KR102092641B1 - 원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치 - Google Patents

원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치 Download PDF

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제주대학교 산학협력단
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Abstract

원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드는 전구체 가스가 주입되는 주입구와, 전구체 가스를 흡입하는 흡입구가 형성되는 상부 구조물; 상기 상부 구조물의 하부에 위치하고, 상기 주입구와 연통되어 상기 상부 구조물로부터 유입된 가스를 기판으로 공급하는 복수의 주입슬릿과, 상기 흡입구와 연통되어 상기 기판으로부터 증착에 사용되고 남은 잔여 전구체 가스를 흡입하는 복수의 흡입슬릿이 형성되는 하부 구조물; 상기 하부 구조물 중에 배치되며, 상기 주입슬릿과 연통되며 전구체 가스를 상기 주입슬릿의 전 영역에 고르게 분배되도록 형성되는 주입홀과, 상기 흡입슬릿과 연통되어 상기 기판으로부터 흡입되는 전구체 가스가 이동하는 흡입홀이 마련되며, 상기 주입홀은 상기 주입슬릿의 길이 방향을 따라 서로 일정 간격 이격되도록 복수 개가 마련되어 전구체 가스가 하부로 고르게 분배되고 하부로 갈수록 단면적이 좁아지는 형상을 가져 전구체 가스가 상기 주입홀을 통과하면서 유속이 증가하는 미들헤드부;를 포함하며, 상기 하부 구조물은 상기 상부 구조물의 직하방에 배치되는 상측 하부 구조물과 상기 상측 하부 구조물의 하부에 배치되는 하측 하부 구조물이 별개로 구분되게 구성되며, 상기 미들헤드부는 상기 상측 하부 구조물과 하측 하부 구조물 사이에 배치되고, 상기 주입홀은 흡입홀 사이사이에 배치되되, 상기 흡입홀은 상기 흡입슬릿의 형성방향과 동일하게 길게 형성되는 장공형으로 되고, 상기 주입홀은 상기 흡입홀의 길이방향을 따라 배치되는 단공형으로 된 것을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치{Head for Atomic Layer Deposition and Atomic Layer Deposition Apparatus Having the Same}
본 발명은 원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전구체 가스를 기판에 고르게 공급할 수 있는 원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
반도체 기술의 출현 이후 반도체 기술은 소형화, 고속화, 저전력화 등을 목표로 개발되고 있으며, 최근에는 여러 가지 기능을 하나의 반도체 소자에서 수행을 할 수 있도록 개발되고 있다.
그 결과 원자층 단위의 박막을 증착하는 기술, 즉, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 기술이 개발되었으며, 이러한 원자층 증착 기술은 나노급 반도체 소자 제조의 필수적인 증착 기술로서 주목받고 있다.
이러한 원자층 증착 기술은 기존의 박막 증착 기술인 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 또는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition: PVD)에 비해 매우 얇은 막을 정밀하게 제어할 수 있으며, 불순물 함량이 낮고 핀홀이 거의 없다는 장점이 있다. 또한 단차 피복성(Step Coverage, 높이 차이가 나는 부분들을 균일하게 증착하는 특성)이 우수하여 복잡한 3차원 구조에도 균일한 증착이 가능한 이점이 있다.
원자층 증착의 원리는 불활성 가스(Ar, N2 등)에 의해서 분리된 각각의 반응물(전구체)을 기판(웨이퍼) 위에 공급함에 따라 하나의 원자층이 증착되며, 원하는 두께를 증착하기 위해서 원자층이 반복적으로 증착될 수 있다.
즉 원자층 증착은 화학기상증착과 같이 반응 기체가 기상 반응에 의해 박막이 증착되는 것이 아니라, 하나의 반응물이 기판 위에 화학 흡착된 후 제2 또는 제3의 기체가 들어와 기판 위에서 다시 화학 흡착이 일어나면서 박막이 형성되게 된다.
도 1은 원자층 증착의 원리를 개념적으로 나타내는 도면으로서, 원자층 증착프로세스를 순차적으로 보이고 있다.
도 1의 (a) 및 (b)와 같이, 기판에 가스 형태의 A 반응물(제1전구체)을 공급하면 A 반응물은 웨이퍼 표면과 반응을 하여 화학 흡착된다. A 반응물에 의한 원자층이 기판 표면에 증착되면, 과잉의 A 반응물이 공급되어도 더이상 반응을 하지 않게 된다.
도 1의 (c)와 같이 불활성 가스를 이용하여 과잉의 A 반응물을 외부로 제거하며, 도 1의 (d)와 같이 가스 형태의 B 반응물(제2전구체)을 공급한다. B 반응물은 기판 표면에 흡착된 A 반응물과 반응하여 화학 흡착되게 된다.
B 반응물이 표면에 포화 상태를 이루면 더 이상 반응이 일어나지 않게 된다. 이와 같이 B 반응물의 미반응 상태에서 도 1의 (e)와 같이 불활성 가스를 이용하여 과잉의 B 반응물을 외부로 제거한다.
위 과정을 하나의 사이클이라고 하며 이러한 사이클을 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있게 된다.
한편, 상기와 같은 원자층 증착 기술에 롤투롤 기술 등의 기판 이송 기술을 적용하여 이송하는 기판에 여러 사이클의 증착 과정을 적용하는 기술이 제안되고 있다. 이러한 경우 A 반응물과 B 반응물의 증착 공정은 분리된 프로세스로 진행되는 것이 매우 중요하며, 이는 두 반응물이 분리되지 않고 서로 혼합될 경우 반응물 간의 기상 반응이 일어나게 되기 때문이다.
한편, 상술한 이송되는 기판에 원자층 증착 기술로 박막을 성장시키는 기술은 널리 알려진 공지 기술로서 특히 아래의 선행기술문헌에 상세히 기재되어 있으므로 중복되는 설명과 도시는 생략하기로 한다.
공개특허공보 제10-2013-0103754호 (2013.09.24)
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 다음과 같다.
본 발명은 전구체 가스가 슬릿 전체에 고르게 분포되어 기판까지 균일하게 공급될 수 있는 원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드는 상부 구조물, 하부 구조물 및 미들 헤드부를 포함한다.
상기 상부 구조물은 전구체 가스가 주입되는 주입구와, 전구체 가스를 흡입하는 흡입구가 형성될 수 있다.
상기 하부 구조물은 상기 상부 구조물의 하부에 위치하고, 상기 주입구와 연통되어 상기 상부헤드로부터 유입된 가스를 기판으로 공급하는 복수의 주입슬릿과, 상기 흡입구와 연통되어 상기 기판으로부터 증착에 사용되고 남은 잔여 전구체 가스를 흡입하는 복수의 흡입슬릿이 형성될 수 있다.
상기 미들헤드부는 상기 하부 구조물 중에 배치되며, 상기 주입슬릿과 연통되며 전구체 가스를 상기 주입슬릿의 전 영역에 고르게 분배되도록 형성되는 주입홀과, 상기 흡입슬릿과 연통되어 상기 기판으로부터 흡입되는 전구체 가스가 이동하는 흡입홀이 마련될 수 있다.
상기 주입홀은 상기 주입슬릿의 길이 방향을 따라 서로 일정 간격 이격되도록 복수 개가 마련될 수 있다.
상기 주입홀은 하부로 갈수록 단면적이 좁아지는 형상을 가져 전구체 가스가 상기 주입홀을 통과하면서 유속이 증가할 수 있다.
상기 상부 구조물에는 상기 주입구가 복수 개 형성되며, 복수의 상기 주입구로는 서로 다른 종류의 전구체 가스가 주입되고, 각각의 전구체 가스는 특정한 상기 주입슬릿으로만 공급될 수 있다.
이를 위하여, 본 실시예의 원자층 증착 헤드는 상기 주입구와 연통되며, 복수의 상기 주입슬릿 중 특정한 상기 주입슬릿과 대응되는 복수의 중간주입슬릿이 형성되어 상기 전구체 가스를 특정한 상기 주입슬릿으로만 공급하는 중간 구조물을 더 포함할 수 있다.
상기 중간 구조물에는 상기 흡입구 및 상기 흡입슬릿과 대응되는 복수의 중간흡입슬릿이 형성될 수 있다.
상기 상부 구조물에는 복수의 상기 주입구와 각각 연통되는 상부구획공간이 형성되고, 상기 중간주입슬릿은 하나의 상부구획공간과 연통되어, 하나의 주입구를 통해 주입된 전구체 가스가 특정한 상기 주입슬릿으로 주입될 수 있다.
한편, 본 실시예의 원자층 증착 장치는 기판을 이송하기 위한 롤투롤 방식의 이송 장치 및 상술한 바와 같이 구성되어 상기 기판의 상부에 마련되어 상기 기판에 원자층 증착을 수행하는 원자층 증착 헤드를 포함한다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 효과에 대하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 헤드에 의하면 미들헤드에 주입슬릿과 연통되는 복수의 주입홀이 형성됨으로써 전구체 가서가 주입슬릿의 하부로 고르게 분배되는 효과가 있다.
특히, 주입홀은 하부로 갈수록 단면적이 좁아지게 형성되어 전구체 가스가 주입홀을 통과하면서 유속이 증가되어 전구체 가스가 보다 균일하게 기판까지 공급될 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
아래에서 설명하는 본 출원의 바람직한 실시예의 상세한 설명뿐만 아니라 위에서 설명한 요약은 첨부된 도면과 관련해서 읽을 때에 더 잘 이해될 수 있을 것이다. 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 도면에는 바람직한 실시예들이 도시되어 있다. 그러나, 본 출원은 도시된 정확한 배치와 수단에 한정되는 것이 아님을 이해해야 한다.
도 1은 원자층 증착의 원리를 개념적으로 나타내는 도면으로서, 원자층 증착 공정을 순차적으로 나타내는 도면;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 결합 사시도;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 분해 사시도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 하부 구조물과 미들 헤드부 일부의 확대 도면;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 기판의 이송 방향과 수직한 방향의 단면도; 및
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 기판의 이송 방향과 평행한 방향의 단면도이다.
이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.
그리고, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 동일 기능을 갖는 구성요소에 대해서는 동일 명칭 및 동일부호를 사용할 뿐 실질적으론 종래기술의 구성요소와 완전히 동일하지 않음을 미리 밝힌다.
또한, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드 및 이를 포함하는 원자층 증착 장치에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 결합 사시도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 분해 사시도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 하부 구조물과 미들 헤드부 일부의 확대 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 기판의 이송 방향과 수직한 방향의 단면도이며, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드의 기판의 이송 방향과 평행한 방향의 단면도이다.
원자층 증착 헤드(100)는 일 방향을 따라 이송 중인 기판에 전구체 가스(제 1 전구체, 제 2 전구체 등) 및 불활성 가스를 공급하고 반응 부산물 및 미반응 전구체를 흡입 및 배출하기 위한 것으로서, 도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 헤드(100)는 상부 구조물(110), 하부 구조물(120), 미들헤드부(140) 및 중간 구조물(130)을 포함한다. 그리고, 본 실시예의 원자층 증착 장치는 이와 같은 원자층 증착 헤드(100)와, 기판을 일방향으로 이송하는 이송장치(미도시)를 포함한다.
상부 구조물(110)은 외부로부터 가스를 주입받아 하부 구조물(120)을 통하여 기판으로 전달하거나, 또는 기판으로부터 하부 구조물(120)을 통해 가스를 외부로 배출하는 기능을 할 수 있다. 이를 위하여, 상부 구조물(110)에는 전구체 가스가 주입되는 주입구(112)와, 전구체 가스를 흡입하는 흡입구(114)가 형성된다. 본 실시예에서 주입구(112)는 복수 개가 마련되며, 각각의 주입구(112)로는 서로 다른 종류의 전구체 가스가 주입될 수 있다.
상부 구조물(110)은 외부로부터 주입되거나 또는 기판으로부터 흡입되는 서로 다른 종류의 가스들을 각각 수용하기 위한 상부구획공간(116)들을 구비할 수 있다. 다시 말하면, 각각의 상부구획공간(116)은 복수의 주입구(112) 및 흡입구(114)와 각각 연통될 수 있다. 상부구획공간(116)들은 격벽에 의해 서로 분리 및 구획될 수 있다. 상부구획공간(116)들은 기판의 이송 방향(D1)에 수직한 수평 방향(D2)을 따라 배열된다.
하부 구조물(120)은 상부 구조물(110)의 하부에 위치하여 전구체 가스를 기판으로 공급하거나, 기판으로부터 잔여 전구체 가스를 흡입한다. 하부 구조물(120)에는 주입구(112)와 연통되어 상부 구조물(110)로부터 유입된 전구체 가스를 기판으로 공급하는 복수의 주입슬릿(122)과, 흡입구(114)와 연통되어 증착에 사용되고 남은 잔여 전구체 가스를 기판으로부터 흡입하는 복수의 흡입슬릿(124)이 형성된다. 여기서, 주입슬릿(122)과 흡입슬릿(124)은 교대로 배치될 수 있다. 또한, 주입슬릿(122) 및 흡입슬릿(124)은 기판과 수직하게 형성되며, 기판의 이송 방향을 따라 서로 일정 간격 이격되어 배치될 수 있다.
그리고, 주입슬릿(122) 중 적어도 일부의 하단부에는 단면의 폭이 확장되는 확장부(122a)가 형성될 수 있다. 확장부(122a)가 형성됨으로써 전구체 가스의 분사 면적이 넓어질 수 있다.
미들헤드부(140)는 하부 구조물(120) 중에 배치될 수 있다. 그리고, 미들헤드부(140)에는 주입슬릿(122)과 연통되어 전구체 가스를 주입슬릿(122)의 전 영역에 고르게 분배되도록 하는 주입홀(142)이 형성된다. 또한, 미들헤드부(140)에는 흡입슬릿(124)과 연통되어 기판으로부터 흡입되는 전구체 가스가 이동하는 흡입홀(144)이 형성된다.
여기서, 주입홀(142)은 주입슬릿(122)의 길이 방향을 따라 서로 일정 간격 이격되도록 복수 개가 마련될 수 있다. 이로써, 상부로부터 주입홀(142)을 통과하여 하부로 이동하는 전구체 가스가 주입슬릿(122)의 하부로 고르게 분산될 수 있다.
또한, 주입홀(142)은 하부로 갈수록 단면적이 좁아지는 노즐 형상을 가질 수 있다. 이로써, 전구체 가스가 주입홀(142)을 통과하며 유속이 증가하여 주입홀(142)의 단면적 변화가 없는 경우보다 전구체 가스가 주입슬릿(122)의 하부까지 고르게 퍼질 수 있다.
즉, 본 실시예의 주입홀(142)에 의해 전구체 가스가 기판까지 고르게 공급될 수 있는 장점이 있다.
또한, 흡입홀(144)은 흡입슬릿(124)과 동일한 단면 형상을 가지도록 장홈 형태로 형성될 수 있다. 주입슬릿(122)과 주입홀(142)을 통해 기판으로 공급된 전구체 가스가 기판에서 반응한 후 부산물과 미반응 전구체 가스는 흡입슬릿(124), 흡입홀(144) 및 흡입구(114)를 통해 흡입될 수 있다.
중간 구조물(130)은 상부 구조물(110)과 하부 구조물(120) 사이에 마련될 수 있다. 그리고, 중간 구조물(130)에는 복수의 중간 슬릿이 형성되는데, 중간 슬릿들은 특정 상부구획공간(116) 및 특정 주입슬릿(122) 또는 흡입슬릿(124)과 연통될 수 있다. 보다 상세하게는, 하나의 중간슬릿은 하나의 상부구획공간(116)과 하나의 주입슬릿(122) 또는 흡입슬릿(124)을 연결할 수 있다. 다시 말하면, 복수의 상부구획공간(116) 중 하나의 상부구획공간(116)에 대응되는 부분에 복수의 중간슬릿이 형성되는데, 복수의 중간슬릿은 특정 주입슬릿(122)과 연통될 수 있다. 또는, 하나의 상부구획공간(116)과 대응되는 부분에 형성된 복수의 중간슬릿은 흡입슬릿(124) 모두와 연통될 수 있다.
이로써, 하나의 주입구(112)를 통해 주입된 전구체 가스는 하나의 상부구획공간(116)과 연통된 중간슬릿을 통해 특정 주입슬릿(122)으로만 주입될 수 있다. 또는, 기판으로부터 흡입되는 전구체 가스는 흡입슬릿(124)을 통해 중간슬릿, 상부구획공간(116)을 통해 흡입구(114)로 흡입될 수 있다.
예를 들면, 도면에 도시된 바와 같이 본 실시예에서 주입구(112)는 세 개가 형성되고, 흡입구(114)는 두 개가 형성될 수 있다. 이하, 주입구(112) 각각을 제 1 주입구(112a), 제 2 주입구(112b), 제 3 주입구(112c)라 하고, 두 개의 흡입구(114)는 동일한 역할을 하므로 동일하게 흡입구(114)라 부르기로 한다. 제 1 주입구(112a)로는 제 1 전구체 가스가, 제 2 주입구(112b)로는 제 2 전구체 가스가, 제 3 주입구(112c)로는 제 3 전구체 가스가 주입되며, 기판으로부터 흡입된 잔여 가스가 흡입구(114)를 통해 흡입될 수 있다.
상부 구조물(110)에는 각각의 주입구(112a, 112b, 112c) 및 흡입구(114)와 연통되는 상부구획공간(116)이 형성되는데, 제 1 주입구(112a)와 연통되는 제 1 상부구획공간(116a), 제 2 주입구(112b)와 연통되는 제 2 상부구획공간(116b), 제 3 주입구(112c)와 연통되는 제 3 상부구획공간(116c) 및 두 개의 흡입구(114)와 각각 연통되는 두 개의 제 4 상부구획공간(116d)이 마련될 수 있다.
그리고, 하부 구조물(120)에는 주입슬릿(122)과 흡입슬릿(124)이 교대로 형성될 수 있다. 하부 구조물(120) 중에는 주입홀(142)과 흡입홀(144)이 형성되는 미들헤드부(140)가 마련되며, 주입홀(142)에 의해 주입되는 전구체 가스가 주입슬릿(122) 전체에 골고루 분산될 수 있다.
상부 구조물(110)과 하부 구조물(120) 사이에는 중간 구조물(130)이 배치되며, 중간 구조물(130)에는 복수의 중간슬릿이 형성될 수 있다. 여기서, 주입구(112) 및 주입슬릿(122)과 연통되는 중간슬릿을 중간주입슬릿(132), 흡입구(114) 및 흡입슬릿(124)과 연통되는 중간슬릿을 중간흡입슬릿(134)이라 부르기로 한다.
중간주입슬릿(132)은 제 1 주입구(112a) 및 제 1 상부구획공간(116a)과 연통되는 제 1 중간주입슬릿(132a), 제 2 주입구(112b) 및 제 2 상부구획공간(116b)과 연통되는 제 2 중간주입슬릿(132b), 제 3 주입구(112c) 및 제 3 상부구획공간(116c)과 연통되는 제 3 중간주입슬릿(132c)으로 구성될 수 있다. 제 1 중간주입슬릿(132a)은 동일한 간격만큼 이격되도록 복수 개가 형성될 수 있다. 제 2 중간주입슬릿(132b) 및 제 3 중간주입슬릿(132c) 또한 동일한 간격만큼 이격되도록 복수 개가 형성될 수 있다.
복수 개의 제 1 내지 제 3 중간주입슬릿(132a, 132b, 132c)은 각각 하나의 주입슬릿(122)과 연통되며, 각각의 주입슬릿(122)에 제 1 내지 제 3 전구체 가스가 특정 순서로 주입되도록 배치될 수 있다. 그리고, 복수 개의 중간흡입슬릿(134)은 제 1 내지 제 3 중간주입슬릿(132a, 132b, 132c) 사이에 배치되어 잔여 가스를 흡입할 수 있다. 그리고, 이러한 제 1 내지 제 3 중간주입슬릿(132a, 132b, 132c)와 중간흡입슬릿(134)의 특정 순서가 반복되어 복수의 사이클을 형성할 수 있다.
한편, 상부 구조물(110), 중간 구조물(130) 및 하부 구조물(120) 각각의 측면들에는 이들 사이를 체결하기 위한 상부 체결부(118), 중간 체결부(138) 및 하부 체결부(128)가 구비되며, 상부, 중간 및 하부 체결부(128)들에는 볼트(bolt) 체결을 위한 체결 홀을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면 볼트가 상부, 중간 및 하부 체결부(118, 128, 138)들 각각의 체결 홀을 관통하여 상부, 중간 및 하부 구조물(110, 120, 130)들이 한꺼번에 체결될 수 있다.
도면에 도시되지는 않았지만 상부 구조물(110), 중간 구조물(130), 하부 구조물(120) 및 미들헤드부(140) 사이에는 전구체 가스가 외부로 새어나가는 것을 방지하기 위한 개스킷(미도시)이 개재될 수 있다. 개스킷(미도시)은 고무, 실리콘(silicon) 등과 같이 신축 가능한 재질로 형성될 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
100: 헤드 110: 상부 구조물
112: 주입구 114: 흡입구
116: 상부구획공간 120: 하부구조물
122: 주입슬릿 124: 흡입슬릿
130: 중간 구조물 132: 중간주입슬릿
134: 중간흡입슬릿 140: 미들헤드부
142: 주입홀 144: 흡입홀

Claims (8)

  1. 전구체 가스가 주입되는 주입구와, 전구체 가스를 흡입하는 흡입구가 형성되는 상부 구조물;
    상기 상부 구조물의 하부에 위치하고, 상기 주입구와 연통되어 상기 상부 구조물로부터 유입된 가스를 기판으로 공급하는 복수의 주입슬릿과, 상기 흡입구와 연통되어 상기 기판으로부터 증착에 사용되고 남은 잔여 전구체 가스를 흡입하는 복수의 흡입슬릿이 형성되는 하부 구조물;
    상기 하부 구조물 중에 배치되며, 상기 주입슬릿과 연통되며 전구체 가스를 상기 주입슬릿의 전 영역에 고르게 분배되도록 형성되는 주입홀과, 상기 흡입슬릿과 연통되어 상기 기판으로부터 흡입되는 전구체 가스가 이동하는 흡입홀이 마련되며, 상기 주입홀은 상기 주입슬릿의 길이 방향을 따라 서로 일정 간격 이격되도록 복수 개가 마련되어 전구체 가스가 하부로 고르게 분배되고 하부로 갈수록 단면적이 좁아지는 형상을 가져 전구체 가스가 상기 주입홀을 통과하면서 유속이 증가하는 미들헤드부;를 포함하며,
    상기 하부 구조물은 상기 상부 구조물의 직하방에 배치되는 상측 하부 구조물과 상기 상측 하부 구조물의 하부에 배치되는 하측 하부 구조물이 별개로 구분되게 구성되며,
    상기 미들헤드부는 상기 상측 하부 구조물과 하측 하부 구조물 사이에 배치되고,
    상기 주입홀은 흡입홀 사이사이에 배치되되, 상기 흡입홀은 상기 흡입슬릿의 형성방향과 동일하게 길게 형성되는 장공형으로 되고, 상기 주입홀은 상기 흡입홀의 길이방향을 따라 배치되는 단공형으로 된 것을 더 포함하는 원자층 증착 헤드.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 상부 구조물에는 상기 주입구가 복수 개 형성되며, 복수의 상기 주입구로는 서로 다른 종류의 전구체 가스가 주입되고, 각각의 전구체 가스는 특정한 상기 주입슬릿으로만 공급되는 원자층 증착 헤드.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 주입구와 연통되며, 복수의 상기 주입슬릿 중 특정한 상기 주입슬릿과 대응되는 복수의 중간주입슬릿이 형성되어 상기 전구체 가스를 특정한 상기 주입슬릿으로만 공급하는 중간 구조물을 더 포함하는 원자층 증착 헤드.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 중간 구조물에는 상기 흡입구 및 상기 흡입슬릿과 대응되는 복수의 중간흡입슬릿이 형성되는 원자층 증착 헤드.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 상부 구조물에는,
    복수의 상기 주입구와 각각 연통되는 상부구획공간이 형성되고, 상기 중간주입슬릿은 하나의 상부구획공간과 연통되어, 하나의 주입구를 통해 주입된 전구체 가스가 특정한 상기 주입슬릿으로 주입되는 원자층 증착 헤드.
  8. 삭제
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