JP2002164336A - ガスインジェクタ及び成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １枚のウェーハあるいは複数枚のウェーハの
全面にわたり均一な膜厚で成膜できるガスインジェクタ
及び成膜装置を提供すること。 【解決手段】 同種類の反応ガスについてその噴出ノズ
ル８０、８１、１０５、１０７は長手方向に沿って複数
に分割されており、各噴出ノズルに対応してガスインジ
ェクタ５１内に導入された反応ガスはそれぞれ独立し
て、ガスインジェクタ５１内を対応する各噴出ノズルに
向けて流れる。そして、噴出ノズルの数に対応して形成
された反応ガス導入孔５８、５９、６０、６１へのガス
導入量をそれぞれ制御することで、各噴出ノズルからの
ガス噴出量を個別に制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ上に薄膜
を化学気相成長させるＣＶＤ法などにおいて、成膜材料
となるガスをウェーハ上に吹き付けるガスインジェクタ
及びこのガスインジェクタを備えた成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＶＤ法には、常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法などがあり、それ
ぞれの特徴に適した応用分野に使用されている。中でも
常圧ＣＶＤ法は真空装置などを必要としないため、その
装置構造が比較的簡単である。

【０００３】図１６に常圧ＣＶＤ装置の一例を示す。例
えば直径６インチのウェーハ１ａ、１ｂはベルトコンベ
ア２上に、搬送方向Ａに沿って２列に並べられて載せら
れる。ウェーハ１ａ、１ｂは、下方からヒータ３によっ
て４００℃程度に加熱される。ベルトコンベア２の中央
上方にはガスインジェクタ４が搬送方向Ａに沿って３つ
並んで配設され、その下面は、ウェーハ１ａ、１ｂの通
過を妨げないように隙間を形成してベルトコンベア２に
対向している。

【０００４】ガスインジェクタ４の下面からは、成膜材
料となる、第１の反応ガスとして、ＳiＨ₄、ＰＨ₃ など
のハイドライド系の反応ガス、第２の反応ガスとしての
Ｏ₂ガス、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの間をセ
パレートして、これら反応ガスの反応位置を調整する不
活性ガス（Ｎ₂ ガス）が吹き出し、加熱されたウェーハ
１ａ、１ｂ上で分解・化学反応を起こし、ＳiＯ₂膜がウ
ェーハ１ａ、１ｂ上に堆積し形成される。各ガスはガス
インジェクタ４の上面に接続されたガス導入管５、６、
７からガスインジェクタ４内に供給され、下面側に、各
ガスに対応して形成されたガス噴出ノズルより吹き出
す。

【０００５】第１の反応ガス導入管５、第２の反応ガス
導入管７、及びＮ₂ ガス導入管６それぞれには、ガス流
量を調整するためのガス流量制御手段（ＭＦＣ：Mass F
lowController）８が設けられている。

【０００６】ガスインジェクタ４は、例えば特開平１０
−３１２９９７号公報に示される構成であり、次にこの
ガスインジェクタ４の構成について図１３〜図１５を参
照して説明する。

【０００７】図１３はガスインジェクタ４の上面図、図
１４は図１３における［１４］−［１４］線方向の断面
図、図１５は図１４における[１５]−[１５]線方向の断
面図を示す。

【０００８】ガスインジェクタ４は、下から順に積み重
ねられたベースプレート９、ボトムプレート１０、セン
タープレート１１、トッププレート１２とを組み合わせ
て構成される。各プレートは互いにボルト締めされてい
る。

【０００９】先ず、トッププレート１２について説明す
る。

【００１０】トッププレート１２の上面中央部付近に
は、図１３に示すように、第１の反応ガス導入孔１３
と、第２の反応ガス導入孔１４と、Ｎ₂ ガス導入孔１５
の３つのガス導入孔が形成されている。

【００１１】図１４に示すように、第１の反応ガス導入
孔１３は、第１の反応ガスの供給源と接続する第１の反
応ガス導入管５と接続し、第２の反応ガス導入孔１４
は、第２の反応ガスの供給源と接続する第２の反応ガス
導入管７と接続し、Ｎ₂ ガス導入孔１５は、Ｎ₂ ガス供
給源と接続するＮ₂ ガス導入管６と接続している。

【００１２】第１の反応ガス導入孔１３は、トッププレ
ート１２内に形成された第１の反応ガス用第１ガス通路
１６と連通している。第１の反応ガス用第１ガス通路１
６は、第１の反応ガス導入孔１３と連通するＬ字形状の
ガス通路１６ａと、このガス通路１６ａと連通し、長手
方向に沿って延在するガス通路１６ｂと、このガス通路
１６ｂの両端とそれぞれ連通し、短手方向に沿って延在
する２つのガス通路１６ｃと、このガス通路１６ｃの両
端とそれぞれ連通して下方に向けて延在し、トッププレ
ート１２の下面を貫く４つのガス通路１６ｄとから成
る。

【００１３】第２の反応ガス導入孔１４は、トッププレ
ート１２内に形成された第２の反応ガス用通路１７と連
通している。第２の反応ガス用通路１７は、第２の反応
ガス導入孔１４と連通するＬ字形状のガス通路１７ａ
と、このガス通路１７ａと連通し、長手方向に沿って延
在するガス通路１７ｂと、このガス通路１７ｂの両端と
それぞれ連通し、短手方向に沿って延在する２つのガス
通路１７ｃと、このガス通路１７ｃの両端とそれぞれ連
通して下方に向けて延在する４つのガス通路１７ｄとか
ら成る。

【００１４】図１４に示すように、ガス通路１７ｄは、
それぞれ、トッププレート１２の下面側から長手方向に
沿って凹設され、センタープレート１１の上面との間で
長手方向に延在する空間を形成する２つの第２の反応ガ
ス用プレナムチャンバ１８と、センタープレート１１の
上面とトッププレート１２の下端との間で形成されるガ
ス通路１９を介して連通している。

【００１５】図１５に示すように、第２の反応ガス用プ
レナムチャンバ１８は長手方向に沿って一つながりの空
間として形成されている。

【００１６】Ｎ₂ ガス導入孔１５は、トッププレート１
２内に形成されたＮ₂ ガス用第１ガス通路２０と連通し
ている。Ｎ₂ ガス用第１ガス通路２０は、Ｎ₂ ガス導入
孔１５と連通するガス通路２０ａと、このガス通路２０
ａと連通し、長手方向に沿って延在するガス通路２０ｂ
と、このガス通路２０ｂの両端とそれぞれ連通し、短手
方向に沿って延在する２つのガス通路２０ｃと、この２
つのガス通路２０ｃの両端とそれぞれ連通して下方に向
けて延在し、トッププレートの下面を貫く４つのガス通
路２０ｄとから成る。

【００１７】次いで、センタープレート１１について説
明する。

【００１８】図１４に示すように、センタープレート１
１には、これを垂直方向に貫通して第１の反応ガス用第
２ガス通路２１が形成されている。

【００１９】また、センタープレート１１の中央部に
は、長手方向に沿って延在する相対向した垂直壁部２２
によって第２の反応ガス噴出ノズル２３が形成されてい
る。第２の反応ガス噴出ノズル２３は、ウェーハ搬送方
向Ａと直角方向に沿って開口し、ベースプレート９の下
端まで延び、手前側の列及び奥側の列双方のウェーハ１
ａ、１ｂと対向する。

【００２０】また、センタープレート１１には、これを
垂直方向に貫通してＮ₂ ガス用第２ガス通路２４が形成
されている。そして、Ｎ₂ ガス用第２ガス通路２４は、
センタープレート１１の下面側から長手方向に沿って凹
設され、ボトムプレート１０の上面との間で長手方向に
延在する空間を形成する２つのＮ₂ ガス用プレナムチャ
ンバ２５と、ガス通路２６を介して連通している。図１
５に示すように、Ｎ₂ガス用プレナムチャンバ２５は、
長手方向に沿った一つながりの空間として形成されてい
る。

【００２１】そして、トッププレート１２とセンタープ
レート１１とは、４つのガス通路１６ｄと、これに対応
する４つのガス通路２１とを連通させて、４つのガス通
路２０ｄと、これに対応する４つのガス通路２４とを連
通させて、及び第２の反応ガス用プレナムチャンバ１８
と第２の反応ガス噴出ノズル２３とを連通させて重ね合
わされている。第２の反応ガス用プレナムチャンバ１８
と第２の反応ガス噴出ノズル２３とは、トッププレート
１２の下面とセンタープレート１１の上面との間で形成
され長手方向に延在するガス通路２７を介して連通して
いる。

【００２２】次いで、ボトムプレート１０について説明
する。

【００２３】図１４に示すように、ボトムプレート１０
には、これを垂直方向に貫通する第１の反応ガス用第３
ガス通路２８が形成されている。第１の反応ガス用第３
ガス通路２８は、センタープレート１１に形成された４
つの第１の反応ガス用第２ガス通路２１に対応して４つ
形成されている。

【００２４】第１の反応ガス用第３ガス通路２８それぞ
れは、ボトムプレート１０の下面側から長手方向に沿っ
て凹設され、ベースプレート９の上面との間で長手方向
に延在する空間を形成する２つの第１の反応ガス用プレ
ナムチャンバ２９と、ガス通路３０を介して連通してい
る。

【００２５】図１５に示すように、第１の反応ガス用プ
レナムチャンバ２９は長手方向に沿って一つながりの空
間として形成されている。

【００２６】また、ボトムプレート１０の中央部には、
第２の反応ガス噴出ノズル２３を挟むようにして長手方
向に沿って延在する相対向した垂直壁部３１が形成さ
れ、センタープレート１１に形成された垂直壁部２２と
の間でＮ₂ ガス噴出ノズル３２を形成している。このＮ
₂ ガス噴出ノズル３２は、第２の反応ガス噴出ノズル２
３を囲むようにして角形リング状に形成され、ウェーハ
搬送方向Ａと直角方向に沿って開口し、ベースプレート
９の下端まで延び、手前側の列及び奥側の列双方のウェ
ーハ１ａ、１ｂと対向する。

【００２７】そして、センタープレート１１とボトムプ
レート１０とは、第１の反応ガス用第２ガス通路２１と
第１の反応ガス用第３ガス通路２８とを連通させて、及
びＮ ₂ ガス用プレナムチャンバ２５とＮ₂ ガス噴出ノズ
ル３２とを連通させて重ね合わされている。Ｎ₂ ガス用
プレナムチャンバ２５とＮ₂ ガス噴出ノズル３２とは、
センタープレート１１の下面とボトムプレート１０の上
面との間で形成され長手方向に延在するガス通路３３を
介して連通している。

【００２８】次いで、ベースプレート９について説明す
る。

【００２９】図１４に示すように、ベースプレート９の
中央部には、Ｎ₂ ガス噴出ノズル３２を挟むようにして
長手方向に沿って延在する相対向した垂直壁部３４が形
成され、ボトムプレート１０に形成された垂直壁部３１
との間で第１の反応ガス噴出ノズル３５を形成してい
る。この第１の反応ガス噴出ノズル３５は、Ｎ₂ ガス噴
出ノズル３２を囲むようにして角形リング状に形成さ
れ、ウェーハ搬送方向Ａと直角方向に沿って開口し、第
２の反応ガス噴出ノズル２３及びＮ₂ ガス噴出ノズル３
２と下端を一致させており、手前側の列及び奥側の列双
方のウェーハ１ａ、１ｂと対向する。

【００３０】また、ベースプレート９には、冷却水用の
通路３６が形成され、この通路３６は図示しない冷却水
用配管と接続される。

【００３１】そして、ベースプレート９とボトムプレー
ト１０とは、第１の反応ガス用プレナムチャンバ２９と
第１の反応ガス噴出ノズル３５とを連通させて重ね合わ
されている。第１の反応ガス用プレナムチャンバ２９と
第１の反応ガス噴出ノズル３５とは、ボトムプレート１
０の下面とベースプレート９の上面との間で形成され長
手方向に延在するガス通路３７を介して連通している。

【００３２】従来のガスインジェクタ４及び成膜装置は
以上のように構成され、次にこの作用について説明す
る。

【００３３】先ず、第１の反応ガス（ハイドライド系ガ
ス）の流れについて説明する。

【００３４】第１の反応ガス導入管５から、トッププレ
ート１２の上面に形成された第１の反応ガス導入孔１３
に導入された第１の反応ガスは、トッププレート１２内
に形成されたガス通路１６ａ〜１６ｄ、センタープレー
ト１１内に形成されたガス通路２１、ボトムプレート１
０内に形成されたガス通路２８、３０を流れ、第１の反
応ガス用プレナムチャンバ２９に至る。

【００３５】そして、第１の反応ガス用プレナムチャン
バ２９内で長手方向に分散され、ガス通路３７を経て、
第１の反応ガス噴出ノズル３５より、図１６において手
前側の列及び奥側の列双方のウェーハ１ａ、１ｂ上に噴
出される。

【００３６】次いで、第２の反応ガス（Ｏ₂ ガス）の流
れについて説明する。

【００３７】第２の反応ガス導入管７から、トッププレ
ート１２の上面に形成された第２の反応ガス導入孔１４
に導入された第２の反応ガスは、トッププレート１２内
に形成されたガス通路１７ａ〜１７ｄ、１９を流れ、第
２の反応ガス用プレナムチャンバ１８に至る。

【００３８】そして、第２の反応ガス用プレナムチャン
バ１８内で長手方向に分散され、ガス通路２７を経て、
第２の反応ガス噴出ノズル２３より、手前側の列及び奥
側の列双方のウェーハ１ａ、１ｂ上に噴出される。

【００３９】次いで、Ｎ₂ ガスの流れについて説明す
る。

【００４０】Ｎ₂ ガス導入管６から、トッププレート１
２の上面に形成されたＮ₂ ガス導入孔１５に導入された
Ｎ₂ ガスは、トッププレート１２内に形成されたガス通
路２０ａ〜２０ｄ、センタープレート１１内に形成され
たガス通路２４、２６を流れ、Ｎ₂ ガス用プレナムチャ
ンバ２５に至る。

【００４１】そして、Ｎ₂ ガス用プレナムチャンバ２５
内で長手方向に分散され、ガス通路３３を経て、Ｎ₂ ガ
ス噴出ノズル３２より、手前側の列及び奥側の列双方の
ウェーハ１ａ、１ｂ上に噴出される。

【００４２】

【発明が解決しようとする課題】このようなガスインジ
ェクタ４では、比較的径の小さな配管を介して導入され
たガスを、最終的には長手方向に分散させて吹き出させ
るので、ガスはガスインジェクタ４内で複雑な流れを形
成し、更に、４枚のプレートの組み合わせ方や組立の精
度などにもよって、ガスインジェクタ４内におけるガス
の流れが時間的、空間的に不均一となり、各反応ガスは
各噴出ノズルの長手方向に関して均一には噴出されな
い。よって、手前側の列のウェーハ１ａと奥側の列のウ
ェーハ１ｂとでは、第１の反応ガスと第２の反応ガスと
の反応量が不均一となり、堆積する膜厚に差が出てく
る。従来のガスインジェクタ４では、ガスインジェクタ
内部では各反応ガスに対して１つのガス流路しかないた
め、各ガス噴出ノズルにおける手前側と奥側とを個別に
ガス流量調整することはできなかった。そして、例えば
膜厚差が数ｎｍであっても、従来では問題にされなかっ
たが、近年、半導体の微細化が進み、この数ｎｍの膜厚
の微妙なばらつきが、成膜工程の後で作業されるリソグ
ラフィー工程で形成されるパターン幅に影響を与えてし
まう。

【００４３】本発明は上述の問題に鑑みてなされ、１枚
のウェーハあるいは複数枚のウェーハの全面にわたり均
一な膜厚で成膜できるガスインジェクタ及び成膜装置を
提供することを課題とする。

【００４４】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するに
あたり、本発明のガスインジェクタは、第１の反応ガス
用プレナムチャンバを長手方向に沿って複数に分割し、
この分割された第１の反応ガス用プレナムチャンバそれ
ぞれに対応させて、第１の反応ガスの供給源と接続する
第１の反応ガス導入管、この第１の反応ガス導入管と接
続する第１の反応ガス導入孔、この第１の反応ガス導入
孔と連通する第１の反応ガス用第１ガス通路、この第１
の反応ガス用第１ガス通路と連通する第１の反応ガス用
第２ガス通路、この第１の反応ガス用第２ガス通路と第
１の反応ガス用プレナムチャンバとに連通する第１の反
応ガス用第３ガス通路、及び第１の反応ガス用プレナム
チャンバと連通する第１の反応ガス噴出ノズルを設け、
第２の反応ガス用プレナムチャンバを長手方向に沿って
複数に分割し、この分割された第２の反応ガス用プレナ
ムチャンバそれぞれに対応させて、第２の反応ガスの供
給源と接続する第２の反応ガス導入管、この第２の反応
ガス導入管と接続する第２の反応ガス導入孔、この第２
の反応ガス導入孔と第２の反応ガス用プレナムチャンバ
とに連通する第２の反応ガス用通路、及び第２の反応ガ
ス用プレナムチャンバと連通する第２の反応ガス噴出ノ
ズルを設け、複数ある第１及び第２の反応ガス導入管そ
れぞれにガス流量制御手段を設けており、これら各ガス
流量制御手段によって、複数の第１及び第２の反応ガス
導入孔に導入されるガス流量をそれぞれ制御する。

【００４５】また、本発明の成膜装置は、ウェーハを支
持する支持手段と、ウェーハを加熱する加熱手段と、ウ
ェーハ上にガスを吹き付けるガスインジェクタとを備
え、そのガスインジェクタは、第１の反応ガス用プレナ
ムチャンバを長手方向に沿って複数に分割し、この分割
された第１の反応ガス用プレナムチャンバそれぞれに対
応させて、第１の反応ガスの供給源と接続する第１の反
応ガス導入管、この第１の反応ガス導入管と接続する第
１の反応ガス導入孔、この第１の反応ガス導入孔と連通
する第１の反応ガス用第１ガス通路、この第１の反応ガ
ス用第１ガス通路と連通する第１の反応ガス用第２ガス
通路、この第１の反応ガス用第２ガス通路と第１の反応
ガス用プレナムチャンバとに連通する第１の反応ガス用
第３ガス通路、及び第１の反応ガス用プレナムチャンバ
と連通し、ウェーハと対向する第１の反応ガス噴出ノズ
ルを設け、第２の反応ガス用プレナムチャンバを長手方
向に沿って複数に分割し、この分割された第２の反応ガ
ス用プレナムチャンバそれぞれに対応させて、第２の反
応ガスの供給源と接続する第２の反応ガス導入管、この
第２の反応ガス導入管と接続する第２の反応ガス導入
孔、この第２の反応ガス導入孔と第２の反応ガス用プレ
ナムチャンバとに連通する第２の反応ガス用通路、及び
第２の反応ガス用プレナムチャンバと連通し、ウェーハ
と対向する第２の反応ガス噴出ノズルを設け、複数ある
第１及び第２の反応ガス導入管それぞれにガス流量制御
手段を設けており、これら各ガス流量制御手段によっ
て、複数の第１及び第２の反応ガス導入孔に導入される
ガス流量をそれぞれ制御する。

【００４６】すなわち、本発明では、同種類の反応ガス
についてその噴出ノズルは長手方向に沿って複数に分割
されており、各噴出ノズルに対応してガスインジェクタ
内に導入された反応ガスはそれぞれ独立して、ガスイン
ジェクタ内を対応する各噴出ノズルに向けて流れる。そ
して、噴出ノズルの数に対応して形成された反応ガス導
入孔へのガス導入量をそれぞれ制御することで、各噴出
ノズルからのガス噴出量を個別に制御する。

【００４７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００４８】図１は、本実施の形態によるガスインジェ
クタ５１の一部断面した斜視図、図２は上面図、図３は
底面図、図４は図２における[４]−[４]線方向の断面
図、図５は図４における[５]−[５]線方向の断面図、図
６は図４における[６]−[６]線方向の断面図、図７は図
４における[７]−[７]線方向の断面図、図８は図５にお
ける[８]−[８]線方向の断面図をそれぞれ示す。

【００４９】本実施の形態によるガスインジェクタ５１
は、下から順に積み重ねられたベースプレート５２、ボ
トムプレート５３、センタープレート５４、トッププレ
ート５５とを組み合わせて構成される。各プレートは、
ベースプレート５２側から通されたボルト５６に、トッ
ププレート５５上面でナット５７を螺着することにより
相互に緊締されている。

【００５０】先ず、トッププレート５５について説明す
る。

【００５１】トッププレート５５の上面中央部付近に
は、図２に示すように、２つの第１の反応ガス導入孔５
８、５９と、２つの第２の反応ガス導入孔６０、６１
と、１つの不活性ガス導入孔６２が形成されている。

【００５２】第１の反応ガス導入孔５９は、図１に示す
ように、トッププレート５５内に形成された第１の反応
ガス用第１ガス通路６３と連通している。第１の反応ガ
ス用第１ガス通路６３は、第１の反応ガス導入孔５９と
連通するＬ字形状のガス通路６３ａと、このガス通路６
３ａと連通し、長手方向に沿って奥側に向けて延在する
ガス通路６３ｂと、このガス通路６３ｂと連通し、短手
方向に沿って延在するガス通路６３ｃと、このガス通路
６３ｃの両端とそれぞれ連通して下方に向けて延在し、
トッププレート５５の下面を貫く２つのガス通路６３ｄ
とから成る。

【００５３】他方の第１の反応ガス導入孔５８は、上記
第１の反応ガス用第１ガス通路６３とは独立してトップ
プレート５５内に形成された第１の反応ガス用第１ガス
通路６４と連通している。第１の反応ガス用第１ガス通
路６４は、第１の反応ガス導入孔５８と連通するＬ字形
状のガス通路６４ａと、このガス通路６４ａと連通し、
長手方向に沿って手前側に向けて延在するガス通路６４
ｂと、このガス通路６４ｂと連通し、短手方向に沿って
延在するガス通路６４ｃと、このガス通路６４ｃの両端
とそれぞれ連通して下方に向けて延在し、トッププレー
ト５５の下面を貫く２つのガス通路６４ｄとから成る。

【００５４】第１の反応ガス導入孔５８は、第１の反応
ガス（ＳiＨ₄、ＰＨ₃ などのハイドライド系ガス）の供
給源と接続する第１の反応ガス導入管６５（図４に示さ
れる）と接続している。同様に、他方の第１の反応ガス
導入孔５９も、上記第１の反応ガス導入管６５とは別の
第１の反応ガス導入管を介して第１の反応ガスの供給源
と接続している。

【００５５】第２の反応ガス導入孔６１は、図１に示す
ように、トッププレート５５内に形成された第２の反応
ガス用通路６６と連通している。第２の反応ガス用通路
６６は、第２の反応ガス導入孔６１と連通するＬ字形状
のガス通路６６ａと、このガス通路６６ａと連通し、長
手方向に沿って奥側に向けて延在するガス通路６６ｂ
と、このガス通路６６ｂと連通し、短手方向に沿って延
在するガス通路６６ｃと、このガス通路６６ｃの両端と
それぞれ連通して下方に向けて延在する２つのガス通路
６６ｄとから成る。

【００５６】他方の第２の反応ガス導入孔６０は、上記
第２の反応ガス用通路６６とは独立してトッププレート
５５内に形成された第２の反応ガス用通路６７と連通し
ている。図４も参照して説明すると、第２の反応ガス用
通路６７は、第２の反応ガス導入孔６０と連通するＬ字
形状のガス通路６７ａと、このガス通路６７ａと連通
し、長手方向に沿って手前側に向けて延在するガス通路
６７ｂと、このガス通路６７ｂと連通し、短手方向に沿
って延在するガス通路６７ｃと、このガス通路６７ｃの
両端とそれぞれ連通して下方に向けて延在する２つのガ
ス通路６７ｄとから成る。

【００５７】図４に示すように、２つのガス通路６７ｄ
は、それぞれ、トッププレート５５の下面側から長手方
向に沿って凹設され、センタープレート５４の上面との
間で長手方向に延在する空間を形成する２つの第２の反
応ガス用プレナムチャンバ６８と、センタープレート５
４の上面とトッププレート５５の下端との間で形成され
るガス通路６９を介して連通している。

【００５８】ガス通路６６ｄについても、図１に示すよ
うに、それぞれ、トッププレート５５の下面側から長手
方向に沿って凹設され、センタープレート５４の上面と
の間で長手方向に延在する空間を形成する２つの第２の
反応ガス用プレナムチャンバ７０（図１では片方の第２
の反応ガス用プレナムチャンバのみ示される）と、セン
タープレート５４の上面とトッププレート５５の下端と
の間で形成されるガス通路７１を介して連通している。

【００５９】図４における[５]−[５]線方向の断面図で
ある図５に示すように、第２の反応ガス用プレナムチャ
ンバ６８と第２の反応ガス用プレナムチャンバ７０と
は、トッププレート５５から下方に延び、センタープレ
ート５４の上面に当接する隔壁７２によって隔てられて
いる。

【００６０】図５に示すように、第２の反応ガス導入孔
６０は、第２の反応ガス（例えば、Ｏ₂ ガス）の供給源
と接続する第２の反応ガス導入管７３と接続している。
同様に、他方の第２の反応ガス導入孔６１も、上記第２
の反応ガス導入管７３とは別の第２の反応ガス導入管７
４を介して第２の反応ガスの供給源と接続している。

【００６１】不活性ガス導入孔６２は、図１に示すよう
に、トッププレート５５内に形成された不活性ガス用第
１ガス通路７５と連通している。不活性ガス用第１ガス
通路７５は、不活性ガス導入孔６２と連通するガス通路
７５ａと、このガス通路７５ａと連通し、長手方向に沿
って延在するガス通路７５ｂと、このガス通路７５ｂの
両端とそれぞれ連通し、短手方向に沿って延在する２つ
のガス通路７５ｃと、この２つのガス通路７５ｃの両端
とそれぞれ連通して下方に向けて延在し、トッププレー
ト５５の下面を貫く４つのガス通路７５ｄとから成る。

【００６２】不活性ガス導入孔６２は、不活性ガス（例
えばＮ₂ ガス）の供給源と接続する不活性ガス導入管７
６（図４に示す）と接続している。

【００６３】次いで、センタープレート５４について説
明する。

【００６４】図１、４に示すように、センタープレート
５４には、これを垂直方向に貫通して第１の反応ガス用
第２ガス通路７７、７８が形成されている。第１の反応
ガス用第２ガス通路７７は、トッププレート５５に形成
された２つのガス通路６３ｄに対応して２つ形成され、
第１の反応ガス用第２ガス通路７８は、トッププレート
５５に形成された２つのガス通路６４ｄに対応して２つ
形成されている。

【００６５】また、図４に示すように、センタープレー
ト５４の中央部には、長手方向に沿って延在する相対向
した垂直壁部７９によって第２の反応ガス噴出ノズル８
０が形成されている。この第２の反応ガス噴出ノズル８
０は、図１、３、７に示すように、トッププレート５５
からベースプレート５２の下端まで延びる隔壁８３によ
って、同様に形成されたもう一方の第２の反応ガス噴出
ノズル８１と隔てられている。

【００６６】また、センタープレート５４には、これを
垂直方向に貫通してＮ₂ ガス用第２ガス通路８４が形成
されている。Ｎ₂ ガス用第２ガス通路８４は、トッププ
レート５５に形成された４つのガス通路７５ｄに対応し
て４つ形成されている。

【００６７】そして、図１、４に示すように、Ｎ₂ ガス
用第２ガス通路８４は、センタープレート５４の下面側
から長手方向に沿って凹設され、ボトムプレート５３の
上面との間で長手方向に延在する空間を形成する２つの
Ｎ₂ ガス用プレナムチャンバ８５と、ガス通路８６を介
して連通している。

【００６８】図５に示すように、Ｎ₂ ガス用プレナムチ
ャンバ８５は、長手方向に沿った一つながりの空間とし
て形成されている。

【００６９】そして、トッププレート５５とセンタープ
レート５４とは、第１の反応ガス用第１ガス通路６３ｄ
と第１の反応ガス用第２ガス通路７７とを連通させて、
第１の反応ガス用第１ガス通路６４ｄと第１の反応ガス
用第２ガス通路７８とを連通させて、Ｎ₂ ガス用第１ガ
ス通路７５ｄとＮ₂ ガス用第２ガス通路８４とを連通さ
せて、第２の反応ガス用プレナムチャンバ６８と第２の
反応ガス噴出ノズル８０とを連通させて、及び第２の反
応ガス用プレナムチャンバ７０と第２の反応ガス噴出ノ
ズル８１とを連通させて重ね合わされている。第２の反
応ガス用プレナムチャンバ６８と第２の反応ガス噴出ノ
ズル８０とは、トッププレート５５下面とセンタープレ
ート５４上面との間で形成され長手方向に延在するガス
通路８７を介して連通している。同様に、第２の反応ガ
ス用プレナムチャンバ７０と第２の反応ガス噴出ノズル
８１とはガス通路８８を介して連通している。

【００７０】図４における[６]−[６]線方向の断面図で
ある図６に示すように、トッププレート５５とセンター
プレート５４との間には、４つの第１の反応ガス用シー
ルリング８９、４つのＮ₂ ガス用シールリング９０、２
つの第２の反応ガス用シールリング９１が介在され、ガ
ス漏れ防止を図っている。

【００７１】次いで、ボトムプレート５３について説明
する。

【００７２】図１、４に示すように、ボトムプレート５
３には、これを垂直方向に貫通する第１の反応ガス用第
３ガス通路９２、９３が形成されている。第１の反応ガ
ス用第３ガス通路９２は、センタープレート５４に形成
された２つのガス通路７８に対応して２つ形成され、第
１の反応ガス用第３ガス通路９３は、センタープレート
５４に形成された２つのガス通路７７に対応して２つ形
成されている。

【００７３】このうち、第１の反応ガス用第３ガス通路
９２それぞれは、図４に示すように、ボトムプレート５
３の下面側から長手方向に沿って凹設され、ベースプレ
ート５２の上面との間で長手方向に延在する空間を形成
する２つの第１の反応ガス用プレナムチャンバ９４と、
ガス通路９５を介して連通している。

【００７４】他方の第１の反応ガス用第３ガス通路９３
それぞれは、図１に示すように、ボトムプレート５３の
下面側から長手方向に沿って凹設され、ベースプレート
５２の上面との間で長手方向に延在する空間を形成する
２つの第１の反応ガス用プレナムチャンバ９６（図１で
は片方の第１の反応ガス用プレナムチャンバのみ示され
る）と、ガス通路９７を介して連通している。

【００７５】図５に示すように、第１の反応ガス用プレ
ナムチャンバ９４と第１の反応ガス用プレナムチャンバ
９６とは、ボトムプレート５３から下方に延び、ベース
プレート５２上面に当接する隔壁９８によって隔てられ
ている。

【００７６】また、図４に示すように、ボトムプレート
５３の中央部には、第２の反応ガス噴出ノズル８０、８
１を挟むようにして長手方向に沿って延在する相対向し
た垂直壁部９９が形成され、センタープレート５４に形
成された垂直壁部７９との間でＮ₂ ガス噴出ノズル１０
０を形成している。このＮ₂ ガス噴出ノズル１００は、
図３に示すように、第２の反応ガス噴出ノズル８０、８
１を囲むようにして角形リング状に形成されている。

【００７７】そして、センタープレート５４とボトムプ
レート５３とは、第１の反応ガス用第２ガス通路７８と
第１の反応ガス用第３ガス通路９２とを連通させて、第
１の反応ガス用第２ガス通路７７と第１の反応ガス用第
３ガス通路９３とを連通させて、及びＮ₂ ガス用プレナ
ムチャンバ８５とＮ₂ ガス噴出ノズル１００とを連通さ
せて重ね合わされている。Ｎ₂ ガス用プレナムチャンバ
８５とＮ₂ ガス噴出ノズル１００とは、センタープレー
ト５４下面とボトムプレート５３上面との間で形成され
長手方向に延在するガス通路１０１を介して連通してい
る。

【００７８】そして、図４における[７]−[７]線方向の
断面図である図７に示すように、センタープレート５４
とボトムプレート５３との間には、４つの第１の反応ガ
ス用シールリング１０２、１つのＮ₂ ガス用シールリン
グ１０３が介在され、ガス漏れ防止を図っている。

【００７９】次いで、ベースプレート５２について説明
する。

【００８０】図４に示すように、ベースプレート５２の
中央部には、Ｎ₂ ガス噴出ノズル１００を挟むようにし
て長手方向に沿って延在する相対向した垂直壁部１０４
が形成され、ボトムプレート５３に形成された垂直壁部
９９との間で第１の反応ガス噴出ノズル１０５を形成し
ている。この第１の反応ガス噴出ノズル１０５は、図３
に示すように、ボトムプレート５３から下方に延びる隔
壁１０６によって、同様に形成された第１の反応ガス噴
出ノズル１０７と隔てられている。よって、２つの第１
の反応ガス噴出ノズル１０５、１０７は、それぞれコ字
状に形成されている。

【００８１】第１の反応ガス噴出ノズル１０５、１０７
は、第２の反応ガス噴出ノズル８０、８１、Ｎ₂ ガス噴
出ノズル１００とそれぞれの下端を一致させている。

【００８２】また、ベースプレート５２には、冷却水用
の通路３６が形成され、この通路３６は図示しない冷却
水用配管と接続される。

【００８３】そして、ベースプレート５２とボトムプレ
ート５３とは、第１の反応ガス用プレナムチャンバ９４
と第１の反応ガス噴出ノズル１０５とを連通させて、及
び第１の反応ガス用プレナムチャンバ９６と第１の反応
ガス噴出ノズル１０７とを連通させて重ね合わされてい
る。第１の反応ガス用プレナムチャンバ９４と第１の反
応ガス噴出ノズル１０５とは、ボトムプレート５３下面
とベースプレート５２上面との間で形成され長手方向に
延在するガス通路１０８を介して連通している。同様
に、第１の反応ガス用プレナムチャンバ９６と第１の反
応ガス噴出ノズル１０７とはガス通路１０９を介して連
通している。

【００８４】そして、ベースプレート５２とボトムプレ
ート５３との間には、２つの第１の反応ガス用シールリ
ング１１０（図３において破線で示される）が介在さ
れ、ガス漏れ防止を図っている。

【００８５】図９は、以上のように構成されるガスイン
ジェクタ５１の外観を示す。第１の反応ガス導入管６
５、１１１、第２の反応ガス導入管７３、７４、Ｎ₂ ガ
ス導入管７６それぞれに、ガス流量制御手段（電磁弁）
８が設けられ、これら５つの導入管それぞれを流れるガ
スの流量を個別に制御できる。

【００８６】また、図１７に示すように、ガスインジェ
クタ５１の周囲には、排気管１１２が設けられ、この排
気管１１２には排気ファンが接続されており、この排気
管１１２を介して、ウェーハ１ａ、１ｂ上に吹き付けら
れたガスのうち、膜として形成されなかった分のガスを
排気する。

【００８７】本実施の形態による成膜装置（常圧ＣＶＤ
装置）は、以上述べたガスインジェクタ５１を備えてい
る。すなわち、図１６で示すガスインジェクタ４に代え
て、上記構成のガスインジェクタ５１を配設している。

【００８８】本実施の形態によるガスインジェクタ５１
及び成膜装置は以上のように構成され、次にこの作用に
ついて説明する。

【００８９】先ず、第１の反応ガス（ハイドライド系ガ
ス）の流れについて説明する。

【００９０】第１の反応ガス導入管６５から、トッププ
レート５５上面に形成された第１の反応ガス導入孔５８
に導入された第１の反応ガスは、トッププレート５５内
に形成されたガス通路６４ａ〜６４ｄ、センタープレー
ト５４内に形成されたガス通路７８、ボトムプレート５
３内に形成されたガス通路９２、９５を流れ、第１の反
応ガス用プレナムチャンバ９４に至る。

【００９１】そして、第１の反応ガス用プレナムチャン
バ９４内で長手方向に分散され、ガス通路１０８を経
て、第１の反応ガス噴出ノズル１０５より、この第１の
反応ガス噴出ノズル１０５と対向する手前側の列のウェ
ーハ１ａ上に噴出される。

【００９２】同様に、他方の第１の反応ガス導入管か
ら、トッププレート５５上面に形成された第１の反応ガ
ス導入孔５９に導入された第１の反応ガスは、トッププ
レート５５内に形成されたガス通路６３ａ〜６３ｄ、セ
ンタープレート５４内に形成されたガス通路７７、ボト
ムプレート５３内に形成されたガス通路９３、９７を流
れ、第１の反応ガス用プレナムチャンバ９６に至る。

【００９３】そして、第１の反応ガス用プレナムチャン
バ９６内で長手方向に分散され、ガス通路１０９を経
て、第１の反応ガス噴出ノズル１０７より、この第１の
反応ガス噴出ノズル１０７と対向する奥側の列のウェー
ハ１ｂ上に噴出される。

【００９４】次に、第２の反応ガス（Ｏ₂ ガス）の流れ
について説明する。

【００９５】第２の反応ガス導入管７３から、トッププ
レート５５上面に形成された第２の反応ガス導入孔６０
に導入された第２の反応ガスは、トッププレート５５内
に形成されたガス通路６７ａ〜６７ｄ、６９を流れ、第
２の反応ガス用プレナムチャンバ６８に至る。

【００９６】そして、第２の反応ガス用プレナムチャン
バ６８内で長手方向に分散され、ガス通路８７を経て、
第２の反応ガス噴出ノズル８０より、この第２の反応ガ
ス噴出ノズル８０と対向する手前側の列のウェーハ１ａ
上に噴出される。

【００９７】同様に、第２の反応ガス導入管７４から、
トッププレート５５上面に形成された第２の反応ガス導
入孔６１に導入された第２の反応ガスは、トッププレー
ト５５内に形成されたガス通路６６ａ〜６６ｄ、７１を
流れ、第２の反応ガス用プレナムチャンバ７０に至る。

【００９８】そして、第２の反応ガス用プレナムチャン
バ７０内で長手方向に分散され、ガス通路８８を経て、
第２の反応ガス噴出ノズル８１より、この第２の反応ガ
ス噴出ノズル８１と対向する奥側の列のウェーハ１ｂ上
に噴出される。

【００９９】次に、Ｎ₂ ガスの流れについて説明する。

【０１００】Ｎ₂ ガス導入管７６から、トッププレート
５５上面に形成されたＮ₂ ガス導入孔６２に導入された
Ｎ₂ ガスは、トッププレート５５内に形成されたガス通
路７５ａ〜７５ｄ、センタープレート５４内に形成され
たガス通路８４、８６を流れ、Ｎ₂ ガス用プレナムチャ
ンバ８５に至る。

【０１０１】そして、Ｎ₂ ガス用プレナムチャンバ８５
内で長手方向に分散され、ガス通路１０１を経て、Ｎ₂
ガス噴出ノズル１００より、このＮ₂ ガス噴出ノズル１
００と対向する手前側の列及び奥側の列のウェーハ１
ａ、１ｂ上に噴出される。

【０１０２】以上のようにして、各ガスは、各噴出ノズ
ルからウェーハ１ａ、１ｂ上に吹き付けられ、加熱され
たウェーハ１ａ、１ｂ上で、分解・反応してＳiＯ₂膜が
形成される。そして、このとき、第１及び第２の反応ガ
スについては、そのそれぞれのガス噴出ノズルは、手前
側のウェーハ１ａ用と奥側のウェーハ１ｂ用とに２分割
されており、そして各ガス噴出ノズルへは、第１及び第
２の反応ガスはガスインジェクタ５１内を独立して流れ
てくる。よって、第１及び第２の反応ガスの４つの独立
した流れそれぞれ、すなわち４つのガス導入孔５８、５
９、６０、６１それぞれへのガス導入量を、ガス流量制
御手段８で調整することによって、各ガス噴出ノズルか
らの噴出量が手前側と奥側とで不均一にならないように
して、手前側のウェーハ１ａと奥側のウェーハ１ｂとで
形成される膜の膜厚差が生じないようにできる。

【０１０３】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。なお、第１の実施の形態と同じ構成部分には
同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。

【０１０４】図１０に、本実施の形態によるガスインジ
ェクタ１２０を示す。このガスインジェクタ１２０は上
記第１の実施の形態のガスインジェクタ５１とは、第１
及び第２の反応ガス導入管及びこれに設けられるガス流
量制御手段の構成のみが異なる。

【０１０５】第１の反応ガス導入管１２１は、第１の反
応ガスの供給源と接続する共通管１２１ａと、この共通
管１２１ａとガス流量制御手段１２３を介して接続する
２本の分岐管１２１ｂ、１２１ｃから成る。２本の分岐
管１２１ｂ、１２１ｃそれぞれは、トッププレート５５
上面に形成された第１の反応ガス導入孔５８、５９と接
続している。

【０１０６】同様に、第２の反応ガス導入管１２２は、
第２の反応ガスの供給源と接続する共通管１２２ａと、
この共通管１２２ａとガス流量制御手段１２３を介して
接続する２本の分岐管１２２ｂ、１２２ｃから成る。２
本の分岐管１２２ｂ、１２２ｃそれぞれは、トッププレ
ート５５上面に形成された第２の反応ガス導入孔６０、
６１と接続している。

【０１０７】ガス流量制御手段１２３は手動制御弁であ
り、両方とも同じ構成であるので、一方の手動制御弁１
２３のみについて、図１１、１２を参照して説明する。
図１１は、手動制御弁１２３の横断面図を、図１２は、
図１１における[１２]−[１２]線方向の断面図を示す。

【０１０８】共通管１２１ａ及び２つの分岐管１２１
ｂ、１２１ｃと連通するケーシング１２４の内部を垂直
方向に、調整つまみ１２５の軸部１２６が２つのＯリン
グ１２７ａ、１２７ｂを介在させて貫通している。軸部
１２６の上端にはつまみ部１２８が一体的に取り付けら
れ、このつまみ部１２８とケーシング１２４の上面との
間には上方へ弾発力を有する皿ばね１２９が介在されて
いる。軸部１２６の先端の雄ネジ部１２６ａにはナット
１３０が螺着され、このナット１３０とケーシング１２
４の下面との間には下方へ弾発力を有する皿ばね１３１
が介在されている。よって、調整つまみ１２５は、上下
２つの皿バネ１２９、１３１の弾発力によって、ケーシ
ング１２４に対してその位置が保持される。

【０１０９】軸部１２６には一体的に径外方に突出する
仕切板１３２が取り付けられている。２つの分岐管１２
１ｂ、１２１ｃは、仕切板１３２と、ケーシング１２４
の内壁から軸部１２６に向かって延在する隔壁部１３３
とによって隔てられている。そして、上下２つの皿バネ
１２９、１３１の弾発力による位置保持力に抗して、つ
まみ部１２８を回動させると、軸部１２６及び仕切板１
３２は、図１１で示す矢印Ｂの方向に回動し、共通管１
２１ａから分岐管１２１ｂ、１２１ｃへと流れる第１の
反応ガスの流量配分を制御する。

【０１１０】本発明では、従来に比べガス導入管が増加
し、よって各導入管に設けられる流量制御手段もその分
増えるので、このような手動制御弁を用いることによっ
て、第１の実施の形態のような高価な自動制御弁８を用
いる場合に比べ、安価な構成とすることができる。

【０１１１】以上、本発明の各実施の形態について説明
したが、勿論、本発明はこれらに限定されることなく、
本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能であ
る。

【０１１２】上記実施の形態では、ウェーハは搬送方向
に沿って２列としたが、３列以上であってもよい。そし
て、列の数に応じて反応ガスの独立した流れを形成して
もよい。ただし、あまり多くの独立した流れを形成する
と、その分導入管の数及び流量制御手段が増加するの
で、配管スペースが大となったり、コスト高となる。あ
るいは、ウェーハは口径が大きく１列であってもよく、
この場合にも、本発明によればウェーハの全面にわたっ
て均一に成膜できる。

【０１１３】また、図１２に示す、第２の実施の形態の
手動制御弁１２３において、上下の皿バネ１２９、１３
１を用いずに、単に、ナット１３０を締め込むことによ
って調整つまみ１２５をケーシング１２４に対して所定
の位置で固定させ、調整つまみ１２５を回動させるとき
には、ナット１３０をゆるめて回動させるようにしても
よい。

【０１１４】

【発明の効果】本発明の請求項１によれば、ガスインジ
ェクタの長手方向に関して、ウェーハに膜厚差を生じさ
せることなく均一に膜を形成することができ、歩留まり
の向上が図れる。

【０１１５】本発明の請求項２によれば、ガス導入管の
配管数の増加に伴うガス流量制御弁のコストアップを抑
えることができる。

【０１１６】本発明の請求項３によれば、ガスインジェ
クタの長手方向に関して、ウェーハに膜厚差を生じさせ
ることなく均一に膜を形成することができ、歩留まりの
向上が図れる。

【０１１７】本発明の請求項４によれば、ガス導入管の
配管数の増加に伴うガス流量制御弁のコストアップを抑
えることができる。

【０１１８】本発明の請求項５によれば、ウェーハ上に
吹き付けられた後の反応ガスの排気速度を調整すること
によって、更に精密に膜厚を制御できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態によるガスインジェクタの
一部断面した斜視図である。

【図２】同ガスインジェクタの上面図である。

【図３】同ガスインジェクタの底面図である。

【図４】図２における[４]−[４]線方向の断面図であ
る。

【図５】図４における[５]−[５]線方向の断面図であ
る。

【図６】図４における[６]−[６]線方向の断面図であ
る。

【図７】図４における[７]−[７]線方向の断面図であ
る。

【図８】図５における[８]−[８]線方向の断面図であ
る。

【図９】同ガスインジェクタと、これに接続されるガス
導入管との接続関係を示す概略図である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態に係るガス流量制
御手段の外観斜視図である。

【図１１】同ガス流量制御手段の横断面図である。

【図１２】図１１における[１２]−[１２]線方向の断面
図である。

【図１３】従来のガスインジェクタの上面図である。

【図１４】図１３における[１４]−[１４]線方向の断面
図である。

【図１５】図１４における[１５]−[１５]線方向の断面
図である。

【図１６】従来の成膜装置の概略斜視図である。

【図１７】ガスインジェクタ周囲に配設された排気管を
示す概略図である。

【符号の説明】 ５１……ガスインジェクタ、５２……ベースプレート、
５３……ボトムプレート、５４……センタープレート、
５５……トッププレート、５８……第１の反応ガス導入
孔、５９……第１の反応ガス導入孔、６０……第２の反
応ガス導入孔、６１……第２の反応ガス導入孔、６２…
…不活性ガス導入孔、６３……第１の反応ガス用第１ガ
ス通路、６４……第１の反応ガス用第１ガス通路、６６
……第２の反応ガス用通路、６７……第２の反応ガス用
通路、６８……第２の反応ガス用プレナムチャンバ、７
０……第２の反応ガス用プレナムチャンバ、７２……隔
壁、７５……不活性ガス用第１ガス通路、７７……第１
の反応ガス用第２ガス通路、７８……第１の反応ガス用
第２ガス通路、８０……第２の反応ガス噴出ノズル、８
１……第２の反応ガス噴出ノズル、８３……隔壁、８４
……不活性ガス用第２ガス通路、８５……不活性ガス用
プレナムチャンバ、９２……第１の反応ガス用第３ガス
通路、９３……第１の反応ガス用第３ガス通路、９４…
…第１の反応ガス用プレナムチャンバ、９６……第１の
反応ガス用プレナムチャンバ、９８……隔壁、１００…
…不活性ガス噴出ノズル、１０５……第１の反応ガス噴
出ノズル、１０６……隔壁、１０７……第１の反応ガス
噴出ノズル。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の反応ガスの供給源と第１の反応ガ
   ス導入管を介して接続される第１の反応ガス導入孔と、
   前記第１の反応ガス導入孔と連通する第１の反応ガス用
   第１ガス通路と、 第２の反応ガスの供給源と第２の反応ガス導入管を介し
   て接続される第２の反応ガス導入孔と、前記第２の反応
   ガス導入孔と連通する第２の反応ガス用通路と、前記第
   ２の反応ガス用通路と連通し、長手方向に沿って延在す
   る第２の反応ガス用プレナムチャンバと、 不活性ガスの供給源と不活性ガス導入管を介して接続さ
   れる不活性ガス導入孔と、前記不活性ガス導入孔と連通
   する不活性ガス用第１ガス通路とが形成されたトッププ
   レートと、 前記トッププレートに重ね合わされ、 前記第１の反応ガス用第１ガス通路と連通する第１の反
   応ガス用第２ガス通路と、 前記不活性ガス用第１ガス通路と連通する不活性ガス用
   第２ガス通路と、前記不活性ガス用第２ガス通路と連通
   し、長手方向に沿って延在する不活性ガス用プレナムチ
   ャンバと、 前記第２の反応ガス用プレナムチャンバと連通し、長手
   方向に沿って延在する第２の反応ガス噴出ノズルとが形
   成されたセンタープレートと、 前記センタープレートに重ね合わされ、 前記第１の反応ガス用第２ガス通路と連通する第１の反
   応ガス用第３ガス通路と、前記第１の反応ガス用第３ガ
   ス通路と連通し、長手方向に沿って延在する第１の反応
   ガス用プレナムチャンバと、 前記不活性ガス用プレナムチャンバと連通し、前記第２
   の反応ガス噴出ノズルの外側で長手方向に沿って延在す
   る不活性ガス噴出ノズルとが形成されたボトムプレート
   と、 前記ボトムプレートに重ね合わされ、 前記第１の反応ガス用プレナムチャンバと連通し、前記
   不活性ガス噴出ノズルの外側で長手方向に沿って延在す
   る第１の反応ガス噴出ノズルとが形成されたベースプレ
   ートとを組み合わせて成るガスインジェクタにおいて、 前記第１の反応ガス用プレナムチャンバを長手方向に沿
   って複数に分割し、 この分割された第１の反応ガス用プレナムチャンバそれ
   ぞれに対応させて、前記第１の反応ガス導入管、前記第
   １の反応ガス導入孔、前記第１の反応ガス用第１ガス通
   路、前記第１の反応ガス用第２ガス通路、前記第１の反
   応ガス用第３ガス通路、及び前記第１の反応ガス噴出ノ
   ズルを設け、 前記第２の反応ガス用プレナムチャンバを長手方向に沿
   って複数に分割し、 この分割された第２の反応ガス用プレナムチャンバそれ
   ぞれに対応させて、前記第２の反応ガス導入管、前記第
   ２の反応ガス導入孔、前記第２の反応ガス用通路、及び
   前記第２の反応ガス噴出ノズルを設け、 前記複数の第１及び第２の反応ガス導入管それぞれにガ
   ス流量制御手段を設け、 前記各ガス流量制御手段によって、前記複数の第１及び
   第２の反応ガス導入孔に導入されるガス流量をそれぞれ
   制御することを特徴とするガスインジェクタ。
2. 【請求項２】 前記ガス流量制御手段は、前記複数の第
   １及び第２の反応ガス導入孔へのガス流量分配比を手動
   で調節する手動制御弁であることを特徴とする請求項１
   に記載のガスインジェクタ。
3. 【請求項３】 ウェーハを支持する支持手段と、 前記ウェーハを加熱する加熱手段と、 第１の反応ガスの供給源と第１の反応ガス導入管を介し
   て接続される第１の反応ガス導入孔と、前記第１の反応
   ガス導入孔と連通する第１の反応ガス用第１ガス通路
   と、 第２の反応ガスの供給源と第２の反応ガス導入管を介し
   て接続される第２の反応ガス導入孔と、前記第２の反応
   ガス導入孔と連通する第２の反応ガス用通路と、前記第
   ２の反応ガス用通路と連通し、長手方向に沿って延在す
   る第２の反応ガス用プレナムチャンバと、 不活性ガスの供給源と不活性ガス導入管を介して接続さ
   れる不活性ガス導入孔と、前記不活性ガス導入孔と連通
   する不活性ガス用第１ガス通路とが形成されたトッププ
   レートと、 前記トッププレートに重ね合わされ、 前記第１の反応ガス用第１ガス通路と連通する第１の反
   応ガス用第２ガス通路と、 前記不活性ガス用第１ガス通路と連通する不活性ガス用
   第２ガス通路と、前記不活性ガス用第２ガス通路と連通
   し、長手方向に沿って延在する不活性ガス用プレナムチ
   ャンバと、 前記第２の反応ガス用プレナムチャンバと連通して長手
   方向に沿って延在し、前記ウェーハと対向する第２の反
   応ガス噴出ノズルとが形成されたセンタープレートと、 前記センタープレートに重ね合わされ、 前記第１の反応ガス用第２ガス通路と連通する第１の反
   応ガス用第３ガス通路と、前記第１の反応ガス用第３ガ
   ス通路と連通し、長手方向に沿って延在する第１の反応
   ガス用プレナムチャンバと、 前記不活性ガス用プレナムチャンバと連通して前記第２
   の反応ガス噴出ノズルの外側で長手方向に沿って延在
   し、前記ウェーハと対向する不活性ガス噴出ノズルとが
   形成されたボトムプレートと、 前記ボトムプレートに重ね合わされ、 前記第１の反応ガス用プレナムチャンバと連通して前記
   不活性ガス噴出ノズルの外側で長手方向に沿って延在
   し、前記ウェーハと対向する第１の反応ガス噴出ノズル
   とが形成されたベースプレートとを組み合わせて成るガ
   スインジェクタとを備えた成膜装置において、 前記第１の反応ガス用プレナムチャンバを長手方向に沿
   って複数に分割し、 この分割された第１の反応ガス用プレナムチャンバそれ
   ぞれに対応させて、前記第１の反応ガス導入管、前記第
   １の反応ガス導入孔、前記第１の反応ガス用第１ガス通
   路、前記第１の反応ガス用第２ガス通路、前記第１の反
   応ガス用第３ガス通路、及び前記第１の反応ガス噴出ノ
   ズルを設け、 前記第２の反応ガス用プレナムチャンバを長手方向に沿
   って複数に分割し、 この分割された第２の反応ガス用プレナムチャンバそれ
   ぞれに対応させて、前記第２の反応ガス導入管、前記第
   ２の反応ガス導入孔、前記第２の反応ガス用通路、及び
   前記第２の反応ガス噴出ノズルを設け、 前記複数の第１及び第２の反応ガス導入管それぞれにガ
   ス流量制御手段を設け、 前記各ガス流量制御手段によって、前記複数の第１及び
   第２の反応ガス導入孔に導入されるガス流量をそれぞれ
   制御することを特徴とする成膜装置。
4. 【請求項４】 前記ガス流量制御手段は、前記複数の第
   １及び第２の反応ガス導入孔へのガス流量分配比を手動
   で調節する手動制御弁であることを特徴とする請求項３
   に記載の成膜装置。
5. 【請求項５】 前記ガスインジェクタの周囲に、前記第
   １の反応ガス噴出ノズル、前記第２の反応ガス噴出ノズ
   ル、及び前記不活性ガス噴出ノズルより前記ウェーハ上
   に吹き付けられたガスを排気する排気管が設けられてい
   ることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。