JP2009531858A5

JP2009531858A5 -

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Publication number: JP2009531858A5
Application number: JP2009502777A
Authority: JP
Filing date: 2007-02-07
Publication date: 2010-02-12
Anticipated expiration: 2027-02-07

Claims

処理空間を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバに結合された遠隔ラジカル発生システムであって、処理ガスを受容し、該処理ガスからラジカルを形成し、該ラジカルを、前記処理チャンバ内の基板の上部の前記処理空間に搬送するように構成された遠隔ラジカル発生システムと、
前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバ内の前記処理空間に基板を支持し、前記基板の温度を制御するように構成された台座であって、
前記台座の上部表面に形成された1または2以上の溝を有し、
前記1または2以上の溝の少なくとも一つは、前記台座の端部まで延伸する、台座と、
前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバを減圧するように構成された真空排気システムと、
を有する処理システム。
さらに、
前記ラジカル発生システムの出口に結合され、前記ラジカルを前記基板の上部に分配する、ガス分配システムを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記台座は、前記基板の前記温度を制御されるように構成された、1もしくは2以上の加熱素子、1もしくは2以上の冷却素子、またはこれらの組み合わせを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記台座は、コーティングされたアルミニウムで形成されることを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記コーティングは、アノーディック層であることを特徴とする請求項4に記載の処理システム。
前記コーティングは、少なくとも一つのIII族元素を有することを特徴とする請求項4に記載の処理システム。
前記コーティングは、Al₂O₃、Sc₂O₃、Sc₂F₃、YF₃、La₂O₃、Y₂O₃、およびDyO₃からなる群から選定された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項4に記載の処理システム。
前記台座は、1または2以上の抵抗加熱素子を有する加熱制御素子を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記台座は、1または2以上の熱電装置を有する加熱制御素子を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記処理チャンバは、コーティングされたアルミニウムで形成されることを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記コーティングは、アノーディック層であることを特徴とする請求項10に記載の処理システム。
前記コーティングは、少なくとも一つのIII族元素を含むことを特徴とする請求項10に記載の処理システム。
前記コーティングは、Al₂O₃、Sc₂O₃、Sc₂F₃、YF₃、La₂O₃、Y₂O₃、およびDyO₃からなる群から選定された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項10に記載の処理システム。
前記ガス分配システムは、
複数の開口を介して、前記処理チャンバ内に前記ラジカルを分配するガス分配板と、
前記ラジカル発生システムの前記出口に結合されたプレナムであって、前記ラジカル発生システムからの前記ラジカルを受容し、前記ガス分配板内の前記複数の開口に、前記ラジカルを供給するように構成されたプレナムと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の処理システム。
前記ガス分配板は、コーティングされたアルミニウムで構成されることを特徴とする請求項14に記載の処理システム。
前記コーティングは、アノーディック層であることを特徴とする請求項15に記載の処理システム。
前記コーティングは、少なくとも一つのIII族元素を含むことを特徴とする請求項15に記載の処理システム。
前記コーティングは、Al₂O₃、Sc₂O₃、Sc₂F₃、YF₃、La₂O₃、Y₂O₃、およびDyO₃からなる群から選定された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項15に記載の処理システム。
さらに、
前記ラジカル発生システムに結合された処理ガス供給システムであって、前記処理ガスを、前記ラジカル発生システムに供給するように構成された処理ガス供給システムを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記処理ガス供給システムは、O₂、N₂、NO、NO₂、N₂O、CO、CO₂、NH₃、NF₃、CF₄、もしくはこれらの2以上の組み合わせのうちの、1または2以上を供給するように構成されることを特徴とする請求項19に記載の処理システム。
さらに、
前記処理チャンバに結合され、前記処理空間を取り囲むように構成された端部リングを有し、
前記基板の周囲端部にわたるラジカルの流れが妨害されることを特徴とする請求項20に記載の処理システム。
前記端部リングは、前記台座の周囲端部に結合された台座端リングを有することを特徴とする請求項21に記載の処理システム。
さらに、
前記処理チャンバに結合され、前記処理空間を取り囲むように構成された端部リングを有し、
前記基板の周囲端部にわたるラジカルの流れが妨害され、
前記端部リングは、前記ガス分配システムの周囲端部に結合された端部リングを有することを特徴とする請求項2に記載の処理システム。
前記1または2以上の溝は、
第1の方向に延伸する溝の第1の配列と、
前記第1の方向と実質的に直交する、第2の方向に延伸する溝の第2の配列と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記1または2以上の溝は、実質的に半径方向の溝の第1の配列を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
前記1または2以上の溝は、さらに、
実質的に環状であり、前記第1の溝の組と実質的に直交する溝の第2の配列を有することを特徴とする請求項25に記載の処理システム。
前記台座は、さらに、リフトピンシステムを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。