CN103080375B - 喷嘴头 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种喷嘴头(2),该喷嘴头用于使基底(6)的表面(4)经受至少第一前驱物(A)和第二前驱物(B)的相继表面反应。喷嘴头(2)包括两个或更多个用于第一前驱物(A)的第一前驱物喷嘴(8)和两个或更多个用于第二前驱物(B)的第二前驱物喷嘴(10),所述第一前驱物喷嘴(8)具有至少一个第一入口端口(18)和至少一个第一出口端口(20),所述第二前驱物喷嘴(10)具有至少一个第二入口端口(22)和至少一个第二出口端口(24)。根据本发明,喷嘴头(2)包括至少一个第一连接元件(30),用于将第一前驱物(A)从一个第一前驱物喷嘴(8)导引至一个或多个其他第一前驱物喷嘴(8)。

Description

喷嘴头
技术领域
本发明涉及一种用于使基底表面经受至少第一前驱物和第二前驱物的相继表面反应的喷嘴头,特别地涉及一种喷嘴头。
背景技术
在现有技术的多种类型的装置中,根据原子层沉积方法(ALD)的原理,喷嘴头和喷嘴用于使基底的表面经受至少第一前驱物和第二前驱物的相继表面反应。在ALD应用中,在分开的阶段中典型地将两种气态前驱物引入ALD反应器中。气态前驱物与基底的表面有效地进行反应,从而形成生长层沉积。典型地,在前驱物阶段之后跟随着惰性气体清除阶段,或者前驱物阶段与惰性气体清除阶段分开,惰性气体清除阶段在分别引入其它前驱物之前从基底表面上去除过多的前驱物。所以,ALD过程需要前驱物流到基底表面的相继交替的流量。交替的表面反应的重复次序和介于其间的清除阶段是一种典型的ALD沉积循环。
用于连续操作ALD的现有技术装置通常包括喷嘴头,该喷嘴头具有:一个或多个用于使基底表面经受第一前驱物作用的第一前驱物喷嘴;一个或多个用于使基底表面经受第二前驱物作用的第二前驱物喷嘴;一个或多个清除气体通道;和一个或多个用于排放前驱物和清除气体的排放通道,它们按下述次序设置:可选地重复多次的至少第一前驱物喷嘴、第一排放通道、清除气体通道、排放通道、第二前驱物喷嘴、排放通道、清除气体通道和排放通道。该现有技术喷嘴头的问题在于:喷嘴头包括若干个不同的喷嘴和通道,这使得喷嘴头复杂且相当大。喷嘴优选地相对于基底运动,以产生多层成长层。
另一种类型的用于连续ALD的现有技术喷嘴头相继交替地包括:可选地重复多次的第一前驱物喷嘴、清除气体通道、第二前驱物喷嘴和清除气体通道。在该现有技术喷嘴头中,前驱物喷嘴和清除气体通道各设有入口端口和出口端口,以使得前驱物和清除气体都使用相同喷嘴进行供应和排放。所以,无单独的排放通道。该现有技术喷嘴头的问题在于:清除气体将泄漏到前驱物喷嘴中,使得前驱物浓度将稀释。因此,喷嘴头不能在前驱物喷嘴的整个长度上或者在喷嘴头的整个输出面上提供均匀的气体供应。而且,由于每个喷嘴中均有入口端口和出口端口,结构很复杂。再者,该喷嘴头可相对于基底运动,以产生多层成长层。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种喷嘴头和一种装置,以解决如上提到的现有技术的问题。本发明的目的通过根据本申请所述的喷嘴头而实现,喷嘴头的特征在于:喷嘴头包括至少一个第一连接元件,所述至少一个第一连接元件用于将第一前驱物从一个第一前驱物喷嘴导引至一个或多个其他第一前驱物喷嘴。
本发明基于下述构想:两个或更多个第一前驱物喷嘴彼此连接,以使得供应到第一前驱物喷嘴的第一前驱物可进一步导引至另一第一前驱物喷嘴或者两个或更多个其他第一前驱物喷嘴。这可通过在一个第一前驱物喷嘴的至少一个出口端口与另一第一前驱物喷嘴的至少一个入口之间提供流体连接件而实现。流体连接件可设有连接元件,所述连接元件设置在一个第一前驱物喷嘴的至少一个出口端口与另一第一前驱物喷嘴的至少一个入口之间。连接元件可包括一个或多个用于导引前驱物的管子、沟道或导管。同样地,两个或更多个第二前驱物喷嘴可彼此连接,以使得供应到一个第二前驱物喷嘴的第二前驱物可进一步导引至另一第二前驱物喷嘴或者两个或更多个其他第二前驱物喷嘴。
本发明的优点在于:喷嘴的结构可设置得更为简单。由于前驱物可从一个喷嘴供应至另一个喷嘴,无需对喷嘴头的每一喷嘴提供前驱物供应连接件,因而获得该优点。而且,由于可将一个喷嘴的过多前驱物导引至另一喷嘴,因此从喷嘴头排放前驱物材料较少,前驱物材料的使用变得更有效率。
附图说明
下面将参照附图结合优选实施例来更详细地描述本发明,在附图中:
图1A是喷嘴头的一个实施例的示意性剖视图;
图1B是图1A装置的喷嘴头的俯视图;
图2是喷嘴头的另一实施例的示意性剖视图;
图3是图1A的喷嘴头的又一实施例的示意性俯视图;
图4显示出喷嘴头再一实施例的示意性剖视图;以及
图5显示出喷嘴头的喷嘴的一个实施例的剖视图。
具体实施方式
图1A显示出一装置的一个实施例的剖视图,该装置用于根据ALD原理使基底6的表面4经受至少第一前驱物A和第二前驱物B的相继表面反应。第一前驱物A和第二前驱物B可以是ALD中所使用的任何气态前驱物,诸如臭氧、三甲基铝(TMA)、水、四氯化钛(TiCl4)、二乙基锌(DEZ),或者前驱物也可以是等离子体,诸如氨(NH3)、氩(Ar)、氧(O2)、氮(N2)、氢(H2)或二氧化碳(CO2)等离子体。该装置包括处理室26,处理室内部具有气体环境14。气体环境14可包括诸如氮等惰性气体、或干空气、或适合用作ALD方法中的清除空气的任何其他气体。再者,等离子体(例如氮或氩等离子体)可用于清除。在本文中,清除气体也包括等离子体。清除气体源连接至处理室26,以用于将清除气体供应至处理室26中。喷嘴头2设置在处理室26内。喷嘴头包括输出面5、一个或多个用于使基底6的表面4经受第一前驱物A作用的第一前驱物喷嘴8、一个或多个用于使基底6的表面4经受第二前驱物B作用的第二前驱物喷嘴10。该装置进一步包括:用于将第一前驱物A和第二前驱物B供应至喷嘴头2的供应构件;以及用于从喷嘴头2排放第一前驱物A和第二前驱物B的排放构件。如图1A中所示,第一喷嘴和第二喷嘴相继交替地配置,以用于当基底6与喷嘴头2相对于彼此运动时使基底6的表面4经受第一前驱物A和第二前驱物B的交替表面反应。该装置可设置成使得喷嘴头2可例如来回运动而基底6静止不动。可替代地,喷嘴头2是静态的而基底6运动,或者基底6和喷嘴头2二者都可运动。基底6可以是装载于处理室中的独立基底且通过批次处理进行处理,或者可替代地基底可设置成输送通过处理室26。该装置也构造成用于辊-辊过程,以使得柔性基底从一个辊穿过处理室26输送至另一辊、或者从任何来源穿过处理室26输送至任何容器,且利用喷嘴头2在处理室26内处理柔性基底。
前驱物喷嘴8、10优选是细长的。第一前驱物喷嘴8设有第一通道3,该第一通道沿第一前驱物喷嘴8的纵向方向延伸且包括第一开放部9,该第一开放部沿第一通道3延伸且向喷嘴头2的输出面5开放。第二前驱物喷嘴10设有第二通道7,该第二通道沿第二前驱物喷嘴10的纵向方向延伸且包括第二开放部11,该第二开放部沿第二通道7延伸且向喷嘴头2的输出面5开放。如图1B中所示,第一前驱物喷嘴8包括:用于将第一前驱物A供应至第一通道3的第一入口端口18;和用于在第一前驱物A的表面反应之后从第一通道3排出第一前驱物的两个第一出口端口20。类似地,第二前驱物喷嘴10包括:用于将第二前驱物B供应至第二通道7的第二入口端口22,和用于在第二前驱物B的表面反应之后从第二通道7排出第二前驱物的两个第二出口端口24。在本实施例中,入口端口18、22设置在第一通道3和第二通道7长度的中间处,而出口端口20、24设置在第一通道3和第二通道7的相对端部,如图1B中所示。然而,应注意的是,在第一通道3和第二通道7中也可以有两个或更多个入口端口18、22和一个或多个出口端口20、24。入口端口18、22和出口端口20、24也可位于第一通道3和第二通道7中的任何其他位置中。
如图1A和图1B中所示,第一喷嘴8和第二喷嘴10通过清除气体通道12而彼此分隔开,清除气体通道向在处理室26中围绕喷嘴头2的气体环境14开放以及向喷嘴头2的输出面5开放。清除气体通道12形成为在第一前驱物喷嘴8与第二前驱物喷嘴10之间延伸的空隙。空隙12因此可提供与包括有清除气体的气体环境14的流体连接。空隙形成位于第一前驱物喷嘴8与第二前驱物喷嘴10之间的清除气体通道12,以用于使第一喷嘴8与第二喷嘴10彼此分开以及使第一前驱物A与第二前驱物B彼此分开。在图1A和图1B中,喷嘴头2设置为格栅状构造,其中,第一前驱物喷嘴8和第二前驱物喷嘴10形成杆件,而清除气体通道12形成杆件之间的空隙。前驱物喷嘴8、10通过连接器33而彼此接合起来。然而,应注意的是,清除气体通道12也可通过一个或多个沟道、孔或导管而设置,其可具有与气体环境14的被动式流体连接、或至少部分地向气体环境14开放。这些通道可类似于第一通道3和第二通道7。
在一个优选实施例中,第一前驱物喷嘴8设置成在输出面5处在第一压力下操作,而第二前驱物喷嘴10设置成在输出面5处在第二压力下操作。气体环境14设置成处于比第一压力和第二压力高的第三压力下。因此,气体环境14中的清除气体将流动到清除气体通道12,且使第一前驱物A和第二前驱物B保持分隔开。一些清除气体也将从喷嘴头2输出面5与基底6表面4之间从清除气体通道流动到第一通道3和第二通道7。第一压力、第二压力和第三压力可低于正常空气压力(NTP;1巴,0℃),或者大致等于正常空气压力或高于正常空气压力、或甚至为真空。喷嘴与气体环境的压力差是关键要素。第一压力和第二压力是在喷嘴头2的输出面5处测量的,且第一通道和第二通道中的压力可不同于第一压力和第二压力、通常高于第一压力和第二压力。
图2显示出喷嘴头2的另一实施例,其中喷嘴头2设有围绕喷嘴头2设置的单独的清除气体容器39。清除气体容器39内部具有气体环境16。在图2中,清除气体容器39布置到喷嘴头2处,且清除气体容器内的气体环境包括清除气体。在本实施例中,第一前驱物喷嘴8和第二前驱物喷嘴10与图1A与图1B的前驱物喷嘴类似,因此不再对它们进行详细描述。在图2中,在第一前驱物喷嘴8与第二前驱物喷嘴10之间设有清除气体通道12,用于使基底6表面4经受清除气体作用且使第一前驱物A和第二前驱物B彼此分隔开。清除气体通道12是与第一前驱物喷嘴8与第二前驱物喷嘴10平行地延伸的通道。清除气体通道12设置成通过导管35与清除气体容器39的气体环境16被动式流体连接,该导管从清除气体容器39延伸至清除气体通道12。清除气体源可连接至清除气体容器39,以用于将清除气体供应到清除气体容器39中。清除气体通道12也可通过一个或多个空隙、孔、或开口形成,它们被动式流体连接至清除气体容器39以及至少部分地向喷嘴头2的输出面5开放。输出面5的边缘区域进一步设有额外的清除气体通道12,如图2中所示。这些额外的清除气体通道12使喷嘴头2(尤其是喷嘴头输出面5)与周围气体环境分隔开,以使得在防止前驱物气体流动到周围气体环境时喷嘴头2也可选地用于大气压力下。额外的清除气体通道可单独地设在输出面的每个边缘区域,或者它们可延伸成在边缘区域上且围绕整个输出面5的环圈。
再者,在本实施例中,第一前驱物喷嘴8设置成在输出面5处在第一压力下操作,而第二前驱物喷嘴10设置成在输出面5处在第二压力下操作。清除气体容器39以相同于图1A和图1B实施例中的方式设置成处于比第一压力和第二压力高的第三压力下。第一喷嘴8和第二喷嘴10也可以在类似于结合图1A和图1B所描述的压力下操作。当第三压力高于第一压力和第二压力时,清除气体容器提供将清除气体供应到清除气体通道12的静态供应。而且,应注意的是,图2的喷嘴头2也可以构造成使得清除气体通道12与围绕喷嘴头2的气体环境14流体连接。于是,代替连接至清除气体容器39的是,导管35可连接至气体环境14。前驱物和清除气体可经由流体连接供应到喷嘴头2。可替代地,喷嘴头2设有一个或多个用于前驱物和/或清除气体的容器、瓶件或类似物,以使得如果喷嘴头运动的话,则前驱物和/或清除气体与喷嘴一起运动。这种配置可减少连接至运动的喷嘴头2的难以满足的流体连接件的数量。
也可使用任何类型的前驱物喷嘴和清除气体通道来构造图1A、图1B、和图2的发明。清除气体通道可通过由两个或更多个分开的孔、开口或者任何类型的用于提供连接至气体环境14或单独清除气体容器39的流体连接的结构形成。图1A、图1B和图2的实施例使得清除气体能够用于彼此分开的前驱物喷嘴,而无需主动地供应清除气体和使用与前驱物喷嘴8、10相同类型的喷嘴结构。
构造图2的喷嘴头的现有技术方式是提供:第一前驱物喷嘴,该第一前驱物喷嘴具有至少一个第一入口端口和至少一个第一出口端口;第二前驱物喷嘴,该第二前驱物喷嘴具有至少一个第二入口端口和至少一个第二出口端口;和清除气体通道,该清除气体通道位于第一前驱物喷嘴与第二前驱物喷嘴之间,该清除气体通道仅具有一个或多个第三入口端口而不具有出口端口。这三种喷嘴重复一次或多次以形成喷嘴头。从第三入口端口供应到清除气体通道的清除气体通过第一前驱物喷嘴的第一出口端口和第二前驱物喷嘴的第二出口端口排放。
图3显示出另一实施例,其中,喷嘴头2具有与图1A和图1B的喷嘴头相同类型的结构。应注意的是,喷嘴头也可依不同于图3的一些其他方式构造。喷嘴头2包括:两个或更多个用于使基底表面经受第一前驱物A作用的第一前驱物喷嘴8;和两个或更多个用于使基底6表面4经受第二前驱物B作用的第二前驱物喷嘴10。第一前驱物喷嘴8包括:至少一个用于供应第一前驱物A的第一入口端口18;和至少一个用于排出第一前驱物A的第一出口端口20。在图3中,第一前驱物喷嘴头8包括:设在细长的第一前驱物喷嘴8一端的第一入口端口18;和设在第一前驱物喷嘴8另一端的第一排放端口20。类似地,第二前驱物喷嘴10包括:设在细长的第二前驱物喷嘴10一端以用于供应第二前驱物B的第二入口端口22;和设在第二前驱物喷嘴10另一端以用于排出第二前驱物B的第二排放口24。入口端口18、22和出口端口20、24也可根据例如图1B中所示的其他方式定位,每个喷嘴8、10中也可有两个或更多个入口端口和出口端口。而且,如稍后将描述的,喷嘴头还可构造成使得前驱物喷嘴8、10不包括任何出口端口20、24,而是喷嘴头设有一个或多个单独的排放通道。
在图3中,喷嘴头2设有第一连接元件30,该第一连接元件用于将第一前驱物A从一个第一前驱物喷嘴8导引至一个或多个其他第一前驱物喷嘴8。喷嘴头2进一步设有第二连接元件32,该第二连接元件用于将第二前驱物B从一个第二前驱物喷嘴10导引至一个或多个其他第二前驱物喷嘴10。连接元件30、32优选地包括管子、管道、封闭沟道或导管,以及包括用于在两个或更多个第一前驱物喷嘴8或者两个或更多个第二前驱物喷嘴10之间提供流体连接的任何其他必要部件。如图3中所示,一个第一前驱物喷嘴8的第一出口端口20通过第一连接元件30连接至另一个第一前驱物喷嘴8的第一入口端口18,以用于将第一前驱物A从一个第一前驱物喷嘴8导引至另一个第一前驱物喷嘴8。类似地,一个第二前驱物喷嘴10的第二出口端口24通过第二连接元件32连接至另一个第二前驱物喷嘴10的第二入口端口22,以用于将第二前驱物B从一个第二前驱物喷嘴10导引至另一个第二前驱物喷嘴10。根据上述提到的构想,串联连接两个或更多个前驱物喷嘴8、10,以使得前驱物可相继地流动通过两个或更多个前驱物喷嘴8、10。
应注意的是,也可依不同于图3中所示的一些其他方式来设置连接元件30、32,其中,每个连接元件30、32可设置在两个或更多个前驱物喷嘴8或10之间。第一连接元件30可设置在一个第一前驱物喷嘴8与两个或更多个其他第一前驱物喷嘴8之间,以用于将第一前驱物A从一个第一前驱物喷嘴8导引至两个或更多个其他第一前驱物喷嘴8。同样,第二连接元件32可设置在一个第二前驱物喷嘴10与两个或更多个其他第二前驱物喷嘴10之间,以用于将第二前驱物B从一个第二前驱物喷嘴10导引至两个或更多个其他第二前驱物喷嘴10。
图3所示和如上所述的实施例提供了一种用于提高前驱物A、B的材料效率的方式。当前驱物A、B供应到喷嘴8、10时,前驱物A、B中的一些将不与反应基底6表面4发生反应,但通常供应过量的前驱物A、B。因此,供应到前驱物通道8、10的前驱物A、B中的至少一部分不与基底6表面发生反应。在现有技术中,该过大剂量的前驱物A、B作为废料而排放。图3的实施例能够使得过量的前驱物A、B在一些其他前驱物喷嘴8、10中使用。还应注意的是,可根据喷嘴头2的结构以不同方式利用连接元件30、32形成流体连接。而且,应注意的是,当前驱物从一个前驱物喷嘴8、10导引至另一个前驱物喷嘴时,存在压降。
第一连接元件30可设置在一个或多个第一前驱物喷嘴8与至少另一个第一前驱物喷嘴8之间。因此,使用第一连接元件30,可将一个第一前驱物喷嘴8连接至若干个其他第一前驱物喷嘴8,或者若干个第一前驱物喷嘴8连接至一个其他第一前驱物喷嘴8,或者若干个第一前驱物喷嘴8连接至若干个其他第一前驱物喷嘴8。在一个实施例中,喷嘴头2包括两个或更多个位于两个第一前驱物喷嘴8之间的第一连接元件30。因此,前驱物从一个第一前驱物喷嘴8导引至另一个第一前驱物喷嘴8以及进行排放。喷嘴头2因此可包括两个或更多个这样的由两个连接起来的第一前驱物喷嘴8构成的单元。可使用第二连接元件32以相同方式连接第二前驱物喷嘴10。
图4显示出一个实施例的示意图,其中,喷嘴头包括第一前驱物喷嘴8、第二前驱物喷嘴10、和设置在细长的前驱物喷嘴8、10之间的清除气体通道12。前驱物喷嘴8、10包括供应通道40、44,所述供应通道沿细长的前驱物喷嘴8、10的纵向方向延伸。前驱物喷嘴8、10进一步包括排放通道42、46,所述排放通道沿细长的前驱物喷嘴8、10的纵向方向延伸,大致平行且邻近于供应通道40、44,用于使用真空或吸力来排放前驱物A、B。第一前驱物喷嘴8包括第一供应通道40和第一排放通道42,而第二前驱物喷嘴10包括第二供应通道44和第二排放通道46。所以,图4显示出一个实施例,其中,供应通道40和排放通道42提供给同一前驱物喷嘴8且通过间隔壁52而彼此分隔开,以及供应通道44与排放通道46提供给同一前驱物喷嘴10且通过间隔壁52而彼此分隔开。然而,应注意的是,排放通道42、46也可形成单独的结构部件,所述单独的结构部件设置在前驱物喷嘴8、10与清除气体通道12之间或者设置在供应通道40、44与清除气体通道12之间。
供应通道40、44设有至少一个用于经由喷嘴头2的输出面5来供应前驱物A、B的入口端口。入口端口优选设置成使得前驱物A、B可沿供应通道40、44的整个长度供应。然后,排放通道42、46设有至少一个用于排放前驱物A、B的出口端口。出口端口优选设置成使得前驱物A、B可沿排放通道42、46的整个长度排放。所以,入口端口与出口端口可以是分别沿供应通道40、44和排放通道42、46延伸的纵向开口。可替代地,供应通道40、44和排放通道42、46可包括分别沿供应通道40、44和排放通道42、46长度的一系列入口端口与出口端口。如从图4中看出的,供应通道40、44和排放通道42、46至少部分地向输出面5开放。供应通道40、44设有供应开口47、48,所述供应开口沿供应通道40、44的纵向方向延伸且向输出面5开放。再者,排放通道42、46设有排放开口43、45,所述排放开口沿排放通道42、46的纵向方向延伸且向输出面5开放。前驱物喷嘴8、10或供应通道40、44设置成大致垂直于输出面5供应前驱物A、B,以及前驱物喷嘴8、10或排放通道42、46设置成大致垂直于输出面5排放前驱物A、B。这将具有下述优点:垂直的气体流有助于破坏基底表面上的气体层,从而增强前驱物的表面反应。
应注意的是,图4的实施例也可构造成使得供应通道40、44为前驱物喷嘴8、10的一部分,但排放通道42、46是单独部件。基本构想在于:喷嘴头2在输出面5上按下述次序相继地包括前驱物喷嘴8、10、清除气体通道12和排放通道42、46:至少第一前驱物喷嘴8、第一排放通道42、清除气体通道12、第二前驱物喷嘴10、第二排放通道46和清除气体通道12,它们可选地重复多次。这与供应通道40、44和排放通道42、46是否设置给同一结构部件无关。清除气体通道12可以与图1A、图1B、图2和图3的实施例相同地设置,或者清除气体通道12可设有与前驱物喷嘴8、10或供应通道40、44相同类型的喷嘴。因此,清除气体通道12可设置成与清除气体环境14、16被动式流体连接,用于使基底6表面4经受清除气体作用,如图1A、图1B和图2中所示。清除气体环境是围绕喷嘴头2的气体环境14、或单独的清除气体容器39。一个或多个第一前驱物喷嘴8设置成在输出面5处在第一压力下操作,一个或多个第二前驱物喷嘴10设置成在输出面5处在第二压力下操作,以及清除气体环境设置成处于比第一压力和第二压力高的第三压力下。也可以在图4实施例中的供应通道与排放通道之间的输出面5处测量第一压力和第二压力。
图5显示出一个实施例,其中,喷嘴头2包括反应空间50,该反应空间设在供应通道40、44与排放通道42、46之间。反应空间50向输出面5开放,用于使基底6表面4经受前驱物A、B作用。在图5中显示出类似于图4的前驱物喷嘴,其中,排放通道42、46形成到前驱物喷嘴8中。然而,应注意的是,反应空间50也可设在仅具有供应通道40、44的前驱物喷嘴8、10与单独的排放通道42、46之间。反应空间50设置在供应通道40、44与排放通道42、46之间。反应空间50设置成大致沿供应通道40、44的整个长度延伸,且位于输出面5与供应通道40、44和排放通道42、46之间。反应空间50设置成使得前驱物A、B设置成从供应通道40、44经由反应空间50而流动到排放通道42、46,在反应空间50处发生前驱物A、B的表面反应。
图4的喷嘴头2在输出面5上按下述次序相继地包括前驱物喷嘴8、10、清除气体通道12和排放通道42、46:至少第一前驱物喷嘴8、第一排放通道42、清除气体通道12、第二前驱物喷嘴10、第二排放通道46和清除气体通道12,它们可选地重复一次或多次,喷嘴头还可构造成包括图3实施例中所示的一个或多个连接元件30、32。因此,跟随在一个第一前驱物喷嘴8或第一供应通道40后面的一个或多个第一排放通道42连接至一个或多个其他第一前驱物喷嘴8或第一供应通道40,以用于将第一前驱物A导引至一个或多个其他第一前驱物喷嘴8或第一供应通道40。类似地,跟随在一个第二前驱物喷嘴10或第二供应通道44之后的一个或多个第二排放通道46连接至一个或多个其他第二前驱物喷嘴10或第二供应通道44,以用于将第二前驱物B导引至一个或多个其他第二前驱物喷嘴10或第二供应通道44。
根据上述说明,显然的是,图1A、图1B、图2、图3和图4中所公开和显示的所有实施例可以相互结合。
对于本领域技术人员来说显而易见的是,由于本发明的技术优点,本发明的构思可采用各种方式来实施。本发明和其实施例并不受限于上述示例,而是在各项权利要求的范围内可进行更改。

Claims (22)

1.一种喷嘴头(2),所述喷嘴头用于使基底(6)的表面(4)经受至少第一前驱物(A)和第二前驱物(B)的相继表面反应,喷嘴头(2)具有输出面(5),所述喷嘴头包括:
-用于使基底(6)的表面(4)经受第一前驱物(A)作用的两个或更多个第一前驱物喷嘴(8),所述第一前驱物喷嘴(8)具有用于供应第一前驱物(A)的至少一个第一入口端口(18),
其特征在于:所述第一前驱物喷嘴(8)还包括用于排出第一前驱物(A)的至少一个第一出口端口(20),喷嘴头(2)包括至少一个第一连接元件(30),所述至少一个第一连接元件用于将第一前驱物(A)从第一前驱物喷嘴(8)导引至一个或多个其他第一前驱物喷嘴(8),使得一个第一前驱物喷嘴(8)的第一出口端口(20)通过第一连接元件(30)连接到其他第一前驱物喷嘴(8)的第一入口端口(18),以用于将第一前驱物(A)从所述一个第一前驱物喷嘴(8)导引至另一个第一前驱物喷嘴(8)。
2.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,第一前驱物喷嘴(8)包括至少一个用于供应第一前驱物(A)的第一入口端口(18)和至少一个用于排出第一前驱物(A)的第一出口端口(20),第二前驱物喷嘴(10)包括至少一个用于供应第二前驱物(B)的第二入口端口(22)和至少一个用于排出第二前驱物(B)的第二出口端口(24)。
3.根据权利要求2所述的喷嘴头(2),其特征在于,一个或多个第一前驱物喷嘴(8)的至少一个第一出口端口(20)通过至少一个第一连接元件(30)连接至一个或多个其他第一前驱物喷嘴(8)的至少一个第一入口端口(18)。
4.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,至少一个第一连接元件(30)设置在一个或多个第一前驱物喷嘴(8)与一个或多个其他第一前驱物喷嘴(8)之间。
5.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,第一连接元件(30)设置在一个第一前驱物喷嘴(8)与两个或更多个其他第一前驱物喷嘴(8)之间,或者第一连接元件(30)设置在两个或更多个第一前驱物喷嘴(8)与一个其他第一前驱物喷嘴(8)之间。
6.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,喷嘴头(2)包括两个或更多个第一连接元件(30),用于将三个或更多个第一前驱物喷嘴(8)相继地彼此流体连接起来。
7.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,喷嘴头(2)包括两个或更多个第二喷嘴(10)和至少一个第二连接元件(32),所述至少一个第二连接元件用于将第二前驱物(B)从一个或多个第二前驱物喷嘴(10)导引至一个或多个其他第二前驱物喷嘴(10)。
8.根据权利要求2所述的喷嘴头(2),其特征在于,一个或多个第二前驱物喷嘴(10)的至少一个第二出口端口(24)通过至少一个第二前驱物喷嘴(10)连接至一个或多个其他第二前驱物喷嘴(10)的至少一个第二入口端口(22)。
9.根据权利要求7所述的喷嘴头(2),其特征在于,第二连接元件(32)设置在一个或多个第二前驱物喷嘴(10)与一个或多个其他第二前驱物喷嘴(10)之间。
10.根据权利要求7所述的喷嘴头(2),其特征在于,喷嘴头(2)包括两个或更多个第二连接元件(32),用于将三个或更多个第二前驱物喷嘴(10)相继地彼此流体连接起来。
11.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,喷嘴头(2)在输出面(5)上按下述次序相继地包括前驱物喷嘴(8、10)、清除气体通道(12)和排放通道(42、46):至少第一前驱物喷嘴(8)、第一排放通道(42)、清除气体通道(12)、第二前驱物喷嘴(10)、第二排放通道(46)和清除气体通道(12)。
12.根据权利要求11所述的喷嘴头(2),其特征在于,前驱物喷嘴(8、10)包括供应通道(40、44),所述供应通道沿细长的前驱物喷嘴(8、10)的纵向方向延伸。
13.根据权利要求12所述的喷嘴头(2),其特征在于,排放通道(42、46)被提供给前驱物喷嘴(8、10)且沿细长的前驱物喷嘴(8、10)的纵向方向延伸,所述排放通道大致平行于供应通道(40、44)。
14.根据权利要求12所述的喷嘴头(2),其特征在于,至少一个第一连接元件(30)设置在一个或多个第一排放通道(42)与一个或多个第一供应通道(40)之间。
15.根据权利要求12所述的喷嘴头(2),其特征在于,喷嘴头(2)进一步包括设置在一个或多个第二排放通道(46)与一个或多个第二供应通道(46)之间的至少一个第二连接元件(32)。
16.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,第一和第二前驱物喷嘴(8、10)是彼此交替地配置。
17.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,喷嘴头(2)包括用于使基底(6)的表面(4)经受清除气体作用的一个或多个清除气体通道(12),所述清除气体通道(12)设置在第一和第二前驱物喷嘴(8、10)之间,喷嘴头(2)进一步包括至少一个第三连接元件,所述至少一个第三连接元件设置在两个或更多个分开的清除气体通道(12)之间,以用于循环至少部分清除气体。
18.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,第一与第二连接元件(30,32)包括管子、管道、沟道或导管。
19.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,喷嘴头(2)包括至少一个清除气体通道(12),所述至少一个清除气体通道设置在第一和第二前驱物喷嘴(8、10)之间,且设置成被动式流体连接至清除气体源(14,16),以用于使基底(6)的表面(4)经受清除气体作用。
20.根据权利要求19所述的喷嘴头(2),其特征在于,清除气体源是围绕喷嘴头(2)的气体环境(14),或者是单独的清除气体容器(16)。
21.根据权利要求19所述的喷嘴头(2),其特征在于,一个或多个第一前驱物喷嘴(8)设置成在输出面(5)处在第一压力下操作,一个或多个第二前驱物喷嘴(10)设置成在输出面(5)处在第二压力下操作,而且,清除气体源(14,16)设置成处于比第一压力和第二压力高的第三压力下。
22.根据权利要求1所述的喷嘴头(2),其特征在于,至少第一前驱物喷嘴(8)串联连接,以使得前驱物(A)能够从一个第一前驱物喷嘴(8)导引至一个或多个其他前驱物喷嘴(8)。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2226049A (en) * 1988-10-25 1990-06-20 Mitsubishi Electric Corp Plasma chemical vapour deposition of thin films
CN101809192A (zh) * 2007-09-26 2010-08-18 伊斯曼柯达公司 用于沉积的输送装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6972055B2 (en) * 2003-03-28 2005-12-06 Finens Corporation Continuous flow deposition system
US7537662B2 (en) * 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US8207063B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
US8182608B2 (en) * 2007-09-26 2012-05-22 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
KR101431197B1 (ko) * 2008-01-24 2014-09-17 삼성전자주식회사 원자층 증착설비 및 그의 원자층 증착방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2226049A (en) * 1988-10-25 1990-06-20 Mitsubishi Electric Corp Plasma chemical vapour deposition of thin films
CN101809192A (zh) * 2007-09-26 2010-08-18 伊斯曼柯达公司 用于沉积的输送装置

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