KR100957492B1 - 소스 가스와 반응 가스의 배기 속도와 퍼지 가스의 배기속도를 다르게 하는 가스 분사 헤드와 상기 가스 분사헤드를 구비하는 원자층 박막 증착 장치 - Google Patents

Abstract

소스 가스와 반응 가스의 배기 속도와 퍼지 가스의 배기 속도를 다르게 하는 가스 분사 헤드와 상기 가스 분사 헤드를 구비하는 원자층 박막 증착 장치가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드는 판 형태를 가진다. 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드는, 상기 판 형태의 하면에 형성되고 제1가스 또는 제2가스를 임시 저장하는, 하나 이상의 제1 가스 저장 영역들; 및 상기 판 형태의 하면에 상기 제1 가스 저장 영역과 별도로 형성되고 제3가스를 임시 저장하는, 하나 이상의 제2 가스 저장 영역들을 구비한다. 상기 제1 가스 저장 영역들의 바닥 면은, 상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있어서, 상기 제2 가스 저장 영역과 단차를 이룬다. 상기 제2 가스 저장 영역의 일부는, 상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있을 수 있다.

Description

소스 가스와 반응 가스의 배기 속도와 퍼지 가스의 배기 속도를 다르게 하는 가스 분사 헤드와 상기 가스 분사 헤드를 구비하는 원자층 박막 증착 장치{Gas injection head slowing down emission speed of source gas and reaction gas and atomic layer deposition apparatus for depositing thin film including the gas injection head}

본 발명은 가스 분사 헤드에 관한 것으로써, 예를 들어, 소스 가스와 반응 가스의 배기 속도와 퍼지 가스의 배기 속도를 다르게 하는 가스 분사 헤드에 관한 것이다.

종래의 가스 분사 헤드는, 가스가 섞이지 않도록 하기 위하여 한 사이클에 하나의 가스(예를 들어, 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스)만을 넣고 분사한다.

그러나, 한 사이클에 하나의 가스만을 넣고 분사하기 때문에, 분사 시간이 많이 걸리는 문제가 있다.

본 발명의 실시예가 이루고자 하는 기술적 과제는, 소스 가스와 반응 가스가 임시 저장되는 영역의 바닥면을 아래로 파서, 소스 가스와 반응 가스의 배기 속도를 늦추는 가스 분사 헤드와 원자층 박막 증착 장치를 제공하는 데 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드는 판 형태를 가진다. 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드는, 상기 판 형태의 하면에 형성되고 제1가스 또는 제2가스를 임시 저장하는, 하나 이상의 제1 가스 저장 영역들; 및 상기 판 형태의 하면에 상기 제1 가스 저장 영역과 별도로 형성되고 제3가스를 임시 저장하는, 하나 이상의 제2 가스 저장 영역들을 구비한다. 상기 제1 가스 저장 영역들의 바닥 면은, 상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있어서, 상기 제2 가스 저장 영역과 단차를 이룬다.

상기 제2 가스 저장 영역의 일부는, 상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있을 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드와 원자층 박막 증착 장치는, 소스 가스와 반응 가스의 배기 속도를 늦춤으로써, 소스 가스와 반응 가스의 배기 속도와 퍼지 가스의 배기 속도를 다르게 할 수 있다. 그럼으로써, 피증착 물질 상에서 소스 가스와 반응 가스가 충분히 반응할 수 있도록 하는 장점이 있다. 또한, 퍼지 가스가 원활히 배기되도록 하는 장점이 있다.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드의 사시도이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드의 투영 평면도이다.

본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드(100)는 원자층 박막 증착 장치에 구비될 수 있다.

본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드(100)는 판 형태를 가진다. 도 1과 도 2에는, 가스 분사 헤드(100)가 원판 형태를 가지는 것으로 도시되었으나, 가스 분사 헤드(100)는 원판 형태 이외의 형태를 가질 수도 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드(100)가 원판 형태를 가지는 것으로 가정하고 설명한다.

도 1과 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드(100)는, 원판 형태의 한쪽 면에 각각 형성되는 하나 이상의 제1 가스 저장 영역들(111~114)과 하나 이상의 제2 가스 저장 영역들(131~134, 141~144)을 구비한다. 제1 가스 저장 영역(111~114)은 제1가스 또는 제2가스를 임시 저장한다. 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)은 제1 가스 저장 영역과 별도로 형성되고, 제3가스를 임시 저장한다.

예를 들어, 제1가스는 소스 가스일 수 있고, 제2가스는 반응 가스일 수 있고, 제3가스는 퍼지 가스일 수 있으나, 그에 한정되는 것은 아니다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제1가스, 제2가스 및 제3가스를, 소스 가스, 반응 가스 및 퍼지 가스로 각각 가정하고 설명한다. 한편, 소스 가스(또는 반응 가스)는 피증착 물질(예를 들어, 웨이퍼)과 반응한다. 퍼지 가스는 피증착 물질들에 흡착되지 않은 소스 가스(또는 반응 가스)를 퍼지 시킨다.

제1 가스 저장 영역들(111~114)의 바닥 면은 가스 분사 헤드(100)의 상면 방향으로 파여 있기 때문에, 외곽 영역(191)과 단차를 이룬다. 그 결과, 제1 가스 저장 영역들(111~114)로 공급된 소스 가스(또는 반응 가스)는, 외곽 영역(191)에 막혀서 흐름을 방해받는다. 그에 따라, 소스 가스(또는 반응 가스)의 배기 속도가 느려지고 퍼지 가스와의 배기 속도가 달라진다. 외곽 영역(191)과의 단차에 의한 소스 가스(또는 반응 가스)의 흐름 방해에 대해서는 도 3(a)과 도 3(b)를 참조하여 후술된다.

제1 가스 저장 영역들(111~114)의 가장자리(외곽 영역(191)에 인접한 영역)에는 제1 가스 배기 구멍들(미도시)이 수직 방향으로 뚫려 있다. 제1 가스 배기 구멍들(미도시)은 소스 가스(또는 반응 가스)가 흐르는 방향에 수직으로 뚫려 있기 때문에, 소스 가스(또는 반응 가스)는 제1 가스 배기 구멍들(181)을 통하여 원활하게 배기되지 못한다. 제1 가스 배기 구멍들(미도시)에 대해서는 도 3(a)와 도 3(b)를 참조하여 후술된다.

제1 가스 저장 영역들(111~114)의 바닥 면은, 가스 분사 헤드(100)의 상면 방향으로 파여 있어서, 제2 가스 저장 영역들(131~134, 141~144)과 단차를 이룬다. 즉, 제1 가스 저장 영역들(111~114)의 바닥 면은 파여 있기 때문에, 제1 가스 저장 영역들(111~114)과 그 양 옆에 위치하는 제2가스 영역들(131~134, 141~144) 사이에는 단차가 생긴다. 그 결과, 제1 가스 저장 영역들(111~114)로 공급된 소스 가스(또는 반응 가스)는, 제1 가스 저장 영역(111~114) 내에서 흐름을 방해받고, 그에 따라 소스 가스(또는 반응 가스)는 제1 가스 저장 영역(111~114)을 천천히 빠져 나가고, 소스 가스(또는 반응 가스)의 배기 속도는 낮아진다. 그러므로, 소스 가스(또는 반응 가스)가 피증착 물질에 충분한 시간동안 노출될 수 있도록 한다.

제2 가스 저장 영역 중에 일부분(141~144)의 바닥 면도 가스 분사 헤드(100)의 상면 방향으로 파여 있을 수 있다. 제2 가스 저장 영역들의 파여 있는 부분들(141~144)은 가스 경로의 역할을 할 수 있다. 또한, 제2 가스 저장 영역들의 파여 있지 않은 부분들(131~134)은 제1 가스 저장 영역(111~114)에서 배기되는 소스 가스(또는 반응 가스)의 에어 커튼 역할을 할 수 있다. 이하에서는 제2 가스 저장 영역들의 파여 있는 부분들(141~144)을 가스 경로 영역(141~144)이라고 칭하고, 제2 가스 저장 영역들의 파여 있지 않은 부분들(131~134)을 커튼 영역이라고 칭한다.

제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)으로 공급되는 퍼지 가스는 가스 경로 영역(141~144)을 통하여 쉽게 흐를 수 있고, 그에 따라 퍼지 가스는 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)을 빨리 빠져나갈 수 있다.

제1 가스 저장 영역들(111~114)은 파여 있는 가스 경로 영역(141~144)에 인접하지 않고 파여 있지 않은 커튼 영역(131~134)에 인접할 수 있다. 그에 따라, 제 1 가스 저장 영역들(111~114)은 커튼 영역(131~134)보다 낮아지고, 단차가 생긴다. 또한, 가스 경로 영역(141~144)은 커튼 영역(131~134) 사이에 위치할 수 있다. 그에 따라, 가스 경로 영역(141~144)은 커튼 영역(131~134)보다 낮아지고, 단차가 생긴다. 그 결과, 가스 경로 영역(141~144)은 가스 경로의 형태를 가질 수 있다.

도 1과 도 2를 참조하면, 제1 가스 저장 영역(111~114)과 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)은, 원판 형태의 가스 분사 헤드(100)의 중심부분을 포함하지 않는 부채꼴 형태를 가질 수 있다. 제1 가스 저장 영역(111~114)과 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)은 원주 방향을 따라 교대로 배치될 수 있다. 각각의 제1 가스 저장 영역(111~114)은 제1서브 영역(111, 113)과 제2서브 영역(112, 114)을 포함할 수 있다. 제1서브 영역(111, 113)은 소스 가스(제1가스)를 임시 저장하고, 제2서브 영역(112, 114)은 반응 가스(제2가스)를 임시 저장한다. 제1서브 영역(예를 들어, 111), 제2 가스 저장 영역(131, 141), 제2서브 영역(112), 제2 가스 저장 영역(132, 142)의 순서로, 원주 방향을 따라 교대로 배치될 수 있다. 이처럼, 제1 가스 저장 영역(111~114)과 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)이 원주 방향을 따라 교대로 배치되기 때문에, 피증착 물질에 가스들을 분사할 때, 퍼지 가스가 소스 가스(또는 반응 가스) 주위에서 에어 커튼 역할을 할 수 있다.

제2 가스 저장 영역의 파여 있는 부분(141~144)은, 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)의 부채꼴 형태와 동일한 반지름을 가지고, 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)의 부채꼴 형태의 중간에, 부채꼴 형태를 가지도록 파여 있을 수 있다. 가스 경로 영역(141~144)은 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)의 중 간에 형성되기 때문에, 가스 경로의 형태를 가질 수 있다.

가스 분사 헤드(100)는 수직 방향의 회전축을 중심으로 수평으로 회전할 수 있다. 가스 분사 헤드(100)가 회전하면서 가스들을 분사하기 때문에, 소스 가스, 반응 가스와 퍼지 가스는 서로 다른 피증착 물질에 각각 교대로 분사될 수 있다.

도 3은 도 2의 가스 분사 헤드(100)를 E-E' 방향으로 절개한 단면도이다.

도 2와 도 3(a)를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드(100)는 하나 이상의 제1가스 전달 관(151~154)을 더 구비할 수 있다. 제1가스 전달 관(151~154)은 제1 가스 저장 영역(111~114)으로 소스 가스 또는 반응 가스를 공급한다. 도 3(b)에는, 소스 가스(또는 반응 가스)가 제1가스 공급부(미도시)로부터 제1가스 전달 관(151, 153)을 거쳐서 제1 가스 저장 영역(111)까지 흐르는 모습이 도시된다.

한편, 제1 가스 저장 영역(110)의 바닥 면이 파여 있기 때문에, 제1 가스 저장 영역(110)은 외곽 영역(191)보다 낮다. 그에 따라, 제1 가스 저장 영역(110)의 가장자리는 외곽 영역(191)과 단차를 이룬다. 그러므로, 소스 가스(또는 반응 가스)는 제1 가스 저장 영역(111)을 통하여 수평 방향으로 흐르다가, 제1 가스 저장 영역(111)의 가장자리에서 흐름이 막힌다(도 3(b) 참조).

흐름이 막힌 소스 가스(또는 반응 가스)는, 제1 가스 저장 영역(110)의 가장자리에 형성되며 수직 방향으로 뚫려 있는 제1 가스 배기 구멍들(181)을 통하여 배기된다(도 3(b) 참조). 제1 가스 배기 구멍들(181)은 소스 가스(또는 반응 가스)가 흐르는 방향에 수직으로 뚫려 있기 때문에, 소스 가스(또는 반응 가스)는 제1 가스 배기 구멍들(181)을 통하여 원활하게 배기되지 못한다.

이처럼, 소스 가스(또는 반응 가스)의 흐름을 막는 단차와 소스 가스(또는 반응 가스)가 흐르는 방향에 수직으로 형성되는 제1 가스 배기 구멍들(181)에 기인하여, 소스 가스(또는 반응 가스)의 배기 속도는 늦어지고 퍼지 가스와의 배기 속도가 달라진다.

도 4는 도 2의 가스 분사 헤드(100)를 D-D' 방향으로 절개한 단면도이다.

도 2와 도 4(a)를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드(100)는 제2가스 전달 관들(161~164), 가스 전달 영역들(441, 443), 및 하나 이상의 제3가스 전달 관(461, 463)을 더 구비할 수 있다.

가스 전달 영역들(441, 443)은 제2 가스 저장 영역(131, 133, 141, 143)의 상부에 위치한다. 제2가스 전달 관들(161, 163)은 가스 전달 영역(441, 443)에 수직으로 연결되고, 퍼지 가스를 전달한다. 제2가스 전달 관들(161, 163)이 가스 전달 영역(441, 443)에 수직으로 연결되는 부분은, 가스 전달 영역(441, 443)의 하부에 위치하는 가스 경로 영역(141. 143)에 대응된다. 가스 전달 영역들(441, 443)은 제2가스 전달 관들(161, 163)을 통하여 퍼지 가스를 전달받아 임시 저장한다. 제3가스 전달 관(461, 463)은 가스 전달 영역(441, 443)과 제2 가스 저장 영역(141, 143)을 수직 방향으로 연결하고, 가스 전달 영역들(441, 443)에 저장된 퍼지 가스를 가스 경로 영역(141, 143)으로 공급한다. 가스 경로 영역(141, 143)으로 공급된 퍼지 가스는 커튼 영역(131, 133)으로 전달되어 소스 가스(또는 반응 가스)의 에어 커튼 역할을 할 수 있다.

도 4(b)에는, 퍼지 가스가 제2가스 전달 관(161, 163), 가스 전달 영역(441, 443), 제3가스 전달 관(461, 463)을 거쳐서 제2 가스 저장 영역(141, 143)까지 흐르는 모습이 도시된다. 도 4(b)를 참조하면, 제2 가스 저장 영역(141, 143)에 도달한 퍼지 가스는, 수평 방향으로 흐르다가 수평 방향으로 배기된다. 그러므로, 퍼지 가스는 원활하게 배기되고, 원활하게 배기되지 못하는 소스 가스(반응 가스)와의 배기 속도에서 차이가 난다.

제1 가스 저장 영역(111~114)과 제2 가스 저장 영역(131~134, 141~144)에 임시 저장된 소스 가스, 반응 가스 또는 퍼지 가스는, 배기구들(171~174)을 통하여 외부로 배기 될 수 있다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 박막 증착 장치의 투영 평면도이다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 원자층 박막 증착 장치는 반응 챔버(미도시), 서셉터(미도시), 가스 공급 수단(미도시), 및 가스 분사 헤드(100)를 구비한다.

서셉터(미도시)는 반응 챔버(미도시)에 놓여지고, 서셉터(미도시) 상에는 피증착 물질들(591~596)이 놓여진다. 피증착 물질(591~596)의 예에는 웨이퍼 등이 있다. 도 5에는 피증착 물질들(591~596)의 개수가 6개인 것으로 도시되어 있으나, 피증착 물질들(591~596)의 개수는, 그에 한정되지 않고 하나 이상 일 수 있다.

가스 공급 수단은 서셉터(미도시)의 상부에 배치되고, 가스 분사 헤드(100)로 제1가스, 제2가스 또는 제3가스를 공급한다. 가스 공급 수단은 제1가스 공급부와 제2가스 공급부를 구비할 수 있다. 제1가스 공급부는, 가스 분사 헤드(100)의 원판 형태의 중앙부분에 연결되고, 제1가스 또는 제2가스를 공급한다. 제2가스 공급부는 가스 분사 헤드(100)의 가스 경로 영역(141~144)의 상부에 연결되고, 제2가스 전달 관을 통하여 가스 전달 영역으로 제3가스를 공급한다.

가스 분사 헤드(100)는, 서셉터(미도시)와 피증착 물질들(591~596)의 상부에 배치되며, 피증착 물질들(591~596)로 소스 가스, 반응 가스 또는 퍼지 가스를 분사한다. 도 5의 원자층 박막 증착 장치에 구비되는 가스 분사 헤드(100)는, 도 1 내지 도 4에 도시된 가스 분사 헤드(100) 일 수 있다. 그러므로, 도 5의 원자층 박막 증착 장치에 구비되는 가스 분사 헤드(100)에 관한 상세한 설명은 생략된다.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드의 사시도이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 가스 분사 헤드의 투영 평면도이다.

도 3은 도 2의 가스 분사 헤드를 E-E' 방향으로 절개한 단면도이다.

도 4는 도 2의 가스 분사 헤드를 D-D' 방향으로 절개한 단면도이다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 원자층 박막 증착 장치의 투영 평면도이다.

Claims (17)

1. 원자층 박막 증착 장치의 가스 분사 헤드에 있어서,

   상기 가스 분사 헤드는, 판 형태를 가지고,

   상기 판 형태의 하면에 형성되고 제1가스 또는 제2가스를 임시 저장하는, 하 나 이상의 제1 가스 저장 영역들; 및

   상기 판 형태의 하면에 상기 제1 가스 저장 영역과 별도로 형성되고 제3가스를 임시 저장하는, 하나 이상의 제2 가스 저장 영역들을 구비하고,

   상기 제1 가스 저장 영역들의 바닥 면은,

   상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있어서, 상기 제2 가스 저장 영역들과 단차를 이루고,

   상기 제1 가스 저장 영역들 각각은,

   상기 제1 가스 저장 영역들의 가장자리에 형성되며 수직 방향으로 뚫려 있는 제1 가스 배기 구멍들을 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
2. 제1항에 있어서, 상기 각각의 제2 가스 저장 영역의 일부분은,

   상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
3. 제1항에 있어서, 상기 각각의 제2 가스 저장 영역은,

   중앙에 위치하고 상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있는 가스 경로 영역; 및

   상기 가스 경로 영역의 양쪽 가장자리에 위치하는 커튼 영역들을 포함하고,

   상기 가스 경로 영역은, 상기 커튼 영역들과 단차를 이루는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
4. 제1항에 있어서,

   상기 가스 분사 헤드는, 원판 형태를 가지고,

   상기 제1 및 제2 가스 저장 영역들은, 상기 원판 형태의 중심부분을 포함하지 않는 부채꼴 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
5. 제4항에 있어서, 상기 제1 가스 저장 영역들과 상기 제2 가스 저장 영역들은,

   원주 방향을 따라 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
6. 제5항에 있어서, 상기 제1 가스 저장 영역들은,

   상기 제1가스를 임시 저장하는 제1서브 영역들; 및

   상기 제2가스를 임시 저장하는 제2서브 영역들을 포함하고,

   상기 제1서브 영역, 상기 제2 가스 저장 영역, 상기 제2서브 영역, 상기 제2 가스 저장 영역의 순서로, 원주 방향을 따라 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
7. 제5항에 있어서, 상기 각각의 제2 가스 저장 영역은,

   상기 각각의 제2 가스 저장 영역의 부채꼴 형태와 동일한 반지름을 가지고 상기 각각의 제2 가스 저장 영역의 부채꼴 형태의 중간에 부채꼴 형태를 가지도록 파여 있는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
8. 제1항에 있어서, 상기 가스 분사 헤드는,

   수직 방향의 회전축을 중심으로, 수평으로 회전하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
9. 제1항에 있어서, 상기 가스 분사 헤드는,

   상기 제1 가스 저장 영역으로 상기 제1가스 또는 상기 제2가스를 공급하는 하나 이상의 제1가스 전달 관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
10. 제1항에 있어서, 상기 가스 분사 헤드는,

    상기 제2 가스 저장 영역의 상부에 위치하는 가스 전달 영역;

    상기 가스 전달 영역에 수직으로 연결되고 상기 제3가스를 전달하는 제2가스 전달 관; 및

    상기 가스 전달 영역과 상기 제2 가스 저장 영역을 수직 방향으로 연결하는 하나 이상의 가스 전달 관을 더 구비하고,

    상기 제2가스 전달 관들이 상기 가스 전달 영역에 수직으로 연결되는 부분은, 상기 가스 전달 영역의 하부에 위치하는 상기 제2 가스 저장 영역의 파여 있는 부분에 대응되는 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
11. 제1항에 있어서,

    상기 제1가스는, 소스 가스이고,

    상기 제2가스는, 반응 가스이고,

    상기 제3가스는, 퍼지 가스인 것을 특징으로 하는 가스 분사 헤드.
12. 하나 이상의 피증착 물질이 안착되는 서셉터가 놓여지는 반응 챔버;

    상기 서셉터의 상부에 배치되고, 제1가스, 제2가스 또는 제3가스를 공급하는 가스 공급 수단;

    상기 가스 공급 수단의 하부에 배치되며 판 형태를 가지고, 상기 제1가스, 제2가스 또는 제3가스를 임시 저장하고 분사하는 가스 분사 헤드를 구비하고,

    상기 가스 분사 헤드는, 판 형태를 가지고,

    상기 판 형태의 하면에 형성되고 제1가스 또는 제2가스를 임시 저장하는, 하나 이상의 제1 가스 저장 영역들; 및

    상기 판 형태의 하면에 상기 제1 가스 저장 영역과 별도로 형성되고 제3가스를 임시 저장하는, 하나 이상의 제2 가스 저장 영역들을 구비하고,

    상기 제1 가스 저장 영역들의 바닥 면은,

    상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있어서, 상기 제2 가스 저장 영역과 단차를 이루고,

    상기 제1 가스 저장 영역들 각각은,

    상기 제1 가스 저장 영역들의 가장자리에 형성되며 수직 방향으로 뚫려 있는 제1 가스 배기 구멍들을 구비하는 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착 장치.
13. 제12항에 있어서, 상기 각각의 제2 가스 저장 영역의 일부분은,

    상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있는 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착 장치.
14. 제12항에 있어서, 상기 각각의 제2 가스 저장 영역은,

    중앙에 위치하고 상기 가스 분사 헤드의 상면 방향으로 파여 있는 가스 경로 영역; 및

    상기 가스 경로 영역의 양쪽 가장자리에 위치하는 커튼 영역들을 포함하고,

    상기 가스 경로 영역은, 상기 커튼 영역들과 단차를 이루는 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착 장치.
15. 제12항에 있어서, 상기 가스 공급 수단은,

    상기 가스 분사 헤드의 중앙부분에 연결되고, 상기 제1가스 또는 상기 제2가스를 공급하는 제1가스 공급부; 및

    상기 각각의 제2 가스 저장 영역으로 상기 제3가스를 공급하는 제2가스 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착 장치.
16. 제15항에 있어서, 상기 가스 분사 헤드는,

    상기 제1가스 공급부와 상기 제1 가스 저장 영역을 연결하고, 상기 제1가스 공급부로부터 상기 제1가스 또는 상기 제2가스를 공급받는 하나 이상의 제1가스 전달 관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착 장치.
17. 제15항에 있어서, 상기 가스 분사 헤드는,

    상기 제2 가스 저장 영역의 상부에 위치하는 가스 전달 영역;

    상기 가스 전달 영역에 수직으로 연결되고 상기 제2가스 공급부로부터 상기 가스 전달 영역으로 상기 제3가스를 전달하는 제2가스 전달 관; 및

    상기 가스 전달 영역과 상기 제2 가스 저장 영역을 수직 방향으로 연결하는 하나 이상의 가스 전달 관을 더 구비하고,

    상기 제2가스 전달 관들이 상기 가스 전달 영역에 수직으로 연결되는 부분은, 상기 가스 전달 영역의 하부에 위치하는 상기 제2 가스 저장 영역의 파여 있는 부분에 대응되는 것을 특징으로 하는 원자층 박막 증착 장치.

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