述第二連接部為與所述天線元件的另一者連接的部分，所述棒狀電極包括：凸緣部，與所述棒狀電極的延伸方向大致正交；以及突起部，連接於所述凸緣部，所述凸緣部及所述突起部構成所述棒狀電極的後端，所述棒狀電極藉由所述突起部插入所述第二連接部而連接於所述第二連接部。
根據所述結構，藉由將突起部插入第二連接部，而能夠準確地決定棒狀電極中由貫穿孔包圍的部分的長度。而且，由於凸緣部與棒狀電極的延伸方向大致正交，故而能夠以棒狀電極的延伸方向與貫穿孔的延伸方向一致的方式，將棒狀電極容易地連接於第二連接部。
本揭示的一方面的天線包括所述天線。
本揭示並不限定於上述各實施方式，可在請求項所示的範圍內進行各種變更，對不同的實施方式分別適當組合所揭示的技術手段所獲得的實施方式亦包含於本揭示的技術範圍內。
1、1A:電漿處理裝置 2:真空容器 3、3A、3B:天線 3a:供電端部 3b:終端部 4:高頻電源 5:真空排氣裝置 6:保持部 7:絕緣蓋 8:絕緣構件 9、10、325、329:襯墊 11:循環流路 12:溫度調整機構 13:循環機構 21:氣體導入口 31、31A、31B:天線元件 32、71C:電容元件 32A、52A、62A:第一電極 32B:第二電極 32C、52C:棒狀電極 32D:第二連接部 33:絕緣要素 34、35:固定構件 41:匹配電路 71:連接導體 71A、71B:導體部 321、521:延伸部 321A、621A:第一圓柱部 321B、521B、621B:第二圓柱部 321C、621C:第一連接部 322:凸緣部 323:突起部 324、328:凹部 326、526:突出部 327:連接部 A1-A1:線 AX:軸 AX1:中心軸 C1:圓 CL:冷卻液 CT、CT2:切缺部 E1:前端 ES1、ES2、ES3:側面 G1:氣體 H1、H2:貫穿孔 I1、IS:內面 IR:高頻電流 L1:長度 P1:電漿 SP2:空間 SP1、SP3:內部空間 W1:基板 X、Y、Z:方向
圖1是表示本揭示的實施方式1的電漿處理裝置的剖面結構的剖視圖。 圖2是表示圖1所示的電漿處理裝置所包括的天線的內部結構的剖視圖。 圖3是圖2所示的天線的A1-A1線箭視剖視圖。 圖4是表示本揭示的實施方式2的電漿處理裝置所包括的天線的內部結構的剖視圖。 圖5是表示本揭示的實施方式3的電漿處理裝置所包括的天線的內部結構的剖視圖。 圖6是表示本揭示的實施方式4的電漿處理裝置的剖面結構的剖視圖。
3:天線
31、31A、31B:天線元件
32:電容元件
32A:第一電極
32B:第二電極
32C:棒狀電極
32D:第二連接部
33:絕緣要素
34、35:固定構件
321:延伸部
321A:第一圓柱部
321B:第二圓柱部
321C:第一連接部
322:凸緣部
323:突起部
324、328:凹部
325、329:襯墊
326:突出部
327:連接部
A1-A1:線
AX:軸
CL:冷卻液
ES1、ES2、ES3:側面
H1、H2:貫穿孔
L1:長度
SP1:空間
X、Y、Z:方向

Claims (9)

  1. 一種天線，沿著軸延伸，藉由流通高頻電流而釋放出用以產生電漿的電磁波，所述天線的特徵在於包括： 至少兩個天線元件，沿著所述軸依次配置；以及 至少一個電容元件，配置於彼此相鄰的兩個所述天線元件之間， 所述電容元件包括：第一電極，與彼此相鄰的所述天線元件的其中一者電性連接；以及第二電極，與彼此相鄰的所述天線元件的另一者電性連接， 所述第一電極包括沿著所述軸向延伸的第一圓柱部， 所述第二電極包括沿著所述軸向延伸的多個棒狀電極， 在所述第一圓柱部的內側形成多個貫穿孔，所述多個貫穿孔沿著所述軸向延伸，沿著所述第一圓柱部的側面排列形成，並且供多個所述棒狀電極分別插入。
  2. 如請求項1所述的天線，其中在規定所述貫穿孔的所述第一圓柱部的內面與所述棒狀電極之間的空間流通冷卻液。
  3. 如請求項1或請求項2所述的天線，其中所述第一電極包括第二圓柱部，所述第二圓柱部以側面與所述第一圓柱部連續的方式連接於所述第一圓柱部， 在所述第二圓柱部的內部形成有與各所述貫穿孔連通的內部空間， 所述棒狀電極各自的前端配置於所述內部空間。
  4. 如請求項3所述的天線，其中包圍所述內部空間的所述第二圓柱部的內面相較於所述多個貫穿孔而形成於所述第一電極的與中心軸分離的位置。
  5. 如請求項3或請求項4所述的天線，進而包括：管狀的絕緣要素，連接於彼此相鄰的所述天線元件的各者，在內部插入所述第一電極及所述第二電極。
  6. 如請求項5所述的天線，其中所述第一電極包括第一連接部，所述第一連接部為與所述天線元件的其中一者連接的部分， 所述第一圓柱部及第二圓柱部包括一體的構件，所述第一連接部以能夠與所述一體的構件分離的方式設置。
  7. 如請求項5或請求項6所述的天線，其中所述第一電極及所述第二電極藉由固定構件而固定於所述絕緣要素。
  8. 如請求項1至請求項7中任一項所述的天線，其中所述第二電極包括第二連接部，所述第二連接部為與所述天線元件的另一者連接的部分， 所述棒狀電極包括：凸緣部，與所述棒狀電極的延伸方向大致正交；以及突起部，連接於所述凸緣部， 所述凸緣部及所述突起部構成所述棒狀電極的後端， 所述棒狀電極藉由所述突起部插入所述第二連接部而連接於所述第二連接部。
  9. 一種電漿處理裝置，包括如請求項1至請求項8中任一項所述的天線。
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