KR20100062143A - 열처리 장치 - Google Patents

열처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100062143A
KR20100062143A KR1020080120592A KR20080120592A KR20100062143A KR 20100062143 A KR20100062143 A KR 20100062143A KR 1020080120592 A KR1020080120592 A KR 1020080120592A KR 20080120592 A KR20080120592 A KR 20080120592A KR 20100062143 A KR20100062143 A KR 20100062143A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heater
heat treatment
treatment apparatus
heat
fixing
Prior art date
Application number
KR1020080120592A
Other languages
English (en)
Inventor
이경호
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020080120592A priority Critical patent/KR20100062143A/ko
Publication of KR20100062143A publication Critical patent/KR20100062143A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

복수개의 기판을 열처리 하는 열처리 장치에서 사용하는 히터가 발열 동작 도중 발생되는 변형과 이로 인한 손상을 방지할 수 있는 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 열처리 장치는 복수개의 기판(10)에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버(2); 챔버(2)를 둘러싸는 단열부(3); 및 단열부(3)의 내측 상에 고정부를 통하여 고정되며 복수개의 절곡부를 갖는 히터(100)를 포함하며, 고정부는 히터(100)를 수용하는 히터 블록(200) 및 히터 블록(200) 상에 히터(100)를 고정시키는 고정핀(300)을 구비하는 것을 특징으로 한다.
열처리 장치, 히터, 변형 방지

Description

열처리 장치{Heat Treatment Apparatus}
본 발명은 반도체 또는 평판 디스플레이 제조를 위한 열처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 복수개의 기판을 열처리 하는 열처리 장치에서 사용하는 히터가 발열 동작 도중 발생되는 변형과 이로 인한 손상을 방지할 수 있는 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 또는 평판 디스플레이 제조시 사용되는 대면적 기판 처리 시스템은 크게 증착 장치와 어닐링 장치로 구분될 수 있다.
증착 장치는 반도체 또는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 단계를 담당하는 장치로서, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)와 같은 화학 증착 장치와 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리 증착 장치가 있다. 또한, 어닐링 장치는 증착 공정 후에 결정화, 상 변화 등을 위해 수반되는 열처리 단계를 담당하는 장치이다.
예를 들자면, LCD의 경우에 있어서, 대표적인 증착 장치로는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)의 액티브 물질에 해당하는 비정질 실리콘을 유리 기판 상에 증착하는 실리콘 증착 장치가 있고, 대표적인 어닐링 장치로는 유리 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.
일반적으로, 증착 공정과 어닐링 공정은 모두 기판을 소정의 온도로 열처리 공정을 수행해야 한다.
이와 같은 열처리 공정을 수행하기 위해서는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치의 사용이 필수적이다.
도 1a는 종래기술에 따른 열처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도시한 바와 같이, 열처리 장치(1)는 복수개의 기판(10)을 로딩하는 배치식의 보트(5), 보트(5)에 로딩된 기판(10)에 대한 열처리 공간을 제공하는 석영 재질로 이루어지는 챔버(2), 챔버(2) 내에서 열처리 환경을 조성하기 위해 챔버(2)의 외주를 둘러싸는 단열 블록(3)의 내측면에 설치되어 챔버(2)로 열을 인가하는 히터(4), 기판(10) 열처리에 필요한 가스를 챔버(2) 내부로 공급하는 가스 공급관(6a), 및 열처리 공정에 사용된 가스를 배출하는 가스 배출관(6b)을 포함하여 구성되어 있다.
도 1b는 단열 블록(3)의 내측에 설치된 히터(4)를 나타내는 도면으로서, 발열체로 이루어지는 히터(4)는 발열량의 증가를 위해 소정의 두께와 폭을 갖는 플레이트 형상의 발열체를 절곡하여 형성하되, '∪' 또는 '∩' 형태의 절곡부(4a)가 연속적으로 연결되어 형성되어 있음을 도시하고 있다.
단열 블록(3)에 설치된 히터(4)의 고정 상태 유지를 위해 'ㄷ' 형태의 고정 핀(7)이 히터(4)의 절곡부(4a)를 감싸도록 설치되고 고정핀(7)의 양단은 단열 블록(3)의 내주면에 고정되어 있다.
그러나, 상술한 바와 같은 히터(4)는 발열 동작 도중 전체적인 형상이 변형되는 문제점이 있었다. 즉, 히터(4)는 발열되는 열에 의하여 팽창하게 되는데, 이때 '∪' 또는 '∩' 자 형태로 형성된 히터(4)의 절곡부는 발열 동작시 내측보다 외측의 열 팽창 정도가 크기 때문에(도 1c의 a로 표시된 부분), 히터(4)의 온도가 상승 및 하강을 반복함에 따라 히터(4)의 전체적인 형상이 변형되고 심하면 히터(4)가 단선되어 버리는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 열처리 장치에 기판이 로딩된 후 기판의 열처리를 위해 히터가 발열 동작을 수행하는 도중 히터의 변형을 방지할 수 있도록 고정핀과 변형 방지부로 구성되는 고정부에 의해 히터를 고정함으로써 히터의 변형 및 단선을 방지할 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 열처리 장치는, 복수개의 기판을 열처리 하는 열처리 장치로서, 상기 복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버를 둘러싸는 단열부; 및 상기 단열부의 내측 상에 고정부를 통하여 고정되며 복수개의 절곡부를 갖는 히터; 를 포함하며, 상기 고정부는 상기 히터를 수용하는 히터 블록 및 상기 히터 블록 상에 상기 히터를 고정시키는 고정핀을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 절곡부는 "∪" 또는 "∩" 형상을 가질 수 있다.
상기 절곡부는 "∨" 또는 "∧" 형상을 가질 수 있다.
상기 히터 블록은 상기 히터의 변형을 방지하는 변형 방지부를 포함할 수 있다.
상기 고정핀은 상기 복수개의 절곡부 각각에 설치될 수 있다.
상기 고정핀의 재질은 칸탈 또는 슈퍼 칸탈을 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 열처리 장치에서 사용되는 히터를 구성하는 복수개의 절곡부 각각을 고정핀 또는 변형 방지부를 이용하여 고정함으로써 기판에 대한 열처리를 위해 히터가 발열 동작을 수행할 때 히터에 발생되는 변형을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 열처리 장치에서 사용되는 히터에 형성되어 있는 복수개의 절곡부를 "∨" 또는 "∧" 형상으로 형성함으로써 기판에 대한 열처리를 위해 히터가 발열 동작을 수행할 때 히터에 발생되는 변형을 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 히터의 동작 도중 발생되는 변형을 감소시킬 수 있어서 단선과 같은 히터의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 히터의 손상을 방지할 수 있어 히터의 사용 시간이 증가될 수 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.
복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하기 위한 챔버가 설치되고, 챔버의 내부에는 복수개의 기판이 로딩되는 보트가 설치되는 것은 종래의 기술과 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
제1 실시예
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 열처리 장치에서 사용하는 히터가 히터 블록에 의해 고정된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 A-A선의 선단면도로서, 히터 블록에 형성된 변형 방지부는 히터에 밀접하며 히터의 변형을 방지할 수 있도록 하고 있음을 도시하고 있다.
도시한 바와 같이, 히터(100)는 소정의 두께와 폭을 갖는 플레이트 형상의 발열체를 절곡하여 형성되되, 절곡부(110)는 "∪" 또는 "∩" 형상으로 형성되어 있으며, 상기의 형상이 서로 번갈아 연속적으로 연결되어 히터(100)를 구성하고 있다.
히터(100)의 재질은 칸탈(kanthal) 또는 슈퍼 칸탈(super kanthal)(MoSi2)일 수 있다.
슈퍼 칸탈은 전기로, 전기 용해로, 전자 부품의 소결로 등 금속 발열체나 저온용 탄화규소 발열체를 사용할 수 없는 초고온 분위기에서 사용하는 초고온 발열체로서 1700℃까지 사용할 수 있는 발열체이다.
단열 블록의 내측으로는 히터(100)를 수용하여 히터(100)의 이탈을 방지하기 위해 히터 블록(200)이 히터(100)를 구성하는 복수개의 절곡부(110)에 밀접하게 형성되어 있다. 히터 블록(200)은 대략 사각형 형태의 단면 구조로 형성될 수 있다.
히터 블록(200)에는 절곡부(110)에 근접한 부위에 히터(100)의 동작 도중 히터(100)의 변형을 방지하기 위해 절곡부(110) 측으로 변형 방지부(210)가 돌출 형성될 수 있다.
돌출 형성된 변형 방지부(210)는 절곡부(110)를 부분적으로 커버하며 절곡부(110)를 지지할 수 있다.
도면에 의하면, 변형 방지부(210)는 육면체 형태로 형성되어 있으나 그 형태는 여러 형태로 변형될 수 있다. 즉, 변형 방지부(210)는 절곡부(110)를 커버할 수 있다면, 육면체 형태로 형성될 수도 있지만, 절곡부와 같은 곡률의 원호 형태로 형성될 수도 있다. 이외에도 변형 방지부(210)는 사용자의 필요에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 실시예는 다음과 같이 작용할 수 있다.
기판에 대한 열처리를 진행하기 위해 히터(100)를 동작시키면, 히터(100)의 발열 동작에 의해 발생되는 열에 의하여 히터(100)를 구성하는 복수개의 절곡부(110)에서 열 변형이 발생될 수 있다.
이때, 본 실시예에서는 복수개의 절곡부(110) 각각이 변형 방지부(210)에 의해 고정되어 있기 때문에 히터(100)의 발열 동작 도중 히터(100)의 발열과 냉각이 반복되는 경우에도 히터(100)는 변형의 발생이 방지될 수 있고, 또한 변형에 의한 단선이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
제2 실시예
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 열처리 장치에서 사용하는 히터가 고정핀에 의해 고정된 상태를 나타내는 도면이다.
도시한 바와 같이, 히터(100)는 소정의 두께와 폭을 갖는 플레이트 형상의 발열체를 절곡하여 형성되되, 절곡부(110)는 "∪" 또는 "∩" 형상으로 형성되어 있으며, 상기의 형상이 서로 번갈아 연속적으로 연결되어 히터(100)를 구성하고 있다.
이때, 연속적으로 연결되어 있는 히터(100)의 절곡부(110) 각각에는 고정핀(300)을 설치하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서 히터(100)가 단열 블록의 내측에 히터 블록에 수용되어 설치되는 것과, 히터에 관한 내용은 제1 실시예와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 한편, 본 실시예에 대한 설명을 용이하게 하기 위해, 도 3에서는 히터 블록에 대한 도시는 생략하고, 히터만을 도시하였다.
고정핀(300)에 의한 히터(100)의 고정을 좀 더 상세히 살펴보기로 한다.
히터(100)가 단열 블록의 내측에 설치된 후, 고정핀(300)을 히터(100)의 절곡부(110) 각각에 위치시켜 히터(100)가 고정되도록 하고 있다.
여기서, 고정핀(300)은 소정의 길이를 갖는 금속 재질의 로드의 양 단부를 동일한 방향으로 동일한 길이만큼 절곡하여 형성하여, 전체적으로 'ㄷ' 형상으로 형성될 수 있다.
고정핀(300)은 칸탈 또는 SUS 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 이외에도 히터(100)에서 발열되는 열에 대한 내구성을 갖는 재질이라면 어떠한 것이라도 사용할 수 있다.
상기와 같이 구성된 본 실시예는 다음과 같이 작용할 수 있다.
히터(100)의 발열 동작에 의해 발생되는 열에 의하여 히터(100)를 구성하는 복수개의 절곡부(110)에서 열 변형이 발생될 수 있다.
이때, 본 실시예에서는 히터(100)를 구성하는 "∪" 또는 "∩" 형상을 갖는 복수개의 절곡부(110) 각각에 고정핀(300)이 설치되어 히터(100)를 고정하고 있기 때문에, 히터(100)의 발열과 냉각이 반복되는 경우에도 히터(100)의 변형을 방지할 수 있다.
본 실시예에서 히터(100)에는 이전의 실시예에서 적용되었던 변형 방지부가 동시에 적용될 수도 있다.
제3 실시예
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 열처리 장치에서 사용하는 히터가 고정핀에 의해 고정된 상태를 나타내는 도면이다.
도시한 바와 같이, 히터(100A)는 소정의 두께와 폭을 갖는 플레이트 형상의 발열체가 절곡되어 형성되되, 절곡부(110A)는 "∨" 또는 "∧" 형상으로 형성되어 있고, 상기의 형상이 서로 번갈아 연속적으로 연결되도록 형성되어 있고, 각각의 절곡부(110A)를 연결하는 부위는 직선화되어 있다.
이때, 연속적으로 연결되어 있는 히터(100A)의 절곡부(110A) 각각에는 고정핀(300)을 설치하는 것이 바람직하다.
본 실시예에서 히터(100A)가 단열 블록의 내측에 히터 블록에 수용되어 설치되는 것과, 히터 및 고정핀에 관한 내용은 제2 실시예와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 한편, 본 실시예에 대한 설명을 용이하게 하기 위해, 도 4에서는 히터 블록에 대한 도시는 생략하고, 히터만을 도시하였다.
상기와 같이 구성된 본 실시예는 다음과 같이 작용할 수 있다.
히터(100A)의 발열 동작에 의해 발생되는 열에 의하여 히터(100A)를 구성하는 복수개의 절곡부(110A)에서 열 변형이 발생될 수 있다.
이때, 본 실시예에서는 히터(100A)의 절곡부(110A)가 직선화되어 있기 때문에 히터(100A)의 발열 동작시 열 팽창 정도가 균일하게 나타나고, 고정핀(300)에 의해 히터의 절곡부 각각이 모두 고정됨으로써 열 변형에 의해 히터(100A)가 변형되는 현상이 감소될 수 있다.
본 실시예에서 히터(100A)에는 이전의 실시예에서 적용되었던 변형 방지부가 동시에 적용될 수도 있다.
본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.
도 1a는 종래기술에 따른 열처리 장치의 구성을 나타내는 단면도.
도 1b는 종래기술에 따른 열처리 장치에서 단열 블록의 내측에 설치된 히터를 나타내는 도면.
도 1c는 종래기술에 따른 열처리 장치에서 사용하는 히터의 변형을 설명하는 도면.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 열처리 장치에서 사용하는 히터가 히터 블록에 의해 고정된 상태를 나타내는 단면도.
도 2b는 도 2a의 A-A선의 선단면도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 열처리 장치에서 사용하는 히터가 고정핀에 의해 고정된 상태를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 열처리 장치에서 사용하는 히터가 고정핀에 의해 고정된 상태를 나타내는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 100A: 히터
110, 110A: 절곡부
200: 히터 블록
210: 변형 방지부
300: 고정핀

Claims (6)

  1. 복수개의 기판을 열처리 하는 열처리 장치로서,
    상기 복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버를 둘러싸는 단열부; 및
    상기 단열부의 내측 상에 고정부를 통하여 고정되며 복수개의 절곡부를 갖는 히터;
    를 포함하며,
    상기 고정부는 상기 히터를 수용하는 히터 블록 및 상기 히터 블록 상에 상기 히터를 고정시키는 고정핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절곡부는 "∪" 또는 "∩" 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절곡부는 "∨" 또는 "∧" 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 히터 블록은 상기 히터의 변형을 방지하는 변형 방지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고정핀은 상기 복수개의 절곡부 각각에 설치되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 히터의 재질은 칸탈 또는 슈퍼 칸탈을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
KR1020080120592A 2008-12-01 2008-12-01 열처리 장치 KR20100062143A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080120592A KR20100062143A (ko) 2008-12-01 2008-12-01 열처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080120592A KR20100062143A (ko) 2008-12-01 2008-12-01 열처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100062143A true KR20100062143A (ko) 2010-06-10

Family

ID=42362465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080120592A KR20100062143A (ko) 2008-12-01 2008-12-01 열처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100062143A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101377751B1 (ko) * 2012-04-27 2014-03-26 주식회사 테라세미콘 배치식 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101377751B1 (ko) * 2012-04-27 2014-03-26 주식회사 테라세미콘 배치식 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI654712B (zh) 用於具有多區加熱之基材支撐件的方法及設備
CN108987304A (zh) 基板处理设备、基板处理方法以及基板支撑装置
KR20040007594A (ko) Cvd용의 평탄한 다수부품의 기판 지지 부재
KR20040096785A (ko) 양극처리된 기판 지지부
US8771420B2 (en) Substrate processing apparatus
US20220151031A1 (en) Heater
US20210235550A1 (en) Heater and stage having the heater
TW201941260A (zh) 多區域加熱器
KR20150077842A (ko) 표시소자용 큐어링 장치
KR20100062143A (ko) 열처리 장치
KR101009990B1 (ko) 히터
WO2007081185A1 (en) Heating apparatus for batch type reaction chamber
KR100951688B1 (ko) 열처리 장치
CN102709213B (zh) 加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法
JP4709862B2 (ja) 大面積基板処理システムのサセプタ・ヒータアセンブリ
JP2000199046A (ja) 真空蒸着装置におけるマスキング装置
KR101394325B1 (ko) 히터 및 그 제조방법
KR102166491B1 (ko) 배치식 기판처리 장치
KR100942066B1 (ko) 홀더 스테이지
KR200459392Y1 (ko) 히터블록
KR101039151B1 (ko) 보트
JP2005133216A (ja) 蒸着工程装置用サセプタ及びその製造方法
KR100971750B1 (ko) 열처리 장치
KR100695217B1 (ko) 반응챔버의 히팅방법 및 히팅장치
KR100893408B1 (ko) 기판 홀더

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application