KR101599045B1 - 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 - Google Patents
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101599045B1 KR101599045B1 KR1020140068200A KR20140068200A KR101599045B1 KR 101599045 B1 KR101599045 B1 KR 101599045B1 KR 1020140068200 A KR1020140068200 A KR 1020140068200A KR 20140068200 A KR20140068200 A KR 20140068200A KR 101599045 B1 KR101599045 B1 KR 101599045B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- additional
- heat treatment
- chamber body
- chamber
- heater housing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 237
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 158
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 77
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 24
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
Abstract
본 발명은 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 개시한다.
본 발명에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버는 내부에 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 보트가 장착되며, 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 및 상기 상부 히터 하우징 및 상기 챔버 몸체의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체의 하부 및 상기 하부 히터 하우징의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 포함하되, 상기 상부 히터 하우징 및 상기 하부 히터 하우징 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체와 착탈 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버는 내부에 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 보트가 장착되며, 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 및 상기 상부 히터 하우징 및 상기 챔버 몸체의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체의 하부 및 상기 하부 히터 하우징의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 포함하되, 상기 상부 히터 하우징 및 상기 하부 히터 하우징 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체와 착탈 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 복수의 상부 램프 히터를 구비한 상부 히터 하우징 및 복수의 하부 램프 히터를 구비한 하부 히터 하우징 중 적어도 하나가 기판 열처리 챔버 몸체에 착탈 가능하게 제공되고 또한 챔버 몸체의 상부와 상부 히터 하우징 사이 또는 챔버 몸체의 하부와 하부 히터 하우징 사이에 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 적층함으로써, 열처리 장치의 설치 공간 및 요구되는 기판 생산량에 따라 챔버의 높이를 가변적으로 조절할 수 있고, 그에 따라 기판의 생산량을 조절할 수 있으며, 특히 상부 및 하부 히터 하우징, 및 하나 이상의 단위 챔버 몸체 내의 복수의 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우 고장난 램프 히터만을 교체하거나 또는 고장난 램프 히터를 구비한 하나 이상의 단위 챔버 몸체만을 교체하여 고장난 램프 히터에 대한 교체 작업이 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소되는 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 상술한 특징 이외에 기판이 지지되는 보트의 프레임을 구성하는 하나 이상의 크로스 바가 가스 급기관을 형성하도록 제공하고, 상부 기판 상에는 별도의 상부 가스 급기관을 제공하며, 가스 배기 장치는 챔버의 측면 상에 제공함으로써, 특히 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어들고, 그에 따라 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하여 궁극적으로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼, 글래스, 또는 플라스틱 기판과 같은 플렉시블 기판(이하 통칭하여 "기판"이라 함) 상에 증착되어 있는 소정의 필름(유기물 및 무기물)에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.
대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.
이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막 필름(이하 "필름"이라 함)이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.
통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2a는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이며, 도 2b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다. 이러한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치는 예를 들어, 허판선 등에 의해 2008년 7월 16일자에 "배치식 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2008-0069329호로 출원된 후, 2011년 2월 11일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1016048호에 상세히 기술되어 있다.
도 1 내지 도 2b를 참조하면, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다.
챔버(100)의 일측에는 챔버(100)에 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 도어(140)가 개방된 상태에서 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)을 챔버(100)로 로딩할 수 있다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 챔버(100)로부터 기판(10)을 언로딩할 수도 있다.
챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배출관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다.
챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(250)이 설치된다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다.
메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다. 기판(10)은 메인 히터 유닛(200) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 기판(10)의 복수의에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 단위 메인 히터(210)로부터 전면적에 걸쳐서 열을 인가받아 열처리가 이루어질 수 있다.
또한, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터 유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다.
상술한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 메인 히터 유닛(200) 사이에 기판(10)이 하나씩만 적층되므로 기판(10)의 열처리 효율이 떨어진다는 문제가 발생한다.
또한, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 챔버(100)가 하나의 직육면체 형상으로 구성되므로, 예를 들어 설치 공간의 높이 및 요구되는 기판 생산량에 따라 챔버(100)를 각각 개별적으로 제작하여야 하므로 제조 비용 및 제조 시간이 증가한다. 즉, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에 사용되는 챔버(100)는 설치 공간의 가변적인 높이 및 요구되는 기판 생산량의 변화에 신속하게 대응하여 제조될 수 없다는 문제가 발생한다.
또한, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220)이 하나의 직육면체 형상으로 구성된 챔버(100)의 몸체부를 관통하여 제공되므로, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 고장난 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 수리 또는 교체를 위해 배치식 열처리 장치(1) 자체의 열처리 동작이 중단되어야 할 뿐만 아니라, 작업자가 챔버(100) 내부로 들어가 고장난 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 수리 또는 교체 작업이 이루어져야 하는 등의 문제가 발생한다.
따라서, 상술한 문제점으로 인하여 전체 열처리 공정 시간(tact time) 및 비용이 크게 증가한다.
한편, 도 3a는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 가스 공급관 및 가스 배출관의 구성을 나타내는 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 가스 공급관의 동작 상태를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 기판(10)은 홀더(12)에 장착된 상태로 보트(120)에 로딩된다.
또한, 챔버(100)에는 열처리 분위기를 조성하기 위한 공정 가스를 챔버(100) 내부에 공급하기 위해 공정 가스를 배출하는 복수의 제 1 가스 구멍(310)이 형성된 봉 형태의 가스 공급관(300), 및 열처리 분위기 조성에 사용된 폐가스가 유입되는 복수의 제 2 가스 구멍(미도시)이 형성된 봉 형태의 가스 배출관(320)이 각각 복수로 설치된다.
상술한 가스 공급관(300)에 형성되는 복수의 제 1 가스 구멍(310)의 위치는 분사되는 공정 가스가 기판(10)에 바로 접촉할 수 있도록 가능한 기판(10)에 근접하게 위치된다.
그러나, 상술한 종래 기술의 가스 공급관(300)과 가스 배출관(320)의 구조에서는 복수의 제 1 가스 구멍(310) 및 복수의 제 2 가스 구멍(320)과 같이 노즐 형상을 통해 가스의 급배기가 이루어진다. 따라서, 복수의 제 1 가스 구멍(310)의 바로 전방에서만 선형 가스 흐름이 형성되어 기판(10) 전체 표면 상에 균일하게 확산되기 어려우므로, 기판(10)의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포를 형성하기 어렵다.
또한, 기판(10)의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 이루어지지 않으므로 기판(10) 상에 형성된 필름에서 발생하는 흄 등과 같은 오염물질이 가스 배출관(320)을 통해 챔버(100)의 외부로 원활하게 배출되지 않는다.
또한, 챔버(100) 내에서 배출되지 않은 흄 등의 오염물질이 다시 기판(10)에 재부착되어 기판(10)의 불량이 발생할 수 있다. 이러한 오염물질에 의한 기판(10)의 오염 및 불량 발생 가능성은 대면적 기판의 경우 및 기판(10)의 수의 증가에 따라 높아지므로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산에 큰 장애가 되어 왔다.
또한, 특히 기판의 대면적화에 따라 기판의 가스 흐름 길이가 필연적으로 증가하게 되어 상술한 문제점들이 더욱 더 심화된다.
상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 방안의 하나로, 가스를 챔버의 상부에서 제공하는 방안이 제안되어 사용되고 있다. 이러한 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치는 예를 들어, 정상무 등에 의해 2010년 7월 12일자에 "기판 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2010-0067187호로 출원된 후, 2012년 1월 3일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1104201호에 상세히 기술되어 있다.
도 3c는 또 다른 종래 기술에 따른 열처리 장치에서의 가스 공급에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 3c를 참조하면, 상술한 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치에서는 급기 라인(340)이 기판(10)의 중앙에서 급기가 이루어진 챔버9100)의 각 모서리 외측에 인접하여 4개가 마련된 정압유닛(360)을 통해 배기되어야 하므로, 기류의 최단 퍼지 거리(L)는 기판(10) 폭의 절반이 아니라 절반의 최소 1.4 배 이상의 값을 갖는다.
또한, 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치에서 질소의 기류는 기판(10)의 중앙에서 사방으로 퍼져나가므로 예를 들어 도 3c에 도시된 A, B, C, 및 D 영역으로 분사된 기류의 퍼지 거리(설명의 편의상 A 및 C 영역에 대해서만 점선 화살표 표시되어 있음)인 L1은 기판(10)의 폭의 절반 거리보다 훨씬 더 길어질 뿐만 아니라, 특히 최단 퍼지 거리(L)를 이동하는 기류와 L1을 이동하는 기류 간의 속도 차이가 발생하여 와류가 발생하여 궁극적으로 기판(10) 상에서 오염물질의 균일한 퍼지 효과를 달성하기 어렵다는 문제가 발생한다.
또한, 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치에서는 기판(10)의 중앙에서 급기가 이루어지므로, 급기 라인(340)이 챔버(100)의 각각의 기판(10)의 상부까지 연장되어야 한다. 이를 위해 급기 라인(340)을 포함한 급기 장치(미도시)의 구성이 매우 복잡할 뿐만 아니라, 특히 기판(10)이 제공되는 챔버(100)의 내부 공간 내에까지 급기 라인(340)이 제공되어야 하므로 급기 라인(340)의 설치가 매우 어렵거나 실질적으로 불가능하다는 문제가 있었다.
따라서, 상술한 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 챔버 및 배치식 열처리 장치의 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 상부 램프 히터를 구비한 상부 히터 하우징 및 복수의 하부 램프 히터를 구비한 하부 히터 하우징 중 적어도 하나가 기판 열처리 챔버 몸체에 착탈 가능하게 제공되고 또한 챔버 몸체의 상부와 상부 히터 하우징 사이 또는 챔버 몸체의 하부와 하부 히터 하우징 사이에 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 적층함으로써, 열처리 장치의 설치 공간 및 요구되는 기판 생산량에 따라 챔버의 높이를 가변적으로 조절할 수 있고, 그에 따라 기판의 생산량을 조절할 수 있으며, 특히 상부 및 하부 히터 하우징, 및 하나 이상의 단위 챔버 몸체 내의 복수의 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우 고장난 램프 히터만을 교체하거나 또는 고장난 램프 히터를 구비한 하나 이상의 단위 챔버 몸체만을 교체하여 고장난 램프 히터에 대한 교체 작업이 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소되는 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 상술한 특징 이외에 기판이 지지되는 보트의 프레임을 구성하는 하나 이상의 크로스 바가 가스 급기관을 형성하도록 제공하고, 상부 기판 상에는 별도의 상부 가스 급기관을 제공하며, 가스 배기 장치는 챔버의 측면 상에 제공함으로써, 특히 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어들고, 그에 따라 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하여 궁극적으로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 제 1 특징에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버는 내부에 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 보트가 장착되며, 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 및 상기 상부 히터 하우징 및 상기 챔버 몸체의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체의 하부 및 상기 하부 히터 하우징의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 포함하되, 상기 상부 히터 하우징 및 상기 하부 히터 하우징 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체와 착탈 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 기판 열처리 장치는 내부에 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 상부 및 하부 지지 크로스 바를 구비한 보트가 장착되며, 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 상기 상부 히터 하우징의 하부 및 상기 챔버 몸체의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체의 하부 및 상기 하부 히터 하우징의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체; 상기 챔버 몸체 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 각각의 외부 일측면에서 급기 라인을 통해 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 챔버 몸체 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체의 각각의 양측면에 제공되는 가스 배기 장치를 포함하되, 상기 상부 히터 하우징 및 상기 하부 히터 하우징 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체와 착탈 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 특징에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법은 a) 챔버 몸체, 상부 히터 하우징, 및 상기 챔버 몸체의 하부에 일체로 제공되는 하부 히터 하우징을 준비하는 단계; b) 상기 챔버 몸체의 상부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 순차적으로 적층하면서 최하부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 하부와 상기 챔버 몸체의 상부, 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 간을 체결하는 단계; 및 c) 최상부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 상부를 상기 상부 히터 하우징의 하부와 체결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 4 특징에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법은 a) 챔버 몸체, 상기 챔버 몸체의 상부에 일체로 제공되는 상부 히터 하우징, 및 하부 히터 하우징을 준비하는 단계; b) 상기 챔버 몸체의 하부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 순차적으로 적층하면서 최상부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 상부와 상기 챔버 몸체의 하부, 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 간을 체결하는 단계; 및 c) 최하부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 하부를 상기 하부 히터 하우징의 상부와 체결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.
1. 열처리 장치의 설치 공간 및 요구되는 기판 생산량에 따라 챔버의 높이를 가변적으로 조절할 수 있다.
2. 기판의 생산량을 조절할 수 있으며, 특히 상부 및 하부 히터 하우징 내의 복수의 상부 및 하부 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우 고장난 램프 히터의 교체가 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소된다.
3. 단위 챔버 몸체 내의 복수의 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우, 고장난 램프 히터를 구비한 단위 챔버 몸체만을 정상적인 단위 챔버 몸체로 교체하여 고장에 신속하게 대처할 수 있다. 또한, 고장난 램프 히터를 구비한 단위 챔버 몸체에서 고장난 램프 히터만을 정상적인 램프 히터로 교체함으로써 정상적인 단위 챔버 몸체를 만들 수 있고 향후에 재사용할 수 있다. 따라서, 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소된다.
4. 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어든다.
5. 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하다.
6. 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능하다.
본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 3a는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 가스 공급관 및 가스 배출관의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 가스 공급관의 동작 상태를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3c는 또 다른 종래 기술에 따른 열처리 장치에서의 가스 공급에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 사시도를 도시한 도면이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 측단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버를 이용하여 챔버의 높이를 가변적으로 조절하는 제 1 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버를 이용하여 챔버의 높이를 가변적으로 조절하는 제 2 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 측면도를 도시한 도면이다.
도 4f는 도 4e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 S-S 라인에 따른 평단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4g는 도 4e 및 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 일부를 확대한 도면이다.
도 4h는 도 4g에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 급기관 및 급기홀의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 2a는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 3a는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 가스 공급관 및 가스 배출관의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 가스 공급관의 동작 상태를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3c는 또 다른 종래 기술에 따른 열처리 장치에서의 가스 공급에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 사시도를 도시한 도면이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 측단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버를 이용하여 챔버의 높이를 가변적으로 조절하는 제 1 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버를 이용하여 챔버의 높이를 가변적으로 조절하는 제 2 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 측면도를 도시한 도면이다.
도 4f는 도 4e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 S-S 라인에 따른 평단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4g는 도 4e 및 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 일부를 확대한 도면이다.
도 4h는 도 4g에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 급기관 및 급기홀의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 사시도를 도시한 도면이고, 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 측단면도를 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버를 이용하여 챔버의 높이를 가변적으로 조절하는 제 1 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버를 이용하여 챔버의 높이를 가변적으로 조절하는 제 2 방법을 설명하기 위해 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4a 내지 도 4d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)는 내부에 상부 및 하부 기판(10u,10d)이 로딩 및 지지되는 보트(420)가 장착되며, 열처리 공간(401)을 제공하는 챔버 몸체(402); 내부에 복수의 상부 램프 히터(410a)를 구비하는 상부 히터 하우징(404a); 내부에 복수의 하부 램프 히터(410b)를 구비하는 하부 히터 하우징(404b); 및 상기 상부 히터 하우징(404a) 및 상기 챔버 몸체(402)의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체(402)의 하부 및 상기 하부 히터 하우징(404b)의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)를 포함하되, 상기 상부 히터 하우징(404a) 및 상기 하부 히터 하우징(404b) 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간(401)이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체(402)와 착탈 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다.
도 4a 내지 도 4d에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)에서, 1) 하부 히터 하우징(404b)은 챔버 몸체(402)의 하부에 일체형 또는 착탈 가능하게 제공되고, 상부 히터 하우징(404a)은 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 중 최상위 단위 챔버 몸체(402an)의 상부에 착탈 가능하게 제공되거나(도 4c 참조), 2) 상부 히터 하우징(404a)은 챔버 몸체(402)의 상부에 일체형 또는 착탈 가능하게 제공되고, 하부 히터 하우징(404b)은 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 중 최하위 단위 챔버 몸체(402an)의 하부에 착탈 가능하게 제공될 수 있다(도 4d 참조).
또한, 도 4c 및 도 4d에 도시된 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)는 서로 각각 볼트 및 너트와 같은 체결부재(미도시)에 의해 착탈 가능하게 결합될 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)에서는, 상부 히터 하우징(404a), 챔버 몸체(402), 및 하부 히터 하우징(404b)으로 둘러싸인 공간이 열처리 공간(401)을 형성한다. 이 경우, 열처리 공간(401)은 도 4c 또는 도 4d에 도시된 바와 같이 상부 히터 하우징(404a)의 하부와 챔버 몸체(402)의 상부 사이에 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)가 적층 및 체결됨으로써 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 각각에 대응되는 추가적인 열처리 공간(401a)만큼 확장될 수 있다.
이하에서는 도 4c 및 도 4d를 각각 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버를 이용하여 챔버의 높이를 가변적으로 조절하는 제 1 방법 및 제 2 방법을 설명하기로 한다.
먼저, 도 4c를 도 4a 내지 도 4b와 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)에서는, 먼저 하부 히터 하우징(404b)이 일체로 또는 착탈 가능하게 제공되는 챔버 몸체(402)의 상부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)를 순차적으로 적층하면서 최하부에 위치한 단위 챔버 몸체(402a1)의 하부와 챔버 몸체(402)의 상부, 및 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 간을 볼트 및 너트와 같은 체결부재(미도시)를 이용하여 체결한다(상방향 체결 방식). 그 후, 최상부에 위치한 단위 챔버 몸체(402an)의 상부를 상부 히터 하우징(404a)의 하부와 볼트 및 너트와 같은 체결부재(미도시)를 이용하여 체결한다. 그 결과, 열처리 장치(1)의 설치 공간 및 요구되는 기판 생산량에 따라 챔버(400)의 높이를 가변적으로 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)의 열처리 공간(401)이 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 각각에 대응되는 추가적인 열처리 공간(401a)만큼 확장될 수 있다.
한편, 도 4d를 도 4a 내지 도 4b와 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)에서는, 먼저 상부 히터 하우징(404a)이 일체로 또는 착탈 가능하게 제공되는 챔버 몸체(402)의 하부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)를 순차적으로 적층하면서 최상부에 위치한 단위 챔버 몸체(402a1)의 상부와 챔버 몸체(402)의 하부, 및 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 간을 볼트 및 너트와 같은 체결부재(미도시)를 이용하여 체결한다. 그 후, 최하부에 위치한 단위 챔버 몸체(402an)의 하부를 하부 히터 하우징(404b)의 상부와 볼트 및 너트와 같은 체결부재(미도시)를 이용하여 체결한다(하방향 체결 방식). 그 결과, 열처리 장치(1)의 설치 공간 및 요구되는 기판 생산량에 따라 챔버(400)의 높이를 가변적으로 조절할 수 있을 뿐만 아니라, 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)의 열처리 공간(401)이 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 각각에 대응되는 추가적인 열처리 공간(401a)만큼 확장될 수 있다.
상술한 도 4c 및 도 4d에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)의 열처리 공간(401)을 확장하기 위해 사용되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)는 각각 내부에 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)의 추가적인 열처리 공간(401a)을 제공하되, 그 상부 및 하부가 개방(open)되어 있다. 또한, 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)는 각각 1) 상기 추가적인 열처리 공간(401a) 내에 제공되며, 상기 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)이 로딩 및 지지되는 추가적인 보트(미도시); 및 상기 추가적인 하부 기판(10d1)의 하부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터(410c)를 구비하거나(도 4c의 경우), 또는 2) 상기 추가적인 열처리 공간(401a) 내에 제공되며, 상기 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)이 로딩 및 지지되는 추가적인 보트(미도시); 및 상기 추가적인 상부 기판(10d1)의 상부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터(410c)를 구비한다(도 4d의 경우). 여기서, 추가적인 보트(미도시)는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)의 보트(420)와 실질적으로 동일하다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)에서는, 상부 및 하부 히터 하우징(404a,404b)이 챔버 몸체(402)와 별도로 제공되므로 상부 및 하부 히터 하우징(404a,404b) 내의 복수의 상부 및 하부 램프 히터(410a,410b) 중 일부에 고장이 발생할 경우, 종래 기술과는 달리 작업자가 챔버(400) 내부로 진입하여 교체 작업을 수행할 필요 없이 고장난 램프 히터만을 교체하면 된다. 따라서, 고장난 램프 히터의 교체가 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소된다.
한편, 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 내의 복수의 추가적인 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우, 고장난 추가적인 램프 히터를 구비한 단위 챔버 몸체만을 정상적인 단위 챔버 몸체로 교체하여 고장에 신속하게 대처할 수 있다. 또한, 고장난 램프 히터를 구비한 단위 챔버 몸체에서 고장난 추가적인 램프 히터만을 정상적인 램프 히터로 교체함으로써 정상적인 단위 챔버 몸체를 만들 수 있고 또한 향후에 재사용할 수 있다. 따라서, 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)의 보트(420)의 프레임을 구성하는 하나 이상의 크로스 바가 가스 급기관을 형성하도록 제공하고, 상부 기판 상에는 별도의 상부 가스 급기관을 제공함으로써, 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어들고, 그에 따라 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하여 궁극적으로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능한 추가적인 특징을 제공할 수 있다.
좀 더 구체적으로, 도 4e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 측면도를 도시한 도면이고, 도 4f는 도 4e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 S-S 라인을 따른 평단면도를 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4g는 도 4e 및 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 일부를 확대한 도면이고, 도 4h는 도 4g에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 급기관 및 급기홀의 단면도이다.
도 4e 내지 도 4h를 도 4a 내지 도 4d와 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 내부에 상부 및 하부 기판(10u,10d)이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 상부 및 하부 지지 크로스 바(422c,422d)를 구비한 보트(420)가 장착되며, 열처리 공간(401)을 제공하는 챔버 몸체(402); 내부에 복수의 상부 램프 히터(410a)를 구비하는 상부 히터 하우징(404a); 내부에 복수의 하부 램프 히터(410b)를 구비하는 하부 히터 하우징(404b); 상기 상부 히터 하우징(404a)의 하부 및 상기 챔버 몸체(402)의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체(402)의 하부 및 상기 하부 히터 하우징(404b)의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an); 상기 챔버 몸체(402) 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 각각의 외부 일측면에서 급기 라인(440)을 통해 연결되는 가스 공급 장치(432); 및 상기 챔버 몸체(402) 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)의 각각의 양측면에 제공되는 가스 배기 장치(470)를 포함하되, 상기 상부 히터 하우징(404a) 및 상기 하부 히터 하우징(404b) 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간(401)이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체(402)와 착탈 가능하게 결합되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)는 각각 내부에 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)의 추가적인 열처리 공간(401a); 상기 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바(미도시)를 구비한 추가적인 보트(미도시); 상기 추가적인 상부 기판(10u1)의 상부에서 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 추가적인 상부 크로스 바(미도시); 및 상기 추가적인 하부 크로스 바(미도시)의 하부(도 4c 참조) 또는 상기 추가적인 상부 크로스 바(미도시)의 상부(도 4d 참조)에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터(410c)를 구비한다. 이 경우, 추가적인 상부 크로스 바(미도시)와 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바(미도시)는 챔버 몸체(402)의 상부 크로스 바(422u))와 상부 및 하부 지지 크로스 바(422c,422d)와 실질적으로 동일하고, 추가적인 보트(미도시)는 챔버 몸체(402)의 보트(420)와 실질적으로 동일하며, 복수의 추가적인 램프 히터(410c)는 복수의 상부 램프 히터(410a) 또는 복수의 하부 램프 히터(410b)와 실질적으로 동일하다는 점에 유의하여야 한다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 히터 하우징(404a), 챔버 몸체(402), 및 하부 히터 하우징(404b)이 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)를 구성한다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버(400)의 열처리 공간(401)이 확장 가능하다는 특징은 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 상세히 기술하였으므로, 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)의 구체적인 구성 및 특징에 대해 상세히 기술한다.
다시 도 4e 내지 도 4h를 도 4a 내지 도 4d와 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 크로스 바(422u), 상부 지지 크로스 바(422c), 추가적인 상부 크로스 바(미도시), 추가적인 상부 지지 크로스 바(미도시), 급기 라인(440), 가스 공급 장치(432), 및 가스 배기 장치(470)가 기판 열처리용 가스 급배기 장치(430)를 구성한다. 또한, 하부 지지 크로스 바(422c) 및 추가적인 하부 지지 크로스 바(미도시)도 선택적으로 기판 열처리용 가스 급배기 장치(430)를 구성할 수 있다.
또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상기 상부 크로스 바(422u), 상기 추가적인 상부 크로스 바(미도시), 상기 상부 지지 크로스 바(422c), 및 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바(미도시)가 각각 복수의 하부 급기홀(424d)을 구비하며, 또한 선택적으로 각각의 양측면 상에 복수의 측면 급기홀(424s)을 추가로 구비할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상기 하부 지지 크로스 바(422d)와 상기 추가적인 하부 지지 크로스 바(미도시)의 각각의 일측 단부가 상기 급기 라인(440)을 통해 상기 가스 공급 장치(432)와 연결될 수 있으며, 또한 상기 하부 지지 크로스 바(422d) 및 상기 추가적인 하부 지지 크로스 바(미도시)가 각각 복수의 하부 급기홀(424d)을 구비하며, 또한 선택적으로 각각의 양측면 상에 복수의 측면 급기홀(424s)을 추가로 구비할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 및 하부 지지 크로스 바(422c,422d)의 상부에는 각각 상부 및 하부 기판(10u,10d)을 지지하기 위한 복수의 지지핀(426)이 제공되어 있고, 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바(미도시)의 상부에는 각각 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)을 지지하기 위한 추가적인 복수의 지지핀(미도시)이 제공되어 있다. 여기서, 추가적인 복수의 지지핀(미도시)은 복수의 지지핀(426)과 실질적으로 동일하다는 점은 자명하다.
한편, 상술한 상부 크로스 바(422u)와 상부 및 하부 지지 크로스 바(422c,422d), 및 추가적인 상부 크로스 바(미도시)와 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바(미도시)는 각각 상부 및 하부 기판(10u,10d), 및 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)의 열처리 동작 시에 사용되는 고온의 열에 의한 손상(damage)을 입지 않도록 상부 및 하부 기판(10u,10d), 및 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)과 유사한 열거동(heat behavior)을 갖도록 상부 및 하부 기판(10u,10d), 및 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)과 동일하거나 유사한 재질 구현되는 것이 바람직하다. 좀 더 구체적으로, 상부 크로스 바(422u)와 상부 및 하부 지지 크로스 바(422c,422d), 및 추가적인 상부 크로스 바(미도시)와 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바(미도시)는 각각 쿼츠 재질로 구현될 수 있다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치(430)에서는, 상부 크로스 바(422u) 및 상부 지지 크로스 바(422c)와 추가적인 상부 크로스 바(미도시)와 추가적인 상부 지지 크로스 바(미도시)가 각각 가스 공급 장치(432)로부터 급기 라인(440)을 통해 공급되는 가스를 상부 기판(10u) 및 하부 기판(10d)과 추가적인 상부 기판(10u1) 및 추가적인 하부 기판(10d1) 상으로 각각 분사하도록 복수의 급기홀(424)을 구비한 가스 급기관의 기능을 수행한다.
또한, 하부 지지 크로스 바(422d) 및 추가적인 하부 지지 크로스 바(미도시)도 가스 공급 장치(432)로부터 급기 라인(440)을 통해 가스를 공급받아 하부 기판(10d) 및 추가적인 하부 기판(10d1)의 하부로 분사하도록 복수의 급기홀(424)을 구비하여 챔버(400) 내에 잔류하는 흄 등과 같은 오염물질을 챔버(400)의 외부로 추가적으로 배출할 수 있으며, 그에 따라 챔버(400) 내의 오염물질의 퍼지(purge) 효과를 추가로 향상시킬 수 있다. 그러나, 하부 지지 크로스 바(422d) 및 추가적인 하부 지지 크로스 바(미도시)의 사용은 선택사양으로 반드시 사용되어야 하는 것은 아니라는 점에 유의하여야 한다.
한편, 복수의 측면 급기홀(424s)은 상부 크로스 바(422u)와 상부 및 하부 지지 크로스 바(422c,422d)의 각각의 중심부(O)에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는 것이 바람직하며, 이는 추가적인 상부 크로스 바(미도시)와 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바(미도시)에도 동일하게 적용된다. 이러한 복수의 측면 급기홀(424s)을 통해 분사되는 가스는 복수의 하부 급기홀(424d)을 통해 공급되는 상부 및 하부 기판(10u,10d)과 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1) 상으로 각각 직접 분사된 후 각각의 가스 배기 장치(470)로 이동하는 가스가 층류(laminar flow)를 형성하도록 기여한다. 또한, 복수의 측면 급기홀(424s)을 통해 분사되는 가스의 일부는 상부 및 하부 기판(10u,10d)과 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1) 상으로 각각 직접 분사되어 상부 및 하부 기판(10u,10d)과 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1) 상의 각각의 오염물질을 제거하는 기능도 수행할 수 있다는 것은 자명하다.
상술한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 크로스 바(422u)와 상부 지지 크로스 바(422c), 및 추가적인 상부 크로스 바(미도시)와 추가적인 상부 지지 크로스 바(미도시)와 선택적으로 사용되는 하부 지지 크로스 바(422d), 및 추가적인 하부 지지 크로스 바(미도시)가 각각 상부 및 하부 기판(10u,10d), 및 추가적인 상부 및 하부 기판(10u1,10d1)의 중앙 부분에 제공되므로, 가스 흐름 길이가 전체 퍼지 길이(L)의 1/2배(즉, L/2)로 감소된다.
또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 크로스 바(422u)와 상부 및 하부 지지 크로스 바(422c,422d), 및 추가적인 상부 크로스 바(미도시)와 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바(미도시)가 각각 복수개(n개)될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다. 이 경우, 가스 흐름 길이가 전체 퍼지 길이(L)의 1/(n+1)배(즉, L/(n+1)로 감소될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 하부 급기홀(424d) 및 선택적으로 제공되는 복수의 측면 급기홀(424s)로부터 분사되는 가스가 상부 및 하부 기판(10u,10d) 상에서 거의 평형하게 가스 배기 장치(470)로 배기되므로 와류 등의 발생 가능성이 실질적으로 방지되어 상부 및 하부 기판(10u,10d)의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포를 형성이 가능하며, 오염물질의 퍼지 효과가 크게 향상된다.
도 5a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 5a를 도 4c와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법(500)은 a) 챔버 몸체(402), 상부 히터 하우징(404a), 및 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 일체로 제공되는 하부 히터 하우징(404b)을 준비하는 단계(510); b) 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)를 순차적으로 적층하면서 최하부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체(402a1)의 하부와 상기 챔버 몸체(402)의 상부, 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 간을 체결하는 단계(520); 및 c) 최상부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체(402an)의 상부를 상기 상부 히터 하우징(404a)의 하부와 체결하는 단계(530)를 포함한다.
상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법(500)에서, 상기 하부 히터 하우징(404b)은 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 착탈 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법(500)에서, 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)는 각각 내부에 추가적인 열처리 공간을 제공하되, 그 상부 및 하부가 개방(open)되어 있다.
도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 5b를 도 4d와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법(500)은 a) 챔버 몸체(402), 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 일체로 제공되는 상부 히터 하우징(404a), 및 하부 히터 하우징(404b)을 준비하는 단계(510); b) 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)를 순차적으로 적층하면서 최상부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체(402a1)의 상부와 상기 챔버 몸체(402)의 하부, 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an) 간을 체결하는 단계(520); 및 c) 최하부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체(402an)의 하부를 상기 하부 히터 하우징(404b)의 상부와 체결하는 단계(530)를 포함한다.
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법(500)에서, 상기 상부 히터 하우징(404a)은 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 착탈 가능하게 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법(500)에서, 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체(402a1,...,402an)는 각각 내부에 추가적인 열처리 공간을 제공하되, 그 상부 및 하부가 개방(open)되어 있다.
다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.
1: 배치식/기판 열처리 장치 10,10u,10d,10u1,10d1: 기판
12: 홀더 100,400: 챔버 120,420: 보트
110: 프레임 122,422: 지지 부재 140: 도어 160: 커버
200: 메인 히터 유닛 210: 단위 메인 히터
220,220a,220b: 보조 히터 유닛 230a: 제1 단위 보조 히터
250: 냉각관 300: 가스 공급관 310: 가스 구멍
320: 가스 배출관 340,440: 급기 라인 360: 정압유닛
401,401a: 열처리 공간 402: 챔버 몸체 402a1,402an: 단위 챔버 몸체
404a: 상부 히터 하우징 404b: 하부 히터 하우징
410a,410b,410c: 램프 히터
422c,422c1,422c2,422cn: 상부 지지 크로스 바
422d,422d1,422d2,422dn: 하부 지지 크로스 바
422u,422u1,422u2,422un: 상부 크로스 바
424: 급기홀 424d: 하부 급기홀 424s: 측면 급기홀
426: 지지핀 430: 가스 급배기 장치 432: 가스 공급 장치
470: 가스 배기 장치
12: 홀더 100,400: 챔버 120,420: 보트
110: 프레임 122,422: 지지 부재 140: 도어 160: 커버
200: 메인 히터 유닛 210: 단위 메인 히터
220,220a,220b: 보조 히터 유닛 230a: 제1 단위 보조 히터
250: 냉각관 300: 가스 공급관 310: 가스 구멍
320: 가스 배출관 340,440: 급기 라인 360: 정압유닛
401,401a: 열처리 공간 402: 챔버 몸체 402a1,402an: 단위 챔버 몸체
404a: 상부 히터 하우징 404b: 하부 히터 하우징
410a,410b,410c: 램프 히터
422c,422c1,422c2,422cn: 상부 지지 크로스 바
422d,422d1,422d2,422dn: 하부 지지 크로스 바
422u,422u1,422u2,422un: 상부 크로스 바
424: 급기홀 424d: 하부 급기홀 424s: 측면 급기홀
426: 지지핀 430: 가스 급배기 장치 432: 가스 공급 장치
470: 가스 배기 장치
Claims (18)
- 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버에 있어서,
내부에 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 보트가 장착되며, 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체;
상기 챔버 몸체의 상부에 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징;
상기 챔버 몸체의 하부에 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 및
상기 상부 히터 하우징 및 상기 챔버 몸체의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체의 하부 및 상기 하부 히터 하우징의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체
을 포함하되,
상기 상부 히터 하우징 및 상기 하부 히터 하우징 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체와 착탈 가능하게 결합되고,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각
내부에 추가적인 상부 및 하부 기판의 추가적인 열처리 공간;
상기 추가적인 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바를 구비한 추가적인 보트;
상기 추가적인 상부 기판의 상부에서 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 추가적인 상부 크로스 바; 및
상기 추가적인 하부 크로스 바의 하부 또는 상기 추가적인 상부 크로스 바의 상부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터
를 구비하는
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버. - 제 1항에 있어서,
상기 하부 히터 하우징은 상기 챔버 몸체의 하부에 일체형 또는 착탈 가능하게 제공되고,
상기 상부 히터 하우징은 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 중 최상위 단위 챔버 몸체의 상부에 착탈 가능하게 제공되며,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 서로 착탈 가능하게 결합되는
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버. - 제 1항에 있어서,
상기 상부 히터 하우징은 상기 챔버 몸체의 상부에 일체형 또는 착탈 가능하게 제공되고,
상기 하부 히터 하우징은 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 중 최하위 단위 챔버 몸체의 하부에 착탈 가능하게 제공되며,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 서로 착탈 가능하게 결합되는
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버. - 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각 내부에 추가적인 상부 및 하부 기판의 추가적인 열처리 공간을 제공하되, 그 상부 및 하부가 개방되어 있는 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버. - 제 4항에 있어서,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각
상기 추가적인 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 추가적인 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 추가적인 보트; 및
상기 추가적인 하부 기판의 하부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터
를 구비하는
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버. - 제 4항에 있어서,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각
상기 추가적인 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 추가적인 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 추가적인 보트; 및
상기 추가적인 상부 기판의 상부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터
를 구비하는
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버. - 기판 열처리 장치에 있어서,
내부에 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 상부 및 하부 지지 크로스 바를 구비한 보트가 장착되며, 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체;
내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징;
내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징;
상기 상부 히터 하우징의 하부 및 상기 챔버 몸체의 상부 사이에 제공되거나 또는 상기 챔버 몸체의 하부 및 상기 하부 히터 하우징의 상부 사이에 제공되는 하나 이상의 단위 챔버 몸체;
상기 챔버 몸체 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 각각의 외부 일측면에서 급기 라인을 통해 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 챔버 몸체 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체의 각각의 양측면에 제공되는 가스 배기 장치
를 포함하되,
상기 상부 히터 하우징 및 상기 하부 히터 하우징 중 적어도 하나는 상기 열처리 공간이 확장 가능하도록 상기 챔버 몸체와 착탈 가능하게 결합되고,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각
내부에 추가적인 상부 및 하부 기판의 추가적인 열처리 공간;
상기 추가적인 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바를 구비한 추가적인 보트;
상기 추가적인 상부 기판의 상부에서 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 추가적인 상부 크로스 바; 및
상기 추가적인 하부 크로스 바의 하부 또는 상기 추가적인 상부 크로스 바의 상부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터
를 구비하는
기판 열처리 장치. - 삭제
- 제 7항에 있어서,
상기 상부 크로스 바, 상기 추가적인 상부 크로스 바, 상기 상부 지지 크로스 바, 및 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바가 각각 복수의 하부 급기홀을 구비하며, 또한 선택적으로 각각의 양측면 상에 복수의 측면 급기홀을 추가로 구비하는 기판 열처리 장치. - 제 9항에 있어서,
상기 복수의 측면 급기홀은 각각 상기 상부 크로스 바, 상기 추가적인 상부 크로스 바, 상기 상부 지지 크로스 바, 및 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바의 중심부에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는 기판 열처리 장치. - 제 9항에 있어서,
상기 하부 지지 크로스 바와 상기 추가적인 하부 지지 크로스 바의 각각의 일측 단부가 상기 급기 라인을 통해 상기 가스 공급 장치와 연결되며,
상기 하부 지지 크로스 바 및 상기 추가적인 하부 지지 크로스 바가 각각 복수의 하부 급기홀을 구비하며, 또한 선택적으로 각각의 양측면 상에 복수의 측면 급기홀을 추가로 구비하는
기판 열처리 장치. - 제 11항에 있어서,
상기 상부 크로스 바, 상기 추가적인 상부 크로스 바, 상기 상부 지지 크로스 바, 및 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바에 구비되는 상기 복수의 측면 급기홀은 각각 상기 상부 크로스 바, 상기 추가적인 상부 크로스 바, 상기 상부 지지 크로스 바, 및 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바의 중심부에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되고,
상기 하부 지지 크로스 바 및 상기 추가적인 하부 지지 크로스 바에 선택적으로 구비되는 상기 복수의 측면 급기홀은 각각 상기 하부 지지 크로스 바 및 상기 추가적인 하부 지지 크로스 바의 중심부에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는
기판 열처리 장치. - 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법에 있어서,
a) 챔버 몸체, 상부 히터 하우징, 및 상기 챔버 몸체의 하부에 일체로 제공되는 하부 히터 하우징을 준비하는 단계;
b) 상기 챔버 몸체의 상부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 순차적으로 적층하면서 최하부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 하부와 상기 챔버 몸체의 상부, 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 간을 체결하는 단계; 및
c) 최상부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 상부를 상기 상부 히터 하우징의 하부와 체결하는 단계
를 포함하되,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각
내부에 추가적인 상부 및 하부 기판의 추가적인 열처리 공간;
상기 추가적인 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바를 구비한 추가적인 보트;
상기 추가적인 상부 기판의 상부에서 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 추가적인 상부 크로스 바; 및
상기 추가적인 하부 크로스 바의 하부 또는 상기 추가적인 상부 크로스 바의 상부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터
를 구비하는
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법. - 제 13항에 있어서,
상기 하부 히터 하우징은 상기 챔버 몸체의 하부에 착탈 가능하게 제공되는 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법. - 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각 내부에 추가적인 열처리 공간을 제공하되, 그 상부 및 하부가 개방되어 있는 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법. - 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법에 있어서,
a) 챔버 몸체, 상기 챔버 몸체의 상부에 일체로 제공되는 상부 히터 하우징, 및 하부 히터 하우징을 준비하는 단계;
b) 상기 챔버 몸체의 하부에 하나 이상의 단위 챔버 몸체를 순차적으로 적층하면서 최상부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 상부와 상기 챔버 몸체의 하부, 및 상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체 간을 체결하는 단계; 및
c) 최하부에 위치한 상기 단위 챔버 몸체의 하부를 상기 하부 히터 하우징의 상부와 체결하는 단계
를 포함하되,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각
내부에 추가적인 상부 및 하부 기판의 추가적인 열처리 공간;
상기 추가적인 상부 및 하부 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 추가적인 상부 및 하부 지지 크로스 바를 구비한 추가적인 보트;
상기 추가적인 상부 기판의 상부에서 상기 추가적인 상부 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 추가적인 상부 크로스 바; 및
상기 추가적인 하부 크로스 바의 하부 또는 상기 추가적인 상부 크로스 바의 상부에 제공되는 복수의 추가적인 램프 히터
를 구비하는
사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법. - 제 16항에 있어서,
상기 상부 히터 하우징은 상기 챔버 몸체의 상부에 착탈 가능하게 제공되는 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법. - 제 16항 또는 제 17항에 있어서,
상기 하나 이상의 단위 챔버 몸체는 각각 내부에 추가적인 열처리 공간을 제공하되, 그 상부 및 하부가 개방되어 있는 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140068200A KR101599045B1 (ko) | 2014-06-05 | 2014-06-05 | 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140068200A KR101599045B1 (ko) | 2014-06-05 | 2014-06-05 | 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150140443A KR20150140443A (ko) | 2015-12-16 |
| KR101599045B1 true KR101599045B1 (ko) | 2016-03-03 |
Family
ID=55080578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140068200A KR101599045B1 (ko) | 2014-06-05 | 2014-06-05 | 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101599045B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101404069B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-11 | 주식회사 나래나노텍 | 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050087059A (ko) * | 2004-02-24 | 2005-08-31 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 적층형 공정챔버를 가지는 진공처리장치 |
| KR101016048B1 (ko) | 2008-07-16 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | 배치식 열처리 장치 |
| KR101070465B1 (ko) * | 2009-07-22 | 2011-10-06 | 주식회사 테라세미콘 | 보트 |
| KR101104201B1 (ko) | 2010-07-13 | 2012-01-10 | (주)에스엠텍 | 기판 열처리 장치 |
| KR101428569B1 (ko) * | 2012-07-04 | 2014-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법 |
-
2014
- 2014-06-05 KR KR1020140068200A patent/KR101599045B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101404069B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-06-11 | 주식회사 나래나노텍 | 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150140443A (ko) | 2015-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101016048B1 (ko) | 배치식 열처리 장치 | |
| JP5973728B2 (ja) | バッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータ | |
| US7150628B2 (en) | Single-wafer type heat treatment apparatus for semiconductor processing system | |
| KR101120029B1 (ko) | 배치식 기판 처리 장치 | |
| JP4794360B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101428570B1 (ko) | 기판 열처리용 가스 급배기 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치 | |
| KR101599045B1 (ko) | 사이즈 가변형 기판 열처리 챔버 및 그 제조 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 | |
| KR20130019931A (ko) | 기판 가열 장치 및 방법 | |
| KR101016061B1 (ko) | 열처리 장치용 히터 | |
| KR20150024208A (ko) | 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법 | |
| KR102244245B1 (ko) | 개선된 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 | |
| KR20150110206A (ko) | 열처리 장치 | |
| KR102244240B1 (ko) | 개선된 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 | |
| KR20140079279A (ko) | 개선된 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 | |
| JP5602157B2 (ja) | バッチ式基板処理装置 | |
| KR101016065B1 (ko) | 배치식 열처리 장치 | |
| KR101404069B1 (ko) | 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 | |
| KR102225732B1 (ko) | 개선된 기판 열처리용 가스 급배기 장치 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 | |
| KR101070465B1 (ko) | 보트 | |
| KR101420705B1 (ko) | 챔버 하우징과 플레이트 하우징 간의 실링 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치 | |
| KR102166492B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| KR101370037B1 (ko) | H2o 가스 가열 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치 | |
| KR101544005B1 (ko) | 개선된 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치 | |
| KR200459210Y1 (ko) | 배치식 기판처리 장치의 챔버 | |
| KR101016058B1 (ko) | 열처리 장치용 히터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190201 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200206 Year of fee payment: 5 |