JPH0971867A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0971867A JPH0971867A JP7225089A JP22508995A JPH0971867A JP H0971867 A JPH0971867 A JP H0971867A JP 7225089 A JP7225089 A JP 7225089A JP 22508995 A JP22508995 A JP 22508995A JP H0971867 A JPH0971867 A JP H0971867A
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- ladder
- substrate
- inductance electrode
- reaction vessel
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反応容器（１）内で放電用電極（１０）と対
向して基板（９）を配置し、放電用電極（１０）からグ
ロー放電プラズマを発生させて基板（９）上に非晶質薄
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、放電用電極
（１０）に実質的に供給される高周波電力を増加させ、
成膜速度を高めること。 【解決手段】 放電用電極（１０）を構成する線材を、
細線を束ねて形成させたり、横断面形状を放射状の星形
としたりして、断面積を増すことなく表面積を増大させ
る。これにより高周波電流の表皮効果による抵抗増加が
抑制され、高周波電力が実質的に増加する。
向して基板（９）を配置し、放電用電極（１０）からグ
ロー放電プラズマを発生させて基板（９）上に非晶質薄
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、放電用電極
（１０）に実質的に供給される高周波電力を増加させ、
成膜速度を高めること。 【解決手段】 放電用電極（１０）を構成する線材を、
細線を束ねて形成させたり、横断面形状を放射状の星形
としたりして、断面積を増すことなく表面積を増大させ
る。これにより高周波電流の表皮効果による抵抗増加が
抑制され、高周波電力が実質的に増加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，アモルファスシリ
コン太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜な
どの各種電子デバイスに使用される薄膜の化学蒸着（Ch
emical Vapour Depositon, 本明細書では「ＣＶＤ」と
いう）型薄膜形成に適した高周波プラズマＣＶＤ装置に
関する。
コン太陽電池、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜な
どの各種電子デバイスに使用される薄膜の化学蒸着（Ch
emical Vapour Depositon, 本明細書では「ＣＶＤ」と
いう）型薄膜形成に適した高周波プラズマＣＶＤ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓ
ｉ」という）薄膜や窒化シリコン（以下「ＳｉＮｘ」と
いう）薄膜を製造するために、従来より用いられている
プラズマＣＶＤ装置の構成を図８および図９を参照して
説明する。
ｉ」という）薄膜や窒化シリコン（以下「ＳｉＮｘ」と
いう）薄膜を製造するために、従来より用いられている
プラズマＣＶＤ装置の構成を図８および図９を参照して
説明する。
【０００３】図８はプラズマＣＶＤ装置の一例を示す断
面図で、反応容器（１）内には、グロー放電プラズマを
発生させるための梯子状平面型の放電用ラダーインダク
タンス電極（２）と基板加熱用ヒータ（３）とが平行に
配置されている。この放電用ラダーインダクタンス電極
（２）は図９の電極平面図に示すように、２本の線材に
対して垂直に複数本の線材を梯子状に組んで接続した構
造を有し、外周部が四角形をなしている。
面図で、反応容器（１）内には、グロー放電プラズマを
発生させるための梯子状平面型の放電用ラダーインダク
タンス電極（２）と基板加熱用ヒータ（３）とが平行に
配置されている。この放電用ラダーインダクタンス電極
（２）は図９の電極平面図に示すように、２本の線材に
対して垂直に複数本の線材を梯子状に組んで接続した構
造を有し、外周部が四角形をなしている。
【０００４】図９の放電用ラダーインダクタンス電極
（２）の電力供給点（２ａ），（２ｂ）には、高周波電
源（４）から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波数（Radi
o Frequency ）の電力がインピーダンス整合器（５）を
介して供給される。基板加熱用ヒータ（３）は、反応容
器（１）とともに接地され接地電極となっている。した
がって、放電用ラダーインダクタンス電極（２）と基板
加熱用ヒータ（３）との間でグロー放電プラズマが発生
する。
（２）の電力供給点（２ａ），（２ｂ）には、高周波電
源（４）から例えば１３．５６ＭＨｚの高周波数（Radi
o Frequency ）の電力がインピーダンス整合器（５）を
介して供給される。基板加熱用ヒータ（３）は、反応容
器（１）とともに接地され接地電極となっている。した
がって、放電用ラダーインダクタンス電極（２）と基板
加熱用ヒータ（３）との間でグロー放電プラズマが発生
する。
【０００５】反応容器（１）内には図示しないボンベか
ら反応ガス導入管（６）を通して、例えばモノシランと
水素との混合ガスが供給される。供給された反応ガス
は、放電用ラダーインダクタンス電極（２）により発生
したグロー放電プラズマにより分解され、基板加熱用ヒ
ータ（３）上に保持されて所定の温度に加熱された基板
（９）上に堆積する。また反応容器（１）内のガスは、
排気管（７）を通して真空ポンプ（８）により反応容器
（１）外へ排出される。
ら反応ガス導入管（６）を通して、例えばモノシランと
水素との混合ガスが供給される。供給された反応ガス
は、放電用ラダーインダクタンス電極（２）により発生
したグロー放電プラズマにより分解され、基板加熱用ヒ
ータ（３）上に保持されて所定の温度に加熱された基板
（９）上に堆積する。また反応容器（１）内のガスは、
排気管（７）を通して真空ポンプ（８）により反応容器
（１）外へ排出される。
【０００６】上記装置を用い、以下のようにして薄膜を
製造する。まず真空ポンプ（８）を駆動して反応容器
（１）内を排気する。それから反応ガス導入管（６）を
通して、例えばモノシランと水素との混合ガスを供給し
て反応容器内の圧力を０．０５〜０．５Torrに保ち、高
周波電源（４）から放電用ラダーインダクタンス電極
（２）に電力を印加すると、グロー放電プラズマが発生
する。反応ガスは放電用ラダーインダクタンス電極
（２）と基板加熱用ヒータ（３）との間に生じるグロー
放電プラズマによって分解される。この結果、Ｓｉ
Ｈ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発生し、基
板（９）の表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄膜が形成され
る。
製造する。まず真空ポンプ（８）を駆動して反応容器
（１）内を排気する。それから反応ガス導入管（６）を
通して、例えばモノシランと水素との混合ガスを供給し
て反応容器内の圧力を０．０５〜０．５Torrに保ち、高
周波電源（４）から放電用ラダーインダクタンス電極
（２）に電力を印加すると、グロー放電プラズマが発生
する。反応ガスは放電用ラダーインダクタンス電極
（２）と基板加熱用ヒータ（３）との間に生じるグロー
放電プラズマによって分解される。この結果、Ｓｉ
Ｈ3 ，ＳｉＨ2 などのＳｉを含むラジカルが発生し、基
板（９）の表面に付着して、ａ−Ｓｉ薄膜が形成され
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来のプラズ
マＣＶＤ装置には、次のような解決すべき課題があっ
た。
マＣＶＤ装置には、次のような解決すべき課題があっ
た。
【０００８】１）従来装置において、放電用ラダーイン
ダクタンス電極に印加する電力は例えば１３．５６ＭＨ
ｚのような高周波電流であるため、導体断面内を一様に
流れず、電流密度は導体表面の方が大きくなる。この現
象を表皮効果と呼ぶ。
ダクタンス電極に印加する電力は例えば１３．５６ＭＨ
ｚのような高周波電流であるため、導体断面内を一様に
流れず、電流密度は導体表面の方が大きくなる。この現
象を表皮効果と呼ぶ。
【０００９】導体表面における電流密度の１／ｅになる
深さδを、表皮効果の深さと呼び、δ＝１／√（πｆμ
σ）で表わされる。ここでｅは自然対数の底，ｆは周波
数，μは透磁率，σは導電率である。半径ａの導体に直
流電流を流す場合、長さＬの導体の抵抗は、ＲDC＝Ｌ／
（πa2σ) となるが、半径ａ，長さＬの導体に高周波電
流を流す場合は ＲRF＝Ｌ／（２πａδσ) となり、Ｒ
RF＞ＲDCとなる。
深さδを、表皮効果の深さと呼び、δ＝１／√（πｆμ
σ）で表わされる。ここでｅは自然対数の底，ｆは周波
数，μは透磁率，σは導電率である。半径ａの導体に直
流電流を流す場合、長さＬの導体の抵抗は、ＲDC＝Ｌ／
（πa2σ) となるが、半径ａ，長さＬの導体に高周波電
流を流す場合は ＲRF＝Ｌ／（２πａδσ) となり、Ｒ
RF＞ＲDCとなる。
【００１０】以上で述べたように、放電用ラダーインダ
クタンス電極に高周波電力を印加する場合、図５に示す
ように、周波数の増加とともに抵抗も増加するため、電
圧が一定ならば電流が減少することになる。すなわち、
実質的に放電用ラダーインダクタンス電極に供給される
電力は減少する。そのため、モノシランの分解が促進さ
れず、ＳｉＨ3 などのＳｉを含むラジカルの発生が抑制
されるので、薄膜の高速成膜化が不十分であった。
クタンス電極に高周波電力を印加する場合、図５に示す
ように、周波数の増加とともに抵抗も増加するため、電
圧が一定ならば電流が減少することになる。すなわち、
実質的に放電用ラダーインダクタンス電極に供給される
電力は減少する。そのため、モノシランの分解が促進さ
れず、ＳｉＨ3 などのＳｉを含むラジカルの発生が抑制
されるので、薄膜の高速成膜化が不十分であった。
【００１１】２）従来のプラズマＣＶＤ装置の放電用ラ
ダーインダクタンス電極において、表皮効果の影響を少
なくするためには、表面積の増加させることが必要であ
る。しかし、そのために放電用ラダーインダクタンス電
極の構造部材の直径を大きくしたり、本数を増やしたり
すると、反応ガスの流れが不均一になり、膜厚分布を悪
化させていた。
ダーインダクタンス電極において、表皮効果の影響を少
なくするためには、表面積の増加させることが必要であ
る。しかし、そのために放電用ラダーインダクタンス電
極の構造部材の直径を大きくしたり、本数を増やしたり
すると、反応ガスの流れが不均一になり、膜厚分布を悪
化させていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記従来の
課題を解決するために、反応容器と、この反応容器内に
反応ガスを導入し排出する手段と、上記反応容器内に収
容された複数本の線材からなる梯子状平面型の放電用ラ
ダーインダクタンス電極と、この放電用ラダーインダク
タンス電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有
し、上記反応容器内で上記放電用ラダーインダクタンス
電極に対向して設置された基板の表面に非晶質薄膜を形
成するプラズマＣＶＤ装置において、上記放電用ラダー
インダクタンス電極を構成する複数本の線材が細線を束
ねて形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置；ならびに、反応器と、この反応容器内に反応ガスを
導入し排出する手段と、上記反応容器内に収容された複
数本の線材からなる梯子状平面型の放電用ラダーインダ
クタンス電極と、この放電用ラダーインダクタンス電極
にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記反応
容器内で上記放電用ラダーインダクタンス電極に対向し
て設置された基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ装置において、上記放電用ラダーインダクタン
ス電極を構成する複数本の線材の横断面が放射状の星形
であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提案する
ものである。
課題を解決するために、反応容器と、この反応容器内に
反応ガスを導入し排出する手段と、上記反応容器内に収
容された複数本の線材からなる梯子状平面型の放電用ラ
ダーインダクタンス電極と、この放電用ラダーインダク
タンス電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有
し、上記反応容器内で上記放電用ラダーインダクタンス
電極に対向して設置された基板の表面に非晶質薄膜を形
成するプラズマＣＶＤ装置において、上記放電用ラダー
インダクタンス電極を構成する複数本の線材が細線を束
ねて形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置；ならびに、反応器と、この反応容器内に反応ガスを
導入し排出する手段と、上記反応容器内に収容された複
数本の線材からなる梯子状平面型の放電用ラダーインダ
クタンス電極と、この放電用ラダーインダクタンス電極
にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記反応
容器内で上記放電用ラダーインダクタンス電極に対向し
て設置された基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラズ
マＣＶＤ装置において、上記放電用ラダーインダクタン
ス電極を構成する複数本の線材の横断面が放射状の星形
であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提案する
ものである。
【００１３】本発明は上記の構成を有し、放電用ラダー
インダクタンス電極を構成する複数本の線材が細線を束
ねて形成されているか、またはそれら線材の横断面が放
射状の星形であるので、放電用ラダーインダクタンス電
極における表皮効果が抑制され、高周波抵抗が減少す
る。したがって投入される高周波電力が増加し、高速成
膜が可能となる。また反応ガスの流れが均一化するの
で、大面積の均一成膜が可能となる。
インダクタンス電極を構成する複数本の線材が細線を束
ねて形成されているか、またはそれら線材の横断面が放
射状の星形であるので、放電用ラダーインダクタンス電
極における表皮効果が抑制され、高周波抵抗が減少す
る。したがって投入される高周波電力が増加し、高速成
膜が可能となる。また反応ガスの流れが均一化するの
で、大面積の均一成膜が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態に係
るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、図２はこの
実施形態における放電用ラダーインダクタンスの平面図
および一部断面拡大図である。
るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、図２はこの
実施形態における放電用ラダーインダクタンスの平面図
および一部断面拡大図である。
【００１５】まず図１において、反応容器（１）内に
は、グロー放電プラズマを発生させるために放電用ラダ
ーインダクタンス電極（１０）と基板加熱用ヒータ
（３）とで一対の平行電極が構成されている。放電用ラ
ダーインダクタンス電極（１０）には、高周波電源
（４）から例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電
力がインピーダンス整合器（５）を介して供給される。
図示しないボンベから反応ガス導入管（６）を通して、
例えばモノシランと水素の混合ガスが、放電用ラダーイ
ンダクタンス電極（１０）裏側から内部へ導入され、放
電用ラダーインダクタンス電極（１０）の構造部材間を
通過して、放電用ラダーインダクタンス電極（１０）と
基板加熱用ヒータ（３）との間へ供給される。この放電
用ラダーインダクタンス電極（１０）は図２に示すよう
に構成材が細線を束ねて形成され、更にそれを捩った撚
り線（よりせん）となっている。
は、グロー放電プラズマを発生させるために放電用ラダ
ーインダクタンス電極（１０）と基板加熱用ヒータ
（３）とで一対の平行電極が構成されている。放電用ラ
ダーインダクタンス電極（１０）には、高周波電源
（４）から例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電
力がインピーダンス整合器（５）を介して供給される。
図示しないボンベから反応ガス導入管（６）を通して、
例えばモノシランと水素の混合ガスが、放電用ラダーイ
ンダクタンス電極（１０）裏側から内部へ導入され、放
電用ラダーインダクタンス電極（１０）の構造部材間を
通過して、放電用ラダーインダクタンス電極（１０）と
基板加熱用ヒータ（３）との間へ供給される。この放電
用ラダーインダクタンス電極（１０）は図２に示すよう
に構成材が細線を束ねて形成され、更にそれを捩った撚
り線（よりせん）となっている。
【００１６】この装置を用いて、以下のようにして薄膜
を製造する。真空ポンプ（８）を駆動し、排気管（７）
を通して反応容器（１）内のガスを排気する。基板
（９）は基板加熱用ヒータ（３）に保持され、所定の温
度に保たれる。反応ガス、例えばモノシランと水素の混
合ガスを５０〜１００cc/min程度の流量で、反応ガス導
入管（６）を通して供給し、反応容器（１）内の圧力を
０．０５〜０．５Torrに保ち、高周波電源（４）からイ
ンピーダンス整合器（５）を介して放電用ラダーインダ
クタンス電極（１０）に電圧を印加すると、放電用ラダ
ーインダクタンス電極（２）と基板加熱用ヒータ（３）
との間にグロー放電プラズマが発生する。この結果、反
応ガスが分解して基板（９）上にａーＳｉ薄膜が堆積す
る。
を製造する。真空ポンプ（８）を駆動し、排気管（７）
を通して反応容器（１）内のガスを排気する。基板
（９）は基板加熱用ヒータ（３）に保持され、所定の温
度に保たれる。反応ガス、例えばモノシランと水素の混
合ガスを５０〜１００cc/min程度の流量で、反応ガス導
入管（６）を通して供給し、反応容器（１）内の圧力を
０．０５〜０．５Torrに保ち、高周波電源（４）からイ
ンピーダンス整合器（５）を介して放電用ラダーインダ
クタンス電極（１０）に電圧を印加すると、放電用ラダ
ーインダクタンス電極（２）と基板加熱用ヒータ（３）
との間にグロー放電プラズマが発生する。この結果、反
応ガスが分解して基板（９）上にａーＳｉ薄膜が堆積す
る。
【００１７】前記のとおり本実施形態では放電用ラダー
インダクタンス電極の構成材が細線を束ねて形成されて
いるので、表面積が大きく、表皮効果が抑制されるた
め、高周波電流に対する抵抗が減少し、その結果実質的
に放電用ラダーインダクタンス電極（１０）に供給され
る高周波電力が増加して、高速成膜が可能となる。この
効果は図３のように細線を束ねたままでも同様である
が、撚り線の方がまとまりやすい。
インダクタンス電極の構成材が細線を束ねて形成されて
いるので、表面積が大きく、表皮効果が抑制されるた
め、高周波電流に対する抵抗が減少し、その結果実質的
に放電用ラダーインダクタンス電極（１０）に供給され
る高周波電力が増加して、高速成膜が可能となる。この
効果は図３のように細線を束ねたままでも同様である
が、撚り線の方がまとまりやすい。
【００１８】放電用ラダーインダクタンス電極の構成材
を、細線を束ねて形成することにより、その表面積を増
加させた効果を確認するため、下記条件で実験を行なっ
た。
を、細線を束ねて形成することにより、その表面積を増
加させた効果を確認するため、下記条件で実験を行なっ
た。
【００１９】 基板材料： コーニング＃7059無アルカリガラス 基板サイズ： ３００mm×３００mm×1.1 mmｔ 反応ガスの種類： 水素希釈２０％モノシラン 反応ガス流量： ５０cc/min 反応容器内圧力： ０．1 Torr 高周波電力： ５０〜３００Ｗ 基板温度： ２５０℃。
【００２０】放電用ラダーインダクタンス電極に供給さ
れる高周波電力の周波数と放電用ラダーインダクタンス
電極の抵抗値との関係を図５に示す。図９に示されるよ
うな従来の放電用ラダーインダクタンス電極（２）は供
給される高周波電力の増加とともに指数的に抵抗値が増
加するが、細線を束ねて表面積を増加させた本発明の放
電用ラダーインダクタンス電極（１０）の場合は、抵抗
の増加が抑制され、高周波領域でも低抵抗とすることが
できた。
れる高周波電力の周波数と放電用ラダーインダクタンス
電極の抵抗値との関係を図５に示す。図９に示されるよ
うな従来の放電用ラダーインダクタンス電極（２）は供
給される高周波電力の増加とともに指数的に抵抗値が増
加するが、細線を束ねて表面積を増加させた本発明の放
電用ラダーインダクタンス電極（１０）の場合は、抵抗
の増加が抑制され、高周波領域でも低抵抗とすることが
できた。
【００２１】次に、ａーＳｉ薄膜の成膜速度と高周波電
力の関係を図６に示す。この図に示されるように、本発
明では高周波電力の増加に伴なって成膜速度が増加し、
従来よりも高速の８Å/Sを達成できた。
力の関係を図６に示す。この図に示されるように、本発
明では高周波電力の増加に伴なって成膜速度が増加し、
従来よりも高速の８Å/Sを達成できた。
【００２２】またａーＳｉ薄膜の膜厚分布を図７に示
す。この図に示されるように、本発明でも従来と同程度
の大面積均一成膜（膜厚分布５％以内）が達成できた。
す。この図に示されるように、本発明でも従来と同程度
の大面積均一成膜（膜厚分布５％以内）が達成できた。
【００２３】図４には、本発明の実施の他の形態とし
て、放電用ラダーインダクタンス電極の横断面を放射状
の星形とした例を示してある。この実施形態でも、細線
を束ねたものと同様に表面積を増加させることができ、
したがって表皮効果が抑制されて高周波電流に対する抵
抗が減少し、高速成膜を行なうことができる。
て、放電用ラダーインダクタンス電極の横断面を放射状
の星形とした例を示してある。この実施形態でも、細線
を束ねたものと同様に表面積を増加させることができ、
したがって表皮効果が抑制されて高周波電流に対する抵
抗が減少し、高速成膜を行なうことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上で述べたように、本発明は放電用ラ
ダーインダクタンス電極の構成部材を細線を束ねて形成
させるか、またはその横断面を放射状の星形とすること
によって、表面積を増加させて表皮効果を抑制し、高周
波電流に対する抵抗を下げて、実質的に供給される高周
波電力を増加させ、高速成膜を実現する。そして、放電
用ラダーインダクタンス電極の表面積を増加させるの
に、構造部材の線径を太くしたり、本数を増やしたりし
て、反応ガスの流れを不均一化することがないから、大
面積均一成膜が可能となる。したがって、ａ−Ｓｉ太陽
電池，ＴＦＴ液晶ディスプレイ，ａ−Ｓｉ感光体等の製
造分野での工業的価値が大きい。
ダーインダクタンス電極の構成部材を細線を束ねて形成
させるか、またはその横断面を放射状の星形とすること
によって、表面積を増加させて表皮効果を抑制し、高周
波電流に対する抵抗を下げて、実質的に供給される高周
波電力を増加させ、高速成膜を実現する。そして、放電
用ラダーインダクタンス電極の表面積を増加させるの
に、構造部材の線径を太くしたり、本数を増やしたりし
て、反応ガスの流れを不均一化することがないから、大
面積均一成膜が可能となる。したがって、ａ−Ｓｉ太陽
電池，ＴＦＴ液晶ディスプレイ，ａ−Ｓｉ感光体等の製
造分野での工業的価値が大きい。
【図１】図１は本発明の実施の第１形態に係るプラズマ
ＣＶＤ装置の構成を示す断面図である。
ＣＶＤ装置の構成を示す断面図である。
【図２】図２は上記実施形態における放電用ラダーイン
ダクタンス電極の一例を示す詳細図である。
ダクタンス電極の一例を示す詳細図である。
【図３】図３は上記実施形態における放電用ラダーイン
ダクタンス電極の他の例を示す詳細図である。
ダクタンス電極の他の例を示す詳細図である。
【図４】図４は本発明の実施の第２形態における放電用
ラダーインダクタンス電極の一例を示す詳細図である。
ラダーインダクタンス電極の一例を示す詳細図である。
【図５】図５は放電用ラダーインダクタンス電極に供給
される高周波電力の周波数と放電用ラダーインダクタン
ス電極の抵抗との関係を示す図である。
される高周波電力の周波数と放電用ラダーインダクタン
ス電極の抵抗との関係を示す図である。
【図６】図６は高周波電力とａ−Ｓｉ膜の成膜速度との
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図７】図７は本発明の装置および従来の装置により得
られたａ−Ｓｉ膜の膜厚分布特性を示す図である。
られたａ−Ｓｉ膜の膜厚分布特性を示す図である。
【図８】図８は従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図９】図９は従来の放電用ラダーインダクタンス電極
の詳細図である。
の詳細図である。
（１） 反応容器 （２） 放電用ラダーインダクタンス電極 （３） 基板加熱用ヒータ （４） 高周波電源 （５） インピーダンス整合器 （６） 反応ガス導入管 （７） 排気管 （８） 真空ポンプ （９） 基板 （１０） 放電用ラダーインダクタンス電極
Claims (2)
- 【請求項１】 反応容器と、この反応容器内に反応ガス
を導入し排出する手段と、上記反応容器内に収容された
複数本の線材からなる梯子状平面型の放電用ラダーイン
ダクタンス電極と、この放電用ラダーインダクタンス電
極にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記反
応容器内で上記放電用ラダーインダクタンス電極に対向
して設置された基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において、上記放電用ラダーインダクタ
ンス電極を構成する複数本の線材が細線を束ねて形成さ
れていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 反応容器と、この反応容器内に反応ガス
を導入し排出する手段と、上記反応容器内に収容された
複数本の線材からなる梯子状平面型の放電用ラダーイン
ダクタンス電極と、この放電用ラダーインダクタンス電
極にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記反
応容器内で上記放電用ラダーインダクタンス電極に対向
して設置された基板の表面に非晶質薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において、上記放電用ラダーインダクタ
ンス電極を構成する複数本の線材の横断面が放射状の星
形であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225089A JPH0971867A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225089A JPH0971867A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971867A true JPH0971867A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16823837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7225089A Pending JPH0971867A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971867A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU715335B2 (en) * | 1998-04-28 | 2000-01-20 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
| JP2002212734A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置におけるクリーニングモニタ方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP7225089A patent/JPH0971867A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU715335B2 (en) * | 1998-04-28 | 2000-01-20 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US6363881B2 (en) | 1998-04-28 | 2002-04-02 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
| JP2002212734A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-07-31 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | プラズマｃｖｄ装置におけるクリーニングモニタ方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021210 |