KR101575844B1 - 원자층 증착용 헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착 장치 - Google Patents

원자층 증착용 헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 외부로부터 주입된 서로 다른 종류의 가스를 각각 수용하기 위한 복수의 상부구획공간을 구비하는 상부 헤드부와, 상기 상부구획공간의 가스를 이송 중인 기판으로 공급하기 위한 하부슬릿을 구비하는 하부 헤드부와, 상기 상부 및 하부 헤드부의 사이에 결합되며 상기 상부구획공간에 대응되는 복수의 중간구획공간을 구비하는 중간 헤드부, 및 상기 각 하부슬릿으로부터 상기 다른 종류의 가스가 특정 순서대로 배출되도록 하되 상기 특정 순서가 반복되도록 상기 각 중간구획공간에 분산 배치되는 복수의 중간슬릿을 포함하는 원자층 증착용 헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착 장치를 개시한다.

Description

원자층 증착용 헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착 장치 {HEAD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 원자층 증착에 사용되는 원자층 증착용 헤드에 관한 것으로서, 이송되는 기판 상에 원자층 증착을 수행함에 있어 반응 가스가 서로 혼합되지 않고 기판 표면까지 효과적으로 전달될 수 있도록 한 원자층 증착용 헤드에 관한 것이다.
반도체 기술의 출현 이후 반도체 기술은 소형화, 고속화, 저전력화 등을 목표로 개발되고 있으며, 최근에는 여러 가지 기능을 하나의 반도체 소자에서 수행을 할 수 있도록 개발되고 있다.
그 결과 원자층 단위의 박막을 증착하는 기술, 즉, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 기술이 개발되었으며, 이러한 원자층 증착 기술은 나노급 반도체 소자 제조의 필수적인 증착 기술로서 주목받고 있다.
이러한 원자층 증착 기술은 기존의 박막 증착 기술인 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 또는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition: PVD)에 비해 매우 얇은 막을 정밀하게 제어할 수 있으며, 불순물 함량이 낮고 핀홀이 거의 없다는 장점이 있다. 또한 단차 피복성(Step Coverage, 높이 차이가 나는 부분들을 균일하게 증착하는 특성)이 우수하여 복잡한 3차원 구조에도 균일한 증착이 가능한 이점이 있다.
원자층 증착의 원리는 불활성 가스(Ar, N2 등)에 의해서 분리된 각각의 반응물(전구체)을 기판(웨이퍼) 위에 공급함에 따라 하나의 원자층이 증착되며, 원하는 두께를 증착하기 위해서 원자층이 반복적으로 증착될 수 있다. 즉 원자층 증착은 화학기상증착과 같이 반응 기체가 기상 반응에 의해 박막이 증착되는 것이 아니라, 하나의 반응물이 기판 위에 화학 흡착된 후 제2 또는 제3의 기체가 들어와 기판 위에서 다시 화학 흡착이 일어나면서 박막이 형성되게 된다.
도 1은 원자층 증착의 원리를 개념적으로 나타내는 도면으로서, 원자층 증착프로세스를 순차적으로 보이고 있다.
도 1의 (a) 및 (b)와 같이, 기판에 가스 형태의 A 반응물(제1전구체)을 공급하면 A 반응물은 웨이퍼 표면과 반응을 하여 화학 흡착된다. A 반응물에 의한 원자층이 기판 표면에 증착되면, 과잉의 A 반응물이 공급되어도 더 이상 반응을 하지 않게 된다.
도 1의 (c)와 같이 불활성 가스를 이용하여 과잉의 A 반응물을 외부로 제거하며, 도 1의 (d)와 같이 가스 형태의 B 반응물(제2전구체)을 공급한다. B 반응물은 기판 표면에 흡착된 A 반응물과 반응하여 화학 흡착되게 된다. B 반응물이 표면에 포화 상태를 이루면 더 이상 반응이 일어나지 않게 된다. 이와 같이 B 반응물의 미반응 상태에서 도 1의 (e)와 같이 불활성 가스를 이용하여 과잉의 B 반응물을 외부로 제거한다.
위 과정을 하나의 사이클이라고 하며 이러한 사이클을 반복함으로써 원하는 두께의 원자층 박막을 성장시킬 수 있게 된다.
한편, 상기와 같은 원자층 증착 기술에 롤투롤 기술 등의 기판 이송 기술을 적용하여 이송하는 기판에 여러 사이클의 증착 과정을 적용하는 기술이 제안되고 있다. 이러한 경우 A 반응물과 B 반응물의 증착 공정은 분리된 프로세스로 진행되는 것이 매우 중요하며, 이는 두 반응물이 분리되지 않고 서로 혼합될 경우 반응물 간의 기상 반응이 일어나게 되기 때문이다.
한편, 상술한 이송되는 기판에 원자층 증착 기술로 박막을 성장시키는 기술은 널리 알려진 공지 기술로서 특히 아래의 선행기술문헌에 상세히 기재되어 있으므로 중복되는 설명과 도시는 생략하기로 한다.
공개특허공보 제10-2013-0103754호 (2013.09.24)
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로서, 이송되는 기판 상에 복수의 사이클로 원자층 증착을 수행함에 있어 반응 가스가 서로 혼합되지 않고 기판 표면까지 효과적으로 전달될 수 있도록 한 구조의 원자층 증착용 헤드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위해 본 발명은 외부로부터 주입된 서로 다른 종류의 가스를 각각 수용하기 위한 복수의 상부구획공간을 구비하는 상부 헤드부와, 상기 상부구획공간의 가스를 이송 중인 기판으로 공급하기 위한 하부슬릿을 구비하는 하부 헤드부와, 상기 상부 및 하부 헤드부의 사이에 결합되며 상기 상부구획공간에 대응되는 복수의 중간구획공간을 구비하는 중간 헤드부, 및 상기 각 하부슬릿으로부터 상기 다른 종류의 가스가 특정 순서대로 배출되도록 하되 상기 특정 순서가 반복되도록 상기 각 중간구획공간에 분산 배치되는 복수의 중간슬릿을 포함하는 원자층 증착용 헤드를 개시한다.
본 발명의 원자층 증착용 헤드에 따르면, 상기 상부구획공간 및 중간구획공간은 상기 기판의 이송 방향에 수직한 수평 방향을 따라 배열되고, 상기 하부슬릿 및 중간슬릿은 상기 기판의 이송 방향을 따라 배열될 수 있다.
본 발명의 원자층 증착용 헤드에 따르면, 상기 상부구획공간 각각은 상기 상부 헤드부의 상면에 형성된 제1전구체 주입구, 불활성 가스 주입구, 제2전구체 주입구, 및 가스 배출구와 연통될 수 있다.
본 발명의 원자층 증착용 헤드에 따르면, 상기 중간구획공간은 제1전구체 수용부, 불활성 가스 수용부, 제2전구체 수용부, 및 배출 가스 수용부를 포함하고, 상기 중간슬릿은 상기 제1전구체 수용부, 불활성 가스 수용부, 제2전구체 수용부, 및 배출 가스 수용부에 각각 형성되는 제1전구체 주입슬릿, 불활성 가스 주입슬릿, 제2전구체 주입슬릿, 및 가스 배출슬릿을 포함하는 구성을 가질 수 있다.
본 발명의 원자층 증착용 헤드에 따르면, 상기 중간슬릿은 상기 기판의 이송 방향을 따라 불활성 가스 주입슬릿, 가스 배출슬릿, 제1전구체 주입슬릿, 가스 배출슬릿, 불활성 가스 주입슬릿, 가스 배출슬릿, 제2전구체 주입슬릿, 가스 배출슬릿의 순서로 하나의 사이클을 이루도록 형성될 수 있다. 나아가 상기 중간슬릿은 상기 사이클이 상기 기판의 이송 방향을 따라 복수 회 반복되도록 형성될 수 있다.
본 발명의 원자층 증착용 헤드에 따르면, 상기 상부 헤드부와 중간 헤드부의 사이에는 상기 상부 및 중간구획공간에 대응되는 관통홀이 형성된 제1가스켓이 개재될 수 있으며, 상기 중간 헤드부와 하부 헤드부의 사이에는 상기 하부 슬릿에 대응되는 슬릿이 형성된 제2가스켓이 개재될 수 있다.
본 발명의 원자층 증착용 헤드에 따르면, 상기 하부슬릿 중 가스 배출용 슬릿의 바닥 부분에는 일정 각도로 경사진 경사부가 형성될 수 있다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 원자층 증착용 헤드 내부를 복수의 공간으로 구획하고 각 구획공간에 수용된 각 반응 가스가 중간슬릿 및 하부슬릿을 거쳐 기판으로 공급되도록 한 구조를 통해, 이송되는 기판 상에 복수의 사이클로 원자층 증착을 수행함에 있어 헤드 내부로 공급된 반응 가스가 서로 혼합되지 않고 기판 표면까지 효과적으로 전달될 수 있다.
또한 이와 같은 기능 및 효과를 구현하면서도 헤드의 구성을 간단하고 컴팩트하게 구현할 수 있으며, 롤-투-롤 원자층 증착 시스템에 용이하게 설치 가능한 효과가 있다.
도 1은 원자층 증착의 원리를 개념적으로 나타내는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착용 헤드의 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 원자층 증착용 헤드의 분해 사시도.
도 4는 도 3에 도시된 상부 헤드부의 배면 사시도.
도 5는 도 3에 도시된 중간 헤드부의 평면도.
도 6은 도 3에 도시된 하부 헤드부의 측단면도.
도 7은 본 발명과 관련된 원자 증착용 헤드의 효과를 검증한 시뮬레이션 결과.
이하, 본 발명과 관련된 원자층 증착용 헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착 장치에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착용 헤드의 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 원자층 증착용 헤드의 분해 사시도이다.
도 2 및 3을 참조하면, 본 발명과 관련된 원자층 증착 시스템은 기판(10)의 이송을 위한 이송 유닛(예를 들어 이송롤)과, 기판(10)의 상측에 설치되어 원자층 증착을 수행하는 원자층 증착용 헤드(100)를 포함한다.
원자층 증착용 헤드(100)는 일방향을 따라 이송 중인 기판(10)에 반응 가스(제1전구체, 제2전구체) 및 불활성 가스를 공급하기 위한 것으로서, 상부 헤드부(110), 하부 헤드부(120), 및 중간 헤드부(130)를 포함한다.
상부 헤드부(110)는 외부로부터 가스를 주입받아 중간 헤드부(130)로 전달하는 기능을 하며, 상부 헤드부(110)의 상면에는 가스 주입 또는 배출을 위한 관통공(111a,112a,113a,114a)이 관통 형성된다.
도 4는 도 3에 도시된 상부 헤드부의 배면 사시도이다.
도 4를 참조하면, 상부 헤드부(110)는 그 외부로부터 주입된 서로 다른 종류의 가스를 각각 수용하기 위한 복수의 상부구획공간(111,112,113,114)을 구비한다. 각 상부구획공간(111 내지 114)은 격벽에 의해 서로 분리 및 구획되며, 각 상부구획공간(111 내지 114)은 기판(10)의 이송 방향(D1)에 수직한 수평 방향(D2)을 따라 배열된다.
상부구획공간(111 내지 114)은 제1전구체 수용부(111), 불활성 가스 수용부(112), 제2전구체 수용부(113), 및 배출 가스 수용부(114)를 포함하며, 이들 각각은 상부 헤드부(110)의 상면에 형성된 제1전구체 주입구(111a), 불활성 가스 주입구(112a), 제2전구체 주입구(113a), 및 가스 배출구(114a)와 연통된다. 이들 주입구 및 배출구는 가스 공급 라인과 배출 라인에 연결된다.
다시 도 2 및 3을 참조하면, 하부 헤드부(120)는 상부구획공간(111,112,113)에 수용된 가스를 이송 중인 기판(10)으로 공급하거나 기판(10)의 미반응 가스 및 반응 부산물을 상부구획공간(114)으로 공급하는 기능을 하며, 하부 헤드부(120)에는 가스가 통과하는 하부슬릿(121)이 관통 형성된다. 하부슬릿(121)은 기판(10)의 이송 방향(D1)을 일정 간격으로 이격되게 배열된다.
중간 헤드부(130)는 상부 헤드부(110)와 하부 헤드부(120)의 사이에 결합되며, 상부구획공간(111,112,113,114)에 대응되는 중간구획공간(131,132,133,134)을 복수로 구비한다. 중간구획공간(131 내지 134)에는 상부구획공간(111 내지 114)에서 전달된 가스(제1 및 제2전구체, 불활성 가스)가 수용되거나, 하부 헤드부(120)에서 전달된 가스(미반응 가스, 반응 부산물)이 수용된다. 중간구획공간(131 내지 134)은 상부구획공간(111 내지 114)와 마찬가지로 기판(10)의 이송 방향(D1)에 수직한 수평 방향(D2)을 따라 배열된다.
상부 헤드부(110), 하부 헤드부(120), 및 중간 헤드부(120) 각각의 측면에는 이들 사이를 체결하기 위한 체결부(119,129,139)가 형성되며, 각 체결부(119,129,139)에는 볼트 체결을 위한 체결홀이 형성될 수 있다. 본 실시예에 따르면 볼트가 각 체결부(119,129,139)의 체결홀을 관통하여 각 헤드부(110,120,130)가 한꺼번에 체결된다.
상부 헤드부(110)와 중간 헤드부(130)의 사이에는 상부 및 중간구획공간에 대응되는 관통홀(141)이 형성된 제1가스켓(140)이 개재된다. 그리고 중간 헤드부(130)와 하부 헤드부(150)의 사이에는 하부 슬릿(121)에 대응되는 슬릿(151)이 형성된 제2가스켓(150)이 개재된다. 제1 및 제2가스켓(140,150)은 고무, 실리콘 등과 같이 신축 가능한 재질로 형성 가능하며, 각 헤드부(110,120,130)의 결합시 이들 사이의 틈새를 실링하는 기능을 한다.
하부 헤드부(120)에는 한 쌍의 클램프(161,162)가 결합될 수 있으며, 본 실시예의 원자 증착용 헤드는 클램프(161,162)를 통해 헤드 홀더에 연결될 수 있다.
도 5는 도 3에 도시된 중간 헤드부의 평면도이다.
도 5를 참조하면, 중간 헤드부(130)에는 가스를 통과시키기 위한 중간슬릿(131a,132a,133a,134a)이 구비된다. 중간슬릿(131a 내지 134a)는 각 중간구획공간(131 내지 134)의 바닥면(138)에 형성되며, 이는 바닥면(138)으로부터 중간 헤드부(130)의 바닥(하면)까지 연장된다.
중간슬릿(131a 내지 134a)은 각 하부슬릿(121)으로부터 다른 종류의 가스가 특정 순서를 갖도록 배출되도록 하되, 이러한 특정 순서가 반복되어 복수의 사이클을 형성하도록 각 중간구획공간(131 내지 134)에 분산 배치된다. 각 중간구획공간(131 내지 134)의 중간슬릿(131a 내지 134a)은 기판(10)의 이송 방향(D1)을 따라 일정 간격을 두고 배열된다.
중간 헤드부(130)의 중간구획공간(131 내지 134)은 제1전구체 수용부(131), 불활성 가스 수용부(132), 제2전구체 수용부(133), 및 배출 가스 수용부(134)를 포함한다. 그리고 중간슬릿(131a 내지 134a)은 이들 각각에 형성되는 제1전구체 주입슬릿(131a), 불활성 가스 주입슬릿(132a), 제2전구체 주입슬릿(133a), 및 가스 배출슬릿(134a)을 포함한다.
여기서, 중간슬릿(131a 내지 134a)은 기판(10)의 이송 방향(D1)을 따라 불활성 가스 주입슬릿(132a), 가스 배출슬릿(134a), 제1전구체 주입슬릿(131a), 가스 배출슬릿(134a), 불활성 가스 주입슬릿(132a), 가스 배출슬릿(134a), 제2전구체 주입슬릿(133a), 가스 배출슬릿(134a)의 순서로 형성된다. 이들 순서는 하나의 사이클(cycle)을 이루며, 중간슬릿(131a 내지 134a)은 이러한 사이클이 기판(10) 이송 방향(D1)을 따라 복수 회 반복되도록 형성될 수 있다.
본 실시예의 경우 3회의 사이클이 반복된 구조가 예시되어 있다. 이에 따르면, 제1전구체 주입슬릿(131a)와 제2전구체 주입슬릿(133a)은 한 사이클당 하나씩 각각 3개의 개수를 가지며, 가스 배출슬릿(134a)은 한 사이클당 4개씩 총 12개의 개수를 갖는다. 불활성 가스 주입슬릿(132a)은 한 사이클당 2개씩과 맨 마지막에 형성된 하나를 포함하여 7개의 개수를 가지며, 각 슬릿의 개수를 합산하면 중간슬릿(131a 내지 134a)의 총 개수는 25개가 된다.
이와 같은 구성에 따르면, 각 가스는 기판 이송 방향(D1)을 따라 불활성 가스(I) - 배출가스(E)- 제1전구체(A) - 배출가스(E)- 불활성 가스(I) - 배출가스(E)- 제2전구체(B) - 배출가스(E) - 불활성 가스(I)…의 순서로 하부슬릿(121)을 통과하게 된다.
도 6은 도 3에 도시된 하부 헤드부의 측단면도이다.
도 6을 참조하여 원자층 증착용 헤드의 작동 상태를 설명하면, 외부에서 공급된 제1전구체(A), 불활성 가스(I), 제2전구체(B)는 상부 헤드부(110) 및 중간 헤드부(130)의 제1전구체 수용부(111,131), 불활성 가스 수용부(112,132), 제2전구체 수용부(113,133)를 수용되며, 중간 헤드부(130)의 제1전구체 주입슬릿(131a), 불활성 가스 주입슬릿(132a), 제2전구체 주입슬릿(133a)을 거쳐 하부슬릿(121)으로 공급된다.
도 6에는 기판 이동 방향(D1)을 따라서 하부슬릿(121)을 통과하는 가스의 종류(A,B,E,I) 및 거동(화살표)이 표시되어 있다.
기판(10)이 이송됨에 따라 기판(10)의 임의의 위치에는 위에서 설명한 사이클의 순서별로 가스가 공급(또는 배출)된다. 즉, 첫번째 슬릿을 통해 불활성 가스(I)가 먼저 공급된 후, 기판(10)이 일정 거리 이동함에 따라 그 위에 있던 미반응 가스(E, 배출가스)가 두번째 슬릿을 통해 상부로 배출된다.
두번째 슬릿을 통과한 배출가스(E)는 중간 헤드부(130)의 가스 배출슬릿(134a)을 거쳐 상부 헤드부(110) 및 중간 헤드부(110)의 배출 가스 수용부(114,134)로 공급되며, 배출 가스는 상부 헤드부(110)의 가스 배출구(114a)로 배출된다.
기판(10)이 이동함에 따라 그 위치에 세번째 슬릿을 통해 제1전구체(A)가 공급되며, 기판(10)이 계속 이동함에 따라 그 위치의 미반응 가스(E)가 네번째 슬릿을 통해 상부로 배출된다. 이하 위에서 설명한 순서대로 가스의 공급 및 배출이 반복되게 된다. 본 발명에서 사용되는 불활성 가스(I)는 제1전구체(A)와 제2전구체(B)가 기판(10)까지 도달할 때 서로 섞이는 것을 방지하고, 미반응 가스 및 반응 부산물을 제거하는 기능을 한다.
도 6을 참조하면, 하부슬릿(21) 중 가스 배출용 슬릿(짝수번째 슬릿)의 바닥 부분에는 일정 각도로 경사진 경사부(128)가 형성될 수 있다. 이는 가스 배출을 가이드하기 위한 구조로서 가스 배출이 원활히 이루어질 수 있도록 한다.
도 7은 본 발명과 관련된 원자 증착용 헤드의 효과를 검증한 시뮬레이션 결과이다.
도 7은 사이클을 이루는 가스의 이동 방향 및 속도를 나타내고 있으며, 이에 따르면 반응 가스가 서로 섞이지 않고 기판(10)의 표면까지 효과적으로 도달되는 것을 확인할 수 있다. 또한 미반응 가스 및 반응 부산물(배출가스)이 기판(10) 위 반응 영역으로부터 효과적으로 제거되는 것을 확인할 수 있다.
이상에서 설명한 원자층 증착용 헤드 및 이를 구비하는 원자층 증착 장치는 위에서 설명된 실시예의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 당업자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있다.

Claims (10)

  1. 외부로부터 주입된 서로 다른 종류의 가스를 각각 수용하기 위한 복수의 상부구획공간을 구비하는 상부 헤드부;
    상기 상부구획공간의 가스를 이송 중인 기판으로 공급하며, 상기 기판의 이송 방향을 따라 배열되는 복수의 하부슬릿을 구비하는 하부 헤드부;
    상기 상부 및 하부 헤드부의 사이에 결합되며, 상기 상부구획공간에 대응되는 복수의 중간구획공간을 구비하는 중간 헤드부; 및
    상기 각 중간구획공간에 분산 배치되는 복수의 중간슬릿을 포함하고,
    상기 중간구획공간은 상기 기판의 이송 방향에 수직한 수평 방향을 따라 배열되는 제1전구체 수용부, 불활성 가스 수용부, 제2전구체 수용부, 및 배출 가스 수용부를 포함하며,
    상기 중간슬릿은 상기 제1전구체 수용부, 불활성 가스 수용부, 제2전구체 수용부, 및 배출 가스 수용부에 각각 형성되는 제1전구체 주입슬릿, 불활성 가스 주입슬릿, 제2전구체 주입슬릿, 및 가스 배출슬릿을 포함하며,
    상기 제1전구체 주입슬릿, 불활성 가스 주입슬릿, 제2전구체 주입슬릿, 및 가스 배출슬릿은 상기 기판의 이송 방향을 따라 특정 순서를 이루도록 형성되되, 상기 특정 순서가 반복되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부구획공간은 상기 기판의 이송 방향에 수직한 수평 방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상부구획공간 각각은 상기 상부 헤드부의 상면에 형성된 제1전구체 주입구, 불활성 가스 주입구, 제2전구체 주입구, 및 가스 배출구와 연통되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 중간슬릿은 상기 기판의 이송 방향을 따라 상기 불활성 가스 주입슬릿, 가스 배출슬릿, 제1전구체 주입슬릿, 가스 배출슬릿, 불활성 가스 주입슬릿, 가스 배출슬릿, 제2전구체 주입슬릿, 가스 배출슬릿의 순서로 하나의 사이클을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 중간슬릿은 상기 사이클이 상기 기판의 이송 방향을 따라 복수 회 반복되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 상부 헤드부와 중간 헤드부의 사이에는 상기 상부 및 중간구획공간에 대응되는 관통홀이 형성된 제1가스켓이 개재되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 중간 헤드부와 하부 헤드부의 사이에는 상기 하부 슬릿에 대응되는 슬릿이 형성된 제2가스켓이 개재되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 하부슬릿 중 가스 배출용 슬릿의 바닥 부분에는 일정 각도로 경사진 경사부가 형성되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착용 헤드.
  10. 기판의 이송을 위한 이송 유닛; 및
    상기 기판 상측에 설치되며, 상기 기판에 원자층 증착을 수행하기 위한 제1항을 따르는 원자층 증착용 헤드를 포함하는 원자층 증착 장치.
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