JPH04224680A - シートプラズマcvd装置 - Google Patents
シートプラズマcvd装置Info
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- JPH04224680A JPH04224680A JP2405698A JP40569890A JPH04224680A JP H04224680 A JPH04224680 A JP H04224680A JP 2405698 A JP2405698 A JP 2405698A JP 40569890 A JP40569890 A JP 40569890A JP H04224680 A JPH04224680 A JP H04224680A
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- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 22
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
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- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の表面に成膜を形
成するシートプラズマCVD装置に関するものである。
成するシートプラズマCVD装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、シートプラズマCVD装置として
は、例えば、特開平1─252781号公報に開示する
ように、真空排気装置を接続した処理室に、圧力勾配型
プラズマガンとアノード部(陽極)を対向配設し、原料
ガス導入口を前記プラズマガンの中間電極間およびアノ
ード部に設ける一方、反応ガス導入口を前記処理室の側
壁に設けたものがある。
は、例えば、特開平1─252781号公報に開示する
ように、真空排気装置を接続した処理室に、圧力勾配型
プラズマガンとアノード部(陽極)を対向配設し、原料
ガス導入口を前記プラズマガンの中間電極間およびアノ
ード部に設ける一方、反応ガス導入口を前記処理室の側
壁に設けたものがある。
【0003】このシートプラズマCVD装置では、処理
室内に配設した基板の成膜に際し、まず、前記真空排気
装置により処理室を真空排気しながら前記プラズマガン
に放電用ガス(例えば、Arガス)を導入し、プラズマ
ガンとアノード部との間に直流電圧を印加してシートプ
ラズマを発生させる。そして、前記原料ガス導入口から
原料ガス(例えば、SiH4)を、また、前記反応ガス
導入口から反応ガス(例えば、O2)をそれぞれ処理室
内に供給する。前記原料ガスは、原料ガス導入口に近い
位置から順次反応しながら拡散して基板表面に膜を形成
し、余剰のガスは前記排気口より排出する。
室内に配設した基板の成膜に際し、まず、前記真空排気
装置により処理室を真空排気しながら前記プラズマガン
に放電用ガス(例えば、Arガス)を導入し、プラズマ
ガンとアノード部との間に直流電圧を印加してシートプ
ラズマを発生させる。そして、前記原料ガス導入口から
原料ガス(例えば、SiH4)を、また、前記反応ガス
導入口から反応ガス(例えば、O2)をそれぞれ処理室
内に供給する。前記原料ガスは、原料ガス導入口に近い
位置から順次反応しながら拡散して基板表面に膜を形成
し、余剰のガスは前記排気口より排出する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記シ
ートプラズマCVD装置では、基板がシートプラズマと
平行に配設され、原料ガスがシートプラズマの両端、す
なわち、プラズマガン部とアノード部とからそれぞれ供
給されているため、原料ガスの濃度が原料ガス導入口か
ら離れるに従って低下する。このため、例えば、原料ガ
スをSiH4、反応ガスをO2とすれば、原料ガス導入
口近傍ではSiが多く、離れた位置ではO2が多い状態
の膜が形成され、基板に均一な成分の成膜を形成するこ
とができていなかった。また、基板の成膜面に対して原
料ガスが平行に流入するため、成膜効率が悪かった。
ートプラズマCVD装置では、基板がシートプラズマと
平行に配設され、原料ガスがシートプラズマの両端、す
なわち、プラズマガン部とアノード部とからそれぞれ供
給されているため、原料ガスの濃度が原料ガス導入口か
ら離れるに従って低下する。このため、例えば、原料ガ
スをSiH4、反応ガスをO2とすれば、原料ガス導入
口近傍ではSiが多く、離れた位置ではO2が多い状態
の膜が形成され、基板に均一な成分の成膜を形成するこ
とができていなかった。また、基板の成膜面に対して原
料ガスが平行に流入するため、成膜効率が悪かった。
【0005】そこで、本発明は基板に均一な成膜を効率
よく形成することのできるシートプラズマCVD装置を
提供することを目的とする。
よく形成することのできるシートプラズマCVD装置を
提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、基板と平行にシートプラズマを形成して成
膜するシートプラズマCVD装置において、前記シート
プラズマを挟んで前記基板の反対側にガス供給ノズルを
配設し、このガス供給ノズルの中央部に原料ガス供給孔
を設けるとともに、この原料ガス供給孔の周囲に反応ガ
ス供給孔を設け、前記原料ガス供給孔から噴出される原
料ガスと前記反応ガス供給孔から噴出される反応ガスと
が前記シートプラズマ部で交差するようにしたものであ
る。
するために、基板と平行にシートプラズマを形成して成
膜するシートプラズマCVD装置において、前記シート
プラズマを挟んで前記基板の反対側にガス供給ノズルを
配設し、このガス供給ノズルの中央部に原料ガス供給孔
を設けるとともに、この原料ガス供給孔の周囲に反応ガ
ス供給孔を設け、前記原料ガス供給孔から噴出される原
料ガスと前記反応ガス供給孔から噴出される反応ガスと
が前記シートプラズマ部で交差するようにしたものであ
る。
【0007】
【作用】したがって、本発明によれば、複数のガス供給
ノズルの原料ガス供給孔から噴出される原料ガスと、反
応ガス供給孔から噴出される反応ガスとは、プラズマ部
で衝突して混合すると同時に励起された後、基板に向か
って移動を続けて基板に膜を形成する。
ノズルの原料ガス供給孔から噴出される原料ガスと、反
応ガス供給孔から噴出される反応ガスとは、プラズマ部
で衝突して混合すると同時に励起された後、基板に向か
って移動を続けて基板に膜を形成する。
【0008】
【実施例】次に、本発明に係るシートプラズマCVD装
置の一実施例について添付図面を参照して説明する。こ
のシートプラズマCVD装置は、図1に示すように、大
略、処理室1の上方部に設けた圧力勾配型プラズマガン
2と、処理室1の下方部に前記プラズマガン2と対向し
て設けたアノード部3と、処理室1の側壁中央部に設け
た排気口4を介して処理室1を真空排気する真空排気装
置(図示せず)と、処理室1の排気口4側の側壁に沿っ
て配した基板5の取付用のパレット6と、このパレット
6に対向して上下方向の5箇所に配したガス供給ノズル
7とからなる。
置の一実施例について添付図面を参照して説明する。こ
のシートプラズマCVD装置は、図1に示すように、大
略、処理室1の上方部に設けた圧力勾配型プラズマガン
2と、処理室1の下方部に前記プラズマガン2と対向し
て設けたアノード部3と、処理室1の側壁中央部に設け
た排気口4を介して処理室1を真空排気する真空排気装
置(図示せず)と、処理室1の排気口4側の側壁に沿っ
て配した基板5の取付用のパレット6と、このパレット
6に対向して上下方向の5箇所に配したガス供給ノズル
7とからなる。
【0009】前記プラズマガン2は、上方からホロー放
電陰極10と、永久磁石11およびコイル12からなる
中間電極13とを順次設けたもので、このプラズマガン
2には放電用ガス(Arガス)が導入されるようになっ
ている。また、プラズマガン2の下方側には円柱状のプ
ラズマを伸縮して所望の幅,厚さ,密度をもつシートプ
ラズマ8を形成する永久磁石14およびシートプラズマ
8の外方への広がりを規制するプラズマ制御コイル15
が設けられている。
電陰極10と、永久磁石11およびコイル12からなる
中間電極13とを順次設けたもので、このプラズマガン
2には放電用ガス(Arガス)が導入されるようになっ
ている。また、プラズマガン2の下方側には円柱状のプ
ラズマを伸縮して所望の幅,厚さ,密度をもつシートプ
ラズマ8を形成する永久磁石14およびシートプラズマ
8の外方への広がりを規制するプラズマ制御コイル15
が設けられている。
【0010】前記アノード部3は、陽極20とその背後
に設けた永久磁石21とからなり、これらの上方側には
プラズマ制御コイル22が設けられ、シートプラズマ8
の外方への広がりを規制してシートプラズマ8を陽極2
0に収束させている。
に設けた永久磁石21とからなり、これらの上方側には
プラズマ制御コイル22が設けられ、シートプラズマ8
の外方への広がりを規制してシートプラズマ8を陽極2
0に収束させている。
【0011】前記ガス供給ノズル7は、図2および図3
に示すように、中心部に原料ガス供給孔25を有すると
ともに、この原料ガス供給孔25の外周部4箇所に反応
ガス供給孔26を有するものである。
に示すように、中心部に原料ガス供給孔25を有すると
ともに、この原料ガス供給孔25の外周部4箇所に反応
ガス供給孔26を有するものである。
【0012】前記原料ガス供給孔25からの原料ガス(
例えば、SiO4)は、孔25の中心線の延長線上に噴
出される。一方、前記各反応ガス供給孔26からの反応
ガス(例えば、O2)は、前記中心線とシートプラズマ
8の交差部Nに向けて噴出され、原料ガスと反応ガスと
がシートプラズマ8中で衝突し、混合されると同時に励
起されることになる。
例えば、SiO4)は、孔25の中心線の延長線上に噴
出される。一方、前記各反応ガス供給孔26からの反応
ガス(例えば、O2)は、前記中心線とシートプラズマ
8の交差部Nに向けて噴出され、原料ガスと反応ガスと
がシートプラズマ8中で衝突し、混合されると同時に励
起されることになる。
【0013】また、前記孔25,26は、それぞれ各ガ
ス供給ノズル7間で並列に接続されている。
ス供給ノズル7間で並列に接続されている。
【0014】前記構成からなるシートプラズマCVD装
置では、まず、パレット6に基板5を取り付けて処理室
1内に配設し、真空排気装置により処理室1を真空に排
気しながら前記プラズマガン2に放電ガス(例えば、A
rガス)を導入し、前記プラズマガン2と陽極20との
間に直流電圧を印加してシートプラズマ8を発生させる
。そして、ガス供給ノズル7の原料ガス供給孔25より
原料ガスを、反応ガス供給孔26より反応ガスをそれぞ
れ噴出させる。前記両孔25,26は前述のように設け
られているため、原料ガスと反応ガスはシートプラズマ
8内で交差して混合されるとともに、励起されて基板5
に向かって移動を続け、前記基板5の表面に膜(例えば
、SiO2)を形成する。
置では、まず、パレット6に基板5を取り付けて処理室
1内に配設し、真空排気装置により処理室1を真空に排
気しながら前記プラズマガン2に放電ガス(例えば、A
rガス)を導入し、前記プラズマガン2と陽極20との
間に直流電圧を印加してシートプラズマ8を発生させる
。そして、ガス供給ノズル7の原料ガス供給孔25より
原料ガスを、反応ガス供給孔26より反応ガスをそれぞ
れ噴出させる。前記両孔25,26は前述のように設け
られているため、原料ガスと反応ガスはシートプラズマ
8内で交差して混合されるとともに、励起されて基板5
に向かって移動を続け、前記基板5の表面に膜(例えば
、SiO2)を形成する。
【0015】図4および図5は、1個の前記ガス供給ノ
ズル7によって形成される成膜(SiO2)の膜厚分布
について噴出ガスの流量(原料ガス:反応ガス=1:5
)を変えて測定した結果についてグラフ化したもので、
図4は基板5の幅方向(図1において紙面方向)、図5
は基板5の長手方向(図1において上下方向)での膜厚
分布を示している。図から明らかなように、ガスの噴出
量がいずれの場合であっても膜厚分布はほぼ同じとなり
、下記する式で近似される。T=A・exp(−B(X
−C)2)ただし、Tは膜厚、A,B,Cは定数、Xは
基板5の成膜面とガス供給ノズル7の中心線との交点か
らの距離である。
ズル7によって形成される成膜(SiO2)の膜厚分布
について噴出ガスの流量(原料ガス:反応ガス=1:5
)を変えて測定した結果についてグラフ化したもので、
図4は基板5の幅方向(図1において紙面方向)、図5
は基板5の長手方向(図1において上下方向)での膜厚
分布を示している。図から明らかなように、ガスの噴出
量がいずれの場合であっても膜厚分布はほぼ同じとなり
、下記する式で近似される。T=A・exp(−B(X
−C)2)ただし、Tは膜厚、A,B,Cは定数、Xは
基板5の成膜面とガス供給ノズル7の中心線との交点か
らの距離である。
【0016】したがって、本実施例のように複数個のガ
ス供給ノズル7を配設する場合には、各ガス供給ノズル
7の配設は、前記近似式に基づいて複数個のガス供給ノ
ズル7によって形成される膜厚分布を予測し、膜厚分布
が所望値になるように決定する。なお、本実施例では、
複数個のガス供給ノズル7を設けて成膜するようにした
が、基板5の大きさによっては1個であってもよい。
ス供給ノズル7を配設する場合には、各ガス供給ノズル
7の配設は、前記近似式に基づいて複数個のガス供給ノ
ズル7によって形成される膜厚分布を予測し、膜厚分布
が所望値になるように決定する。なお、本実施例では、
複数個のガス供給ノズル7を設けて成膜するようにした
が、基板5の大きさによっては1個であってもよい。
【0017】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係るプラズマCVD装置では、シートプラズマを挟ん
で基板に対向してガス供給ノズルを設け、原料ガスと反
応ガスを前記シートプラズマで交差するように噴出させ
たので、両ガスが十分に混合して励起され、基板に均一
な成膜を形成することができる。しかも、ガスの噴出方
向と直交するように基板を配設してあるので、この成膜
が効率よく行える。
に係るプラズマCVD装置では、シートプラズマを挟ん
で基板に対向してガス供給ノズルを設け、原料ガスと反
応ガスを前記シートプラズマで交差するように噴出させ
たので、両ガスが十分に混合して励起され、基板に均一
な成膜を形成することができる。しかも、ガスの噴出方
向と直交するように基板を配設してあるので、この成膜
が効率よく行える。
【図1】 シートプラズマCVD装置の概略説明図で
ある。
ある。
【図2】 ガス供給ノズルの側面一部断面図である。
【図3】 ガス供給ノズルの正面図である。
【図4】 成膜の基板幅方向での膜厚分布状態を示す
グラフである。
グラフである。
【図5】 成膜の基板長手方向での膜厚分布状態を示
すグラフである。
すグラフである。
1…処理室、2…プラズマガン、3…アノード部、4…
排気口、5…基板、6…パレット、7…ガス供給ノズル
、8…シートプラズマ、25…原料ガス供給孔、26…
反応ガス供給孔。
排気口、5…基板、6…パレット、7…ガス供給ノズル
、8…シートプラズマ、25…原料ガス供給孔、26…
反応ガス供給孔。
Claims (1)
- 【請求項1】 基板と平行にシートプラズマを形成し
て成膜するシートプラズマCVD装置において、前記シ
ートプラズマを挟んで前記基板の反対側にガス供給ノズ
ルを配設し、このガス供給ノズルの中央部に原料ガス供
給孔を設けるとともに、この原料ガス供給孔の周囲に反
応ガス供給孔を設け、前記原料ガス供給孔から噴出され
る原料ガスと前記反応ガス供給孔から噴出される反応ガ
スとが前記シートプラズマ部で交差するようにしたこと
を特徴とするシートプラズマCVD装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2405698A JPH07122142B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シートプラズマcvd装置 |
US07/812,035 US5217761A (en) | 1990-12-25 | 1991-12-23 | Sheet plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2405698A JPH07122142B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シートプラズマcvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04224680A true JPH04224680A (ja) | 1992-08-13 |
JPH07122142B2 JPH07122142B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=18515309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2405698A Expired - Fee Related JPH07122142B2 (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | シートプラズマcvd装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5217761A (ja) |
JP (1) | JPH07122142B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010282636A (ja) * | 1998-03-03 | 2010-12-16 | Lam Res Corp | プラズマプロセスによる表面プロファイルを予測するための方法及び装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7264850B1 (en) | 1992-12-28 | 2007-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for treating a substrate with a plasma |
US6001431A (en) * | 1992-12-28 | 1999-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating a magnetic recording medium |
JP3246800B2 (ja) * | 1993-05-31 | 2002-01-15 | 株式会社東芝 | プラズマ装置 |
JP3489334B2 (ja) * | 1996-05-27 | 2004-01-19 | ソニー株式会社 | 半導体装置の酸化膜形成方法および酸化膜形成装置 |
US6444945B1 (en) | 2001-03-28 | 2002-09-03 | Cp Films, Inc. | Bipolar plasma source, plasma sheet source, and effusion cell utilizing a bipolar plasma source |
US7055870B2 (en) | 2001-07-12 | 2006-06-06 | Hayes Jr Frank F | Molded flare assembly |
JP2008056546A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Ihi Corp | 炭素構造体の製造装置及び製造方法 |
US20130098553A1 (en) * | 2011-10-20 | 2013-04-25 | Applied Materials, Inc. | Electron beam plasma source with profiled chamber wall for uniform plasma generation |
US9443700B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Electron beam plasma source with segmented suppression electrode for uniform plasma generation |
US9984860B1 (en) * | 2016-11-04 | 2018-05-29 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for augmenting the volume of atmospheric pressure plasma jets |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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