JP3254298B2 - サンプル処理用のプラズマ装置および機械 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はサンプルの化学処理用プ
ラズマ装置、１またはそれ以上のかかる装置を有する工
業用機械および前記装置を使用する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】とくに、本装置はこれまで公知の堆積お
よびエツチング方法により得られる速度より少なくとも
１０または１００倍速い速度で大きなサンプル表面上の
厚いまたは薄い層の表面処理、堆積および化学エツチン
グを許容する。

【０００３】本装置はとくに集積回路および半導体レー
ザの製造のマイクロエレクトロニクス分野、集積光学分
野および光エネルギの光電変換の太陽エネルギ分野に使
用される。本発明がそれに適用する集積回路は、例え
ば、液晶平面スクリーンの制御回路である。

【０００４】一般に、本発明は厚いマイクロエレクトロ
ニクス薄い層の堆積またはエツチング、ならびに層また
は基板の化学的洗浄を必要とするあらゆる工業分野に適
用される。これらの層および基板は誘電体、金属または
半導体にすることが可能である。

【０００５】現在、プラズマを使用する種々のエツチン
グおよび堆積装置型式がある。一般に、かかる装置は超
高周波源、受信機または処理されるべきサンプルを支持
するための支持体を収容する緊密密封処理エンクロージ
ヤ、超高周波源を処理エンクロージヤに結合するための
要素、プラズマを形成するためのガス供給源および処理
エンクロージヤをポンピングするための手段を有する。

【０００６】幾つかの堆積およびエツチング装置はまた
使用される種々のガスをイオン化するために超高周波と
相互に作用する処理エツチング内に磁界を作るための手
段を有する。これらの装置は電子サイクロトロン共振
（ＥＣＲ）作用を使用する。かかる装置はより詳細に
は、１９９０年３月／４月の、Ｊ．Ｖａｃ．Ｔｅｃｈｎ
ｏｌ．（真空科学技術）、Ａ８（２）、９０８〜９１５
頁のガイスラー等による「細長いマイクロウエーブサイ
クロトロン加熱プラズマ源」に記載されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明による装置は磁
界かつそれゆえＥＣＲ作用を使用しない。非ＥＣＲ作用
装置には、プラズマ支援化学気相成長装置および機械
（ＰＥＣＶＤ）がある。これらの機械は能動マトリクス
平面スクリーンの製造のために開発されかつ一般に１
３．５６ＭＨｚを使用する。

【０００８】これらの機械は全体的なガスの分離の獲得
を可能にしない低電子密度プラズマを使用する欠点をこ
おむる。種々の堆積プラズマに向かう非分離ガスの拡散
を回避するために、各プラズマは起こるべき堆積に供せ
られる真空室内に隔離される。各真空室は約１０^{- 4} Ｐ
ａの真空の獲得を可能にしかつ通常ターボ分子型からな
るポンピングユニツトを備える。

【０００９】これらの堆積機械は複雑な性質からなりか
つ非常に高価（１０００ないし２０００万フランスフラ
ン）である。

【００１０】さらに、かかる装置の複雑さは機械の利用
可能時間を著しく低減する規則的な保守を伴う。最後
に、これらの機械は一般には非常に大きくかつ無菌室型
領域中に大きな表面積を取り、その結果それらの用途は
制限される。

【００１１】他の公知の非ＥＣＲ作用装置はヨーロツパ
特許第３９８，８３２号に記載されている。この処理装
置はＰＥＣＶＤ機械より厄介ではないが、さらに幾つか
の欠点をこおむる。とくに、その構造が複雑であり、そ
の結果その製造コストが高い。そのうえ、とくにプラズ
マ形成ガス噴射モードにより、均一な方法において大き
な表面（１ｄｍ² ）上へのエツチングまたは堆積作用を
得ることを可能にしない。

【００１２】本発明は上記欠点を除去する新規な化学処
理プラズマ装置および機械および前記装置を使用する方
法に関する。とくに本発明は約１ｍ² の表面にわたつて
薄い層またはフイルムの化学方法においてかつ現在まで
使用される速度より１０〜１００倍速い速度での均一な
堆積およびエツチングを許容する。

【００１３】さらに、前記装置は前に言及されたＥＣＲ
作用なしのプラズマ装置より非常に簡単でかつそれゆえ
余り高価ではない。本装置は光学およびエレクトロニク
ス分野の両方において集積回路の低コストでの大量生産
を許容する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】より詳細には、本発明
は、高周波電磁波源、プラズマを形成するためのガス供
給手段を備えた密封プラズマエンクロージヤ、前記電磁
波源を前記プラズマエンクロージヤに結合するための要
素、前記プラズマエンクロージヤをポンピングするため
の手段および少なくとも１つのサンプルホルダを有する
化学処理プラズマ装置において、前記プラズマエンクロ
ージヤが非放射性性質からなりかつ第１方向に対して平
行な第１および第２誘電体材料面およびリボン状プラズ
マを形成するために第１方向に向けられた矩形開口を備
えた第３面を備えた矩形平行六面体のごとく成形され、
前記開口が前記プラズマエンクロージヤおよび前記サン
プルホルダがその中に収容される処理エンクロージヤを
接続し、前記結合手段が前記第１および第２面に対して
垂直な第２方向に向けられた第１矩形直線導波管、前記
第１面を経由して前記第１導波管を前記プラズマエンク
ロージヤに結合しかつその矩形断面が前記プラズマエン
クロージヤに向かって前記第１導波管の第１方向に広が
るホーン、前記第２方向に向けられかつ前記第１導波管
の側と反対の前記プラズマエンクロージヤの側に配置さ
れる第２矩形直線導波管を有し、前記第２導波管が前記
電磁波用短かい回路を備えていることを特徴とする化学
処理プラズマ装置に関する。

【００１５】前記で言及された利点に加えて、ＥＣＲ作
用なしで高堆積速度を得ることを可能にし、プラズマを
形成するのに使用される分子ガスをすべて分離すること
ができる高電子密度プラズマを作る。使用される周波数
は一般には１００ＭＨｚないし１０ＧＨｚの間でありそ
して使用される超高周波出力は数キロワツトに及ぶこと
が可能である。

【００１６】本発明による装置または反応炉により供給
されるプラズマは非常に安定している。そのうえ、本発
明による装置はカスケード形状における幾つかのサンプ
ルの処理を可能にする。この場合に機械的手段が第２方
向に対して平行なプラズマエンクロージヤの矩形開口の
前方に処理されるべきサンプルを連続して供給するため
に設けられる。

【００１７】本発明による装置は、また、幾つかのサン
プルの同時処理を許容する。とくに同一ガスプラズマを
同時に使用する２つのサンプルを処理することができ
る。このためにプラズマエンクロージヤは第１方向に方
向付けられかつプラズマエンクロージヤおよび処理エン
クロージヤを接続する第３面に対して平行であるプラズ
マエンクロージヤの第４面に形成される他の矩形開口を
有しそして他の処理エンクロージヤ内に配置される他の
サンプルホルダは前記他の開口の前方に配置される。

【００１８】好都合には、第２導波管の短い回路はエン
クロージヤからその外部に向かうどのような電磁放射も
除去するプラズマエンクロージヤの結合の確立を可能に
するピストン型からなる。すべてのマイクロ波エネルギ
はかくしてプラズマエンクロージヤ内に維持される。こ
の結合を改善するために、第１導波管を貫通するインピ
ーダンス調整または整合ネジを使用することができる。

【００１９】均一な処理、例えば、大きな表面積にわた
つて均一な堆積またはエツチングを得るために、ガス供
給手段はその全長にわたつて開口を有しかつプラズマエ
ンクロージヤに出る少なくとも１本の管により構成され
るのが好ましく、前記１またはそれ以上の管は第１方向
に対して平行に方向付けられる。とくに、前記１または
それ以上の管はプラズマエンクロージヤの矩形開口の近
くに配置される。

【００２０】考えられる用途の結果として、処理装置は
１または複数のサンプルホルダを加熱するための手段、
サンプルホルダを冷却するための手段および／またはサ
ンプルホルダに極性を与えるための手段からなることが
可能である。

【００２１】本発明による工業用装置は従来の装置に比
べて小さい寸法（長さ＜１ｍ）を有し、その結果これま
ではかかる装置を備えることができなかつた制限された
領域において使用可能である。

【００２２】本発明による装置は基板上への厚いまたは
薄い層の化学的堆積に使用できかつ堆積された層は＞１
０μｍの厚さを持ち得る。この場合に、基板はサンプル
ホルダ上の処理エンクロージヤ内に置かれそしてプラズ
マエンクロージヤ内に製造された、堆積されるべき層の
先駆プラズマに露出される。

【００２３】また、材料の化学エツチングを実施するこ
とができる。この場合に、エツチングされるべき材料は
サンプルホルダ上の処理エンクロージヤ内に置かれかつ
エツチングされるべき材料に特有の化学エツチングプラ
ズマに露出される。

【００２４】各処理間の、前記で言及された利点に加え
て、本発明による装置はその洗浄を許容する。

【００２５】フイルム製造ラインにおいて、現在、プラ
ズマおよび堆積エンクロージヤを洗浄するのに要求され
る時間は機械使用時間の１０〜２０％を示すかも知れな
いことが認められる。この洗浄は一般にはすべての「金
属化部品」を機械的にブラツシングすることにより行わ
れる。

【００２６】それゆえ、機械を取り外すことなくかかる
洗浄を実施するのに適切であるが、処理装置内に適宜な
プラズマを作りながらエンクロージヤの壁が露出される
までこれらを被覆する堆積物を化学的にエツチングする
ことを可能にする。原理は実際に知られておりかつ幾つ
かの１３．５６ＭＨｚのＰＥＣＶＤプラズマ反応炉製造
業者により使用されている。例えば、ネクストラルのＮ
Ｄ４００装置が参照される。

【００２７】本発明による装置において、２．４５ＧＨ
ｚに励起される希ガスおよびハロゲン化物プラズマによ
りかかる洗浄を好都合に実施することができる。

【００２８】各堆積段の後、それゆえ反応炉洗浄プラズ
マを発生することができる。このプラズマはまた、反応
炉使用効率を増加しながら、反応炉の特定の汚染を著し
く低減する作用を有する。

【００２９】１または複数本の孔明き管のプラズマエン
クロージヤ内の相対的な位置は調整可能である。とく
に、指摘されることは、基板上のプラズマの作用の均一
性はガスをプラズマエンクロージヤへ注入するための管
の位置により、しかもまたその形状により著しく左右さ
れるということである。

【００３０】形状もまたプラズマエンクロージヤへガス
を注入するための管の位置も前記エンクロージヤの電磁
結合品質に影響を及ぼさない。実際に、プラズマ中に発
生される種類の拡散長さはプラズマエンクロージヤへの
ガスの注入モードに感応し易い。これは作用効率および
プラズマリボンまたはバーの均一性を変化することとな
る。

【００３１】本発明による装置はフイルムの堆積および
エツチングの非常に効率の良い製造のために工業用機械
において好都合に使用され得る。

【００３２】本発明はまた本発明による１またはそれ以
上の装置を有する工業用機械に関する。とくに、前記工
業用機械は同一時間、同一圧力で運転する同一の真空ま
たは処理室を備えることが可能で、しかも各々処理され
るべき材料の性質に対応するガスで供給され、各装置の
サンプルホルダは前記共通の真空室内に配置される。

【００３３】以下に、本発明を非限定的な実施例および
添付図面を参照してより詳細に説明する。

【００３４】

【実施例】図１および図２に関連して、次に本発明によ
る処理装置を第１実施例において説明する。

【００３５】本装置は実際にはプラズマエンクロージヤ
４に結合された高周波電磁波源２を組み込んでいるプラ
ズマ反応炉である。該電磁波源２は１００ＭＨｚないし
１０ＧＨｚの範囲において選ばれた工業用周波数（例え
ば、４３３ＭＨｚ，９１５ＭＨｚ，２．４５ＧＨｚ，
５．８ＧＨｚ，２４ＧＨｚ）で２ＫＷまでの出力を供給
する。とくに使用される周波数は最も普通に使用される
周波数として、最低コストを示すものである２．４５Ｇ
Ｈｚである。

【００３６】前記電磁波源からの電磁波はＮが奇数であ
る型ＴＥ_{N O} の横方向電気モードにしたがつて伝播す
る。伝播方向Ｐ→（→はＰの上にあるものとする）は反
応炉の長手方向軸線に対して平行である。この領域の電
気成分Ｅ→（→はＥの上にあるものとする）は図２の断
面に対して平行に向けられた方向において方向Ｐ→に対
して垂直に方向付けられる。電磁波の磁界Ｈ→（→はＨ
の上にあるものとする）は互いに垂直でかつ方向Ｐ→に
対して平行なＨｚ→（→はＨの上にあるものとする）に
より電界の方向に対して垂直な平面に置かれる２つの成
分Ｈｘ→（→はＨの上にあるものとする）およびＨｚ→
を有する。とくに、電磁波は基本モードＴＥ_{1 0} にした
がつて伝播する。

【００３７】プラズマエンクロージヤ４は矩形平行六面
体のごとく成形されたプラズマ室６を画成する。プラズ
マエンクロージヤ４は磁界の成分Ｈｘ→の方向に対して
平行な（伝播方向に対して垂直な）かつシリカのごとき
低誘電体損失を有する材料から作られる２つの側壁８，
１０を有する。プラズマエンクロージヤ４の他の壁は金
属、とくにアルミニウムから作られる。

【００３８】誘電体壁８および１０に対して垂直な、プ
ラズマエンクロージヤの下壁１２は、その大きな側辺が
誘電体壁８および１０に対して平行である矩形開口１４
を有し、該開口はプラズマエンクロージヤ４をサンプル
ホルダ１８を収容する処理エンクロージヤ１６と接続す
る。サンプルホルダ１８は電磁波伝播方向Ｐ→に動き、
その結果サンプルホルダ１８により支持される処理され
るべきサンプル２０の表面がプラズマエンクロージヤの
開口１４の前方にかつ平行に動く。サンプルホルダ１８
の移動装置は、マイクロエレクトロニクスにおいて通常
使用されるコンベヤ、例えば、表示ＺＷ８００（図３参
照）によりレイボールドにより販売されるコンベヤのよ
うなコンベヤ型からなることができる。

【００３９】この公知のサンプルホルダ１８はコンベヤ
２１に接続された電圧源２２の助けにより極性が与えら
れ得る。同一方法において、サンプルホルダは電圧源２
４により電流で供給される電気抵抗型の装置の助けによ
り加熱されることができるか、または流体循環装置の助
けにより冷却されることができる。サンプルホルダ用加
熱または冷却装置の配置は従来技術による。

【００４０】処理エンクロージヤ１６への処理されるべ
きサンプル２０の導入のために、処理エンクロージヤは
導入ロツク型の公知の装置２５をその端部の一方に備え
ている。

【００４１】図２に示したプラズマエンクロージヤ４は
プラズマ室６へイオン化されるべきガスの注入のために
壁８および１０に対して平行に方向付けられた管２６を
有する。この管２６は、プラズマエンクロージヤの開口
１４に向かってかつそれゆえ処理エンクロージヤ１６に
向かって方向付けられた、母線の一方に沿って形成され
た孔２８を有する。

【００４２】この管２６は小さい断面の金属（代表的に
は１０ｍｍ² ）から作られかつ孔２８は異なる直径から
なる。壁８および１０に対するその長手方向位置が固定
される。しかしながら、開口１４に対するその高さ位置
は調整可能である。管２６の高さ位置を調整するための
機械的な手段はそれゆえ反応炉の外に設けられかつ図示
されない。

【００４３】かくして、ガス注入管をサンプル２０に非
常に近接して、例えば２０ｍｍ以下の距離に近接して動
かすことができ、したがつて処理されるべきサンプル上
の厚いまたは薄いフイルムまたは層の均一な堆積または
前記サンプルのエツチングを許容する。

【００４４】従来技術の装置およびとくにヨーロツパ特
許第３９８，８３２号の装置は処理されるべきサンプル
に近接するようにプラズマ先駆ガスの注入かつそれゆえ
大きな寸法（１ｍ² より大きいかまたはほぼ等しい）を
超える均一な堆積またはエツチングを許容する。

【００４５】プラズマエンクロージヤ４を超高周波源２
に結合するための要素は、反応炉内に作られた超高周波
数の反射に対して超高周波数源２を保護するサーキユレ
ータ−アイソレータ（循環器−断路器）３２によつて超
高周波源２に結合される、波の伝播方向Ｐ→に方向付け
られる矩形断面を有する第１直線導波管３０を組み込ん
でいる（図１）。このアイソレータは装置の十分な作動
に欠くことができないものではない。

【００４６】第１導波管３０は、例えば３本の適合ネジ
３４を備えており、該ネジは導波管を貫通しかつプラズ
マエンクロージヤ４に向かって波の良好な伝送効率を得
るために反応炉のインピーダンスの適合または整合を可
能にする。

【００４７】プラズマエンクロージヤ４の導波管３０の
結合はホーン３６によつて行われ、該ホーンの断面はそ
れがプラズマエンクロージヤ４の側壁８，１０の矩形断
面に等しい矩形断面に達するまで伝播方向Ｐ→に対して
垂直な（または方向Ｈｘ→に対して平行な）方向にした
がつて漸進的に広がる。

【００４８】ホーンおよびプラズマエンクロージヤ４の
結合は誘電体壁８を経由して行われる。反対側には、第
２直線導波管３８があり、該導波管の断面はそれに向か
い合うプラズマエンクロージヤ４の壁の断面に等しい。
プラズマエンクロージヤ４と第２導波管３８との間の結
合は誘電体壁１０を経由して確保される。

【００４９】誘電体壁８および１０はそれぞれプラズマ
エンクロージヤの上壁および下壁４２，１２に、ホーン
３６にかつ導波管３８に集積されたクリツプ装置４０に
より固定される。

【００５０】プラズマ室６の真空密封は例えばアルミニ
ウムからなる可撓性の金属Ｏ−リング４４により確保さ
れる。

【００５１】端末導波管３８は電磁波短い回路接続にあ
りかつ好都合には波伝播方向Ｐ→に動くことができるピ
ストン４６からなる。ピストンの移動装置（図示せず）
は油圧または空気型からなつても良い。

【００５２】貫通ネジ３４およびピストン４６の位置の
調整は非放射のプラズマエンクロージヤの結合の確立を
可能にし、したがつてエンクロージヤから外部へのどの
ような電磁放射も除去する。

【００５３】可撓性金属Ｏ−リング４４およびピストン
４６はエンクロージヤから外部へのどのような電磁放射
に対しても有効である短い回路として役立つ。したがつ
て電磁出力はプラズマエンクロージヤ内に保持されかつ
それゆえプラズマ形成の目的に使用される。

【００５４】ホーン３６の内壁はＵ形状の凹部４８を有
し、該凹部の分岐部分は磁界Ｈｘ→の方向に対して平行
で、電界の位相についてのエラーの補正を可能にする。

【００５５】例えば、これらの凹部４８は深さλ／４お
よび高さλ／１０を有する。それらはプラズマエンクロ
ージヤ内の非常に均一な電磁エネルギ密度の供給を可能
にする。

【００５６】導波管、ホーンおよびプラズマエンクロー
ジヤの寸法は使用される波の周波数の関数である。２．
４５ＧＨｚの周波数に関して言えば、波長は１２．２ｃ
ｍである。

【００５７】完全な装置は比較的限定された長さを有し
かつすべての場合に１ｍ以下である。

【００５８】プラズマエンクロージヤ４に関して、アイ
ソレータ３２、導波管３０およびホーン３６の組立ては
クリツプ装置により確保される。

【００５９】前述された反応炉はプラズマの発生を可能
にしかつ処理エンクロージヤ１６に向けられた、開口１
４によつて、ラインまたはバーの形のプラズマの発生を
可能にする。処理エンクロージヤ１６はポンピング装置
５０に接続された真空エンクロージヤである。真空エン
クロージヤ１６とポンピング装置５０との間に挿入され
た層流弁５２はポンピングユニツトとプラズマ反応炉と
の間の可変コンダクタンスの発生を可能にする。それは
ポンピングユニツト５０の最適ポンピング速度を維持し
ながら、プラズマエンクロージヤ内のプラズマの圧力の
調整を可能にする。

【００６０】図１および図２の反応炉の作動範囲は反応
炉が６３Ｍｈの１次ポンプおよび７００ｌ／ｓのオイル
噴霧ポンプにより構成される真空ユニツトに接続される
とき得られる範囲である。この場合に、プラズマ室６お
よび処理エンクロージヤ１６の内部容量はそれぞれ２ｌ
および３０ｌに近い。

【００６１】本発明による処理装置によれば、図３に示
されるように、１つのサンプルに代えて同一のプラズマ
エンクロージヤにより２つのサンプルの同時処理を可能
にする。この場合に、プラズマエンクロージヤ４ａは互
いに向かい合いかつ誘電体壁８，１０に対して垂直にか
つ電界Ｅ→にしたがつて方向付けられる２つの矩形横方
向開口１４ａ，１４ｂを有する。

【００６２】これらの横方向開口１４ａ，１４ｂの各々
に向かい合って、電磁波の伝播方向Ｐ→に動いているサ
ンプルホルダ１８ａ，１８ｂがある。

【００６３】この場合に、プラズマエンクロージヤ４ａ
は２つのグループのガス注入管を有し、第１グループ２
６ａは開口１４ａに向かい合って位置決めされそして第
２グループ２６ａは開口１４ｂに向かい合って位置決め
される。

【００６４】図３に示した実施例において、各サンプル
に２本の注入管が使用される。しかしながら、図１に示
したように、各サンプルに単一の注入管の使用も可能で
ある。逆に、図１による装置において２本のガス注入管
の使用も可能である。サンプル当たり２本のガス注入管
が使用される場合には、前記管内の孔２８はもはや処理
されるべきサンプルに向けて方向付けされないが、代わ
りにプラズマエンクロージヤ４ａの中心に方向付けされ
る。言い換えれば、同一対の管の孔２８は互いに向かい
合う。

【００６５】図３はサンプルホルダ１８ｂの移動装置２
１をより詳細に示す。

【００６６】プラズマエンクロージヤ４ａの両側に２つ
のサンプルを使用するとき、図１におけるように単一の
処理エンクロージヤが使用されず、しかもプラズマエン
クロージヤ４ａの両側に２つの処理エンクロージヤ１６
ａ，１６ｂが使用される。これは幾つかのサンプルの同
時処理を許容する工業機械を示す図４に明瞭に示され
る。とくに、図４に示した機械はフランス特許第２，５
３３，０７２号に記載された方法による平面スクリーン
のアレイを製造するためにとくに開発された工業機械で
ある。

【００６７】この場合に、処理機械はそれぞれ垂直に位
置決めされた、可動サンプルホルダ１８ａ，１８ｂ上で
２つのサンプルの処理を可能にする直線方法において配
置された３つの反応炉５２，５４，５６を有する。反応
炉５２，５４および５６は２つのサンプル上に種々の層
を連続して堆積するように種々のガスにより供給され
る。

【００６８】例えば、ガラス基板上にｎ⁺ ドーピングさ
れた水素化アモルフアスシリコン層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、
次いでドーピングされないかまたは本質的なａ−Ｓｉ：
Ｈ層および最後にＳｉ₃ Ｎ₄ 層の連続堆積を可能にす
る。この場合に、反応炉５２の管２６ｃはＳｉＨ₄ およ
びＰＨ₃ で供給され、反応炉５４の管２６ｄはＳｉＨ₄
で供給されそして反応炉５６の管２６ｅはＳｉＨ₄ ＋Ｎ
Ｈ₃ で供給される。

【００６９】図４はプラズマエンクロージヤの平面図で
ある。各反応炉に関して超高周波源、マイクロ波アイソ
レータ、ホーンおよびその一方が対応する源との各プラ
ズマエンクロージヤの結合を確保するためにピストンを
備える導波管があることは明らかである。

【００７０】超高周波源と要素を結合するためのプラズ
マ室および要素はすべて機械軸線ｚにしたがつて一直線
に整列される。超高周波源は機械の長手方向寸法を減少
するために屈曲ガイドにより直線ガイドの下に位置決め
されかつそれに接続されることができる。

【００７１】ａ−Ｓｉ：ＨおよびＳｉ₃ Ｎ₄ 層の堆積に
関して、ガスの分離は主として原子または分子窒素およ
び水素の形成に至る。アモルフアスシリコンの堆積用の
反応炉５２，５４に向かいかつ前記堆積の品質の劣化に
至るかも知れない窒素のどのようなバツクスキヤツタリ
ングも回避するために、処理エンクロージヤ１６ａ，１
６ｂのポンピング装置の接続はシリコン窒化物堆積反応
炉５６で行われる。

【００７２】それゆえ、各処理エンクロージヤ１６ａ，
１６ｂは処理エンクロージヤの両側で真空ポンプ５０
ａ，５０ｂに接続される。

【００７３】ポンピングユニツトは例えばサンプルホル
ダ１８ａ，１８ｂの移動方向における大きなガス流を吸
収することができるルーツ型からなる。明らかなように
エンクロージヤ１６ａ，１６ｂに接続される完全に対称
な導管に接続される１つのポンプのみの使用も可能であ
る。

【００７４】図４に示した機械はコンパクトでありかつ
サンプルホルダ上のサンプルの荷電、ならびに処理エン
クロージヤ内のそれらの配置前のサンプルの加熱を可能
にする標準モジユールに接続され得る。

【００７５】この機械は、従来技術におけるより１０な
いし１００倍速い種々の層またはフイルムの堆積および
エツチング速度で、大きな寸法、代表的には１ｍ² の平
面スクリーンの能動マトリクスの製造を可能にする。

【００７６】図１ないし図４に関連して説明された反応
炉および機械は厚いマトリクス薄い層の堆積および層の
エツチングの両方に使用され得る。プラズマの形成に使
用されるガスの性質はしたがつて実施されるべき処理の
型に依存する。

【００７７】広い圧力および流量範囲において、プラズ
マはアルゴンおよびヘリウムのごとき中性ガスにより得
られるが、またＳｉＨ₄ ，ＰＨ₃ ，Ｎ₂ ，Ｈ₂ ，Ｓ
Ｆ₆ ，ＮＨ₃ ，Ｏ₂ 等のごときマイクロエレクトロニク
スにおいて通常使用される純粋なガスにより得られる。
空気プラズマはまた同一圧力および流量範囲において発
生され得る。

【００７８】使用されるガス流は１０ないし１００ｃｍ
³ ／分の間である。非常に高い流量の使用は１またはそ
れ以上の真空ユニツトのポンピング容量を増加すること
によりかつとくにルーツ型ポンピング装置を使用するこ
とにより考えられ得る。とくに、５００ｃｍ³ ／分の量
が考えられることができる。

【００７９】安定なプラズマは本発明による反応炉およ
び機械により１ないし３０Ｐａの間の圧力範囲において
考えられ得る。この圧力範囲はまた使用されるポンピン
グユニツトの関数である。

【００８０】これらのガス流および圧力条件下で、各プ
ラズマ反応炉内のガス状種類の滞留時間は０．１ないし
６０秒の間である。１００ｃｍ² の断面を有する結合ホ
ーンに接続された図１によるプラズマエンクロージヤに
関して、プラズマの電子密度は１０^{1 1} ないし１０^{1 3}
電子／ｃｍ² の間のラングミユアプローブ測定により評
価された。

【００８１】この電子密度はＥＣＲ励起モードおよびＰ
ＥＣＶＤ−型プラズマを使用するプラズマにおいて得ら
れる電子密度と比較されるべきである。以下の表は種々
のプラズマにおいて得られた電子密度（ｎｅ）を示す。
表において、本発明によるプラズマは横方向導波管マイ
クロ波プラズマに関してＴＷＭＰで示される。 ＴＷＭＰ ＥＣＲ ＰＥＣＶＤ ｎｅ １０^{1 1} 〜１０^{1 3} １０⁹ 〜１０^{1 1} １０⁸ 〜１０⁹

【００８２】本発明による反応炉により得られた非常に
高い電子密度は、分子ガスの場合において、高い分離量
に至る。残留ガス分析器（ＡＧＲ）測定はシラン（Ｓｉ
Ｈ₄）プラズマに関してプラズマエンクロージヤに注入
されたガスがすべて分離されることを示す。

【００８３】かかるプラズマについて記録されたスペク
トルは図５および図６に示され、原子質量単位の関数と
して放出ピークＡの密度を表す。図５はシランがプラズ
マを起こす前にプラズマエンクロージヤ内に導入される
とき実施される記録に対応する。

【００８４】ＳｉＨｎ基（ｎ＝０〜４による）に対応す
る原子質量ピーク２８−２９−３０−３１−３２はＡＧ
Ｒイオン化室に導入されるものである。このスペクトル
はしたがつて測定カスケードの基準スペクトルに対応す
る。

【００８５】図６はプラズマを起こす前に記録されたス
ペクトルに対応する。以前に測定されたピークはＡＧＲ
測定カスケードの最大感度で１つも検出し得ない。

【００８６】それゆえ結論付けされ得ることは、型Ｓｉ
Ｈ₄ ＋ｅ−−→Ｓｉ＋４Ｈ＋ｅの分離メカニズムによ
り、すべてのシラン分子が分離されかつこのようにして
発生されたすべての原子シリコンが反応炉の基板および
壁上に堆積されるということである。

【００８７】非常に高い分離量の結果の１つはプラズマ
の起動の間中急激な圧力降下を引き起こすことである。
例えば、シランに関して、プラズマ起動前後の圧力は事
実上２の割合にある。

【００８８】プラズマエンクロージヤの内部に固定され
たガス注入装置および該装置からの基板１０に関して、
観察された堆積速度はほぼ２ないし６ｎｍ／秒である。

【００８９】より詳しくは、ａ−Ｓｉ：ＨおよびＳｉ₃
Ｎ₄ フイルムに関して得られた堆積速度はほぼ３〜４ｎ
ｍ／秒、すなわち他の堆積方法により得られた速度より
良好な大きさの程度の速度である。

【００９０】本発明による反応炉において、堆積速度は
注入されたガスの流量によりかつ注入装置と基板との間
の間隔によりかなり影響を及ぼされる。

【００９１】したがつて、本発明はこの反応炉において
分子ガスの分離量が１００％であることを示した。それ
ゆえ、基板での堆積速度はプラズマの電子密度の傾斜に
より決して影響を及ぼされずかつプラズマ中に発生され
る種類の結果のみである。

【００９２】基板と注入装置との間の間隔が４ｃｍに減
少されるならば、その場合に同一のガス流量に関して、
堆積速度は６〜１８ｎｍ／秒の間である。

【００９３】本発明者等はまた例えばａ−Ｓｉ：Ｈまた
はＳｉ₃ Ｎ₄ のごとき薄いフイルムまたは感光性樹脂フ
イルム上で高いエツチング速度を得る可能性を示した。
純粋な酸素プラズマ（Ｏ₂ ）の作用下で、１．３μｍの
厚さの感光性樹脂フイルムが２分以下で全体的にエツチ
ングされる。

【００９４】基板に極性が無いことにより、得られる樹
脂エツチング速度は結果として１０ｎｍ／秒でかつ従来
のエツチング装置により得られた速度より高い。

【００９５】さらに、本発明による装置は層またはフイ
ルムの各エツチングまたは堆積後、処理反応炉または機
械のプラズマ洗浄を可能にする。かくして、Ａｒ／ＳＦ
₆ プラズマは堆積に関して得られたエツチング速度に少
なくとも等しい壁に堆積されたフイルムに関するエツチ
ング速度の獲得を可能にする。

【００９６】本発明による反応炉を使用すると、３つの
堆積の型が得られかつ液晶平面スクリーン用能動マトリ
クスの薄膜トランジスタを製造するために特徴付けられ
る。これらのマトリクスはシリコン窒化物、内在的にド
ーピングされない、水素化アモルフアスシリコンおよび
ｎ⁺ ドーピングされた、水素化アモルフアスシリコンで
ある。

【００９７】これらの材料の主要特性は以下で説明され
る。

【００９８】例１：シリコン窒化物の堆積 薄いシリコン窒化物の堆積がＳｉＨ₄ およびＮＨ₃ の混
合物の分解により得られる。

【００９９】高品質材料の獲得を可能にする実験条件は
２ないし２０Ｐａの圧力、１．５：２．５のＮＨ₃ ／Ｓ
ｉＨ₄ 流量比、および１００ないし２３０°Ｃの温度で
ある。

【０１００】シリコン窒化物がトランジスタゲート絶縁
体として使用されるとき、それは良好な誘電体特性を持
たねばならない。とくに、強力な電界下での材料の漏洩
電流はできるだけ低くしなければならない。

【０１０１】図７は研究されたサンプルの構造を示す。
該サンプルは導体基板として使用されかつアルミニウム
電極６０で被覆される変質された単結晶シリコンウエー
ハ５２上に堆積されたシリコン窒化物フイルム５８を有
する。シリコン窒化物フイルムは厚さ１８０ｎｍでかつ
アルミニウムフイルムは厚さ２００ｎｍである。アルミ
ニウムの表面は０．３ｍｍ² である。

【０１０２】図７の構造を製造するのに使用されるシリ
コン窒化物の堆積条件は圧力２．４Ｐａ、３０ｃｍ³ ／
分のＳｉＨ₄ 流量、５０ｃｍ³ ／分のＮＨ₃ 流量、８０
０Ｗの出力、２００°Ｃの温度、および１．５ｎｍ／秒
の堆積速度である。

【０１０３】図７の構造を試験するのに使用される電気
回路は図８に示されそしてその端子が測定されるべき構
造を示すコンデンサＣにかつ直列接続抵抗器ｒに接続さ
れる交流電源６１を有する。抵抗器ｒの端子での電圧
（ｖ）の測定は回路を通って流れる電流Ｉの検出を可能
にする。

【０１０４】得られた電流−電圧特性は図９に示す。図
９は電圧（ボルト）の関数として強さ（アンペア）の変
化を示す。この特性は強い電界（３ＭＶ／ｃｍ）におい
ても同様に非常に高い抵抗率（ρ＞１０^{1 4} オーム／ｃ
ｍ）およびそれゆえ良好な絶縁特性を示す、容量成分
（Ｓｉ₃ Ｎ₄ コンデンサの充電電流）のみを表す。

【０１０５】実施された特性は本発明による高周波プラ
ズマにより堆積されたＳｉ₃ Ｎ₄ の物理化学特性がＰＥ
ＣＶＤ堆積フイルムに関して得られた特性と同一の性質
からなる。

【０１０６】例２：ドーピングされない、水素化された
アモルフアスシリコンの堆積 ａ−Ｓｉ：Ｈ水素化アモルフアスシリコンの厚いまたは
薄いフイルムの堆積は２〜２０Ｐａの圧力および１００
〜２３０°Ｃの温度により純粋なシランプラズマの助け
により得られる。これらのフイルムは、考えられた用途
の結果として、５０ｎｍないし２０μｍの厚さを有する
ことができる。

【０１０７】専門化はこの材料の半導体特性が原子水素
濃度が８ないし１０％に近いとき最適化されることを理
解する。この水素は、他の考え得る結合Ｈ−Ｓｉ−Ｈお
よび の損傷に対して、主としてＳｉ−Ｈ結合の形においてシ
リコンと連接されねばならない。

【０１０８】赤外線振動分光測定は最も速くかつ微視的
物理学尺度についてのかかる研究に最適な方法である。

【０１０９】図１０はＮが波の数を示す１９００〜２３
００ｃｍ^{- 1} においてａ−Ｓｉ：Ｈフイルムのトランス
ミツタンス（Ｔ％）を示す。図１０は、その最大周波数
がＳｉ−Ｈ結合に対応する２０００ｃｍ^{- 1} に近接する
主要帯域を見ることができる。

【０１１０】この主要帯域の外観の精密な研究は２１０
０ｃｍ^{- 1} に近い肩部を示す。この肩部はＨ−Ｓｉ−Ｈ
結合に対応する低い強さの帯域に帰される。

【０１１１】構造の全体表面を基礎にしてケイ酸された
水素濃度は７％である。それゆえ本発明により堆積され
る材料はＰＥＣＶＤにおいて決定される水素濃度に等し
い水素濃度を有する。

【０１１２】この迅速な特徴は堆積される材料が良好な
半導体であることの確認を可能にする。これは製造され
るトランジスタの電気特性の測定によりかつこれらのト
ランジスタの作動をシミユレートする分析モデルを基礎
にして担体の有効移動度のケイ酸により確認される。

【０１１３】例３：ドーピングされた、水素化アモルフ
アスシリコンの堆積 堆積はヘリウム中で５％に希釈されたシランおよびホス
フインの混合物から行われた（Ｈｅ−５％ＰＨ₃ ）。

【０１１４】実験条件は圧力２〜２０Ｐａおよび温度１
００ないし２３０°Ｃである。

【０１１５】測定されたフイルムの横方向の導電率（ま
たは表面）は１０^{- 4} および２×１０^{- 3} Ω^{- 1} ・ｃｍ
^{- 1} の間である。ＰＥＣＶＤにおいて得られる値と比較
し得るこれらの値はソースおよびドレインのインジウム
およびスズ酸化物（ＩＴＯ）とａ−Ｓｉ：Ｈとの間の抵
抗接点の製造を可能にする。

【０１１６】例４および５ ２つの薄膜トランジスタ構造が製造され一方は底部にお
いてゲートと積層され（図１１参照）および第２は頂部
においてゲートと積層される（図１３参照）。これらの
トランジスタの（ＩＤ）−（ＶＤ）特性がまたそれぞれ
図１２および図１４に示される。

【０１１７】電流ＩＤはマイクロアンペアでかつドレイ
ン−ソース電圧ＶＤはボルトで示されるゲート電圧ＶＧ
は各曲線に対応する。

【０１１８】図１１のトランジスタは２００ｎｍの厚さ
のアルミニウム、金属ゲート７２がその上に形成される
ガラス基板７０を有する。金属ゲートは３００ｎｍの厚
さのシリコン窒化物ゲート絶縁体７４で被覆される。次
いで１００ｎｍの厚さの厚い、水素化アモルフアスシリ
コンフイルム７６および５０ｎｍの厚さの、ｎ⁺ ドーピ
ングされた水素化アモルフアスシリコンフイルム７７が
ありその上にソース７８およびドレイン８０が２００ｎ
ｍの厚さを有するインジウムおよびスズ酸化物フイルム
において形成される。チヤンネルは長さ４０μｍおよび
幅１０μｍを有する。

【０１１９】図１３のトランジスタはまたｎ⁺ ドーピン
グされた、水素化アモルフアスシリコンフイルム７７で
被覆されるＩＴＯソースおよびドレイン接点７８および
８０が直接その上に形成されるガラス基板７０を有す
る。これに水素化アモルフアスシリコンフイルム７６、
次いでゲート絶縁体７４および最後に金属ゲート７２が
続く。フイルム７８，７７，７６，７４および７２の厚
さは前述と同一であり、一方チヤンネルは幅４０μｍお
よび長さ１０μｍを有する。

【０１２０】頂部にゲートを備えたトランジスタはフラ
ンス特許第２，５３３，０７２号にしたがつて製造され
る。

【０１２１】堆積された種々のトランジスタフイルム、
ならびにこれらのトランジスタの寸法を画成するための
それらのエツチングは本発明したがつて反応炉により行
われた。

【０１２２】これらのトランジスタのチヤンネル内の電
子の有効移動度は前記トランジスタの分析作動モデルに
基礎を置いたパラメータ抽出法により計算された。

【０１２３】底部にゲートを備えたトランジスタの場合
において、移動度は０．５ｃｍ² ／Ｖ．ｓである。

【０１２４】比較のために、かかる構造に関する従来の
値は代表的には０．３ｃｍ² ／Ｖ．ｓである。

【０１２５】ここで示される結果は明らかに改善される
ことができかつ最適製造条件が達成されるとき、より高
い移動度値が得られるようにかなり評価することが可能
である。ここで示された結果はほぼ１ないし１０Ｐａの
圧力で堆積されたフイルムにより得られた結果である。

【０１２６】しかしながら、本発明者等はより高い圧
力、すなわち、２０ないし５０Ｐａの間の圧力で堆積さ
れたフイルムが求められる物理化学特性を保持すること
に注目した。したがつて、高い圧力で作業できるという
事実のために、高いガス流量を許容する反応炉の真空ポ
ンピング装置を使用することにより、ほぼ１０ないし２
０ｎｍ／秒の非常に高い堆積速度を得ることを考慮でき
ることは即座に明らかである。

【０１２７】図１２および図１４における曲線は従来の
ＰＥＣＶＤ反応炉により得られた曲線に匹敵する。

【０１２８】本発明による装置を使用すると、光エネル
ギ変換装置（または太陽電池）を得るために、ガラス基
板（とくにソーダ石灰ガラス）上に、とくにａ−Ｓｉ：
Ｈの１０μｍ９９ｌ大きいまたはほぼ等しい厚さのフイ
ルムを堆積可能である。

【０１２９】

【発明の効果】叙上のごとく、本発明は、高周波電磁波
源、プラズマを形成するためのガス供給手段を備えた密
封プラズマエンクロージヤ、前記電磁波源を前記プラズ
マエンクロージヤに結合するための要素、前記プラズマ
エンクロージヤをポンピングするための手段および少な
くとも１つのサンプルホルダを有する化学処理プラズマ
装置において、前記プラズマエンクロージヤが非放射性
性質からなりかつ第１方向に対して平行な第１および第
２誘電体材料面およびリボン状プラズマを形成するため
に第１方向に向けられた矩形開口を備えた第３面を備え
た矩形平行六面体のごとく成形され、前記開口が前記プ
ラズマエンクロージヤおよび前記サンプルホルダがその
中に収容される処理エンクロージヤを接続し、前記結合
手段が前記第１および第２面に対して垂直な第２方向に
向けられた第１矩形直線導波管、前記第１面を経由して
前記第１導波管を前記プラズマエンクロージヤに結合し
かつその矩形断面が前記プラズマエンクロージヤに向か
って前記第１導波管の第１方向に広がるホーン、前記第
２方向に向けられかつ前記第１導波管の側と反対の前記
プラズマエンクロージヤの側に配置される第２矩形直線
導波管を有し、前記第２導波管が前記電磁波用短かい回
路を備えている構成としたので、これまで公知の堆積お
よびエツチング方法により得られる速度より少なくとも
１０または１００倍速い速度で大きなサンプル表面上の
厚いまたは薄い層の表面処理、堆積および化学エツチン
グを許容する新規な化学処理プラズマ装置および機械お
よび前記装置を使用する方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマ装置を示す部分断面概略
斜視図である。

【図２】プラズマ装置の真空エンクロージヤおよびホー
ンを長手方向断面斜視図で示す図１の詳細図である。

【図３】２つのサンプルの同時処理を示す図１の装置の
変形例を示す斜視図である。

【図４】本発明による３つの組み立てられたプラズマ装
置を有する工業用機械を略示する平面図である。

【図５】本発明による装置により得られたＳｉＨ₄ の原
子質量単位（ａｍｕ）におけるスペクトルを示す説明図
である。

【図６】本発明による装置により得られたＳｉＨ₄ の原
子質量単位（ａｍｕ）におけるスペクトルを示す説明図
である。

【図７】本発明による装置を使用する水素化シリコン窒
化物堆積に関連して、研究された構造を示す説明図であ
る。

【図８】図７に関連する電気的測定装置を示す説明図で
ある。

【図９】図７の構造の電流−電圧特性を示す説明図であ
る。

【図１０】本発明による装置により堆積された水素化ア
モルフアスシリコンフイルムの赤外線トランスミツタン
ススペクトルを示す説明図である。

【図１１】本発明による装置により製造された薄膜トラ
ンジスタに関連して、製造されたトランジスタの構造を
示す概略図である。

【図１２】前記トランジスタのドレイン電流−ドレイン
電圧特性を示す特性図である。

【図１３】本発明による装置により製造された薄膜トラ
ンジスタに関連して、製造されたトランジスタの構造を
示す概略図である。

【図１４】前記トランジスタのドレイン電流−ドレイン
電圧特性を示す特性図である。

【符号の説明】

２ 高周波電磁波源 ４ プラズマエンクロージヤ ４ａ プラズマエンクロージヤ ６ プラズマ室 １４ 矩形開口 １６ 処理エンクロージヤ １６ａ 処理エンクロージヤ １６ｂ 処理エンクロージヤ １８ サンプルホルダ １８ａ サンプルホルダ １８ｂ サンプルホルダ ２０ サンプル ２６ 管 ２８ 孔 ３０ 第１導波管 ３６ ホーン ３８ 第２導波管 ４０ クリツプ ４４ Ｏ−リング ４６ 短い回路 ５０ 真空ポンプ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ミケル・ル・コンテレ フランス国 22300 ラニオン、ハモ ー・デュ・シェーン ３ (72)発明者 フランソワ・モリン フランス国 22300 ラニオン、ル・カ ーポン・ランメリン （番地なし) (72)発明者 サージュ・サダ フランス国 22300 ラニオン、レジデ ンス・ボーシャン （番地なし) (56)参考文献 特開 平３−6380（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−39480（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−106824（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 C23F 4/00

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波電磁波源、プラズマを形成するた
   めのガス供給手段を備えた密封プラズマエンクロージ
   ヤ、前記電磁波源を前記プラズマエンクロージヤに結合
   するための要素、前記プラズマエンクロージヤをポンピ
   ングするための手段および少なくとも１つのサンプルホ
   ルダを有する化学処理プラズマ装置において、前記プラ
   ズマエンクロージヤが非放射性性質からなりかつ第１方
   向に対して平行な第１および第２誘電体材料面およびリ
   ボン状プラズマを形成するために第１方向に向けられた
   矩形開口を備えた第３面を備えた矩形平行六面体のごと
   く成形され、前記開口が前記プラズマエンクロージヤお
   よび前記サンプルホルダがその中に収容される処理エン
   クロージヤを接続し、前記結合手段が前記第１および第
   ２面に対して垂直な第２方向に向けられた第１矩形直線
   導波管、前記第１面を経由して前記第１導波管を前記プ
   ラズマエンクロージヤに結合しかつその矩形断面が前記
   プラズマエンクロージヤに向かって前記第１導波管の第
   １方向に広がるホーン、前記第２方向に向けられかつ前
   記第１導波管の側と反対の前記プラズマエンクロージヤ
   の側に配置される第２矩形直線導波管を有し、前記第２
   導波管が前記電磁波用短かい回路を備えていることを特
   徴とする化学処理プラズマ装置。
2. 【請求項２】 前記ガス供給手段がその全長にわたりか
   つ前記プラズマエンクロージヤに出る複数の孔を有する
   少なくとも１本の管からなり、該管が前記第１方向に対
   して平行に向けられることを特徴とする請求項１に記載
   の化学処理プラズマ装置。
3. 【請求項３】 前記ガス供給手段が第１方向にしたがつ
   て向けられた２本の管を組み込んでおり、これらの管の
   孔が前記プラズマエンクロージヤの中心に向かって向け
   られることを特徴とする請求項１に記載の化学処理プラ
   ズマ装置。
4. 【請求項４】 前記ガス供給手段が単一の管からなり、
   その孔が前記プラズマエンクロージヤの中心に向かって
   向けられることを特徴とする請求項２に記載の化学処理
   プラズマ装置。
5. 【請求項５】 前記１または複数の管が前記プラズマエ
   ンクロージヤの矩形開口の近くに位置決めされること特
   徴とする請求項２に記載の化学処理プラズマ装置。
6. 【請求項６】 前記プラズマエンクロージヤは前記第１
   方向にしたがつて方向付けされかつ前記プラズマエンク
   ロージヤおよび前記処理エンクロージヤを接続する第３
   面に対して平行な、前記プラズマエンクロージヤの第４
   面に形成される他の矩形開口を有しそして他の処理エン
   クロージヤ内に配置された他のサンプルホルダが前記他
   方の開口に向かい合って位置決めされることを特徴とす
   る請求項１に記載の化学処理プラズマ装置。
7. 【請求項７】 前記高周波電磁波源により放出された波
   長に適合させるための手段が前記第１導波管内に設けら
   れることを特徴とする請求項１に記載の化学処理プラズ
   マ装置。
8. 【請求項８】 絶縁回路が前記高周波電磁波源と前記第
   １導波管との間に設けられることを特徴とする請求項１
   に記載の化学処理プラズマ装置。
9. 【請求項９】 前記プラズマエンクロージヤの前記第１
   および第２面がそれぞれ金属クリツプの助けにより前記
   ホーンおよび前記第２導波管に取り付けられ、前記クリ
   ツプでの密封が可撓性の金属Ｏ−リングにより保証され
   ることを特徴とする請求項１に記載の化学処理プラズマ
   装置。
10. 【請求項１０】 前記サンプルホルダを前記第１方向に
    移動するための手段が設けられることを特徴とする請求
    項１に記載の化学処理プラズマ装置。
11. 【請求項１１】 互いに追随する請求項１による幾つか
    の装置を組み込んでおりかつ装置のサンプルホルダを収
    容するこれら種々の装置に共通の少なくとも１つの処理
    エンクロージヤからなることを特徴とする幾つかのサン
    プルの化学的処理用の工業用プラズマ機械。