JP2501436Y2 - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JP2501436Y2 JP2501436Y2 JP1600090U JP1600090U JP2501436Y2 JP 2501436 Y2 JP2501436 Y2 JP 2501436Y2 JP 1600090 U JP1600090 U JP 1600090U JP 1600090 U JP1600090 U JP 1600090U JP 2501436 Y2 JP2501436 Y2 JP 2501436Y2
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- wafer
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- inert gas
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Description
【考案の詳細な説明】 〔概要〕 気相成長装置，特に被成長基板を載せるサセプタの構
造に関し， 成長中にウエハ位置のずれや，ウエハ裏面への反応ガ
スの回り込みのないサセプタの提供を目的とし， 反応ガスを導入して被成長基板上に成膜する反応室
（１）と，該反応室（１）内に該基板を載せるサセプタ
（２）とを含み，該サセプタ（２）は該基板を載せる上
面の下側に中空部が形成された形状をなし，該中空部に
不活性ガスを導入する不活性ガス導入口（2B）と，該上
面に放射状に開口された複数のスリット（2C）とを有す
るように構成する。
造に関し， 成長中にウエハ位置のずれや，ウエハ裏面への反応ガ
スの回り込みのないサセプタの提供を目的とし， 反応ガスを導入して被成長基板上に成膜する反応室
（１）と，該反応室（１）内に該基板を載せるサセプタ
（２）とを含み，該サセプタ（２）は該基板を載せる上
面の下側に中空部が形成された形状をなし，該中空部に
不活性ガスを導入する不活性ガス導入口（2B）と，該上
面に放射状に開口された複数のスリット（2C）とを有す
るように構成する。
本考案は気相成長装置，特に被成長基板を載せるサセ
プタの構造に関する。
プタの構造に関する。
気相成長装置は半導体装置等の製造工程において，導
電膜，絶縁膜，金属膜，結晶膜等の成膜に広く用いられ
ている。
電膜，絶縁膜，金属膜，結晶膜等の成膜に広く用いられ
ている。
気相成長装置は，被成長基板を収容した反応室に反応
ガスを導入して，反応室内を所定のガス圧に保って基板
上に成膜を行う装置であって，被成長基板をサセプタに
保持する方法には次の２通りがある。
ガスを導入して，反応室内を所定のガス圧に保って基板
上に成膜を行う装置であって，被成長基板をサセプタに
保持する方法には次の２通りがある。
第３図（ａ），（ｂ）は従来例によるウエハ保持を説
明する断面図である。
明する断面図である。
図において,1は反応室,2はサセプタ,6は押さえピン,W
は被成長基板（ウエハ）である。
は被成長基板（ウエハ）である。
第３図（ａ）はサセプタ２に下側よりウエハＷを押し
つけ，押させピン６で保持する方法である。
つけ，押させピン６で保持する方法である。
この場合は，ウエハＷは押さえピン６で押さえられて
いるから，成長中にウエハ位置がずれることはないが，
反応ガスがウエハ裏面に回り込んで成長してしまうとい
う欠点がある。
いるから，成長中にウエハ位置がずれることはないが，
反応ガスがウエハ裏面に回り込んで成長してしまうとい
う欠点がある。
第３図（ｂ）はサセプタ２の上側にウエハＷを載せ，
サセプタ２の内側から不活性ガスをウエハ裏面に吹き出
して，反応ガスがウエハ裏面に回り込んで成長してしま
うのを防ぐようにしている。
サセプタ２の内側から不活性ガスをウエハ裏面に吹き出
して，反応ガスがウエハ裏面に回り込んで成長してしま
うのを防ぐようにしている。
第４図（ａ），（ｂ）は従来例によるサセプタの平面
図と断面図である。
図と断面図である。
図において，サセプタ２の上面中央にはウエハ搬送の
際に用いるピンが出入りする孔2Aが開口されている。
際に用いるピンが出入りする孔2Aが開口されている。
又，サセプタ２の側面に不活性ガス導入口2Bが設けら
れている。
れている。
不活性ガスはサセプタ内より，中央の孔2Aよりウエハ
とサセプタの隙間を通って流れる。
とサセプタの隙間を通って流れる。
或いは，サセプタ２の上面は不活性ガスが噴出できる
ように，例えば多孔質のカーポン等で作製される。
ように，例えば多孔質のカーポン等で作製される。
しかし，サセプタ内から吹き出す不活性ガスの量によ
ってはウエハが所定の位置からずれてしまい正規の成長
が行われなくなることがあった。
ってはウエハが所定の位置からずれてしまい正規の成長
が行われなくなることがあった。
又，ウエハのずれにより，裏面にも反応ガスが回り込
むようになる。
むようになる。
従来例で説明したサセプタでは，ウエハ裏面に反応ガ
スが回り込まないようにサセプタ内から吹き出す不活性
ガスにより，ウエハ位置がずれてしまい，正規の成長が
できなくなることがあった。
スが回り込まないようにサセプタ内から吹き出す不活性
ガスにより，ウエハ位置がずれてしまい，正規の成長が
できなくなることがあった。
本考案は成長中にウエハ位置のずれや，ウエハ裏面へ
の反応ガスの回り込みのないサセプタの提供を目的とす
る。
の反応ガスの回り込みのないサセプタの提供を目的とす
る。
上記課題の解決は，反応ガスを導入して被成長基板上
に成膜する反応室（１）と，該反応室（１）内に該基板
を載せるサセプタ（２）とを含み，該サセプタ（２）は
該基板を載せる上面の下側に中空部が形成された形状を
なし，該中空部に不活性ガスを導入する不活性ガス導入
口（2B）と，該上面に放射状に開口された複数のスリッ
ト（2C）とを有することを特徴とする気相成長装置によ
り達成される。
に成膜する反応室（１）と，該反応室（１）内に該基板
を載せるサセプタ（２）とを含み，該サセプタ（２）は
該基板を載せる上面の下側に中空部が形成された形状を
なし，該中空部に不活性ガスを導入する不活性ガス導入
口（2B）と，該上面に放射状に開口された複数のスリッ
ト（2C）とを有することを特徴とする気相成長装置によ
り達成される。
〔作用〕 本考案は，サセプタの上面にスリットを設けて不活性
ガスの逃げ道とすることにより，サセプタ内よりウエハ
裏面に噴出する不活性ガスの流量と流速を上面内で均一
化してウエハが踊らないにしたものである。
ガスの逃げ道とすることにより，サセプタ内よりウエハ
裏面に噴出する不活性ガスの流量と流速を上面内で均一
化してウエハが踊らないにしたものである。
この結果，不活性ガスはサセプタ内より均一に噴出さ
れてサセプタを冷却し，更にウエハの位置ずれを防止す
ることができる。
れてサセプタを冷却し，更にウエハの位置ずれを防止す
ることができる。
第１図（ａ），（ｂ）は本考案の一実施例によるサセ
プタの平面図と断面図である。
プタの平面図と断面図である。
図において，直径200〜250mmのサセプタ２の上面中央
にはウエハ搬送の際に用いるピンが出入りする直径30〜
40mmの孔2Aと，この孔2Aの周囲に放射状に８本の幅10〜
20mmのスリット2Aが開口されている。
にはウエハ搬送の際に用いるピンが出入りする直径30〜
40mmの孔2Aと，この孔2Aの周囲に放射状に８本の幅10〜
20mmのスリット2Aが開口されている。
サセプタ２はカーボンで作製される。
又，サセプタ２の側面に不活性ガス導入口2Bが設けら
れている。
れている。
タングステンの選択気相成長を例にとり，ウエハの位
置ずれに注目して，サセプタ上面にスリットの有無によ
る比較を行った。
置ずれに注目して，サセプタ上面にスリットの有無によ
る比較を行った。
第２図は本考案の応用例を説明する断面図である。
図において,1は反応室,2はサセプタ,3は排気系が接続
される排気口,4はガス導入口〔41は六弗化タングステン
（WF6）導入口,42はモノシラン（SiH4）導入口,43は水
素（H2）導入口〕,5は基板加熱用の赤外加熱装置であ
る。
される排気口,4はガス導入口〔41は六弗化タングステン
（WF6）導入口,42はモノシラン（SiH4）導入口,43は水
素（H2）導入口〕,5は基板加熱用の赤外加熱装置であ
る。
サセプタ内には不活性ガスとしてヘリウム（He）又は
アルゴン（Ar）を導入する。
アルゴン（Ar）を導入する。
この場合の成長条件は以下の通りである。
WF6流量: 5〜15SCCM SiH4流量: 5〜10SCCM H2: 0.5〜1SLM He（Ar）流量: 10〜50SCCM ガス圧力: 0.1〜0.3Torr 基板温度: 200〜450℃ この条件で，ウエハ上にタングステンの選択成長を行
った結果，ウエハの位置ずれが生じたり，ウエハ裏面へ
成長することはなかった。
った結果，ウエハの位置ずれが生じたり，ウエハ裏面へ
成長することはなかった。
以上説明したように本考案によれば，成長中にウエハ
位置のずれや，ウエハ裏面への反応ガスの回り込みのな
いサセプタが得られる。
位置のずれや，ウエハ裏面への反応ガスの回り込みのな
いサセプタが得られる。
第１図（ａ），（ｂ）は本考案の一実施例によるサセプ
タの平面図と断面図， 第２図は本考案の応用例を説明する断面図， 図において， 第３図（ａ），（ｂ）は従来例によるウエハ保持を説明
する断面図， 第４図（ａ），（ｂ）は従来例によるサセプタの平面図
と断面図である。 １は反応室、２はサセプタ,2Aはサセプタ上面中央の孔,
2Bはサセプタ側面の不活性ガス導入口,2Cはサセプタ上
面のスリット,3は排気口,4はガス導入口 41はWF6導入口,42はSiH4導入口,43はH2導入口,5は赤外
加熱装置 である。
タの平面図と断面図， 第２図は本考案の応用例を説明する断面図， 図において， 第３図（ａ），（ｂ）は従来例によるウエハ保持を説明
する断面図， 第４図（ａ），（ｂ）は従来例によるサセプタの平面図
と断面図である。 １は反応室、２はサセプタ,2Aはサセプタ上面中央の孔,
2Bはサセプタ側面の不活性ガス導入口,2Cはサセプタ上
面のスリット,3は排気口,4はガス導入口 41はWF6導入口,42はSiH4導入口,43はH2導入口,5は赤外
加熱装置 である。
Claims (1)
- 【請求項１】反応ガスを導入して被成長基板上に成膜す
る反応室（１）と，該反応室（１）内に該基板を載せる
サセプタ（２）とを含み， 該サセプタ（２）は該基板を載せる上面の下側に中空部
が形成された形状をなし，該中空部に不活性ガスを導入
する不活性ガス導入口（2B）と，該上面に放射状に開口
された複数のスリット（2C）とを有することを特徴とす
る気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1600090U JP2501436Y2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1600090U JP2501436Y2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03106731U JPH03106731U (ja) | 1991-11-05 |
| JP2501436Y2 true JP2501436Y2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=31519287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1600090U Expired - Fee Related JP2501436Y2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2501436Y2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP1600090U patent/JP2501436Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03106731U (ja) | 1991-11-05 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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