JP4638833B2 - プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Description
基板ステージ26は、アンテナアレイ30に対向するように、処理基板12が載置される台であり、基板ステージ26の内部には処理基板12を加熱する図示されない発熱体が設けられ、さらに接地された図示されない電極板が設けられている。この電極板はバイアス電源に接続されて、バイアス電圧が印加されてもよい。
11 活性種ガス供給手段
12 クリーニングガス供給手段
14 反応容器
15 インピーダンス整合器
16 電源・調整ユニット
17 分配器
18、19 ガス流量調整手段
20 位置調整手段
21 制御部
22 入力手段
23、24 ガス導入口
25 排気口
26 基板ステージ
28 放射板
30 アンテナアレイ
32 アンテナ素子
33、42 間隙
34 原料ガス配管
36 原料ガス放出孔
37 支持柱
38 活性種ガス分散室
39 反応室
40 並列配管部分
52 モータ
54 ギヤボックス
56 ベローズ管
Claims (5)
- 反応容器内の基板ステージの表面に配置された基板に成膜処理を施す成膜モードと、前記反応容器内をクリーニング処理するクリーニングモードとの2つの処理モードを少なくとも有するプラズマ成膜装置であって、
誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子が、前記基板ステージの表面と略平行な平面状に複数配列されてなる、前記基板ステージと対向して配置されたアンテナアレイを有して構成されたプラズマ生成手段と、
前記アンテナアレイと前記基板ステージとの間隙に設けられ、前記基板ステージの前記表面と略平行に配置された、前記成膜モード時に用いる原料ガスを前記反応容器内に放出する原料ガス放出口が設けられた原料ガス供給配管と、
前記アンテナアレイまたは前記原料ガス供給配管の少なくともいずれか一方を移動させることで、前記アンテナ素子と前記原料ガス供給配管との距離を変更する移動手段と、
前記処理モードに応じて少なくとも前記移動手段の動作を制御する制御手段を有し、
前記制御手段は、前記クリーニングモード時には、前記移動手段の動作を制御して、前記アンテナ素子と前記原料ガス供給配管との距離を前記成膜モード時に比べて小さくすることを特徴とするプラズマ成膜装置。 - さらに、前記基板ステージと反対の側に設けられた、前記アンテナアレイと対向する、前記原料ガスと異なる反応活性種ガスを放射する反応活性種ガス放出口を有し、
前記成膜モードでは、
前記反応活性種ガス放出口から前記原料ガスを放出し、
前記プラズマ生成部が、前記反応活性種ガス放出口から放出されて前記基板ステージに向けて流れる前記反応活性種ガスを励起して反応活性種を生成し、
前記反応活性種の流れの途中で、前記原料ガス供給配管の前記原料ガス放出口から前記原料ガスを放出して、前記原料ガスと前記反応活性種ガスとを混合させて前記基板の表面に供給することで、前記基板に前記成膜処理を施すことを特徴とする請求項1記載のプラズマ成膜装置。 - 前記反応活性種ガスは酸素ガス、前記原料ガスはTEOSガスであり、
前記成膜モードでは、前記基板ステージに載置された前記基板表面へSiO2膜を成膜することを特徴とする請求項2に記載のプラズマ成膜装置。 - 前記原料ガス放出口は、前記原料ガス供給配管の、前記反応容器内の前記基板ステージと対向する側に設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマ成膜装置。
- 反応容器内の基板ステージの表面に配置された基板に成膜処理を施す、
誘電体で表面が覆われた棒状の導体で構成したアンテナ素子が、前記基板ステージの表面と略平行な平面状に複数配列されてなる、前記基板ステージと対向して配置されたアンテナアレイを有して構成されたプラズマ生成手段と、
前記アンテナアレイと前記基板ステージとの間隙に設けられ、前記基板ステージの前記表面と略平行に配置された、前記成膜処理時に用いる原料ガスを前記反応容器内に放出する原料ガス放出口が設けられた原料ガス供給配管と、を備えたプラズマ成膜装置のクリーニング方法であって、
前記アンテナアレイまたは前記原料ガス供給配管の少なくともいずれか一方を移動させて、前記アンテナ素子と前記原料ガス供給配管との距離を、前記成膜処理を実施する場合に比べて小さく設定し、
この設定状態で、前記反応容器内をクリーニング処理することを特徴とする、プラズマ成膜装置のクリーニング方法。
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