TW201943899A - 用於磊晶腔室的襯墊 - Google Patents

Abstract

本文揭露之實施例描述一種襯墊組件，該襯墊組件包括複數個個別分開的氣體通路。該襯墊組件提供遍及正受處理之基板上的流動參數之控制，該等參數諸如流速、密度、方向與空間位置。利用根據本案實施例的襯墊組件，遍及正受處理之基板上的處理氣體可特定地經修改以用於個別的製程。

Description

用於磊晶腔室的襯墊

本案揭露內容之實施例大體上關於用在半導體處理設備中的襯墊。

用於製造半導體元件之一些製程在升高的溫度下執行，該等製程例如快速熱處理、磊晶沉積、化學氣相沉積、物理氣相沉積、與電子束固化。通常，由一或多個熱源於處理腔室中將正受處理之基板加熱到期望溫度。該一或多個熱源一般是裝設在腔室主體外，如此由該熱源生成的能量輻射至定位在腔室主體內的基板上。

處理氣體通常從氣體入口供應至腔室，且藉由連接腔室的泵送系統維持該等處理氣體在腔室內流動。習知腔室中的氣體分佈可能遍及腔室不均勻。例如，接近氣體入口處的氣體分佈與接近泵送通口處的氣體分佈可能不同，且接近邊緣區域的氣體分佈可能與接近中央區域的氣體分佈不同。儘管基板之連續旋轉可減少氣體分佈的不均勻，但當均勻度的需求增加時，單獨該旋轉所實現的改善可能不足。

因此，需要一種有改良氣流分佈的熱反應器。

本文揭露之實施例包括用在半導體處理腔室中的襯墊。一個實施例中，一種襯墊組件可包括：圓筒狀主體，該圓筒狀主體具有外表面與內表面，該外表面具有外周邊，該外周邊小於該半導體處理腔室之周邊，該內表面形成處理空間之多個壁；以及複數個氣體通路，該等氣體通路形成為與該圓筒狀主體相連；排氣通口，定位在該複數個氣體通路對面；交叉流通口，定位成與該排氣通口不平行；以及熱感測通口，定位成與該交叉流通口分開。

另一實施例中，一種襯墊組件可包括：上襯墊，包括：圓筒狀上主體，該圓筒狀上主體具有上突出部；以及複數個上入口，形成為與該圓筒狀主體相連；上排氣通口，定位成大約平行該複數個上入口；以及上交叉流通口，定位成大約垂直該排氣通口；以及下襯墊，包括：圓筒狀下主體，具有接收溝槽以接收上突出部；以及複數個下入口，形成為與該圓筒狀主體相連，該複數個下入口與該複數個上入口一同界定複數個氣體通路；下排氣通口，流體連通式連接該上排氣通口；下交叉流通口，在流體連通性上可連接該上交叉流通口；以及熱感測通口，與該下交叉流通口間隔開。

另一實施例中，一種襯墊組件可包括：上襯墊，包括：圓筒狀上主體，該圓筒狀上主體具有上突出部；以及複數個上入口，形成為與該圓筒狀主體相連，該複數個上入口的中線定位在從對分線量起的約90度之處且位於第一平面中；上排氣通口，形成在該複數個上入口對面，該排氣通口之中線定位在從對分線量起的約270度之處且位於該第一平面中；以及上交叉流通口，定位在從對分線量起的約0度之處且位於該第一平面中；以及下襯墊，包括：圓筒狀下主體，具有接收溝槽，該接收溝槽用於接收該上突出部；以及複數個下入口，形成為與該圓筒狀主體相連，該複數個下入口結合該複數個上入口以形成複數個氣體通路，該複數個下入口定位在第二平面中，該第二平面與該第一平面不同；下排氣通口，流體連通式連接該上排氣通口，該下排氣通口定位在實質垂直該複數個下入口處；下交叉流通口，流體連通式連接該上交叉流通口，該下交叉流通口定位在偏離平行該排氣通口之處；以及熱感測通口，定位成與該下交叉流通口分開，該複數個下入口結合該複數個上入口而產生複數個氣體通路。

本文揭露之實施例描述用在半導體處理系統之襯墊。該襯墊合併包括至少6個區域的交叉流設計，以容許更大的流動的成帶分佈（zonality）。進一步而言，溫度感測裝置與襯墊連結使用（但與該襯墊分開），以容許更容易交換襯墊、有更有回彈力的襯墊、以及開銷減少。同樣，交叉流通口從中心線偏離中心（例如，位置在非0度的位置）的定位容許流動區之間的間距中的可變性增加。參考下文之圖式而更清楚地描述本文揭露之裝置的實施例。

第1圖繪示根據一個實施例的具有襯墊組件150的加熱處理腔室100的概略截面視圖。一個範例中，這可以是背側加熱處理腔室。可適於受惠本文所述之實施例的處理腔室之一個範例是磊晶處理腔室，該磊晶處理腔室可購自位於美國加州Santa Clara的應用材料公司。考量包括來自其他販售商的其他處理腔室可適於實踐本案實施例。

處理腔室100可用於處理一或多個基板，包括於基板108之上表面上的材料沉積。處理腔室100可包括處理腔室加熱裝置，諸如輻射加熱燈102之陣列，該等輻射加熱燈特別用於加熱下述部件：基板支撐件106的背側104或配置在處理腔室100中的基板108之背側。基板支撐件106可以是碟狀基板支撐件106（如圖所示）或可以是環狀基板支撐件（圖中未示），該環狀基板支撐件從基板之邊緣支撐基板，或者該基板支撐件可以是銷型支撐件，該銷型支撐件以接觸極微的柱或銷從底部支撐基板。

於此實施例中，基板支撐件106描繪成位在處理腔室100內位於上圓頂114與下圓頂112之間。上圓頂114與下圓頂112連同基座環118可界定處理腔室100的內部區域，該基座環118配置在上圓頂114與下圓頂112之間。基板108（並未依照比例尺顯示）可帶至處理腔室100中且通過裝載通口（圖中未示）定位在基板支撐件106上，該裝載通口於第1圖的視角中被基板支撐件106所遮蔽。

基座環118可大體上包括裝載通口、處理氣體入口136、與氣體出口142。基座環118可具有大體上橢圓的形狀，長側在裝載通口上而短側分別在處理氣體入口136與氣體出口142上。基座環118可具有任何期望的形狀，只要裝載通口、處理氣體入口136與氣體出口142在角度上相對彼此以約90度偏位即可。例如，裝載通口可位在處理氣體入口136與氣體出口142之間的側邊處，而處理氣體入口136與氣體出口142配置在基座環118上呈彼此相對。各種實施例中，裝載通口、處理氣體入口136、與氣體出口142彼此對準，且相對於腔室100之基準平面配置在實質上相同位高處。諸如「上方」、「下方」、「頂部」、「底部」、「上」、「下」等詞彙並非針對絕對方向的參考物，而是相對於腔室100之基準平面。

如在本文所用之「對面」之術語是以數學術語界定，使得A相對於參考平面P位在B之對面，而該參考平面P在A與B之間延伸。申請人希望「對面」僅為大致之情況，因而不要求A與B位在正對面，除非特意陳述。

基板支撐件106顯示為處於升高的處理位置，但可由致動器（圖中未示）垂直移位至位在處理位置下方的裝載位置，以容許升舉銷105得以接觸下圓頂112，通過在基板支撐件106中的洞且沿著中央軸桿116延伸，且將基板108從基板支撐件106抬升。機器人（圖中未示）隨後可進入處理腔室100以透過裝載通口接合基板108及從處理腔室100移出基板108。基板支撐件106隨後可被致動上升至處理位置，以將基板（該基板之元件側117面朝上）放置到基板支撐件106之前側110上。

基板支撐件106位在處理位置時將處理腔室100之內部空間劃分成處理區域120與淨化氣體區域122，該處理區域120在基板上方，該淨化氣體區域122在該基板支撐件106下方。基板支撐件106可在處理期間由中央軸桿116旋轉，以盡量減少處理腔室100內熱與處理氣流空間上異常的效應，從而助於基板108的均勻處理。基板支撐件106由中央軸桿116支撐，而在裝載與卸載期間以上下方向移動基板108，且在一些例子中，於處理基板108期間以上下方向移動基板。基板支撐件106可由碳化矽或塗布有碳化矽的石墨形成，以吸收來自燈102的輻射能量且將輻射能量引導至基板108。

大體上，上圓頂114的中央窗部分與下圓頂112的底部由透光材料（諸如石英）形成。上圓頂114的厚度與曲度可裝設成操縱處理腔室中流場的均勻度。

燈102可用指定的方式於中央軸桿116周圍配置在鄰近下圓頂112處且於下圓頂112下面，以在處理氣體通過燈102上方時獨立地控制基板108之各區域的溫度，藉此助於使材料沉積在基板108之上表面上。燈102可用於將基板108加熱到範圍在約攝氏200度至約攝氏1600度內的溫度。雖然並未在此詳細討論，但沉積的材料可包括矽、摻雜矽、鍺、摻雜鍺、矽鍺、摻雜的矽鍺、砷化鎵、氮化鎵、或氮化鋁鎵。

從處理氣體供應源134所供應的處理氣體經過處理氣體入口136引入處理區域120中，該處理氣體入口136形成在基座環118之側壁中。處理氣體入口136經過複數個氣體通路154連接處理氣體區域，該等氣體通路154形成為穿過襯墊組件150。處理氣體入口136、襯墊組件150、或前述之組合裝設成以可大體上為徑向向內的方向引導處理氣體。膜形成製程期間，基板支撐件106位在處理位置，該處理位置可鄰近處理氣體入口136且位在與該處理氣體入口136大約相同的高度，而容許處理氣體得以遍及基板108之上表面沿著流動路徑138往上及到處流動。處理氣體通過氣體出口142離開處理區域120（沿著流動路徑140），該氣體出口142位在處理腔室100之在處理氣體入口136對面之側上。透過氣體出口142移除處理氣體可借助於與氣體出口142耦接的真空泵144。

從淨化氣體源124供應的淨化氣體經過淨化氣體入口126引入淨化氣體區域122，該淨化氣體入口126形成在基座環118之側壁中。淨化氣體入口126經過襯墊組件150連接處理氣體區域。淨化氣體入口126配置在處理氣體入口136下方的高度處。若使用圓形遮蔽件152，則圓形遮蔽件152可配置在處理氣體入口136與淨化氣體入口126之間。任一情況中，淨化氣體入口126裝設成以大體上徑向向內的方向引導淨化氣體。若期望，則淨化氣體入口126可裝設成以向上方向引導淨化氣體。膜形成製程期間，基板支撐件106位在一位置，使得該淨化氣體遍及基板支撐件106之背側104上沿著流動路徑128向下及到處流動。不受任何特定理論所限制，相信淨化氣體的流動防止或實質上避免處理氣流進入淨化氣體區域122，或減少進入淨化氣體區域122（即基板支撐件106下的區域）的處理氣體的擴散。淨化氣體離開淨化氣體區域122（沿著流動路徑130），且經過氣體出口142排出處理腔室，該氣體出口142位在處理腔室100之在淨化氣體入口126對面之側上。

襯墊組件150可配置在基座環118的內周邊內或由該基座環118的內周邊環繞。襯墊組件150可由石英材料形成，且大體上將處理腔室100之壁遮蔽隔離處理區域120與淨化氣體區域122中的環境條件。壁（可為金屬性）可能會與前驅物反應且引發處理空間中的污染。開口可配置成穿過襯墊組件150且對準裝載通口，以容許基板108通過。雖然襯墊組件150顯示為單一片，但考量襯墊組件150可由多片形成。第1圖所顯示的襯墊組件150由上襯墊200與下襯墊300構成，上襯墊200與下襯墊300於第2圖與第3圖中更詳細地描述。

第2A圖描繪根據本文所述之實施例的上襯墊200之頂視圖。上襯墊200包括上主體201，該上主體201具有內表面202與外表面204，該外表面204在該內表面202對面。複數個上入口208形成為穿過主體201之外表面204。排氣通口210形成在複數個上入口208之對面。上交叉流通口212形成在複數個上入口208與排氣通口210之間。

複數個上入口208可描述成形成在上主體201中的凹部或溝槽。在此顯示，複數個上入口208為實質上矩形且彼此平行。根據使用者之期望、流體動力、或其他參數，複數個上入口208可在數量、尺寸、與形狀上有所差異。在此顯示，13個上入口208形成於上主體201中。複數個上入口208可裝設成在處理區域120中建立複數個流動區域。

第2B圖描繪根據第2A圖之實施例的上襯墊200的側視圖。複數個上入口208從處理氣體供應源134遞送氣流至處理區域120。第2B圖進一步顯示複數個上突出部，諸如上入口突出部220與排氣突出部222。上入口突出部220與排氣突出部222可伴隨進一步的突出部，該等進一步的突出部形成在上襯墊的任何位置處。進一步而言，上入口突出部220、排氣突出部222、或上述兩種突出部可被排除，或被位在上主體201上不同位置處的上突出部所取代。上入口突出部220與排氣突出部222助於上襯墊200連結下襯墊300的適當定位，如下文所述。

第3A圖與第3B圖描繪根據一個實施例的下襯墊300。襯墊300包括下主體301，該下主體301具有內表面302與外表面304。內表面302連同內表面202形成處理區域120與淨化氣體區域122的邊界。複數個下入口308形成為穿過主體301之外表面304。從處理氣體供應源134供應的氣體經過複數個下入口308引入處理區域120中。

複數個下入口308在徑向上定位成通過下主體301之外部。複數個下入口308可遞送一或多個獨立的氣流。在此顯示，13個下入口308形成於下主體301中。然而，一或多個實施例中，可使用更多或更少的入口。可定位及定向下入口，以產生多個流動區域。流動區域是區分遞送通過下入口308與上入口208之氣流的區域。藉由建立更多區域，基板上的氣體遞送比較少流動區域時更可調成一致。

複數個下入口308可裝設成提供具有變化參數的個別氣流，所述參數諸如流速、密度、或組成。複數個下入口308裝設成以大體上徑向向內的方向引導處理氣體，而該氣體被遞送到處理區域306的中央區域。複數個下入口308的每一者可用於調整來自處理氣體供應源134的氣體的一或多個參數，諸如流速、密度、方向與位置。複數個下入口308在排氣通口310之對向定位且與交叉流通口312以至少25度分開。一個實施例中，交叉流通口定位在從對分線240量起的0度位置。複數個下入口308可定位在中線250與對分線240之間量起的90度之處。排氣通口310可定位在中線250與對分線240之間量起的270度之處。

顯示於第3B圖中的是下襯墊300的下連接表面320。下連接表面320提供用於上連接表面224的接收表面。就此而言，下連接表面320可具有溝槽、平坦區域、或其他區域，使得下連接表面320可適當地與上連接表面224匹配。在此顯示，入口溝槽324形成為穿過在複數個下入口處之下連接表面320。

下襯墊300與上襯墊200結合而產生襯墊組件150。一個實施例中，上連接表面224放置成連接下連接表面320。上連接表面224與下連接表面320之至少一部分形成密封。當上連接表面224放置成連接下連接表面320時，複數個下入口308向上延伸以遞送氣流通過上襯墊200之複數個上入口208。因此，氣流被再度引導至處理區域120。雖然圖中顯示有相等數目的下入口308與上入口208，但下入口308的數目與定位可與所顯示的不同或與上入口208相當。

上交叉流通口212結合下交叉流通口312以產生交叉流通口。交叉流通口可遞送一氣流，該氣流實質上垂直來自複數個氣體通路154的氣流。交叉流通口之位置可與複數個上入口208、上交叉流通口212、下交叉流通口312、上排氣通口210、下交叉流通口312、或上述之組合共平面。交叉流通口的定向可實質上垂直來自複數個氣體通路154的氣流且與該氣流交叉（例如，在x與y平面垂直且在z平面交叉）。另一實施例中，交叉流通口定向成遞送一氣體，該氣體在來自複數個氣體通路154的氣流的面外（例如，在x與y平面垂直且不在z平面交叉）。

熱感測通口314可定位在下主體301中。熱感測通口314可容納用於處理腔室100的熱感測裝置，諸如熱電偶。熱感測通口314容許處理期間溫度測量，使得可微調基板之溫度以及來自處理氣體之沉積。熱感測通口314可定位在接近下交叉流通口312處。一個實施例中，熱感測通口314定位在外周邊從對分線340量起的5度位置處，如第3B圖所示。相信熱感測通口314與交叉流通口312的組合可產生不正常的磨損。藉由將熱感測通口314與交叉流通口312分開，可避免與組合相關的不正常磨損。

處理期間，基板支撐件104可位在處理位置，該處理位置鄰近複數個氣體通路且位在與該複數個氣體通路大約相同的高度，而容許氣體遍及基板支撐件之上表面沿著流動路徑向上且到處流動。交叉流通口312遞送第二氣流遍及複數個氣體通路之流動，使得第二氣流與複數個氣體通路產生的流動區域之至少一者交錯。處理氣體通過排氣通口310離開處理區域306，該排氣通口310形成為穿過主體301。與排氣通口310耦接的真空泵（圖中未示）助於透過排氣通口310移除處理氣體。當複數個氣體通路與排氣通口310彼此對準且配置於大約相同高度，相信這樣的平行排列方式將能達成遍及基板表面的大體平面、均勻的氣流。進一步而言，徑向均勻度可由透過基板支撐件進行的基板之旋轉所提供。

第4圖描繪根據另一實施例的下襯墊400。該襯墊400包括下主體401，該下主體401具有內表面402與外表面404。如上所述，內表面402連同內表面202形成處理區域120與淨化氣體區域122之邊界。複數個下入口408形成為穿過主體401之外表面404。

此實施例中，複數個下入口408有分開的兩列。分開的兩股氣流在遞送通過複數個下入口408時，容許分開的兩股氣流得以先結合再遞送到處理區域120。此實施例中，第一列與第二列饋送進入與上襯墊相結合的相同的通道。藉由將兩股氣流結合通過襯墊組件150的氣體通路154，可在氣體遞送到處理腔室之前先調節氣體溫度，可活化及遞送複雜的化學物質而不會負面地影響基板，並且可避免處理腔室中流動動力的改變。

本文所述之襯墊組件容許針對當前的基板尺寸（諸如300mm之直徑）以及較大的基板尺寸（諸如450mm之直徑）進行更細微的沉積均勻度的控制。流動區域容許基板特定區域中有更細微的沉積控制。

雖然前述內容涉及所揭露之裝置、方法、與系統之實施例，但可不背離所揭露之裝置、方法、與系統之基本範疇而設計所揭露之裝置、方法、與系統的其他與進一步的實施例，且所揭露之裝置、方法、與系統之範疇由隨後的申請專利範圍所決定。

100‧‧‧腔室

102‧‧‧燈

104‧‧‧背側

105‧‧‧升舉銷

106‧‧‧基板支撐件

108‧‧‧基板

112‧‧‧下圓頂

114‧‧‧上圓頂

116‧‧‧中央軸桿

118‧‧‧基座環

120‧‧‧處理區域

122‧‧‧淨化氣體區域

124‧‧‧淨化氣體源

126‧‧‧淨化氣體入口

128、130‧‧‧流動路徑

134‧‧‧處理氣體供應源

136‧‧‧處理氣體入口

138、140‧‧‧流動路徑

142‧‧‧氣體出口

144‧‧‧真空泵

150‧‧‧襯墊組件

152‧‧‧圓形遮蔽件

154‧‧‧氣體通路

200‧‧‧上襯墊

201‧‧‧主體

202‧‧‧內表面

204‧‧‧外表面

208‧‧‧上入口

210‧‧‧排氣通口

212‧‧‧上交叉流通口

220‧‧‧上入口突出部

222‧‧‧排氣突出部

224‧‧‧上連接表面

240‧‧‧對分線

250‧‧‧中線

300‧‧‧襯墊

301‧‧‧主體

302‧‧‧內表面

304‧‧‧外表面

306‧‧‧處理區域

308‧‧‧下入口

310‧‧‧排氣通口

312‧‧‧交叉流通口

314‧‧‧熱感測通口

320‧‧‧下連接表面

324‧‧‧入口溝槽

340‧‧‧對分線

400‧‧‧襯墊

401‧‧‧主體

402‧‧‧內表面

404‧‧‧外表面

408‧‧‧下入口

透過參考其中一些繪示於附圖中的實施例，可得到上文簡要總結的本案揭露內容之更詳細之敘述，如此可得到詳細地瞭解本案揭露內容之上述特徵的方式。然而，應注意附圖僅繪示本案揭露內容之典型實施例，因此不應被視為限制本案揭露內容之範疇，因為本案揭露內容可容許其他等效實施例。

第1圖繪示根據一個實施例的背側加熱處理腔室之示意截面視圖，該處理腔室具有襯墊組件。

第2A圖描繪根據本文所述之多個實施例的上襯墊之頂視圖。

第2B圖描繪根據第2A圖之實施例的上襯墊之側視圖。

第3A圖與第3B圖描繪根據一個實施例的下襯墊之頂視圖與側視圖。

第4圖描繪根據另一實施例的下襯墊之頂視圖。

為了助於瞭解，如可能則已使用相同的元件符號指定各圖共通的相同元件。此外，一個實施例的元件可有利地適用在本文所述之其他實施例中。

國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無

國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無

Claims (15)

1. 一種用於襯墊組件的下襯墊，包括： 一圓筒狀下主體，具有：一外表面及一內表面；複數個下入口，形成為與該圓筒狀下主體相連，該複數個下入口設置成連同該襯墊組件的一上襯墊部分的複數個上入口形成複數個氣體通路；一下排氣通口，定位在該複數個下入口對面，且設置成流體連通式連接該上襯墊的一上排氣通口；一下交叉流通口，定位成與該下排氣通口不平行，且設置成流體連通式連接該上襯墊之一上交叉流通口； 一熱感測通口，與該下交叉流通口分開。
2. 如請求項1所述之下襯墊，其中該熱感測通口、該下交叉流通口、該下排氣通口、與該複數個氣體通路在該內表面處位於一共用平面。
3. 如請求項2所述之下襯墊，其中該下交叉流通口具有一走向，以引導該共用平面外的氣流。
4. 如請求項1所述之下襯墊，其中該下交叉流通口定位在大約0度位置處，且該複數個下入口之中點定位在90度位置處，該等位置是從該下交叉流通口的一對分線量起。
5. 如請求項4所述之下襯墊，其中該熱感測通口定位在大約5度位置處，該位置是從該對分線量起。
6. 如請求項1所述之下襯墊，其中該複數個下入口建立複數個流動區域，該等流動區域彼此平行，且垂直來自該下交叉流通口的一對分線。
7. 一種用於襯墊組件的下襯墊，包括： 一圓筒狀下主體，具有一接收溝槽，該接收溝槽設置成接收該襯墊組件之一上襯墊部分的上突出部； 複數個下入口，形成為與該圓筒狀下主體相連，該複數個下入口設置成連同該襯墊組件之一上襯墊部分的複數個上入口形成複數個氣體通路； 一下排氣通口，定位在該複數個下入口對面，且設置成流體連通式連接該上襯墊的一上排氣通口； 一下交叉流通口，定位成與該下排氣通口不平行，且設置成流體連通式連接該上襯墊的一上交叉流通口；以及 一熱感測通口，與該下交叉流通口間隔開：
8. 如請求項7所述之下襯墊，其中該熱感測通口、該交叉流通口、該排氣通口、與該複數個上入口具有一共用平面。
9. 如請求項7所述之下襯墊，其中該複數個下入口設置成不與該複數個上入口共平面。
10. 如請求項9所述之下襯墊，其中該複數個下入口之至少一者設置成流體連通式連接該複數個上入口之超過一者。
11. 如請求項7所述之下襯墊，其中該交叉流通口定位在大約0度位置處，且該複數個氣體通路之中點定位在90度位置處，該等位置是從該交叉流通口的一對分線量起。
12. 如請求項11所述之下襯墊，其中該熱感測通口定位在大約5度位置處，該位置是從一對分線量起且位在一外周邊。
13. 如請求項7所述之襯墊組件，其中該複數個氣體通路建立複數個流動區域，該等流動區域彼此平行，且垂直來自該交叉流通口的一氣流。
14. 一種用於襯墊組件的下襯墊，包括： 一圓筒狀下主體，具有： 一接收溝槽，該接收溝槽設置成接收該襯墊組件之一上襯墊部分的一上突出部； 複數個下入口，形成為與該圓筒狀下主體相連，該複數個下入口設置成連同在該上襯墊組件的一第一平面中的複數個上入口形成複數個氣體通路，該複數個下入口定位在一第二平面中，該第二平面與該第一平面不同，該複數個下入口的一中線定位在從一對分線量起的90度之處且位於該第二平面中； 一下排氣通口，在該複數個下入口對面形成，該下排氣通口的一中線定位在從該對分線量起的270度之處且位於該第二平面中，該下排氣通口設置成流體連通式連接該上襯墊的一上排氣通口，該下排氣通口定位在實質垂直該複數個下入口處； 一下交叉流通口，設置成流體連通式連接該上襯墊的一上交叉流通口，該下交叉流通口定位在偏離平行該排氣通口之處，且位在該第二平面中，並且處於從該對分線量起約0度之處；以及 一熱感測通口，定位成與該下交叉流通口分開。
15. 如請求項14所述之下襯墊，其中該複數個下入口之至少一者設置成流體連通式連接該複數個上入口之超過一者。