JP2938070B1 - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2938070B1 JP2938070B1 JP26790298A JP26790298A JP2938070B1 JP 2938070 B1 JP2938070 B1 JP 2938070B1 JP 26790298 A JP26790298 A JP 26790298A JP 26790298 A JP26790298 A JP 26790298A JP 2938070 B1 JP2938070 B1 JP 2938070B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas supply
- gas
- inert gas
- pressure cvd
- atmospheric pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 不活性ガスの吹き出し量のバラツキを減少さ
せる。 【解決手段】 排気ダクト１０３ａの内面と前記内面を
不活性ガスの流路になる空間１１０を残して覆う金属網
１０４ａと、前記空間１１０に不活性ガス１０８を導入
するために挿入するＵ字管１と、前記Ｕ字管１の底部側
の直線面部分に設けた複数のガス供給口ＳＨ1 〜ＳＨ4
と、前記Ｕ字管１の底部側の湾曲面部分に設けた複数の
ガス供給口ＬＨ，ＲＨとを含んで構成される。
せる。 【解決手段】 排気ダクト１０３ａの内面と前記内面を
不活性ガスの流路になる空間１１０を残して覆う金属網
１０４ａと、前記空間１１０に不活性ガス１０８を導入
するために挿入するＵ字管１と、前記Ｕ字管１の底部側
の直線面部分に設けた複数のガス供給口ＳＨ1 〜ＳＨ4
と、前記Ｕ字管１の底部側の湾曲面部分に設けた複数の
ガス供給口ＬＨ，ＲＨとを含んで構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は常圧ＣＶＤ装置、特
に、ウエハに薄膜を常圧気相成長させる化学気相成長
（ＣＶＤ）装置の排気ダクトに設けられるものであっ
て、未反応ガスによる反応生成物の付着を低減する常圧
ＣＶＤ装置に関する。
に、ウエハに薄膜を常圧気相成長させる化学気相成長
（ＣＶＤ）装置の排気ダクトに設けられるものであっ
て、未反応ガスによる反応生成物の付着を低減する常圧
ＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の常圧ＣＶＤ装置について図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
【０００３】図４は第１の従来例を示す斜視図である。
図４に示す常圧ＣＶＤ装置は、反応ガスの排気部１０３
の全面にわたり不活性ガスを供給する不活性ガス供給部
１０４を有している（例えば、特開平０３−２４８４１
５号公報参照）。
図４に示す常圧ＣＶＤ装置は、反応ガスの排気部１０３
の全面にわたり不活性ガスを供給する不活性ガス供給部
１０４を有している（例えば、特開平０３−２４８４１
５号公報参照）。
【０００４】インジェクターヘッド１０１にモノシラ
ン、酸素等の反応ガスがパイプを通って送り込まれ、イ
ンジェクターヘッド１０１の下部より反応ガスがマッフ
ル１０２の中に供給される。ウエハはマッフル１０２中
を通ってインジェクターヘッド１０１の下に移送され、
薄膜が形成される。その後、排気部１０３に反応ガスは
排気される。
ン、酸素等の反応ガスがパイプを通って送り込まれ、イ
ンジェクターヘッド１０１の下部より反応ガスがマッフ
ル１０２の中に供給される。ウエハはマッフル１０２中
を通ってインジェクターヘッド１０１の下に移送され、
薄膜が形成される。その後、排気部１０３に反応ガスは
排気される。
【０００５】この際、インジェクターヘッド１０１の周
辺および排気部１０３の内面に反応生成物を付着させな
いように、不活性ガス供給部１０４から不活性ガスを供
給している。不活性ガス供給部１０４は排気部１０３の
全面にわたり不活性ガスを供給しており、排気部１０３
の内壁はステンレス、アルミニウム等の金属の網で形成
され、この網の目を不活性ガス供給部１０４としてい
る。
辺および排気部１０３の内面に反応生成物を付着させな
いように、不活性ガス供給部１０４から不活性ガスを供
給している。不活性ガス供給部１０４は排気部１０３の
全面にわたり不活性ガスを供給しており、排気部１０３
の内壁はステンレス、アルミニウム等の金属の網で形成
され、この網の目を不活性ガス供給部１０４としてい
る。
【０００６】図５は図４に示す排気部１０３の詳細を示
す模式断面図である。ウエハをベルト１０６に載せてイ
ンジェクターヘッド１０１の下を移送する装置において
は、不活性ガス１０８は排気ダクト１０３ａの上方から
供給されるのが普通であり、このための導入口１０５を
上方に設ける。排気ダクト１０３ａの内壁は金属網１０
４ａで形成されている。排気ダクト１０３ａに注入され
た不活性ガス１０８は、矢印Ａ方向に進み、金属網１０
４ａの網目から矢印Ｂ方向に噴出する。インジェクタヘ
ッド１０１より供給される反応ガス１０７ａのうち未反
応ガス１０７ｂは排気部１０３ａ，１０３ｂの間を通過
して上方に排気される際に、不活性ガス１０８と混合，
希釈される。
す模式断面図である。ウエハをベルト１０６に載せてイ
ンジェクターヘッド１０１の下を移送する装置において
は、不活性ガス１０８は排気ダクト１０３ａの上方から
供給されるのが普通であり、このための導入口１０５を
上方に設ける。排気ダクト１０３ａの内壁は金属網１０
４ａで形成されている。排気ダクト１０３ａに注入され
た不活性ガス１０８は、矢印Ａ方向に進み、金属網１０
４ａの網目から矢印Ｂ方向に噴出する。インジェクタヘ
ッド１０１より供給される反応ガス１０７ａのうち未反
応ガス１０７ｂは排気部１０３ａ，１０３ｂの間を通過
して上方に排気される際に、不活性ガス１０８と混合，
希釈される。
【０００７】もし、排気ガス（反応ガス）と希釈用ガス
（不活性ガス）との混合が十分に行なわれない場合は、
排気が大気に出た際、発火や人体に害をおよぼし、ＣＶ
Ｄ反応によって生じた反応生成物が排気管内壁に付着
し、排気管が閉塞するため必要な排気量の確保が困難と
なり排気系内圧が上昇し安全性を損なう。
（不活性ガス）との混合が十分に行なわれない場合は、
排気が大気に出た際、発火や人体に害をおよぼし、ＣＶ
Ｄ反応によって生じた反応生成物が排気管内壁に付着
し、排気管が閉塞するため必要な排気量の確保が困難と
なり排気系内圧が上昇し安全性を損なう。
【０００８】図６（ａ），（ｂ）は第２の従来例を示す
断面図であり、前述の網の目の代りに内管に複数の希釈
ガス噴出口を設けてある（例えば、特開平０３−０１０
０７７号公報参照）。
断面図であり、前述の網の目の代りに内管に複数の希釈
ガス噴出口を設けてある（例えば、特開平０３−０１０
０７７号公報参照）。
【０００９】図６（ａ）に示すＣＶＤ装置は、複数の希
釈ガス噴出口２０４を設けた内管２０３と、希釈ガスを
導入するためのガス導入口２０５を有する外管２０２と
を含んで構成される。なお、２０１は反応室，２１０は
排気管である。
釈ガス噴出口２０４を設けた内管２０３と、希釈ガスを
導入するためのガス導入口２０５を有する外管２０２と
を含んで構成される。なお、２０１は反応室，２１０は
排気管である。
【００１０】図６（ｂ）に示すＣＶＤ装置は、複数の希
釈ガス噴出口３０４を設けた内管３０３と、希釈ガスを
分割導入するための複数のガス導入口３０５を有する外
管３０２とを含んで構成される。なお、３０１は反応
室，３０６は希釈ガスの流れを示す。
釈ガス噴出口３０４を設けた内管３０３と、希釈ガスを
分割導入するための複数のガス導入口３０５を有する外
管３０２とを含んで構成される。なお、３０１は反応
室，３０６は希釈ガスの流れを示す。
【００１１】ここでは、希釈ガスの噴出口を分割し、そ
れぞれ個々に希釈ガスを導入しているため、希釈ガスが
排気管内に均一に噴出できるので、より効率よく排気ガ
スの希釈が行なわれる。
れぞれ個々に希釈ガスを導入しているため、希釈ガスが
排気管内に均一に噴出できるので、より効率よく排気ガ
スの希釈が行なわれる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の常圧Ｃ
ＶＤ装置は、不活性ガスの導入口の位置，形状が単純で
あるため、不活性ガスの噴出圧力が排気ダクトの全面に
わたり均一にならない。すわわち、ウエハを搬送するベ
ルト１０６の方から排気ダクト１０３を見上げた所で、
Ｎ2 ガスの吹き出し量（ｃｆｍ）を測定した場合、図７
のグラフに示すようにベルト面側の反応ガス吹き出し部
１０３ｃの中央付近のＮ2 ガスの吹き出し量が最も多く
（１００ｃｆｍ）、端部にゆくにしたがいその量が減少
してゆく（５０〜−５０ｆｃｍ）ので不均一な分布にな
ってしまうという欠点があった。本発明の目的は、反応
ガス吹き出し部近傍で不活性ガスの吹き出し量が均一に
なる常圧ＣＶＤ装置を提供することにある。
ＶＤ装置は、不活性ガスの導入口の位置，形状が単純で
あるため、不活性ガスの噴出圧力が排気ダクトの全面に
わたり均一にならない。すわわち、ウエハを搬送するベ
ルト１０６の方から排気ダクト１０３を見上げた所で、
Ｎ2 ガスの吹き出し量（ｃｆｍ）を測定した場合、図７
のグラフに示すようにベルト面側の反応ガス吹き出し部
１０３ｃの中央付近のＮ2 ガスの吹き出し量が最も多く
（１００ｃｆｍ）、端部にゆくにしたがいその量が減少
してゆく（５０〜−５０ｆｃｍ）ので不均一な分布にな
ってしまうという欠点があった。本発明の目的は、反応
ガス吹き出し部近傍で不活性ガスの吹き出し量が均一に
なる常圧ＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】第１の発明の常圧ＣＶＤ
装置は、排気ダクトの内面と前記内面を不活性ガスの流
路になる空間を残して覆う金属網と、前記空間に不活性
ガスを導入するために挿入するＵ字管と、前記Ｕ字管の
底部側の直線面部分に設けた複数の第１のガス供給口
と、前記Ｕ字管の底部側の湾曲面部分に設けた第２のガ
ス供給口とを含んで構成される。
装置は、排気ダクトの内面と前記内面を不活性ガスの流
路になる空間を残して覆う金属網と、前記空間に不活性
ガスを導入するために挿入するＵ字管と、前記Ｕ字管の
底部側の直線面部分に設けた複数の第１のガス供給口
と、前記Ｕ字管の底部側の湾曲面部分に設けた第２のガ
ス供給口とを含んで構成される。
【００１４】第２の発明の常圧ＣＶＤ装置は、第１の発
明において、前記第１と第２のガス供給口の口径を同一
としたものである。
明において、前記第１と第２のガス供給口の口径を同一
としたものである。
【００１５】第３の発明の常圧ＣＶＤ装置は、第１の発
明において、前記第１と第２のガス供給口の口径を異な
るようにしたものである。
明において、前記第１と第２のガス供給口の口径を異な
るようにしたものである。
【００１６】第４の発明の常圧ＣＶＤ装置は、第１の発
明において、前記第２のガス供給口を複数備える。
明において、前記第２のガス供給口を複数備える。
【００１７】第５の発明の常圧ＣＶＤ装置は、第１の発
明において、前記Ｕ字管の左側と右側の前記第２のガス
供給口を各３〜５個としたものである。
明において、前記Ｕ字管の左側と右側の前記第２のガス
供給口を各３〜５個としたものである。
【００１８】第６の発明の常圧ＣＶＤ装置は、第１の発
明において、前記Ｕ字管の両端を前記排気ダクトの上部
を貫通させて不活性ガスの導入口としたものである。
明において、前記Ｕ字管の両端を前記排気ダクトの上部
を貫通させて不活性ガスの導入口としたものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一
実施の形態を示す断面図である。
して詳細に説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一
実施の形態を示す断面図である。
【００２０】図１（ａ），（ｂ）に示す常圧ＣＶＤ装置
は、排気ダクト１０３ａの内面と前記内面を不活性ガス
の流路になる空間１１０を残して覆う金属網１０４ａ
と、前記空間１１０に不活性ガス１０８を導入するため
に挿入するＵ字管１と、前記Ｕ字管１の底部側の直線面
部分に設けた複数のガス供給口ＳＨ1 〜ＳＨ4 と、前記
Ｕ字管１の底部側の湾曲面部分に設けた複数のガス供給
口ＬＨ，ＲＨとを含んで構成される。
は、排気ダクト１０３ａの内面と前記内面を不活性ガス
の流路になる空間１１０を残して覆う金属網１０４ａ
と、前記空間１１０に不活性ガス１０８を導入するため
に挿入するＵ字管１と、前記Ｕ字管１の底部側の直線面
部分に設けた複数のガス供給口ＳＨ1 〜ＳＨ4 と、前記
Ｕ字管１の底部側の湾曲面部分に設けた複数のガス供給
口ＬＨ，ＲＨとを含んで構成される。
【００２１】例えば、ガス供給口ＳＨ1 〜ＳＨ4 の口径
とガス供給口ＬＨ，ＲＨの口径は同一に選ばれるが、前
記両口径に差を設けてもよい。
とガス供給口ＬＨ，ＲＨの口径は同一に選ばれるが、前
記両口径に差を設けてもよい。
【００２２】あるいは、図２に示すように前記両口径に
差を設ける代りにガス供給口ＬＨ，ＲＨの分布数を変化
させてもよい。この例では、排気ダクト１０３ａの左端
Ｌと右端Ｒにおける不活性ガス１０８の吹き出し量が低
下する傾向を補償するためＵ字管１の左側に３個のガス
供給口ＬＨ1 ，ＬＨ2 ，ＬＨ3 を配置している。なお、
Ｕ字管１の右側にも３個のガス供給口を配置するが図示
省略してある。
差を設ける代りにガス供給口ＬＨ，ＲＨの分布数を変化
させてもよい。この例では、排気ダクト１０３ａの左端
Ｌと右端Ｒにおける不活性ガス１０８の吹き出し量が低
下する傾向を補償するためＵ字管１の左側に３個のガス
供給口ＬＨ1 ，ＬＨ2 ，ＬＨ3 を配置している。なお、
Ｕ字管１の右側にも３個のガス供給口を配置するが図示
省略してある。
【００２３】図３は図２のガス供給口の個数を１〜６個
まで変化させたとき、排気ダクトの左端Ｌから右端Ｒに
わたるＮ2 ガスの吹き出し量を示すグラフである。折れ
線イ〜ヘはガス供給口の個数が１〜６個の場合に対応す
るものであり、ガス供給口の個数が３〜５個にするとＮ
2 ガスの吹き出し量５０ｃｆｍを中心値としてバラツキ
が少ないことがわかる。
まで変化させたとき、排気ダクトの左端Ｌから右端Ｒに
わたるＮ2 ガスの吹き出し量を示すグラフである。折れ
線イ〜ヘはガス供給口の個数が１〜６個の場合に対応す
るものであり、ガス供給口の個数が３〜５個にするとＮ
2 ガスの吹き出し量５０ｃｆｍを中心値としてバラツキ
が少ないことがわかる。
【００２４】なお、Ｕ字管１の両端を排気ダクト１０３
ａの上部を貫通させて不活性ガス１０８の導入口とし、
前記Ｕ字管１の両端に同一の圧力の不活性ガス１０８を
印加すると更に前述のバラツキを減少できる。
ａの上部を貫通させて不活性ガス１０８の導入口とし、
前記Ｕ字管１の両端に同一の圧力の不活性ガス１０８を
印加すると更に前述のバラツキを減少できる。
【００２５】
【発明の効果】本発明の常圧ＣＶＤ装置は、Ｕ字管の湾
曲部における不活性ガスの排出等価面積を増加させたの
で、排気ダクトの内壁側から金属網を通して噴出させる
不活性ガスの吹き出し量のバラツキを減少できるという
効果がある。
曲部における不活性ガスの排出等価面積を増加させたの
で、排気ダクトの内壁側から金属網を通して噴出させる
不活性ガスの吹き出し量のバラツキを減少できるという
効果がある。
【図１】（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施形態を示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態を示す模式部分断面図
である。
である。
【図３】本発明の作用を説明するための実験値を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】第１の従来例を示す斜視図である。
【図５】図４に示す排気部の詳細を示す模式断面図であ
る。
る。
【図６】（ａ），（ｂ）は第２の従来例を示す断面図で
ある。
ある。
【図７】従来の不活性ガスの吹き出し量のバラツキを示
すクラフである。
すクラフである。
１ Ｕ字管 １０３ａ 排気ダクト １０４ａ 金属網 １０７ｂ 未反応ガス １０８ 不活性ガス １１０ 不活性ガスの流路になる空間 ＬＨ，ＲＨ，ＳＨ1 〜ＳＨ4 不活性ガスの供給口
Claims (6)
- 【請求項１】 排気ダクトの内面と前記内面を不活性ガ
スの流路になる空間を残して覆う金属網と、前記空間に
不活性ガスを導入するために挿入するＵ字管と、前記Ｕ
字管の底部側の直線面部分に設けた複数の第１のガス供
給口と、前記Ｕ字管の底部側の湾曲面部分に設けた第２
のガス供給口とを含むことを特徴とする常圧ＣＶＤ装
置。 - 【請求項２】 前記第１と第２のガス供給口の口径が同
一である請求項１記載の常圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記第１と第２のガス供給口の口径が異
なる請求項１記載の常圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記第２のガス供給口を複数備えた請求
項１記載の常圧ＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 前記Ｕ字管の左側と右側の前記第２のガ
ス供給口が各３〜５個である請求項１記載の常圧ＣＶＤ
装置。 - 【請求項６】 前記Ｕ字管の両端を前記排気ダクトの上
部を貫通させて不活性ガスの導入口とした請求項１記載
の常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26790298A JP2938070B1 (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26790298A JP2938070B1 (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2938070B1 true JP2938070B1 (ja) | 1999-08-23 |
| JP2000096238A JP2000096238A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17451217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26790298A Expired - Lifetime JP2938070B1 (ja) | 1998-09-22 | 1998-09-22 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2938070B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3492596B2 (ja) | 1999-05-17 | 2004-02-03 | エイエスエムエル ユーエス インコーポレイテッド | ガス供給装置 |
-
1998
- 1998-09-22 JP JP26790298A patent/JP2938070B1/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3492596B2 (ja) | 1999-05-17 | 2004-02-03 | エイエスエムエル ユーエス インコーポレイテッド | ガス供給装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000096238A (ja) | 2000-04-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9951422B2 (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus having plurality of gas exhausting pipes and gas sensors | |
| US4834020A (en) | Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus | |
| US20030037729A1 (en) | Modular injector and exhaust assembly | |
| JPH07283149A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JP2760717B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2008041915A (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| TWI601575B (zh) | 噴嘴頭與裝置及其操作方法 | |
| JPS615515A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2938070B1 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2004006551A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2000277509A5 (ja) | ||
| TWI542412B (zh) | 噴嘴頭及用於處理基板之表面的裝置 | |
| JP2002164336A (ja) | ガスインジェクタ及び成膜装置 | |
| JP3037287B1 (ja) | 半導体製造装置および半導体の製造方法 | |
| JP3047344B2 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH11219918A (ja) | 化学蒸着装置 | |
| KR0174996B1 (ko) | 마주보기 가스흐름 방식의 저압화학기상증착장치 | |
| JPH02283696A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP2004292872A (ja) | ガス吹出し型ラダー電極およびこれを備えた真空処理装置 | |
| JP7195778B2 (ja) | 成膜装置、クリーニングガスノズル、クリーニング方法 | |
| JPH0917736A (ja) | 半導体製造方法および装置 | |
| JP2752824B2 (ja) | 縦型減圧気相成長装置 | |
| JPS63199412A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2005501429A (ja) | ガス配送用の防護シールド及びシステム | |
| JPS62193129A (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990518 |