KR102300224B1 - 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치 - Google Patents

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Abstract

전극봉이 일렬로 배열되고 위상차를 가지도록 고주파 전력을 공급하여 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치가 개시된다. 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치는 플라즈마가 발생되어 기판에 증착이 이루어지도록 내부에 진공분위기가 형성된 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되고 플라즈마가 발생될 수 있도록 반응 가스가 공급되는 샤워 헤드부; 및 상기 샤워 헤드부에 일렬로 복수개의 전극봉이 배치되되, 교번하여 두 개 이상의 그룹을 형성하도록 전원이 서로 다르게 연결되고 전원이 위상차를 두고 제공됨으로써 상기 반응 가스가 균일한 플라즈마를 형성하는 고주파 전원부;를 포함한다.

Description

균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치 {Plasma generator enable to uniform plasma}
본 발명은 전극봉이 일렬로 배열되고 위상차를 가지도록 고주파 전력을 공급하여 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼는 쵸크랄스키법과 에피탁시 실리콘 웨이퍼 기술이 알려져 있다. 쵸크랄스키법은 원료를 도가니에서 1500℃의 고온에서 시드를 넣고 성장시키는 방식으로 설비와 공정이 매우 복잡하고 까다로우며 생산성도 많이 떨어진다.
이에 대하여, 에피탁시 실리콘 웨이퍼 기술은 기판에 원료를 저온인 300℃정도에서 증착시키는 방식으로 진행된다. 이때 기체를 반응시켜 실리콘 기판 표면의 결정방향을 따라 단결정 실리콘을 직접 성장시키는 기술(Epitaxy)이고, 폴리실리콘을 이용하지 않고 모노실란(SiH4) 등의 기체 전구체에서 직접 실리콘기판을 성장할 수 있기 때문에 공정단계가 크게 감소하며 절단손실이 발생하지 않게 된다.
이러한 에피탁시 실리콘 웨이퍼 기술은 모체기판을 준비하고, 모체기판에 다공성 분리층을 형성한 다음, 그 위에 다시 에피층을 성장시키게 된다. 그 다음 모체기판으로부터 에피층을 분리층과 함께 분리하여 에피탁시 실리콘 기판을 얻게 되는 동시에 모체기판은 거의 무한대로 재활용하게 된다.
이러한 에피탁시 실리콘 웨이퍼 기술에서 분리층과 에피층을 형성하는 것이 공정의 대부분이기 때문에 이러한 증착공정의 생산성을 높이는 것이 전체 생산성의 증대와 밀접히 관련된다.
이러한 에피탁시 실리콘 웨이퍼 기술에서 증착공정에는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)공정이 적용된다. 이때 장비 챔버의 진공도가 저압이며, 저온의 열에너지와 RF 전력에 의한 플라즈마로 반응을 시키게 된다.
그러나 종래기술에 의한 플라즈마 형성장치는 증착 공정을 진행하기 위하여 고주파 전원이 일률적으로 적용되기 때문에 플라즈마의 형성이 균일하게 이루어지지 않게 되어 생성되는 박막 또한 균일하게 되지 않는 문제점이 있었다.
등록특허 10-2018106
본 발명의 목적은, 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 반응가스가 공급된 다음 고주파 전원을 제공하는 전극봉에 위상차를 두고 전원을 공급하는 동시에 전극봉 유닛을 좌우로 왕복 이동시킴으로써 균일한 플라즈마의 형성이 가능한 플라즈마 발생장치를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 구체적인 수단으로서 본 발명은, 플라즈마가 발생되어 기판에 증착이 이루어지도록 내부에 진공분위기가 형성된 챔버; 상기 챔버 내부에 배치되고 플라즈마가 발생될 수 있도록 반응 가스가 공급되는 샤워 헤드부; 및 상기 샤워 헤드부에 일렬로 복수개의 전극봉이 배치되되, 교번하여 두 개 이상의 그룹을 형성하도록 전원이 서로 다르게 연결되고 전원이 위상차를 두고 제공됨으로써 상기 반응 가스가 균일한 플라즈마를 형성하는 고주파 전원부;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 샤워 헤드부에 대향하여 설치되고 상기 기판이 지지되도록 설치됨으로써 기판에 박막이 형성되도록 상기 기판에 열을 제공하는 히터를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 복수개의 전극봉은 서로 이웃하는 전극봉을 건너 뛰고 그 다음 전극봉과 교번하여 전원 연결되도록 제1그룹과 제2그룹으로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 제1그룹과 제2그룹에 공급되는 고주파 전원은 180도의 위상차를 가질 수 있다.
이때, 상기 복수개의 전극봉은 길이 방향에 대하여 수직방향을 따라 전극봉 팔레트에 일렬로 고정 설치될 수 있다.
이때, 상기 전극봉 팔레트는 길이 방향에 대하여 수직방향을 따라 전후진 가능하도록 설치될 수 있다.
이때, 상기 전극봉 팔레트는 상기 복수개의 전극봉에 전원이 공급되기 시작하면 구동부에 의해 좌우로 왕복 운동하면서 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
이때, 상기 구동부는, 상기 전극봉 팔레트에 일단이 고정되고 타단은 상기 챔버 외부로 연장되어 직선방향을 따라 안내되도록 연결된 커넥팅 로드; 상기 커넥팅 로드에 회전 가능하게 일단이 연결된 커넥팅 링크; 상기 커넥팅 링크의 타단이 회전 가능하게 자유단에 연결된 회전 링크; 및 상기 회전 링크의 자유단을 회전축을 중심으로 회전시키는 구동모터;를 포함할 수 있다.
이때, 상기 샤워 헤드부와 히터는 샌드위치 형태로 복수개가 교번하여 배치되고, 상기 샤워 헤드부는, 메인 가스 공급관으로부터 상하로 분지된 분지관과, 상기 분지관과 각각 연통되도록 연결된 상부 리저브관과 하부 리저브관과, 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관 사이에 서로 연통되도록 연결된 복수개의 래더관을 포함하되, 상기 분지관이 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관 내부까지 연장되어 내측관을 형성함으로써 이중관으로 형성되고, 상기 내측관은 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관의 끝단 부근까지 연장되고, 일정간격마다 관통홀이 형성되며, 상기 내측관의 외면에는 상기 내측관과 상기 상부 리저브관 및 하부 리저브관 사이 공간으로 반응 가스가 흐를 때 균일하게 흐르도록 안내하는 나선형 가이드가 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
(1) 본 발명은 교번하여 배치된 전극봉들이 그룹을 이루고, 그룹마다 서로 위상차가 다른 고주파 전원이 공급됨으로써 균일한 플라즈마를 형성할 수 있게 된다.
(2) 본 발명은 복수개의 전극봉이 설치된 팔레트를 좌우 방향으로 왕복 이동시키면서 플라즈마를 형성하기 때문에 더욱 더 균일한 플라즈마가 형성될 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치의 모식도이다.
도 2는 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치의 샤워 헤드부의 사시도이다.
도 3에 도시된 샤워 헤드부와 전극봉 팔레트의 분해 사시도이다.
도 4은 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치의 작동도이다.
도 5는 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치의 블록도이다.
도 6은 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치의 일부 구성요소인 샤워 헤드부의 반단면 사시도이다.
도 7은 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치의 일부 구성요소인 샤워 헤드부의 반단면도이다.
도 8은 본 발명에 의한 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치의 작동 순서도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치를 보다 상세히 설명하도록 한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치는, 도 1 내지 도 8을 참고하면, 챔버, 샤워 헤드부, 히터, 고주파 전원부를 포함한다.
상기 챔버(10)는, 도 1을 참고하면, 반응 용기로서, 플라즈마가 발생되어 기판에 증착이 이루어지도록 내부에 진공분위기가 형성된다.
이때, 상기 챔버(10)는 내부의 진공 분위기를 형성하기 위한 가스 출입구가 형성될 것이고, 반응이 이루어진 가스가 빠져나가는 배기구 또한 형성될 것이다.
상기 히터(50)는, 도 1을 참고하면, 상기 복수개의 샤워 헤드부(20-40) 사이 마다 각각 설치되고 양면에는 상기 기판(51)이 지지되도록 설치됨으로써 양쪽의 기판(51) 모두에 증착이 이루어지도록 상기 기판(51)에 열을 제공하게 된다.
이때, 상기 히터(50)는 종래와 다르게 한쪽 면뿐만 아니라 양쪽면에 기판(51)이 설치된다. 따라서 양쪽 기판(51)을 모두 증착하기 위한 샤워 헤드부(20-40)의 구성과 배치가 필요해진다. 따라서 챔버(10) 내부의 공간을 효율적으로 활용할 수 있게 되어 생산성을 향상시킬 수 있게 된다. 즉 거의 2배에 가까운 기판(51)을 얻을 수 있게 된다.
상기 샤워 헤드부(20-40)는 복수개가 설치되되, 도 1 내지 도 4를 참고하면, 상기 챔버(10) 내부에 배치되고 배치된 간격 사이마다 플라즈마가 발생될 수 있도록 반응 가스가 공급되고 고주파 전원이 연결될 수 있다. 여기서 양끝단에 설치되는 샤워 헤드부(30, 40) 외에는 중앙 또는 사이에 설치되는 샤워 헤드부(20)는 양쪽으로 반응가스를 공급하여 기판(51) 쪽으로 플라즈마가 발생되도록 구성될 수 있다.
이때, 상기 샤워 헤드부(20)와 히터(50)는 샌드위치 형태로 복수개가 교번하여 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이 히터(50) 양쪽면에 기판(51)이 배치되기 때문에 그 양쪽으로 샤워 헤드부(20-40)가 배치되어 샌드위치 형태를 가지게 된다.
이때, 상기 샤워 헤드부(20-40)는, 도 1 내지 도 4를 참고하면, 메인 가스 공급관(21)으로부터 상하로 분지된 분지관(23)과, 상기 분지관(23)과 각각 연통되도록 연결된 상부 리저브관(25)과 하부 리저브관(25)과, 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관(25) 사이에 서로 연통되도록 연결된 2줄로 배열된 복수개의 래더관(27)을 포함할 수 있다.
이때, 상기 분지관(23)이 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관(25) 내부까지 연장되어 내측관(26)을 형성함으로써 이중관으로 형성될 수 있다.
이때, 상기 내측관(26)은 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관(25)의 끝단 부근까지 연장되고, 일정간격마다 관통홀(26b)이 형성될 수 있다. 이렇게 관통홀(26b)들이 균일하게 형성됨으로써 내측관(26)을 따라 돌아오는 반응가스와 혼합되면서 래더관(27)을 통하여 토출되는 반응가스가 균일하게 토출되도록 할 수 있다.
이때, 상기 내측관(26)의 외면에는 상기 내측관(26)과 상기 상부 리저브관 및 하부 리저브관(25) 사이 공간으로 반응 가스가 흐를 때 균일하게 흐르도록 안내하는 나선형 가이드(26a)가 형성될 수 있다. 상기 나선형 가이드(26a)를 따라 되돌아오는 반응가스와 내측관(26)의 관통홀(26b)을 통과하여 그 사이로 토출되는 반응가스가 서로 혼합됨으로써 순식간에 균일한 반응가스의 흐름을 제공하게 된다.
이때, 상기 메인 가스 공급관(21)과 상기 분지관(23) 사이에는 반응 가스 이송량을 조절하기 위한 조절밸브(22)가 설치될 수 있다. 여기서 상기 조절밸브(22)의 경우에는 각 샤워 헤드부(20-40)마다 설치되어 있기 때문에 기판(51)에 증착된 상태를 피드백하여 다양하게 조절할 수 있게 되어 품질관리를 진행할 수 있게 된다.
상기 샤워 헤드부(20-40)의 레터관(27)에는 한쪽으로 즉 기판(51) 쪽으로 토출홀(27a)이 형성되어 있다.
상기 고주파 전원부(11)는, 도 1 내지 도 8을 참고하면, 상기 샤워 헤드부(20)에 일렬로 복수개의 전극봉(61)이 배치되되, 교번하여 두 개 이상의 그룹을 형성하도록 전원이 서로 다르게 연결되고 전원이 위상차를 두고 제공됨으로써 상기 반응 가스가 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다.
이때, 상기 복수개의 전극봉(61)은 서로 이웃하는 전극봉(61)을 건너 뛰고 그 다음 전극봉(61)과 교번하여 전원 연결되도록 제1그룹과 제2그룹으로 이루어질 수 있다.
이때, 상기 제1그룹과 제2그룹에 공급되는 고주파 전원은 180도의 위상차를 가질 수 있다. 여기서 상기 복수개의 전극봉(61)이 제1그룹과 제2그룹으로 나뉘고 전원이 위상차를 가지고 공급되기 때문에 플라즈마의 형성이 균일하게 이루어질 수 있게 된다.
이때, 상기 복수개의 전극봉(61)은 길이 방향에 대하여 수직방향을 따라 전극봉 팔레트(60)에 일렬로 고정 설치될 수 있다.
이때, 상기 전극봉 팔레트(61)는 길이 방향에 대하여 수직방향을 따라 전후진 가능하도록 설치될 수 있다. 즉, 상기 전극봉 팔레트(61)는 상기 복수개의 전극봉(61)에 전원이 공급되기 시작하면 구동부(70)에 의해 좌우로 왕복 운동하면서 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 여기서 전극봉 팔레트(60)는 전극봉(61)들을 수용하는 동시에 전원 연결통로를 제공하고 특히 레일 홈(60a)이 형성되어 샤워 헤드부(20) 중앙으로 슬라이딩될 수 있도록 되어 있다.
이때, 상기 구동부(70)는, 도 4를 참고하면, 상기 전극봉 팔레트(60)에 일단이 고정되고 타단은 상기 챔버(10) 외부로 연장되어 직선방향을 따라 안내되도록 연결된 커넥팅 로드(74)와, 상기 커넥팅 로드(74)에 회전 가능하게 일단이 연결된 커텍팅 링크(73)와, 상기 커넥팅 링크(73)의 타단이 회전 가능하게 자유단에 연결된 회전 링크(72)와, 상기 회전 링크(72)의 자유단을 회전축을 중심으로 회전시키는 구동모터(71)를 포함할 수 있다. 이러한 구동부(70)의 구성에 의해, 고주파 전원을 위상차로 공급하는 것과는 별도로 더하여 균일한 플라즈마 형성을 기대할 수 있게 된다.
도 1을 참고하면, 본 발명에 의한 플라즈마 발생장치가 도시되어 있다. 여기서 샌드위치 형태로 샤워 헤드부(20-40)와 기판(51)이 번갈아 설치되어 있고, 히터(50) 양면에 기판(51)이 설치되어 대량 생산이 가능한 구조를 제시한다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 샤워 헤드부(20-40) 중심에 레일(25a)을 따라 전극봉 팔레트(60)가 슬라이딩 가능하도록 설치되어 있고, 제1, 2그룹의 전극봉(61)에 위상차를 두고 고주파 전원을 공급하여 전기적, 시간적으로 균일한 플라즈마를 형성하는 동시에 전극봉 팔레트(60)의 좌우 슬라이딩에 의해서 기구적으로 균일한 플라즈마 형성에 기여하게 된다.
도 4를 참고하면, 전극봉 팔레트(60)의 좌우 이동에 대한 메커니즘이 도시되어 있다. 도시된 바와 같이, 구동모터(71)가 회전하게 되면, 기어 벨트 등의 동력전달부를 통하여 회전 링크(72)를 일정속도로 회전시키게 되고, 그에 따라 커넥팅 링크(73)의 일단이 회전 링크(72)의 자유단을 따라 원형으로 회전하게 되고, 커넥팅 링크(73)의 타단은 커넥팅 로드(774)에 연결되어 있기 때문에 결국 커넥팅 로드(74)는 좌우로 왕복운동을 일정한 속도로 진행하게 된다. 따라서 발생되는 플라즈마의 형성은 더욱 균일하게 이루어질 수 있게 된다.
도 5를 참고하면, 고주판 전원은 제어부에 의해 제어되고, 제어부의 명령에 따라 스위칭부에 의해 제1, 2그룹에 제공되는 전원이 제어될 것이다. 여기서는 예로서, 180도 위상차를 언급하고 있으나, 기구적으로 팔레트(60)의 이동을 고려하여 다른 위싱차를 제공할 수도 있고, 생산 설비 실험을 통해 더욱 효과적인 위상차를 찾을 수도 있을 것이다.
도 6과 도 7을 참고하면, 샤워 헤드부(20)의 내부 구성이 단면으로 도시되어 있다. 고주파 전원공급 제어를 통하여 플라즈마 형성 제어뿐만 아니라 반응가스의 공급도 전술한 바와 같이 균일하게 함으로써 더욱 균일한 플라즈마 형성을 도모할 수 있게 된다.
도 8을 참고하면, 플라즈마 발생장치의 공정 순서가 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 히터(50)에 의해 기판(51)을 가열하고, 샤워 헤드부(20-40)를 통하여 챔버(10) 내부에 반응 가스를 공급한다. 그 다음, 제1그룹과 제2그풉의 전극봉(61)에 교대로 위상차를 주어 고주파 전원을 공급한다. 이와 동시에 전극봉 유닛인 전극봉 팔레트(60)를 좌우로 일정 속도로 이동시키면 제공되는 반응 가스와 전원에 의해 플라즈마가 발생되고, 결국에는 기판(51)에 균일한 박막을 형성하게 된다. 물론 이러한 박막은 전극봉(61)의 전원 위상차, 팔레트(60)의 좌우 이동, 그리고 샤워 헤드부(20)의 균일한 반응 가스 공급에 의해 매우 균일한 플라즈마가 발생될 것이고, 형성되는 기판(51)의 박막 또한 매우 균일하게 형성될 것이다.
이상에서 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 본 발명의 사상은 본 명세서에 제시되는 실시 예에 제한되지 아니하며, 본 발명의 사상을 이해하는 당업자는 동일한 사상의 범위 내에서, 구성요소의 부가, 변경, 삭제, 추가 등에 의해서 다른 실시 예를 용이하게 제안할 수 있을 것이나, 이 또한 본 발명의 사상범위 내에 든다고 할 것이다.
10 : 챔버 11 : 고주파 전원
20-40 : 샤워 헤드부 21 : 메인 가스 공급관
22 : 조절밸브 23 : 분지관
25 : 리저브관 26 : 내측관
27 : 래더관 50 : 히터
51 : 기판 60 : 전극봉 팔레트
61 : 전극봉 70 : 구동부
71 : 구동모터 72 : 회전 링크
73 : 커넥팅 링크 74 : 커넥팅 로드

Claims (9)

  1. 플라즈마가 발생되어 기판에 증착이 이루어지도록 내부에 진공분위기가 형성된 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되고 플라즈마가 발생될 수 있도록 반응 가스가 공급되는 샤워 헤드부;
    상기 샤워 헤드부에 일렬로 복수개의 전극봉이 배치되되, 교번하여 두 개 이상의 그룹을 형성하도록 전원이 서로 다르게 연결되고 전원이 위상차를 두고 제공됨으로써 상기 반응 가스가 균일한 플라즈마를 형성하는 고주파 전원부; 및
    상기 샤워 헤드부에 대향하여 설치되고 상기 기판이 지지되도록 설치됨으로써 기판에 박막이 형성되도록 상기 기판에 열을 제공하는 히터;
    를 포함하고,
    상기 샤워 헤드부와 히터는 샌드위치 형태로 복수개가 교번하여 배치되고, 상기 샤워 헤드부는, 메인 가스 공급관으로부터 상하로 분지된 분지관과, 상기 분지관과 각각 연통되도록 연결된 상부 리저브관과 하부 리저브관과, 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관 사이에 서로 연통되도록 연결된 복수개의 래더관을 포함하되, 상기 분지관이 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관 내부까지 연장되어 내측관을 형성함으로써 이중관으로 형성되고, 상기 내측관은 상기 상부 리저브관과 하부 리저브관의 끝단 부근까지 연장되고, 일정간격마다 관통홀이 형성되며, 상기 내측관의 외면에는 상기 내측관과 상기 상부 리저브관 및 하부 리저브관 사이 공간으로 반응 가스가 흐를 때 균일하게 흐르도록 안내하는 나선형 가이드가 형성된 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 전극봉은 서로 이웃하는 전극봉을 건너 뛰고 그 다음 전극봉과 교번하여 전원 연결되도록 제1그룹과 제2그룹으로 이루어진 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1그룹과 제2그룹에 공급되는 고주파 전원은 180도의 위상차를 가지는 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수개의 전극봉은 길이 방향에 대하여 수직방향을 따라 전극봉 팔레트에 일렬로 고정 설치된 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 전극봉 팔레트는 전극봉의 길이 방향에 대하여 수직방향을 따라 전후진 가능하도록 설치된 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 전극봉 팔레트는 상기 복수개의 전극봉에 전원이 공급되기 시작하면 구동부에 의해 전극봉의 길이 방향에 대한 수직방향을 따라 왕복운동하면서 플라즈마를 발생시키는 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 전극봉 팔레트에 일단이 고정되고 타단은 상기 챔버 외부로 연장되어 직선방향을 따라 안내되도록 연결된 커넥팅 로드;
    상기 커넥팅 로드에 회전 가능하게 일단이 연결된 커넥팅 링크;
    상기 커넥팅 링크의 타단이 회전 가능하게 자유단에 연결된 회전 링크; 및
    상기 회전 링크의 자유단을 회전축을 중심으로 회전시키는 구동모터;
    를 포함하는 균일한 플라즈마 형성이 가능한 플라즈마 발생장치.
  9. 삭제
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