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処理空間を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバに結合された遠隔ラジカル発生システムであって、処理ガスを受容し、該処理ガスからラジカルを形成し、該ラジカルを、前記処理チャンバ内の基板の上部の前記処理空間に搬送するように構成された遠隔ラジカル発生システムと、
前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバ内の前記処理空間に基板を支持し、前記基板の温度を制御するように構成された台座であって、
前記台座の上部表面に形成された1または2以上の溝を有し、
前記1または2以上の溝の少なくとも一つは、前記台座の端部まで延伸する、台座と、
前記処理チャンバに結合され、前記処理チャンバを減圧するように構成された真空排気システムと、
を有する処理システム。 A processing chamber having a processing space;
A remote radical generation system coupled to the processing chamber for receiving a processing gas, forming radicals from the processing gas, and transporting the radical to the processing space above a substrate in the processing chamber. A remote radical generation system configured in
A pedestal coupled to the processing chamber, configured to support a substrate in the processing space within the processing chamber and to control the temperature of the substrate;
Having one or more grooves formed on the upper surface of the pedestal;
At least one of the one or more grooves extends to an end of the pedestal, and a pedestal;
An evacuation system coupled to the processing chamber and configured to depressurize the processing chamber;
Having a processing system. さらに、
前記ラジカル発生システムの出口に結合され、前記ラジカルを前記基板の上部に分配する、ガス分配システムを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。 further,
2. The processing system according to claim 1, further comprising a gas distribution system coupled to an outlet of the radical generation system and distributing the radicals on top of the substrate. 前記台座は、前記基板の前記温度を制御されるように構成された、1もしくは2以上の加熱素子、1もしくは2以上の冷却素子、またはこれらの組み合わせを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。   2. The pedestal comprises one or more heating elements, one or more cooling elements, or a combination thereof, configured to control the temperature of the substrate. The processing system described. 前記台座は、コーティングされたアルミニウムで形成されることを特徴とする請求項1に記載の処理システム。   2. The processing system according to claim 1, wherein the pedestal is formed of coated aluminum. 前記コーティングは、アノーディック層であることを特徴とする請求項4に記載の処理システム。   5. The processing system according to claim 4, wherein the coating is an anodic layer. 前記コーティングは、少なくとも一つのIII族元素を有することを特徴とする請求項4に記載の処理システム。   5. The processing system according to claim 4, wherein the coating includes at least one group III element. 前記コーティングは、Al2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、Y2O3、およびDyO3からなる群から選定された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項4に記載の処理システム。 The coating includes at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , Sc 2 O 3 , Sc 2 F 3 , YF 3 , La 2 O 3 , Y 2 O 3 , and DyO 3. The processing system according to claim 4. 前記台座は、1または2以上の抵抗加熱素子を有する加熱制御素子を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。   2. The processing system according to claim 1, wherein the pedestal includes a heating control element having one or more resistance heating elements. 前記台座は、1または2以上の熱電装置を有する加熱制御素子を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。   2. The processing system according to claim 1, wherein the pedestal includes a heating control element having one or more thermoelectric devices. 前記処理チャンバは、コーティングされたアルミニウムで形成されることを特徴とする請求項1に記載の処理システム。   The processing system of claim 1, wherein the processing chamber is formed of coated aluminum. 前記コーティングは、アノーディック層であることを特徴とする請求項10に記載の処理システム。   11. The processing system according to claim 10, wherein the coating is an anodic layer. 前記コーティングは、少なくとも一つのIII族元素を含むことを特徴とする請求項10に記載の処理システム。   11. The processing system according to claim 10, wherein the coating includes at least one group III element. 前記コーティングは、Al2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、Y2O3、およびDyO3からなる群から選定された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項10に記載の処理システム。 The coating includes at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , Sc 2 O 3 , Sc 2 F 3 , YF 3 , La 2 O 3 , Y 2 O 3 , and DyO 3. The processing system according to claim 10. 前記ガス分配システムは、
複数の開口を介して、前記処理チャンバ内に前記ラジカルを分配するガス分配板と、
前記ラジカル発生システムの前記出口に結合されたプレナムであって、前記ラジカル発生システムからの前記ラジカルを受容し、前記ガス分配板内の前記複数の開口に、前記ラジカルを供給するように構成されたプレナムと、
を含むことを特徴とする請求項2に記載の処理システム。 The gas distribution system comprises:
A gas distribution plate for distributing the radicals into the processing chamber through a plurality of openings;
A plenum coupled to the outlet of the radical generating system, configured to receive the radical from the radical generating system and supply the radical to the plurality of openings in the gas distribution plate. With plenum,
3. The processing system according to claim 2, comprising: 前記ガス分配板は、コーティングされたアルミニウムで構成されることを特徴とする請求項14に記載の処理システム。   15. The processing system according to claim 14, wherein the gas distribution plate is made of coated aluminum. 前記コーティングは、アノーディック層であることを特徴とする請求項15に記載の処理システム。   16. The processing system of claim 15, wherein the coating is an anodic layer. 前記コーティングは、少なくとも一つのIII族元素を含むことを特徴とする請求項15に記載の処理システム。     16. The processing system of claim 15, wherein the coating includes at least one group III element. 前記コーティングは、Al2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、Y2O3、およびDyO3からなる群から選定された少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項15に記載の処理システム。 The coating includes at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , Sc 2 O 3 , Sc 2 F 3 , YF 3 , La 2 O 3 , Y 2 O 3 , and DyO 3. The processing system according to claim 15. さらに、
前記ラジカル発生システムに結合された処理ガス供給システムであって、前記処理ガスを、前記ラジカル発生システムに供給するように構成された処理ガス供給システムを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。 further,
2. The process gas supply system coupled to the radical generation system, comprising: a process gas supply system configured to supply the process gas to the radical generation system. Processing system. 前記処理ガス供給システムは、O2、N2、NO、NO2、N2O、CO、CO2、NH3、NF3、CF4、もしくはこれらの2以上の組み合わせのうちの、1または2以上を供給するように構成されることを特徴とする請求項19に記載の処理システム。 The processing gas supply system may be 1 or 2 of O 2 , N 2 , NO, NO 2 , N 2 O, CO, CO 2 , NH 3 , NF 3 , CF 4 , or a combination of two or more thereof. 20. The processing system according to claim 19, wherein the processing system is configured to supply the above. さらに、
前記処理チャンバに結合され、前記処理空間を取り囲むように構成された端部リングを有し、
前記基板の周囲端部にわたるラジカルの流れが妨害されることを特徴とする請求項20に記載の処理システム。 further,
An end ring coupled to the processing chamber and configured to surround the processing space;
21. The processing system of claim 20, wherein a radical flow across a peripheral edge of the substrate is obstructed. 前記端部リングは、前記台座の周囲端部に結合された台座端リングを有することを特徴とする請求項21に記載の処理システム。   22. The processing system according to claim 21, wherein the end ring includes a pedestal end ring coupled to a peripheral end of the pedestal. さらに、
前記処理チャンバに結合され、前記処理空間を取り囲むように構成された端部リングを有し、
前記基板の周囲端部にわたるラジカルの流れが妨害され、
前記端部リングは、前記ガス分配システムの周囲端部に結合された端部リングを有することを特徴とする請求項2に記載の処理システム。 further,
An end ring coupled to the processing chamber and configured to surround the processing space;
The flow of radicals across the peripheral edge of the substrate is obstructed,
The processing system of claim 2, wherein the end ring comprises an end ring coupled to a peripheral end of the gas distribution system. 前記1または2以上の溝は、
第1の方向に延伸する溝の第1の配列と、
前記第1の方向と実質的に直交する、第2の方向に延伸する溝の第2の配列と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。 The one or more grooves are
A first array of grooves extending in a first direction;
A second array of grooves extending in a second direction substantially perpendicular to the first direction;
2. The processing system according to claim 1, further comprising: 前記1または2以上の溝は、実質的に半径方向の溝の第1の配列を有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。   The processing system of claim 1, wherein the one or more grooves have a first array of substantially radial grooves. 前記1または2以上の溝は、さらに、
実質的に環状であり、前記第1の溝の組と実質的に直交する溝の第2の配列を有することを特徴とする請求項25に記載の処理システム。 The one or more grooves are further
26. The processing system of claim 25, comprising a second array of grooves that are substantially annular and substantially orthogonal to the first set of grooves. 前記台座は、さらに、リフトピンシステムを有することを特徴とする請求項1に記載の処理システム。
The processing system according to claim 1, wherein the pedestal further includes a lift pin system.
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