TWI601575B

TWI601575B - 噴嘴頭與裝置及其操作方法

Info

Publication number: TWI601575B
Application number: TW100130880A
Authority: TW
Inventors: 派克索尼寧; 奧利派克南
Original assignee: 班尼克公司
Priority date: 2010-08-30
Filing date: 2011-08-29
Publication date: 2017-10-11
Also published as: FI20105905A0; CN103108984A; DE112011102855T5; CN103108984B; US20130149446A1; US9803281B2; WO2012028780A1; TW201217060A

Description

噴嘴頭與裝置及其操作方法

本發明係關於一種噴嘴頭，用於使一基板表面歷經至少一第一先質及一第二先質之連串表面反應，且明確地係一種依據申請專利範圍第1項前言之噴嘴頭。本發明尚關於一種裝置，其包括一噴嘴頭，用於使一基板表面歷經至少一第一先質及一第二先質之連串表面反應，且明確地係一種依據申請專利範圍第17項前言之裝置。本發明亦關於一種方法，用於使一基板表面歷經至少一第一先質及一第二先質之連串表面反應，且明確地係一種依據申請專利範圍第25項前言之方法。

在先前技藝中，數種型式之裝置、噴嘴頭、及噴嘴係依據原子層沉積方法(ALD)之原理，用於使一基板表面歷經至少一第一先質及一第二先質之連串表面反應。在ALD之應用中，典型地係於各個不同階段中，將二氣態先質導入ALD反應器中。該等先質係與該基板表面有效地反應，以達成一成長層沉積。該等先質階段典型地係由一鈍氣沖洗階段接續、或分隔，該鈍氣沖洗階段可在分離導入其他先質之前，自該基板表面消除多餘之先質。因此，一ALD製程需使流至該基板表面之先質依序交替。這種由交替表面反應、及其間之沖洗階段組成的重複序列，係一典型之ALD沉積循環。

用於連續操作ALD之先前技藝裝置，通常包括一噴嘴頭，其具有一個或更多第一先質噴嘴，用於使該基板表面歷經該第一先質，一個或更多第二先質噴嘴，用於使該基板表面歷經該第二先質，一個或更多沖洗氣體通道，及一個或更多排放通道，用於排放該二先質及沖洗氣體，其配置順序如下：至少一第一先質噴嘴、一第一排放通道、一沖洗氣體通道、一排放通道、一第二先質噴嘴、一排放通道、一沖洗氣體通道、及一排放通道，可選擇性地重複複數次。此先前技藝噴嘴頭之問題在於，其包括數個不同噴嘴及通道，如此將使該噴嘴頭複雜化，且相當地大。該噴嘴較佳地可相關於該基板而運動，以生成多個成長層。

另一型式連續ALD用先前技藝噴嘴頭之交替地連串包括：一第一先質噴嘴、一沖洗氣體通道、一第二先質噴嘴、及一沖洗氣體通道，可選擇性地重複複數次。在此先前技藝噴嘴頭中，每一該等先質噴嘴及沖洗氣體通道各設有一入口及一出口，使該先質及該沖洗氣體皆使用同一噴嘴供應與排放。因此，並無分離之排放通道。此先前技藝噴嘴頭之問題在於，沖洗氣體將洩漏至該先質噴嘴，使該先質濃度將稀釋。是以，該噴嘴頭無法在該先質噴嘴全身長上、或在該噴嘴頭整個輸出面上，提供一均勻氣體供應。更，結構將因每一該等噴嘴皆具有入口及出口，而顯複雜。亦，此噴嘴頭可相對於該基板運動，以生成多個成長層。

是以，本發明之目的係提供一種噴嘴頭及裝置，以解決上述先前技藝問題。可藉由依據申請專利範圍第1項特徵部之一噴嘴頭，達成本發明之目的，其特徵在於：一個或更多沖洗氣體通道係配置成，與圍繞該噴嘴頭且包括沖洗氣體之一氣體環境作流體連接。本發明之目的尚可藉一種依據申請專利範圍第17項特徵部之裝置達成，其特徵在於：該沖洗氣體通道係與一處理室內之氣體環境作流體連接，以使一基板表面歷經一沖洗氣體。本發明之目的尚可藉一種依據申請專利範圍第25項特徵部之方法達成。

申請專利範圍依附項將描述本發明之較佳實施例。

本發明之基本構想為，使用一靜態沖洗氣體容器或貯存器，圍繞該噴嘴頭，使一基板表面在該等先質之間歷經該沖洗氣體。依據本發明，設有一沖洗氣體環境、及該噴嘴頭之該沖洗氣體通道，且該噴嘴頭之沖洗氣體通道係與該沖洗氣體環境作被動式流體連接。被動式流體連接意味著，沖洗氣體並非使用譬如泵等主動構件供應至該沖洗氣體通道，但該沖洗氣體通道係連接至相同於沖洗氣體環境之壓力介質，使沖洗氣體可流動至該沖洗氣體通道。依據本發明，該等沖洗氣體通道係與圍繞該噴嘴頭之氣體環境作流體連接。本實施例允許該噴嘴頭構成為，在該等第一與第二先質噴嘴頭之間設有複數個缺口或開口，該等缺口或開口至少部分地開向，圍繞該噴嘴頭之氣體環境，及該噴嘴頭之輸出面。在一較佳實施例中，該等第一先質噴嘴係配置成，在該輸出面處於一第一壓力下操作，且該等第二先質噴嘴係配置成，在該輸出面處於一第二壓力下操作，及圍繞該噴嘴頭之沖洗氣體環境或氣體環境係配置成高於該第一與第二壓力之一第三壓力。該第一與第二壓力可不同、或大致完全相同。這允許來自該沖洗噴嘴或沖洗區域之沖洗氣體，將該等第一與第二先質噴嘴互相分離。附帶地，該沖洗氣體可至少部分地經由該等先質噴嘴之出口或排放件排出。緣是，在本發明中，該等先質噴嘴設有排放件，配置成排放先質與沖洗氣體二者。

本發明無需習知中、配置成以相同於先質噴嘴者之方式主動地供應沖洗氣體的沖洗氣體通道，而具有優勢。該噴嘴頭之構造將因該等沖洗氣體通道可由缺口或開口、或著配置成可與分離之氣體環境或圍繞該噴嘴頭之氣體環境作流體連接的被動式沖洗氣體通道替代，而變得更簡單。本發明因該沖洗氣體通道或噴嘴之結構可較先前技藝中者更狹小，而又具有優勢。

第1A圖係顯示一裝置之一實施例剖視圖，其用於依據ALD之原理，使一基板6之一表面4歷經至少一第一先質A及一第二先質B之連串表面反應。第一與第二先質A與B可為ALD中所使用之任何氣態先質，譬如臭氧、三甲基鋁(TMA)、水、四氯化鈦(TiCl₄)、二乙基鋅(DEZ)，或著先質亦可為電漿，譬如氨氣、氬、氧氣、氮氣、氫氣、或二氧化碳電漿。該裝置包括一處理室26，其內具有一氣體環境 14。氣體環境14可包括譬如氮等鈍氣、或乾空氣、或適合用作為ALD方法中沖洗空氣之任何其他氣體。亦，電漿可用於沖洗，其譬如為氮或氬電漿。本文中之沖洗氣體亦包括電漿。沖洗氣體源係連接至處理室26，以將沖洗氣體供應至處理室26中。一噴嘴頭2係配置於處理室26內。該噴嘴頭包括一輸出面5、用於使基板6之表面4歷經第一先質A之一個或更多第一先質噴嘴8、用於使基板6之表面4歷經第二先質B之一個或更多第二先質噴嘴10。該裝置尚包括一供應構件，用於將第一及第二先質A、B供應至噴嘴頭2，以及一排放構件，用於將第一及第二先質A、B自噴嘴頭2排放。如第1A圖中所顯示者，該等第一及第二噴嘴係交替地相繼配置，以當基板6與噴嘴頭2互相相對運動時，使基板6之表面4歷經第一先質A與第二先質B之交替表面反應。可設置該裝置，使噴嘴頭2可譬如前後運動，且基板6靜止不動。另一選擇為，噴嘴頭2係呈靜態，且基板6運動，亦或基板6與噴嘴頭2二者皆可運動。基板6可為裝載於該處理室中之一分離基板，且藉批次製程處理，或著另一選擇地將基板配置成，輸送通過處理室26。亦可將該裝置構成為，用於捲繞式製程，使一撓性基板自某一滾子經由處理室26輸送至另一滾子、或自任何來源經由處理室26而至任何貯器，且藉處理室26內之噴嘴頭2處理。

先質噴嘴8、10較佳地係呈細長型。第一先質噴嘴8設有一第一通道3，其沿第一先質噴嘴8之縱向方向延伸且包括一第一開放部9，該第一開放部係沿第一通道3延伸且開向噴嘴頭2之輸出面5。第二先質噴嘴10設有一第二通道7，其沿第二先質噴嘴10之縱向方向延伸且包括一第二開放部11，該第二開放部係沿第二通道7延伸且開向噴嘴頭2之輸出面5。如第1B圖中所顯示者，第一先質噴嘴8包括一第一入口18，用於將第一先質A供應至第一通道3，及二第一出口20，用於在第一先質A之表面反應後，將該第一先質自第一通道3排出。相似地，第二先質噴嘴10包括一第二入口22，用於將第二先質B供應至第二通道7，及二第二出口24，用於在第二先質B之表面反應後，將該第二先質自第二通道7排出。在本實施例中，入口18、22係配置於第一與第二通道3、7身長之中間處，且出口20、24係配置於第一及第二通道3、7之對立末端，如第1B圖中所顯示者。然而，請注意到，第一及第二通道3、7中亦可有二個或更多入口18、22，及一個或更多出口20、24。入口18、22及出口20、24亦可位於第一及第二通道3、7中之任何其他位置。

如第1A圖及第1B圖中所顯示者，第一及第二噴嘴8、10係藉沖洗氣體通道12而互相分離，開向處理室26中圍繞噴嘴頭2之氣體環境14、及噴嘴頭2之輸出面5。沖洗氣體通道12係形成為，延伸於第一與第二先質噴嘴8、10之間的缺口。缺口12因此可對包括有沖洗氣體之氣體環境14提供一流體連接。該等缺口係形成第一與第二先質噴嘴8、10之間的沖洗氣體通道12，用於使第一及第二先質噴嘴8、10與第一及第二先質A、B互相分離。在第1A圖及第1B圖中，噴嘴頭2係依一格柵狀結構設置，其中第一及第二先質噴嘴8、10係形成桿件，且沖洗氣體通道12係在該等桿件之間形成缺口。先質噴嘴8、10係藉複數個連接器33而互相接合。然而，請注意到，沖洗氣體通道12亦可藉一個或更多通道、孔洞、或導管而設置，其可具有對氣體環境14之一被動式流體連接、或至少部分地開向氣體環境14。該等通道可相似於第一及第二通道3、7。

在一較佳實施例中，第一先質噴嘴8係配置成，可在輸出面5處於一第一壓力下操作，且第二先質噴嘴10係配置成，可在輸出面5處於一第二壓力下操作。氣體環境14係設置於，高於該第一與第二壓力之一第三壓力。是以，氣體環境14中之沖洗氣體將流動至沖洗氣體通道12，且使第一與第二先質A、B保持分離。某些沖洗氣體亦將自噴嘴頭2輸出面5與基板6表面4之間的沖洗氣體通道流動至第一及第二通道3、7。該第一、第二、與第三壓力可低於正常氣壓(NTP；1巴，0℃)，或者大致相等於正常氣壓或高於正常氣壓、或甚至為真空。該等噴嘴與氣體環境之壓力差係關鍵要素。該第一及第二壓力係於噴嘴頭2之輸出面5處量測，且該第一及第二通道中之壓力可不同於該第一及第二壓力、正常地高於該第一與第二壓力。

第2圖係顯示噴嘴頭2之另一實施例，其中噴嘴頭2設有一分離沖洗氣體容器39，圍繞噴嘴頭2配置。沖洗氣體容器39內具有一氣體環境16。在第2圖中，沖洗氣體容器39係配置至噴嘴頭2處，且該沖洗氣體容器內之氣體環境包括沖洗氣體。在本實施例中，第一與第二先質噴嘴8、10係與第1A圖與第1B圖之先質噴嘴相似，因此無需再詳細說明。在第2圖中，第一與第二先質噴嘴8、10之間設有一沖洗氣體通道12，用於使基板6表面4歷經一沖洗氣體，且使第一與第二先質A、B互相分離。沖洗氣體通道12係與第一及第二先質噴嘴8、10平行延伸之一通道。沖洗氣體通道12係配置成，經由延伸自沖洗氣體容器39以至沖洗氣體通道12之複數個導管35，而與沖洗氣體容器39之氣體環境16被動式流體連接。一沖洗氣體源可連接至沖洗氣體容器39，以將沖洗氣體供應至沖洗氣體容器39中。沖洗氣體通道12亦可藉由以被動式流體連接至沖洗氣體容器39、且至少部分地開向噴嘴頭2輸出面5之一個或更多缺口、孔洞、或開口而形成。輸出面5之邊緣區尚設有額外沖洗氣體通道12，如第2圖中所顯示者。這些額外沖洗氣體通道12係使噴嘴頭2、且明確地為該噴嘴頭輸出面5，與周圍氣體環境相分離，使得可為防止先質氣體流動至周圍氣體環境，而亦將噴嘴頭2選擇性地用於大氣壓力下。該等額外沖洗氣體通道可分離地設於該輸出面之每一邊緣區，或可延伸成位在邊緣區上、且圍繞整個輸出面5之環圈。

亦，在本實施例中，第一先質噴嘴8係配置成，可在輸出面5處於一第一壓力下操作，且第二先質噴嘴10係配置成，可在輸出面5處於一第二壓力下操作。沖洗氣體容器39係以相同於第1A圖及第1B圖實施例中之方式，配置成高於該第一與第二壓力之一第三壓力。第一及第二噴嘴8、10亦可在結合第1A圖及第1B圖作描述之相似壓力下操作。當該第三壓力高於該第一與第二壓力時，該沖洗氣體容器可提供沖洗氣體通道12一靜態沖洗氣體供應。更，請注意到，第2圖之噴嘴頭2亦可構成為，使沖洗氣體通道12與圍繞噴嘴頭2之氣體環境14作流體連接。因此，導管35可連接至氣體環境14，以代替沖洗氣體容器39。該等先質及沖洗氣體可經由流體連接供應至噴嘴頭2。另一選擇為，噴嘴頭2設有一個或更多先質、及/或沖洗氣體容器、瓶件、或相似物，使得當該噴嘴頭運動時，該等先質及/或沖洗氣體將與該噴嘴一同運動。這種配置可使對一運動噴嘴頭2作困難流體連接之數量有所減少。

亦可使用任何類型之先質噴嘴及沖洗氣體通道構成第1A圖、第1B圖、及第2圖之發明。藉由二個或更多分離孔洞、開口、或者可對氣體環境14或一分離沖洗氣體容器39提供一連體連接之任何類型特點，形成該等沖洗氣體通道。第1A圖、第1B圖、及第2圖之實施例允許將沖洗氣體用於互相分離之先質噴嘴，而無需主動地供應沖洗氣體，及使用相同於先質噴嘴8、10之噴嘴結構。

構成一第2圖噴嘴頭之一先前技藝方式係提供一第一先質噴嘴，具有至少一第一入口及至少一第一出口，一第二先質噴嘴，具有至少一第二入口及至少一第二出口，及一沖洗氣體通道，介於該等第一與第二先質噴嘴之間，該沖洗氣體通道具有僅一個或更多第三入口且不具出口。該三種噴嘴將重複一或更多次，以形成一噴嘴頭。自該等第三入口供應至該沖洗氣體通道之沖洗氣體係經由該等第一及第二先質噴嘴之第一及第二出口排放。

第3圖係顯示另一實施例，其中噴嘴頭2具有與第1A圖及第1B圖噴嘴頭相同類型之構造。請注意到，該噴嘴頭亦可依不同於第3圖中之某些其他方式構成。噴嘴頭2包括二個或更多第一先質噴嘴8，用於使該基板表面歷經第一先質A，及二個或更多第二先質噴嘴10，用於使基板6表面4歷經第二先質B。第一先質噴嘴8包括至少一第一入口18，用於供應第一先質A，及至少一第一出口20，用於排出第一先質A。在第3圖中，第一先質噴嘴頭8包括一第一入口18，設於細長型第一先質噴嘴8之一末端，及一第一排放口20，設於第一先質噴嘴8之另一末端。相似地，第二先質噴嘴10包括一第二入口22，設於細長型第二先質噴嘴10之一末端，用於供應第二先質B，及一第二排放口24，設於第二先質噴嘴10之另一末端，用於排出第二先質B。入口18、22及出口20、24亦可依據譬如第1B圖中所示之其他方式定位，每一噴嘴8、10中亦可有二個或更多入口及出口。更，如稍後將說明者，亦可將該噴嘴頭構成為，使先質噴嘴8、10不包括任何出口20、24，但該噴嘴頭設有一個或更多分離排放通道。

在第3圖中，噴嘴頭2設有複數個第一連接元件30，用於將第一先質A自某一第一先質噴嘴8導引至某一或更多其他第一先質噴嘴8。噴嘴頭2尚設有複數個第二連接元件32，用於將第二先質B自某一第二先質噴嘴10導引至某一或更多其他第二先質噴嘴10。連接元件30、32較佳地包括一輸送管、一管道、一封閉通道或一導管，以及在二個或更多第一先質噴嘴8、或者二個或更多第二先質噴嘴10之間提供一流體連接的任何其他必要組件。如第3圖中所顯示者，某一第一先質噴嘴8之第一出口20係以第一連接元件30連接至另一第一先質噴嘴8之第一入口18，以將第一先質A自該某一第一先質噴嘴8導引至該另一第一先質噴嘴8。相似地，某一第二先質噴嘴10之第二出口24係以第二連接元件32連接至另一第二先質噴嘴10之第二入口22，以將第二先質B自該某一第二先質噴嘴10導引至該另一第二先質噴嘴10。依據上述者，其構想係串連二個或更多先質噴嘴8、10，使先質可相繼流通過二個或更多先質噴嘴8、10。

請注意到，亦可依不同於第3圖中所顯示者之某些其他方式來配置連接元件30、32，其中每一連接元件30、32係設於二個或更多先質噴嘴8或10之間。第一連接元件30可配置於某一第一先質噴嘴8與二個或更多其他第一先質噴嘴8之間，以將第一先質A自該某一第一先質噴嘴8導引至該二個或更多其他第一先質噴嘴8。亦，第二連接元件32可配置於某一第二先質噴嘴10與二個或更多其他第二先質噴嘴10之間，以將第二先質B自該某一第二先質噴嘴10導引至該二個或更多其他第二先質噴嘴10。

第3圖及如上述之實施例係提供可提升先質A、B材料效率之方式。當供應先質A、B至噴嘴8、10時，某些先質A、B將不與反應基板6表面4起反應，但通常供應一過量先質A、B。是以，供應至先質通道8、10之先質A、B中，至少部分不與基板6表面起反應。在先前技藝中，此超量先質A、B將視為廢料而排放。第3圖之實施例允許超量之先質A、B用於某些其他先質噴嘴8、10中。亦請注意到，可根據噴嘴頭2之構造，依不同方式，與連接元件30、32形成流體連接。更，請注意到，當先質自某一先質噴嘴8、10導引至另一個時，將有一壓力降。

第一連接元件30可配置於一個或更多第一先質噴嘴8與至少另一第一先質噴嘴8之間。是以，可使用第一連接元件30，將某一第一先質噴嘴8連接至數個其他第一先質噴嘴8，或數個第一先質噴嘴8連接至某一其他第一先質噴嘴8，或著數個第一先質噴嘴8連接至數個其他第一先質噴嘴8。在某一實施例中，噴嘴頭2包括二個或更多第一連接元件30，介於二第一先質噴嘴8之間。是以，先質係自某一第一先質噴嘴8導引至另一第一先質噴嘴8，及排放。噴嘴頭2因此可包括二個或更多此種二第一先質噴嘴8相互連接元件。可使用第二連接元件32，依相同方式連接第二先質噴嘴10。

第4圖係顯示一實施例之概略視圖，其中該噴嘴頭包括複數個第一先質噴嘴8、複數個第二先質噴嘴10、及介於細長型先質噴嘴8、10之間的複數個沖洗氣體通道12。先質噴嘴8、10包括一供應通道40、44，沿細長型先質噴嘴8、10之縱向方向延伸。先質噴嘴8、10尚包括一排放通道42、46，沿細長型先質噴嘴8、10之縱向方向延伸，其大致與供應通道40、44平行且鄰接，藉使用真空或吸力來排放先質A、B。第一先質噴嘴8包括一第一供應通道40及一第一排放通道42，且同時第二先質噴嘴10包括一第二供應通道44及一第二排放通道46。因此，第4圖係顯示一實施例，其中供應通道40、44與排放通道42、46係提供至同一先質噴嘴8、10，且藉一隔牆52而互相分離。然而，請注意到，排放通道42、46亦可形成為，配置於一先質噴嘴8、10或供應通道40、44與沖洗氣體通道12之間的一分離結構部件。

供應通道40、44設有至少一入口，用於經由噴嘴頭2之輸出面5來供應先質A、B。最好將該等入口配置成，可沿供應通道40、44之全身長供應先質A、B。此外，排放通道42、46設有至少一出口，用於排放先質A、B。最好將該等出口配置成，可沿排放通道42、46之全身長排放先質A、B。因此，該入口與該出口可為分別沿供應通道40、44與排放通道42、46延伸之一縱向開口。另一選擇為，供應通道40、44與排放通道42、46可包括，分別沿供應通道40、44與排放通道42、46身長之成組入口與出口。可由第4圖中看出，供應通道40、44及排放通道42、46至少部分地開向輸出面5。供應通道40、44設有一供應開口47、48，沿供應通道40、44之縱向方向延伸且開向輸出面5。亦，排放通道42、46設有一排放開口43、45，沿排放通道42、46之縱向方向延伸且開向輸出面5。先質噴嘴8、10或供應通道40、44係配置成，大致垂直於輸出面5地供應先質A、B，及先質噴嘴8、10或排放通道42、46係配置成，大致垂直於輸出面5地排放先質A、B。如此將因垂直氣體流有助於破壞基板表面上之氣體層，而可提升該等先質之表面反應。

請注意到，第4圖之實施例亦可構成為，使供應通道40、44為先質噴嘴8、10之部分，但排放通道42、46則為一分離部件。基本構想在於，噴嘴頭2包括，位在輸出面5上之複數個先質噴嘴8、10、複數個沖洗氣體通道12、及複數個排放通道42、46，其連串順序如下：至少一第一先質噴嘴8、一第一排放通道42、一沖洗氣體通道12、一第二先質噴嘴10、一第二排放通道46、及一沖洗氣體通道12，可選擇性地重複複數次。這與供應通道40、44與排放通道42、46是否為同一結構部件無關。沖洗氣體通道12可與第1A圖、第1B圖、第2圖、及第3圖實施例中所顯示者相同地設置，或者沖洗氣體通道12可設有與先質噴嘴8、10或供應通道40、44同類型之噴嘴。是以，沖洗氣體通道12可配置成，與一沖洗氣體環境14、16作被動式流體連接，以使基板6表面4歷經一沖洗氣體，如第1A圖、第1B圖、及第2圖中所顯示者。該沖洗氣體環境係圍繞噴嘴頭2之氣體環境14、或一分離沖洗氣體容器39。某一或更多第一先質噴嘴8係配置成，在輸出面5處於一第一壓力下操作，某一或更多第二先質噴嘴10係配置成，在輸出面5處於一第二壓力下操作，及該沖洗氣體環境係配置成，高於該第一與第二壓力之一第三壓力。亦可在第4圖實施例中該供應通道與該排放通道之間的輸出面5處，量測該等第一及第二壓力。

第5圖係顯示一實施例，其中噴嘴頭2包括一反應空間50，設於供應通道40、44與排放通道42、46之間。反應空間50係開向輸出面5，以使基板6表面4歷經先質A、B。第5圖係顯示出，相似於第4圖者之一先質噴嘴，其中排放通道42、46係形成至先質噴嘴8。然而，請注意到，反應空間50亦可設於僅具有供應通道40、44之一先質噴嘴8、10與一分離排放通道42、46之間。反應空間50係配置於供應通道40、44與排放通道42、46之間。反應空間50係配置成，大致沿供應通道40、44之全身長延伸，且介於輸出面5、與供應及排放通道40、44、42、46之間。反應空間50係配置成，使先質A、B配置成自供應通道40、44經由反應空間50而流動至排放通道42、46，且先質A、B之表面反應將在反應空間50處發生。

第4圖中噴嘴頭2包括，位在輸出面5上之複數個先質噴嘴8、10、複數個沖洗氣體通道12、及複數個排放通道42、46，其連串順序如下：至少一第一先質噴嘴8、一第一排放通道42、一沖洗氣體通道12、一第二先質噴嘴10、一第二排放通道46、及一沖洗氣體通道12，可選擇性地重複一或更多次。該噴嘴頭亦可構成為，包括第3圖實施例中所顯示之一個或更多連接元件30、32。是以，接續於某一第一先質噴嘴8或第一供應通道40後之某一或更多第一排放通道42係連接至某一或更多其他第一先質噴嘴8或第一供應通道40，以將第一先質A導引至該某一或更多其他第一先質噴嘴8或第一供應通道40。相似地，接續於某一第二先質噴嘴10或第二供應通道44後之某一或更多第二排放通道46係連接至某一或更多其他第二先質噴嘴10或第二供應通道44，以將第二先質B導引至該某一或更多其他第二先質噴嘴10或第二供應通道44。

在本發明中，該沖洗氣體及該等先質可因此經由設置予該等先質噴嘴之排放件而排出。是以，該等先質不致流動至圍繞該噴嘴頭之氣體環境，且該裝置不致因超量先質而污染。

以上說明應可顯示，第1A圖、第1B圖、第2圖、第3圖、及第4圖中揭露及顯示之所有實施例，可相互結合。

熟於本項技藝者應可明白，隨著技術進步，可依各種方式實現本發明之構想。本發明及其實施例並非以上述範例為限，而可在申請專利範圍之範疇內變化。

2．．．噴嘴頭

3．．．第一通道

4．．．表面

5．．．輸出面

6．．．基板

7．．．第二通道

8．．．第一先質噴嘴

9．．．第一開放部

10．．．第二先質噴嘴

11．．．第二開放部

12．．．沖洗氣體通道

14．．．氣體環境

16．．．氣體環境

18．．．第一入口

20．．．第一出口

22．．．第二入口

24．．．第二出口

26．．．處理室

30．．．第一連接元件

32．．．第二連接元件

33．．．連接器

35．．．導管

39．．．沖洗氣體容器

40．．．第一供應通道

42．．．第一排放通道

43．．．排放開口

44．．．第二供應通道

45．．．排放開口

46．．．第二排放通道

47．．．供應開口

48．．．供應開口

50．．．反應空間

52．．．隔牆

A．．．第一先質

B．．．第二先質

以上係參考隨附圖式，結合較佳實施例來更詳細地說明本發明，其中：第1A圖係一噴嘴頭之一實施例概略剖視圖；第1B圖係第1A圖裝置之噴嘴頭上視圖；第2圖係一噴嘴頭之另一實施例概略剖視圖；

第3圖係第1A圖之噴嘴頭又一實施例概略上視圖；

第4圖係顯示一噴嘴頭更一實施例概略剖視圖；及

第5圖係顯示一噴嘴頭之一噴嘴某一實施例剖視圖。