JP2024032726A - Ａｌｄ温度均一性のためのｐｂｎヒータ - Google Patents

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Abstract

【課題】バッチ処理チャンバのためのヒータを提供する。【解決手段】頂部および底部を有し、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を含む本体と、第１のヒータ電極と、第２のヒータ電極と、を有するヒータが記載される。ヒータ電極は、電気絶縁スタンドオフ内に封入され、別々のバスバーに接続されて電力を供給することができる。１つまたは複数のヒータを含むヒータアセンブリ、およびヒータアセンブリを含む処理チャンバも記載される。【選択図】図１１

Description

本開示の実施形態は、一般に、基板を処理するための装置に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、バッチ処理チャンバのためのヒータに関する。
原子層堆積（ＡＬＤ）およびプラズマ強化ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）は、高アスペクト比構造において膜厚および共形性の制御を提供する堆積技術である。半導体業界ではデバイスの寸法が絶えず減少しているため、ＡＬＤ／ＰＥＡＬＤを使用する関心および用途が増加している。場合によっては、ＰＥＡＬＤのみが、所望の膜厚および共形性のための仕様を満たすことができる。
半導体デバイスの形成は、通常、複数のチャンバを含む基板処理プラットフォームにおいて行われる。一部の事例では、マルチチャンバ処理プラットフォームまたはクラスタツールの目的は、制御された環境で、基板上で２つ以上のプロセスを順次実行することである。しかしながら、他の事例では、複数のチャンバ処理プラットフォームは、基板上で単一の処理ステップのみを実行する場合があり、追加のチャンバは、基板がプラットフォームによって処理される速度を最大化することを意図している。後者の場合、基板上で実行されるプロセスは、典型的には、バッチプロセスであり、比較的多数の基板、例えば、２５または５０の基板が、所与のチャンバ内で同時に処理される。バッチ処理は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスおよび一部の化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスなどの、時間がかかりすぎて、経済的に実行可能なやり方で個々の基板上で実行することができないプロセスにとって特に有益である。
処理中、基板は、多くの場合、約７５０℃の上限温度を有する管状ヒータを使用して加熱される。ヒータは、この温度に達することができるが、加熱される基板またはサセプタアセンブリは、典型的には、約５５０℃を超えない。管状ヒータのワット密度は、中央の加熱ワイヤで高く、加熱ワイヤが管状形状から３６０°放射する結果、ウエハに向かって電力密度が低くなる（約３０ワット／ｃｍ2）。加えて、７５０℃で動作する管状ヒータの寿命は、約３～６か月である。
したがって、当技術分野では、ウエハを５５０℃よりも高い温度に加熱することができ、より長い寿命および／またはより高いワット密度を有する装置が必要とされている。
本開示の１つまたは複数の実施形態は、頂部および底部を有する本体を備えるヒータを対象とする。本体は、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を含む。第１のヒータ電極は、本体の底部に接続され、第２のヒータ電極は、本体の底部に接続されている。
本開示のさらなる実施形態は、丸い本体であって、本体の中心に開口部を備えた底部、および底部の周りに本体の外周を形成する側壁を有する、丸い本体を備えるヒータアセンブリを対象とする。側壁および底部は、本体内にキャビティを画定する。ヒータゾーンは、本体のキャビティ内にある。ヒータゾーンは、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を含むヒータ本体と、ヒータ本体の底部に接続された第１のヒータ電極と、ヒータ本体の底部に接続された第２のヒータ電極と、を有する１つまたは複数のヒータを備える。第１のバスバーは、第１のヒータ電極に電気的に接続され、第２のバスバーは、第２のヒータ電極に電気的に接続され、第１のバスバーから電気的に絶縁されている。
本開示の実施形態の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上で簡単に要約された本開示の実施形態のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得られ、その一部が、添付図面に示される。しかしながら、添付図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定していると考えられるべきではなく、その理由は本開示が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためであることに留意されたい。
本開示の１つまたは複数の実施形態による基板処理システムの概略断面図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による基板処理システムの斜視図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による基板処理システムの概略図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態によるインジェクタユニットの正面の概略図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態によるガス分配アセンブリの正面の概略図である。 本開示の１つまたは複数実施形態によるヒータの上面図である。 図６Ａのヒータの底面図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態によるスタンドオフを有するヒータの上面図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態によるヒータの底面図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態によるスタンドオフおよびバスバーを有するヒータの一部の断面図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態によるバスバーアセンブリの図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態によるヒータアセンブリの図である。 本開示の１つまたは複数の実施形態による複数のＰＢＮヒータを有する加熱ゾーンの部分図である。
本開示の実施形態は、連続的な基板堆積のための基板処理システムを提供して、スループットを最大化し、処理効率を改善する。本開示の１つまたは複数の実施形態は、空間的原子層堆積チャンバに関して説明される。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「基板」および「ウエハ」という用語は、区別なく使用され、両方ともプロセスが作用する表面または表面の一部を指す。また、文脈で明確にそうではないと示さない限り、基板への言及は、基板の一部のみを指すこともできることを当業者には理解されよう。さらに、基板上に堆積させることへの言及は、ベア基板と、その上に堆積または形成させた１つもしくは複数の膜または特徴を有する基板と、の両方を意味することができる。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「反応性ガス」、「前駆体」、「反応物」などの用語は、基板表面と反応する核種を含むガスを意味するために区別なく使用される。例えば、第１の「反応性ガス」は、単に基板の表面に吸着し、第２の反応性ガスとのさらなる化学反応に利用可能である場合がある。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「パイ形」および「くさび形」という用語は、円の扇形である本体を説明するために区別なく使用される。例えば、くさび形のセグメントは、円形または円板形の構造の断片であってもよく、複数のくさび形のセグメントを接続して、円形の本体を形成することができる。扇形は、円の２つの半径と交差する円弧とで囲まれた円の一部として定義することができる。パイ形のセグメントの内側縁部は、点になってもよく、または平坦な縁部に切り取られるか、丸みをつけられてもよい。一部の実施形態では、扇形は、リングまたは環帯の一部として定義することができる。
基板の経路は、ガスポートに対して垂直にすることができる。一部の実施形態では、ガスインジェクタアセンブリのそれぞれは、基板が横断する経路に実質的に垂直な方向に延在する複数の細長いガスポートを備え、ガス分配アセンブリの前面は、プラテンに対して実質的に平行である。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「実質的に垂直」という用語は、基板の全体的な移動方向が、ガスポートの軸に対してほぼ垂直（例えば、約４５°～９０°）の平面に沿っていることを意味する。くさび形のガスポートの場合、ガスポートの軸は、ポートの長さに沿って延在するポートの幅の中点として定義される線であると考えることができる。
図１は、インジェクタまたはインジェクタアセンブリとも呼ばれるガス分配アセンブリ１２０、およびサセプタアセンブリ１４０を含む処理チャンバ１００の断面を示す。ガス分配アセンブリ１２０は、処理チャンバで使用される任意のタイプのガス供給装置である。ガス分配アセンブリ１２０は、サセプタアセンブリ１４０に面する前面１２１を含む。前面１２１は、サセプタアセンブリ１４０に向かうガスの流れを供給するために、任意の数のまたは様々な開口部を有することができる。ガス分配アセンブリ１２０は、図示する実施形態では実質的に丸い外周縁部１２４も含む。
使用される特定のタイプのガス分配アセンブリ１２０は、使用される特定のプロセスに応じて様々であってもよい。本開示の実施形態は、サセプタとガス分配アセンブリとの間の間隙が制御される、任意のタイプの処理システムとともに使用することができる。様々なタイプのガス分配アセンブリ（例えば、シャワーヘッド）を使用することができるが、本開示の実施形態は、複数の実質的に平行なガスチャネルを有する空間的ＡＬＤガス分配アセンブリで特に有用である場合がある。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「実質的に平行」という用語は、ガスチャネルの細長い軸が同じ全体的な方向に延在することを意味する。ガスチャネルの平行度にわずかな不完全性がある場合がある。複数の実質的に平行なガスチャネルは、少なくとも１つの第１の反応性ガスＡチャネル、少なくとも１つの第２の反応性ガスＢチャネル、少なくとも１つのパージガスＰチャネル、および／または少なくとも１つの真空Ｖチャネルを含むことができる。第１の反応性ガスＡチャネル、第２の反応性ガスＢチャネル、およびパージガスＰチャネルから流れるガスは、ウエハの頂面に向けられる。ガス流の一部は、ウエハの表面を横切って水平に移動し、パージガスＰチャネルを通って処理領域の外に出る。ガス分配アセンブリの一方の端部から他方の端部に移動する基板は、プロセスガスのそれぞれに順番に曝され、基板表面に層を形成する。
一部の実施形態では、ガス分配アセンブリ１２０は、単一のインジェクタユニットで作られた剛性の静止体である。１つまたは複数の実施形態では、ガス分配アセンブリ１２０は、図２に示すように、複数の個別の扇形（例えば、インジェクタユニット１２２）で構成されている。単一ピースの本体または複数の扇形体のいずれかを、記載された本開示の様々な実施形態とともに使用することができる。
サセプタアセンブリ１４０は、ガス分配アセンブリ１２０の下に配置されている。サセプタアセンブリ１４０は、頂面１４１と、頂面１４１の少なくとも１つの凹部１４２と、を含む。サセプタアセンブリ１４０は、底面１４３および縁部１４４も有する。凹部１４２は、処理される基板６０の形状およびサイズに応じて、任意の適切な形状およびサイズとすることができる。図１に示す実施形態では、凹部１４２は、ウエハの底部を支持するために平坦な底部を有するが、凹部の底部は、様々であってもよい。一部の実施形態では、凹部は、凹部の外周縁部の周りに、ウエハの外周縁部を支持するようにサイズ調整された段差領域を有する。段差によって支持されるウエハの外周縁部の量は、例えば、ウエハの厚さおよびウエハの裏側にすでに存在する特徴の存在に応じて様々であってもよい。
一部の実施形態では、図１に示すように、サセプタアセンブリ１４０の頂面１４１の凹部１４２は、凹部１４２内に支持された基板６０がサセプタ１４０の頂面１４１と実質的に同一平面上の頂面６１を有するようにサイズ調整されている。本明細書および添付の特許請求の範囲で使用される場合、「実質的に同一平面上の」という用語は、ウエハの頂面とサセプタアセンブリの頂面が±０．２ｍｍ以内で同一平面上にあることを意味する。一部の実施形態では、頂面は、±０．１５ｍｍ、±０．１０ｍｍ、または±０．０５ｍｍ以内で同一平面上にある。一部の実施形態の凹部１４２は、ウエハの内径（ＩＤ）がサセプタの中心（回転軸）から約１７０ｍｍ～約１８５ｍｍの範囲内に位置するようにウエハを支持する。一部の実施形態では、凹部１４２は、ウエハの外径（ＯＤ）がサセプタの中心（回転軸）から約４７０ｍｍ～約４８５ｍｍの範囲に位置するようにウエハを支持する。
図１のサセプタアセンブリ１４０は、サセプタアセンブリ１４０を持ち上げ、下降させ、回転させることができる支持ポスト１６０を含む。サセプタアセンブリは、支持ポスト１６０の中心内にヒータ、またはガスライン、または電気的構成要素を含むことができる。支持ポスト１６０は、サセプタアセンブリ１４０とガス分配アセンブリ１２０との間の間隙を増加または減少させ、サセプタアセンブリ１４０を適切な位置に移動させる主要な手段であってもよい。サセプタアセンブリ１４０は、サセプタアセンブリ１４０とガス分配アセンブリ１２０との間に所定の間隙１７０を作り出すために、サセプタアセンブリ１４０に対して微調整を行うことができる微調整アクチュエータ１６２も含むことができる。一部の実施形態では、間隙１７０の距離は、約０．１ｍｍ～約５．０ｍｍの範囲、または約０．１ｍｍ～約３．０ｍｍの範囲、または約０．１ｍｍ～約２．０ｍｍの範囲、または約０．２ｍｍ～約１．８ｍｍの範囲、または約０．３ｍｍ～約１．７ｍｍの範囲、または約０．４ｍｍ～約１．６ｍｍの範囲、または約０．５ｍｍ～約１．５ｍｍの範囲、または約０．６ｍｍ～約１．４ｍｍの範囲、または約０．７ｍｍ～約１．３ｍｍの範囲、または約０．８ｍｍ～約１．２ｍｍの範囲、または約０．９ｍｍ～約１．１ｍｍの範囲、または約１ｍｍである。
図に示す処理チャンバ１００は、サセプタアセンブリ１４０が複数の基板６０を保持することができるカルーセルタイプのチャンバである。図２に示すように、ガス分配アセンブリ１２０は、複数の別個のインジェクタユニット１２２を含むことができ、各インジェクタユニット１２２は、ウエハがインジェクタユニットの下に移動するにつれ、ウエハ上に膜を堆積させることができる。２つのパイ形のインジェクタユニット１２２は、サセプタアセンブリ１４０のほぼ反対側に、その上方に配置されて示されている。インジェクタユニット１２２のこの数は、例示目的のみのために示されている。より多くのまたはより少ないインジェクタユニット１２２を含むことができることを理解されるであろう。一部の実施形態では、サセプタアセンブリ１４０の形状に適合する形状を形成するのに十分な数のパイ形インジェクタユニット１２２がある。一部の実施形態では、個々のパイ形インジェクタユニット１２２のそれぞれは、他のインジェクタユニット１２２のいずれにも影響を与えることなく、独立して移動、除去、および／または交換することができる。例えば、ロボットがサセプタアセンブリ１４０とガス分配アセンブリ１２０との間の領域にアクセスして基板６０をロード／アンロードすることができるように、１つのセグメントが持ち上げられてもよい。
複数のガスインジェクタを有する処理チャンバを使用して、ウエハが同じプロセスフローを受けるように、複数のウエハを同時に処理することができる。例えば、図３に示すように、処理チャンバ１００は、４つのガスインジェクタアセンブリおよび４つの基板６０を有する。処理の最初に、基板６０をインジェクタアセンブリ３０間に配置することができる。サセプタアセンブリ１４０を４５°回転１７させると、結果として、ガス分配アセンブリ１２０の下にある点線の円によって示されるように、ガス分配アセンブリ１２０の間にある各基板６０が、膜堆積のためにガス分配アセンブリ１２０に移動する。さらに４５°度回転させると、基板６０は、インジェクタアセンブリ３０から離れるように移動する。空間的ＡＬＤインジェクタでは、インジェクタアセンブリに対するウエハの移動中にウエハ上に膜が堆積する。一部の実施形態では、サセプタアセンブリ１４０は、基板６０がガス分配アセンブリ１２０の下で停止するのを防止する増分で回転する。基板６０およびガス分配アセンブリ１２０の数は、同じであっても、異なっていてもよい。一部の実施形態では、ガス分配アセンブリの数と同じ数の処理されるウエハがある。１つまたは複数の実施形態では、処理されるウエハの数は、ガス分配アセンブリの数の分画または整数倍である。例えば、４つのガス分配アセンブリがある場合、４ｘの処理されるウエハがあり、ここで、ｘは、１以上の整数値である。
図３に示す処理チャンバ１００は、可能性のある一構成の単なる代表例であり、本開示の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。ここでは、処理チャンバ１００は、複数のガス分配アセンブリ１２０を含む。図示する実施形態では、処理チャンバ１００の周りに等間隔に配置された４つのガス分配アセンブリ（インジェクタアセンブリ３０とも呼ばれる）がある。図示する処理チャンバ１００は八角形であるが、当業者は、これが可能性のある一形状であり、本開示の範囲を限定するものとして解釈されるべきではないことを理解されよう。図示するガス分配アセンブリ１２０は台形であるが、単一の円形構成要素であってもよく、または図２に示すような複数のパイ形のセグメントで構成されていてもよい。
図３に示す実施形態は、ロードロックチャンバ１８０、またはバッファステーションのような補助チャンバを含む。このチャンバ１８０は、例えば基板（基板６０とも呼ばれる）を処理チャンバ１００からロード／アンロードすることができるように、処理チャンバ１００の側面に接続されている。基板をサセプタ上に移動させるために、ウエハロボットがチャンバ１８０内に配置されていてもよい。
カルーセル（例えば、サセプタアセンブリ１４０）の回転は、連続的または不連続的であってもよい。連続処理では、ウエハは、ウエハが各インジェクタに順番に曝されるように、常に回転している。不連続処理では、ウエハをインジェクタ領域に移動させ、停止させ、次いでインジェクタ間の領域８４に移動させ、停止させることができる。例えば、カルーセルは、ウエハがインジェクタ間領域からインジェクタを横切って（またはインジェクタに隣接して停止し）、カルーセルが再び一時停止することができる次のインジェクタ間領域に移動するように回転することができる。インジェクタ間の一時停止は、各層の堆積間の追加の処理ステップ（例えば、プラズマへの曝露）のための時間を提供することができる。
図４は、インジェクタユニット１２２と呼ばれることがあるガス分配アセンブリ２２０の扇形または一部を示す。インジェクタユニット１２２は、個別に、または他のインジェクタユニットと組み合わせて使用することができる。例えば、図５に示すように、図４のインジェクタユニット１２２の４つを組み合わせて、単一のガス分配アセンブリ２２０を形成する。（分かりやすくするために、４つのインジェクタユニットを分離する線は、示されていない。）図４のインジェクタユニット１２２は、パージガスポート１５５および真空ポート１４５に加えて、第１の反応性ガスポート１２５および第２の反応性ガスポート１３５の両方を有するが、インジェクタユニット１２２は、これらの構成要素のすべてを必要としない。
図４および図５の両方を参照すると、１つまたは複数の実施形態によるガス分配アセンブリ２２０は、各扇形が同一のまたは異なる複数の扇形（またはインジェクタユニット１２２）を備えることができる。ガス分配アセンブリ２２０は、処理チャンバ内に配置され、ガス分配アセンブリ２２０の前面１２１に複数の細長いガスポート１２５、１３５、１４５を備える。複数の細長いガスポート１２５、１３５、１４５、および真空ポート１５５は、ガス分配アセンブリ２２０の内周縁部１２３に隣接する領域から外周縁部１２４に隣接する領域に向かって延在する。図示する複数のガスポートは、第１の反応性ガスポート１２５、第２の反応性ガスポート１３５、第１の反応性ガスポートおよび第２の反応性ガスポートのそれぞれを取り囲む真空ポート１４５、ならびにパージガスポート１５５を含む。
図４または図５に示す実施形態を参照すると、ポートが少なくとも内周領域付近から少なくとも外周領域付近まで延在すると述べる場合、ポートは、内側領域から外側領域に半径方向に延在することができるだけではない。ポートは、真空ポート１４５が反応性ガスポート１２５および反応性ガスポート１３５を取り囲みながら、接線方向に延在することができる。図４および図５に示す実施形態では、くさび形の反応性ガスポート１２５、１３５は、内周領域および外周領域に隣接するものを含むすべての縁部で真空ポート１４５によって取り囲まれている。
図４を参照すると、基板が経路１２７に沿って移動するにつれ、基板表面の各部分は、様々な反応性ガスに曝される。経路１２７をたどるために、基板は、パージガスポート１５５、真空ポート１４５、第１の反応性ガスポート１２５、真空ポート１４５、パージガスポート１５５、真空ポート１４５、第２の反応性ガスポート１３５、および真空ポート１４５に曝されるか、またはそれらを「見る」。したがって、図４に示す経路１２７の端部では、基板は、第１の反応性ガスポート１２５および第２の反応性ガスポート１３５からのガス流に曝されて、層を形成する。図示するインジェクタユニット１２２は、四分円を形成しているが、それよりも大きくても小さくてもよい。図５に示すガス分配アセンブリ２２０は、直列に接続された図４の４つのインジェクタユニット１２２の組合せと考えることができる。
図４のインジェクタユニット１２２は、反応性ガスを分離するガスカーテン１５０を示す。「ガスカーテン」という用語は、反応性ガスを混合から分離するガス流または真空の任意の組合せを説明するために使用される。図４に示すガスカーテン１５０は、第１の反応性ガスポート１２５の隣の真空ポート１４５の部分、中央のパージガスポート１５５、および第２の反応性ガスポート１３５の隣の真空ポート１４５の部分を含む。ガス流と真空のこの組合せを使用して、第１の反応性ガスと第２の反応性ガスとの気相反応を防止または最小化することができる。
図５を参照すると、ガス分配アセンブリ２２０からのガス流と真空の組合せは、複数の処理領域２５０への分離を形成する。処理領域は、個々の反応性ガスポート１２５、１３５の周りに大まかに画定され、ガスカーテン１５０が２５０の間にある。図５に示す実施形態は、８つの別個の処理領域２５０を構成し、８つの別個のガスカーテン１５０が間にある。処理チャンバは、少なくとも２つの処理領域を有することができる。一部の実施形態では、少なくとも３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、または１２個の処理領域がある。
処理中、基板は所与の時間に２つ以上の処理領域２５０に曝されることがある。しかしながら、異なる処理領域に曝される部分は、２つの部分を分離するガスカーテンを有する。例えば、基板の前縁部が第２の反応性ガスポート１３５を含む処理領域に入る場合、基板の中央部分は、ガスカーテン１５０の下にあり、基板の後縁部は、第１の反応性ガスポート１２５を含む処理領域にある。
例えば、ロードロックチャンバとすることができるファクトリインターフェース２８０が、処理チャンバ１００に接続されて示されている。基板６０は、基準系を提供するために、ガス分配アセンブリ２２０の上に重畳されて示されている。基板６０は、しばしば、ガス分配アセンブリ１２０（ガス分配プレートとも呼ばれる）の前面１２１の近くに保持されたサセプタアセンブリ上に置かれることがある。基板６０は、ファクトリインターフェース２８０を介して、処理チャンバ１００内の基板支持体またはサセプタアセンブリにロードされる（図３参照）。基板６０は、基板が、第１の反応性ガスポート１２５に隣接して、２つのガスカーテン１５０ａ、１５０ｂの間に位置しているため、処理領域内に配置されて示すことができる。経路１２７に沿って基板６０を回転させると、基板は、処理チャンバ１００の周りを反時計回りに移動する。したがって、基板６０は、第１の処理領域２５０ａから第８の処理領域２５０ｈに、その間のすべての処理領域を含めて、曝される。図示するガス分配アセンブリを使用して、処理チャンバの周りのサイクルごとに、基板６０は、第１の反応性ガスおよび第２の反応性ガスの４つのＡＬＤサイクルに曝される。
バッチプロセッサにおける従来のＡＬＤシーケンスは、図５のものと同様に、間にポンプ／パージ部分を有する空間的に分離されたインジェクタからの化学物質ＡおよびＢの流れをそれぞれ維持する。従来のＡＬＤシーケンスには、堆積膜の不均一性をもたらす可能性のある開始パターンおよび終了パターンがある。本発明者らは、驚くべきことに、空間的ＡＬＤバッチ処理チャンバで実行される時間ベースのＡＬＤプロセスが、より高い均一性を有する膜を提供することを発見した。ガスＡ、反応性のないガス、ガスＢ、反応性のないガスに曝露する基本的なプロセスは、インジェクタの下で基板を掃引して、表面を化学物質ＡおよびＢでそれぞれ飽和させ、膜に開始パターンおよび終了パターンが形成されるのを回避することである。本発明者らは、驚くべきことに、ターゲット膜厚が薄い（例えば、２０ＡＬＤサイクル未満の）場合には、時間ベースの手法が特に有益であり、開始パターンおよび終了パターンがウエハ内均一性性能に著しい影響を与えることを見出した。本発明者らは、本明細書に記載されるような、ＳｉＣＮ、ＳｉＣＯ、およびＳｉＣＯＮ膜を生成するための反応プロセスが時間領域プロセスでは達成することができないことも発見した。処理チャンバをパージするために使用される時間の量は、基板表面からの材料の剥離をもたらす。記載された空間的ＡＬＤプロセスでは、ガスカーテンの下の時間が短いため剥離が起こらない。
したがって、本開示の実施形態は、各処理領域がガスカーテン１５０によって隣接領域から分離された複数の処理領域２５０ａ～２５０ｈを有する処理チャンバ１００を含む処理方法を対象とする。例えば、図５に示す処理チャンバである。処理チャンバ内のガスカーテンおよび処理領域の数は、ガス流の配置に応じて任意の適切な数とすることができる。図５に示す実施形態は、８つのガスカーテン１５０および８つの処理領域２５０ａ～２５０ｈを有する。ガスカーテンの数は、一般に、処理領域の数と等しいか、またはそれよりも大きい。例えば、領域２５０ａが反応性ガス流を有さず、単にローディング領域として機能する場合、処理チャンバは、７つの処理領域および８つのガスカーテンを有する。
複数の基板６０は、基板支持体、例えば、図１および図２に示すサセプタアセンブリ１４０上に配置されている。複数の基板６０は、処理のために処理領域の周りを回転する。一般に、ガスカーテン１５０は、反応性ガスがチャンバに流れ込んでいない期間を含む処理全体を通して、関与（ｅｎｇａｇｅ）している（ガスが流れていて、真空がオンである）。
第１の反応性ガスＡは、１つまたは複数の処理領域２５０に流れ込み、一方で、不活性ガスは、第１の反応性ガスＡが流れ込んでいない任意の処理領域２５０に流れ込む。例えば、第１の反応性ガスが処理領域２５０ｂから処理領域２５０ｈにかけて流れ込んでいる場合、不活性ガスは、処理領域２５０ａに流れ込んでいる。不活性ガスは、第１の反応性ガスポート１２５または第２の反応性ガスポート１３５を通って流れることができる。
再び図１を参照すると、本開示の一部の実施形態は、サセプタアセンブリ１４０の底面１４３に隣接して位置するヒータ３００を組み込む。ヒータ３００は、任意の適切な距離だけ底面１４３から離間させることができ、または底面１４３と直接コンタクトさせることができる。図示するヒータ３００は、支持ポスト１６０が延在する中央開口部３０５を有する円板形の構成要素である。ヒータ３００は、ヒータ３００が、底面１４３からの距離が変わらないように、サセプタアセンブリ１４０とともに移動するように、支持ポスト１６０に接続することができる。一部の実施形態では、ヒータ３００は、サセプタアセンブリ１４０とともに回転する。一部の実施形態では、ヒータ３００は、ヒータ３００の移動がサセプタアセンブリ１４０から分離され、サセプタアセンブリ１４０よりも独立して制御されるという点で、サセプタアセンブリ１４０から独立している。
図１に示すヒータ３００は、加熱素子３１０を含む。加熱素子３１０のそれぞれは、独立して制御される別個の素子とすることができ、または上方から見た場合に螺旋形を形成する、開口部３０５の周りに延在する材料の均一なコイルとすることができる。図示する加熱素子３１０は、各ゾーンが中央開口部３０５から異なる距離に位置するように、３つの半径方向ゾーンに配置されている。内側ゾーン３１５ａは、サセプタアセンブリ１４０の中心の支持ポスト１６０に最も近いゾーンである。内側ゾーン３１５ａは、単一のコイルまたは複数のコイルとすることができる加熱素子３１０ａの３つのコイルとして示されている。一部の実施形態では、ゾーンのいずれかの加熱素子は、回転ゾーンに分離されている。例えば、図示する実施形態では、ヒータ３００の左側は、右側とは異なるコイルを有することができ、その結果、半径方向ゾーンのそれぞれは、２つの回転ゾーンを有する。
第２のゾーン３１５ｂは、基板６０を支持する凹部１４２の下に位置するものとして示されている。第２のゾーン３１５ｂの加熱素子３１０ｂは、内側ゾーン３１５ａの加熱素子３１０ａよりもサセプタアセンブリ１４０の底面１４３の近くに示されている。一部の実施形態では、内側ゾーン３１５ａの加熱素子３１０ａは、第２のゾーン３１５ｂの加熱素子３１０ｂよりも底面１４３に近い。一部の実施形態では、内側ゾーン３１５ａの加熱素子３１０ａおよび第２のゾーン３１５ｂの加熱素子３１０ｂは、底面１４３からほぼ同じ距離にある。
第１のゾーン３１５ａの加熱素子３１０ａは、第１のシールド３２０ａによって第２のゾーン３１５ｂの加熱素子３１０ｂから分離されている。第１のシールド３２０ａのサイズおよび形状は、任意の適切な寸法とすることができ、サセプタアセンブリ１４０の底面１４３から任意の距離に配置することができる。一部の実施形態では、内側ゾーン３１５ａを第２のゾーン３１５ｂから分離する第１のシールド３２０ａはない。
外側ゾーン３１５ｃの加熱素子３１０ｃは、サセプタアセンブリ１４０の外側部分に位置するものとして示されている。一部の実施形態では、外側ゾーン３１５ｃの加熱素子３１０ｃは、第２のシールド３２０ｂによって第２のゾーン３１５ｂの加熱素子３１０ｂから分離されている。一部の実施形態では、外側ゾーン３１５ｃの加熱素子３１０ｃは、サセプタアセンブリ１４０の底面１４３からの距離が、内側ゾーン３１５ａおよび／または第２のゾーン３１５ｂのうちの１つまたは複数とは異なる。一部の実施形態では、ヒータ３００は、３つよりも多いかまたは少ないゾーンを含む。例えば、一部の実施形態では、４つのヒータゾーン（図示せず）である、内側加熱ゾーン、第２の加熱ゾーン、第３の加熱ゾーン、および外側加熱ゾーンがある。
本開示の１つまたは複数の実施形態は、有利には、ウエハを８００℃以上に加熱することができるヒータを提供する。一部の実施形態は、有利には、約１２００℃の表面温度に安全に到達することができる熱分解窒化ホウ素／熱分解グラファイト（ＰＢＮ／ＰＧ）ヒータを提供する。本開示の一部の実施形態は、約２℃以下のウエハ温度均一性を提供できる装置を提供する。一部の実施形態は、大きい平坦面からの非常に高いワット密度（最大１００ワット／ｃｍ2）を有するヒータを提供する。
一部の実施形態のバッチ処理チャンバは、大きい直径のグラファイトサセプタ（プレート）を使用して、６つのウエハを同時に支持、加熱、処理できるようにする。プレートは、処理中に回転し、下のチャンバキャビティに固定されたヒータから熱を受け取る。キャビティは、サセプタの下にあり、低温（例えば、４０～６０℃）に維持された流体冷却体によって形成されている。キャビティは、加熱、ポンプ感知、サセプタ位置決めカメラでの視認、および人間の目での視認のいくつかのゾーンに電力を供給するための貫通部を提供する。加熱ゾーンは、サセプタが下方に並進してウエハを搬送することができるため、サセプタの下方の任意の高さ（例えば、３５ｍｍ～１５０ｍｍ）でキャビティ内に配置することができる。
ＰＢＮ／ＰＧヒータは、非常に高いワット密度（例えば、最大１００Ｗ／ｃｍ2）を有する平坦面を提供することができる。複数のＰＢＮヒータは、チャンバの内側の一対の電気的に絶縁されたバスバーへの共通のゾーン電源に接続されてもよく、ゾーンごとのＰＢＮ素子のアレイを可能にする。共通の電源に並列接続されたＰＢＮ素子は、等しい抵抗を有し、等しい電力出力および動作温度を提供する。
一部の実施形態は、有利には、半径方向に離散した制御ゾーン内のグラファイトサセプタに高密度の上向きのエネルギーを有する平板ＰＢＮヒータを提供する。例えば、３つの別個の制御ゾーンは、均一なウエハ温度を１度未満に管理する能力を提供することができる。
一部の実施形態では、内側ゾーンヒータは、ＰＢＮヒータで置き換えられる。内側ゾーンＰＢＮヒータは、サセプタの中心に高電力を導入することによって、良好な温度均一性を提供することができる。置き換えられた内側ゾーン管状ヒータは、例えば、回転シャフトからアルミニウムインジェクタまでの高い熱損失に起因して、サセプタの中心で十分な電力を提供できない場合がある。一部の実施形態のＰＢＮヒータは、より高いワット密度を有する管状ヒータよりも小さい外径を有し、サセプタの中心の近くにエネルギーを集束させることができる。一部の実施形態では、平坦なＰＢＮヒータをサセプタの近くに配置して、管状ヒータで達成され得るよりも効率的な温度制御を提供することができる。
図６Ａ、図６Ｂ、および図７を参照すると、本開示の１つまたは複数の実施形態は、ヒータ４００を対象とする。図６Ａは、ヒータ４００の上面図を示し、図６Ｂは、ヒータ４００の底面図を示す。このように使用される場合、「頂部」および「底部」という相対的な用語は、ヒータ４００の異なる見方を説明するために使用され、特定の空間方向を意味するものとして解釈されるべきではない。ヒータ４００は、頂部４１２および底部４１４を有する本体４１０を有する。
一部の実施形態では、本体４１０は、直線状の側面を有する矩形の構成要素である。一部の実施形態では、図示するように、本体４１０は、弧状の内側端部４１８と弧状の外側端部４１９とによって接続された第１の端部４１６および第２の端部４１７を有する湾曲した構成要素である。
本体４１０は、任意の適切な材料で作ることができる。一部の実施形態では、本体４１０は、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）、熱分解グラファイト（ＰＧ）、またはＰＢＮ／ＰＧの混合物を含む。一部の実施形態では、ＰＢＮ／ＰＧの混合物は、約１００：１～約１：１００の範囲のＰＢＮ：ＰＧの比を有する。一部の実施形態では、ヒータ４００の本体４１０は、本質的にＰＢＮから構成されている。このように使用される場合、「本質的にＰＢＮから構成されている」という用語は、組成が質量ベースで９９％または９９．５％を超えるＰＢＮであることを意味する。
ヒータ４００は、本体４１０の底部４１４に接続された第１のヒータ電極４２１および第２のヒータ電極４２２を含む。第１のヒータ電極４２１および第２のヒータ電極４２２は、電気を効率的に伝導することができる任意の適切な材料で作ることができる。一部の実施形態では、第１のヒータ電極４２１および／または第２のヒータ電極４２２は、モリブデンを含む材料で作られている。
ヒータ電極の配置は、例えば、電源接続の位置に応じて変化してもよい。一部の実施形態では、第１のヒータ電極４２１は、第２のヒータ電極４２２よりも内側端部４１８または外側端部４１９の近くに配置されている。図８は、ヒータ４００の底面図を示し、内側端部４１８よりも外側端部４１９に近い第１のヒータ電極４２１と、外側端部４１９よりも内側端部４１８に近い第２のヒータ電極４２２とを示している。
ヒータ４００の一部の実施形態は、本体４１０の底部４１４に第１の凹部４３１および第２の凹部４３２を含む。凹部は、任意の適切な形状および幅とすることができる。図６Ｂに示す実施形態では、凹部４３１、４３２は、円形であり、第１のヒータ電極４２１は、第１の凹部４３１の境界内にあり、第２のヒータ電極４３１は、第２の凹部４３２の境界内にある。図示する実施形態では、第１の凹部４３１に第１の隆起部分４３３があり、第２の凹部４３２に第２の隆起部分４３４がある。隆起部分４３３、４３４は、凹部４３１、４３２が別個の構成要素を支持するのに適切な幅を有するようにサイズ調整されている。一部の実施形態では、凹部４３１、４３２は、約４０ｍｍ～約１５０ｍｍの範囲、または約５０ｍｍ～約１４０ｍｍの範囲、または約６０ｍｍ～約１３０ｍｍの範囲の外径を有する。一部の実施形態では、凹部４３１、４３２の幅は、約２ｍｍ、３ｍｍ、４ｍｍ、５ｍｍ、１０ｍｍ、または１５ｍｍ以上である。
一部の実施形態では、図７に示すように、第１のスタンドオフ４５１が第１の凹部４３１に配置され、第２のスタンドオフ４５２が第２の凹部４３２に配置されている。スタンドオフ４５１、４５２は、電力接続を絶縁するために使用することができる任意の適切な電気絶縁（すなわち、非導電性）材料で作ることができる。一部の実施形態では、スタンドオフ４５１、４５２は、石英である。一部の実施形態では、スタンドオフは、電気絶縁材料、例えば、石英を含む底部を有する。
電源への接続は、バスバーコネクタとの接続によって、ヒータ電極４２１、４２２を通して行うことができる。バスバーコネクタは、スタンドオフの底部に形成され、スタンドオフを貫いて延在することができ、または電極に接続された別個の構成要素とすることができる。バスバーコネクタは、別個の構成要素の場合であっても、スタンドオフの一部と考えることができる。一部の実施形態では、図９に示すように、第１のバスバーコネクタ４６１は、バスバーカバー５４０を通り抜けて第１のバスバー５２１にコンタクトする別個の構成要素である。
一部の実施形態では、第１のワイヤ４７１が第１のバスバーコネクタ４６１を第１のヒータ電極４２１に接続する。同様の構成において、第２のワイヤ（図示せず）が第２のバスバーコネクタ（図示せず）を第２のヒータ電極４２２に接続する。第１のワイヤ４７１は、第１のスタンドオフ４５１内に配置され、第２のワイヤは、第２のスタンドオフ内に配置されている。
第１のワイヤ４７１は、任意の適切なコネクタによって第１のヒータ電極４２１および第１のバスバーコネクタ４６１に接続することができる。一部の実施形態では、ねじ４７４、および任意でワッシャ（図示せず）が、第１のワイヤ４７１を第１のヒータ電極４２１に接続する。一部の実施形態では、ねじ４７５、および任意でワッシャまたは接続リング（番号は付けられていない）が、第１のワイヤ４７１を第１のバスバーコネクタ４６１に接続する。第２のワイヤは、第１のワイヤ４７１のコネクタと同様の適切なコネクタによって、第２のヒータ電極および第２のバスバーコネクタに接続することができる。一部の実施形態では、ワイヤは、編組されたモリブデンを含む。一部の実施形態では、ねじおよび任意のワッシャは、モリブデンである。
図１０を参照すると、一部の実施形態は、バスバーアセンブリ５００を含む。バスバーアセンブリ５００は、２つのチャネル５１１、５１２を備える電気絶縁バスバーハウジング５１０（レースウェイとも呼ばれる）を含むことができる。第１のバスバー５２１は、第１のチャネル５１１内に配置することができ、第２のバスバー５２２は、第２のチャネル５１２内に配置することができる。使用時には、第１のバスバー５２１は、第１のバスバーコネクタ４６１と電気的に通じ、第２のバスバー５２２は、第２のバスバーコネクタ４６２と電気的に通じる。第１のバスバー５２１および第２のバスバー５２２は、１つまたは複数の電源に接続されて、第１のバスバー５２１と第２のバスバー５２２との間に電圧差を提供することができる。
バスバーハウジング５１０は、任意の適切な電気絶縁材料から作ることができる。一部の実施形態では、バスバーハウジング５１０は、アルミナを含む。一部の実施形態では、バスバーハウジング５１０は、使用中にバスバーから熱を伝導するように作用することができるセグメント化されたアルミナで作られている。
図９に戻って参照すると、バスバーアセンブリ５００の一部の実施形態は、バスバーカバー５４０を含む。バスバーカバー５４０は、バスバーコネクタ４６１、４６２がバスバー５２１、５２２とコンタクトすることができるようにするチャネルまたは開口部５４２を有することができる。
図１１を参照すると、本開示の一部の実施形態は、ヒータアセンブリ６００を対象とする。一部の実施形態のヒータアセンブリ６００は、底部６１２と、本体６１０の中心の開口部６１４と、を備えた丸い本体６１０を有する。側壁６１１は、底部６１２の周りに本体６１０の外周を形成する。側壁６１１および底部６１２は、本体６１０内にキャビティ６１５を画定する。
ヒータアセンブリ６００は、少なくとも１つのヒータゾーン６２１を含む。図１１に示す実施形態では、３つの半径方向ゾーン、すなわち、内側ゾーン６２１、第２のゾーン６２２、および外側ゾーン６２３がある。半径方向ゾーンのそれぞれは、他のゾーンから独立して制御することができる。一部の実施形態では、４つ以上の半径方向ゾーンがある。ゾーンのいずれも、（図１に示すように）ヒートシールドによって隣接ゾーンから分離することができる。内側ゾーンは、開口部６１４に最も近いゾーンであり、第１のゾーンと呼ばれることがある。外側ゾーンは、側壁６１１に最も近いゾーンである。内側ゾーン６２１と外側ゾーン６２３との間のゾーンは、第２のゾーン、第３のゾーン、第４のゾーンなどと呼ばれる。内側ゾーンは、支持ポスト１６０（図１参照）の周辺部の周りに加熱ゾーンを形成することを可能にする開口部６１４から離れた位置にあってもよい。
各半径方向ゾーンは、１つまたは複数の回転ゾーンから構成することができる。図示する実施形態では、内側ゾーン６２１は、ヒータ４００ａ、ヒータ４００ｂ、およびヒータ４００ｃから構成された３つの回転ゾーンを有する。第２のゾーン６２２は、加熱素子６２４ａおよび加熱素子６２４ｂから構成された２つの回転ゾーンを有する。外側ゾーン６２３も、加熱素子６２５ａおよび加熱素子６２５ｂから構成された２つの回転ゾーンを有する。一部の実施形態では、半径方向ゾーンのそれぞれは、同じ数の回転ゾーンを有する。
図示する実施形態では、内側ゾーン６２１は、ＰＢＮヒータ４００を備え、第２のゾーン６２２および外側ゾーン６２３は、管状加熱素子である。一部の実施形態では、内側ゾーン６２１、第２のゾーン６２２、および外側ゾーン６２３は、ＰＢＮヒータ４００を備える。
図１２は、複数のヒータ４００を有する加熱ゾーンの一部を示す。バスバー５２１、５２２は、明確にするために、バスバーハウジング内にない状態で示されている。第１のスタンドオフ４５１および第１のバスバーコネクタ４６１は、第１のバスバー５２１とコンタクトするように位置している。第２のスタンドオフ４５２および第２のバスバーコネクタ４６２は、第２のバスバー５２２とコンタクトするように位置している。複数のヒータ４００は、開口部６１４を取り囲む加熱ゾーンを形成するように配置することができる。
本開示の一部の実施形態は、ヒータ４００または加熱アセンブリ６００を組み込んだ処理チャンバを対象とする。加熱アセンブリ６００は、支持ポスト１６０の周りで、サセプタアセンブリ１４０の下に配置されている。１つまたは複数の熱シールドを、異なる加熱ゾーンの間に配置することができる。
前述の事項は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態が本開示の基本的な範囲から逸脱せずに、案出されてもよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (20)

  1. 頂部および底部を有する本体であって、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を含む、本体と、
    前記本体の前記底部に接続された第１のヒータ電極と、
    前記本体の前記底部に接続された第２のヒータ電極と、
    を備える、ヒータ。
  2. 前記ヒータの前記本体がＰＢＮから構成されている、請求項１に記載のヒータ。
  3. 前記本体の前記底部が、第１の凹部および第２の凹部を有し、前記第１のヒータ電極が前記第１の凹部内にあり、前記第２のヒータ電極が前記第２の凹部内にある、請求項１に記載のヒータ。
  4. 前記第１の凹部内に配置された第１のスタンドオフ、および前記第２の凹部内に配置された第２のスタンドオフをさらに備え、前記第１のスタンドオフおよび前記第２のスタンドオフが電気絶縁材料を含む、請求項３に記載のヒータ。
  5. 前記第１のスタンドオフおよび前記第２のスタンドオフが石英を含む、請求項４に記載のヒータ。
  6. 前記第１のスタンドオフおよび前記第２のスタンドオフが、電気絶縁材料を含む底部を有する、請求項４に記載のヒータ。
  7. 前記第１のスタンドオフが、前記底部を貫通して延在する第１のバスバーコネクタを有し、前記第２のスタンドオフが、前記底部を貫通して延在する第２のバスバーコネクタを有する、請求項６に記載のヒータ。
  8. 前記第１のバスバーコネクタを前記第１のヒータ電極に接続する第１のワイヤと、前記第２のバスバーコネクタを前記第２のヒータ電極に接続する第２のワイヤと、をさらに備え、前記第１のワイヤが前記第１のスタンドオフ内にあり、前記第２のワイヤが前記第２のスタンドオフ内にある、請求項７に記載のヒータ。
  9. 第１のバスバーおよび第２のバスバーをさらに備え、前記第１のバスバーが、前記第１のバスバーコネクタと電気的に通じ、前記第２のバスバーが、前記第２のバスバーコネクタと電気的に通じている、請求項８に記載のヒータ。
  10. 前記第１のバスバーおよび前記第２のバスバーが、電気絶縁バスバーハウジング内にあり、前記第１のバスバーが、前記バスバーハウジングの第１のチャネル内にあり、前記第２のバスバーが、前記バスバーハウジングの第２のチャネル内にある、請求項９に記載のヒータ。
  11. 前記本体が、弧状の内側端部と弧状の外側端部とによって接続された第１の端部および第２の端部を有する、請求項１に記載のヒータ。
  12. 丸い本体であって、前記本体の中心に開口部を備えた底部および前記底部の周りに前記本体の外周を形成する側壁を有し、前記側壁および前記底部が、前記本体内にキャビティを画定する、丸い本体と、
    前記本体の前記キャビティ内のヒータゾーンであって、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を含むヒータ本体、前記ヒータ本体の底部に接続された第１のヒータ電極、および前記ヒータ本体の前記底部に接続された第２のヒータ電極を有する１つまたは複数のヒータを備える、ヒータゾーンと、
    前記第１のヒータ電極に電気的に接続された第１のバスバーと、
    前記第２のヒータ電極に電気的に接続され、前記第１のバスバーから電気的に絶縁されている第２のバスバーと、
    を備える、ヒータアセンブリ。
  13. 前記ヒータ本体がＰＢＮから構成されている、請求項１２に記載のヒータアセンブリ。
  14. 前記ヒータ本体の前記底部が、第１の凹部および第２の凹部を有し、前記第１のヒータ電極が前記第１の凹部内に配置され、前記第２のヒータ電極が前記第２の凹部内に配置されている、請求項１２に記載のヒータアセンブリ。
  15. 前記第１の凹部内に配置された第１のスタンドオフ、および前記第２の凹部内に配置された第２のスタンドオフをさらに備え、前記第１のスタンドオフおよび前記第２のスタンドオフが電気絶縁材料を含む、請求項１４に記載のヒータアセンブリ。
  16. 前記第１のスタンドオフおよび前記第２のスタンドオフが石英を含む、請求項１５に記載のヒータアセンブリ。
  17. 前記第１のスタンドオフおよび前記第２のスタンドオフが、電気絶縁材料を含む底部を有し、前記第１のバスバーコネクタが前記底部を貫通して延在し、前記第２のスタンドオフが前記底部を貫通して延在する第２のバスバーコネクタを有し、前記第１のバスバーコネクタが前記第１のバスバーと電気的にコンタクトし、前記第２のバスバーコネクタが前記第２のバスバーと電気的にコンタクトし、第１のワイヤが前記第１のバスバーコネクタを前記第１のヒータ電極に接続し、第２のワイヤが前記第２のバスバーコネクタを前記第２のヒータ電極に接続し、前記第１のワイヤが前記第１のスタンドオフ内にあり、前記第２のワイヤが前記第２のスタンドオフ内にある、請求項１５に記載のヒータアセンブリ。
  18. 前記第１のバスバーおよび前記第２のバスバーが電気絶縁バスバーハウジング内にあり、前記第１のバスバーが、前記バスバーハウジングの第１のチャネル内にあり、前記第２のバスバーが、前記バスバーハウジングの第２のチャネル内にある、請求項１７に記載のヒータアセンブリ。
  19. 前記ヒータ本体が、弧状の内側端部と弧状の外側端部とによって接続された第１の端部および第２の端部を有する、請求項１２に記載のヒータ。
  20. 丸い本体であって、前記本体の中心に開口部を備えた底部および前記底部の周りに前記本体の外周を形成する側壁を有し、前記側壁および前記底部が、前記本体内にキャビティを画定する、丸い本体と、
    前記本体の前記キャビティ内の内側ヒータゾーンであって、前記本体の前記中心の前記開口部の周りに配置され、
    第１のチャネルおよび第２のチャネルを備えたバスバーハウジングであって、前記本体の前記中心の前記開口部の周りに円形または弓状の経路を形成する、バスバーハウジングと、
    前記第１のチャネル内の第１のバスバーと、
    前記第２のチャネル内の第２のバスバーであって、前記第１のバスバーから電気的に絶縁されている、第２のバスバーと、
    前記バスバーに隣接して配置された複数のヒータであって、前記複数のヒータのそれぞれが、前記複数のヒータが円形の内側ヒータを形成するように、円形セグメントとして成形され、前記ヒータのそれぞれが、熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）を含むヒータ本体、前記ヒータ本体の底部に接続された第１のヒータ電極、および前記ヒータ本体の前記底部に接続された第２のヒータ電極を有し、前記第１のヒータ電極が、第１のスタンドオフ内にあり、前記第１のバスバーおよび前記第２のバスバーの一方と電気的にコンタクトし、前記第２のヒータ電極が、第２のスタンドオフ内にあり、前記第１のバスバーまたは前記第２のバスバーのもう一方と電気的にコンタクトしている、複数のヒータと、
    を備える、内側ヒータゾーンと、
    を備える、ヒータアセンブリ。
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