TWI486484B - Reaction chamber and MOCVD device - Google Patents

Description

反應腔和MOCVD裝置

本發明涉及半導體技術，特別涉及一種反應腔和一種包括該反應腔的MOCVD裝置。

氣相壘晶生長方法（VPE）包括氫化物氣相壘晶技術（HVPE）和金屬有機化合物化學氣相沉積方法（MOCVD）等。氣相壘晶技術主要是利用III族、II族元素的有機化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長原材料，以熱分解反應方式在基底上進行氣相壘晶，生長各種III-V族、II-VI族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料，可用於製備高性能的化合物半導體單晶薄片。氣相壘晶生長可用於壘晶薄膜特別是高品質的壘晶薄膜的生長，但對基底材料本身的溫度均勻性、反應氣體濃度分佈狀況、基底上方反應場的均勻性等都有著極高的要求，這些均勻性也直接決定生長出的壘晶片的品質好壞。
如上所述，加熱的均勻性將影響壘晶均勻性。目前主要使用的加熱方法包括熱傳遞方法和感應加熱方法。對於熱傳遞方法，一種方式是將基底材料放置於托盤上，托盤置於基座上，加熱部件如電阻絲在基座底部加熱並通過石墨材料的托盤的熱傳導效應來加熱基底材料，同時利用多區電阻絲加熱技術，可以保證基座的溫度均勻性，進而改善基底生長溫度的穩定和均勻；其他的方式包括部分採用加熱反應腔室四周外壁，然後通過熱輻射加熱基底材料。熱傳遞方法加熱速度較慢，控制程序複雜，熱傳導程序中熱量除了往基底表面傳導外，還會往其他方向傳導，熱量利用效率低，並且對反應腔室水冷的設計要求較高。對於感應加熱方法，該方法可以將線圈置於基底下部或置於托盤四周。線圈在通高頻電流後，托盤和基底表面將會出現感生渦流，從而被迅速加熱。這種感應加熱方法加熱速度顯著提升，但是，線圈產生的磁場在托盤中心和邊緣分佈不均勻，將造成托盤的加熱不均勻，進而影響托盤上的基底的加熱均勻性。
另外一個影響壘晶均勻性的因素是氣體的濃度分佈。目前的進氣技術主要有噴淋頭技術和中央進氣技術。另外，對於小產量的2至8片機器，直接從托盤或機台的一側吹至另一側。在這些技術中，不可避免的就是氣體進入腔室之後，在輸運程序中，隨著內部溫度的提升，氣體相互之間會發生反應。這將導致基底表面近氣體入口端和遠氣體入口端的反應氣體濃度不同，從而影響基底上部的反應場均勻性，進而導致壘晶片生長不均勻，同時壘晶片生長的不均勻將加劇在後續壘晶生長程序中基底表面出現的裂紋分佈、位元錯密度等缺陷，最終嚴重地影響生長品質。
加熱的均勻性和氣體的濃度分佈的均勻性將共同影響反應腔室內的反應場分佈的均勻性，進而影響壘晶均勻性和品質。
為了改善受到上述因素影響的壘晶生長的均勻性，出現了很多改進措施，比如說Veeco公司和Thomas Swan公司的進氣系統的噴淋頭設計和托盤高速旋轉的解決方法，再比如Axitron公司採用的中央分層進氣系統和氣墊托盤行星旋轉技術。然而，這些技術都對機械結構精度和加工要求很高，同時裝置的安裝維護困難。
以Axitron公司的氣墊托盤行星旋轉技術為例，該公司針對反應腔室採用了中央分層進氣系統和氣墊托盤行星旋轉技術。請參閱第1圖，其示出了氣墊托盤行星旋轉技術的示意圖，其中，大托盤上設置有多個小托盤，製程程序中，在大托盤帶動小托盤進行公轉的同時，小托盤還可以進行自轉。其中，大托盤和小托盤均採用氣體懸浮旋轉，通過氣墊的設計以及氣路結構，使得大托盤上的小托盤產生自轉。
然而，Axitron公司的上述反應腔室中採用了電阻多區控溫方法，除加熱程式複雜外，升溫速度慢，裝置產能較低也是嚴重的缺點。另外，行星式旋轉方法雖然能滿足壘晶製程的要求，但為實現行星式腔室的旋轉所採用的氣墊結構則必須設計成複雜的氣路結構，並且在旋轉程序中必須考慮到腔室內部複雜的流體變化。氣墊進氣口的設計、加工安裝、裝置維護使用都非常複雜。
因此，如何在滿足壘晶製程要求的同時降低MOCVD裝置的成本成為本領域亟待解決的技術問題。

本發明的目的在於提供一種反應腔和一種包括該反應腔的MOCVD裝置，該MOCVD在可以滿足壘晶製程要求的同時具有簡單的結構，成本較低。
為了實現上述目的，作為本發明的一個方面，提供一種反應腔，其中，該反應腔包括托盤裝置、支撐骨架和傳導單元，其中：
該托盤裝置，包括多個小托盤和沿該反應腔的高度方向設置的多層大托盤，每層該大托盤在周向上都設置有多個小托盤；
該支撐骨架與該大托盤同軸設置；
該傳導單元設置在該支撐骨架與該小托盤之間；
當該支撐骨架或該托盤裝置繞該反應腔的縱向軸線轉動時，利用該傳導單元帶動該小托盤環繞該小托盤自身的軸線按照預定的速度旋轉。
較佳地，該大托盤上設置有用於容置多個該小托盤的多個限位孔。
較佳地，在每層該大托盤中，多個該限位孔均勻地分佈在同一圓周上，且該圓周的圓心位於該反應腔的縱向軸線上。
較佳地，該支撐骨架包括與多個該大托盤一一對應的多個支撐盤和將該多個支撐盤串連的支撐件，每個該大托盤都包括具有限位孔的承載部和支撐部，該限位孔設置在該承載部上，該支撐部設置在該承載部的下端面上，且每個該大托盤上的該承載部和與該大托盤相對應的支撐盤可滑動地連接。
較佳地，該支撐骨架包括旋轉軸，該旋轉軸設置在該支撐骨架的底部，並且該旋轉軸與該反應腔同軸設置。
較佳地，該傳導單元包括設置在該支撐盤上的多條滑動凹槽、貫穿該支撐盤厚度方向的第一通孔和固定設置在該小托盤的下端面上的多個引導件，該多條滑動凹槽環繞該第一通孔均勻分佈，多個該引導件均勻地分佈在該小托盤的下端面上的同一圓周上，且每條該滑動凹槽都延伸至該第一通孔的邊緣，當該支撐骨架轉動時，該小托盤上的多個該引導件能夠交替地從該滑動凹槽與該第一通孔的交匯處開始與該滑動凹槽配合，以使得該小托盤繞自身軸線轉動。
較佳地，該滑動凹槽為圓弧形，且每個該支撐盤上設置的該滑動凹槽的數量與每個該小托盤上設置的該引導件的數量相同。
較佳地，每個該大托盤的中部都設置有第二通孔。
作為本發明的另一個方面，提供一種MOCVD裝置，該MOCVD裝置包括反應腔，其中，該反應腔為本發明所提供的上述反應腔。
較佳地，該MOCVD裝置包括設置在該反應腔內部的中央進氣管，該中央進氣管上設置有多個噴氣孔，該中央進氣管穿過該支撐盤上的該第一通孔和該大托盤上的該第二通孔。
在本發明所提供的反應腔中，該大托盤與該支撐骨架同軸設置，允許本發明所提供的反應腔中設置多層大托盤，使得本發明所提供的反應腔可以同時處理多片基底。當支撐骨架或托盤裝置中的一個旋轉時，小托盤繞自身軸線轉動，從而使得設置在小托盤上的基底溫度均勻，從而可以滿足壘晶製程要求。並且，利用傳導單元帶動小托盤繞自身軸線轉動，結構簡單，降低了包括該反應腔的MOCVD裝置的總體成本。

100‧‧‧反應腔
110‧‧‧托盤裝置
111‧‧‧小托盤
111a‧‧‧基底槽
112‧‧‧大托盤
112a‧‧‧限位孔
112b‧‧‧承載部
112c‧‧‧支撐部
112d‧‧‧第二通孔
120‧‧‧支撐骨架
121‧‧‧支撐盤
122‧‧‧支撐件
123‧‧‧旋轉軸
130‧‧‧傳導單元
131‧‧‧滑動凹槽
132‧‧‧第一通孔
133‧‧‧引導件
200‧‧‧中央進氣管
300‧‧‧感應線圈

附圖是用來提供對本發明的進一步理解，並且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用於解釋本發明，但並不構成對本發明的限制。在附圖中：
第1圖是現有的反應腔的示意圖；
第2圖是本發明所提供的反應腔的第一種實施方式的示意圖；
第3圖是本發明所提供的反應腔第二種實施方式的俯視圖；
第4圖是第3圖中的反應腔的立體剖視示意圖；
第5圖是第3圖中所示的反應腔的小托盤的主剖視圖；
第6圖是第3圖中所示的反應腔的支撐盤的俯視圖；
第7a圖和第7b圖是本發明所提供的反應腔的一層支撐盤及小托盤的運動關係圖；
第8圖是第3圖中所示的反應腔的大托盤的俯視圖；
第9圖是展示大托盤與支撐盤的連接關係的示意圖；
第10圖是本發明所提供的MOCVD的結構示意圖。

以下結合附圖對本發明的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用於說明和解釋本發明，並不用於限制本發明。
如第2圖至第4圖所示，作為本發明的一個方面，提供一種反應腔100，其中，該反應腔100包括托盤裝置110、支撐骨架120和傳導單元130，其中：
托盤裝置110包括多個小托盤111和沿反應腔100的高度方向設置的多層大托盤112，每層大托盤112在周向上都設置有多個小托盤111；大托盤112與支撐骨架120同軸設置；傳導單元130設置在支撐骨架120與小托盤111之間；當支撐骨架120或托盤裝置110繞反應腔100的縱向軸線L轉動時，利用傳導單元130帶動小托盤111在大托盤112的徑向上環繞該小托盤111自身的軸線按照預定的速度旋轉。
應當理解的是，小托盤111用於承載基底，支撐骨架120用於支撐托盤裝置110，每層大托盤112上的小托盤111和支撐骨架120之間都設置有傳導單元130。可以根據生產需要（例如，需要在基底上沉積的薄膜的厚度、薄膜的沉積速度等）人為地設定小托盤111自轉的預定速度。
在利用本發明所提供的反應腔100進行金屬有機化合物化學氣相沉積製程時，通常利用環繞反應腔100的感應線圈對反應腔100進行加熱。因此，在反應腔100中，同一圓周上的溫度幾乎是相等的，而半徑不同的圓周上的溫度是不相同的。在利用反應腔100進行金屬有機化合物化學氣相沉積製程時，小托盤111繞自身軸線轉動，可以使得小托盤111上的基底交替地進入不同的溫度區域，從而使該基底的受熱更加均勻，進而滿足金屬有機化合物化學氣相沉積製程的需求。
在本發明中，由於支撐骨架120、托盤裝置110和反應腔100同軸設置，因此，反應腔100的縱向軸線L即為支撐骨架120與托盤裝置110的縱向軸線。將支撐骨架120和托盤裝置110同軸設置的優點在於，可以使支撐骨架120能夠穩定地支撐托盤裝置110的多層大托盤112，尤其是在多層大托盤112同時相對於支撐骨架120轉動時。
並且，這種利用設置在小托盤111和支撐骨架120之間的傳導單元130使小托盤111發生自轉的結構相對較簡單，從而可以簡化本發明所提供的反應腔100的總體結構，降低反應腔100的成本。
在本發明中，對小托盤111如何設置在大托盤112上並沒有特殊的限制，只要使得小托盤111可以在傳導單元130的帶動下繞自身的軸線旋轉即可。通常，可以在大托盤112上設置多個用於容置小托盤111的限位孔112a（如第8圖所示），小托盤111可以在限位孔112a中旋轉。為了便於設置並且使小托盤111上的基底處於相同的反應條件（即，反應溫度）中，較佳地，在每層大托盤112中，多個限位孔112a均勻地分佈在同一圓周上，且該圓周的圓心位於反應腔100的縱向軸線L上。
為了提高金屬有機化合物化學氣相沉積製程的生產效率，可以將反應腔100設置為每個小托盤111上均可以承載多個基底。如第4圖和第5圖所示，可以在每個小托盤111上都設置多個基底槽111a。在本發明所提供的實施方式中，每個小托盤111上都設置有兩個基底槽111a（如第5圖所示），但是，本發明並不限於此。
在本發明中，對支撐骨架120的具體結構也沒有限制，只要可以支撐多層大托盤112即可。作為本發明的一種實施方式，如第4圖所示，支撐骨架120可以包括與多個大托盤112一一對應的多個支撐盤121和將該多個支撐盤121串連的支撐件122，且每個大托盤112和與該大托盤112相對應的支撐盤121可滑動地連接。
將大托盤112設置為與支撐盤121可滑動地連接的目的在於，當支撐骨架120繞軸線L旋轉時，大托盤112不發生轉動。或者，當大托盤112繞軸線L旋轉時，支撐骨架120不發生轉動。將反應腔100設置為大托盤112和支撐骨架120中的一個發生旋轉，另一個靜止不轉的優點在於，既可以確保小托盤111繞自身軸線轉動，又可以簡化驅動裝置的結構。具體地講，在這種情況下，只需要將支撐骨架120和大托盤112中的一者與驅動電機的輸出軸相連即可，無需其他的傳動裝置。
在本發明中，為了便於設置並使反應腔100的結構更加簡單，較佳地，如第4圖所示，可以將支撐骨架120設置為包括旋轉軸123，該旋轉軸與反應腔100同軸設置。即，旋轉軸123的縱向軸線為反應腔100的縱向軸線L。將旋轉軸123與驅動電機的輸出軸相連，當驅動電機轉動時，可以帶動旋轉軸123旋轉，從而使得支撐骨架120繞反應腔100的縱向軸線L轉動，傳導單元130將支撐骨架120的轉動傳遞給小托盤111，使小托盤111繞自身軸線自轉。應當理解的是，在支撐骨架120旋轉時，托盤裝置110是不轉動的。
如第4圖中所示，通常，可以將旋轉軸123設置在支撐骨架120的底部，並且通過連接板與支撐件122相連。
為了實現大托盤112與支撐盤121之間的可滑動連接，大托盤112可以具有以下結構：如第2圖、第8圖和第9圖所示，大托盤112包括具有限位孔112a的承載部112b和支撐部112c。該支撐部112c一端與承載部112b固定連接，另一端與支撐盤121可滑動地連接。當支撐盤121隨支撐骨架120旋轉時，大托盤112在自身的重力作用下保持靜止，支撐部112c在支撐盤121的上端面上滑動。或者，當大托盤112轉動時，支撐骨架120在自身的重力作用下保持靜止，支撐部112c同樣在支撐盤121的上端面上滑動。為了確保大托盤112與支撐盤121同軸，較佳地，可以在支撐盤121上設置與該支撐盤121同心的環形滑槽，支撐部112c插入環形滑槽內部。
為了簡化結構，支撐骨架120可以包括旋轉軸123，該旋轉軸123與驅動電機的輸出軸相連。如上所述，支撐骨架120旋轉時，大托盤112在自身的重力作用下保持靜止，大托盤112的支撐部112c在支撐盤121的上端面上滑動。
在本發明中，對傳導單元130的具體形式並不作限定，只要可以將支撐骨架120的轉動傳遞給小托盤111，並使小托盤111繞自身軸線轉動即可。
上文中詳細介紹了支撐骨架120和托盤裝置110的具體結構，下文中將詳細介紹傳導單元130的具體結構。
作為本發明的一種實施方式，如第2圖所示，傳導單元130可以包括設置在支撐骨架120上的齒圈、設置在小托盤111上的行星齒輪、連接該行星齒輪和小托盤111的連接軸以及設置在大托盤112上的傳動通孔。連接軸穿過大托盤112上的傳動通孔，使得小托盤111和該行星齒輪分別位於大托盤112的上下兩側。與此處，大托盤112上的傳動通孔的直徑大於該連接軸的直徑，以使得該連接軸可以在大托盤112上的傳動通孔中轉動。支撐骨架120上的齒圈與設置在小托盤111上的行星齒輪相嚙合。在第2圖中所示的結構中，大托盤112的主要作用為用於支撐小托盤111。
利用第2圖中所示的反應腔100進行沉積製程時，可以驅動支撐骨架120繞反應腔100的縱向軸線L轉動，大托盤112保持靜止。當該齒圈隨支撐骨架120繞反應腔100的縱向軸線L轉動時，該齒圈轉動，由於大托盤112不轉動，因此，該連接軸在大托盤112的周向上並無位移，因此，支撐骨架120上的齒圈與該行星齒輪嚙合時，該行星齒輪繞自身的軸線自轉，該行星齒輪通過連接軸帶動小托盤111繞自身軸線自轉。
為了簡化反應腔100的結構並且為了便於加工支撐盤121，較佳地，如第5圖和第6圖所示，傳導單元130可以包括設置在支撐盤121上的多條滑動凹槽131、貫穿支撐盤121厚度方向的第一通孔132和固定設置在小托盤111的下端面上的多個引導件133。
具體地，多條滑動凹槽131環繞該第一通孔132均勻分佈，多個引導件133均勻地分佈在小托盤111的下端面的同一圓周上，且每條滑動凹槽131都延伸至該第一通孔132的邊緣，當支撐骨架120轉動時，每個小托盤111上的多個引導件133可以交替地從滑動凹槽131與第一通孔132的交匯處開始與滑動凹槽131配合，以使得小托盤111繞自身軸線轉動。
“每個小托盤111上的多個引導件133可以交替地從滑動凹槽131與第一通孔132的交匯處開始與滑動凹槽131配合”指的是，無論在任何時刻，在一個小托盤111中只有一個引導件133與滑動凹槽131相配合，其餘的引導件133則位於第一通孔132中，當位於滑動凹槽131中的引導件133沿滑動凹槽131進入第一通孔132中之後，與該引導件相鄰的另一個引導件133進入滑動凹槽131中，依次類推。由於承載小托盤111的大托盤112是固定不動的，因此，小托盤111可以繞自身軸線轉動。
當一個引導件133到達滑動凹槽131的一端與第一通孔132的交匯處時，與該引導件133相鄰的另一個引導件133從滑動凹槽131與第一通孔132的另一個交匯處開始與滑動凹槽131配合，從而確保小托盤111可以持續地繞自身軸線轉動。每個小托盤111上的多個引導件133交替地與設置在支撐盤121上的滑動凹槽131接觸，以使小托盤111可以持續地繞自身的軸線轉動。
為了便於理解，下面將結合第7a圖和第7b圖來描述反應腔100的具體操作程序。
在第7a圖中，支撐盤121作逆時針轉動。第7b圖為第7a圖中的支撐盤121逆時針轉過一定角度後的狀態。支撐盤121逆時針轉動時，會帶動與支撐盤121上的滑動凹槽131相配合的引導件133繞小托盤111的軸線逆時針滑動，從而使得小托盤111繞自身的軸線作順時針轉動。
為了便於實現，滑動凹槽131可以為圓弧形，且每個支撐盤121上設置的滑動凹槽131的數量與每個小托盤111上設置的引導件133的數量相同。
在本發明中，對每個小托盤111上的引導件133的個數也沒有特殊限制，例如，在第5圖、第7a圖和第7b圖中所示的具體實施方式中，每個小托盤111上均設置有三個引導件133，該三個引導件133在小托盤111的下端面上均勻分佈。同樣地，每個支撐盤121上都設置有三條滑動凹槽131。
利用V1表示小托盤111的自轉速度，利用V2表示支撐盤121的自轉速度，因此，多條滑動凹槽131的總弧長L₁₃₁ 、多個引導件133所在的圓周的周長L₁₃₃ 、小托盤111的自轉速度V1和支撐盤121的自轉速度V2滿足以下關係：
V1/V2=L₁₃₁ /L₁₃₃ 。
因此，通過預先設定小托盤111的自轉速度V1、支撐盤121的自轉速度V2以及多個引導件133在小托盤111上的圓周，可以確定每條滑動凹槽131的弧長，進而確定每條滑動凹槽131的半徑。由於多條滑動凹槽131環繞第一通孔132均勻分佈，因此可以確定多條滑動凹槽131的圓心的位置。
如第8圖中所示，每個大托盤112的中部都設置有第二通孔112d。下文中將介紹設置第二通孔112d的具體作用，這裏先不贅述。
綜上所述，本發明能夠實現多層大托盤上的小托盤繞其自身的軸線的可控旋轉，該可控旋轉包括小托盤在設定區域內的勻速旋轉和非勻速旋轉。
小托盤對應的滑動凹槽的幾何形狀可以根據不同的工況要求而設計成滿足該工況要求的曲線形狀，例如，可以採用以下兩種方式實現：第一：利用畫圖工具根據需要的轉速比、是否勻速轉動等特點畫出數學曲線，得到曲線上單點的幾何座標，進而將各點連接成曲線並加工成該滑動凹槽；第二：利用實物來模擬小托盤、大托盤的軌跡，進而加工成該滑動凹槽。並且，可以理解的是，每一層的滑動凹槽的曲線形狀可以是一樣的，也可以根據不同的要求，設計成不同的曲線形狀。
托盤裝置一般可用包覆SiC的石墨製成，也可選擇其他適合耐高溫耐腐蝕的材料，如氮化硼。由於引導件要在滑動凹槽中保持相對運動，引導件可選用耐高溫耐磨損的材料，比如鉬合金。
作為本發明的另外一個方面，如第10圖所示，提供一種MOCVD裝置，該MOCVD裝置包括反應腔100，其中，該反應腔100為本發明所提供的上述反應腔100。
由於反應腔100內的小托盤111可以繞自身軸線旋轉，因此設置在小托盤111上的基底受熱均勻。並且利用通過傳導單元130帶動小托盤111旋轉使得反應腔100結構簡單，成本較低。因此，包括反應腔100的MOCVD裝置也具有上述優點。
為了進一步簡化MOCVD裝置的結構，較佳地，該MOCVD裝置還可以包括設置在反應腔100內部的中央進氣管200，該中央進氣管200上設置有多個噴氣孔，中央進氣管200穿過支撐盤121上的第一通孔132和大托盤112上的第二通孔112d。
同樣為了簡化MOCVD裝置的結構，較佳地，該MOCVD裝置可以包括環繞反應腔100設置的感應線圈300。感應線圈300環繞反應腔100設置可使得同一圓周上的溫度處處相等。
以上結合附圖詳細描述了本發明的較佳實施方式，但是，本發明並不限於上述實施方式中的具體細節，在本發明的技術構思範圍內，可以對本發明的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬於本發明的保護範圍。
另外需要說明的是，在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術特徵，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合。為了避免不必要的重複，本發明對各種可能的組合方式不再另行說明。
此外，本發明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本發明的思想，其同樣應當視為本發明所揭露的內容。

 

100‧‧‧反應腔

110‧‧‧托盤裝置

111‧‧‧小托盤

112‧‧‧大托盤

120‧‧‧支撐骨架

121‧‧‧支撐盤

122‧‧‧支撐件

123‧‧‧旋轉軸

Claims (1)

1. 一種反應腔，其特徵在於，該反應腔包括托盤裝置、支撐骨架和傳導單元，其中：
   該托盤裝置，包括沿該反應腔的高度方向設置的多層大托盤，每層該大托盤在周向上都設置有多個小托盤；
   該支撐骨架與該大托盤同軸設置；
   該傳導單元設置在該支撐骨架與該小托盤之間；
   當該支撐骨架或該大托盤繞該反應腔的縱向軸線轉動時，利用該傳導單元帶動該小托盤環繞該小托盤自身的軸線按照預定的速度旋轉。
   2、如申請專利範圍第1項所述的反應腔，其特徵在於，該支撐骨架包括與多個該大托盤一一對應的多個支撐盤和將該多個支撐盤串連的支撐件，每個該大托盤都包括具有限位孔的承載部和支撐部，該限位孔設置在該承載部上，該支撐部設置在該承載部的下端面上，且每個該大托盤上的該承載部借助該支撐部而與同該大托盤相對應的支撐盤可滑動地連接。
   3、如申請專利範圍第2項所述的反應腔，其特徵在於，該傳導單元包括設置在該支撐盤上的多條滑動凹槽、貫穿該支撐盤厚度方向的第一通孔和固定設置在該小托盤的下端面上的多個引導件，該多條滑動凹槽環繞該第一通孔均勻分佈，多個該引導件均勻地分佈在該小托盤的下端面上的同一圓周上，且每條該滑動凹槽都延伸至該第一通孔的邊緣，當該支撐骨架轉動時，該小托盤上的多個該引導件能夠交替地從該滑動凹槽與該第一通孔的交匯處開始與該滑動凹槽配合，以使得該小托盤繞自身軸線轉動。
   4、如申請專利範圍第3項所述的反應腔，其特徵在於，該滑動凹槽為圓弧形，且每個該支撐盤上設置的該滑動凹槽的數量與每個該小托盤上設置的該引導件的數量相同。
   5、如申請專利範圍第4項所述的反應腔，其特徵在於，該支撐骨架包括旋轉軸，該旋轉軸設置在該支撐骨架的底部，並且該旋轉軸與該反應腔同軸設置。
   6、如申請專利範圍第1項所述的反應腔，其特徵在於，該大托盤上設置有多個用於容置該小托盤的限位孔。
   7、如申請專利範圍第6項所述的反應腔，其特徵在於，在每層該大托盤中，多個該限位孔均勻地分佈在同一圓周上，且該圓周的圓心位於該反應腔的縱向軸線上。
   8、如申請專利範圍第1項至第7項中任意一項該的反應腔，其特徵在於，每個該大托盤的中部都設置有第二通孔。
   9、一種MOCVD裝置，該MOCVD裝置包括反應腔，其特徵在於，該反應腔為申請專利範圍第1項至第8項中任意一項該的反應腔。
   10、如申請專利範圍第9項所述的MOCVD裝置，其特徵在於，該MOCVD裝置包括設置在該反應腔內部的中央進氣管，該中央進氣管上設置有多個噴氣孔，該中央進氣管穿過該支撐盤上的該第一通孔和該大托盤上的該第二通孔。