KR101442394B1 - 열처리 장치 - Google Patents

열처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101442394B1
KR101442394B1 KR1020130018476A KR20130018476A KR101442394B1 KR 101442394 B1 KR101442394 B1 KR 101442394B1 KR 1020130018476 A KR1020130018476 A KR 1020130018476A KR 20130018476 A KR20130018476 A KR 20130018476A KR 101442394 B1 KR101442394 B1 KR 101442394B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heat treatment
treatment apparatus
exhaust port
opening
Prior art date
Application number
KR1020130018476A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130111275A (ko
Inventor
유지 아베
Original Assignee
다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 filed Critical 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Publication of KR20130111275A publication Critical patent/KR20130111275A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101442394B1 publication Critical patent/KR101442394B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H01L21/3247—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering for altering the shape, e.g. smoothing the surface

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

(과제) 비교적 간단하고 쉬운 구성을 가지면서도, 가열 상태의 기판을 공냉만으로 효율적으로 냉각할 수 있는 열처리 장치를 제공한다.
(해결 수단) 기판을 수용한 수용부에 외부로부터 분위기 가스를 유입시킴으로써 기판을 냉각하는 열처리 장치의 수용부가, 기판을 수평하게 지지하기 위한 복수의 지지 핀과, 분위기 가스가 외부로부터 수평 방향으로 유입되는 개구부와, 개구부에 대향하는 위치에 설치된, 분위기 가스를 배기하기 위한 배기구와, 기판이 지지 핀으로 수평하게 지지되어 분위기 가스에 의해 냉각될 때에, 적어도 기판의 하측에 있어서의 분위기 가스의 흐름에, 개구부측보다 배기구가 구비되는 측쪽이 유속이 커지는 유속 분포를 발생시키는 유속 분포 부여 수단을 구비한다.

Description

열처리 장치{HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은, 기판을 열처리하는 열처리 장치에 관한 것이며, 특히, 가열 상태의 기판을 공냉하는 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치나 여러 가지의 반도체 디바이스 등을 제조하는 프로세스는, 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판의 상면에 레지스트액을 도포한 후, 이것을 소정의 패턴으로 노광하고, 또한 현상한다는, 이른바 포토리소그래피 프로세스를 포함하고 있다.
이러한 포토리소그래피 프로세스에서는, 기판을 개개의 공정에 적절한 온도로 하기 위해, 프로세스가 진행하는 동안에 기판의 가열과 냉각이 반복된다. 즉, 어느 처리를 행함에 있어서 핫 플레이트 등으로 가열된 기판은, 상기 처리가 완료 후, 후단의 처리에 제공할 때에 냉각된다. 이러한 경우에 기판의 냉각을 담당하는 장치로서, 내부에 냉매가 통류되어 이루어지는 냉각판 상을 하우징 내에 구비하고, 가열 상태의 피처리 기판을 외냉각판 상에 올림으로써, 피처리 기판을 냉각하는 열처리 장치가 이미 공지이다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
일본국 특허공개 2007-324168호 공보
특허 문헌 1에 개시된 열처리 장치는, 피처리 기판의 표면 온도의 균일성을 높이기 위해, 급기 덕트로부터 하우징 내에 기체를 공급하도록 되어 있다. 더욱 상세하게는, 급기구의 상단의 상부에 설치한 차양 형상의 정류판에 의해서, 기체를 안내하도록 되어 있다. 혹은, 이러한 정류판에 냉각용 기체를 공급하는 노즐이 부설되는 형태도 개시되어 있다.
그러나 특허 문헌 1에 개시된 열처리 장치에 있어서는, 어디까지나 냉매를 통류시킨 냉각판에 의한 냉각이 필수로 되어 있기 때문에, 구성이 복잡하다. 냉각용 기체용의 노즐을 설치한 경우는 더 그렇다. 또, 특허 문헌 1에 개시된 열처리 장치에서는 기판은 냉각판과 면접촉하기 때문에, 냉각판에 부착되어 있던 파티클이 기판에 부착되어 버리는 결함이 발생하기 쉽다.
또, 액정 표시 장치 등에 이용되는 유리 기판은, 통상, 특허 문헌 1이 처리 대상으로 하고 있는 것은 반도체 웨이퍼보다 크고, 수십cm~수m 각의 사이즈를 갖는다. 이러한 큰 사이즈의 기판을 열처리하는 장치에는, 열처리의 균일성에 더하여 기판의 핸들링의 용이성도 고려되는 것이 바람직하다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 비교적 간단하고 쉬운 구성을 가지면서도, 가열 상태의 기판을 공냉만으로 효율적으로 냉각할 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1의 발명은, 기판을 수용한 수용부에 외부로부터 분위기 가스를 유입시킴으로써 기판을 냉각하는 열처리 장치로서, 기판을 수용하는 수용부가, 기판을 수평하게 지지하기 위한 복수의 지지 핀과, 상기 분위기 가스가 외부로부터 수평 방향으로 유입되는 개구부와, 상기 개구부에 대향하는 위치에 설치된, 상기 분위기 가스를 배기하기 위한 배기구와, 상기 기판이 상기 지지 핀으로 수평하게 지지되어 상기 분위기 가스에 의해 냉각될 때에, 적어도 상기 기판의 하측에 있어서의 상기 분위기 가스의 흐름에, 상기 개구부측보다 상기 배기구가 구비되는 측쪽이 유속이 커지는 유속 분포를 발생시키는 유속 분포 부여 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 2의 발명은, 청구항 1에 기재된 열처리 장치로서, 상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 배기구가 구비되는 측에 있어서의 상기 기판과 상기 수용부의 거리를 상기 개구부측에 있어서의 상기 기판과 상기 수용부의 거리보다 좁힘으로써, 상기 유속 분포를 발생시켜 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 3의 발명은, 청구항 2에 기재된 열처리 장치로서, 상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 수용부의 저부에 있어서, 상기 배기구가 구비되는 측과 상기 개구부측에 설치된 단차인 것을 특징으로 한다.
청구항 4의 발명은, 청구항 3에 기재된 열처리 장치로서, 상기 단차의 형성 위치와 상기 개구부의 거리가, 상기 개구부와 상기 배기구가 구비되는 위치의 거리의 1/4 이상 3/4 이하인 것을 특징으로 한다.
청구항 5의 발명은, 기판을 주위의 분위기 가스와의 온도차를 이용하여 냉각하는 열처리 장치로서, 기판을 수평하게 지지하는 복수의 지지 핀이 돌출되어 이루어지는 저부와, 상기 저부에 수직인 측부와, 상기 저부와 대향하는 천면부와, 상기 저부와, 상기 측부와, 상기 천면부에 수직인 안쪽 단부에 의해 둘러싸인 열처리 공간을 가지며, 상기 안쪽 단부가, 상기 열처리 공간으로부터 분위기 가스를 배기하기 위한 배기구를 구비하고, 상기 지지 핀으로 수평하게 지지된 상기 기판을 냉각하기 위해 상기 배기구로부터 상기 분위기 가스를 배기함으로써 상기 열처리 공간에 새로운 상기 분위기 가스를 유입시킬 때에, 적어도 상기 기판의 하측에 있어서, 상기 열처리 공간의 개구부측보다 상기 배기구가 구비되는 측쪽이 상기 분위기 가스의 유속이 커지는 유속 분포를 발생시키는 유속 분포 부여 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
청구항 6의 발명은, 청구항 5에 기재된 열처리 장치로서, 상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 배기구가 구비되는 측에 있어서의 상기 기판과 상기 저부의 거리를 상기 개구부측에 있어서의 상기 기판과 상기 저부의 거리보다 좁힘으로써, 상기 유속 분포를 발생시켜 이루어지는 것을 특징으로 한다.
청구항 7의 발명은, 청구항 6에 기재된 열처리 장치로서, 상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 저부에 있어서, 상기 배기구가 구비되는 측과 상기 개구부측에 설치된 단차인 것을 특징으로 한다.
청구항 8의 발명은, 청구항 7에 기재된 열처리 장치로서, 상기 단차의 형성 위치와 상기 개구부의 거리가, 상기 개구부와 상기 안쪽 단부의 거리의 1/4 이상 3/4 이하인 것을 특징으로 한다.
청구항 1 내지 청구항 8의 발명에 의하면, 핀에 의해 수평하게 지지한 상태의 기판의 냉각을, 장치 외부로부터 분위기 가스를 도입하는 것만으로, 즉 공냉만으로, 온도 균일성을 유지하면서 효율적으로 행할 수 있다.
도 1은 열처리 장치(1)의 외관 사시도이다.
도 2는 열처리 장치(1)의 내부의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 3은 열처리 장치(1)의 내부의 모습을 나타내는 사시도이다.
도 4는 기판(W)이 지지 핀(P)으로 지지된 상태에 있어서의, 열처리 장치(1)의 단차부(3)를 통과하고 X축에 수직인 단면의 모식도이다.
도 5는 열처리 장치(1001)의 사시도이다.
도 6은 기판(W)이 지지 핀(P)으로 지지된 상태에 있어서의, 열처리 장치(1001)의 X축에 수직인 단면의 모식도이다.
도 7은 기판(W)의 온도 분포의 시간 변화를 평가했을 때의, 평가에 이용한 유리 기판의 사이즈와, 온도 측정 개소(채널)를 나타내는 도면이다.
도 8은 열처리 장치(1(1A))로 열처리를 행했을 때의 온도를, 열처리 장치(1001)로 열처리를 행했을 때의 온도에 대한 차분치로서 나타내는 도면이다.
도 9는 열처리 장치(1(1B))로 열처리를 행했을 때의 온도를, 열처리 장치(1001)로 열처리를 행했을 때의 온도에 대한 차분치로서 나타내는 도면이다.
도 10은 열처리 장치(1(1C))로 열처리를 행했을 때의 온도를, 열처리 장치(1001)로 열처리를 행했을 때의 온도에 대한 차분치로서 나타내는 도면이다.
도 11은 변형예와 관련된 열처리 장치(201)를 나타내는 사시도이다.
도 12는 변형예와 관련된 열처리 장치(301)를 나타내는 사시도이다.
도 13은 변형예와 관련된 열처리 장치(401)를 나타내는 사시도이다.
＜열처리 장치의 구성＞
도 1은, 본 발명의 실시의 형태와 관련된 열처리 장치(1)의 외관 사시도이다. 또한, 도 1 및 이후의 도면에는, X축과 Y축이 수평면 내에 있어서 직교하는 오른손 좌표계의 XYZ 좌표계를 공통으로 부여하고 있다.
본 실시의 형태와 관련된 열처리 장치(1)는, 기판(W)을 장치 주위의 분위기 가스(전형적으로는 대기)와의 온도차를 이용하여 냉각하는(공냉하는) 장치이다. 그러므로 열처리 장치(1)는, 처리 대상인 기판(W)의 처리 전의 온도보다 상대적으로 저온인 분위기 가스의 존재하에서 사용된다. 예를 들면, 상온 전후(10℃~30℃ 정도)의 분위기 가스의 존재하에서, 100℃~ 200℃ 정도로 가열된 기판(W)을 상온 가까이까지 냉각하는 것이, 열처리 장치(1)의 대표적인 사용 형태이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 열처리 장치(1)는, 개략, 기판(W)을 내부에 수용 가능한 바닥이 있는 직사각형 통형상체이다. 열처리 장치(1)는, 저부(1a)와, 저부(1a)에 수직이고 서로 대향하는 2개의 측부(1b, 1c)와, 저부(1a)와 대향하는 천면부(1d)와, 이들 저부(1a), 측부(1b, 1c), 천면부(1d)의 전체에 수직인 안쪽 단부(1e)를 구비한다. 이들 부위에 의해 둘러싸임으로써, 열처리 장치(1)의 내부에는, 안쪽 단부(1e)에 대향하는 위치에 개구부(2a)를 가지며, 기판(W)의 수용부인 열처리 공간(2)이 형성되어서 이루어진다.
또, 열처리 장치(1)는, 저부(1a)의 하부의 네 모서리에, 장치 전체를 지지하는 다리부(1f)를 구비한다. 열처리 장치(1)는, 다리부(1f)가 지면에 접지되고, 저부(1a)가 수평한 상태에서 사용된다. 단, 다리부(1f)를 구비하는 것은 필수의 형태는 아니며, 저부(1a)의 수평이 확보되는 것이면, 열처리 장치(1) 전체의 탑재나 지지의 방법은 특별히 한정되지 않는다. 또, 여기서 말하는 지면에는, 같은 열처리 장치(1)를 다단으로 쌓아 올려졌을 때의 하단의 열처리 장치(1)의 천면부 등도 포함하는 것이다.
도 1에 있어서는, 저부(1a)와 천면부(1d)가 Z축에 수직이고, 또한, 열처리 공간(2)이 Y축 방향으로 연재됨과 더불어 -Y측 단부에 개구부(2a)가 위치하도록, 열처리 장치(1)를 나타내고 있다. 이후에 있어서는, 이 배치 관계를 전제로 하여 설명한다.
도 2와 도 3은, 열처리 장치(1)의 내부의 모습을 나타내는 사시도이며, 도 1에 나타내는 열처리 장치(1)로부터, 측부(1b, 1c)의 일부와, 천면부(1d)를 생략한 것에 상당한다. 단, 도 2는, 기판(W)이 열처리 공간(2)에 배치되어 있지 않은 상태를 나타내고 있고, 도 3은, 기판(W)이 열처리 공간(2)에 배치된 상태를 나타내고 있다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 열처리 장치(1)의 저부(1a)는, 열처리 공간(2)의 연재 방향(Y축 방향)의 도중에 단차를 갖고 있다. 단차의 상측 및 하측은 모두 수평면으로 되어 있다. 이후, 단차를 이루고 있는 수직면을 단차면(3s)이라고 칭하고, 저부(1a) 중, 단차면(3s) 보다 안쪽 단부(1e)에 이르는 단차의 상측의 부분을 특히 단차부(3)라고 칭한다.
단차부(3)는, 개략, 개구부(2a)로부터 볼 때 열처리 공간(2)의 안쪽에 설치되어서 이루어진다. 단, 상세하게 말하면, 단차부(3)는 X축 방향을 따라, 각각이 평면에서 볼 때 직사각형 형상의 제1 단차부(3a), 제2 단차부(3b), 제3 단차부(3c)로 나뉘어져 있다. 제1 단차부(3a)는 측부(1c) 및 안쪽 단부(1e)에 접해 있다. 제2 단차부(3b)는 안쪽 단부(1e)에 접해 있다. 제3 단차부(3c)는 측부(1b)와 안쪽 단부(1e)에 접해 있다. 또한, 제1 단차부(3a)와 제2 단차부(3b)의 사이, 및, 제2 단차부(3b)와 제3 단차부(3c)의 간극(4)은, 열처리 공간(2)과 외부의 사이에서 기판(W)의 반입·반출이 행해질 때에 도시하지 않은 반송 기구(반송 로봇)에 구비되는 반송용 암이 이동하기 위한 스페이스로 되어 있다.
또한, 저부(1a)에 있어서는, 열처리시에 기판(W)을 수평하게 지지하기 위한 복수의 지지 핀(P)이, 저부(1a)로부터 열처리 공간(2)에 대해서 수직으로(도 1에 있어서는 Z축 정방향으로) 돌출되어 이루어진다. 이후, 지지 핀(P) 중, 저부(1a)에 있어서 단차부(3) 이외에 배치되어 있는 것을 제1 핀(P1)이라고 칭하고, 단차부(3)에 배치되어 있는 것을 제2 핀(P2)이라고 칭한다. 제1 핀(P1)과 제2 핀(P2)은 길이는 다르지만, 기판(W)을 수평하게 지지할 수 있도록, 상단의 높이 위치는 모두 같게 맞춰져 있다. 또한, 도 2 및 도 3에 있어서는, 5개의 제1 핀(P1)과 3개의 제2 핀(P2)이 구비되는 경우를 예시하고 있지만, 지지 핀(P)의 개수나 배치 위치는, 도 2 및 도 3에 나타낸 예로 한정되는 것은 아니다.
또, 열처리 장치(1)는, 안쪽 단부(1e)에 배기구(5)를 구비한다. 배기구(5)는, 도시하지 않은 배기 장치가 외부로부터 접속되는 관통 구멍이다. 배기 장치로서는, 예를 들면, 공지의 흡인 펌프 등이 적용 가능하다.
도 4는, 기판(W)이 지지 핀(P)으로 지지된 상태에 있어서의, 열처리 장치(1)의 단차부(3)를 통과하고 X축에 수직인 단면의 모식도이다. 단, 도 4는, 지대핀(P)을 통과하지 않는 단면을 나타내는 것으로 한다. 또, 도 4에 있어서는, 저부(1a)가 단면에서 볼 때 2개소에 있어서 굴곡하는 형태로 단차부(3)가 설치되어 이루어지지만, 이것은 필수의 형태는 아니다. 예를 들면, 개구부(2a)의 측으로부터 연재하는 수평면 상에 다른 수평면을 이루는 부재가 올려짐으로써 단차부(3)가 형성되어 이루어지는 형태여도 된다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 열처리 장치(1)에 있어서, 천면부(1d)로부터 기판(W)까지의 거리를 H0로 한다. 거리 HO는, 기판(W)의 반입·반출 동안, 반송용 암이 기판(W)을 지지 핀(P)에 의한 지지 높이보다 높은 위치에서 유지할 때에, 기판(W)이 천면부(1d)에 맞닿지 않도록 정해진다. 한편, 거리 H0의 값을 필요 이상으로 크게 설정한 경우, 냉각 효율은 향상하지 않고, 오히려 배기 효율이 나빠지는 경우가 있다. 구체적인 값은, 기판(W)의 두께나 반송용 암의 형상·구조 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면, 거리 H0는 30㎜~100㎜ 정도인 것이 적합하다.
또, 도 4에 나타내는 바와 같이, 열처리 장치(1)에 있어서, 개구부(2a)의 측에 있어서의 저부(1a)로부터 기판(W)까지의 거리를 H1로 하고, 저부(1a)에 있어서의 단차의 높이를 H2로 하고, 단차부(3)에 있어서의 저부(1a)로부터 기판(W)까지의 거리를 H3으로 한다. 거리 H1, H3은 각각, 열처리 공간(2)으로 돌출되어 이루어지는 제1 핀(P1), 제2 핀(P2)의 길이, 즉, 제1 핀(P1), 제2 핀(P2)에 의한 기판(W)의 지지 높이이기도 하다. 거리 H3은, 지지 핀(P)에 의해 지지된 기판(W)에 휨이 발생해도 기판(W)이 단차부(3)와 접촉하지 않도록 정해질 필요가 있다. 구체적인 값은, 기판(W)의 두께나 반송용 암의 형상·구조 등에 따라서도 다르지만, 거리 H3으로서는, 최소 20㎜ 정도를 확보해 두는 것이 바람직하다. 또, 거리 H3을 너무 크게 하면, 후술하는, 단차부(3)를 구비하는 것의 효과를 충분히 얻을 수 없다. 이러한 관점으로부터는, 거리 H3은 거리 H1의 1/2 이하로 되는 것이 바람직하다.
＜열처리의 개략＞
다음에, 이상의 구성을 갖는 열처리 장치(1)에 있어서의 열처리의 개략에 대해서 설명한다. 열처리가 행해질 때는, 우선, 도시하지 않은 반송 기구의 반송용 암에 의해 하방으로부터 지지된, 처리 대상인 고온의 기판(W)이, 지지 핀(P)의 상단보다 위인 높이 위치를 유지하여 열처리 공간(2) 내의 소정의 지지 위치의 상방까지 반입된다. 상술한 바와 같이, 거리 H0이 확보되어 있으므로, 이러한 반입에 있어서 기판(W)과 천면부(1d)는 접촉하지 않는다. 또, 이때, 반송용 암의 진퇴 위치는 간극(4)의 위치와 합치되어 있으므로, 반송용 암이 열처리 장치(1)와 접촉하는 일도 없다.
상기 지지 위치에 도달한 후, 반송용 암이 하강되면, 기판(W)은 강하하고, 지지 핀(P)의 상단과 접한 시점에서 지지 핀(P)에 의해 지지된다. 기판(W)이 지지 핀(P)에 의해 지지되면, 반송용 암은 열처리 공간(2)으로부터 퇴피된다. 이상에 의해, 도 3 및 도 4에 나타내는, 열처리 공간(2) 내에 있어서 기판(W)이 지지 핀(P)에 의해 지지된 상태가 실현된다.
이러한 지지 상태가 실현되면, 배기 장치가 작동되어 배기구(5)로부터 열처리 공간(2) 내의 분위기 가스가 배기된다. 이러한 배기에 따라, 개구부(2a)에서는 끊임없이 새로운 분위기 가스가 수평 방향(Y축 정방향)으로 유입된다. 즉, 열처리 공간(2)에 있어서는, 개략, Y축 정방향을 향하는 분위기 가스의 흐름이 형성된다. 바꾸어 말하면, 연속적인 분위기 치환이 실현된다. 그리고 유입되는 분위기 가스는 기판(W)보다 저온이므로, 기판(W)과 분위기 가스의 사이의 열교환이 연속적으로 발생하고, 시간이 경과함에 따라 기판(W)은 서서히 냉각된다. 소정 온도 이하로 냉각되면, 기판(W)의 열처리가 완료된 것이 된다.
열처리 종료 후는, 반송용 암이 기판(W)보다 낮은 위치에서 열처리 공간(2) 내에 삽입되고, 소정의 유지 위치에서 상승되면, 지지 핀(P)으로 지지되어 있던 기판(W)이 반송용 암으로 하방으로부터 유지되게 된다. 기판(W)을 유지하면, 반송용 암은 그 상태를 유지하여 열처리 공간(2)으로부터 퇴피된다. 또한, 이때도, 기판(W)의 상승은 천면부(1d)와 접촉하지 않는 범위가 되고, 반송용 암의 진퇴 위치는 간극(4)의 위치와 합치되어 있다. 이상에 의해, 기판(W)이 열처리 공간(2)으로부터 반출된다.
＜열처리와 단차의 효과＞
다음에, 열처리 장치(1)가 단차를 구비하고 있음으로써, 열처리시에 얻어진 효과에 대해서 설명한다.
도 5는, 열처리 장치(1)와의 대비를 위해서 나타내는, 단차를 갖지 않고 복수의 지지 핀(P)이 모두 같은 것인 외에는 열처리 장치(1)와 같은 구성을 갖는, 열처리 장치(1001)의 사시도이다. 단, 도 5에 있어서는, 측부(1b, 1c)와 천면부(1d)를 생략하고 있다. 열처리 장치(1001)에 있어서의 기판(W)의 열처리, 즉 기판(W)의 냉각의 방법은, 열처리 장치(1)와 같다. 또, 도 6은, 기판(W)이 지지 핀(P)으로 지지된 상태에 있어서의, 열처리 장치(1001)의 X축에 수직인 단면의 모식도이다. 단, 도 4와 같이, 도 6도, 지지 핀(P)을 통과하지 않는 단면을 나타내는 것으로 한다.
우선, 도 5 및 도 6에 나타내는 열처리 장치(1001)에 있어서, 상술한 형태와 같은 기판(W)의 열처리, 즉 열처리 공간(2)에의 분위기 가스의 유입에 의한 냉각이 행해지는 경우를 생각한다. 이 경우, 기판(W)의 상측에 있어서, 열처리 장치(1001)와의 거리는 장소에 상관없이 같으므로, 배기구(5)로부터의 배기 조건이 일정하면, 기판(W)의 상측에서의 분위기 가스의 유속(Va)은 Y축 방향에 있어서 장소에 상관없이 대략 일정하다. 마찬가지로, 기판(W)의 하측에 있어서도, 열처리 장치(1001)와의 거리는 장소에 상관없이 같으므로, 하측에서의 분위기 가스의 유속(Vb)도, Y축 방향에 있어서 장소에 상관없이 대략 일정하다.
단, 이러한 경우, 개구부(2a)로부터 열처리 공간(2)에 유입된 분위기 가스는, Y축 정방향으로 진행됨에 따라, 기판(W)과의 열교환에 의해 가열된다. 그러므로, 개구부(2a)측으로부터 안쪽 단부(1e)측으로 향할수록, 분위기 가스의 온도는 높아진다. 그러므로 기판(W)은, 개구부(2a)에 가까운 측일수록 빨리 냉각되고, 안쪽 단부(1e)에 가까운 측은 냉각되기 어렵다는 상황이 발생한다. 즉, 열처리 장치(1001)에 의한 냉각은, 그 과정에 있어서, 기판(W)의 면내 위치마다의 온도 편차가 발생하기 쉬운 것이라고 할 수 있다.
이에 대해, 본 실시의 형태와 관련된 열처리 장치(1)의 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 상측에 대해서는, 열처리 장치(1001)와 같이, 열처리 장치(1)와의 거리는 장소에 상관없이 같으므로, 배기구(5)로부터의 배기 조건이 일정하면 분위기 가스의 유속(V)은 Y축 방향에 있어서 장소에 상관없이 대략 일정해진다. 그러나 기판(W)보다 하측에 있어서는, 안쪽 단부(1e)에 가까운 측에 단차부(3)가 구비됨으로써, 간극(4)의 형성 개소 이외에서는, 개구부(2a)측과 안쪽 단부(1e)측에서, 열처리 장치(1)까지의 거리가 다르다. 단적으로 말하면, 일부를 제외하고, 안쪽 단부(1e)측에서는 개구부(2a)측보다 기판(W)보다 하측의 공간이 좁아져 있다. 그러므로 열처리에 있어서, 배기구(5)로부터의 배기 조건이 일정했다고 해도, 개구부(2a)측에 있어서의 분위기 가스의 유속(엄밀하게 말하면 X축 방향에 대해 평균한 값)(V1)보다 안쪽 단부(1e)측에 있어서의 분위기 가스의 유속(상동)(V2)쪽이 커져 있다. 즉, 열처리 장치(1)에 있어서는, 단차부(3)가 구비됨으로써, 기판(W)의 하측에 있어서, 개구부측보다 배기구(5)가 구비되는 안쪽 단부(1e)측쪽이 분위기 가스의 유속이 커지는 유속 분포가 형성되어 이루어진다.
이로 인해, 열처리 장치(1)의 경우, 개구부(2a)측으로부터 안쪽 단부(1e)측으로 향할수록 분위기 가스의 온도가 높아지는 점에 대해서는 열처리 장치(1001)와 같기는 하지만, 안쪽 단부(1e)에 가까운 곳에서는 유속이 크기 때문에, 기판(W)에 의해서 가열된 분위기 가스는, 열처리 장치(1001)보다 신속하게 배기구(5)로부터 배기된다. 즉, 열처리 장치(1001)와 비교하면, 안쪽 단부(1e)에 가까운 장소에 대해서도 저온의 분위기 가스가 공급됨으로써, 효율적인 냉각이 이루어지게 된다. 또한, 기판(W)의 하측이 이와 같이 효율적으로 냉각됨으로써, 기판(W)의 상측의 냉각도 보다 진행하기 쉬워진다. 결과적으로, 열처리 장치(1)에 있어서는, 공냉만으로, 기판(W)의 면내 위치마다의 온도 편차가 작고 균일성이 높은 냉각을, 효율적으로 행할 수 있다.
또한, Y축 방향에 있어서의 단차면(3s)의 형성 위치는, 저부(1a)의 개구부(2a)로부터 안쪽 단부(1e)까지의 거리(저부(1a)의 Y축 방향 거리)를 L로 하고, 개구부(2a)로부터 단차면(3s)까지의 Y축 방향 거리를 a로 했을 때에, L/4≤a≤3L/4를 만족하도록 정해지는 것이 바람직하다. 이러한 경우에, 상술의 유속 분포가 형성됨에 따른 냉각의 균일성이 적합하게 실현된다.
또, 단차의 높이 H2는, 상술한 거리 H3에 의해 규정되게 되지만, 상술의 유속 분포가 형성됨에 따른 냉각의 균일성을 적합하게 얻으려면, 거리 H1의 1/2 이상으로 되는 것이 바람직하다.
＜냉각 과정의 실측 평가＞
이하, 열처리 장치(1) 및 열처리 장치(1001)를 이용한 냉각을 실제로 행하고, 기판(W)의 온도 분포의 시간 변화를 평가한 결과에 대해 설명한다. 도 7은, 평가에 이용한 유리 기판의 사이즈와, 온도 측정 개소(채널)를 나타내는 도면이다.
평가에 있어서는, 기판(W)으로서 도 7에 나타내는 바와 같이, 긴 변 길이가 920㎜이고, 짧은 변 길이가 730㎜이고, 두께가 0.7㎜인 유리 기판을 이용했다. 그리고 유리 기판에는, 5개소×5개소의 매트릭스 형상으로 합계 25개소의 온도 측정 개소(1CH~25CH)를 설정하고, 각각의 개소에 열전대를 부착했다. 그리고 유리 기판을 약 170℃로 가열하고, 그 후, 열처리 장치(1 또는 1001) 내에 반입하고, 냉각을 행했다. 또한, 분위기 가스의 온도는 약 20℃였다. 반입에 있어서는, 유리 기판의 긴 변이 X축 방향으로 평행이 되고, 짧은 변이 Y축 방향으로 평행이 되도록 함과 더불어, 25개소의 온도 측정 개소에 대해서, 1CH~5CH가 개구부(2a)에 가깝고, 이후, 6CH~10CH, 11CH~15CH, 16CH~20CH, 21CH~25CH의 순으로 안쪽 단부(1e)에 가까워지도록 했다. 또한, 이들 5CH마다의 채널의 조를 채널군이라고 칭한다.
또한, 열처리 장치(1)로서는, 단차 위치(Y축 방향에 있어서의 단차면(3s)의 형성 위치)가 다른 3종류의 것을 준비했다. 구체적으로는, 상술의 거리(a)를 이하와 같이 달리한 3개의 열처리 장치(1A, 1B, 1C)를 준비했다.
열처리 장치(1A):a=L/4；
열처리 장치(1B):a=L/2；
열처리 장치(1C):a=3L/4.
도 8 내지 도 10은, 각각의 열처리 장치(1(1A, 1B, 1C))로 열처리를 행했을 때의 온도를, 열처리 장치(1001)로 열처리를 행했을 때의 온도에 대한 차분치로서 나타내는 도면이다. 도 8이 열처리 장치(1A)에 대한 결과를 나타내고, 도 9가 열처리 장치(1B)에 대한 결과를 나타내고, 도 10이 열처리 장치(1C)에 대한 결과를 나타내고 있다.
더욱 상세하게는, 각각의 열처리 장치(1(1A, 1B, 1C))와 열처리 장치(1001)에 있어서의 각 측정 시각에서의 각 CH의 측정치에 대해서, 열처리 장치(1001)에서의 측정치로부터, 각각의 열처리 장치(1(1A, 1B, 1C))에서의 측정치를 공제하여 얻어진 값을, Y축 방향에 있어서의 위치가 같은 채널의 조인 채널군마다 평균한 다음, 열처리 시간에 대해 플로트한 것이다. 또한, 도 8 내지 도 10에 있어서는, 편의상, 열처리 장치(1)에 대한 측정치를 「실시예 온도」라고 칭하고, 열처리 장치(1001)에 대한 측정치를 「비교예 온도」라고 하고 있다.
도 8 내지 도 10에 있어서, 어느 채널군의 어느 측정 시각에서의 차분치가 크다는 것은, 상기 채널군의 위치에 있어서, 상기 시각에서의 열처리 장치(1)에서의 냉각이 열처리 장치(1001)에서의 냉각보다 진행되어 있는 것을 의미하고 있다.
도 8 내지 도 10을 보면, 3종류의 열처리 장치(1) 중 어느 것에 있어서도, 냉각 초기를 제외하고는, 대부분의 채널군에 있어서 차분치가 양으로 되어 있다. 차분치가 양이라는 것은, 동일 시각에 기판(W)의 동일 채널군의 위치에 있어서, 열처리 장치(1001)에 의한 냉각보다 열처리 장치(1)에 의한 냉각쪽이 진행되어 있는 것을 의미하고 있으므로, 이러한 결과는, 적어도 L/4≤a≤3L/4를 충족시키도록 저부(1a)에 단차를 설치하는 것이, 냉각의 효율성을 높이는데 유효한 것을 가리키고 있다. 또한, 도 8 및 도 9의 1CH-5CH의 경우만, 냉각 후기에 있어서 0℃~-1℃의 범위에서 음으로 되어 있지만, 이것은, 개구부(2a)에 가까운 곳에서는, 열처리 장치(1001)에서도 높은 냉각 효과를 얻을 수 있는 것에 기인한 결과이며, 단차의 효과에는 관계되지 않는 것으로 생각할 수 있다.
특히, 도 9에 나타내는, a=L/2인, 즉 단차가 저부(1a)의 정확히 중간에 있는 열처리 장치(1B)로 냉각을 행한 경우에 있어서는, 21CH~25CH에서의 차분치가 가장 크고, 다음에 16CH~20CH에서의 차분치가 커져 있다. 이것은, 열처리 장치(1B)에서는, 안쪽 단부(1e)에 가까운 위치에 있어서의 기판(W)의 냉각이 보다 효율적으로 행해지고 있는 것을 나타내고 있다.
이상, 설명한 바와 같이, 본 실시의 형태에 의하면, 한쪽이 개구된 내부 공간에 있어서 핀으로 지지된 기판을, 내부 공간으로부터의 강제적인 배기에 의해 개구부로부터 분위기 가스를 유입시킴으로써 냉각하는 열처리 장치에 있어서, 저부에 단차를 설치하고, 기판의 하측에 있어서, 개구부 근방에 있어서의 분위기 가스의 유속보다 배기구 근방에 있어서의 분위기 가스의 유속이 커지도록 함으로써, 기판의 냉각을, 공냉만으로 온도 균일성을 유지하면서 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 이러한 효율적인 냉각이, 기판을 핀 상에 올리고, 배기에 의한 분위기 가스의 유입만으로 냉각을 행한다고 하는, 구성이 비교적 간단하고, 또한 기판의 핸들링도 비교적 용이한 장치로 행할 수 있다.
＜변형예＞
열처리 장치에 있어서 유속 분포를 실현하는 형태는, 상술의 실시의 형태에 나타낸 것으로는 한정되지 않는다. 도 11 내지 도 13은, 열처리 장치의 여러 가지의 변형예를 나타내는 사시도이다. 어떤 경우도, 기판(W)이 지지 핀(P)으로 지지된 상태에 있어서, 기판(W)의 하측에, 개구부(2a) 근방보다 안쪽 단부(1e) 근방쪽이 분위기 가스의 유속이 커지는 유속 분포가 형성된다. 이로 인해, 기판(W)의 냉각 효율의 향상이 실현된다.
도 11에 나타내는 열처리 장치(201)는, 저부(1a)에 단차부(3)를 구비하는 대신에, 안쪽 단부(1e)를 향할수록 기판(W)과의 간격이 좁아지는 형태로 경사부(203)를 구비한다. 경사부(203)는, X축으로 수직인 위치에 삼각형의 단차면(203s)을 구비한다.
도 12에 나타내는 열처리 장치(301)는, 측부(1b, 1c)와 단차부(3)가 이격되고, 상기 이격 부분에 간극(304)이 형성된 구성을 갖는다. 이것은, X축 방향에 있어서의 유속 분포에 착안한 경우, 측부(1b, 1c)의 근방에서는 상대적으로 유속이 커지는 경향이 있는 것을 고려한 구성이다.
도 13에 나타내는 열처리 장치(401)는, 제1 단차부(403a)와 제3 단차부(403c)의 단차면이 곡면으로 되어 있고, 양자 간에는, 안쪽 단부(1e)를 향할수록 기판(W)과의 간격이 좁아지는 형태의 곡면 경사부(403b)를 구비한다. 도 13은, 단차면이 직사각형일 필요는 없는 것, 및 단차부가 곡면 형상을 갖고 있어도 되는 것을 나타내고 있다.
또한, 상술의 실시의 형태나 도 11 내지 도 13에 나타낸 열처리 장치가 구비되는 단차부나 경사부 등이 적절히 조합되는 형태여도 된다.
또, 상술의 실시의 형태에서는, 기판(W)의 상방에 있어서는 천면부(1d)와의 거리가 장소에 상관없이 일정하게 되어 있지만, 기판(W)의 상측에 있어서도, 기판(W)의 반입·반출에 지장이 없는 한에 있어서는, 단차를 설치하는 등의 형태로 유속 분포가 형성되도록 열처리 장치(1)가 구성되어도 된다.
또, 상술의 실시의 형태에서는, 설치한 단차부가 1단으로 되어 있지만, 개구부측으로부터 배기구측을 향해, 단계적으로 단차가 증가하는(계단 형상) 구조로 해도 된다. 이러한 구조로 함으로써, 큰 사이즈의 기판에 있어서도 냉각 효율의 향상이 실현된다.
1, 201, 301, 401, 1001: 열처리 장치 1a: (열처리 장치)의 저부
1b, 1c: (열처리 장치의) 측부 1d: (열처리 장치의) 천면부
1e: (열처리 장치의) 안쪽 단부 1f: (열처리 장치의) 다리부
2: 열처리 공간 3: 단차부
3s: 단차면 4: 간극
5: 배기구 P: 지지 핀
W: 기판

Claims (8)

  1. 기판을 수용한 수용부에 외부로부터 분위기 가스를 유입시킴으로써 기판을 냉각하는 열처리 장치로서,
    기판을 수용하는 수용부가,
    기판을 수평하게 지지하기 위한 복수의 지지 핀과,
    상기 분위기 가스가 외부로부터 수평 방향으로 유입되는 개구부와,
    상기 개구부에 대향하는 위치에 설치된, 상기 분위기 가스를 배기하기 위한 배기구와,
    상기 기판이 상기 지지 핀으로 수평하게 지지되어 상기 분위기 가스에 의해 냉각될 때에, 적어도 상기 기판의 하측에 있어서의 상기 분위기 가스의 흐름에, 상기 개구부측보다 상기 배기구가 구비되는 측쪽이 유속이 커지는 유속 분포를 발생시키는 유속 분포 부여 수단을 구비하며,
    상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 배기구가 구비되는 측에 있어서의 상기 기판과 상기 수용부의 거리를 상기 개구부측에 있어서의 상기 기판과 상기 수용부의 거리보다 좁힘으로써, 상기 유속 분포를 발생시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 수용부의 저부에 있어서, 상기 배기구가 구비되는 측과 상기 개구부측에 설치된 단차인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 단차의 형성 위치와 상기 개구부의 거리가, 상기 개구부와 상기 배기구가 구비되는 위치의 거리의 1/4 이상 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  4. 기판을 주위의 분위기 가스와의 온도차를 이용하여 냉각하는 열처리 장치로서,
    기판을 수평하게 지지하는 복수의 지지 핀이 돌출되어 이루어지는 저부와,
    상기 저부에 수직인 측부와,
    상기 저부와 대향하는 천면부와,
    상기 저부와, 상기 측부와, 상기 천면부에 수직인 안쪽 단부에 의해 둘러싸인 열처리 공간을 가지며,
    상기 안쪽 단부가, 상기 열처리 공간으로부터 분위기 가스를 배기하기 위한 배기구를 구비하고,
    상기 열처리 장치는,
    상기 지지 핀으로 수평하게 지지된 상기 기판을 냉각하기 위해 상기 배기구로부터 상기 분위기 가스를 배기함으로써 상기 열처리 공간에 새로운 상기 분위기 가스를 유입시킬 때에, 적어도 상기 기판의 하측에 있어서, 상기 열처리 공간의 개구부측보다 상기 배기구가 구비되는 측쪽이 상기 분위기 가스의 유속이 커지는 유속 분포를 발생시키는 유속 분포 부여 수단을 더 구비하며,
    상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 배기구가 구비되는 측에 있어서의 상기 기판과 상기 저부의 거리를 상기 개구부측에 있어서의 상기 기판과 상기 저부의 거리보다 좁힘으로써, 상기 유속 분포를 발생시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 유속 분포 부여 수단이, 상기 저부에 있어서, 상기 배기구가 구비되는 측과 상기 개구부측에 설치된 단차인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 단차의 형성 위치와 상기 개구부의 거리가, 상기 개구부와 상기 안쪽 단부의 거리의 1/4 이상 3/4 이하인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020130018476A 2012-03-29 2013-02-21 열처리 장치 KR101442394B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-076172 2012-03-29
JP2012076172A JP5856890B2 (ja) 2012-03-29 2012-03-29 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130111275A KR20130111275A (ko) 2013-10-10
KR101442394B1 true KR101442394B1 (ko) 2014-09-17

Family

ID=49368280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130018476A KR101442394B1 (ko) 2012-03-29 2013-02-21 열처리 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5856890B2 (ko)
KR (1) KR101442394B1 (ko)
CN (1) CN103367201B (ko)
TW (1) TWI505369B (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH087133B2 (ja) * 1990-08-31 1996-01-29 日機装株式会社 表面積測定装置の基準値校正方法
KR100706236B1 (ko) 2004-11-11 2007-04-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 건식 클리닝 장치
KR100825967B1 (ko) 2006-11-03 2008-04-29 (주)리드 인터페이스 유닛과 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판의온도 조절 방법
JP4087133B2 (ja) 2002-03-22 2008-05-21 株式会社リコー 電子回路基板の冷却構造

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0897124A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Hitachi Ltd 表面処理装置
JP3909222B2 (ja) * 2000-06-20 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TW544775B (en) * 2001-02-28 2003-08-01 Japan Pionics Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition method
JP4410147B2 (ja) * 2005-05-09 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
JP5105396B2 (ja) * 2006-04-12 2012-12-26 東京応化工業株式会社 加熱処理装置
JP4559454B2 (ja) * 2007-07-06 2010-10-06 エスペック株式会社 板状体冷却装置、熱処理システム
JP5195640B2 (ja) * 2009-05-22 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP5107318B2 (ja) * 2009-08-24 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置
JP5525972B2 (ja) * 2010-09-06 2014-06-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板冷却装置
CN102116667A (zh) * 2011-01-14 2011-07-06 重庆工业自动化仪表研究所 一种能提供两种流场的大口径气体流量标准装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH087133B2 (ja) * 1990-08-31 1996-01-29 日機装株式会社 表面積測定装置の基準値校正方法
JP4087133B2 (ja) 2002-03-22 2008-05-21 株式会社リコー 電子回路基板の冷却構造
KR100706236B1 (ko) 2004-11-11 2007-04-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 사용되는 건식 클리닝 장치
KR100825967B1 (ko) 2006-11-03 2008-04-29 (주)리드 인터페이스 유닛과 이를 이용한 기판 처리 장치 및 기판의온도 조절 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130111275A (ko) 2013-10-10
JP5856890B2 (ja) 2016-02-10
TWI505369B (zh) 2015-10-21
JP2013207164A (ja) 2013-10-07
TW201340213A (zh) 2013-10-01
CN103367201B (zh) 2016-02-24
CN103367201A (zh) 2013-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9214371B2 (en) Thermal treatment apparatus and thermal treatment method
KR101664939B1 (ko) 로드록 장치
US20120000629A1 (en) Substrate processing apparatus
JP2016018994A (ja) 処理チャンバの上流の基板をプリベークする装置及び方法
WO2016117588A1 (ja) 基板処理装置
CN102246290B (zh) 衬底冷却装置及衬底处理系统
JP2013033965A (ja) 基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法
CN107017182B (zh) 基板处理设备
TW201604302A (zh) 蒸發源陣列
JP4752782B2 (ja) 加熱装置及び加熱方法
US9606454B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing system
JP5525972B2 (ja) 基板冷却装置
JP5125031B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
KR101442394B1 (ko) 열처리 장치
CN113604786A (zh) 半导体设备的加热器及半导体设备
US10115611B2 (en) Substrate cooling method, substrate transfer method, and load-lock mechanism
KR20170055819A (ko) 기판 처리 장치
JP6785848B2 (ja) ミリ秒アニールシステムのためのガスフロー制御
TWI545671B (zh) 基板冷卻單元及基板處理設備
KR20180051914A (ko) 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치
US20110217852A1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP3916040B2 (ja) 反応管及び熱処理装置
KR20180051911A (ko) 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치
CN105742205A (zh) 基片处理腔室及半导体加工设备
US20230311153A1 (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170823

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180816

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190819

Year of fee payment: 6