JP2003017413A

JP2003017413A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

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Publication number: JP2003017413A
Application number: JP2001196861A
Authority: JP
Inventors: Kiyotaka Ishibashi; 清隆石橋; Toshihiro Kugimiya; 敏洋釘宮; Takayuki Hirano; 貴之平野; Kazuyuki Hayashi; 和志林; Yasushi Goto; 裕史後藤; Akira Kobayashi; 明小林; Akimitsu Nakagami; 明光中上
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Current assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-17
Anticipated expiration: 2021-06-28
Also published as: JP3726040B2

Abstract

(57)【要約】【課題】種々のサイズを有する基板の表面を均一にプ
ラズマ処理することを可能ならしめるプラズマ処理装置
を提供する。【解決手段】ライン状プラズマ発生器２の基板１１の
搬送元側に、搬送台４上の誘導サセプタ３に載置されて
搬送されてきた基板１１を検出する位置検出器８を設
け、この位置検出器８により基板１１が検出されて時点
からの経過時間と、基板１１の搬送速度と、予め入力さ
れている基板１１の形状とから、ライン状プラズマが発
生している位置に対応する基板１１の幅を求め、求めた
基板１１の幅に応じて、高周波電源５からライン状電極
２１に供給する電力を加減制御する高周波電源制御器１
０を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大気圧近傍、また
は大気圧より若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下においてラ
イン状プラズマ発生器からライン状プラズマを発生さ
せ、かつライン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの
何れか一方を移動させながら、被処理物の表面をプラズ
マ処理するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法の
技術分野に属するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、フラットパネルディスプレイや半
導体デバイス製造ラインでは、種々のプラズマ処理装置
が用いられている。これらプラズマ処理装置は主とし
て、減圧ガス雰囲気下、具体的には１〜１００Ｐａの減
圧ガス雰囲気下で平面状プラズマを発生させる方式のも
のである。この方式は、高価な真空排気装置と、この真
空排気装置で真空引きされる高強度の成膜容器が必要で
あり、また成膜容器内は真空であるため減量ガスの存在
量が少なく、被処理物の成膜処理速度に限界があり、成
膜製品の生産性に問題があった。そこで、近年では、大
気圧近傍、または大気圧より若干低圧の弱減圧ガス雰囲
気(１０００００Ｐａ〜１０００Ｐａ)下で被処理物の表
面をプラズマ処理するプラズマ処理装置が、例えば、特
開平６−２１４９号公報において提案されている。

【０００３】以下、上記従来例に係るプラズマ処理装置
を、その構成例を示す説明図の図８を参照しながら、同
公報に記載されている同一名称、ならびに同一符号を以
って説明する。この従来例に係るプラズマ処理装置は、
後述する構成になる反応槽１を備えている。この反応槽
１の槽壁にはガス導入口１１およびガス排出口１２が設
けられており、そしてこの反応槽１の内部には上部電極
２と下部電極３の二つの平板状電極が所定距離隔てて対
面するようにして平行に配置されている。下部電極３の
表面には固体誘電体６が載置されている。多数の送気孔
を設けた前面板２ａとガスの流路１５用の裏面板２ｂと
から構成されてなる上部電極２は交流電源５に接続さ
れ、下部電極３は接地されている。

【０００４】前記上部電極２の内部には、ガス導入口１
１から導入されたガスが流れる流路１５が設けられると
共に、上部電極２の下部電極３に望む面に多数の通気孔
１６が開口している。そして、この上部電極２の通気穴
１６が開口する面の下には多孔質誘電体２０が配置され
ている。これにより、ガス導入口１１から導入されて流
路２５に流入したガスは、通気孔１６を通り、多孔質誘
電体２０を透過してプラズマに導入される。なお、下部
電極３の内部にはヒータ１９が設けられており、被処理
物(基板)４の温度を調節することができるようになって
いる。

【０００５】プラズマ処理装置により被処理物４を表面
処理する場合には、先ずプラズマ生起ガスとキャリヤガ
スを兼ねるヘリウムガスをガス導入口１１から導入する
と共に、交流電源５を稼働して交流電力の供給を開始す
ると、上、下部電極２，３の間にグロー放電が発生して
プラズマが生起(励起)するので、その後、反応にあずか
る適当な種類の反応用ガスをヘリウムガスに混入する。
すると、反応用ガスはヘリウムガスと共に通気孔１６を
通り抜けると共に、多孔質誘電体２０を透過してプラズ
マに導入される。そして、プラズマが反応性プラズマに
なるから、この反応性プラズマによって被処理物４の表
面をプラズマ処理することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例に係るプラ
ズマ処理装置は、それなりに有用であると考えられる。
しかしながら、この従来例に係るプラズマ処理装置のよ
うに、多孔質誘電体を用いてプラズマを発生させる場合
には、多数の通気孔から供給される、反応用ガスとヘリ
ウムガスとからなる反応用ガスの流速は被処理物の全域
で均一に制御することは極めて困難であって、実質的に
均一にはならない。反応用ガスの流速不均一性により、
被処理物の表面全面における反応用ガスの滞在時間に不
均一が生じるため、プラズマによる反応用ガスの解離状
況が不均一になり、最終的にプラズマ処理性能に不均一
性をもたらす。

【０００７】プラズマ処理性能の不均一性の程度は、ガ
ス流量、ガス圧に加え、上部電極と下部電極とからなる
平板状電極間距離に大きく依存する。所定の均一性を得
るためには、被処理物のサイズが大きくなるに伴って、
平板状電極間距離を大きくする必要がある。ところが、
平板状電極間距離を大きくすると、プラズマを発生させ
るために、上部電極の電位を大きくしなければならず、
異常放電防止の観点から、この平板状電極間距離に制約
が生じるので、被処理物のサイズが限定されてしまうと
いう問題が生じる。

【０００８】従って、本発明の目的は、被処理物のサイ
ズに限定されず、種々のサイズの被処理物表面を均一に
プラズマ処理することを可能ならしめるプラズマ処理装
置およびプラズマ処理方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の請求項１に係るプラズマ処理装置が採用
した手段は、予め設定された大気圧、または大気圧より
も若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状プ
ラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に
対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記ラ
イン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給す
ることによりライン状プラズマを発生させて被処理物の
表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前
記ライン状プラズマが発生している位置に対応する被処
理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供給
する電力を加減制御する高周波電源制御器を設けたこと
を特徴とするものである。

【００１０】本発明の請求項２に係るプラズマ処理装置
が採用した手段は、予め設定された大気圧、または大気
圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライ
ン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を
他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から
前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を
供給することによりライン状プラズマを発生させて被処
理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であっ
て、前記ライン状プラズマ発生器に、被処理物を検出す
る位置検出器を設け、この位置検出器により被処理物が
検出された時点からの経過時間と、被処理物の搬送速度
と、予め入力されていた被処理物の形状とから、ライン
状プラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅
を求め、求めた被処理物の幅に応じて、前記高周波電源
から上部電極に供給する電力を加減制御する高周波電源
制御器を設けたことを特徴とするものである。

【００１１】本発明の請求項３に係るプラズマ処理方法
が採用した手段は、予め設定された大気圧、または大気
圧よりも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライ
ン状プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を
他方に対して相対的に移動させながら、高周波電源から
前記ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を
供給することによりライン状プラズマを発生させて被処
理物の表面をプラズマ処理するプラズマ処理方法であっ
て、前記被処理物が検出された時点からの経過時間と、
被処理物の搬送速度と、予め入力されていた被処理物の
形状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対
応する被処理物の幅を求め、求めた被処理物の幅に応じ
て、前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減
制御することを特徴とするものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明のプラズマ処理方法
を実施する本実施の形態１に係るプラズマ処理装置を、
その構成例を表す説明図の図１と、そのライン状プラズ
マ発生器による被処理物の処理状態を示す斜視図の図２
と、被処理物を載置する誘導サセプタの例１を示す図の
図３と、被処理物を載置する誘導サセプタの例２を示す
図の図４(ａ)と、電力の供給量が適正である場合の誘導
サセプタの例２におけるプラズマ状況説明図の図４(ｂ)
と、電力の供給量が過大である場合の誘導サセプタの例
２におけるプラズマ状況説明図の図４(ｃ)と、電力の供
給量が一定である場合のライン状プラズマの強度をクロ
ス線の密度の大小で示すプラズマ状態説明図の図５(ａ)
および図５(ｂ)と、電力の供給量が下限制御される場合
のライン状プラズマの強度をクロス線の密度の大小で示
すプラズマ状態説明図の図６(ａ)および図６(ｂ)とを順
次参照しながら説明する。

【００１３】図１に示す符号１は、本発明の実施の形態
１に係るプラズマ処理装置であって、このプラズマ処理
装置１は反応槽(図示省略)を備えている。この反応槽の
槽壁にはガス導入口(図示省略)、およびガス排出口(図
示省略)が設けられている。この反応槽の内部には、前
記ガス導入口から導入された導入ガスが流入するガス流
入路２２と、前記ガス排出口から排出させる排出ガスを
流すガス流出路２３とを備えた、後述する構成になるラ
イン状プラズマ発生器２が設けられている。また、前記
ライン状プラズマ発生器２の下方の所定距離隔てた対面
する位置に、被処理物(以下、基板という。)１１を移動
させる搬送台４が設けられている。この搬送台４は、搬
送機構６の回転ローラの回転で前記ライン状プラズマ発
生器２の幅方向と直交する方向に移動されるように構成
されている。そして、この搬送台４の上には、下部電極
である誘導サセプタ３が載置されると共に、この誘導サ
セプタ３の上に基板１１が載置されている。

【００１４】前記ライン状プラズマ発生器２は、前記ガ
ス流入路２２とガス流出路２３との間であって、かつこ
れらガス流入路２２とガス流出路２３の幅広のライン状
開口の間に、上部電極である幅広のライン状電極２１を
備えており、そしてこのライン状電極２１は高周波電源
５に接続されている。これにより、ガス導入口から導入
されたガスはガス流入路２２に流入し、このガス流入路
２２のライン状開口からライン状に、つまり前記搬送台
４を横断する状態に吹き出してライン状プラズマに導入
されるが、ガス流入路２２を流れるガス流を幅方向に均
一にすることができるから、ライン状プラズマ発生器２
の幅方向に均一なプラズマを発生させることができる。

【００１５】ところで、プラズマ処理すべき基板１１が
矩形状であれば、この基板１１の位置に関係なく幅が一
定であるから、ライン状プラズマの発生領域を一定幅に
すればよい。しかしながら、基板１１が半導体デバイス
製造ラインで採用されているような円形である場合に
は、プラズマの強度や発生領域を、基板１１とライン状
プラズマとの相対位置関係によって変更する必要があ
る。

【００１６】例えば、基板１１の移動方向の先端エッジ
や後端エッジ付近の表面をプラズマ処理している場合に
は、プラズマ発生領域が基板１１から大きくはみ出し、
基板１１の周辺の表面もプラズマ処理されてしまう。つ
まり、供給電力が無駄になり、また成膜処理の場合であ
って、かつ基板１１の周囲に、この基板１１の位置決め
用の周辺調整部材が配設されている場合には、周辺調整
部材の寿命が短縮されるだけでなく、この周辺調整部材
への堆積膜によってパーティクルが発生し、基板１１の
成膜形成に悪影響を及ぼすので好ましくない。

【００１７】そこで、本実施の形態１に係るプラズマ処
理装置１の場合には、ライン状プラズマが基板１１より
も外方に広がるという不具合を防止するために、後述す
る構成になるプラズマ広がり防止手段が講じられてい
る。即ち、基板１１を載置する誘導サセプタ３の外径
は、図３に示すように、この基板１１と同寸または同寸
以下に設定されている。

【００１８】勿論、必ず上記のような手段によらなけれ
ばならないという訳ではなく、例えば、その例２を示す
図の図４(ａ)に示すように、基板１１の位置決めのため
に、この基板１１の周辺部に周辺調整部材３１を配置
し、ライン状電極２１と周辺調整部材３１との間に形成
される単位面積当たりの静電容量を、これらライン状電
極２１と基板１１との間に形成される静電容量よりも２
０％以上小容量にしても同等の効果を得ることができ
る。つまり、従来の減圧プラズマでは、上記のようにし
ても基板の周辺にプラズマが拡散するが、大気圧近傍，
または大気圧より若干低圧の弱減圧ガス雰囲気(１００
０００Ｐａ〜１０００Ｐａ)下ではプラズマの拡散が抑
制されるからである。

【００１９】ところで、上記のような手段を講じたとし
ても、図３に示す誘導サセプタの例１の場合には、ライ
ン状電極２１に供給する電力を一定にすると、基板１１
の移動方向の先端エッジ、後端エッジ付近は中央部より
も小面積であるために、単位面積当たりの電力供給量が
大きくなってしまい、プラズマの強度が基板１１の搬送
方向で不均一になる。また、図４(ａ)に示す誘導サセプ
タの例２の場合には、静電容量が適正、かつ電力が適正
であれば図４(ｂ)に示すように、周辺調整部材３１まで
プラズマが広がるようなことがないが、例え静電容量が
適正であっても電力の供給量が過度であれば、図４(ｃ)
に示すように、周辺調整部材３１までプラズマが広がっ
てしまうというような不具合が生じる。

【００２０】そこで、本実施の形態１に係るプラズマ処
理装置１の場合には、上記のようなプラズマの強度の変
動やプラズマの広がり不具合を防止するために、さらに
前記高周波電源５の電力の出力を、基板１１の幅を求め
て、求めた基板１１の幅寸法の大小によって加減制御し
得るように構成されている。

【００２１】即ち、本実施の形態１に係るプラズマ処理
装置１は、搬送機構６を制御する搬送機構制御器７から
基板１１の搬送速度信号と、ライン状プラズマ発生器２
の搬送台４の搬送元側に配設され、基板１１の位置を検
出する、例えば半導体レーザと光検出器とからなる位置
検出器８からの検出信号を受信して出力する位置検出器
制御器９からの検出信号とを受信し、搬送速度信号から
搬送速度を求めると共に、位置検出器８により基板１１
が検出された時点からの経過時間を求め、求めた搬送速
度および経過時間と、予め入力されていた基盤１１の形
状とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応
する基板１１の幅を求める。そして、求めた基板１１の
幅に応じて、前記高周波電源５から出力する電力を加減
制御する高周波電源制御器１０が設けられている。つま
り、基板１１の幅が大寸になるにつれて供給する電力量
を増大させる一方、幅が小寸になるにつれて供給する電
力量を減少させるように構成されている。

【００２２】また、本実施の形態１に係るプラズマ処理
装置１の場合には、位置検出器８により基板１１が検出
された時点から所定時間経過した後にライン状電極２１
への電力の供給が開始される一方、位置検出器８により
基板１１が検出されなくなってから所定時間経過した時
点において、基板１１の幅が０になれば、ライン状電極
２１への電力の供給が停止されるものである。

【００２３】前記ライン状電極２１に供給される電力が
一定であった場合には、図５(ａ)，(ｂ)に示すように、
基板１１の搬送方向の先端エッジ(後端エッジ付近も同
様である。)付近では中央部よりもプラズマが高強度に
なっていた。しかしながら、上記のように、基板１１の
幅寸法によって高周波電源５の電力を加減制御してライ
ン状電極２１に供給することにより、図６(ａ)，(ｂ)に
示すように、基板１１の全面にわたってプラズマの強度
が実質的に均一になり、基盤１１の全面にわたって均一
性に優れたプラズマ処理が行える。

【００２４】ところで、本実施の形態１に係るプラズマ
処理装置１の場合には、基板１１の搬送速度は一定であ
る。従って、基板１１の形状の場合と同様に、搬送速度
を予め入力しておけばよいではないかと考えられる。し
かしながら、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１
のように、搬送気孔制御器７からの搬送速度信号から基
板１１の搬送速度を求めるようにすると、基盤１１のプ
ラズマ処理条件に応じて搬送速度が変更される都度、搬
送速度を入力しなおすというような煩わしさや入力ミス
が解消されるからである。なお、基板１１の形状および
搬送速度(一定)は予め分っており、そしてライン状電極
２１に対応する位置の幅が分っている。従って、これら
のデータを、予めプログラムに組込んでおけばよいの
で、煩わしさや入力ミスの恐れがあるものの、位置検出
器７等を必ずしも設ける必要がないものである。

【００２５】以下、基板１１が円形状である場合を例と
して、本実施の形態１に係るプラズマ処理装置１を用い
て、基板１１の表面をプラズマ処理する場合を説明す
る。即ち、基板１１は搬送機構６により誘導サセプタ３
を介して、図１における左側から右側方向に搬送され
る。ライン状プラズマ発生器２のライン状電極２１には
高周波電源５から図示しない整合器を介して電力が供給
されているので、ライン状電力２１と基板１１との間に
ライン状プラズマが発生する。

【００２６】ガス導入口から導入された反応ガスは、ラ
イン状プラズマ発生器２のガス流入路２２に流入すると
共に、このガス流入路２２のライン状開口からライン状
プラズマを横切るようにライン上に供給される。そし
て、反応ガスがライン状プラズマを横切るときに、ライ
ン状プラズマにより反応ガスが生起(励起)されて反応性
プラズマになるから、この反応プラズマによって基板１
１の表面に成膜処理を施したり、エッチング処理を施し
たり、またクリーニング処理を施したりするというよう
なプラズマ処理を行うことができる。

【００２７】このような基板１１の表面のプラズマ処理
において、基板１１が搬送されてくると、位置検出器８
により先ず基板１１の搬送方向の先端エッジが検出され
る。前記位置検出器８による基板１１の検出信号は、位
置検出器制御器９に送信される。さらに、基板１１を検
出した時点からの相対的な搬送量信号が搬送機構６を制
御する搬送器制御器７から高周波電源制御器１０に送信
される。すると、各信号を受信した高周波電源制御器１
０は、ライン状プラズマと基板１１との相対位置関係を
求め、予め入力されていた基板１１の形状に基づいて、
ライン状プラズマが面している基板１１の幅寸法(ライ
ン状プラズマの長手方向の幅寸法)を求め、求めた幅寸
法に応じて高周波電源５の電力の出力を加減制御する。
なお、搬送速度が一定である場合には、前記搬送量信号
は必ずしも必要でなく、検出信号の受信時からの経過時
間と搬送速度とからライン状プラズマと基板１１との相
対位置関係を求めてもよい。

【００２８】上記のとおり、本実施の形態１に係るプラ
ズマ処理装置１によれば、ライン状電極２１に対して
は、基板１１の搬送方向の幅寸法が大きければ高周波電
源５から大電力が供給される一方、基板１１の搬送方向
の幅寸法が小さければ高周波電源５から小電力が供給さ
れるというように、基板１１の幅寸法に応じて電力の供
給量が増減される。従って、例えば図６(ａ)，(ｂ)に示
すように、基板１１の表面は全面にわたって均一にプラ
ズマ処理され、従来例に係るプラズマ処理装置のよう
に、基盤のプラズマ処理面が不均一になってしまうよう
なことがない。

【００２９】また、本実施の形態１に係るプラズマ処理
装置１によれば、基板１１の幅寸法については、ライン
状電極２１の幅によって制約を受ける。しかしながら、
このライン状電極２１の幅を大きくしても、幅方向の中
央部と端部とでガス流に差異がなく均等であるために、
基板１１とライン状電極２１との間の間隔を変更するま
でもなく、基板１１の表面の全面にわたって均一にプラ
ズマ処理することができる。従って、従来例に係るプラ
ズマ処理装置のように、基板１１のサイズに制約が生じ
るようなこともない。

【００３０】さらに、本実施の形態１に係るプラズマ処
理装置１によれば、上記のとおり、ライン状電極２１に
は、基板１１の搬送方向の幅寸法が大きければ大電力が
供給され、幅寸法が小さければ小電力が供給されるとい
うように、基板１１の幅寸法に応じて電力の供給量が加
減される。従って、基板１１のプラズマ処理に要する消
費電力が削減されるから、基板１１のプラズマ処理コス
トの低減が可能になるという経済効果も生じる。

【００３１】次に、本発明のプラズマ処理方法を実施す
る本実施の形態２に係るプラズマ処理装置を、その主要
部の構成例を表す斜視図の図７を参照しながら説明す
る。但し、本実施の形態２が上記実施の形態１と相違す
るところは、上記実施の形態１が基板を移動させる構成
であるのに対して、本実施の形態２はライン状プラズマ
発生器を移動させる構成になっているところにあり、移
動するものが相違するだけであるから、同一のものなら
びに同一機能を有するものに同一符号を付して、その相
違する点について以下に説明する。

【００３２】本実施の形態２に係るプラズマ処理装置１
では、基板１１を支持する誘導サセプタ３は、図示しな
い反応槽の底部に設けられてなる固定台１２の上に載置
されている。そして、基板１１の上方であって、かつ基
板１１の表面と平行に往復移動するライン状プラズマ発
生器２が、一対のガイドレール１３により支持されてい
る。このライン状プラズマ発生器２の進退方向の一側面
には基板１１を検出する位置検出器８が設けられると共
に、前記ライン状プラズマ発生器２と、図示しない反応
槽の槽壁に設けられてなるガス導入口、およびガス排出
口とはフレキシブル管(図示省略)で接続されており、こ
のライン状プラズマ発生器２の往復移動に何らの支障が
ないように構成されている。

【００３３】ところで、本実施の形態２の場合、上記の
とおり、ライン状プラズマ発生器２は一対のガイドレー
ル１３で往復移動可能に支持されている。しかしなが
ら、このライン状プラズマ発生器２を可逆回転される一
対の平行なボールねじや台形ねじによって支持する構成
にすることもできるから、ガイドレールによる支持構成
に限定されるものではない。

【００３４】本実施の形態２に係るプラズマ処理装置１
によれば、上記のとおり、上記実施の形態１の場合に
は、基板１１をライン状プラズマ発生器２に対して相対
的に移動させるのに対して、本実施の形態２の場合に
は、ライン状プラズマ発生器２を基板１１に対して相対
的に移動させるだけであるから、本実施の形態２は上記
実施の形態１と同効である。

【００３５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の請求項１
または２に係るプラズマ処理装置、および本発明の請求
項３に係るプラズマ処理方法によれば、ライン状プラズ
マ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方に対し
て相対的に移動させながら、高周波電源制御器により、
出力する電力が制御される高周波電源から、ライン状プ
ラズマを発生させるライン状プラズマ発生器の上部電極
に、被処理物の相対移動方向の幅寸法が大きければ大電
力を供給する一方、被処理物の相対移動方向の幅寸法が
小さければ小電力を供給するというように、被処理物の
幅寸法に応じて電力の供給量を加減するから、被処理物
の表面の全面にわたって均一にプラズマ処理することが
でき、従来例に係るプラズマ処理装置のように、被処理
物のプラズマ処理面が不均一になる従来例に係るプラズ
マ処理装置のように、基板１１のサイズに制約が生じる
ようなこともない。

【００３６】また、本発明の請求項１または２に係るプ
ラズマ処理装置、および本発明の請求項３に係るプラズ
マ処理方法によれば、上部電極の幅を大きくしても、幅
方向の中央部と端部とでガス流に差異がなく均等である
ために、被処理物と上部電極との間の間隔を変更するま
でもなく、被処理物の表面の全面にわたって均一にプラ
ズマ処理することができるから、従来例に係るプラズマ
処理装置のように、被処理物のサイズに制約が生じるよ
うなこともない。

【００３７】さらに、本発明の請求項１または２に係る
プラズマ処理装置、および本発明の請求項３に係るプラ
ズマ処理方法によれば、ライン状プラズマを発生させる
ライン状プラズマ発生器の上部電極に、被処理物の相対
移動方向の幅寸法が大きければ大電力を、被処理物の相
対移動方向の幅寸法が小さければ小電力を供給するとい
うように、被処理物の幅寸法に応じて電力の供給量が加
減される結果、消費電力が削減されるから、被処理物の
プラズマ処理コストの低減が可能になるという経済効果
もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置
の構成例を表す説明図である。

【図２】本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置
のライン状プラズマ発生器による基板の処理状態を示す
斜視図である。

【図３】本発明の実施の形態１に係るプラズマ処理装置
の基板を載置する誘導サセプタの例１を示す図である。

【図４】図４(ａ)は本発明の実施の形態１に係るプラズ
マ処理装置の基板を載置する誘導サセプタの例２を示す
図、図４(ｂ)は電力の供給量が適正である場合の誘導サ
セプタの例２におけるプラズマ状況説明図、図４(ｃ)は
電力の供給量が過大である場合の誘導サセプタの例２に
おけるプラズマ状況説明図である。

【図５】図５(ａ)および図５(ｂ)は、電力の供給量が一
定である場合のラインプラズマの強度をクロス線の密度
の大小で示すプラズマ状態説明図である。

【図６】図６(ａ)および図６(ｂ)は、電力の供給量が加
減制御される場合のラインプラズマの強度をクロス線の
密度の大小で示すプラズマ状態説明図である。

【図７】本発明の実施の形態２に係るプラズマ処理装置
の主要部の構成例を表す斜視図である。

【図８】従来例に係るプラズマ処理装置の構成例を示す
説明図である。

【符号の説明】

１…プラズマ処理装置、２…ライン状プラズマ発生器、
２１…ライン状電極、２２…ガス流入路、２３…ガス流
出路、３…誘導サセプタ(下部電極)、３１…周辺調整部
材、４…搬送台、５…高周波電源、６…搬送機構、７…
搬送機構制御器、８…位置検出器、９…位置検出器制御
器、１０…高周波電源制御器、１１…基板(被処理物)、
１２…固定台、１３…ガイドレール。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者平野貴之兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者林和志兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者後藤裕史兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者小林明兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者中上明光兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 AA61 AA65 BC01 BC06 BC10 CA25 DA02 DA04 EB01 EB42 EC21 ED13 4K030 FA01 GA14 KA15 KA30 KA39 LA15 LA18 5F004 AA01 BA20 BD04 CA02 CA03 CA05 5F045 AA08 AE29 DP03 EB02 EF02 EH05 EH12 EH19 EM10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】予め設定された大気圧、または大気圧よ
りも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状
プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方
に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記
ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給
することによりライン状プラズマを発生させて被処理物
の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記ライン状プラズマが発生している位置に対応する被
処理物の幅に応じて、前記高周波電源から上部電極に供
給する電力を加減制御する高周波電源制御器を設けたこ
とを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】予め設定された大気圧、または大気圧よ
りも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状
プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方
に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記
ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給
することによりライン状プラズマを発生させて被処理物
の表面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記ライン状プラズマ発生器に、被処理物を検出する位
置検出器を設け、この位置検出器により被処理物が検出
された時点からの経過時間と、被処理物の搬送速度と、
予め入力されていた被処理物の形状とから、ライン状プ
ラズマが発生している位置に対応する被処理物の幅を求
め、求めた被処理物の幅に応じて、前記高周波電源から
上部電極に供給する電力を加減制御する高周波電源制御
器を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】予め設定された大気圧、または大気圧よ
りも若干低圧の弱減圧ガス雰囲気下において、ライン状
プラズマ発生器と被処理物とのうちの何れか一方を他方
に対して相対的に移動させながら、高周波電源から前記
ライン状プラズマ発生器の上部電極に高周波電力を供給
することによりライン状プラズマを発生させて被処理物
の表面をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記被処理物が検出された時点からの経過時間と、被処
理物の搬送速度と、予め入力されていた被処理物の形状
とから、ライン状プラズマが発生している位置に対応す
る被処理物の幅を求め、求めた被処理物の幅に応じて、
前記高周波電源から上部電極に供給する電力を加減制御
することを特徴とするプラズマ処理方法。