JP3112520B2 - 光ｃｖｄ装置 - Google Patents
光ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP3112520B2 JP3112520B2 JP03258040A JP25804091A JP3112520B2 JP 3112520 B2 JP3112520 B2 JP 3112520B2 JP 03258040 A JP03258040 A JP 03258040A JP 25804091 A JP25804091 A JP 25804091A JP 3112520 B2 JP3112520 B2 JP 3112520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- flow
- reaction
- flow guard
- Prior art date
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体や液晶ディスプ
レイ等の製造に用いられる薄膜形成装置に関する。
レイ等の製造に用いられる薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光のエネルギーを用い、シラン、
ジシランなどの化合物ガスを分解し、シリコンウエハや
ガラス基板上に薄膜を形成する、光ＣＶＤ装置の開発が
積極的になされている。これら光を用いた光ＣＶＤ装置
は、プロセスの低温化が可能であり、荷電粒子による基
板や形成膜の劣化も発生しないことから、次世代のデバ
イス製造方法として大きく注目されている。しかしなが
ら、このような光ＣＶＤ装置においては、反応生成物が
光透過窓やランプ表面を汚し、光量が低下するという大
きな問題があった。このような問題点に対処するため
に、例えば、特開昭６０−２０９２４８号公報に示され
るように、反応室と光源室とを紫外線透過性の多孔板で
仕切り、該多孔板を通して不活性ガスをパージすること
により光透過窓やランプ表面の汚れを防止する提案がな
されている。しかしながら、減圧下でこのような単純な
ガスフロー方式のみを採用した光ＣＶＤ装置は、実験機
レベルの小面積の基板で、比較的短時間の成膜プロセス
を行なう場合は有効であるものの、大面積基板を処理す
る生産機レベルの装置で長時間の成膜をおこなう場合に
は、この多孔板への膜付着が顕在化し、生産時間の増加
にともなって光量が大きく低下する。これは、安定かつ
再現性のある量産を考えた場合には致命的な問題とな
る。
ジシランなどの化合物ガスを分解し、シリコンウエハや
ガラス基板上に薄膜を形成する、光ＣＶＤ装置の開発が
積極的になされている。これら光を用いた光ＣＶＤ装置
は、プロセスの低温化が可能であり、荷電粒子による基
板や形成膜の劣化も発生しないことから、次世代のデバ
イス製造方法として大きく注目されている。しかしなが
ら、このような光ＣＶＤ装置においては、反応生成物が
光透過窓やランプ表面を汚し、光量が低下するという大
きな問題があった。このような問題点に対処するため
に、例えば、特開昭６０−２０９２４８号公報に示され
るように、反応室と光源室とを紫外線透過性の多孔板で
仕切り、該多孔板を通して不活性ガスをパージすること
により光透過窓やランプ表面の汚れを防止する提案がな
されている。しかしながら、減圧下でこのような単純な
ガスフロー方式のみを採用した光ＣＶＤ装置は、実験機
レベルの小面積の基板で、比較的短時間の成膜プロセス
を行なう場合は有効であるものの、大面積基板を処理す
る生産機レベルの装置で長時間の成膜をおこなう場合に
は、この多孔板への膜付着が顕在化し、生産時間の増加
にともなって光量が大きく低下する。これは、安定かつ
再現性のある量産を考えた場合には致命的な問題とな
る。
【０００３】上記の問題に対処するために、本発明者ら
は、上記従来型の装置の欠点について更に検討し、先に
特願平３−８４０４３号として提案したように、従来型
の装置における紫外線透過性の多孔板の下に、新たに、
多孔板に形成した各小孔の軸線と平行に延びしかも互い
に間隔をおいて配置した多数のフローガードプレートを
備えたフローガード部材を配置することにより、この問
題を完全に解決した。
は、上記従来型の装置の欠点について更に検討し、先に
特願平３−８４０４３号として提案したように、従来型
の装置における紫外線透過性の多孔板の下に、新たに、
多孔板に形成した各小孔の軸線と平行に延びしかも互い
に間隔をおいて配置した多数のフローガードプレートを
備えたフローガード部材を配置することにより、この問
題を完全に解決した。
【０００４】図４は、上記本発明者らが先に提案した光
ＣＶＤ装置の一例を示す断面図であり、図５はその要部
斜視図である。図４において、１は反応室であり、その
内部に温度可変のサセプタ２が設けられ、該サセプタ２
上に基板３が装着されている。反応室１の側壁には、第
１のガスすなわち反応ガスを導入するための薄いスリッ
ト状の開口４を有するノズル５が設けられ、該ノズル５
は外部導入管６と連結されている。また反応室１の底壁
の一端には排気口７が設けられている。また反応室１の
上壁には、基板３に対向した位置に、合成石英製の光透
過窓８が設けられ、その外側には光化学反応に好適な波
長を放射する光源９と、光の損失を防ぐ反射板１０と、
これらを収容する光源室１１が取り付けられている。さ
らに光透過窓８の内側表面下には、該光透過窓８の内側
表面との間に若干の隙間をあけて、合成石英製の小孔を
多数持った噴出板１２が設けられている。上記光透過窓
８と該合成石英製の小孔を多数持った噴出板１２とから
形成される空間は、導管１３と接続され第２のガスであ
る不活性ガスの導入口となっている。
ＣＶＤ装置の一例を示す断面図であり、図５はその要部
斜視図である。図４において、１は反応室であり、その
内部に温度可変のサセプタ２が設けられ、該サセプタ２
上に基板３が装着されている。反応室１の側壁には、第
１のガスすなわち反応ガスを導入するための薄いスリッ
ト状の開口４を有するノズル５が設けられ、該ノズル５
は外部導入管６と連結されている。また反応室１の底壁
の一端には排気口７が設けられている。また反応室１の
上壁には、基板３に対向した位置に、合成石英製の光透
過窓８が設けられ、その外側には光化学反応に好適な波
長を放射する光源９と、光の損失を防ぐ反射板１０と、
これらを収容する光源室１１が取り付けられている。さ
らに光透過窓８の内側表面下には、該光透過窓８の内側
表面との間に若干の隙間をあけて、合成石英製の小孔を
多数持った噴出板１２が設けられている。上記光透過窓
８と該合成石英製の小孔を多数持った噴出板１２とから
形成される空間は、導管１３と接続され第２のガスであ
る不活性ガスの導入口となっている。
【０００５】上記不活性ガスを噴出する噴出板１２の下
側にはフローガード部材１４が取り付けられており、該
フローガード部材１４は、図５に示すように、フローガ
ード枠体１５内に、薄い合成石英板からなるフローガー
ドプレート１６を一定の間隔をおいて取り付けたもので
あり、図５は１１枚取り付けた場合の例を示している。
上記各フローガードプレート１６は、ノズル５からの反
応ガスの流れ方向を横切る方向に延び、しかも導管１３
より導入され噴出板１２から噴出される不活性ガスを、
サセプタ２上の基板３に向って下向きに指向させるよう
に方向づけられている。従ってフローガード部材１４に
おける各フローガードプレート１６は、反応室１の内寸
等により任意に設定することができる。
側にはフローガード部材１４が取り付けられており、該
フローガード部材１４は、図５に示すように、フローガ
ード枠体１５内に、薄い合成石英板からなるフローガー
ドプレート１６を一定の間隔をおいて取り付けたもので
あり、図５は１１枚取り付けた場合の例を示している。
上記各フローガードプレート１６は、ノズル５からの反
応ガスの流れ方向を横切る方向に延び、しかも導管１３
より導入され噴出板１２から噴出される不活性ガスを、
サセプタ２上の基板３に向って下向きに指向させるよう
に方向づけられている。従ってフローガード部材１４に
おける各フローガードプレート１６は、反応室１の内寸
等により任意に設定することができる。
【０００６】作動時、先ず反応ガスは、外部導管６から
ノズル５の薄いスリット状の開口４を経て基板３の表面
にほぼ平行にシート状に導入される。一方、このシート
状の反応ガスの流れに対して不活性ガスは、噴出板１２
より導入され、フローガード部材１４のフローガード枠
体１５及びフローガードプレート１６により下向きに基
板３へ向って案内される。このようにフローガード部材
１４によって指向された不活性ガスの下向きの流れによ
り、ノズル５からのシート状の反応ガスの流れは、基板
３の近傍に有効に抑えられ、従って導入された反応ガス
の乱流の発生や拡散は有効に抑制され、その結果、光透
過窓８および噴出板１２の表面への反応生成物の付着を
完全に防ぐことができ、長時間の安定した成膜が可能に
なる。
ノズル５の薄いスリット状の開口４を経て基板３の表面
にほぼ平行にシート状に導入される。一方、このシート
状の反応ガスの流れに対して不活性ガスは、噴出板１２
より導入され、フローガード部材１４のフローガード枠
体１５及びフローガードプレート１６により下向きに基
板３へ向って案内される。このようにフローガード部材
１４によって指向された不活性ガスの下向きの流れによ
り、ノズル５からのシート状の反応ガスの流れは、基板
３の近傍に有効に抑えられ、従って導入された反応ガス
の乱流の発生や拡散は有効に抑制され、その結果、光透
過窓８および噴出板１２の表面への反応生成物の付着を
完全に防ぐことができ、長時間の安定した成膜が可能に
なる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成した
光ＣＶＤ装置は、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着を完全に防ぐという点では非常に優
れているが、大口径基板に成膜した場合、その膜厚分
布、特に反応ガスの流れ方向の分布が極めて悪いという
問題点があった。
光ＣＶＤ装置は、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着を完全に防ぐという点では非常に優
れているが、大口径基板に成膜した場合、その膜厚分
布、特に反応ガスの流れ方向の分布が極めて悪いという
問題点があった。
【０００８】図６は、図４に示す光ＣＶＤ装置を用いて
６インチ基板にアモルファスシリコン膜を成膜した時の
流れに平行方向の膜厚分布図で、最下流側つまり排気口
側には、最上流側つまり第１のガス導入口側の５０％程
度しか膜が堆積していないことがわかる。これは、反応
ガスが導入口から排気口へ向って流れていく間に、上方
からのパージ用不活性ガスが混入して反応ガスが希釈さ
れ、導入口から排気口に向って大きな濃度勾配が発生す
るためと推定される。このような分布を改良する手段と
して、一般には基板３を装着しているサセプタ２を回転
させる方法が広く行なわれている。しかしながら、回転
により摺動部からダストが発生したり、また基板の温度
分布の均一性を得るために工夫された加熱機構がサセプ
タに搭載されている場合には、サセプタ２を回転させる
ことはハード上非常に困難である等の問題がある。ま
た、仮に基板回転が可能であっても、最上流と最下流の
膜厚の平均値が基板中央の膜厚に比べて大きい、或いは
小さい場合には、基板回転により均一な膜厚分布を得る
ことは不可能である。従って、これらの状況を考えれ
ば、基板を回転させないままで膜を堆積し、均一な分布
を得ることのできる装置が要求される。
６インチ基板にアモルファスシリコン膜を成膜した時の
流れに平行方向の膜厚分布図で、最下流側つまり排気口
側には、最上流側つまり第１のガス導入口側の５０％程
度しか膜が堆積していないことがわかる。これは、反応
ガスが導入口から排気口へ向って流れていく間に、上方
からのパージ用不活性ガスが混入して反応ガスが希釈さ
れ、導入口から排気口に向って大きな濃度勾配が発生す
るためと推定される。このような分布を改良する手段と
して、一般には基板３を装着しているサセプタ２を回転
させる方法が広く行なわれている。しかしながら、回転
により摺動部からダストが発生したり、また基板の温度
分布の均一性を得るために工夫された加熱機構がサセプ
タに搭載されている場合には、サセプタ２を回転させる
ことはハード上非常に困難である等の問題がある。ま
た、仮に基板回転が可能であっても、最上流と最下流の
膜厚の平均値が基板中央の膜厚に比べて大きい、或いは
小さい場合には、基板回転により均一な膜厚分布を得る
ことは不可能である。従って、これらの状況を考えれ
ば、基板を回転させないままで膜を堆積し、均一な分布
を得ることのできる装置が要求される。
【０００９】本発明は、上記のような各問題点を解決
し、生機レベルの大口径基板対応光ＣＶＤ装置を提供す
ることを目的としている。
し、生機レベルの大口径基板対応光ＣＶＤ装置を提供す
ることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光ＣＶＤ装置は、処理すべき基板を収容
する反応室と、該反応室内に反応ガスを導入及び排気す
る手段と、該反応ガスを光化学反応させ、該基板上に薄
膜を形成させるための光源と、該光源を収容する光源室
と、該反応室と該光源室の間に、多数の小孔を持った光
透過性ガス噴出板と該噴出板の下に該噴出板に形成した
各小孔の軸線と平行に延びしかも互いに間隔をおいて配
置した多数のフローガードプレートを備えたフローガー
ド部材をを配置し、該反応室内に収容された基板の表面
にほぼ平行にガス導入口より第１のガス流をシート状に
導入し、また該基板上の表面に、この表面に垂直な方向
から第２のガス流を、該ガス噴出板より導入し、さらに
該ガス噴出板の下に設けた該フローガード部材を通すこ
とにより、該基板の表面の近傍に上記第１のガス流を層
流状態に保持するようにした光ＣＶＤ装置において、上
記フローガード部材に備えられているフローガードプレ
ートを、基板の中心から第１のガス導入口側に部分的に
配置したことを特徴としている。
めに、本発明の光ＣＶＤ装置は、処理すべき基板を収容
する反応室と、該反応室内に反応ガスを導入及び排気す
る手段と、該反応ガスを光化学反応させ、該基板上に薄
膜を形成させるための光源と、該光源を収容する光源室
と、該反応室と該光源室の間に、多数の小孔を持った光
透過性ガス噴出板と該噴出板の下に該噴出板に形成した
各小孔の軸線と平行に延びしかも互いに間隔をおいて配
置した多数のフローガードプレートを備えたフローガー
ド部材をを配置し、該反応室内に収容された基板の表面
にほぼ平行にガス導入口より第１のガス流をシート状に
導入し、また該基板上の表面に、この表面に垂直な方向
から第２のガス流を、該ガス噴出板より導入し、さらに
該ガス噴出板の下に設けた該フローガード部材を通すこ
とにより、該基板の表面の近傍に上記第１のガス流を層
流状態に保持するようにした光ＣＶＤ装置において、上
記フローガード部材に備えられているフローガードプレ
ートを、基板の中心から第１のガス導入口側に部分的に
配置したことを特徴としている。
【００１１】
【作用】上記のように構成した本発明による光ＣＶＤ装
置では、フローガード部材のフローガードプレートが基
板の中心から上流側つまり第１のガス導入口側にのみ配
置されているため、不活性ガスによるパージ効果は、基
板の中心から上流側で強く、一方基板の中心から下流側
で弱くなる。これは別の見方をすれば、不活性ガスによ
る希釈効果が基板の中心から上流側で強く、一方、基板
の中心から下流側で弱くなることを意味している。従っ
て、比較的反応ガス濃度の高い上流側でより強く希釈さ
れることになり、全体から見ると、反応ガス濃度が均一
化する方向に働き、基板の膜厚分布が改善されることに
なる。
置では、フローガード部材のフローガードプレートが基
板の中心から上流側つまり第１のガス導入口側にのみ配
置されているため、不活性ガスによるパージ効果は、基
板の中心から上流側で強く、一方基板の中心から下流側
で弱くなる。これは別の見方をすれば、不活性ガスによ
る希釈効果が基板の中心から上流側で強く、一方、基板
の中心から下流側で弱くなることを意味している。従っ
て、比較的反応ガス濃度の高い上流側でより強く希釈さ
れることになり、全体から見ると、反応ガス濃度が均一
化する方向に働き、基板の膜厚分布が改善されることに
なる。
【００１２】また、反応ガス濃度の高い上流側にフロー
ガードプレートが配置されているため、先に本発明者ら
が提案した光ＣＶＤ装置と同様に、光透過窓や不活性ガ
ス噴出板の表面への反応生成物の付着の問題は全く発生
しない。
ガードプレートが配置されているため、先に本発明者ら
が提案した光ＣＶＤ装置と同様に、光透過窓や不活性ガ
ス噴出板の表面への反応生成物の付着の問題は全く発生
しない。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面と共に説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す大口径基板対応の
光ＣＶＤ装置の断面図、図２は、本実施例で使用したフ
ローガード部材の斜視図である。
る。図１は、本発明の一実施例を示す大口径基板対応の
光ＣＶＤ装置の断面図、図２は、本実施例で使用したフ
ローガード部材の斜視図である。
【００１４】図において、２１は反応室であり、その内
部に温度２５０℃にコントロールされたサセプタ２２が
設けられ、該サセプタ２２上に６インチガラス基板２３
が装着されている。上記反応室２１の側壁には、反応ガ
スを導入するための薄いスリット状の開口２４を有する
ノズル２５が設けられ、該ノズル２５は外部導入管２６
と連結されている。反応室２１の底壁の一端には排気口
２７が設けられている。また反応室２１の上壁には、基
板２３に対向した位置に、直径３００ｍｍで厚さ１５ｍ
ｍの合成石英製の光透過窓２８が設けられ、その外側に
は低圧水銀ランプ２９と、光の損失を防ぐ反射板３０
と、これらを収容する光源室３１が取り付けられてい
る。さらに光透過窓２８の内側表面下には、該光透過窓
２８の内側表面との間に１０ｍｍの隙間をあけて、直径
０．６ｍｍの小孔を多数持った、大きさ２００ｍｍ×３
００ｍｍの合成石英製噴出板３２が設けられている。光
透過窓２８と合成石英製の噴出板３２とから形成される
空間は、導管３３と接続される第２のガスである不活性
ガスの導入口となっている。
部に温度２５０℃にコントロールされたサセプタ２２が
設けられ、該サセプタ２２上に６インチガラス基板２３
が装着されている。上記反応室２１の側壁には、反応ガ
スを導入するための薄いスリット状の開口２４を有する
ノズル２５が設けられ、該ノズル２５は外部導入管２６
と連結されている。反応室２１の底壁の一端には排気口
２７が設けられている。また反応室２１の上壁には、基
板２３に対向した位置に、直径３００ｍｍで厚さ１５ｍ
ｍの合成石英製の光透過窓２８が設けられ、その外側に
は低圧水銀ランプ２９と、光の損失を防ぐ反射板３０
と、これらを収容する光源室３１が取り付けられてい
る。さらに光透過窓２８の内側表面下には、該光透過窓
２８の内側表面との間に１０ｍｍの隙間をあけて、直径
０．６ｍｍの小孔を多数持った、大きさ２００ｍｍ×３
００ｍｍの合成石英製噴出板３２が設けられている。光
透過窓２８と合成石英製の噴出板３２とから形成される
空間は、導管３３と接続される第２のガスである不活性
ガスの導入口となっている。
【００１５】一方、不活性ガスを噴出する合成石英製噴
出板３２の下側には、フローガード部材３４が取り付け
られており、該フローガード部材３４は、図２に示すよ
うに、厚さ３０ｍｍ、大きさ２００ｍｍ×３００ｍｍの
フローガード枠体３５内に、厚さ１ｍｍ、大きさ２００
ｍｍ×３０ｍｍの合成石英板からなるフローガードプレ
ート３６を、基板２３の中心より上流側にのみ１０ｍｍ
の間隔をおいて取り付けたものである。各フローガード
プレート３６は、ノズル２５からの反応ガスの流れ方向
を横切る方向に延びしかも石英製噴出板３２から噴出さ
れる不活性ガスをサセプタ２２上の基板２３に向って下
向きに指向させるように方向づけられている。
出板３２の下側には、フローガード部材３４が取り付け
られており、該フローガード部材３４は、図２に示すよ
うに、厚さ３０ｍｍ、大きさ２００ｍｍ×３００ｍｍの
フローガード枠体３５内に、厚さ１ｍｍ、大きさ２００
ｍｍ×３０ｍｍの合成石英板からなるフローガードプレ
ート３６を、基板２３の中心より上流側にのみ１０ｍｍ
の間隔をおいて取り付けたものである。各フローガード
プレート３６は、ノズル２５からの反応ガスの流れ方向
を横切る方向に延びしかも石英製噴出板３２から噴出さ
れる不活性ガスをサセプタ２２上の基板２３に向って下
向きに指向させるように方向づけられている。
【００１６】上記のように構成した装置において、反応
ガスにシラン及び水銀蒸気、また不活性ガスにアルゴン
ガスを用い、さらにフローガードプレート３６をフロー
ガード枠体３５の最上流側より１０ｍｍ間隔で２枚、４
枚、６枚、８枚、と配置した構成で、６インチサイズガ
ラス基板にアモルファスシリコン膜を堆積させた時の膜
厚分布をそれぞれ求めた。
ガスにシラン及び水銀蒸気、また不活性ガスにアルゴン
ガスを用い、さらにフローガードプレート３６をフロー
ガード枠体３５の最上流側より１０ｍｍ間隔で２枚、４
枚、６枚、８枚、と配置した構成で、６インチサイズガ
ラス基板にアモルファスシリコン膜を堆積させた時の膜
厚分布をそれぞれ求めた。
【００１７】図３は、反応ガスの流れに平行方向の膜厚
分布測定結果を示す図である。この図から分かるよう
に、膜厚分布はフローガードプレートの枚数により大き
く変化し、本実施例の装置では、フローガードプレート
４枚のときに±５％以内の膜厚分布が得られた。
分布測定結果を示す図である。この図から分かるよう
に、膜厚分布はフローガードプレートの枚数により大き
く変化し、本実施例の装置では、フローガードプレート
４枚のときに±５％以内の膜厚分布が得られた。
【００１８】この実施例では、フローガードプレートを
１０ｍｍ間隔で上記のように最上流側より４枚装着した
時に最も良好な膜厚分布が得られたが、用いる反応ガス
や基板の大きさにより、膜厚分布が変化するため、装着
するフローガードプレートの数や場所或いは装着間隔は
これに限定されるものではない。その時々の実験条件に
より装着枚数や装着間隔を増減させたり、フローガード
枠体への装着場所を変化させてもよい。また、この実施
例実験時において光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着は全く発生しなかった。
１０ｍｍ間隔で上記のように最上流側より４枚装着した
時に最も良好な膜厚分布が得られたが、用いる反応ガス
や基板の大きさにより、膜厚分布が変化するため、装着
するフローガードプレートの数や場所或いは装着間隔は
これに限定されるものではない。その時々の実験条件に
より装着枚数や装着間隔を増減させたり、フローガード
枠体への装着場所を変化させてもよい。また、この実施
例実験時において光透過窓や不活性ガス噴出板の表面へ
の反応生成物の付着は全く発生しなかった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フローガード部材のフローガードプレートを基板の中心
から上流側、つまり第１のガス導入口側にのみ配置した
ことにより、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面への反
応生成物の付着が発生せず、基板回転機構を使用しない
状態で均一な膜厚分布を得ることができ、良好な歩留り
により生産性を大きく向上させることができる。
フローガード部材のフローガードプレートを基板の中心
から上流側、つまり第１のガス導入口側にのみ配置した
ことにより、光透過窓や不活性ガス噴出板の表面への反
応生成物の付着が発生せず、基板回転機構を使用しない
状態で均一な膜厚分布を得ることができ、良好な歩留り
により生産性を大きく向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す光ＣＶＤ装置の断面図
である。
である。
【図２】本発明の光ＣＶＤ装置に使用されるフローガー
ド部材の一実施例を示す斜視図である。
ド部材の一実施例を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施例で得られた反応ガスの流れに平
行方向の膜厚分布特性図である。
行方向の膜厚分布特性図である。
【図４】従来例を示す光ＣＶＤ装置の断面図である。
【図５】従来例を示すフローガード部材の斜視図であ
る。
る。
【図６】図４の装置で得られた反応ガスの流れに平行方
向の膜厚分布特性図である。
向の膜厚分布特性図である。
２１ 反応室 ２２ サセプタ ２３ ガラス基板 ２４ スリット状の開口 ２５ ノズル ２６ 外部導入管 ２７ 排気口 ２８ 合成石英製光透過窓 ２９ 低圧水銀ランプ ３０ 反射板 ３１ 光源室 ３２ 合成石英製噴出板 ３３ 導管 ３４ フローガード部材 ３５ フローガード枠体 ３６ 合成石英製フローガードプレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−47673（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−30122（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−26366（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−186422（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/48 H01L 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を収容する反応室と、該反応室内に
反応ガスを導入及び排気するそれぞれの手段と、該反応
ガスを光化学反応させ、該基板上に薄膜を形成させるた
めの光源と、該光源を収容する光源室と、該反応室と該
光源室の間に、多数の小孔を持った光透過性ガス噴出板
と該噴出板の下に該噴出板に形成した各小孔の軸線と平
行に延びしかも互いに間隔をおいて配置した多数のフロ
ーガードプレートを備えたフローガード部材を配置し、
該反応室内に収容された基板の表面にほぼ平行にガス導
入口より第１のガス流をシート状に導入し、また該基板
上の表面に、この表面に垂直な方向から第２のガス流
を、該ガス噴出板より導入し、さらに該ガス噴出板の下
に設けた該フローガード部材を通すことにより、該基板
の表面の近傍に上記第１のガス流を層流状態に保持する
ようにした光ＣＶＤ装置において、上記フローガード部
材に備えられているフローガードプレートを、基板の中
心から第１のガス導入口側に部分的に配置したことを特
徴とする光ＣＶＤ装置。
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|---|---|---|---|
| JP03258040A JP3112520B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03258040A JP3112520B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 光ｃｖｄ装置 |
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ID=17314708
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|---|---|---|---|
| JP03258040A Expired - Fee Related JP3112520B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | 光ｃｖｄ装置 |
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- 1991-10-04 JP JP03258040A patent/JP3112520B2/ja not_active Expired - Fee Related
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