JP7298320B2 - プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置用プログラム - Google Patents
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Description
その結果、複数のアンテナに流れる電流量に差が生じるうえ、1つのアンテナの長手方向に沿った電流量の分布が均一にならず、プラズマ密度が不均一になるという問題が生じる。
その結果、長尺状のアンテナを用いて基板の大型化に対応することができるようにしつつ、均一なプラズマを発生させることが可能となる。
そこで、装置を大掛かりにすることなく、アンテナの長手方向に沿って均一なプラズマを発生させるためには、前記インピーダンス調整部が可変コンデンサであり、前記制御装置が、前記第1乃至第4電流値をパラメータとして、前記可変コンデンサの容量を制御する構成を挙げることができる。
このような構成であれば、可変コンデンサを冷却しつつその静電容量の不意の変動を抑えることができる。
このような構成であれば、一方のアンテナ要素の接地側端部及び他方のアンテナ要素の給電側端部それぞれに電流検出部を設ける構成に比べて電流検出部を1つ減らすことができる。これにより、設備コスト削減を図れるうえ、インピーダンス調整部を制御するためのパラメータを1つ減らすことができるので、制御が容易となり、電流のさらなる均一化を図れる。
以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の第1実施形態について、図面を参照して説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置100は、誘導結合型のプラズマPを用いて基板Wに処理を施すものである。ここで、基板Wは、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Wに施す処理は、例えば、プラズマCVD法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。
以下では、説明の便宜上、一方のアンテナ3の給電側端部3aに接続された可変コンデンサVCを第1可変コンデンサVC1といい、一方のアンテナ3の接地側端部3bに接続された可変コンデンサVCを第2可変コンデンサVC2といい、他方のアンテナ3の給電側端部3aに接続された可変コンデンサVCを第3可変コンデンサV3といい、他方のアンテナ3の接地側端部3bに接続された可変コンデンサVCを第4コンデンサVC4という。
なお、第3電流値I3及び第4電流値I4の差|ΔI2|と、第4可変コンデンサVC4のリアクタンスとの関係も同様であり、第4可変コンデンサVC4のリアクタンスを大きくすると、|ΔI2|は小さくなり、第4可変コンデンサVC4のリアクタンスを小さくすると、|ΔI2|は大きくなる。
また、第1可変コンデンサVC1又は第3可変コンデンサVC3のリアクタンスを大きくするか小さくするかの何れにより|ΔIave|が小さくなるかを判定し、その方向にリアクタンスを調整することが好ましい。
例えば、下記の表の場合、第3可変コンデンサVC3のリアクタンスを小さくするように調整することを決定する。
このように構成された本実施形態のプラズマ処理装置100によれば、各アンテナ3の給電側端部3a及び接地側端部3bに流れる第1乃至第4電流値I1~I4をパラメータとして少なくとも1つの可変コンデンサVCのインピーダンスを制御するので、それぞれのアンテナ3に流れる電流量や1つのアンテナ3の長手方向に沿った電流量を、可及的に均一にすることができる。
次に、本発明に係るプラズマ処理装置の第2実施形態について、図面を参照して説明する。
また、この電流検出機構Sxは、他方のアンテナ3に着目すると、第1のアンテナ要素31Aの給電側端に設けられた第4電流検出部S4、第1のアンテナ要素31及び第2のアンテナ要素31Bの間に設けられた第5電流検出部S5、第2のアンテナ要素31Bの接地側端に設けられた第6電流検出部S6とを有している。
なお、第2電流検出部S2及び第5電流検出部は、第1のアンテナ要素31Aの接地側端部に流れる電流の検出と、第2のアンテナ要素31Bの給電側端部に流れる電流の検出とに兼用されている。
(Imax-Imin)/(Imax+Imin)×100
Imax:電流値I1~I6の最大値
Imin:電流値I1~I6の最小値
なお、この実施形態において第1可変コンデンサVC1又は第4可変コンデンサVC4の何れかを制御対象として選択するかは、前記第1実施形態における第1可変コンデンサVC1又は第3可変コンデンサVC3の選択方法と同様である。
続いて、本発明に係るプラズマ処理装置の第3実施形態について、図面を参照して説明する。
そして、制御装置は、|ΔI101|、|ΔI201|、|ΔI301|、|ΔIave12|、|ΔIave23|、及び|ΔIave31|が所定の閾値Δthよりも小さくなるように、各可変コンデンサVC1~VC6のインピーダンスを調整すれば良い。
なお、本発明は前記第1~第3実施形態に限られるものではない。
この場合、この可変コンデンサVCのインピーダンスは、|ΔI1|、|ΔI2|、及び|ΔIave|のうち|ΔIave|が最大の場合に制御装置Xによる制御対象となる。
W ・・・基板
P ・・・誘導結合型プラズマ
IR ・・・高周波電流
2 ・・・真空容器
3 ・・・アンテナ
3a ・・・給電側端部
3b ・・・接地側端部
VC1・・・第1可変コンデンサ
VC2・・・第2可変コンデンサ
VC3・・・第3可変コンデンサ
VC4・・・第4可変コンデンサ
Sx ・・・電流検出機構
S1 ・・・第1検出部
S2 ・・・第2検出部
S3 ・・・第3検出部
S4 ・・・第4検出部
X ・・・制御装置
Claims (8)
- 高周波電源と、
並列接続されるとともに、前記高周波電源から高周波電流が供給される少なくとも2本のアンテナと、
少なくとも一方の前記アンテナの給電側端部、及び、前記2本のアンテナそれぞれの接地側端部に接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部と、
一方の前記アンテナの給電側端部を流れる第1電流、一方の前記アンテナの接地側端部を流れる第2電流、他方の前記アンテナの給電側端部を流れる第3電流、及び、他方の前記アンテナの接地側端部を流れる第4電流を検出する電流検出機構と、
前記電流検出機構により検出された前記第1電流、前記第2電流、前記第3電流、及び、前記第4電流の値それぞれをパラメータとして、前記アンテナの給電側端部に接続された少なくとも1つの前記インピーダンス調整部のインピーダンスを制御する制御装置とを具備する、プラズマ処理装置。 - 前記インピーダンス調整部が、前記2本のアンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれに接続されており、
前記制御装置が、前記第1乃至第4電流値をパラメータとして、少なくとも1つの前記インピーダンス調整部のインピーダンスを制御する、請求項1記載のプラズマ処理装置。 - 前記インピーダンス調整部が可変コンデンサであり、
前記制御装置が、前記第1乃至第4電流値をパラメータとして、前記可変コンデンサの容量を制御する、請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。 - 前記アンテナが、内部に冷却液が流れる流路を有しており、
前記冷却液が、前記可変コンデンサの誘電体である、請求項3記載のプラズマ処理装置。 - 前記アンテナは、少なくとも2つのアンテナ要素を直列接続して構成されており、
前記2つのアンテナ要素の間に設けられた電流検出部が、一方のアンテナ要素の接地側端部を流れる電流の検出と、他方のアンテナ要素の給電側端部を流れる電流の検出とに兼用されている、請求項1乃至4のうち何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 前記パラメータとして、
前記第1及び前記第2電流の平均値及び差の絶対値と、
前記第3及び前記第4電流の平均値及び差の絶対値と、
前記2つの平均値の差の絶対値とが用いられている、請求項1乃至5のうち何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 高周波電源と、並列接続されるとともに、前記高周波電源から高周波電流が供給される少なくとも2本のアンテナと、少なくとも一方の前記アンテナの給電側端部、及び、前記2本のアンテナそれぞれの接地側端部に接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部と、を具備するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
一方の前記アンテナの給電側端部を流れる第1電流、一方の前記アンテナの接地側端部を流れる第2電流、他方の前記アンテナの給電側端部を流れる第3電流、及び、他方の前記アンテナの接地側端部を流れる第4電流を検出し、
検出された前記第1電流、前記第2電流、前記第3電流、及び、前記第4電流の値それぞれをパラメータとして、前記アンテナの給電側端部に接続された少なくとも1つの前記インピーダンス調整部のインピーダンスを変更する、プラズマ処理方法。 - 高周波電源と、並列接続されるとともに、前記高周波電源から高周波電流が供給される少なくとも2本のアンテナと、少なくとも一方の前記アンテナの給電側端部、及び、前記2本のアンテナそれぞれの接地側端部に接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部と、一方の前記アンテナの給電側端部を流れる第1電流、一方の前記アンテナの接地側端部を流れる第2電流、他方の前記アンテナの給電側端部を流れる第3電流、及び、他方の前記アンテナの接地側端部を流れる第4電流を検出する電流検出機構と、を具備するプラズマ処理装置に用いられるプログラムであって、
前記電流検出機構により検出された前記第1電流、前記第2電流、前記第3電流、及び、前記第4電流の値それぞれをパラメータとして、前記アンテナの給電側端部に接続された少なくとも1つの前記インピーダンス調整部のインピーダンスを制御する機能をコンピュータに発揮させる、プラズマ処理装置用プログラム。
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JP2004533090A (ja) | 2001-03-30 | 2004-10-28 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ励起コイル用電流センサを含む誘導プラズマ処理装置 |
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US20110253674A1 (en) | 2008-07-14 | 2011-10-20 | New Optics, Ltd. | Method and Chamber for Inductively Coupled Plasma Processing for Cylinderical Material With Three-Dimensional Surface |
JP2014216318A (ja) | 2013-04-25 | 2014-11-17 | ピーエスケーインコーポレイテッド | プラズマ発生装置及びその制御方法、及びプラズマ発生装置を含む基板処理装置 |
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