KR101539758B1 - 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 - Google Patents

다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101539758B1
KR101539758B1 KR1020130155420A KR20130155420A KR101539758B1 KR 101539758 B1 KR101539758 B1 KR 101539758B1 KR 1020130155420 A KR1020130155420 A KR 1020130155420A KR 20130155420 A KR20130155420 A KR 20130155420A KR 101539758 B1 KR101539758 B1 KR 101539758B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat treatment
boat
substrate
multiple substrates
substrates
Prior art date
Application number
KR1020130155420A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140147654A (ko
Inventor
성노영
이장혁
김성균
노성호
Original Assignee
주식회사 나래나노텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 나래나노텍 filed Critical 주식회사 나래나노텍
Publication of KR20140147654A publication Critical patent/KR20140147654A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101539758B1 publication Critical patent/KR101539758B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover

Abstract

본 발명은 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 개시한다.
본 발명에 따른 다중 기판 열처리 챔버는 다중 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징; 상기 다중 기판이 함께 장착되는 단일 홀더; 상기 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 보트; 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및 상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치{Chamber for Heat Treatment of Mutiple Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same}
본 발명은 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 다중 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징을 구비한 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및 하부 하우징의 내부에 복수의 열원을 제공하고 선택적으로 열처리 공간 내에 복수의 중심 열원을 제공하며, 또한 상부 및 하부 하우징 내부 열처리 공간 내에 다중 기판을 제공하여 각각의 챔버 내에서 다중 기판을 열처리함으로써, 열처리 가능 기판의 수 및 그에 따른 기판의 생산 효율이 크게 증가하고, 동일 챔버 내에서 다중 기판의 열처리가 가능하므로 열처리 공정 시 발생하는 복수의 챔버 간의 온도 차이에 의한 기판의 손상이 감소되며, 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)에 의한 영향이 실질적으로 제거되거나 상당히 감소되므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하거나 상당히 감소되며, 복수의 열원의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하며, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼, 글래스, 또는 플라스틱 기판과 같은 플렉시블 기판(이하 통칭하여 "기판"이라 함) 상에 증착되어 있는 소정의 필름(유기물 및 무기물)에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.
대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.
이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막 필름(이하 "필름"이라 함)이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.
통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이며, 도 3a는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이고, 도 3b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 보트의 구성을 도시한 사시도이다. 이러한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치는 예를 들어, 허판선 등에 의해 2008년 7월 16일자에 "배치식 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2008-0069329로 출원된 후, 2011년 2월 11일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1016048호에 상세히 기술되어 있다.
도 1 내지 도 3b를 참조하면, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다.
챔버(100)의 일측에는 챔버(100) 내로 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 보트(420)를 챔버(100)의 외부로 이송시킨 후 보트(420) 상에서 기판(10)을 언로딩할 수도 있다.
챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배기관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다.
챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(250)이 설치된다.
도 2 및 도 3a를 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다.
메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다. 기판(10)은 메인 히터 유닛(200) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 기판(10)의 상부 및 하부에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 단위 메인 히터(210)로부터 전면적에 걸쳐서 균일하게 열을 인가받아 열처리가 균일하게 이루어질 수 있다.
또한, 도 2 및 도 3a를 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다.
한편, 도 3b를 도 2 및 도 3a와 함께 참조하면, 챔버(100)의 내부에는 챔버(100)로 로딩된 기판(10)을 지지하기 위한 보트(120)가 설치되어 있다. 보트(120)는 기판(10)의 장변측을 지지하도록 설치되는 것이 바람직하다. 도 3a에 도시된 보트(120)는 각각의 기판(10)의 양쪽 장변 측에 3개씩 모두 6개의 지지 부재(122)가 설치되어 있으나, 기판(10)의 안정적인 지지를 위하여 그 이상의 개수로 설치될 수도 있으며 기판(10)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
또한, 도 3b를 참조하면, 기판(10)은 홀더(12)에 장착된 상태로 보트(120)에 로딩되는 것이 바람직하다. 열처리 과정 중에 열처리 온도가 복수의 기판(10)의 연화(softening) 온도에 도달하면 기판(10) 자체의 무게 때문에 기판의 아래 방향으로의 휨 현상이 발생하는데, 특히 이러한 휨 현상은 기판이 대면적화됨에 따라 더 큰 문제가 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판(10)을 홀더(12)에 장착한 상태로 열처리를 진행한다.
상술한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)는 챔버(100) 내의 복수의 기판에 대해 동시에 열처리가 가능함으로써 기판의 생산성을 향상시키는 효과가 달성되지만, 여전히 다음과 같은 문제점을 갖는다.
1. 기판(10)은 열처리 도중 자체 무게로 인한 휨 현상의 발생을 방지하기 위해 기판(10)은 홀더(12)에 장착된 상태로 보트(120)에 로딩된다. 그에 따라, 종래 기술에서는 보트(120)의 각각의 홀더(12) 상에는 하나의 기판(10)만이 장착되어 열처리가 이루어진다. 따라서, 종래 기술에서는 기판(10)의 열처리 효율이 낮다는 문제가 발생한다.
2. 기판(10)을 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)이 모두 챔버(100)의 내부에 제공되므로, 열처리에 의해 기판(10) 및 기판(10) 상의 필름에서 발생하는 흄(fume)이 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220) 상에 증착된다. 그에 따라, 시간이 경과함에 따라 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율이 크게 저하된다. 따라서, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율을 유지하기 위해서는 흄을 제거하여야 하므로 흄 세정에 따른 전체 공정 시간 및 비용이 크게 증가한다.
3. 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위 메인 히터(210)는 석영관 내부에 발열체가 삽입된 원통형의 히터로서 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시킨다. 이러한 단위 메인 히터(210)로 구성된 메인 히터 유닛(200)에서 발생된 열은 기판(10)에 전도 또는 대류에 의해 전달되는 간접 가열 방식이므로, 기판(10)의 열처리 에너지의 전달 효율이 크게 저하될 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일하게 열을 전달하기가 상대적으로 어렵다.
또한, 상술한 문제점은 종래 기술에서 홀더(12) 상에 하나의 기판(10)만이 장착되도록 제한하는 추가적인 원인을 제공한다.
4. 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 챔버(100) 내부의 복수의 기판(10)이 균일하게 열을 인가받지 못하게 되므로 복수의 기판(10) 전체에 불량이 발생할 수 있다.
5. 또한, 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 고장 부품의 수리 또는 교체를 위해 배치식 열처리 장치(1) 자체의 열처리 동작이 중단되어야 한다. 따라서, 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 증가한다.
따라서, 상술한 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 챔버 및 배치식 열처리 장치의 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다.
대한민국 특허 제10-1016048호
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 다중 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징을 구비한 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및 하부 하우징의 내부에 복수의 열원을 제공하고 선택적으로 열처리 공간 내에 복수의 중심 열원을 제공하며, 또한 상부 및 하부 하우징 내부 열처리 공간 내에 다중 기판을 제공하여 각각의 챔버 내에서 다중 기판을 열처리함으로써, 열처리 가능 기판의 수 및 그에 따른 기판의 생산 효율이 크게 증가하고, 동일 챔버 내에서 다중 기판의 열처리가 가능하므로 열처리 공정 시 발생하는 복수의 챔버 간의 온도 차이에 의한 기판의 손상이 감소되며, 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)에 의한 영향이 실질적으로 제거되거나 상당히 감소되므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하거나 상당히 감소되며, 복수의 열원의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하며, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 제 1 특징에 따른 다중 기판 열처리 챔버는 다중 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징; 상기 다중 기판이 함께 장착되는 단일 홀더; 상기 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 보트; 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및 상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 다중 기판 열처리 챔버는 다중 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징; 상기 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 개별 홀더; 상기 복수의 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 보트; 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및 상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 3 특징에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 다중 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하고, 상기 복수의 챔버는 각각 상기 다중 기판의 상기 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징; 상기 다중 기판이 함께 장착되는 단일 홀더; 상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 보트; 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및 상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제 4 특징에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 다중 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하고, 상기 복수의 챔버는 각각 상기 다중 기판의 상기 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징; 상기 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 개별 홀더; 상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 보트; 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및 상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.
1. 각각의 챔버 내에서 다중 기판이 열처리되므로, 열처리 가능 기판의 수 및 그에 따른 기판의 생산 효율이 크게 증가한다.
2. 동일 챔버 내에서 다중 기판의 열처리가 가능하므로 열처리 공정 시 발생하는 복수의 챔버 간의 온도 차이에 의한 기판의 손상이 감소된다.
3. 열처리 과정에서 다중 기판 및 그 상부에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)에 의한 영향이 실질적으로 제거되거나 상당히 감소되므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하거나 상당히 감소된다.
4. 복수의 열원의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상된다.
5. 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하다.
6. 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능하다.
본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 3a는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 3b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 보트의 구성을 도시한 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 측단면도이다.
도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4c는 도 4b에 도시된 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4g는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4h는 도 4g에 도시된 본 발명의 제 3 실시예의 변형예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4i는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4j는 도 4i에 도시된 본 발명의 제 4 실시예의 변형예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 4k는 도 4b 및 도 4c에 각각 도시된 본 발명의 제 1 실시예 및 그 변형예에서 사용되는 단일 홀더의 평단면도이다.
도 4l은 도 4d 및 도 4e에 각각 도시된 본 발명의 제 2 실시예 및 그 변형예에서 사용되는 복수의 기판이 장착되는 복수의 개별 홀더의 평단면도이다.
도 4m은 도 4f 및 도 4g에 각각 도시된 본 발명의 단일 홀더 또는 복수의 개별 홀더 상에 각각 다중 기판이 장착되는 것을 도시한 평단면도이다.
도 4n은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이다.
이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 측단면도이고, 도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이며, 도 4c는 도 4b에 도시된 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다. 여기서, 도 4a에 도시된 실시예는 보트(420)가 도 4c에 도시된 바와 같이 2개의 상하 단일 홀더(412a,412b)를 구비하는 것으로 예시적으로 도시하고 있지만, 당업자라면 보트(420)가 후술하는 바와 같이 하나의 단일 홀더(412)(도 4b 참조), 복수의 개별 홀더(412a1,412a2)(도 4d 참조), 또는 복수의 상하 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2)(도 4e 참조)를 구비할 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다.
먼저, 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버(400)는 다중 기판(10)의 열처리 공간(heat process space: 472)을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징(470a,470b); 상기 다중 기판(10)이 함께 장착되는 단일 홀더(412); 상기 단일 홀더(412)가 로딩 및 지지되는 보트(420); 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 및 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b) 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)을 포함한다.
또한, 도 4a 및 도 4c를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는 상기 다중 기판(10)이 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2)으로 구성되고, 상기 단일 홀더(412)가 상기 상부 다중 기판(10a1,10a2)이 함께 장착되는 상부 단일 홀더(412a); 및 상기 하부 다중 기판(10b1,10b2)이 함께 장착되는 하부 단일 홀더(412b)로 구성되며, 상기 상부 및 하부 단일 홀더(412a,412b)가 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)로 구성되는 단일 보트(420)에 각각 로딩 및 지지된다는 점을 제외하고는 도 4b에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)와 실질적으로 동일하다.
이하에서는 본 발명의 제 1 실시예 및 그 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)의 구체적인 구성 및 동작에 대해 상세히 기술하기로 한다.
다시 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예 및 그 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)을 포함한다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 내부에 다중 기판(10)(도 4b 참조), 또는 상부 다중 기판((10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2)(도 4c 참조)의 열처리 공간(472)을 형성한다. 이 경우, 다중 기판(10) 또는 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)은 단일 홀더(412) 또는 상부 및 하부 단일 홀더(412a;412b) 상에 함께 장착된다.
또한, 다중 기판(10)이 장착된 단일 홀더(412) 또는 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)이 각각 장착된 상부 및 하부 단일 홀더(412a;412b)는 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)로 구성되는 보트(420) 상에 각각 로딩 및 지지된다. 여기서, 도 4c에 도시된 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)로 구성되는 보트(420)는 단일 보트(single boat)로 구현된다.
상술한 도 4a 내지 도 4c에 도시된 실시예에서는 다중 기판(10) 또는 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)이 각각 2개인 것으로 예시적으로 도시되어 있지만, 당업자라면 다중 기판(10) 또는 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)이 각각 3개 이상일 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다.
도 4d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이고, 도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
도 4d를 도 4a와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버(400)는 다중 기판(10)의 열처리 공간(472)을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징(470a,470b); 상기 다중 기판(10)이 각각 장착되는 복수의 개별 홀더(412a1,412a2); 상기 열처리 공간(472) 내에 제공되며, 상기 복수의 개별 홀더(412a1,412a2)가 함께 로딩 및 지지되는 보트(420); 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 및 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b) 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)을 포함한다.
또한, 도 4e를 도 4a와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는, 상기 다중 기판(10)이 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2)으로 구성되고, 상기 복수의 개별 홀더(412a1,412a2)가 상기 상부 다중 기판(10a1,10a2)이 각각 장착되는 복수의 상부 개별 홀더(412a1,412a2); 및 상기 하부 다중 기판(10b1,10b2)이 각각 장착되는 복수의 하부 개별 홀더(412b1,412b2)로 구성되며, 상기 복수의 상부 및 하부 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2)가 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)로 구성되는 보트(420)에 각각 로딩 및 지지된다는 점을 제외하고는 도 4d에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)와 실질적으로 동일하다.
이하에서는 본 발명의 제 2 실시예 및 그 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)의 구체적인 구성 및 동작에 대해 상세히 기술하기로 한다.
다시 도 4a, 도 4d, 및 도 4e를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예 및 그 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)을 포함한다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 내부에 다중 기판(10)(도 4d 참조), 또는 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)(도 4e 참조)의 열처리 공간(472)을 형성한다. 이 경우, 다중 기판(10)는 복수의 개별 홀더(412a1,412a2) 상에 각각 장착되고, 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)은 복수의 상부 및 하부 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2) 상에 각각 장착된다.
또한, 다중 기판(10)이 각각 장착된 복수의 개별 홀더(412a1,412a2)는 보트(420)에 상에 각각 로딩 및 지지되며(도 4d 참조), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)이 각각 장착된 복수의 상부 및 하부 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2)는 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)로 구성되는 보트(420)에 상에 각각 로딩 및 지지된다(도 4e 참조). 여기서, 도 4e에 도시된 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)로 구성되는 보트(420)는 각각 단일 보트로 구현된다.
상술한 도 4a, 도 4d, 및 도 4e에 도시된 실시예에서는 다중 기판(10) 및 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)과 복수의 개별 홀더(412a1,412a2) 및 복수의 상부 및 하부 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2)가 각각 2개인 것으로 예시적으로 도시되어 있지만, 당업자라면 다중 기판(10) 및 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)과 복수의 개별 홀더(412a1,412a2) 및 복수의 상부 및 하부 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2)가 각각 3개 이상일 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 하나의 챔버(400) 내에서 다중 기판(10) 또는 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)의 열처리가 가능하므로 열처리 가능한 기판의 수 및 그에 따른 기판의 생산 효율이 크게 증가한다.
도 4f는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이고, 도 4g는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이며, 도 4h는 도 4g에 도시된 본 발명의 제 3 실시예의 변형예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이다.
먼저, 도 4f 및 도 4g를 도 4a와 함께 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버(400)는 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2)으로 구성되는 다중 기판(10)의 열처리 공간(472)을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징(470a,470b); 상기 상부 다중 기판(10a1,10a2)이 함께 장착되는 상부 단일 홀더(412a); 상기 상부 단일 홀더(412a)가 로딩 및 지지되는 상부 보트(420a); 상기 하부 다중 기판(10b1,10b2)이 함께 장착되는 하부 단일 홀더(412b); 상기 하부 단일 홀더(412b)가 로딩 및 지지되는 하부 보트(420b); 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b) 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b); 및 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 상기 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 제공되는 복수의 중간 열원(410c)을 포함한다. 여기서, 도 4g에 도시된 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)로 구성되는 보트(420)는 개별 보트로 구현된다.
또한, 도 4h를 도 4a, 도 4f 및 도 4g와 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예의 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는 상기 다중 기판(10)이 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4), 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)으로 구성된다. 상부 단일 홀더(412a)는 상기 제 1 상부 다중 기판(10a1,10a2)이 함께 장착되는 제 1 상부 단일 홀더(412a1)와 상기 제 2 상부 다중 기판(10a3,10a4)이 함께 장착되는 제 2 상부 단일 홀더(412a2)로 구성되고, 하부 단일 홀더(412b)는 상기 제 1 하부 다중 기판(10b1,10b2)이 함께 장착되는 제 1 하부 단일 홀더(412b1)와 상기 제 2 하부 다중 기판(10b3,10b4)이 함께 장착되는 제 2 하부 단일 홀더(412b2)로 구성된다. 상기 제 1 및 제 2 상부 단일 홀더(412a1,412a2)는 각각 제 1 및 제 2 상부 보트(420a1,420a2)로 구성되는 상부 보트(420a)에 함께 로딩 및 지지되고, 상기 제 1 및 제 2 하부 단일 홀더(412b1,412b2)는 각각 제 1 및 제 2 하부 보트(420b1,420b2)로 구성되는 하부 보트(420b)에 함께 로딩 및 지지된다. 여기서, 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)는 개별 보트로 구현된다. 또한, 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 상기 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 제공되는 복수의 중간 열원(410c)이 추가로 사용된다. 상술한 점을 제외하고는 도 4h에 도시된 변형 실시예는 도 4g에 도시된 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)와 실질적으로 동일하다.
도 4i는 발명의 제 4 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 측단면도이고, 도 4j는 도 4i에 도시된 본 발명의 제 4 실시예의 변형예에 따른 다중 기판 열처리 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 4i를 도 4a 및 도 4f와 함께 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 다중 기판 열처리 챔버(400)는 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2)으로 구성되는 다중 기판(10)의 열처리 공간(472)을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징(470a,470b); 상기 상부 다중 기판(10a1,10a2)이 각각 장착되는 복수의 상부 개별 홀더(412a1,412a2); 상기 복수의 상부 개별 홀더(412a1,412a2)가 함께 로딩 및 지지되는 상부 보트(420a); 상기 하부 다중 기판(10b1,10b2)이 각각 장착되는 복수의 하부 개별 홀더(412b1,412b2); 상기 복수의 하부 개별 홀더(412b1,412b2)가 함께 로딩 및 지지되는 하부 보트(420b); 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b) 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b); 및 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 상기 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 제공되는 복수의 중간 열원(410c)을 포함한다. 여기서, 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)는 개별 보트로 구현된다.
또한, 도 4j를 도 4a, 도 4f 및 도 4i와 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예의 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는 상기 다중 기판(10)이 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4), 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)으로 구성된다. 복수의 상부 개별 홀더(412a)는 상기 제 1 상부 다중 기판(10a1,10a2)이 각각 장착되는 복수의 제 1 상부 개별 홀더(412a1)와 상기 제 2 상부 다중 기판(10a3,10a4)이 각각 장착되는 복수의 제 2 상부 개별 홀더(412a3,412a4)로 구성되고 또한 상기 복수의 하부 개별 홀더(412b)는 상기 제 1 하부 다중 기판(10b1,10b2)이 각각 장착되는 복수의 제 1 하부 개별 홀더(412b1,412b2)와 상기 제 2 하부 다중 기판(10b3,10b4)이 각각 장착되는 복수의 제 2 하부 개별 홀더(412b3,412b4)로 구성된다. 상기 제 1 및 제 2 상부 개별 홀더(412a1,412a2;412a3,412a4)는 각각 제 1 및 제 2 상부 보트(420a1,420a2)로 구성되는 상부 보트(420a)에 함께 로딩 및 지지되고, 상기 제 1 및 제 2 하부 개별 홀더(412b1,412b2;412b3,412b4)는 각각 제 1 및 제 2 하부 보트(420b1,420b2)로 구성되는 하부 보트(420b)에 함께 로딩 및 지지된다. 여기서, 상부 보트(420a) 및 하부 보트(420b)는 개별 보트로 구현된다. 또한, 상기 제 2 상부 다중 기판(10a3,10a4) 및 상기 제 1 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 제공되는 복수의 중간 열원(410c)이 추가로 사용된다. 상술한 점을 제외하고는 도 4j에 도시된 변형 실시예는 도 4i에 도시된 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)와 실질적으로 동일하다.
상술한 도 4f 내지 도 4j에 도시된 실시예에서는, 열처리 공간(472) 내에서 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이 또는 제 2 상부 다중 기판(10a3,10a4) 및 제 1 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 복수의 중간 열원(410c)이 제공되어 있다. 이러한 복수의 중간 열원(410c)은 각각 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2) 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)으로 열 에너지가 방출 및 전달되어야 하므로, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 각각에 비해 2배 이상의 열 에너지 용량을 가지는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 도 4f 내지 도 4j에 도시된 실시예에서는, 하나의 챔버(400) 내에서 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2) 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)의 열처리가 가능하므로 열처리 가능한 기판의 수 및 그에 따른 기판의 생산 효율이 현저하게 증가한다.
도 4k는 도 4b 및 도 4c에 각각 도시된 본 발명의 제 1 실시예 및 그 변형예와 도 4f 및 도 4g에 각각 도시된 본 발명의 제 3 실시예 및 그 변형예에서 사용되는 단일 홀더의 평단면도이다.
도 4k를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예 및 그 변형예와 본 발명의 제 3 실시예 및 그 변형예에서는, 하나의 단일 홀더(412) 상에 다중 기판(10)이 함께 장착되거나(도 4b 및 도 4k 참조), 상부 및 하부 단일 홀더(412a;412b) 상에 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)이 함께 장착되거나(도 4c, 도 4f, 및 도 4k 참조), 제 1 및 제 2 상부 단일 홀더(412a1,412a2) 상에 각각 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4)이 함께 장착되고 또한 제 1 및 제 2 하부 단일 홀더(412b1;412b2) 상에 각각 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)이 함께 장착될 수 있다(도 4g 및 도 4k 참조).
도 4l은 도 4d 및 도 4e에 각각 도시된 본 발명의 제 2 실시예 및 그 변형예와 도 4h 및 도 4i에 각각 도시된 본 발명의 제 4 실시예 및 그 변형예에서 사용되는 복수의 기판이 장착되는 복수의 개별 홀더의 평단면도이다.
도 4l을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예 및 그 변형예와 본 발명의 제 4 실시예 및 그 변형예에서는, 복수의 개별 홀더(412a1,412a2) 상에 다중 기판(10)이 각각 개별적으로 장착되거나(도 4d 및 도 4l 참조), 복수의 상부 및 하부 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2) 상에 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2)이 각각 개별적으로 장착되거나(도 4e, 도 4h, 및 도 4l 참조), 또는 복수의 제 1 및 제 2 상부 개별 홀더(412a1,412a2;412a3,412a4) 상에 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4)이 각각 개별적으로 장착되고 또한 복수의 제 1 및 제 2 하부 개별 홀더(412b1,412b2;412b3,412b4) 상에 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)이 각각 개별적으로 장착될 수 있다(도 4i 및 도 4l 참조).
도 4m은 도 4k 및 도 4l에 각각 도시된 본 발명의 단일 홀더 또는 복수의 개별 홀더 상에 각각 복수의 기판이 장착되는 것을 도시한 평단면도이다.
도 4m을 참조하면, 본 발명은 도 4a 내지 도 4j에 도시된 단일 홀더(412;412a,412b;412a1,412a2;412b1,412b2) 또는 복수의 개별 홀더(412a1,412a2;412a3,412a4;412b1,412b2;412b3,412b4) 상에서 각각 다중 기판(10)이 장착될 영역을 4개로 분할하여, 단일 홀더(412;412a,412b;412a1,412a2;412b1,412b2) 또는 복수의 개별 홀더(412a1,412a2;412a3,412a4;412b1,412b2;412b3,412b4) 각각이 4개의 다중 기판(10;10a1,10a2,10a3,10a4;10b1,10b2,10b3,10b4)을 장착할 수 있다는 것을 예시적으로 보여주고 있다.
한편, 상술한 도 4a 내지 도 4j에 도시된 본 발명의 제 1 실시예 내지 제 4 실시예와 그 변형예에서는, 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)가 제공된다. 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현될 수 있다.
또한, 상부 및 하부 하우징(470a,470b) 내에는 각각 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)이 제공되어 있으며, 도 4g 및 도 4h에 도시된 본 발명의 제 3 실시예와 그 변형예에서는 열처리 공간(472) 내에서 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 복수의 중간 열원(410c)이 제공되고, 도 4i 및 도 4j에 도시된 본 발명의 제 4 실시예 및 그 변형예에서는 열처리 공간(472) 내에서 제 2 상부 다중 기판(10a3,10a4) 및 제 1 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 복수의 중간 열원(410c)이 제공되어 있다.
상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현될 수 있으며, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)과 복수의 중간 열원(410c)은 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있다. 이 경우, 근적외선 램프 히터는 SiO2 재질의 다중 기판(10) 또는 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2) 및 그 상부에 도포된 필름(미도시)을 가열하여 건조 및 소성하기에 적합한 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선을 방출하는 것이 바람직하다. 또한, 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)과 복수의 중간 열원(410c)의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 그룹 방식으로 제어될 수 있다. 여기서 그룹 방식이란 예를 들어 복수의 상부 열원(410a)을 제 1 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하고, 복수의 하부 열원(410b)을 제 2 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하며, 복수의 중간 열원(410c)을 제 3 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하는 방식일 수 있다. 이러한 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)과 복수의 중간 열원(410c)의 출력 파워의 개별 제어 또는 그룹 방식 제어에 의해 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명의 기판 열처리 챔버(400)에서는 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)의 온도 균일도가 향상되므로 궁극적으로 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)의 불량 발생 가능성이 크게 감소된다.
상술한 본 발명의 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 예를 들어 근적외선 램프 히터로 구현되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)과 복수의 중간 열원(410c)에서 방출되는 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선은 통과시키는 반면에 상기 파장 대역 이외의 대역은 컷오프(cut-off)시킨다. 그에 따라, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 각각 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해, 그리고 복수의 중간 열원(410c)은 직접 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4) 상으로 열 에너지를 복사 방식으로 전달하여 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)과 그 각각의 상부에 도포된 필름(미도시)(예를 들어, 폴리이미드(PI))을 열처리한다.
또한, 상기 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 각각 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 배면에 제공되는 상부 및 하부 반사부(411a,411b)를 구비하는 것이 바람직하다(도 4a 참조). 상부 및 하부 반사부(411a,411b)는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)으로 상기 열 에너지를 복사 방식으로 전달한다. 즉, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)은 상부 및 하부 반사부(411a,411b)를 이용하여 복사 방식으로 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)을 직접 가열하여 열처리한다. 따라서, 종래 기술의 전도 또는 대류 방식에 비해 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)이 상부 및 하부 반사부(411a,411b)를 사용하여 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)과 그 각각의 상부에 도포된 필름의 열처리에 적합한 열 에너지를 균일하게 전달할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는, 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)이 열처리 공간(472)의 외부에 제공된다. 따라서, 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)과 그 각각의 상부의 필름(미도시)의 열처리에 의해 발생하는 흄(fume)이 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 상에 증착되지 않으므로 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b)의 열효율을 일정하게 유지할 수 있다. 또한, 흄 세정이 불필요하므로 전체 공정 시간 및 비용이 크게 감소된다.
한편, 도 4f 내지 도 4j에 도시된 본 발명의 제 3 및 제 4 실시예와 그 변형예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는, 상부 다중 기판(10a1,10a2) 및 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이 또는 제 2 상부 다중 기판(10a3,10a4) 및 제 1 하부 다중 기판(10b1,10b2) 사이에 복수의 중간 열원(410c)이 열처리 공간(472) 내에 제공되므로 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2) 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)과 그 각각의 상부의 필름(미도시)의 열처리에 의해 발생하는 흄(fume)이 복수의 중간 열원(410c)의 표면 상에 증착될 수 있다. 그러나, 이러한 흄에 의한 영향은 종래 기술에 비해서는 상대적으로 크지 않으며, 열처리 가능한 다중 기판의 수 및 그에 따른 기판의 생산 효율이 현저하게 증가하므로 흄 세정 공정으로 인한 불리한 영향을 충분히 상쇄할 수 있다.
도 4n은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 4n은 도 4a 내지 도 4m과 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)(이하 "복수의 챔버(400a,...,400e)"라 합니다)를 포함한다. 복수의 챔버(400a,...,400e)는 각각 다중 기판(10)(도 4a 참조)의 열처리 공간(472)을 제공한다.
복수의 챔버(400a,...,400e)는 각각 프레임(410) 상에서 착탈 가능하게 지지된다. 복수의 챔버(400a,...,400e) 각각의 전면에는 복수의 도어(미도시)가 제공되어 있다. 복수의 도어(미도시)는 복수의 챔버(400a,...,400e) 각각에 제공되는 열처리 공간(472) 내의 보트(420)(도 4a 참조) 상에 장착되는 단일 홀더(412;412a,412b;412a1,412a2;412b1,412b2)(도 4b, 도 4c, 도 4g, 및 도 4h 참조) 상으로 또는 복수의 개별 홀더(412a1,412a2;412b1,412b2;412a1,412a2,412a3,412a4;412b1,412b2,412b3,412b4)(도 4e, 도 4e, 도 4i, 및 도 4j 참조) 상으로 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)을 로딩하기 위한 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)을 로딩하거나 열처리가 종료된 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)을 언로딩하기 위해 개방 또는 폐쇄될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에 사용되는 복수의 챔버(400a,...,400e)는 각각 도 4a 내지 4j를 참조하여 도시 및 기술된 본 발명의 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)와 동일한 구성을 갖는다는 점에 유의하여야 한다. 이러한 도 4a 내지 도 4j를 참조하여 도시된 본 발명의 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)의 구체적인 구성 및 동작은 이미 상세히 설명하였으므로 그 자세한 설명은 생략하기로 한다.
상술한 본 발명의 기판 열처리 장치(1)에서는 복수의 챔버(400a,...,400e) 각각의 내부에서 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)의 열처리가 가능하므로 열처리 가능한 기판의 수 및 그에 따른 기판의 생산 효율이 크게 증가한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,...,400e)에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 또는 복수의 중간 열원(410c) 중 일부에 고장 등이 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 4i의 실시예에서, 복수의 챔버(400a,...,400e) 중 챔버(400a) 내의 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 또는 복수의 중간 열원(410c) 중 일부에 고장 등이 발생하더라도, 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e) 내의 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4)은 정상적인 열처리가 가능하다. 따라서, 본 발명에서는 복수의 챔버(400a,...,400e)의 개별 프로세싱이 가능하고, 그에 따라 복수의 챔버(400a,...,400e) 내의 다중 기판(10), 상부 및 하부 다중 기판(10a1,10a2;10b1,10b2), 또는 제 1 및 제 2 상부 다중 기판(10a1,10a2;10a3,10a4) 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판(10b1,10b2;10b3,10b4) 전체에 불량이 발생할 가능성이 실질적으로 제거된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,...,400e)에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원(410a,410b) 또는 복수의 중간 열원(410c) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 위의 예시에서 고장이 발생한 챔버(400a)만을 수리 또는 교체하면 되고, 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e)는 정상적으로 동작이 가능하다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 복수의 챔버(400a,...,400e)의 개별적인 유지 보수가 가능하다. 따라서, 기판 열처리 장치(1)의 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e) 내의 열처리 동작이 중단될 필요가 없으므로 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 크게 감소된다.
다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.
1: 배치식/기판 열처리 장치
10,10a1,10a2,10a3,10a4,10b1,10b2,10b3,10b4: 기판
2,412,412a,412a1,412a2,412a3,412a4,412b,412b1,412b2,412b3,412b4: 홀더
100,400,400a,400b,400c,400d,400e: 챔버
120,420,402a,420a1,420a2,420b,420b1,420b2: 보트 110,410: 프레임
122: 지지 부재 140: 도어 160: 커버 200: 메인 히터 유닛
210: 단위 메인 히터 220,220a,220b: 보조 히터 유닛
230a: 제1 단위 보조 히터 250: 냉각관 410a,410b,410c: 열원
411a,411b: 반사부 470a,470b: 하우징 472: 열처리 공간
474a,474b: 윈도우 플레이트

Claims (22)

  1. 삭제
  2. 다중 기판 열처리 챔버에 있어서,
    다중 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징;
    상기 다중 기판이 함께 장착되는 단일 홀더;
    상기 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 보트;
    상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및
    상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원
    을 포함하고,
    상기 다중 기판은 상부 다중 기판 및 하부 다중 기판으로 구성되고,
    상기 단일 홀더는 상기 상부 다중 기판이 함께 장착되는 상부 단일 홀더, 및 상기 하부 다중 기판이 함께 장착되는 하부 단일 홀더로 구성되며,
    상기 상부 및 하부 단일 홀더는 상기 보트에 함께 로딩 및 지지되는
    다중 기판 열처리 챔버.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 보트는 상기 상부 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 상부 보트, 및 상기 하부 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 하부 보트로 구성되는 단일 보트로 구현되고,
    상기 다중 기판 열처리 챔버는 상기 열처리 공간 내에서 상기 상부 다중 기판 및 상기 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    다중 기판 열처리 챔버.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 다중 기판은 제 1 및 제 2 상부 다중 기판, 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판으로 구성되고,
    상기 단일 홀더는 상기 제 1 상부 다중 기판이 함께 장착되는 제 1 상부 단일 홀더와 상기 제 2 상부 다중 기판이 함께 장착되는 제 2 상부 단일 홀더로 구성되는 상부 단일 홀더, 및 상기 제 1 하부 다중 기판이 함께 장착되는 제 1 하부 단일 홀더와 상기 제 2 하부 다중 기판이 함께 장착되는 제 2 하부 단일 홀더로 구성되는 하부 단일 홀더로 구성되며,
    상기 보트는 상기 제 1 및 제 2 상부 단일 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 상부 단일 보트로 구성되는 상부 단일 보트, 및 상기 제 1 및 제 2 하부 단일 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 하부 단일 보트로 구성되는 하부 단일 보트로 구성된 개별 보트로 구현되고,
    상기 다중 기판 열처리 챔버는 상기 열처리 공간 내에서 상기 제 2 상부 다중 기판 및 상기 제 1 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    다중 기판 열처리 챔버.
  5. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현되고,
    상기 상부 및 하부 하우징은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현되는
    다중 기판 열처리 챔버.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 복수의 상부 및 하부 열원의 출력 파워는 각각 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는 다중 기판 열처리 챔버.
  7. 제 3항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 복수의 상부 및 하부 열원과 상기 복수의 중간 열원의 출력 파워는 각각 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는 다중 기판 열처리 챔버.
  8. 삭제
  9. 다중 기판 열처리 챔버에 있어서,
    다중 기판의 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징;
    상기 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 개별 홀더;
    상기 복수의 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 보트;
    상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및
    상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원
    을 포함하고,
    상기 다중 기판은 상부 다중 기판 및 하부 다중 기판으로 구성되고,
    상기 복수의 개별 홀더는 상기 상부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 상부 개별 홀더, 및 상기 하부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 하부 개별 홀더로 구성되며,
    상기 보트는 상기 복수의 상부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 상부 보트, 및 상기 복수의 하부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 하부 보트로 구성되는 단일 보트로 구현되는
    다중 기판 열처리 챔버.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 다중 기판은 상부 다중 기판 및 하부 다중 기판이고,
    상기 보트는 상기 복수의 상부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 상부 보트, 및 상기 복수의 하부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 하부 보트로 구성되는 개별 보트로 구현되고,
    상기 다중 기판 열처리 챔버는 상기 열처리 공간 내에서 상기 상부 다중 기판 및 상기 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    다중 기판 열처리 챔버.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 다중 기판은 제 1 및 제 2 상부 다중 기판, 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판으로 구성되고,
    상기 복수의 개별 홀더는 상기 제 1 상부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 1 상부 개별 홀더와 상기 제 2 상부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 2 상부 개별 홀더로 구성되는 복수의 상부 개별 홀더, 및 상기 제 1 하부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 1 하부 개별 홀더와 상기 제 2 하부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 2 하부 개별 홀더로 구성되는 복수의 하부 개별 홀더로 구성되며,
    상기 보트는 상기 제 1 및 제 2 상부 개별 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 상부 보트로 구성되는 상부 보트, 및 상기 제 1 및 제 2 하부 개별 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 하부 보트로 구성되는 하부 보트로 구성되는 개별 보트로 구현되고,
    상기 다중 기판 열처리 챔버는 상기 열처리 공간 내에서 상기 제 2 상부 다중 기판 및 상기 제 1 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    다중 기판 열처리 챔버.
  12. 제 9항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현되고,
    상기 상부 및 하부 하우징은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현되는
    다중 기판 열처리 챔버.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 복수의 상부 및 하부 열원의 출력 파워는 각각 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는 다중 기판 열처리 챔버.
  14. 제 10항 또는 제 11항에 있어서,
    상기 복수의 상부 및 하부 열원과 상기 복수의 중간 열원의 출력 파워는 각각 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는 다중 기판 열처리 챔버.
  15. 삭제
  16. 기판 열처리 장치에 있어서,
    각각이 다중 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버;
    상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및
    상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어
    를 포함하고,
    상기 복수의 챔버는 각각
    상기 다중 기판의 상기 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징;
    상기 다중 기판이 함께 장착되는 단일 홀더;
    상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 보트;
    상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및
    상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원
    을 포함하며,
    상기 다중 기판은 상부 다중 기판 및 하부 다중 기판이고,
    상기 단일 홀더는 상기 상부 다중 기판이 함께 장착되는 상부 단일 홀더, 및 상기 하부 다중 기판이 함께 장착되는 하부 단일 홀더로 구성되며,
    상기 상부 및 하부 단일 홀더는 상기 보트에 함께 로딩 및 지지되는
    기판 열처리 장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 보트는 상기 상부 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 상부 보트, 및 상기 하부 단일 홀더가 로딩 및 지지되는 하부 보트로 구성되는 단일 보트로 구현되고,
    상기 복수의 챔버는 각각 상기 열처리 공간 내에서 상기 상부 다중 기판 및 상기 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    기판 열처리 장치.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 다중 기판은 제 1 및 제 2 상부 다중 기판, 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판으로 구성되고,
    상기 단일 홀더는 상기 제 1 상부 다중 기판이 함께 장착되는 제 1 상부 단일 홀더와 상기 제 2 상부 다중 기판이 함께 장착되는 제 2 상부 단일 홀더로 구성되는 상부 단일 홀더, 및 상기 제 1 하부 다중 기판이 함께 장착되는 제 1 하부 단일 홀더와 상기 제 2 하부 다중 기판이 함께 장착되는 제 2 하부 단일 홀더로 구성되는 하부 단일 홀더로 구성되며,
    상기 보트는 상기 제 1 및 제 2 상부 단일 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 상부 단일 보트로 구성되는 상부 단일 보트, 및 상기 제 1 및 제 2 하부 단일 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 하부 단일 보트로 구성되는 하부 단일 보트로 구성된 개별 보트로 구현되고,
    상기 다중 기판 열처리 챔버는 상기 열처리 공간 내에서 상기 제 2 상부 다중 기판 및 상기 제 1 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    기판 열처리 장치.
  19. 삭제
  20. 기판 열처리 장치에 있어서,
    각각이 다중 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버;
    상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및
    상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어
    를 포함하고,
    상기 복수의 챔버는 각각
    상기 다중 기판의 상기 열처리 공간을 형성하도록 제공되는 상부 및 하부 하우징;
    상기 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 개별 홀더;
    상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 보트;
    상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 및
    상기 상부 및 하부 하우징 내에 각각 제공되는 복수의 상부 및 하부 열원
    을 포함하며,
    상기 다중 기판은 상부 다중 기판 및 하부 다중 기판으로 구현되고,
    상기 복수의 개별 홀더는 상기 상부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 상부 개별 홀더, 및 상기 하부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 하부 개별 홀더로 구성되며,
    상기 보트는 상기 복수의 상부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 상부 보트, 및 상기 복수의 하부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 하부 보트로 구성되는 단일 보트로 구현되는
    기판 열처리 장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 보트는 상기 복수의 상부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 상부 보트, 및 상기 복수의 하부 개별 홀더가 함께 로딩 및 지지되는 하부 보트로 구성되는 개별 보트로 구현되고,
    상기 복수의 챔버는 각각 상기 열처리 공간 내에서 상기 상부 다중 기판 및 상기 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    기판 열처리 장치.
  22. 제 20항에 있어서,
    상기 다중 기판은 제 1 및 제 2 상부 다중 기판, 및 제 1 및 제 2 하부 다중 기판으로 구성되고,
    상기 복수의 개별 홀더는 상기 제 1 상부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 1 상부 개별 홀더와 상기 제 2 상부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 2 상부 개별 홀더로 구성되는 복수의 상부 개별 홀더, 및 상기 제 1 하부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 1 하부 개별 홀더와 상기 제 2 하부 다중 기판이 각각 장착되는 복수의 제 2 하부 개별 홀더로 구성되는 복수의 하부 개별 홀더로 구성되며,
    상기 보트는 상기 제 1 및 제 2 상부 개별 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 상부 보트로 구성되는 상부 보트, 및 상기 제 1 및 제 2 하부 개별 홀더가 각각 함께 로딩 및 지지되는 제 1 및 제 2 하부 보트로 구성되는 하부 보트로 구성되는 개별 보트로 구현되고,
    상기 다중 기판 열처리 챔버는 상기 열처리 공간 내에서 상기 제 2 상부 다중 기판 및 상기 제 1 하부 다중 기판 사이에 제공되는 복수의 중간 열원을 추가로 포함하는
    기판 열처리 장치.
KR1020130155420A 2013-06-20 2013-12-13 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 KR101539758B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130070815 2013-06-20
KR1020130070815 2013-06-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140147654A KR20140147654A (ko) 2014-12-30
KR101539758B1 true KR101539758B1 (ko) 2015-07-28

Family

ID=52676384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130155420A KR101539758B1 (ko) 2013-06-20 2013-12-13 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101539758B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323486A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハ熱処理装置及びそれを用いたウエハの熱処理方法
KR20100026274A (ko) * 2008-08-29 2010-03-10 주식회사 테라세미콘 보트
KR20110103630A (ko) * 2010-03-15 2011-09-21 주식회사 티지솔라 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법
KR101155026B1 (ko) * 2011-11-28 2012-06-12 남원식 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323486A (ja) * 1999-05-07 2000-11-24 Toshiba Ceramics Co Ltd ウエハ熱処理装置及びそれを用いたウエハの熱処理方法
KR20100026274A (ko) * 2008-08-29 2010-03-10 주식회사 테라세미콘 보트
KR20110103630A (ko) * 2010-03-15 2011-09-21 주식회사 티지솔라 배치식 에피택셜층 형성장치 및 그 형성방법
KR101155026B1 (ko) * 2011-11-28 2012-06-12 남원식 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140147654A (ko) 2014-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101016048B1 (ko) 배치식 열처리 장치
KR101428570B1 (ko) 기판 열처리용 가스 급배기 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 장치
KR101157192B1 (ko) 배치식 기판 처리 장치
KR20140007523A (ko) 가변 파장을 이용한 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101508752B1 (ko) 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법
KR101354600B1 (ko) 개선된 보트, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR102194898B1 (ko) 기판 열처리 챔버에 사용되는 도어, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101462460B1 (ko) 기판 열처리용 챔버의 분할된 윈도우 플레이트 지지 장치, 및 이를 구비한 기판 열처리용 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101539758B1 (ko) 다중 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR20150110206A (ko) 열처리 장치
KR101390510B1 (ko) 기판 열처리 챔버용 히팅 장치, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버
KR101464662B1 (ko) 개선된 보트, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101428569B1 (ko) 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법
KR101547458B1 (ko) 개선된 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101420712B1 (ko) 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101404069B1 (ko) 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101374752B1 (ko) 기판 온도 측정 및 제어 시스템을 구비한 기판 열처리 챔버, 장치 및 방법
KR101370879B1 (ko) 기판 열처리 챔버용 견시창, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버, 장치 및 방법
KR101544005B1 (ko) 개선된 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101431564B1 (ko) 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치
KR101593493B1 (ko) 대면적 유리기판 열처리 장치
KR101167989B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101381205B1 (ko) 기판 온도 측정 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101420705B1 (ko) 챔버 하우징과 플레이트 하우징 간의 실링 장치 및 방법, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치
KR101561094B1 (ko) 개선된 바 타입 보트, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180711

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190709

Year of fee payment: 5