KR20200106309A - 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 - Google Patents
기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200106309A KR20200106309A KR1020190024656A KR20190024656A KR20200106309A KR 20200106309 A KR20200106309 A KR 20200106309A KR 1020190024656 A KR1020190024656 A KR 1020190024656A KR 20190024656 A KR20190024656 A KR 20190024656A KR 20200106309 A KR20200106309 A KR 20200106309A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reactor
- frame
- substrate processing
- processing apparatus
- vertical
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 21
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 21
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치가 개시된다. 본 발명의 기판처리 장치의 반응기는, 대면적 대형 기판에 대응하는 기판처리 장치의 반응기의 제조를 가능하게 하고, 다양한 형태로 제작할 수 있어 적용 범위를 확대할 수 있다.
Description
본 발명은 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 대면적 대형 기판에 대응하는 기판처리 장치의 반응기의 제조를 가능하게 하고, 다양한 형태로 제작할 수 있어 적용 범위를 확대할 수 있는 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치에 관한 것이다.
기판처리 장치는, 평판 디스플레이, 반도체, 태양전지 등의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다. 이 중에서 어닐링 장치는 기판에 막을 증착을 한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.
종래의 열처리 장치는 대략 종형 또는 육면체 형상을 가지며, 석영 재질로 구성된다. 하지만, 최근에 기판이 대형화 되는 실정을 고려하면, 석영 재질의 열처리 장치를 대형화 하는 것은 난이도 및 비용적인 측면에서 효율적이지 않다. 한편, 금속 재질로 대형 열처리 장치를 구성할 수도 있으나, 내구성 면에서 좋지 않고, 각 구성요소를 연결하기 위해 용접 공정을 수행해야 하므로 제조 비용 및 시간이 증가하는 문제점이 있다.
또한, 열처리 장치가 대형화되고, 다양한 형태로 제조될수록 외부 환경과의 실링 문제도 고려해야 할 사항이다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 대면적 대형 기판을 처리할 수 있는 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 대형의 반응기 제조를 용이하게 하고, 다양한 형태로 제작하여 적용 범위를 확대할 수 있는 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 재질의 선정이 다양해지고, 제작의 효율성을 향상시킬 수 있는 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 기판이 처리되는 기판처리 장치의 반응기(reactor)로서, 반응기는 하부가 개방되고, 반응기 측부 및 반응기 상부가 적어도 하나의 단열판을 포함하여 폐쇄된 형상을 가지며, 반응기 측부는, 복수의 수직 프레임; 이웃하는 한쌍의 수직 프레임을 연결하는 복수의 수평 프레임; 및 수직 프레임 및 수평 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판을 포함하는, 기판처리 장치의 반응기에 의해 달성된다.
반응기 상부는, 반응기 측부의 최상단에 배치되는 수평 프레임 또는 수직 프레임에 양단이 연결되는 적어도 하나의 상부 프레임; 및 수직 프레임, 수평 프레임 및 상부 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판을 포함할 수 있다.
반응기 상부는 복수의 상부 프레임을 포함하고, 상부 프레임은, 제1 방향으로 배치되는 적어도 하나의 제1 상부 프레임; 및 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배치되는 적어도 하나의 제2 상부 프레임을 포함할 수 있다.
제1 상부 프레임의 양단은 수직 프레임의 상단에 연결되고, 제2 상부 프레임은 수평 프레임의 상단에 연결될 수 있다.
반응기 측부는 다각 기둥 형상을 가질 수 있다.
반응기 측부를 구성하는 하나의 면 상에서, 복수의 수직 프레임은 수평 방향을 따라 일정 간격으로 배치되고, 이웃하는 한쌍의 수직 프레임을 연결하는 복수의 수평 프레임은 수직 방향을 따라 일정 간격으로 배치될 수 있다.
수직 프레임의 두측에는 지지 돌출부가 형성되고, 지지 돌출부 상에 수평 프레임의 일단이 연결될 수 있다.
지지 돌출부와 수평 프레임의 일단에는 체결공이 형성되고, 체결공 내에 체결구가 삽입될 수 있다.
수직 프레임, 수평 프레임 중 적어도 어느 하나에는 단열판의 테두리의 적어도 일부가 삽입되는 삽입홈이 형성될 수 있다.
상부 프레임에는 단열판의 테두리의 적어도 일부가 수용되는 수용홈이 형성될 수 있다.
반응기 측부의 최상단에 배치되는 수직 프레임, 수평 프레임 중 적어도 하나에는 단열판의 테두리의 적어도 일부가 수용되는 수용홈이 형성될 수 있다.
수직 프레임 또는 수평 프레임의 상측에 상부 프레임의 양단 하측이 연결될 수 있다.
삽입홈 내에 탄성 수단이 배치되고, 탄성 수단은 단열판의 테두리를 삽입홈의 일측으로 밀어서 고정시킬 수 있다.
반응기 상부는 평면 형상, 돔 형상, 수직 방향으로 곡률을 포함하는 형상 중 어느 하나일 수 있다.
단열판의 재질은 석영, 세라믹, 글래스 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 본 발명의 상기의 목적은, 적어도 하나의 기판이 처리되는 기판처리 장치로서, 기판이 처리되는 챔버 공간을 제공하는 반응기(reactor); 반응기를 지지하는 프레임; 및 적어도 하나의 기판이 적재되는 보트를 상하 방향으로 이동시키는 기판 적재 및 승강 수단을 포함하고, 반응기는 하부가 개방되고, 반응기 측부 및 반응기 상부가 적어도 하나의 단열판을 포함하여 폐쇄된 형상을 가지는, 기판처리 장치에 의해 달성된다.
반응기 측부는, 복수의 수직 프레임; 이웃하는 한쌍의 수직 프레임을 연결하는 복수의 수평 프레임; 및 수직 프레임 및 수평 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판을 포함할 수 있다.
반응기 상부는, 반응기 측부의 최상단에 배치되는 수평 프레임 또는 수직 프레임에 양단이 연결되는 적어도 하나의 상부 프레임; 및 수직 프레임, 수평 프레임 및 상부 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판을 포함할 수 있다.
반응기와 연통되도록 형성되며, 반응기 내부 공간에 기판처리 가스를 공급하는 가스 공급부; 및 반응기와 연통되도록 형성되며, 반응기 내부 공간의 기판처리 가스를 배출하는 가스 배출부를 더 포함할 수 있다.
보트가 승강 수단의 상사점에 위치하면 반응기의 챔버 공간이 밀폐될 수 있다.
기판처리 가스가 반응기의 챔버 공간에 공급되면, 챔버 공간의 기압은 반응기의 외부 공간보다 높게 설정될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 대면적 대형 기판을 처리할 수 있는 기판처리 장치의 반응기를 제공하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 대형의 반응기 제조를 용이하게 하고, 다양한 형태로 제작하여 적용 범위를 확대할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 재질의 선정이 다양해지고, 제작의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치의 반응기를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임에 수평 프레임을 연결하는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임과 수평 프레임이 연결된 상태를 나타내는 평단면도이다.
도 4는 도 3의 A 부분 확대 평단면도이다.
도 5는 도 4의 B 부분 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임에 수평 프레임을 연결하는 상태를 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임과 수평 프레임이 연결된 상태를 나타내는 평단면도이다.
도 4는 도 3의 A 부분 확대 평단면도이다.
도 5는 도 4의 B 부분 측단면도이다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기판처리 공정이란 증착 공정, 열처리 공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다. 다만, 이하에서는 열처리 공정으로 상정하여 설명한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판처리 장치의 반응기를 상세히 설명한다.
기판처리 장치는 열처리 장치로서 반응기(reactor; 100), 프레임(미도시), 기판 적재 및 승강 수단(미도시)을 포함할 수 있다.
반응기(100)는 적어도 하나의 기판이 실질적으로 열처리되는 챔버 공간을 제공할 수 있다. 반응기(100)는 하부가 개방되고, 개방된 하부를 통해 적재된 기판들이 상승하여 챔버 공간 내에 위치될 수 있다.
프레임(미도시)은 반응기(100) 및 기판 적재 및 승강 수단(미도시)을 지지하고, 반응기(100)와 프레임 사이에는 매니폴드(미도시)가 연결되어 실링을 수행함과 동시에 반응기(100) 내부로 기판처리 가스 등을 유입시키는 유입로 등을 제공할 수 있다.
기판 적재 및 승강 수단(미도시)의 보트 상에는 복수의 기판들이 적재되고, 승강 수단이 보트를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 승강 수단에 의해 보트가 상사점에 위치하면 적재된 기판들이 반응기(100)의 챔버 공간 내에 위치할 수 있고, 기판처리 공정이 완료되면 승강 수단에 의해 보트가 하사점에 위치하도록 이동할 수 있다. 승강 수단에 의해 보트가 상사점에 위치하면, 보트와 매니폴드가 긴밀히 접촉되어 반응기(100)의 챔버 공간이 밀폐될 수 있다.
한편, 가스 공급부 및 가스 배출부(미도시)가 반응기(100)와 연통되도록 형성될 수 있다. 가스 공급부는 외부의 가스 공급수단(미도시)로부터 기판처리 가스를 전달받아 반응기(100)의 내부 공간에 기판처리 가스를 공급하는 경로를 제공할 수 있다. 가스 배출부는 외부의 가스 배출수단(미도시)에 반응기(100)의 내부 공간에 있는 기판처리 가스를 배출하는 경로를 제공할 수 있다. 기판처리 가스의 공급에 의해, 밀폐된 상태에서 반응기(100)의 챔버 공간의 기압은 반응기(100)의 외부 공간보다 높게 설정될 수 있다. 반응기(100)의 챔버 공간이 양압이 되므로, 반응기(100) 외부로부터 오염 물질, 파티클 등이 챔버 공간 내로 진입하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 기판처리 장치는 기판을 이송하기 위한 이송 로봇(미도시), 반응기(100) 주변에 열을 가하는 히터(미도시) 등을 더 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리 장치(10)의 반응기(100)를 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 반응기(100)는 하부가 개방된 형태이고, 반응기 측부(110) 및 반응기 상부(150)가 면을 구성하며 폐쇄된 형상일 수 있다. 반응기 측부(110)는 다각 기둥 형상일 수 있으나, 본 명세서에서는 사각 기둥 형상을 상정하여 설명한다. 그리고, 반응기 상부(150)는 평면 형상, 돔 형상, 또는 수직 방향으로 소정의 곡률을 포함하는 형상(평판에서 일부가 구부러진 형상) 등일 수 있으나, 본 명세서에서는 평면 형상을 상정하여 설명한다. 반응기 측부(110) 및 상부(150)의 형상은 반드시 도면의 예시 형태에 제한되는 것은 아님을 밝혀둔다.
반응기 측부(110) 및 반응기 상부(150)는 복수의 프레임(120, 130, 160, 170)을 포함할 수 있다. 그리고, 반응기 측부(110) 및 반응기 상부(150)는 적어도 하나의 단열판(101)을 포함할 수 있다. 그리하여, 복수의 프레임(120, 130, 160, 170) 및 단열판(101)의 결합으로 반응기 측부(110)의 면, 반응기 상부(150)의 면을 구성할 수 있다.
단열판(101)은 반응기(100) 내부를 외부의 환경으로부터 단열하는 역할을 하며, 각각의 단열판(101)은 평판 형상인 것이 바람직하나, 돔 형상, 또는 소정의 곡률을 가지는 입체적인 형상일 수도 있다. 단열판(101)은 고온에서의 내열성 및 강성이 우수한 재질인, 석영, 세라믹, 글래스 등을 포함할 수 있다.
반응기 측부(110)는 복수의 수직 프레임(120: 121, 122, 123, ...)과 복수의 수평 프레임(130: 131, 132, ...)을 포함할 수 있다.
수직 프레임(120)은 반응기(100)의 높이에 대응하도록 수직 방향으로 연장 형성될 수 있다. 수직 프레임(120)은 반응기 측부(110)의 모서리에 배치되는 수직 프레임(121, 122)만을 포함할 수도 있고, 반응기 측부(110)의 면 상에 배치되는 수직 프레임(123)을 더 포함할 수도 있다. 도 1에서는 반응기 측부(110)가 사각 기둥 형상이므로, 모서리에 4개의 수직 프레임(121, 122)을 포함하며, 추가적으로 각 면 상에 1개씩, 총 4개의 수직 프레임(123)을 더 포함한다. 수직 프레임(120)의 개수는 반응기 측부(110)의 형태, 반응기 측부(110) 면의 크기 등에 따라 변경될 수 있다.
수평 프레임(130)은 이웃하는 한쌍의 수직 프레임(120)을 연결하도록 수평 방향으로 연장 형성될 수 있다. 도 1의 예에서, 수평 프레임(131)은 이웃하는 한쌍의 수직 프레임(121, 123) 사이에 배치되고, 수평 프레임(132)은 이웃하는 한쌍의 수직 프레임(122, 123) 사이에 배치될 수 있다. 수평 프레임(130)의 양단이 이웃하는 한쌍의 수직 프레임(120)에 체결, 접합 등에 의해 연결될 수 있다.
수직 프레임(120)과 수평 프레임(130)이 연결되고, 남은 빈 공간에는 단열판(101)이 배치될 수 있다. 다시 말해, 수직 프레임(120)과 수평 프레임(130)이 구획하는 영역[빈 영역] 내에 단열판(101)이 배치되어, 폐쇄된 면을 구성할 수 있다. 다른 관점으로, 하나의 단열판(101)의 좌우측은 2개의 수직 프레임(120)과 접하고, 상하측은 2개의 수평 프레임(130)과 접할 수 있다. 도 1에서는 반응기 측부(110)를 구성하는 각 면이, 3개의 수직 프레임(120) 및 10개의 수평 프레임(130)을 포함하고, 이들이 8개의 공간을 구획하여, 8개의 단열판(101)이 배치된 형태가 도시되어 있다.
반응기 측부(110)를 구성하는 하나의 면 상에서, 복수의 수직 프레임(120: 121, 122, 123)은 수평 방향을 따라 일정 간격으로 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 이웃하는 한쌍의 수직 프레임(120)을 연결하는 복수의 수평 프레임(130: 131, 132)은 수직 방향을 따라 일정 간격으로 배치되는 것이 바람직하다. 그리하여, 동일한 형태의 단열판(101)들로서 반응기 측부(110)를 구성할 수 있어, 반응기(100)의 조립이 간편해지는 이점이 있다.
반응기 상부(150)는 하나의 단열판(101)을 포함할 수도 있고, 복수의 단열판(101)을 포함할 수도 있다. 반응기 상부(150)의 테두리를 구성하는 프레임은, 반응기 측부(110)의 최상단에 위치하는 수평 프레임(130)들에 해당할 수 있다. 반응기 측부(110)와 반응기 상부(150)에 배치되는 단열판(101)의 크기, 형태는 동일할 수 있으나, 다르게 형성될 수도 있다.
반응기 상부(150)가 하나의 단열판(101)만을 포함하는 경우에는, 단열판(101)의 테두리를 반응기 측부(110)의 최상단에 위치하는 수평 프레임(130)들이 지지할 수 있다.
반응기 상부(150)가 복수의 단열판(101)을 포함하는 경우에는, 복수의 단열판(101)이 배치되는 영역을 구획할 수 있도록, 반응기 상부(150)는 적어도 하나의 상부 프레임(160, 170)을 포함할 수 있다.
상부 프레임(160, 170)은 반응기 측부(110)의 최상단에 배치되는 수평 프레임(130) 및/또는 수직 프레임(120)에 양단이 연결될 수 있다. 상부 프레임(160)은, 양단이 수직 프레임(120)의 최상단 상에 연결될 수 있다. 또한, 상부 프레임(170)은, 양단이 반응기 측부(110)의 최상단에 배치되는 수평 프레임(130)의 상측 상에 연결될 수 있다.
상부 프레임(160, 170)은 제1 방향으로 배치되는 적어도 하나의 제1 상부 프레임(160) 및 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배치되는 적어도 하나의 제2 상부 프레임(170: 171, 172)을 포함할 수 있다. 제1 상부 프레임(160)은 수직 프레임(120)의 상단에 연결되고, 제2 상부 프레임(170)은 수평 프레임(130)의 상단에 연결될 수 있다.
보다 구체적으로 설명하면, 도 1의 예로, 제1 상부 프레임(160)의 양단은 수직 프레임(123)의 최상단 상에 연결되고, 제2 상부 프레임(170: 171, 172)의 일단은 제1 상부 프레임(160)에 연결되고, 타단은 수평 프레임(130)에 연결될 수 있다. 상부 프레임(160, 170)의 양단 하측이 수직 프레임(120), 수평 프레임(130)의 상측에 연결될 수 있다. 다시 말해, 상부 프레임(160, 170)은 수직 프레임(120), 수평 프레임(130)에 걸쳐질 수도 있고, 견고히 결합될 수도 있다. 도 1에서는 반응기 상부(150)를 구성하는 면이, 1개의 제1 상부 프레임(160) 및 4개의 제2 상부 프레임(170)을 포함하고, 이들이 6개의 공간을 구획하여, 6개의 단열판(101)이 배치된 형태가 도시되어 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임(120)에 수평 프레임(130)을 연결하는 상태를 나타내는 개략도이다. 도 2를 참조하여 보다 구체적으로 수직 프레임(120)과 수평 프레임(130)의 연결 형태를 설명한다.
수직 프레임(120)의 두 측에는 지지 돌출부(125)가 형성될 수 있다. 반응기 측부(110)의 모서리에 배치되는 수직 프레임(121, 122)의 경우에는 인접하는 두 측에 지지 돌출부(125)가 대략 'ㄱ'자 형태로 형성될 수 있고, 반응기 측부(110)의 면 상에 배치되는 수직 프레임(123)의 경우에는 대향하는 두 측(양 측)에 지지돌출부(125)가 대략 'ㅡ'자 형태로 형성될 수 있다.
수평 프레임(130)의 일단부는 지지 돌출부(125)와 연결될 수 있다. 용접, 부착 등의 방식으로 연결될 수도 있고, 체결 수단(126, 127)을 개재하여 연결될 수도 있다.
지지돌출부(125)에는 체결공(126)이 형성될 수 있다. 또한, 수평 프레임(130)의 양단도 지지 돌출부(125)의 형태에 대응하도록 돌출 형성되고, 수평 프레임(130)의 돌출 형성된 양단에 체결공(126)이 형성될 수 있다. 그리고, 볼트 등의 체결구(127)를 지지돌출부(125)의 체결공(126) 및 수평 프레임(130)의 체결공(126)에 삽입하면, 수직 프레임(120)과 수평 프레임(130)이 견고하게 결합될 수 있다.
본 발명은 복수의 수직 프레임(120)과 수평 프레임(130)을 결합함에 따라 반응기(100)를 형성할 수 있으므로, 다양한 형태로 제작할 수 있고, 사이즈의 측면에서 제한이 없다. 그리하여, 대면적 대형 기판을 처리할 수 있는 반응기(100)를 용이하게 제조할 수 있는 이점이 있다.
도 2를 다시 참조하면, 수직 프레임(120), 수평 프레임(130) 중 적어도 어느 하나에는 삽입홈(G)이 형성될 수 있다. 단열판(101)을 견고하게 지지하기 위해서는 수직 프레임(120) 및 수평 프레임(130)의 두 측에 삽입홈(G)이 형성되는 것이 바람직하다. 삽입홈(G)에는 단열판(101)의 테두리가 삽입될 수 있다. 단열판(101)의 좌우측 테두리는 수직 프레임(120)의 두 측에 형성된 삽입홈(G)에 끼워지고, 단열판(101)의 상하측 테두리는 수평 프레임(130)의 상하측에 형성된 삽입홈(G)에 끼워질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 수직 프레임(120)과 수평 프레임(130)이 연결된 상태를 나타내는 평단면도이다.
도 3을 참조하여 반응기 측부(110)의 제조 과정을 설명하면, 먼저, 수직 프레임(120)을 일정 간격을 갖도록 배치하고, 최하층 수평 프레임(135)을 연결할 수 있다. 그러면 수직 프레임(120)과 최하층 수평 프레임(135)에 의해 대략 'U'자 형태로 영역이 구획되며, 이 영역의 최하층에 단열판(101)을 끼울 수 있다. 그리고, 단열판(101) 상부에 수평 프레임(130)을 배치한 후, 수평 프레임(130)의 양단과 수직 프레임(120)을 결합하여 고정할 수 있다. 수평 프레임(130)과 수직 프레임(120)을 결합한 후에, 상부층에 단열판(101)을 끼울 수 있다. 이어서, 단열판(101) 상부에 수평 프레임(130)을 배치하고 수직 프레임(120)과 결합한 후에, 한 층 더 위에 단열판(101)을 끼울 수 있다. 이 과정을 반복하여 반응기 측부(110)를 제조할 수 있다.
단열판(101)을 삽입홈에 삽입하는 과정을 반복하여 반응기 측부(110)를 제조한 후, 상부 프레임(160, 170)을 반응기 측부(110) 최상단의 수직 프레임(120) 및 수평 프레임(130) 상에 연결할 수 있다. 그리고, 상부 프레임(160, 170)이 구획하는 영역에 단열판(101)을 배치하여 반응기 상부(150)의 제조를 완료할 수 있다.
상부 프레임(160, 170)이 구획하는 영역에 단열판(101)을 배치할 때, 단열판(101)의 위치가 어긋나지 않도록, 상부 프레임(160, 170)에는 수용홈(미도시)이 형성될 수 있다. 수용홈은 단차지게 형성되어 단열판(101)의 테두리의 일부, 전부가 수용될 수 있다. 한편, 상부 프레임(160, 170)의 수용홈에 대응하도록, 반응기 측부(110) 최상단의 수직 프레임(120) 및 수평 프레임(130)에도 수용홈(미도시)이 형성될 수 있다.
반응기 상부(150)에서 단열판(101)을 수용홈에 끼우는 것으로 반응기 상부(150) 면을 구성할 수 있으므로 간편한 이점이 있다. 또한, 반응기 상부(150)에서 단열판(101)이 수용홈에 수용된 상태이므로, 단열판(101)을 들어올리는 것으로 반응기 상부(150)에서 챔버 내부 공간으로의 진입로가 확보되어, 기판처리 장치(10) 또는 반응기(100)의 유지관리가 간편해지는 이점이 있다.
한편, 상부 프레임(160, 170)에도 수직 프레임(120) 및 수평 프레임(130)과 같이 삽입홈(G)을 형성하고, 삽입홈(G) 내에 단열판(101)의 테두리를 삽입시킴에 따라 반응기 상부(150)를 구성할 수도 있다.
도 4는 도 3의 A 부분 확대 평단면도이고, 도 5는 도 4의 B 부분 측단면도이다.
단열판(101)과 삽입홈(G)의 크기가 딱 맞지 않으면, 단열판(101)이 삽입홈(G) 내에서 유동할 수 있고, 실링 측면에서도 좋지 않다. 또한, 단열판(101)과 삽입홈(G)이 너무 딱 맞으면 반응기(100)의 미약한 흔들림에 의해서도 단열판(101)에 스트레스가 집중되어 단열판(101)이 쉽게 파손될 수 있다.
이에 따라, 도 4 및 도 5과 같이, 삽입홈(G) 내에 탄성 수단(180)이 더 배치될 수 있다. 탄성 수단(180)은 스프링과 같은 공지의 탄성 수단을 제한없이 사용할 수 있다. 탄성 수단(180)은 삽입홈(G)의 일측으로 단열판(101)을 밀어서 고정시킬 수 있다. 탄성 수단(180)은 단열판(101)의 네 모서리 부분에 배치하는 것이 바람직하나, 단열판(101)의 크기, 탄성 수단(180)의 탄성력, 실링 정도 등을 고려하여 단열판(101)의 테두리에 적절한 개수로 배치할 수 있다.
탄성 수단(180)이 단열판(101)을 삽입홈(G)의 일측으로 밀어서 고정시키므로, 단열판(101)과 삽입홈(G)과의 틈을 완전히 실링하는데 기여할 수 있다. 또한, 탄성 수단(180)이 소정의 탄성력을 제공하기 때문에, 반응기(100)의 미약한 흔들림에도 단열판(101)에 스트레스가 집중되는 것을 방지할 수 있게 되는 이점이 있다. 그리고, 반응기(100)를 분해하는 경우에도, 탄성 수단(180)을 제거하는 것만으로도 단열판(101)을 프레임들로부터 빼내기가 매우 수월해지는 이점이 있다.
이처럼 본 발명은, 다양한 형태, 크기로 반응기(100)를 제작할 수 있고, 대면적 대형 기판을 처리할 수 있는 정도의 반응기(100)도 용이하게 제조할 수 있는 효과가 있다. 이에 따라, 반응기(100)에 사용할 수 있는 재질의 선정이 다양해지고, 제작의 효율성을 향상시키는 효과가 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
10: 기판처리 장치
20: 기판
100: 반응기(reactor)
101: 단열판
110: 반응기 측부
120: 수직 프레임
125: 돌출부
126: 체결공
127: 체결구
130: 수평 프레임
150: 반응기 상부
160, 170: 상부 프레임
180: 탄성 수단
G: 삽입홈
20: 기판
100: 반응기(reactor)
101: 단열판
110: 반응기 측부
120: 수직 프레임
125: 돌출부
126: 체결공
127: 체결구
130: 수평 프레임
150: 반응기 상부
160, 170: 상부 프레임
180: 탄성 수단
G: 삽입홈
Claims (21)
- 적어도 하나의 기판이 처리되는 기판처리 장치의 반응기(reactor)로서,
반응기는 하부가 개방되고, 반응기 측부 및 반응기 상부가 적어도 하나의 단열판을 포함하여 폐쇄된 형상을 가지며,
반응기 측부는,
복수의 수직 프레임;
이웃하는 한쌍의 수직 프레임을 연결하는 복수의 수평 프레임; 및
수직 프레임 및 수평 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판
을 포함하는, 기판처리 장치의 반응기. - 제1항에 있어서,
반응기 상부는,
반응기 측부의 최상단에 배치되는 수평 프레임 또는 수직 프레임에 양단이 연결되는 적어도 하나의 상부 프레임; 및
수직 프레임, 수평 프레임 및 상부 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판
을 포함하는, 기판처리 장치의 반응기. - 제2항에 있어서,
반응기 상부는 복수의 상부 프레임을 포함하고, 상부 프레임은,
제1 방향으로 배치되는 적어도 하나의 제1 상부 프레임; 및
제1 방향에 수직한 제2 방향으로 배치되는 적어도 하나의 제2 상부 프레임
을 포함하는, 기판처리 장치의 반응기. - 제3항에 있어서,
제1 상부 프레임은 수직 프레임의 상단에 연결되고,
제2 상부 프레임은 수평 프레임의 상단에 연결되는 기판처리 장치의 반응기. - 제1항에 있어서,
반응기 측부는 다각 기둥 형상을 가지는, 기판처리 장치의 반응기. - 제1항에 있어서,
반응기 측부를 구성하는 하나의 면 상에서, 복수의 수직 프레임은 수평 방향을 따라 일정 간격으로 배치되고,
이웃하는 한쌍의 수직 프레임을 연결하는 복수의 수평 프레임은 수직 방향을 따라 일정 간격으로 배치되는, 기판처리 장치의 반응기. - 제6항에 있어서,
수직 프레임의 두측에는 지지 돌출부가 형성되고,
지지 돌출부 상에 수평 프레임의 일단이 연결되는, 기판처리 장치의 반응기. - 제7항에 있어서,
지지 돌출부와 수평 프레임의 일단에는 체결공이 형성되고, 체결공 내에 체결구가 삽입되는, 기판처리 장치의 반응기. - 제1항에 있어서,
수직 프레임, 수평 프레임 중 적어도 어느 하나에는 단열판의 테두리의 적어도 일부가 삽입되는 삽입홈이 형성되는, 기판처리 장치의 반응기. - 제2항에 있어서,
상부 프레임에는 단열판의 테두리의 적어도 일부가 수용되는 수용홈이 형성되는, 기판처리 장치의 반응기. - 제10항에 있어서,
반응기 측부의 최상단에 배치되는 수직 프레임, 수평 프레임 중 적어도 하나에는 단열판의 테두리의 적어도 일부가 수용되는 수용홈이 형성되는, 기판처리 장치의 반응기. - 제2항에 있어서,
수직 프레임 또는 수평 프레임의 상측에 상부 프레임의 양단 하측이 연결되는, 기판처리 장치의 반응기 - 제9항에 있어서,
삽입홈 내에 탄성 수단이 배치되고, 탄성 수단은 단열판의 테두리를 삽입홈의 일측으로 밀어서 고정시키는, 기판처리 장치의 반응기. - 제1항에 있어서,
반응기 상부는 평면 형상, 돔 형상, 수직 방향으로 곡률을 포함하는 형상 중 어느 하나인, 기판처리 장치의 반응기. - 제1항에 있어서,
단열판의 재질은 석영, 세라믹, 글래스 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판처리 장치의 반응기. - 적어도 하나의 기판이 처리되는 기판처리 장치로서,
기판이 처리되는 챔버 공간을 제공하는 반응기(reactor);
반응기를 지지하는 프레임; 및
적어도 하나의 기판이 적재되는 보트를 상하 방향으로 이동시키는 기판 적재 및 승강 수단
을 포함하고,
반응기는 하부가 개방되고, 반응기 측부 및 반응기 상부가 적어도 하나의 단열판을 포함하여 폐쇄된 형상을 가지는, 기판처리 장치. - 제16항에 있어서,
반응기 측부는,
복수의 수직 프레임;
이웃하는 한쌍의 수직 프레임을 연결하는 복수의 수평 프레임; 및
수직 프레임 및 수평 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판
을 포함하는, 기판처리 장치. - 제17항에 있어서,
반응기 상부는,
반응기 측부의 최상단에 배치되는 수평 프레임 또는 수직 프레임에 양단이 연결되는 적어도 하나의 상부 프레임; 및
수직 프레임, 수평 프레임 및 상부 프레임이 구획하는 영역 내에 배치되는 복수의 단열판
을 포함하는, 기판처리 장치. - 제16항에 있어서,
반응기와 연통되도록 형성되며, 반응기 내부 공간에 기판처리 가스를 공급하는 가스 공급부; 및
반응기와 연통되도록 형성되며, 반응기 내부 공간의 기판처리 가스를 배출하는 가스 배출부
를 더 포함하는, 기판처리 장치. - 제19항에 있어서,
보트가 승강 수단의 상사점에 위치하면 반응기의 챔버 공간이 밀폐되는, 기판처리 장치. - 제20항에 있어서,
기판처리 가스가 반응기의 챔버 공간에 공급되면, 챔버 공간의 기압은 반응기의 외부 공간보다 높게 설정되는, 기판처리 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190024656A KR102646505B1 (ko) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020190024656A KR102646505B1 (ko) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200106309A true KR20200106309A (ko) | 2020-09-14 |
| KR102646505B1 KR102646505B1 (ko) | 2024-03-13 |
Family
ID=72471373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020190024656A KR102646505B1 (ko) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102646505B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009031275A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-02-12 | Horiba Ltd | 測定機器用架台 |
| KR20140003052A (ko) * | 2012-06-29 | 2014-01-09 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리장치 |
| JP2016084879A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 断熱部材及びこれを用いた熱処理装置 |
| KR20160083482A (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-12 | 주식회사 비아트론 | 이중 챔버를 구비하는 기판 열처리 장치 |
-
2019
- 2019-03-04 KR KR1020190024656A patent/KR102646505B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009031275A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-02-12 | Horiba Ltd | 測定機器用架台 |
| KR20140003052A (ko) * | 2012-06-29 | 2014-01-09 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리장치 |
| JP2016084879A (ja) * | 2014-10-27 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 断熱部材及びこれを用いた熱処理装置 |
| KR20160083482A (ko) * | 2014-12-31 | 2016-07-12 | 주식회사 비아트론 | 이중 챔버를 구비하는 기판 열처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102646505B1 (ko) | 2024-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20070028842A1 (en) | Vacuum chamber bottom | |
| CN101096746B (zh) | 荫罩和具有该荫罩的淀积装置 | |
| US9371584B2 (en) | Processing chamber and method for centering a substrate therein | |
| US20060011137A1 (en) | Shadow frame with mask panels | |
| US20060005771A1 (en) | Apparatus and method of shaping profiles of large-area PECVD electrodes | |
| KR20070021077A (ko) | 액티브 냉각 기판 지지체 | |
| KR101600265B1 (ko) | 화학기상증착장치 | |
| TW201204859A (en) | Vacuum processing apparatus, moving method and alignment method for substrate and aligment mask and film forming method | |
| KR20200106309A (ko) | 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 | |
| KR102647837B1 (ko) | 기판처리 장치의 반응기 및 이를 포함하는 기판처리 장치 | |
| KR101508752B1 (ko) | 유지보수가 용이한 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치 및 방법 | |
| JP4709862B2 (ja) | 大面積基板処理システムのサセプタ・ヒータアセンブリ | |
| KR20100132669A (ko) | 박막 태양전지 제조용 플라즈마 처리장치 | |
| KR101040940B1 (ko) | 박막 증착 장비용 에지 프레임 | |
| KR101430659B1 (ko) | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 | |
| JP5390213B2 (ja) | ボート | |
| KR101524251B1 (ko) | 클러스터형 배치식 기판처리 시스템 | |
| US6554907B2 (en) | Susceptor with internal support | |
| KR101167989B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP4613089B2 (ja) | インライン式処理装置におけるガラス基板のハンドリング機構 | |
| WO2022152020A1 (zh) | 承托装置、等离子体增强化学气相沉积设备及其使用方法 | |
| KR100553102B1 (ko) | 리프트 핀 모듈 및 그것을 구비하는 평판표시소자 제조장치 | |
| KR101512329B1 (ko) | 배치식 기판처리 장치 | |
| KR102485866B1 (ko) | 기판처리 장치 | |
| KR102442087B1 (ko) | 기판 처리 시스템 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |