JPH0258825A - 縦型減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型減圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0258825A JPH0258825A JP63211232A JP21123288A JPH0258825A JP H0258825 A JPH0258825 A JP H0258825A JP 63211232 A JP63211232 A JP 63211232A JP 21123288 A JP21123288 A JP 21123288A JP H0258825 A JPH0258825 A JP H0258825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer holding
- holding board
- cvd apparatus
- reaction
- pressure cvd
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 34
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、縦型減圧ＣＶＤ装置に関する。
従来、縦方向に反応炉を持つ縦型減圧ＣＶＤ装置は、ウ
ェハがウェハ保持ボードにより保持されており、反応管
中に反応ガスを導入して、ウェハ面上に薄膜を気相成長
させる際、ウェハ保持ボードを回転させることにより、
ウェハ面内の膜厚のばらつきを減らす機能を持っていた
。
ェハがウェハ保持ボードにより保持されており、反応管
中に反応ガスを導入して、ウェハ面上に薄膜を気相成長
させる際、ウェハ保持ボードを回転させることにより、
ウェハ面内の膜厚のばらつきを減らす機能を持っていた
。
上述した従来の縦型減圧ＣＶＤ装置は、ウェハを保持す
るボードを回転させ、ウェハ面内の膜厚のばらつきを減
らす機能は持っていても、縦方向の温度差や、ガスの流
れ方の差により、ウェハ内の成長膜厚のばらつきがある
という欠点があった。
るボードを回転させ、ウェハ面内の膜厚のばらつきを減
らす機能は持っていても、縦方向の温度差や、ガスの流
れ方の差により、ウェハ内の成長膜厚のばらつきがある
という欠点があった。
本発明の目的は、縦方向の温度差や、ガスの流れ方の差
によるウェハ内の成長膜厚のばらつきを低減することが
可能な縦型減圧ＣＶＤ装置を提供することにある。
によるウェハ内の成長膜厚のばらつきを低減することが
可能な縦型減圧ＣＶＤ装置を提供することにある。
本発明の縦型減圧ＣＶＤ装置は、縦方向に反応炉を持つ
縦型減圧ＣＶＤ装置において、気相成長中にウェハを保
持するボードを上下させる装置を含んで構成される。
縦型減圧ＣＶＤ装置において、気相成長中にウェハを保
持するボードを上下させる装置を含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の縦型減圧ＣＶＤ装置の第１の実施例を
説明するためのＣＶＤ装置の断面図である。同図に示す
ように、ウェハ１はウェハ保持ボード２に保持されて反
応室３内に下方向から挿入されている。反応室３は内部
石英管４と外部石英管５の２つの石英管により被われて
おり、その外側に加熱用ヒータ筒６が設置されている。
説明するためのＣＶＤ装置の断面図である。同図に示す
ように、ウェハ１はウェハ保持ボード２に保持されて反
応室３内に下方向から挿入されている。反応室３は内部
石英管４と外部石英管５の２つの石英管により被われて
おり、その外側に加熱用ヒータ筒６が設置されている。
反応ガスは反応ガス導入管７より導入され、ウェハ１間
を通り、内部石英管４の隙間より外部に導かれ、内部石
英管４と外部石英管５との間を下方向に流れて排気口８
より排出される。ウェハ保持ボード２はウェハ保持ボー
ド上下動装置９上に設置されており、ホールシャフト１
０の左右回転により、ウェハ保持ボード２は上下動しな
がら回転することになる。
を通り、内部石英管４の隙間より外部に導かれ、内部石
英管４と外部石英管５との間を下方向に流れて排気口８
より排出される。ウェハ保持ボード２はウェハ保持ボー
ド上下動装置９上に設置されており、ホールシャフト１
０の左右回転により、ウェハ保持ボード２は上下動しな
がら回転することになる。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するためのＣＶＤ
装置の断面図である。同図に示すように、ウェハ１はウ
ェハ保持ボード２に保持されて反応室３内に上方向から
挿入されている。ウェハ保持ボード２は、回転機構１１
により回転し、これらはボールシャフト１０に支持機構
１２によって支持される。ボールシャフト１０は回転で
きるようになっており、その回転により支持機構１２は
上下動し、連動してウェハ保持ボード２も上下する。こ
の際、減圧された反応室３ヘリークしないようにＯリン
グシール１３を取付ける。
装置の断面図である。同図に示すように、ウェハ１はウ
ェハ保持ボード２に保持されて反応室３内に上方向から
挿入されている。ウェハ保持ボード２は、回転機構１１
により回転し、これらはボールシャフト１０に支持機構
１２によって支持される。ボールシャフト１０は回転で
きるようになっており、その回転により支持機構１２は
上下動し、連動してウェハ保持ボード２も上下する。こ
の際、減圧された反応室３ヘリークしないようにＯリン
グシール１３を取付ける。
以上説明したように、本発明は、気相成長中にウェハを
保持するボードを上下させる機能を持たせることにより
、縦方向の温度差や、ガスの流れ方の差によるウェハ内
の成長膜厚のばらつきを低減することができる効果があ
る。
保持するボードを上下させる機能を持たせることにより
、縦方向の温度差や、ガスの流れ方の差によるウェハ内
の成長膜厚のばらつきを低減することができる効果があ
る。
第１図は本発明の縦型減圧ＣＶＤ装置の第１の実施例を
説明するためのＣＶＤ装置の断面図である、第２図は本
発明の第２の実施例を説明するためのＣＶＤ装置の断面
図である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハ保持ボート、３・・・
反応室、４・・・内部石英管、５・・・外部石英管、６
・・・ヒーター筒、７・・・反応ガス導入管、８・・・
排気口、９・・・ウェハ保持ボート上下動装置、１０・
・・ボールシャフト。
説明するためのＣＶＤ装置の断面図である、第２図は本
発明の第２の実施例を説明するためのＣＶＤ装置の断面
図である。 １・・・ウェハ、２・・・ウェハ保持ボート、３・・・
反応室、４・・・内部石英管、５・・・外部石英管、６
・・・ヒーター筒、７・・・反応ガス導入管、８・・・
排気口、９・・・ウェハ保持ボート上下動装置、１０・
・・ボールシャフト。
Claims (1)
- 縦方向に反応炉を持つ縦型減圧ＣＶＤ装置において、気
相成長中にウェハを保持するボードを上下させる装置を
含むことを特徴とする縦型減圧ＣＶＤ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211232A JPH0258825A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211232A JPH0258825A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258825A true JPH0258825A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16602475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63211232A Pending JPH0258825A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 縦型減圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467619A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| US6194030B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Chemical vapor deposition velocity control apparatus |
| CN111013515A (zh) * | 2019-12-21 | 2020-04-17 | 张忠恕 | 一种双层立式石英管载体及其加工方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588323A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6025143B2 (ja) * | 1982-02-24 | 1985-06-17 | 貞次 藤井 | 自動縫製機 |
| JPS6223572A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-31 | Nissan Motor Co Ltd | 内燃機関の点火時期制御装置 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63211232A patent/JPH0258825A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5588323A (en) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6025143B2 (ja) * | 1982-02-24 | 1985-06-17 | 貞次 藤井 | 自動縫製機 |
| JPS6223572A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-31 | Nissan Motor Co Ltd | 内燃機関の点火時期制御装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0467619A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| US6194030B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-02-27 | International Business Machines Corporation | Chemical vapor deposition velocity control apparatus |
| CN111013515A (zh) * | 2019-12-21 | 2020-04-17 | 张忠恕 | 一种双层立式石英管载体及其加工方法 |
| CN111013515B (zh) * | 2019-12-21 | 2023-10-31 | 北京凯德石英股份有限公司 | 一种双层立式石英管载体及其加工方法 |
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