KR20220116048A - 안테나 기구 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

안테나 기구 및 플라즈마 처리 장치 Download PDF

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KR20220116048A
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야스노리 안도
다이수케 마츠오
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닛신덴키 가부시키 가이샤
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Abstract

본 발명은, 플라즈마를 생성하기 위해서 고주파 전류가 흘려지는 안테나 본체의 임피던스를 간단한 구성에 의해 조정할 수 있는 것이며, 플라즈마(P)를 생성하기 위한 안테나 기구(3)로서, 고주파 전류가 흘려지는 안테나 본체(31)와, 안테나 본체(31)에 인접해서 형성된 하나 또는 복수의 조정회로(32)를 구비하고, 조정회로(32)는 폐회로를 구성하는 금속 도체(321)와, 폐회로를 구성하는 콘덴서(322)를 갖는다.

Description

안테나 기구 및 플라즈마 처리 장치
본 발명은 안테나 기구 및 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
안테나에 고주파 전류를 흘리고, 그것에 의해서 생기는 유도 전계에 의해 유도 결합형의 플라즈마(약칭 ICP)를 발생시켜, 이 유도 결합형의 플라즈마를 이용하여 기판(W)에 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치가 종래부터 제안되어 있다.
이 종류의 플라즈마 처리 장치에 있어서는, 대형의 기판에 대응하거나 하기위해서 안테나를 길게 하면, 상기 안테나의 임피던스가 커지고, 그것에 의해서 안테나의 양단간에 큰 전위차가 발생한다. 그 결과, 이 큰 전위차의 영향을 받아서 플라즈마의 밀도 분포, 전위 분포, 전자 온도 분포 등의 플라즈마의 균일성이 나빠지고, 나아가서는 기판 처리의 균일성이 나빠진다고 하는 문제가 있다. 또한, 안테나의 임피던스가 커지면, 안테나에 고주파 전류를 흘리기 어려워진다고 하는 문제도 있다.
이러한 문제를 해결하거나 하기 위해서, 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이, 복수의 금속 파이프를 이웃하는 금속 파이프간에 중공 절연체를 개재시켜서 접속함과 아울러, 중공 절연체의 내부에 용량소자인 콘덴서를 배치한 것이 고려되어 있다. 이 콘덴서는 중공 절연체의 양측의 금속 파이프에 전기적으로 직렬 접속되어 있고, 중공 절연체의 일방측의 금속 파이프에 전기적으로 접속된 제 1 전극과, 중공 절연체의 타방측의 금속 파이프에 전기적으로 접속됨과 아울러 제 1 전극과 공간을 두고서 동축 상에 배치된 제 2 전극을 갖고, 제 1 전극 및 제 2 전극 사이의 공간을 냉각액 등의 액체로 채움으로써 구성되어 있다.
일본 특허 제6341329호 공보
그러나, 상기 구성의 안테나에서는, 이웃하는 금속 파이프간에 중공 절연체를 개재시켜서 접속할 필요가 있고, 또한, 중공 절연체의 내부에 콘덴서를 설치할 필요가 있기 때문에, 안테나의 구조가 복잡해져 버린다. 또한, 내부에 흐르는 냉각수를 이용하여 콘덴서를 구성하고 있기 때문에, 각 금속 파이프와 중공 절연체를 밀봉 부재에 의해 밀봉하는 구조가 필요하게 되고, 이것에 의해서도 안테나의 구조가 복잡해져 버린다.
그래서, 본원 발명은 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 플라즈마를 생성하기 위해서 고주파 전류가 흘려지는 안테나의 임피던스를 간단한 구성에 의해 조정할 수 있는 것을 그 주된 과제로 하는 것이다.
즉 본 발명에 따른 안테나 기구는, 플라즈마를 생성하기 위한 안테나 기구로서, 고주파 전류가 흐르는 안테나 본체와, 상기 안테나 본체에 고주파 전류가 흐름으로써 2차 전류가 흐르는 하나 또는 복수의 조정회로를 구비하고, 상기 조정회로는, 폐회로를 구성하는 금속 도체와, 상기 폐회로를 구성하는 용량소자를 갖는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성된 안테나 기구에 의하면, 안테나 본체 및 조정회로의 사이에 생기는 상호 유도(상호 인턱턴스)에 의해, 안테나 본체에 실효적으로 정전용량(커패시턴스)을 발현시킬 수 있다. 이것에 의해, 안테나 본체에 콘덴서를 설치하지 않고, 간단한 구성으로 안테나 본체의 임피던스를 조정할 수 있다. 또한, 안테나 본체와 조정회로의 거리를 조정하는 것만으로 안테나 본체의 임피던스를 조정할 수 있어, 임피던스의 조정을 용이하게 할 수 있다. 또한, 안테나 본체에 콘덴서를 설치하지 않으므로, 안테나 본체를 금속 파이프 등의 관만으로 구성할 수 있어 외경의 제한이 없고, 안테나 본체를 가늘게 해서 소형화할 수 있다. 또한, 안테나 본체를 금속 파이프 등의 관만으로 구성함으로써 안테나 본체의 도중에 접속부가 없으므로, 안테나 본체에 냉각수를 흘릴 경우에 냉각수의 누설의 걱정도 없다.
안테나 본체 및 조정회로가 플라즈마에 노출되는 것에 의한 오염이나 열화를 방지함과 아울러 임피던스의 조정을 보다 한층 용이하게 하기 위해서는, 상기 안테나 본체 및 상기 조정회로는 진공 배기되는 진공용기의 외부에 설치되는 것이 바람직하다.
폐회로를 구성하는 금속 도체에는 전류가 흐르기 때문에 줄 발열해 버린다. 금속 도체를 냉각하기 위해서는, 상기 금속 도체는 내부에 냉각수가 흐르는 내부 유로를 갖는 것이 바람직하다.
생성되는 플라즈마의 균일성을 향상시키기 위해서는, 상기 복수의 조정회로는 상기 안테나 본체의 길이 방향에 있어서 서로 등간격으로 설치되어 있는 것이 바람직하다.
마찬가지로, 생성되는 플라즈마의 균일성을 향상시키기 위해서는, 상기 복수의 조정회로는 서로 동일 구성인 것이 바람직하다.
구체적으로는, 상기 금속 도체는 상기 안테나 본체에 대향함과 아울러 상기 안테나 본체와 평행하게 연장되는 병주부를 갖고, 상기 복수의 조정회로는 서로 상기 병주부가 같은 길이인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는, 진공 배기되고 또한 가스가 도입되는 진공용기와, 상술한 안테나 기구와, 상기 안테나 본체에 고주파 전류를 흘리는 고주파 전원을 구비하고, 상기 안테나 기구에 의해서 발생시킨 플라즈마를 이용하여 피처리물에 처리를 실시하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 플라즈마 처리 장치이면, 안테나 기구에 의해 안테나 본체의 임피던스를 조정할 수 있으므로, 플라즈마 밀도를 균일하게 할 수 있어 피처리물에의 처리를 균일하게 행할 수 있다.
이 플라즈마 처리 장치에 있어서 안테나 기구에 의한 임피던스 조정을 간단하게 행하도록 하기 위해서는, 상기 안테나 기구는 상기 진공용기의 외부에 설치되는 것이며, 상기 진공용기에는 상기 안테나 본체와 대향하는 위치에 유전체 창이 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 안테나 기구가 진공용기의 외부(대기측)에 설치되어 있으므로, 안테나 기구가 더러워지기 어렵고 열화하기 어려워져 장기간의 사용이 가능해지고, 보수 메인터넌스의 빈도를 낮게 할 수 있다.
이와 같이 구성한 본 발명에 의하면, 플라즈마를 생성하기 위해서 고주파 전류가 흘려지는 안테나 본체의 임피던스를 간단한 구성에 의해 조정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시형태의 플라즈마 처리 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 횡단면도이다.
도 2는 동 실시형태의 안테나 기구의 상세를 나타내는 도면이다.
도 3은 동 실시형태의 안테나 기구의 등가회로를 나타내는 도면이다.
도 4는 조정회로 및 안테나 본체의 거리 d와 안테나 본체의 임피던스(전 리액턴스 X0)의 관계를 나타내는 실험 결과이다.
도 5는 변형 실시형태의 안테나 기구의 상세를 나타내는 도면이다.
이하에, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 일실시형태에 대해서 도면을 참조해서 설명한다.
<장치 구성>
본 실시형태의 플라즈마 처리 장치(100)는 유도 결합형의 플라즈마(P)를 이용하여 피처리물(W)에 처리를 실시하는 것이다. 여기에서, 피처리물(W)은, 예를 들면, 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)용의 기판, 플렉시블 디스플레이용의 플렉시블 기판 등이다. 또한, 피처리물(W)에 실시하는 처리는, 예를 들면, 플라즈마 CVD법에 의한 막 형성, 에칭, 애싱, 스퍼터링 등이다.
또, 이 플라즈마 처리 장치(100)는 플라즈마 CVD법에 의해서 막 형성을 행하는 경우에는 플라즈마 CVD 장치, 에칭을 행하는 경우에는 플라즈마 에칭 장치, 애싱을 행하는 경우에는 플라즈마 애싱 장치, 스퍼터링을 행하는 경우에는 플라즈마 스퍼터링 장치라고도 불린다.
구체적으로 플라즈마 처리 장치(100)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 진공배기되고 또한 가스(6)가 도입되는 진공용기(2)와, 진공용기(2) 내에 플라즈마(P)를 생성하기 위한 안테나 본체(31)를 갖는 안테나 기구(3)와, 진공용기(2) 내에 플라즈마(P)를 생성하기 위한 고주파를 안테나 본체(31)에 인가하는 고주파 전원(4)을 구비하고 있다. 또, 안테나 본체(31)에 고주파 전원(4)으로부터 고주파를 인가함으로써 안테나 본체(31)에는 고주파 전류(IR)가 흘러서, 진공용기(2) 내에 유도 전계가 발생해서 유도 결합형의 플라즈마(P)가 생성된다.
진공용기(2)는, 예를 들면 금속제의 용기이며, 그 내부는 진공 배기 장치(5)에 의해 진공 배기된다. 진공용기(2)는 이 예에서는 전기적으로 접지되어 있다.
진공용기(2) 내에, 예를 들면 유량 조정기(도시 생략) 및 안테나 본체(31)를 따르는 방향으로 배치된 복수의 가스 도입구(2H)를 경유하여 가스(6)가 도입된다. 가스(6)는, 기판(W)에 실시하는 처리 내용에 따른 것으로 하면 좋다. 예를 들면, 플라즈마 CVD법에 의해서 기판(W)에 막 형성을 행할 경우에는, 가스(6)는 원료 가스 또는 그것을 희석 가스(예를 들면 H2)로 희석한 가스이다.
또한, 진공용기(2) 내에는 기판(W)을 유지하는 기판 홀더(7)가 설치되어 있다. 이 예와 같이, 기판 홀더(7)에 바이어스 전원(8)으로부터 바이어스 전압을 인가하도록 해도 좋다. 바이어스 전압은, 예를 들면 부의 직류전압, 부의 바이어스 전압 등이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 이러한 바이어스 전압에 의해서, 예를 들면, 플라즈마(P) 중의 정 이온이 기판(W)에 입사할 때의 에너지를 제어하여, 기판(W)의 표면에 형성되는 막의 결정화도의 제어 등을 행할 수 있다. 기판 홀더(7) 내에 기판(W)을 가열하는 히터(71)를 설치하고 있어도 좋다.
안테나 기구(3)는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 진공용기(2)의 외부에 설치되어 있고, 고주파 전류가 흘려지는 안테나 본체(31)와, 안테나 본체(31)에 인접해서 설치된 복수의 조정회로(32)를 구비하고 있다.
안테나 본체(31)는, 직선 형상을 이루는 금속 파이프이며, 진공용기(2)의 측벽(21)에 형성된 유전체 창(21a)을 향하도록 배치되어 있다. 또, 안테나 본체(31)의 재질은, 예를 들면, 구리, 알루미늄, 이것들의 합금, 또는 스테인리스 등이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시형태에서는, 안테나 본체(31)의 내부에 냉각수 등의 냉매를 흘려 안테나 본체(31)를 냉각하도록 해도 좋다. 또한, 안테나 본체(31)의 외측 둘레면을 저저항 재료로 피복해도 좋고, 이 경우, 저저항 재료의 두께는 공급되는 고주파 전력의 주파수로 결정되는 전류의 침투 깊이 이상으로 하는 것이 바람직하다.
이 안테나 본체(31)의 일단부인 급전단부(31a)에는, 정합기(41)를 통해서 고주파 전원(4)이 접속되어 있고, 타단부인 종단부(31b)는 접지되어 있다. 이러한 구성에 의해, 고주파 전원(4)으로부터 정합기(41)를 통해서 안테나 본체(31)에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 진공용기(2) 내에 유도 결합형의 플라즈마(P)가 발생한다. 고주파의 주파수는, 예를 들면, 일반적인 13.56MHz이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
안테나 본체(31)에 대향해서 형성된 유전체 창(21a)은, 진공용기(2)의 측벽(21)에 형성된 개구를 막도록 형성되어 있고, 구체적으로는 예를 들면 석영판 등이다. 이 유전체 창(21a)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 안테나 본체(31)를 따라서 형성되어 있다.
복수의 조정회로(32)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각각 폐회로를 구성하고, 안테나 본체(31)에 고주파 전류가 흐름으로써 2차 전류(유도전류)가 흐르는 것이다. 각 조정회로(32)는 안테나 본체(31)를 따라서 인접해서 설치되어 있고, 일부가 안테나 본체(31)를 따라서 설치된 금속 도체(321)와, 예를 들면 콘덴서 등의 용량소자(322)를 갖고, 금속 도체(321) 및 용량소자(322)에 의해 폐회로가 구성되어 있다. 이들 복수의 조정회로(32)는 서로 동일 구성을 이루는 것이며, 안테나 본체(31)의 길이 방향에 있어서 서로 등간격으로 설치되어 있다.
금속 도체(321)는 안테나 본체(31)에 대향함과 아울러 안테나 본체(31)와 평행하게 연장되는 병주부(321a)를 갖고 있다. 복수의 조정회로(32) 각각의 병주부(321a)는, 서로 같은 길이로 되도록 구성되어 있다. 또, 1개의 조정회로(32)와 안테나 본체(31)가 대향하는 영역(병주하는 영역)은, 안테나 본체(31)의 길이에 비해서 충분하게 작은 영역으로 하고 있다.
또한, 금속 도체(321)는 금속 파이프로 구성되는 것이다. 또, 금속 도체(321)의 재질은 상기 안테나 본체(31)와 마찬가지로, 예를 들면, 구리, 알루미늄, 이것들의 합금, 또는 스테인리스 등이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 실시형태에서는 금속 도체(321)의 내부에 냉각수 등의 냉매를 흘려 금속 도체(321)를 냉각하도록 해도 좋다. 즉, 금속 도체(321)는 내부에 냉각수가 흐르는 내부 유로를 갖는 구성으로 하여도 좋다.
조정회로(32)의 용량소자(322)는, 정전용량이 고정인 고정 콘덴서로 해도 좋고, 정전용량이 가변인 가변 콘덴서로 해도 좋다.
다음에 상기 구성의 안테나 기구(3)에 있어서의 등가회로를 도 3에 나타낸다. 또, 도 3에서는, 조정회로(32)가 1개인 경우를 나타내고 있지만 이것에 한정되지 않는다.
여기에서, L0은 안테나 본체(31)의 인덕턴스이며, L1은 L0의 일부로서 조정회로(32)와 커플링되어 있는 영역의 인덕턴스이며, Lx는 조정회로(32)의 인덕턴스이며, L2는 Lx의 일부로서 안테나 본체(31)와 커플링되어 있는 영역의 인덕턴스이다. X는 조정회로(32)의 리액턴스이다.
이 경우의 전 리액턴스 X0은 이하의 식으로 나타낼 수 있다.
Figure pct00001
X0을 저감하기 위해서는, 조정회로(32)로서 이하의 3개의 케이스 (1), (2-1), (2-2)가 바람직하다.
(1) 금속 파이프 등으로 제작한 조정회로(32)의 리액턴스를 제로로 한다(X→0).
(2) ωLx+X>0의 경우,
(2-1) X에 인덕터(코일 등)를 사용한다.
(2-2) ωLx>1/ωC로 되는 콘덴서를 사용한다.
또, 콘덴서를 이용하여 ωLx+X<0으로 되는 경우에는, 리액턴스 X0을 증가시키게 되어 바람직하지 못하다.
다음에, 도 4에 안테나 본체(31)와 조정회로(32) 사이의 거리 d를 1㎜∼10㎜의 사이에서 변화시켰을 경우의 전 리액턴스 X0의 변화의 실험결과를 나타낸다. 여기에서는, 정전용량이 각각 100pF, 300pF, 900pF의 콘덴서(322)를 사용했을 경우를 나타내고 있다. 도 4로부터 분명하게 나타나 있는 바와 같이, 안테나 본체(31)와 조정회로(32)의 거리 d를 변화시킴으로써 안테나 본체(31)의 전 리액턴스 X0을 조정할 수 있다.
<본 실시형태의 효과>
이와 같이 구성된 플라즈마 처리 장치(100)에 의하면, 고주파 전류가 흘려지는 안테나 본체(31)에 금속 도체(321) 및 콘덴서(322)로 이루어지는 조정회로(32)를 인접시키고 있으므로, 안테나 본체(31)에 콘덴서를 설치하지 않고 간단한 구성으로 안테나 본체(31)의 임피던스를 조정할 수 있다.
즉, 안테나 본체(31)에 고주파 전류를 흐르게 함으로써, 금속 도체(321)에 2차 전류가 흘러서 금속 도체(321) 및 안테나 본체(31)의 사이에 상호 유도(상호 인덕턴스)가 생긴다. 이것에 의해, 안테나 본체(31)에 실효적으로 정전용량(커패시턴스)이 발현되어, 안테나 본체(31)의 도중에 용량소자(콘덴서)가 전기적으로 직렬 접속되는 것과 마찬가지로 된다. 그 결과, 안테나 본체(31)의 합성 리액턴스를, 유도성 리액턴스로부터 용량성 리액턴스를 뺀 형태로 할 수 있고, 안테나 본체(31)의 임피던스를 저감시킬 수 있다. 따라서, 안테나 본체(31)를 길게 하는 경우라도 그 임피던스의 증대가 억제되어, 안테나 본체(31)에 고주파 전류가 흐르기 쉬워지고, 균일성이 좋은 플라즈마를 효율적으로 발생시킬 수 있다.
또한, 안테나 본체(31)와 조정회로(32)의 거리를 조정하는 것만으로 안테나 본체(31)의 임피던스를 조정할 수 있어, 임피던스의 조정을 용이하게 할 수 있다. 또한, 안테나 본체(31)에 콘덴서를 설치하지 않으므로, 안테나 본체(31)를 금속 파이프 등의 관만으로 구성할 수 있어 외경의 제한이 없고, 안테나 본체(31)를 가늘게 해서 소형화할 수 있다. 또한, 안테나 본체(31)를 금속 파이프 등의 관만으로 구성함으로써, 안테나 본체(31)의 도중에 접속부가 없으므로 안테나 본체(31)에 냉각수를 흘릴 경우에 냉각수의 누설의 걱정도 없다.
<그 밖의 변형 실시형태>
또, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 도 5의 (1), (2)에 나타내는 바와 같이, 안테나 본체(31)를 진공용기의 내부에 설치하는 구성으로 하여도 좋다. 도 5의 (1)은, 안테나 본체(31)만을 진공용기(2) 내부에 설치하고, 조정회로(32)를 유전체 창을 통해서 진공용기(2) 밖에 설치한 예이다. 이 예의 경우, 조정회로(32)가 대기측에 있으므로 안테나 본체(31)의 임피던스의 조정이 용이하게 된다. 도 5의 (2)는, 안테나 본체(31) 뿐만 아니라, 조정회로(32)의 적어도 병주부(321a)를 진공용기(2) 내에 설치한 예이다. 그 외, 안테나 본체(31) 뿐만 아니라, 조정회로(32) 전체를 진공용기(2) 내에 설치해도 좋다. 안테나 본체(31)를 진공용기(2) 내에 설치할 경우에는, 안테나 본체(31)의 주위를 예를 들면 석영제의 절연 커버(9)로 덮음으로써, 플라즈마(P) 중의 하전입자가 안테나 본체(31)에 입사하는 것을 억제하는 것이 고려된다.
상기 실시형태에서는, 안테나 본체(31)와 병주부(321a)의 거리를 조정함으로써 안테나 본체(31)의 임피던스를 조정하고 있지만, 이것 이외에, 병주부(321a)의 길이를 조정함으로써 안테나 본체(31)의 임피던스를 조정해도 좋고, 조정회로(32)의 용량소자(322)의 정전용량을 조정함으로써 안테나 본체(31)의 임피던스를 조정해도 좋다.
또한, 안테나 본체(31)에 공급하는 고주파 전원의 주파수와 안테나 본체(31)의 길이에 의해, 안테나 본체(31)에 정재파가 생길 가능성이 있을 경우에는, 안테나 본체(31)를 분할하여 그 사이에 고정 콘덴서를 설치해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 안테나 본체(31)는 직선 형상을 이루는 것이었지만, 만곡 또는 굴곡된 형상이라도 좋다. 이 경우, 조정회로의 금속 도체도 안테나 본체(31)의 형상에 대응한 형상으로 하는 것이 고려된다.
또한, 상기 실시형태에서는, 조정회로(32)의 금속 도체(321)의 병주부(321a)는 안테나 본체(31)에 평행하게 되도록 구성되어 있지만, 평행하지 않아도 좋다.
기타, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변형이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명에 의하면, 플라즈마를 생성하기 위해서 고주파 전류가 흘려지는 안테나의 임피던스를 간단한 구성에 의해 조정할 수 있다.
100 : 플라즈마 처리 장치
W : 기판(피처리물)
P : 플라즈마
2 : 진공용기
21a : 유전체 창
3 : 안테나 기구
31 : 안테나 본체
32 : 조정회로
321 : 금속 도체
321a : 병주부
32 : 콘덴서
4 : 고주파 전원

Claims (8)

  1. 플라즈마를 생성하기 위한 안테나 기구로서,
    고주파 전류가 흐르는 안테나 본체와,
    상기 안테나 본체에 고주파 전류가 흐름으로써 2차 전류가 흐르는 하나 또는 복수의 조정회로를 구비하고,
    상기 조정회로는, 폐회로를 구성하는 금속 도체와, 상기 폐회로를 구성하는 용량소자를 갖는 안테나 기구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 안테나 본체 및 상기 조정회로는 진공 배기되는 진공용기의 외부에 설치되는 것인 안테나 기구.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 도체는 내부에 냉각수가 흐르는 내부 유로를 갖는 안테나 기구.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 조정회로는 상기 안테나 본체의 길이 방향에 있어서 서로 등간격으로 설치되어 있는 안테나 기구.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 조정회로는 서로 동일 구성인 안테나 기구.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속 도체는 상기 안테나 본체에 대향함과 아울러 상기 안테나 본체와 평행하게 연장되는 병주부를 갖고,
    상기 복수의 조정회로는 서로 상기 병주부가 같은 길이인 안테나 기구.
  7. 진공 배기되고 또한 가스가 도입되는 진공용기와,
    제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 안테나 기구와,
    상기 안테나 본체에 고주파 전류를 흘리는 고주파 전원을 구비하고,
    상기 안테나 기구에 의해서 발생시킨 플라즈마를 이용하여 피처리물에 처리를 실시하도록 구성되어 있는 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 안테나 기구는 상기 진공용기의 외부에 설치되는 것이며,
    상기 진공용기에는 상기 안테나 본체와 대향하는 위치에 유전체 창이 형성되어 있는 플라즈마 처리 장치.
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