JP2000277509A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2000277509A5 JP2000277509A5 JP1999086289A JP8628999A JP2000277509A5 JP 2000277509 A5 JP2000277509 A5 JP 2000277509A5 JP 1999086289 A JP1999086289 A JP 1999086289A JP 8628999 A JP8628999 A JP 8628999A JP 2000277509 A5 JP2000277509 A5 JP 2000277509A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- blowing nozzles
- substrate
- processing apparatus
- gas blowing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 2
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平に配置した被処理基板の周辺から前記被処理基板の中心に向けて複数の処理ガスを独立して供給するガス供給手段を備えた基板処理装置において、
前記ガス供給手段として、ほぼ同一高さの複数のガス吹出ノズルを設けると共に、前記複数のガス吹出ノズルを前記複数の処理ガスに対応した複数のグループに分け、前記複数の処理ガスを前記各グループのガス吹出ノズルにそれぞれ独立して導く複数系統のガス通路を形成したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】 前記複数のガス吹出ノズル備えたガスリングを設け、該ガスリングに前記複数系統のガス通路を形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】 前記ガス通路の入口から導入された処理ガスを前記複数のガス吹出ノズルから均一に吹き出させるためのバッファ室を形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項１】
水平に配置した被処理基板の周辺から前記被処理基板の中心に向けて複数の処理ガスを独立して供給するガス供給手段を備えた基板処理装置において、
前記ガス供給手段として、ほぼ同一高さの複数のガス吹出ノズルを設けると共に、前記複数のガス吹出ノズルを前記複数の処理ガスに対応した複数のグループに分け、前記複数の処理ガスを前記各グループのガス吹出ノズルにそれぞれ独立して導く複数系統のガス通路を形成したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】 前記複数のガス吹出ノズル備えたガスリングを設け、該ガスリングに前記複数系統のガス通路を形成したことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】 前記ガス通路の入口から導入された処理ガスを前記複数のガス吹出ノズルから均一に吹き出させるためのバッファ室を形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【００１２】
【課題を解決するための手段】 第一の発明は、水平に配置した被処理基板の周辺から前記被処理基板の中心に向けて複数の処理ガスを独立して供給するガス供給手段を備えた基板処理装置において、前記ガス供給手段として、同一高さの複数のガス吹出ノズルを設けると共に、前記複数のガス吹出ノズルを前記複数の処理ガスに対応した複数のグループに分け、前記複数の処理ガスを前記各グループのガス吹出ノズルにそれぞれ独立して導く複数系統のガス通路を形成したことを特徴とする。
【課題を解決するための手段】 第一の発明は、水平に配置した被処理基板の周辺から前記被処理基板の中心に向けて複数の処理ガスを独立して供給するガス供給手段を備えた基板処理装置において、前記ガス供給手段として、同一高さの複数のガス吹出ノズルを設けると共に、前記複数のガス吹出ノズルを前記複数の処理ガスに対応した複数のグループに分け、前記複数の処理ガスを前記各グループのガス吹出ノズルにそれぞれ独立して導く複数系統のガス通路を形成したことを特徴とする。
第二の発明は、前記複数のガス吹出ノズル備えたガスリングを設け、該ガスリングに前記複数系統のガス通路を形成したことを特徴とする。
第三の発明は、前記ガス通路の入口から導入された処理ガスを前記複数のガス吹出ノズルから均一に吹き出させるためのバッファ室を形成したことを特徴とする。この場合において、バッファ室をガスリングに形成するとよい。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086289A JP2000277509A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11086289A JP2000277509A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277509A JP2000277509A (ja) | 2000-10-06 |
| JP2000277509A5 true JP2000277509A5 (ja) | 2006-05-18 |
Family
ID=13882688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11086289A Pending JP2000277509A (ja) | 1999-03-29 | 1999-03-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277509A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004029466A1 (de) * | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Leybold Optics Gmbh | Medieninjektor |
| KR101183141B1 (ko) * | 2005-08-29 | 2012-09-14 | 주성엔지니어링(주) | 가스분배판 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 |
| JP4638833B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-02-23 | 三井造船株式会社 | プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法 |
| WO2009066389A1 (ja) * | 2007-11-22 | 2009-05-28 | Canon Anelva Corporation | スパッタ装置およびスパッタ方法 |
| KR100982987B1 (ko) | 2008-04-18 | 2010-09-17 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학 기상 증착 장치 |
| JP5172484B2 (ja) * | 2008-06-09 | 2013-03-27 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法及び成膜装置 |
| JP2011077143A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
| KR101884003B1 (ko) * | 2011-03-22 | 2018-07-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기상 증착 챔버를 위한 라이너 조립체 |
| US9245717B2 (en) * | 2011-05-31 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor |
| JP5843626B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給ヘッド及び基板処理装置 |
| JP6230986B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2017-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN114551206A (zh) * | 2015-12-04 | 2022-05-27 | 应用材料公司 | 用以防止hdp-cvd腔室电弧放电的先进涂层方法及材料 |
-
1999
- 1999-03-29 JP JP11086289A patent/JP2000277509A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000277509A5 (ja) | ||
| WO2001004931A3 (en) | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in cvd and pecvd processes | |
| JP7461291B2 (ja) | 材料を熱的又は熱化学的に処理する装置及び方法 | |
| WO2005052998A3 (en) | Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures | |
| WO1990013687A3 (en) | Apparatus and method for treating flat substrates under reduced pressure | |
| JP2007266610A5 (ja) | ||
| EP1691396A3 (en) | Plasma reactor with overhead electrode having cylindrical gas outlets | |
| CN101772833A (zh) | 气体供给装置 | |
| EP1524887A3 (en) | Nozzle for plasma torch | |
| WO2003003414A3 (en) | Directed gas injection apparatus for semiconductor processing | |
| EP1321538A3 (en) | Gas distributor for vapor coating method and apparatus | |
| KR20130074413A (ko) | 기판처리장치 | |
| JP4388627B2 (ja) | 処理装置 | |
| TW200520029A (en) | Holder for multiple substrates and chamber with the same | |
| CN209065998U (zh) | 薄膜制备设备及其反应腔室 | |
| TWI263708B (en) | Process for depositing multicomponent semiconductor layers on at least one substrate | |
| JP2003109994A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0383897A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2007221000A5 (ja) | ||
| JPS62193129A (ja) | 処理装置 | |
| KR101729756B1 (ko) | 퓸 제거장치용 배기 덕트 및 이를 이용한 퓸 제거장치 | |
| CN220304233U (zh) | 半导体热处理设备 | |
| CN203741412U (zh) | 一种原子层薄膜沉积进气装置 | |
| JPH05125451A (ja) | 異種雰囲気連続ガス処理炉の隔壁構造 | |
| CN205174374U (zh) | 可改善工作精度的滤布表面处理装置 |