JPH0766130A - 化学的気相成長（ｃｖｄ）装置 - Google Patents

化学的気相成長（ｃｖｄ）装置

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JPH0766130A
JPH0766130A JP20740593A JP20740593A JPH0766130A JP H0766130 A JPH0766130 A JP H0766130A JP 20740593 A JP20740593 A JP 20740593A JP 20740593 A JP20740593 A JP 20740593A JP H0766130 A JPH0766130 A JP H0766130A
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JP
Japan
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reaction gas
wafer
reaction
wafer stage
core tube
Prior art date
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Pending
Application number
JP20740593A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Takai
徹 高井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 炉型のＣＶＤ装置において、成長膜厚均一性
を向上させる。 【構成】 炉芯管１内にたとえばらせん状のウェーハス
テージ６のような反応ガスが渦を巻いて流れる手段を含
む。 【効果】 反応ガスは十分に混合し合い、均一に成膜さ
せることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＣＶＤ装置の構造に関
し、特に成長膜厚均一性を向上させる装置の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の装置は、図４に縦断面とし
て示すように炉芯管１，反応ガスＡの導入管２，反応ガ
スＢの導入管３，ガス排気口５，基板（半導体の場合ウ
ェーハ）をのせるステージ８より構成されており、反応
ガス導入管２，３より数種類の反応ガスを導入し、炉芯
管１の内部で反応ガスが混じり合い反応してウェーハ上
に成長するしくみとなっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
のＣＶＤ装置は反応ガスの流れ４はガスの排気による炉
芯管内の拡散状態によってのみ決まってしまうため、ウ
ェーハ上で反応ガスＡの濃度が高い領域，反応ガスＡと
Ｂが混じった領域，反応がガスＢの濃度が高い領域がで
きてしまい、部分的に反応速度が異なるため成長膜厚の
均一性が悪くなってしまうという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明のＣＶＤ装置は
炉芯管内に導入された反応ガスが渦を巻いて流れる手段
を設けて構成されている。
【０００５】
【作用】上記の構成によると、炉芯管内に導入された数
種類の反応ガスが渦状に流れ反応ガスどうしが十分に混
合し合ってウェーハに供給されるのでウェーハ上に均一
に膜を成長させることができる。
【０００６】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。
【０００７】図１はこの発明の一実施例の反応炉の斜視
図である。
【０００８】図において１は炉芯管、２，３は反応ガス
導入管、５はガス排気口、６はらせん状のウェーハステ
ージ、９は基板（ウェーハ）である。
【０００９】この実施例によれば反応ガス導入管２，３
より導入された反応ガスがらせん状のウェーハステージ
６にそって流れ下るとともに十分に混合し合ってウェー
ハに供給されるので、ウェーハ上に均一に膜を成長させ
ることができるという利点がある。
【００１０】この実施例に於いて、らせん状のウェーハ
ステージ６は一連に一体のものとしたが、とびとび状に
配置しても良い。
【００１１】
【実施例２】図２は、この発明の第２の実施例の断面図
である。この実施例では前記第１の実施例のらせん状ウ
ェーハステージに代えて、炉芯管内に導入された反応ガ
スがらせん状に渦を巻くように反応ガス導入管２，３を
炉芯管１の内に延長するとともに数個所に斜め方向に導
入口１０を設けたことにより反応ガス流の混合をよく
し、膜厚の均一性を向上させようとするものである。
【００１２】図３はこの発明の第３の実施例の断面図で
ある。この実施例では前記第２の実施例の反応ガス導入
管の形状変更にかえて、炉芯管１の内壁に、反応ガスが
らせん状に渦を巻くようにガイド７を設け膜厚の均一性
を向上させようとするものである。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は炉芯管
内に導入する反応ガスを十分に混合したことにより成長
膜厚の均一性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の第１の実施例の斜視図である。
【図２】 この発明の第２の実施例の断面図である。
【図３】 この発明の第３の実施例の断面図である。
【図４】 従来の技術の例の断面図である。
【符号の説明】
１ 炉芯管 ２ 反応ガスＡ導入管 ３ 反応ガスＢ導入管 ４ ガスの流れ ５ ガス排気口 ６ らせん状ウェーハステージ ７ ガスらせん状化ガイド ８ ステージ ９ ウェーハ １０ 導入口

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】炉型のＣＶＤ装置において、炉芯管内に反
    応ガス流が渦を巻くようにする手段を設けたことを特徴
    とするＣＶＤ装置。
  2. 【請求項２】前記反応ガス流が渦を巻くようにする手段
    が、らせん状のウェーハステージである請求項１のＣＶ
    Ｄ装置。
  3. 【請求項３】前記反応ガス流が渦を巻くようにする手段
    が炉芯管内に延長するガス導入管に設けた導入口の向に
    よることを特徴とする請求項１のＣＶＤ装置。
  4. 【請求項４】前記反応ガス流が渦を巻くようにする手段
    が、炉芯管内の内壁に設けたらせん状のガイドである請
    求項１のＣＶＤ装置。
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