JPH04120277A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH04120277A JPH04120277A JP23922190A JP23922190A JPH04120277A JP H04120277 A JPH04120277 A JP H04120277A JP 23922190 A JP23922190 A JP 23922190A JP 23922190 A JP23922190 A JP 23922190A JP H04120277 A JPH04120277 A JP H04120277A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン太陽電池、薄膜半導体、
光センサ、半導体保護膜など各種電子デバイスに使用さ
れる大面積薄膜の製造に適したプラズマＣＶＤ装置に関
する。
光センサ、半導体保護膜など各種電子デバイスに使用さ
れる大面積薄膜の製造に適したプラズマＣＶＤ装置に関
する。
大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造するために、
従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成を第
１Ｏ図を参照して説明する。この技術的手段は例えば特
開昭６２−２８３２３６号などに開示されているように
公知である。
従来より用いられているプラズマＣＶＤ装置の構成を第
１Ｏ図を参照して説明する。この技術的手段は例えば特
開昭６２−２８３２３６号などに開示されているように
公知である。
反応容器１内には、グロー放電プラズマを発生させるた
めの電極２．３が平行に配置されている。
めの電極２．３が平行に配置されている。
これら電極２．３には、低周波電源４から例えば６０Ｈ
ｚの商用周波数の電力が供給される。なお、電源として
は、直流電源や高周波電源を用いることもできる。反応
容器１の周囲には、これを囲むようにコイル５が巻かれ
ており、交流電源６から交流電力が供給される。反応容
器１内には、図示しないボンベから反応ガス導入管７を
通して例えばモノシランとアルゴンとの混合ガスが供給
される。
ｚの商用周波数の電力が供給される。なお、電源として
は、直流電源や高周波電源を用いることもできる。反応
容器１の周囲には、これを囲むようにコイル５が巻かれ
ており、交流電源６から交流電力が供給される。反応容
器１内には、図示しないボンベから反応ガス導入管７を
通して例えばモノシランとアルゴンとの混合ガスが供給
される。
反応容器１内のガスは排気管８を通して真空ポンプ９に
より排気される。基板１０は、電極２．３が形成する放
電空間の外側に、電極２．３の面と直交するように適宜
の手段で支持される。
より排気される。基板１０は、電極２．３が形成する放
電空間の外側に、電極２．３の面と直交するように適宜
の手段で支持される。
この装置を用い、以下のようにして薄膜を製造する。真
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを供給し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０
、５Ｔｏｒｒに保ち、低周波電源４から電極２．３に電
圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生する。コイ
ル５に例えば１００Ｈｚの交流電圧を印加し、電極２．
３間に発生する電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せる。この磁界における磁束密度は１０ガウス程度でよ
い。
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを供給し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０
、５Ｔｏｒｒに保ち、低周波電源４から電極２．３に電
圧を印加すると、グロー放電プラズマが発生する。コイ
ル５に例えば１００Ｈｚの交流電圧を印加し、電極２．
３間に発生する電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せる。この磁界における磁束密度は１０ガウス程度でよ
い。
反応ガス導入管７から供給されたガスのうちモノシラン
ガスは電極２．３間に生じるグロー放電プラズマによっ
て分解される。この結果、ラジカルＳｉが発生し、基板
１０表面に付着して薄膜を形成する。
ガスは電極２．３間に生じるグロー放電プラズマによっ
て分解される。この結果、ラジカルＳｉが発生し、基板
１０表面に付着して薄膜を形成する。
アルゴンイオンなどの荷電粒子は、電極２．３間で電界
Ｅによるクーロン力Ｆ、−ｑＥと、ローレンツ力Ｆ ２
− Ｑ （Ｖ−Ｂ） （ここで、■は荷電粒子の速度
）とによっていわゆるＥ−Ｂドリフト運動を起こす。荷
電粒子は、Ｅ−Ｂドソフトにより初速を与えられた状態
で、電極２．３と直交する方向に飛びだし、基板ｌＯに
向けて飛んでいく。
Ｅによるクーロン力Ｆ、−ｑＥと、ローレンツ力Ｆ ２
− Ｑ （Ｖ−Ｂ） （ここで、■は荷電粒子の速度
）とによっていわゆるＥ−Ｂドリフト運動を起こす。荷
電粒子は、Ｅ−Ｂドソフトにより初速を与えられた状態
で、電極２．３と直交する方向に飛びだし、基板ｌＯに
向けて飛んでいく。
しかし、電極２．３間に生じる電界の影響が小さい放電
空間では、コイル５により生じた電界Ｂによるサイクロ
トロン運動により、Ｌａｒｓｏｒ軌道を描いて飛んでい
く。したがって、アルゴンイオンなどの荷電粒子が基板
１０を直撃することは少ない。
空間では、コイル５により生じた電界Ｂによるサイクロ
トロン運動により、Ｌａｒｓｏｒ軌道を描いて飛んでい
く。したがって、アルゴンイオンなどの荷電粒子が基板
１０を直撃することは少ない。
電気的に中性であるラジカルＳｉは、磁界Ｂの影響を受
けず、上記荷電粒子群の軌道からそれて基板１０に至り
、その表面に非晶質薄膜を形成する。
けず、上記荷電粒子群の軌道からそれて基板１０に至り
、その表面に非晶質薄膜を形成する。
ラジカルＳｉはＬａｒｍｏｒ軌道を飛んでいく荷電粒子
と衝突するため、電極２．３の前方だけでなく、左又は
右に広がった形で非晶質薄膜が形成される。
と衝突するため、電極２．３の前方だけでなく、左又は
右に広がった形で非晶質薄膜が形成される。
しかも、磁界Ｂを交流電源６により変動させているので
、基板１０の表面に非晶質薄膜を均一に形成することが
可能となる。なお、電極２．３の長さは、反応容器１の
長さの許すかぎり長くしても何ら問題がないので、基板
１０が長尺のものであっても、その表面に均一な非晶質
薄膜を形成することが可能となる。
、基板１０の表面に非晶質薄膜を均一に形成することが
可能となる。なお、電極２．３の長さは、反応容器１の
長さの許すかぎり長くしても何ら問題がないので、基板
１０が長尺のものであっても、その表面に均一な非晶質
薄膜を形成することが可能となる。
上記の従来の装置では、グロー放電プラズマを発生させ
る電極間の放電電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せることにより、大面積の成膜を容易に可能としている
。しかし、次のような問題がある。
る電極間の放電電界Ｅと直交する方向に磁界Ｂを発生さ
せることにより、大面積の成膜を容易に可能としている
。しかし、次のような問題がある。
■大面積の成膜を行う場合、電極として長尺のものを用
いる必要がある。長尺の電極を用いて安定したプラズマ
を発生させるには、その電源の周波数は可能なかぎり低
いほうが容易であるため、数１０Ｈｚ〜数１０ ＧＨｚ
の電源が用いられている。しかし、周波数が低くなり、
半周期の間のイオン移動距離が電極間隔を越えるような
条件の下では、直流放電の場合と同様に、プラズマを維
持するために、イオン衝突によって陰極より放出された
二次電子が本質的な役割を担うことになる。そのため電
極に膜が付着して絶縁されると、その部分では放電が起
こらないようになる。この場合、電極表面を常にクリー
ンに保つ必要がある。そのため、電極を頻繁に交換した
り頻繁に清掃するなどの煩雑な作業が必要となり、コス
ト高の要因の一つとなっている。
いる必要がある。長尺の電極を用いて安定したプラズマ
を発生させるには、その電源の周波数は可能なかぎり低
いほうが容易であるため、数１０Ｈｚ〜数１０ ＧＨｚ
の電源が用いられている。しかし、周波数が低くなり、
半周期の間のイオン移動距離が電極間隔を越えるような
条件の下では、直流放電の場合と同様に、プラズマを維
持するために、イオン衝突によって陰極より放出された
二次電子が本質的な役割を担うことになる。そのため電
極に膜が付着して絶縁されると、その部分では放電が起
こらないようになる。この場合、電極表面を常にクリー
ンに保つ必要がある。そのため、電極を頻繁に交換した
り頻繁に清掃するなどの煩雑な作業が必要となり、コス
ト高の要因の一つとなっている。
■上記■の欠点を補うために、プラズマ発生源に例えば
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いると、放電維持に
対する電極放出二次電子は本質的なものでなくなり、電
極上に膜などの絶縁物が存在していても、電極間にはグ
ロー放電が形成される。しかしながら、長尺の電極を用
いる場合には、高周波による表皮効果により電流の大部
分が表面（約Ｑ、０１ｍｍ）を流れるため、電気抵抗が
増加する。例えば、電極の長さが約１ｍ以上になると、
電極上に電位分布が現れて−様なプラズマが発生しなく
なる。これを分布定数回路で考えると、第１１図に示す
ようになる。第１１図において、Ｘは電極の長さ方向の
距離を示している。すなわち、電極の単位長さ当りの抵
抗Ｒが放電部分のインピーダンスＺＩ Ｚ２、・・・
Ｚｎに比べて無視できないほど大きくなってくると、電
極内に電位分布が現れる。
１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いると、放電維持に
対する電極放出二次電子は本質的なものでなくなり、電
極上に膜などの絶縁物が存在していても、電極間にはグ
ロー放電が形成される。しかしながら、長尺の電極を用
いる場合には、高周波による表皮効果により電流の大部
分が表面（約Ｑ、０１ｍｍ）を流れるため、電気抵抗が
増加する。例えば、電極の長さが約１ｍ以上になると、
電極上に電位分布が現れて−様なプラズマが発生しなく
なる。これを分布定数回路で考えると、第１１図に示す
ようになる。第１１図において、Ｘは電極の長さ方向の
距離を示している。すなわち、電極の単位長さ当りの抵
抗Ｒが放電部分のインピーダンスＺＩ Ｚ２、・・・
Ｚｎに比べて無視できないほど大きくなってくると、電
極内に電位分布が現れる。
したがって、高周波電源を用いる場合には、大面積の成
膜を行うことは非常に困難であり、実際上これまでは実
現できなかった。
膜を行うことは非常に困難であり、実際上これまでは実
現できなかった。
■上記■、■の方法では、５０ａａ Ｘ ５０００１以
上の大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造する際、
膜厚分布を±２０％以下に維持し、かつ成膜速度を１人
／ ｓ ｅ ｅ以上に保つことは非常に困難であった。
上の大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造する際、
膜厚分布を±２０％以下に維持し、かつ成膜速度を１人
／ ｓ ｅ ｅ以上に保つことは非常に困難であった。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は、反応容器と、この反応
容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、上記反応
容器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグ
ロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記放電用電
極と平行に支持された基板に非晶質薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において、上記放電用電極を渦巻状の平
面形コイルで形成したことを特徴とするものである。
容器内に反応ガスを導入し、排出する手段と、上記反応
容器内に収容された放電用電極と、この放電用電極にグ
ロー放電用電力を供給する電源とを有し、上記放電用電
極と平行に支持された基板に非晶質薄膜を形成するプラ
ズマＣＶＤ装置において、上記放電用電極を渦巻状の平
面形コイルで形成したことを特徴とするものである。
本発明において、放電用電極にグロー放電用電力を供給
する電源としては、例えば１３．５８ＭＨｚの高周波電
源を用いることが好ましい。
する電源としては、例えば１３．５８ＭＨｚの高周波電
源を用いることが好ましい。
本発明において、渦巻状の平面形コイルの全体的な形状
は、矩形でもよいし、円形でもよい。矩形渦巻状の平面
形コイル電極では５．隣接する線材間の間隔は３５＋ｓ
ｍ以下であることが好ましい。この間隔が３５■■を超
えると、基板表面に成膜されるアモルファスシリコンの
膜厚分布が±３０％以上となるので、好ましくない。円
形渦巻状の平面形コイル電極では、隣接する線材間の間
隔は５０ＩＩｍ以下であることが好ましい。この間隔が
５０ｍ１を超えると、基板表面に成膜されるアモルファ
スシリコンの膜厚分布が±３０％以上となるので、好ま
しくない。
は、矩形でもよいし、円形でもよい。矩形渦巻状の平面
形コイル電極では５．隣接する線材間の間隔は３５＋ｓ
ｍ以下であることが好ましい。この間隔が３５■■を超
えると、基板表面に成膜されるアモルファスシリコンの
膜厚分布が±３０％以上となるので、好ましくない。円
形渦巻状の平面形コイル電極では、隣接する線材間の間
隔は５０ＩＩｍ以下であることが好ましい。この間隔が
５０ｍ１を超えると、基板表面に成膜されるアモルファ
スシリコンの膜厚分布が±３０％以上となるので、好ま
しくない。
本発明においては、電源とジグザグ状の平面形コイル電
極との間に、コイルとコンデンサから構成されるインピ
ーダンスマツチング回路を設置し、電極にプラズマ発生
のための電力を供給することが好ましい。
極との間に、コイルとコンデンサから構成されるインピ
ーダンスマツチング回路を設置し、電極にプラズマ発生
のための電力を供給することが好ましい。
本発明においては、プラズマ発生用の電極として、従来
の複数平行平板電極に代えて、渦巻状の平面形コイル電
極を反応容器内に設置したことにより、電極まわりの電
界が強くなりζかつその強度分布が平坦となる。例えば
、反応ガスとしてＳ ｉ Ｈ４を用いた場合、ＳｉＨ発
光強度分布（波長４１４ｎｓの発光）は−様な強さとな
る。このため、基板表面に成膜されるアモルファスシリ
コンはほぼ均一な膜厚分布を持ち、かつ高速成膜が可能
になる。したがって、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、
大面積の非晶質薄膜の製造に適している。本発明におけ
る渦巻状の平面形コイル電極は一種のアンテナであるの
で、その長さｇは使用する電源周波数の波長λに対して
ｐくλ／４であればよい。
の複数平行平板電極に代えて、渦巻状の平面形コイル電
極を反応容器内に設置したことにより、電極まわりの電
界が強くなりζかつその強度分布が平坦となる。例えば
、反応ガスとしてＳ ｉ Ｈ４を用いた場合、ＳｉＨ発
光強度分布（波長４１４ｎｓの発光）は−様な強さとな
る。このため、基板表面に成膜されるアモルファスシリ
コンはほぼ均一な膜厚分布を持ち、かつ高速成膜が可能
になる。したがって、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、
大面積の非晶質薄膜の製造に適している。本発明におけ
る渦巻状の平面形コイル電極は一種のアンテナであるの
で、その長さｇは使用する電源周波数の波長λに対して
ｐくλ／４であればよい。
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
第１図は本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す断面図である。なお、第１Ｏ図と同一部材には同
一番号を付している。反応容器１内には、グロー放電プ
ラズマを発生させるための矩形渦巻状平面形コイル電極
１１が配置されている。
を示す断面図である。なお、第１Ｏ図と同一部材には同
一番号を付している。反応容器１内には、グロー放電プ
ラズマを発生させるための矩形渦巻状平面形コイル電極
１１が配置されている。
この矩形渦巻状平面形コイル電極１１は、第２図及び第
３図に示すように、線材を矩形状に一定間隔で巻いた構
造を有している。矩形渦巻状平面形コイル電極１１の電
力供給点１１ａＳｌｌｂには、高周波電源１４から例え
ば１３．５６ＭＨｚの周波数の電力がインピーダンスマ
ツチング回路１２を介して供給される。
３図に示すように、線材を矩形状に一定間隔で巻いた構
造を有している。矩形渦巻状平面形コイル電極１１の電
力供給点１１ａＳｌｌｂには、高周波電源１４から例え
ば１３．５６ＭＨｚの周波数の電力がインピーダンスマ
ツチング回路１２を介して供給される。
反応容器１内には、図示しないボンベから反応ガス導入
管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混合ガス
が供給される。反応容器１内のガスは排気管８を通して
真空ポンプ９により排気される。第４図に示すように、
基板１０は、矩形渦巻状平面形コイル電極１１と平行に
設置され、図示しない基板ホルダに支持される。
管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混合ガス
が供給される。反応容器１内のガスは排気管８を通して
真空ポンプ９により排気される。第４図に示すように、
基板１０は、矩形渦巻状平面形コイル電極１１と平行に
設置され、図示しない基板ホルダに支持される。
この装置を用い、以下のようにして薄膜を製造する。真
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを１００〜２００ ｃｃ／１」程度の流量で供給
し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０ 、５Ｔｏｒｒ
に保ち、高周波電源１４から、インピーダンスマツチン
グ回路１２を介して矩形渦巻状平面形コイル電極１１に
電圧を印加すると、電極１１の周囲にグロー放電プラズ
マが発生する。その発光状態を、波長４１４ｎａ＋近傍
のみの光を通過させる光フィルタを介して観測すると、
第５図のように見える。すなわち、電極１１と基板１０
との間でほぼ−様な発光強度を示す。このことから、基
板１０表面に付着するアモルファスシリコン薄膜は、そ
の膜厚分布が一様になることが推測される。
空ポンプ９を駆動して反応容器１内を排気する。反応ガ
ス導入管７を通して例えばモノシランとアルゴンとの混
合ガスを１００〜２００ ｃｃ／１」程度の流量で供給
し、反応容器１内の圧力を０．０５〜０ 、５Ｔｏｒｒ
に保ち、高周波電源１４から、インピーダンスマツチン
グ回路１２を介して矩形渦巻状平面形コイル電極１１に
電圧を印加すると、電極１１の周囲にグロー放電プラズ
マが発生する。その発光状態を、波長４１４ｎａ＋近傍
のみの光を通過させる光フィルタを介して観測すると、
第５図のように見える。すなわち、電極１１と基板１０
との間でほぼ−様な発光強度を示す。このことから、基
板１０表面に付着するアモルファスシリコン薄膜は、そ
の膜厚分布が一様になることが推測される。
アモルファスシリコン薄膜の膜厚分布は、反応ガスの流
量、圧力、ＳｉＨ，濃度、電力などのほか、矩形渦巻状
平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距離にも依存
する。そこで、下記条件で成膜実験を行った。
量、圧力、ＳｉＨ，濃度、電力などのほか、矩形渦巻状
平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距離にも依存
する。そこで、下記条件で成膜実験を行った。
基板材料ニガラス、基板面積： ５０ｃｍ Ｘ ５０ｃ
ｍ ％反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ４、反応
ガス流量： １００ｃｃ／分、反応容器圧カニ ０ 、
ＢＴｏｒｒｓ高周波電カニ１５０Ｗにおいて、矩形渦
巻状平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距離を５
關から４０ｍｍの範囲に設定した。そして、膜厚の平均
値が５０００人の薄膜を成膜した。隣接する線材間の距
離と膜厚分布との関係を第６図に示す。
ｍ ％反応ガスの種類：水素希釈２０％ＳｉＨ４、反応
ガス流量： １００ｃｃ／分、反応容器圧カニ ０ 、
ＢＴｏｒｒｓ高周波電カニ１５０Ｗにおいて、矩形渦
巻状平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距離を５
關から４０ｍｍの範囲に設定した。そして、膜厚の平均
値が５０００人の薄膜を成膜した。隣接する線材間の距
離と膜厚分布との関係を第６図に示す。
第６図に示されるように、線材間の距離が３０ ｍｌ以
下で±２０％以下の膜厚分布が得られている。成膜速度
は２〜５人／ ｓ ｅ ｃであった。
下で±２０％以下の膜厚分布が得られている。成膜速度
は２〜５人／ ｓ ｅ ｃであった。
実施例２
本実施例のプラズマＣＶＤ装置は、実施例１における矩
形渦巻状平面形コイル電極１１の代わりに、円形渦巻状
平面形コイル電極１１を用いている以外は、第１図と同
様の構成を有している。この円形渦巻状平面形コイル電
極１１は、第７図及び第８図に示すように、線材を円形
状に一定間隔で巻いた構造を有している。
形渦巻状平面形コイル電極１１の代わりに、円形渦巻状
平面形コイル電極１１を用いている以外は、第１図と同
様の構成を有している。この円形渦巻状平面形コイル電
極１１は、第７図及び第８図に示すように、線材を円形
状に一定間隔で巻いた構造を有している。
この装置を用いた場合にも、実施例１と同様な方法で薄
膜の製造が行われる。円形渦巻状平面形コイル電極１１
の周囲に発生するグロー放電プラズマの発光状態も、第
５図と同様であり、基板１０表面に付着するアモルファ
スシリコン薄膜は、その膜厚分布が一様になることが推
測される。
膜の製造が行われる。円形渦巻状平面形コイル電極１１
の周囲に発生するグロー放電プラズマの発光状態も、第
５図と同様であり、基板１０表面に付着するアモルファ
スシリコン薄膜は、その膜厚分布が一様になることが推
測される。
アモルファスシリコン薄膜の膜厚分布を調べるために、
円形渦巻状平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距
離を５ ｍｍから５ Ｏｎ＋の範囲に設定し、これ以外
の条件は実施例１と同一として、成膜実験を行った。隣
接する線材間の距離と膜厚分布との関係を第９図に示す
。
円形渦巻状平面形コイル電極１１の隣接する線材間の距
離を５ ｍｍから５ Ｏｎ＋の範囲に設定し、これ以外
の条件は実施例１と同一として、成膜実験を行った。隣
接する線材間の距離と膜厚分布との関係を第９図に示す
。
第９図に示されるように、線材間の距離が８０ｍｍ以下
で±１０％以下の膜厚分布が得られている。成膜速度は
３〜５人／ ｓ ｅ ｃであった。
で±１０％以下の膜厚分布が得られている。成膜速度は
３〜５人／ ｓ ｅ ｃであった。
以上詳述したように本発明によれば、放電用電極として
渦巻状平面形コイル電極を用いることにより、電極近傍
の電界強度が強くなり、かつ均一になったことから、高
速で大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造すること
ができる。したがって、アモルファスシリコン太陽電池
、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分野
で工業的価値が大きい。
渦巻状平面形コイル電極を用いることにより、電極近傍
の電界強度が強くなり、かつ均一になったことから、高
速で大面積のアモルファスシリコン薄膜を製造すること
ができる。したがって、アモルファスシリコン太陽電池
、薄膜半導体、光センサ、半導体保護膜などの製造分野
で工業的価値が大きい。
第１図は本発明の実施例１におけるプラズマＣＶＤ装置
の構成を示す断面図、第２図は同プラズマＣＶＤ装置に
用いられる矩形渦巻状平面形コイル電極の平面図、第３
図は第２図のｍ−■線に沿う断面図、第４図は同プラズ
マＣＶＤ装置における電極と基板との配置を示す説明図
、第５図は本発明の実施例における電極近傍のＳｉＨ発
光強度分布を示す説明図、第６図は矩形渦巻状平面形コ
イル電極の隣接する線材間の間隔とアモルファスシリコ
ンの膜厚分布との関係を示す特性図、第７図は本発明の
実施例２におけるプラズマＣＶＤ装置に用いられる円形
渦巻状平面形コイル電極の平面図、第８図は第７図の■
−■線に沿う断面図、第９図は円形渦巻状平面形コイル
電極の隣接する線材間の間隔とアモルファスシリコンの
膜厚分布との関係を示す特性図、第１０図は従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第１１図は従来の
プラズマＣＶＤ装置の欠点を説明する図である。 １・・・反応容器、７・・・反応ガス導入管、８・・・
排気管、９・・・真空ポンプ、１ｏ・・・基板、１１・
・・渦巻状平面形コイル電極、１２・・・インピーダン
スマツチング回路、１４・・・高周波電源。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 第 図 ニ二二二二二二：「 隣接する線材間の距離 第 図 ＳｉＨ発光強度 管 電極１１ 第 ５図 ５０（ｍｍ） 隣接する線材間の距離 第 図 第 図 ５０（ｍｍ） 隣接する線材間の距離 第 図
の構成を示す断面図、第２図は同プラズマＣＶＤ装置に
用いられる矩形渦巻状平面形コイル電極の平面図、第３
図は第２図のｍ−■線に沿う断面図、第４図は同プラズ
マＣＶＤ装置における電極と基板との配置を示す説明図
、第５図は本発明の実施例における電極近傍のＳｉＨ発
光強度分布を示す説明図、第６図は矩形渦巻状平面形コ
イル電極の隣接する線材間の間隔とアモルファスシリコ
ンの膜厚分布との関係を示す特性図、第７図は本発明の
実施例２におけるプラズマＣＶＤ装置に用いられる円形
渦巻状平面形コイル電極の平面図、第８図は第７図の■
−■線に沿う断面図、第９図は円形渦巻状平面形コイル
電極の隣接する線材間の間隔とアモルファスシリコンの
膜厚分布との関係を示す特性図、第１０図は従来のプラ
ズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、第１１図は従来の
プラズマＣＶＤ装置の欠点を説明する図である。 １・・・反応容器、７・・・反応ガス導入管、８・・・
排気管、９・・・真空ポンプ、１ｏ・・・基板、１１・
・・渦巻状平面形コイル電極、１２・・・インピーダン
スマツチング回路、１４・・・高周波電源。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 第 図 ニ二二二二二二：「 隣接する線材間の距離 第 図 ＳｉＨ発光強度 管 電極１１ 第 ５図 ５０（ｍｍ） 隣接する線材間の距離 第 図 第 図 ５０（ｍｍ） 隣接する線材間の距離 第 図
Claims (1)
- 反応容器と、この反応容器内に反応ガスを導入し、排
出する手段と、上記反応容器内に収容された放電用電極
と、この放電用電極にグロー放電用電力を供給する電源
とを有し、上記放電用電極と平行に支持された基板に非
晶質薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、上記
放電用電極を渦巻状の平面形コイルで形成したことを特
徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23922190A JPH04120277A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23922190A JPH04120277A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120277A true JPH04120277A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17041550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23922190A Pending JPH04120277A (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04120277A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500256A (en) * | 1994-08-16 | 1996-03-19 | Fujitsu Limited | Dry process apparatus using plural kinds of gas |
| WO1997022141A1 (fr) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication d'un film semi-conducteur mince et dispositif obtenu par ce procede |
| US5690781A (en) * | 1994-09-16 | 1997-11-25 | Nec Corporation | Plasma processing apparatus for manufacture of semiconductor devices |
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
| JP2001516944A (ja) * | 1997-09-16 | 2001-10-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 導電性セグメントを周辺部分に追加したコイルを有する真空プラズマ・プロセッサ |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP23922190A patent/JPH04120277A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5500256A (en) * | 1994-08-16 | 1996-03-19 | Fujitsu Limited | Dry process apparatus using plural kinds of gas |
| US5690781A (en) * | 1994-09-16 | 1997-11-25 | Nec Corporation | Plasma processing apparatus for manufacture of semiconductor devices |
| WO1997022141A1 (fr) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de fabrication d'un film semi-conducteur mince et dispositif obtenu par ce procede |
| JP2001516944A (ja) * | 1997-09-16 | 2001-10-02 | ラム リサーチ コーポレーション | 導電性セグメントを周辺部分に追加したコイルを有する真空プラズマ・プロセッサ |
| US6189485B1 (en) | 1998-06-25 | 2001-02-20 | Anelva Corporation | Plasma CVD apparatus suitable for manufacturing solar cell and the like |
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