JP2007266610A5 - - Google Patents

Claims (30)

1. 処理空間を含む処理チャンバと；
   前記処理チャンバに結合され、プロセスガスを受けて、前記プロセスガスからラジカルを発生するように構成されたリモートラジカル発生システムと；
   前記ラジカルを受け、前記処理空間内に前記ラジカルのフローを分配するように構成され、拡散体を備えた前記ガス分配システムと；
   前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバの前記処理空間に前記基板を支持し、前記基板の温度を調整するように構成された台と；
   前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバを排気するように構成された真空排気システムとを具備し、
   前記拡散体は、前記ラジカル発生システムの出口に結合された拡散体入口と、前記処理チャンバの前記処理空間に結合された拡散体出口とを有し、実質的に円錐ボリュームを備えている処理システム。
2. 前記ガス分配システムは、前記拡散体入口で前記拡散体に結合するガス分配プレートを更に具備し、
   前記ガス分配プレートは、前記ガス分配プレートを通過する１つ以上の開口を有している請求項１の処理システム。
3. 前記ガス分配プレートは、前記ガス分配プレートに実質的に均等に分配される複数の開口を含んでいる請求項２の処理システム。
4. 前記ガス分配プレートは、前記ガス分配プレートに等しくなく分配される複数の開口を含んでいる請求項２の処理システム。
5. 前記ガス分配システムは、
   前記拡散体入口と、前記拡散体出口との間の前記拡散体内に位置づけられ、前記ラジカル発生システムから前記ラジカルのフローによって実質的に位置合わせされる中央ボディを含む前記拡散体プレートを更に具備し、
   前記ラジカルの前記フローは、前記処理空間へ前記中央ボディ周辺で前記拡散体を通過する請求項１の処理システム。
6. 前記中央ボディは、ディスクを含んでいる請求項５の処理システム。
7. 前記中央ボディは、円錐構造を含んでいる請求項５の処理システム。
8. 前記拡散体プレートは、前記拡散体出口に位置づけられる請求項５の処理システム。
9. 前記拡散体プレートは、前記拡散体入口と、前記拡散体出口との実質的に中間に位置づけられる請求項５の処理システム。
10. 前記ガス分配システムは、前記拡散体出口で前記拡散体に結合されるガス分配プレートを更に備え、
    前記ガス分配プレートは、前記ガス分配プレートを通過する１つ以上の開口を含んでいる請求項９の処理システム。
11. 前記中央ボディは、１つ以上の支持アームで支えられている請求項５の処理システム。
12. 前記中央ボディは、前記中央ボディと、前記拡散体の外壁との間の前記ガス分配プレートに形成される１つ以上の開口を有するガス分配プレートで支えられる請求項５の処理システム。
13. 前記拡散体は、
    前記拡散体入口のすぐ近くの第１のエントラント領域と、
    前記拡散体出口のすぐ近くの第２のエントラント領域とを含み、
    前記第１のエントラント領域の半角は、前記第２のエントラント領域の半角未満である請求項１の処理システム。
14. 前記第１のエントラント領域の半角は、ほぼ４５度以下である請求項１３の処理システム。
15. 前記第１のエントラント領域の半角は、ほぼ１５度以下である請求項１３の処理システム。
16. 前記ガス分配システムは、前記第１のエントラント領域と、前記第２のエントラント領域との間の前記拡散体内に位置づけられる拡散体プレートを更に備え、
    前記拡散体プレートは、前記ラジカル発生システムから前記ラジカルのフローによって実質的に位置合わせされる中央ボディを含み、
    前記ラジカルの前記フローは、前記処理空間へ前記中央ボディ周辺で前記拡散体を通過する請求項１３の処理システム。
17. 前記ガス分配システムは、前記拡散体出口で前記拡散体に結合されたガス分配プレートを更に備え、
    前記ガス分配プレートは、前記ガス分配プレートを通過する１つ以上の開口を含んでいる請求項１６の処理システム。
18. 前記中央ボディは、ディスクを含んでいる請求項１６の処理システム。
19. 前記中央ボディは、円錐構造を含んでいる請求項１６の処理システム。
20. 前記中央ボディは、１つ以上の支持アームで支えられている請求項１６の処理システム。
21. 前記ガス分配システムは、前記拡散体出口で前記拡散体内に位置づけられる拡散体プレートを更に備え、
    前記拡散体プレートは、前記ラジカル発生システムから前記ラジカルのフローによって実質的に位置合わせされる中央ボディを含み、
    前記ラジカルの前記フローは、前記処理空間へ前記中央ボディ周辺で前記拡散体を通過する請求項１３の処理システム。
22. 前記中央ボディは、前記中央ボディと、前記拡散体の外壁との間の前記ガス分配プレートに形成される１つ以上の開口を有するガス分配プレートで支えられる請求項２１の処理システム。
23. 前記台は、前記台の上面に形成される１つ以上の溝を有し、
    少なくとも１つの前記１つ以上の溝は、前記台のエッジまで延びている請求項１の処理システム。
24. 前記台は、前記基板の前記温度を制御するために、１つ以上の加熱部材、もしくは１つ以上の冷却素子、またはそれらの組合せを含んでいる請求項１の処理システム。
25. 前記ラジカル発生システムに結合され、前記ラジカル発生システムに前記プロセスガスを供給するように構成されたプロセスガス供給システムを更に具備する請求項１の処理システム。
26. 前記プロセスガス供給システムは、Ｏ２、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＨ３、ＮＦ３、もしくはＣＦ４、またはそれらの２つ以上の何らかの組合せの１つ以上を供給するように構成されている請求項２５の処理システム。
27. 前記処理チャンバに結合され、前記基板の周囲エッジの向こうでラジカルのフローを妨げるために前記処理空間を囲むように構成されたエッジリングを更に具備する請求項１の処理システム。
28. 前記エッジリングは、前記台の周囲エッジに結合された台エッジリングを含んでいる請求項２７の処理システム。
29. 前記処理チャンバに結合され、前記基板の周囲エッジの向こうでラジカルのフローを妨げるために、前記処理空間を囲むように構成されたエッジリング更に具備し、
    前記エッジリングは、前記ガス分配システムの周囲エッジに結合されたエッジリングを含んでいる請求項１の処理システム。
30. 処理空間を含む処理チャンバと；
    前記処理チャンバに結合され、プロセスガスを受け、前記プロセスガスからラジカルを発生するように構成されたリモートラジカル発生システムと；
    前記ラジカルのフローを受け、前記処理空間内で前記ラジカルを供給するように構成されたラジカル送出システムと；
    前記プレナムの出口に結合され、前記処理空間に前記ラジカルを分散させるように構成されたガス分配プレートと；
    前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバに前記基板を支持し、前記基板の温度を調整するように構成された台と；
    前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバを排気するように構成された真空排気システムとを具備し、
    前記ラジカルシステムは、前記ラジカル発生システムの出口に結合されたダクト入口を有し、プレナムと結合されたダクトを備えている処理システム。