KR200459392Y1 - 히터블록 - Google Patents
히터블록 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200459392Y1 KR200459392Y1 KR2020100004522U KR20100004522U KR200459392Y1 KR 200459392 Y1 KR200459392 Y1 KR 200459392Y1 KR 2020100004522 U KR2020100004522 U KR 2020100004522U KR 20100004522 U KR20100004522 U KR 20100004522U KR 200459392 Y1 KR200459392 Y1 KR 200459392Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heater
- heater block
- fixing
- unit
- block
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000000306 component Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
배치식 기판처리 장치에서 기판처리 공간을 제공하는 챔버의 내측에 히터를 고정하고 히터의 발열 동작 도중 히터의 이탈을 방지하고 히터블록이 파손되지 않도록 하는 히터블록이 개시된다.
본 고안에 따른 히터 블록(100)은 배치식 기판처리 장치의 복수개의 기판에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버의 외측에서 히터를 고정하는 히터블록으로서, 히터블록(100)은 복수개의 단위히터블록(100)이 연속적으로 적층되어 이루어지고, 단위히터블록(100)은, 몸체(210); 히터(4)를 고정하는 변형 방지부(220); 연속적으로 적층되어 있는 복수개의 단위히터블록(100)을 연결 고정하는 제1 고정핀(232); 및 제1 고정핀(232)이 삽입되는 제1 고정홀(230)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 고안에 따른 히터 블록(100)은 배치식 기판처리 장치의 복수개의 기판에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버의 외측에서 히터를 고정하는 히터블록으로서, 히터블록(100)은 복수개의 단위히터블록(100)이 연속적으로 적층되어 이루어지고, 단위히터블록(100)은, 몸체(210); 히터(4)를 고정하는 변형 방지부(220); 연속적으로 적층되어 있는 복수개의 단위히터블록(100)을 연결 고정하는 제1 고정핀(232); 및 제1 고정핀(232)이 삽입되는 제1 고정홀(230)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 고안은 반도체 또는 평판 디스플레이 제조를 위한 기판처리 장치용 챔버의 히터블록에 관한 것이다. 보다 상세하게는 배치식 기판처리 장치에서 기판처리 공간을 제공하는 챔버의 외측에 히터를 고정하고 히터의 발열 동작 도중 히터의 이탈을 방지하고 히터블록이 파손되지 않도록 하는 히터블록에 관한 것이다.
반도체 또는 평판 디스플레이 제조시 사용되는 대면적 기판 처리 시스템은 크게 증착 장치와 어닐링 장치로 구분될 수 있다.
증착 장치는 반도체 또는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 단계를 담당하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 화학 증착 장치와 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리 증착 장치가 있다. 또한, 어닐링 장치는 증착 공정 후에 결정화, 상 변화 등을 위해 수반되는 기판처리 단계를 담당하는 장치이다.
예를 들자면, LCD의 경우에 있어서, 대표적인 증착 장치로는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)의 액티브 물질에 해당하는 비정질 실리콘을 유리 기판 상에 증착하는 실리콘 증착 장치가 있고, 대표적인 어닐링 장치로는 유리 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.
일반적으로, 증착 공정과 어닐링 공정은 모두 기판을 소정의 온도로 히팅이 가능한 기판처리 장치의 사용이 필수적이다.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리 장치에서 히터블록(1)의 내측에 설치된 히터(4)를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 발열체로 이루어지는 히터(4)는 발열량의 증가를 위해 소정의 두께와 폭을 갖는 플레이트 형상의 발열체를 절곡하여 형성하되,‘∪’또는‘∩’자 형태의 절곡부(4a)가 연속적으로 연결되어 형성되어 있음을 도시하고 있다.
히터블록(1)에 설치된 히터(4)의 고정 상태 유지를 위해‘ㄷ’형태의 고정핀(7)이 히터(4)의 절곡부(4a)를 감싸도록 설치되고 고정핀(7)의 양단은 히터블록(1)의 내주면에 고정되어 있다.
그러나, 상술한 바와 같은 히터(4)는 발열 동작 도중 전체적인 형상이 변형되는 문제점이 있었다. 즉, 히터(4)는 발열되는 열에 의하여 팽창하게 되는데, 이때‘∪’또는‘∩’자 형태로 형성된 히터(4)의 절곡부는 발열 동작시 내측보다 외측의 열 팽창 정도가 크기 때문에, 히터(4)의 온도가 상승 및 하강을 반복함에 따라 히터(4)의 전체적인 형상이 변형되고 심하면 히터(4)가 단선되어 버리는 문제점이 있었다.
또한, 히터(4)의 고정 정도를 높이면 히터(4)의 변형시 발생되는 변형력에 의해 히터블록이 파손되는 등의 손상을 입거나 히터블록에서 히터(4)가 이탈되는 문제점이 있었다.
이에 본 고안은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 배치식 기판처리 장치의 챔버에 기판이 로딩된 후 기판 처리를 위해 히터가 발열 동작을 수행하는 도중 히터의 변형을 방지할 수 있도록 하는 히터블록을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 고안은 배치식 기판처리 장치의 챔버에 히터를 고정하는 히터블록에 히터의 절곡부를 고정하는 변형 방지부를 형성하여 히터의 발열 동작 도중 히터의 변형에 의해 히터가 히터블록에서 이탈하는 것을 방지할 수 있는 히터블록을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 고안은 배치식 기판처리 장치의 챔버에 히터를 고정하는 히터블록을 복수개로 연결하고 챔버의 커버에도 연결하여 히터의 변형에 의해 히터의 변형력이 히터블록에 인가되어도 히터블록이 손상을 입는 것을 방지할 수 있는 히터블록을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 배치식 기판처리 장치의 복수개의 기판에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버의 외측에서 히터를 고정하는 히터블록으로서, 상기 히터블록은 복수개의 단위히터블록이 연속적으로 적층되어 이루어지고, 상기 단위히터블록은, 몸체; 상기 히터를 고정하는 변형 방지부; 연속적으로 적층되어 있는 복수개의 상기 단위히터블록을 연결 고정하는 제1 고정핀; 및 상기 제1 고정핀이 삽입되는 제1 고정홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 히터는 복수개의 절곡부를 포함하며, 상기 절곡부는“∪” 또는 “∩” 형상을 가질 수 있다.
상기 히터는 복수개의 절곡부를 포함하며. 상기 절곡부는“∨” 또는 “∧” 형상을 가질 수 있다.
상기 변형 방지부는 상기 절곡부에 밀착될 수 있다.
상기 히터의 재질은 칸탈 또는 슈퍼 칸탈을 포함할 수 있다.
상기 단위히터블록과 상기 배치식 기판처리 장치의 외측 커버를 연결하는 제2 고정핀; 및 상기 제2 고정핀이 삽입되는 제2 고정홀을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 고정핀은 상기 단위히터블록 각각에 연결될 수 있다.
상기 제1 및 제2 고정핀의 재질은 세라믹을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 고정핀은 상기 단위히터블록에서 분리 가능하게 연결될 수 있다.
상기 히터블록은 상기 챔버의 외형에 대응하여 배치될 수 있다.
상기와 같은 본 고안은 배치식 기판처리 장치의 챔버에 기판이 로딩된 후 기판 처리를 위해 히터가 발열 동작을 수행하는 도중 히터의 절곡부를 밀착 고정함으로써 히터의 변형을 방지하는 효과를 갖는다.
또한, 본 고안은 배치식 기판처리 장치의 챔버에 히터를 고정하는 히터블록을 복수개로 연결하고 챔버의 커버에도 연결하여 히터의 변형시 히터의 변형력이 히터블록에 인가되어도 히터블록이 손상을 입는 것을 방지하는 효과를 갖는다.
또한, 본 고안의 히터의 발열 동작 도중 히터가 변형되어도 히터가 히터블록에서 이탈하는 것이 방지되는 효과를 갖는다.
도 1은 종래기술에 따른 기판 처리 장치에서 히터블록의 내측에 설치된 히터를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 히터블록에 의해 히터가 고정된 상태를 나타내는 정면도이다.
도 3은 도 2의 A-A선의 단면도이다.
도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 히터블록의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 히터블록에 의해 히터가 고정된 상태를 나타내는 정면도이다.
도 3은 도 2의 A-A선의 단면도이다.
도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 히터블록의 구성을 나타내는 평면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
복수개의 기판에 대하여 기판처리 공간을 제공하기 위한 챔버가 설치되고, 챔버의 내부에는 복수개의 기판이 로딩되는 보트가 설치되는 것은 종래의 기술과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 종래의 기술과 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용한다.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 기판처리 장치용 히터블록(100)에 의해 히터가 고정된 상태를 나타내는 정면도이다.
도 3은 도 2의 A-A선의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 히터블록(100)은 복수개의 단위히터블록(200)이 연속적으로 적층되어 이루어지고 있음을 알 수 있다.
또한, 복수개가 적층되어 있는 단위히터블록(200)은 후술하는 제1 고정핀(232)에 의해 상부와 하부의 단위히터블록(200)이 연결되어 적층 상태가 유지된다. 제1 고정핀(232)에 의한 단위히터블록(200)의 연결은 후술하기로 한다.
도 2와 도 3을 참조하면, 히터블록(100)을 구성하는 단위히터블록(200)은 몸체(210), 변형 방지부(220), 제1 고정홀(230) 및 제2 고정홀(240)을 포함한다.
우선, 히터블록(100)의 내측면에 설치되는 히터(4)는 소정의 두께와 폭을 갖는 플레이트 형상의 발열체를 절곡하여 형성되되, 절곡부(4a)는 “∪” 또는 “∩”형상으로 형성되어 있으며, 상기의 형상이 서로 번갈아 연속적으로 연결되어 히터(4)를 구성하고 있다. 여기서, 도시되지는 않았으나, 절곡부(4a)는 “∨” 또는 “∧” 형상으로 형성되고, 상기의 형상이 서로 번갈아 연속적으로 연결되어 히터(4)를 구성할 수도 있다.
또한, 히터(4)의 형상은 사용자의 필요에 따라 다양하게 형성될 수 있다.
히터(4)의 재질은 칸탈(kanthal) 또는 슈퍼 칸탈(super kanthal)(MoSi2)일 수 있다.
슈퍼 칸탈은 전기로, 전기 용해로, 전자 부품의 소결로 등 금속 발열체나 저온용 탄화규소 발열체를 사용할 수 없는 초고온 분위기에서 사용하는 초고온 발열체로서 1700℃까지 사용할 수 있는 발열체이다.
몸체(210)는 단위히터블록(200)의 기본적인 형태를 구성한다. 몸체(210)는 상부 또는 하부에 이웃하는 단위히터블록(200)의 몸체(210)와 연결된다.
단위히터블록(200)에 형성된 변형 방지부(220)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 몸체(210)에 삽입 설치된 히터(4)에 밀접하며 히터(4)가 단위히터블록(200)에 밀착된 상태를 유지하여 발열 동작 도중 히터(4)의 변형을 방지할 수 있도록 한다.
변형 방지부(220)는 절곡부(4a)를 커버하며 절곡부(4a)를 지지할 수 있다.
도 3을 참조하면, 변형 방지부(220)는 ‘Ｔ’형태의 단면(斷面) 구조를 갖는 형태로서, 몸체(210)의 내측면(즉, 챔버를 향한 면) 중앙에서 챔버(미도시)를 향하여 돌출 형성되어 있다. 즉, 변형 방지부(220)의 일측면 및 타측면은 몸체(210)에 설치된 어느 하나의 히터(4)의 일측 및 다른 하나의 히터(4)의 타측을 덮는 형태로 구성되어 히터(4)의 변형을 방지한다.
변형 방지부(220)는 변형 방지부(220)의 상부에 양측으로 돌출된 부위가 변형 방지부(220)의 상부 및 하부에 각각 위치되어 있는 히터(4)의 절곡부(4a)에 밀착하며 히터(4)를 고정한다. 따라서, 변형 방지부(220)의 돌출 정도는 사용되는 히터(4)의 두께에 따라 변동될 수 있다. 또한, 변형 방지부(220)는 몸체(210)의 내측면 중앙에 형성되어 있으나, 히터(4)를 용이하게 고정한다면 몸체(210)의 내측면 하부 또는 상부에 형성될 수도 있다.
변형 방지부(220)는 몸체(210)를 따라 몸체(210)와 평행하게 연속적으로 형성되어 있으나 그 형태는 여러 형태로 변형될 수 있다. 즉, 변형 방지부(220)는 연속적으로 형성될 수 있지만, 절곡부(4a)를 커버할 수 있다면 히터(4)의 절곡부(4a)가 형성되는 위치에 육면체 형태로 돌출 형성될 수도 있고, 절곡부와 같은 곡률의 원호 형태로 형성될 수도 있다. 이외에도 변형 방지부(220)는 사용자의 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
또한, 복수개의 단위히터블록(200)은 제1 고정핀(232)에 의해 서로 연결되어 있음을 도시하고 있다.
이를 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
단위히터블록(200)은 챔버(미도시)의 외측에 복층으로 적재되어 챔버의 외측을 둘러쌓는다. 그리고, 단위히터블록(200)의 외측에는 외측 커버(110)가 배치된다.
단위히터블록(200)의 몸체(210)에는 제1 및 제2 고정홀(230, 240)이 각각 형성된다. 히터블록(100)은 후술하는 제2 고정핀(242)에 의해 외측 커버(110)와 연결된다.
제1 고정홀(230)은 몸체(210)의 소정 위치에 적어도 하나 이상으로 수직으로 형성된다. 또한, 제1 고정홀(230)은 단위히터블록(200)의 상부 또는 하부에 위치하고 있는 다른 단위히터블록(200)의 몸체(210)에 형성된 제1 고정홀(230)과 일치하도록 형성된다.
제1 고정홀(230)에는 제1 고정핀(232)이 삽입 고정되어, 단위히터블록(200)의 적층 상태를 유지할 수 있다.
본 실시예에서는 제1 고정홀(230)이 수직으로 형성되어, 제1 고정핀(232)을 제1 고정홀(230)에 삽입한 후 고정함으로써 상하로 적재되어 있는 복수개의 단위히터블록(200)을 연결하지만, 복수개의 단위히터블록(200)을 연결할 수 있다면, 제1 고정홀(230)은 수평으로 형성되어, 양측에 위치하고 있는 복수개의 단위히터블록(200)을 서로 연결할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 제1 고정핀(232)은 상하로 적재되어 있는 3개의 단위히터블록(200)을 연결하지만, 제1 고정핀(232)에 의해 연결되는 단위히터블록(200)의 개수는 사용자의 필요에 따라서 3개 이하 또는 3개 이상이 될 수 있다.
제2 고정홀(240)에는 제2 고정핀(242)이 삽입된다. 제2 고정핀(242)은 각각의 단위히터블록(200)을 외측 커버(110)에 연결하도록 한다. 제2 고정핀(242)은 단위히터블록(200)과 외측 커버(110)를 연결하여, 단위히터블록(200)에 히터(4)의 발열 동작 도중 발생된 변형력이 인가되었을 때 이를 커버(110)로 전달하며 분산시킴으로써 단위히터블록(200)의 파손을 방지한다.
도면에서 제2 고정홀(240)은 각 단위히터블록(200)에 단일개로 형성되어 있으나, 외측 커버(110)와의 결합력 증대를 위해 그 이상의 개수로 형성될 수도 있다.
한편, 도면에서는 단위히터블록(200)의 몸체(210)에 제2 고정홀(240)이 형성되는 것으로 도시되어 있으나 본 고안이 반드시 이러한 구조에 한정되는 것은 아니다. 즉, 단위히터블록(200)끼리 연결시 단위히터블록(200) 사이의 일정 공간을 제2 고정홀(240)로 대체하고 이 공간에 제2 고정핀(242)을 삽입한 후에 이를 외측 커버(110)에 연결할 수도 있다.
제1 고정핀(232)과 제2 고정핀(242)은 제1 및 제2 고정홀(230, 240)에 삽입 고정되며, 히터블록(100)의 수리 및 정비 시에는 분리할 수 있도록 연결된다.
제1 고정핀(232)과 제2 고정핀(242)의 재질은 세라믹을 포함한다.
도 4는 본 고안의 일 실시예에 따른 히터블록의 구성을 나타내는 평면도이다.
도 4에서 본 고안의 이해를 용이하게 하기 위해 챔버의 도시는 생략하였다. 또한, 도면의 도시를 간략화 하기 위해 히터블록(100)의 일부분만을 도시하였다.
도 4를 참조하면, 단위히터블록(200)은 챔버의 외형에 대응하는 형태로 형성된다. 즉, 챔버가 원형으로 형성되어 있는 경우, 단위히터블록(200)의 적재를 용이하게 하기 위해 몸체(210)는 소정의 곡률을 갖는 원호 형태로 형성될 수 있다.
그리고, 단위히터블록(200)의 제1 고정핀(232)에 의해 연결되어 있다.
이외에도 도시되어 있지는 않으나, 챔버가 사각형으로 형성되어 있는 경우에는 단위히터블록(200)의 몸체(210)는 직육면체 형태로 형성될 수 있고, 단위히터블록(200)은 외측 커버(110)의 내주면을 따라 사각형으로 배치된다.
상기와 같이 구성된 본 고안의 경우, 복수개의 단위히터블록(200)이 적재되어 히터블록(100)을 형성하고, 히터블록(100)의 내측면에는 변형 방지부(220)에 의해 히터(4)가 고정되어 히터(4)의 동작시 히터(4)의 변형을 방지한다.
또한, 복수개의 단위히터블록(200)은 제1 고정핀(232)에 의해 연결되어 있고, 각각의 단위히터블록(200)은 제2 고정핀(242)에 의해 챔버 외측의 외측 커버(110)에 연결되어 있어, 히터(4)의 변형력이 단위히터블록(200)으로 전달되었을 때 변형력을 분산시켜 히터블록(100)의 손상을 방지한다.
본 고안은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 고안의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 고안과 첨부된 실용신안등록청구범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
4: 히터
100: 히터블록
110: 외측커버
200: 단위히터블록
210: 몸체
220: 변형 방지부
230: 제1 고정홀
232: 제1 고정핀
240: 제2 고정홀
242: 제2 고정핀
100: 히터블록
110: 외측커버
200: 단위히터블록
210: 몸체
220: 변형 방지부
230: 제1 고정홀
232: 제1 고정핀
240: 제2 고정홀
242: 제2 고정핀
Claims (10)
- 배치식 기판처리 장치의 복수개의 기판에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버의 외측에 설치되어 히터를 고정하는 히터블록으로서,
상기 히터블록은 복수개의 단위히터블록이 연속적으로 적층되어 이루어지고,
상기 단위히터블록은,
상기 히터가 설치되는 몸체;
상기 히터의 일측 및 타측 부위를 덮는 형태로 상기 몸체에 형성되며, 상기 몸체에 설치된 상기 히터와 밀착된 상태를 유지하여 상기 히터를 고정하는 단면(斷面)이 “T” 형상인 변형 방지부;
연속적으로 적층되어 있는 복수개의 상기 단위히터블록을 연결 고정하는 제1 고정핀; 및
상기 제1 고정핀이 삽입되는 제1 고정홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제1항에 있어서,
상기 히터는 복수개의 절곡부를 포함하며,
상기 절곡부는“∪” 또는 “∩” 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제1항에 있어서,
상기 히터는 복수개의 절곡부를 포함하며,
상기 절곡부는“∨” 또는 “∧” 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 변형 방지부는 상기 절곡부에 밀착되는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제1항에 있어서,
상기 히터의 재질은 칸탈을 포함하는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제1항에 있어서,
상기 단위히터블록과 상기 배치식 기판처리 장치의 외측 커버를 연결하는 제2 고정핀; 및
상기 제2 고정핀이 삽입되는 제2 고정홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제6항에 있어서,
상기 제2 고정핀은 상기 단위히터블록 각각에 연결되는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제6항에 있어서,
상기 제1 및 제2 고정핀의 재질은 세라믹을 포함하는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제6항에 있어서,
상기 제1 및 제2 고정핀은 상기 단위히터블록에서 분리 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는 히터블록. - 제1항에 있어서,
상기 히터블록은 상기 챔버의 외형에 대응하여 배치되는 것을 특징으로 하는 히터블록.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020100004522U KR200459392Y1 (ko) | 2010-04-29 | 2010-04-29 | 히터블록 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020100004522U KR200459392Y1 (ko) | 2010-04-29 | 2010-04-29 | 히터블록 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110010416U KR20110010416U (ko) | 2011-11-04 |
| KR200459392Y1 true KR200459392Y1 (ko) | 2012-03-23 |
Family
ID=47625898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020100004522U KR200459392Y1 (ko) | 2010-04-29 | 2010-04-29 | 히터블록 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200459392Y1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060070482A (ko) * | 2003-05-23 | 2006-06-23 | 엠알엘 인더스트리즈, 인크. | 고온확산로의 가열코일용 보유지지기구 |
-
2010
- 2010-04-29 KR KR2020100004522U patent/KR200459392Y1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060070482A (ko) * | 2003-05-23 | 2006-06-23 | 엠알엘 인더스트리즈, 인크. | 고온확산로의 가열코일용 보유지지기구 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110010416U (ko) | 2011-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101136892B1 (ko) | 디스플레이 장치 제조공정용 세라믹 평판 히터 | |
| US20160060756A1 (en) | Chemical vapor deposition apparatus | |
| US20150270150A1 (en) | Boat | |
| US8876976B2 (en) | Chemical vapor deposition apparatus for equalizing heating temperature | |
| TWI653697B (zh) | 用於減少熱能傳輸之基板載體及其使用及應用其之系統 | |
| CN104576445A (zh) | 批处理式基板处理装置 | |
| JP3058901B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| KR200459392Y1 (ko) | 히터블록 | |
| JP4709862B2 (ja) | 大面積基板処理システムのサセプタ・ヒータアセンブリ | |
| KR100951688B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| KR101039152B1 (ko) | 보트 | |
| KR101394325B1 (ko) | 히터 및 그 제조방법 | |
| KR20100062143A (ko) | 열처리 장치 | |
| KR101390510B1 (ko) | 기판 열처리 챔버용 히팅 장치, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버 | |
| JP2005133216A (ja) | 蒸着工程装置用サセプタ及びその製造方法 | |
| KR101167989B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101039151B1 (ko) | 보트 | |
| KR20090115002A (ko) | 홀더 스테이지 | |
| JP2007309540A (ja) | 熱板、複合熱板及びこれらを備えた加熱炉 | |
| KR101380781B1 (ko) | 기판용 지지 유닛 및 이를 사용한 기판 처리 장치 | |
| KR100971750B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| KR101723576B1 (ko) | 열처리 장치의 적층형 챔버 구조 | |
| KR20200106309A (ko) | 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 | |
| CN112635311A (zh) | 半导体器件的栅氧形成方法 | |
| KR101842602B1 (ko) | 열처리 장치의 가열부재 상에 기판을 지지하는 구조 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150309 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160218 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170310 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180314 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190123 Year of fee payment: 8 |