CN116083879A - 化学气相沉积炉及其进气机构和进气方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种化学气相沉积炉及其进气机构和进气方法。化学气相沉积炉包括炉体,炉体设有用于容置晶圆的容纳腔,进气机构包括:至少一进气管,设于炉体上且位于容纳腔外;至少一进气板,设于容纳腔内;每一进气板的第一端伸出炉体外,并与进气管相连,每一进气板的第二端朝向容纳腔的底部延伸;每一进气板朝向容纳腔内的晶圆的一侧设有出气口组,出气口组包括分别与进气管和容纳腔相连通的多个出气口,同一进气板上的多个出气口围绕于容纳腔内的晶圆间隔布设。利用该进气机构可使反应气体从多个方向朝向容纳腔内的晶圆的表面扩散,进而能提高晶圆的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种化学气相沉积炉及其进气机构和进气方法。
背景技术
相关技术中,通常会借助于化学气相沉积炉对晶圆进行化学气相沉积或原子层沉积,化学气相沉积炉上设有一个用于向化学气相沉积炉内通入反应气体的进气管道,使得反应气体能够扩散到化学气相沉积炉内放置的晶圆的表面,从而在晶圆的表面进行沉积。然而,利用该传统的化学气相沉积炉制备得到的晶圆的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性不佳。
发明内容
基于此,有必要针对传统的化学气相沉积炉制备得到的晶圆的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性不佳的问题,提供一种化学气相沉积炉及其进气机构和进气方法。
根据本申请的一个方面,提供了一种用于化学气相沉积炉的进气机构,所述化学气相沉积炉包括炉体,所述炉体设有用于容置晶圆的容纳腔,所述进气机构包括:
至少一进气管,设于所述炉体上且位于所述容纳腔外;
至少一进气板,设于所述容纳腔内;
其中,每一所述进气板具有沿所述炉体的轴线方向相对设置的第一端和第二端;
每一所述进气板的第一端伸出所述炉体外,并与所述进气管相连,每一所述进气板的第二端朝向所述容纳腔的底部延伸;
每一所述进气板朝向所述容纳腔内的所述晶圆的一侧设有出气口组,所述出气口组包括分别与所述进气管和所述容纳腔相连通的多个出气口,同一所述进气板上的多个所述出气口围绕于所述容纳腔内的所述晶圆间隔布设。
在其中一个实施例中,所述容纳腔沿所述炉体的轴线方向延伸,所述容纳腔内设有沿所述炉体的轴线方向间隔设置的多个所述晶圆;
每一所述进气板朝向所述容纳腔内的所述晶圆的一侧设有沿所述炉体的轴线方向间隔设置的多个所述出气口组。
在其中一个实施例中,每一所述进气板具有分别与所述进气管和所述出气口相连通的进气腔,每一所述进气板朝向所述容纳腔内的所述晶圆的一侧设有弧形出气面,所述弧形出气面沿所述炉体的径向方向向内凹陷;
所述出气口组设于对应的所述弧形出气面,同一所述出气口组的多个所述出气口沿所述弧形出气面的弧长方向间隔设置。
在其中一个实施例中,每一所述进气板背离所述晶圆的一侧与所述容纳腔的侧壁之间具有预设间隔。
在其中一个实施例中,所述进气板设有多个,多个所述进气板围绕于所述容纳腔内的所述晶圆间隔布设。
在其中一个实施例中,所述进气机构还包括设于所述炉体上且位于所述容纳腔外的分流部件,多个所述进气板的第一端通过所述分流部件与所述进气管连接;
所述分流部件具有与所述进气管相连通的分流腔,以及与所述分流腔相连通的多个分流出口,每一所述分流出口与对应的所述进气板的多个所述出气口相连通。
在其中一个实施例中,所述分流部件包括分流主体和与所述分流主体相连且与所述进气板一一对应的多个分流管组;
每一所述分流管组包括多个分流管;
每一所述进气板的第一端通过对应的分流管组的多个所述分流管与所述分流主体相连;
所述分流腔形成于所述分流主体内,所述分流出口形成于所述分流管与所述分流主体的连接处。
根据本申请的另一个方面,本申请提供了一种化学气相沉积炉,包括上述的用于化学气相沉积炉的进气机构。
在其中一个实施例中,所述化学气相沉积炉还包括出气机构,所述出气机构包括:
多个废气排出口,设于所述炉体上,且位于所述容纳腔外,每一所述废气排出口分别与所述容纳腔和外界环境相连通。
根据本申请的另一个方面,本申请还提供了一种进气方法,利用上述的用于化学气相沉积炉的进气机构或上述的化学气相沉积炉进行进气,所述进气板设有多个,多个所述进气板围绕于所述容纳腔内的所述晶圆间隔布设,每一所述进气板具有分别与所述进气管和所述出气口相连通的进气腔,所述进气方法包括:
同时向多个所述进气板的所述进气腔内通入反应气体;或
所述进气方法包括:
依次向多个所述进气板的所述进气腔内通入反应气体。
上述化学气相沉积炉及其进气机构和进气方法,该用于化学气相沉积炉的进气机构使用时,可向进气管内通入反应气体,使得反应气体可通过每一进气板上的多个出气口朝向容纳腔内的晶圆的表面扩散,由于同一进气板上的多个出气口围绕于容纳腔内的晶圆间隔布设,可使反应气体从多个方向朝向容纳腔内的晶圆的表面扩散,进而能提高晶圆的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性。
附图说明
图1示出了本申请一实施例中的用于化学气相沉积炉的结构示意图;
图2示出了本申请一实施例中的用于化学气相沉积炉的局部结构示意图;
图3示出了本申请一实施例中的用于化学气相沉积炉的进气机构的结构示意图;
图4示出了本申请一实施例中的进气板的结构示意图。
图中:10、化学气相沉积炉;110、炉体;111、容纳腔;210、进气管;220、进气板;221、第一端;222、第二端;223、出气口;224、弧形出气面;225、弧形背面;230、分流部件;231、分流主体;232、分流管;241、废气排出口;242、废气管;250、安装架;20、晶圆。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
本申请的发明人经过研究发现,传统的化学气相沉积炉的进气管道的出气方向比较单一,导致通入化学气相沉积炉内的反应气体从一个方向往化学气相沉积炉内的晶圆的表面扩散,导致晶圆靠近进气管道的一端的表面所沉积的薄膜层的厚度和组分与晶圆远离进气管道的一端的表面所沉积的薄膜层的厚度和组分存在较大的差异,进而导致晶圆的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性不佳。
为了解决利用该传统的化学气相沉积炉制备得到的晶圆的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性不佳的问题,本申请的发明人经过深入研究,设计了一种用于化学气相沉积炉的进气机构,化学气相沉积炉具有用于容纳晶圆的容纳腔,进气机构包括至少一进气管和至少一进气板,进气板上的多个出气口围绕于晶圆间隔布设,使得反应气体能够通过多个出气口从多个方向朝向晶圆的表面扩散,提高晶圆的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性。
图1示出了本申请一实施例中的用于化学气相沉积炉10的结构示意图,图2示出了本申请一实施例中的用于化学气相沉积炉10的局部结构示意图。
请参阅图1及图2,化学气相沉积炉10包括炉体110,炉体110设有用于容置晶圆20的容纳腔111。
图3示出了本申请一实施例中的用于化学气相沉积炉10的进气机构结构示意图。
请参阅图1-图3,本申请一实施例提供的用于化学气相沉积炉10的进气机构,包括至少一个进气管210以及至少一个进气板220,进气管210设于炉体110上且位于容纳腔111外,至少一个进气板220设于容纳腔111内。
每一进气板220具有沿炉体110的轴线方向相对设置的第一端221和第二端222,每一进气板220的第一端221伸出炉体110外,并与进气管210相连,每一进气板220的第二端222朝向容纳腔111的底部延伸。
每一进气板220朝向容纳腔111内的晶圆20的一侧设有出气口组,出气口组包括分别与进气管210和容纳腔111相连通的多个出气口223,同一进气板220上的多个出气口223围绕于容纳腔111内的晶圆20间隔布设。
该用于化学气相沉积炉10的进气机构使用时,可向进气管210内通入反应气体,使得反应气体可通过每一进气板220上的多个出气口223朝向容纳腔111内的晶圆20的表面扩散,由于同一进气板220上的多个出气口223围绕于容纳腔111内的晶圆20间隔布设,可使反应气体从多个方向朝向容纳腔111内的晶圆20的表面扩散,进而能提高晶圆20的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性。
需要说明的是,进气管210的数量可以为一个,也可以为多个,可分别向多个进气管210通入不同的反应气体,在此不作具体限制。具体到如图1及图2所示的实施例中,进气管210的数量为5个,可根据需要向5个进气管210通入不同的反应气体,反应气体包括但不限于O3、TMA(三甲胺)、H2O、惰性载气(如N2)和NH3(氨气)等。
在本申请的一些实施例中,请参阅图1及图2,进气板220设有多个,多个进气板220围绕于容纳腔111内的晶圆20间隔布设,如此设置,既可同时朝向多个进气板220的出气口223通入反应气体,也可先后朝向多个进气板220的出气口223通入反应气体。当同时朝向多个进气板220的出气口223通入反应气体,可以提高反应气体进入炉体110的效率和均匀性,进而提高晶圆20的表面所沉积的薄膜层的沉积效率,还可提升晶圆20的表面所沉积的薄膜层的质量。当先后朝向多个进气板220的出气口223通入反应气体时,可避免因不同的进气板220同时通入反应气体而产生气体对流和扰动,可以进一步地提升晶圆20的表面所沉积的薄膜层的质量。如此,可根据实际需要选择合适的进气方法。
在本申请的一些实施例中,请参阅图1及图2,容纳腔111沿炉体110的轴线方向延伸,容纳腔111内设有沿炉体110的轴线方向间隔设置的多个晶圆20,每一进气板220朝向容纳腔111内的晶圆20的一侧设有沿炉体110的轴线方向间隔设置的多个出气口组。
可以理解的是,可以使出气口组和晶圆20一一对应,如此,通入进气板220的反应气体可分别通过出气口组的多个出气口223朝向对应的晶圆20的表面扩散,可以一一对应地在晶圆20的表面沉积薄膜层,也可提高多个晶圆20的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性。
在本申请的一些实施例中,请参阅图2、图3及图4,每一进气板220具有分别与进气管210和出气口223相连通的进气腔,每一进气板220朝向容纳腔111内的晶圆20的一侧设有弧形出气面224,弧形出气面224沿炉体110的径向方向向内凹陷。出气口组设于对应的弧形出气面224,同一出气口组的多个出气口223沿弧形出气面224的弧长方向间隔设置。
弧形出气面224沿炉体110的径向方向向内凹陷,如此,可避免从设置于弧形出气面224上的出气口组中的任意两个出气口223流出的反应气体之间产生对流和扰动,更有利于反应气体的均匀扩散,也能更好地提升晶圆20的表面所沉积的薄膜层的质量。
在本申请的一些实施例中,每一进气板220背离晶圆20的一侧与容纳腔111的侧壁之间具有预设间隔。
如此设置,可使安置在炉体110内的进气板220与炉体110的内侧壁之间保持一定的间隙,这样可防止进气板220在沉积工艺过程中由于热应力产生轻微形变而与炉体110的内侧壁发生刮擦,也能避免出现因刮擦而产生的大量纳米/微米颗粒掉落在晶圆20上,避免出现影响芯片的良率的情况。
在本申请的一些实施例中,请参阅图4,每一进气板220背离晶圆20的一侧设有与弧形出气面224相背设置的弧形背面225,弧形背面225沿炉体110的径向方向向外凹陷,弧形背面225与炉体110的内侧壁的弧度一致,能更好地避免进气板220在沉积工艺过程中由于热应力产生轻微形变而与炉体110的内侧壁发生刮擦。
在本申请的一些实施例中,请参阅图1及图2,进气机构还包括设于炉体110上且位于容纳腔111外的分流部件230,多个进气板220的第一端221通过分流部件230与进气管210连接,分流部件230具有与进气管210相连通的分流腔,以及与分流腔相连通的多个分流出口,每一分流出口与对应的进气板220的多个出气口223相连通。
如此设置,可使进入进气管210的反应气体流入分流部件230的分流腔内,并经由多个分流出口流出,流出分流出口的反应气体可流向对应的进气板220的多个出气口223,可使反应气体均匀地流向多个进气板220的出气口223,有利于提升晶圆20的表面所沉积的薄膜层的质量。
在本申请的一些实施例中,请参阅图1及图2,分流部件230包括分流主体231和与分流主体231相连且与进气板220一一对应的多个分流管组,每一分流管组包括多个分流管232,每一进气板220的第一端221通过对应的分流管组的多个分流管232与分流主体231相连,分流腔形成于分流主体231内,分流出口形成于分流管232与分流主体231的连接处。
如此设置,可使进入进气管210的反应气体流入分流部件230的分流腔内,并经由分流管组的多个分流管232流向对应的进气板220的多个出气口223,能使反应气体更均匀地流向进气板220,反应气体的分流效果更好,也有利于提升晶圆20的表面所沉积的薄膜层的质量。
在一些实施例中,多个进气管210均连接于分流主体231的进气侧。具体到如图1及图2所示的实施例中,多个进气管210均连接于分流主体231的顶端。
在本申请的一些实施例中,本申请一实施例提供的一种化学气相沉积炉10,包括上述的用于化学气相沉积炉10的进气机构。
在本申请的一些实施例中,请参阅图2及图4,化学气相沉积炉10还包括出气机构,出气机构包括多个废气排出口241,多个废气排出口241设于炉体110上,且位于容纳腔111外,每一废气排出口241分别与容纳腔111和外界环境相连通。
沉积工艺过程中,沉积反应后产生的过量的反应气体可通过废气排出口241排出化学气相沉积炉10外。
请参阅图3及图4,炉体110上设有与废气排出口241一一对应的多个废气管242,废气管242分别与外界环境和对应的废气排出口241相连通,如此,沉积反应后产生的过量的反应气体可通过废气排出口241和对应的废气管242排出化学气相沉积炉10外。
在本申请的一些实施例中,请参阅图2,炉体110内设有至少一安装架250,安装架250设有用于安装晶圆20的安装槽,晶圆20可通过安装槽安装于安装架250。
安装架250可以设置一个,安装架250也可以设置多个,在此不作具体限制,只要能使多个晶圆20沿炉体110的轴线方向间隔布设于炉体110的容纳腔111内即可。示例性地,三个安装架250围绕于炉体110的中心轴线等间距设置,每一安装架250朝向晶圆20一侧设有沿炉体110的轴线方向间隔布设的多个安装槽,每一晶圆20分别安装于三个安装架250,可使多个晶圆20沿炉体110的轴线方向间隔布设于炉体110的容纳腔111内。
容纳腔111内设有沿炉体110的轴线方向间隔设置的多个晶圆20。本申请一实施例提供的用于化学气相沉积炉10的进气机构,包括多个进气管210以及多个进气板220,多个进气管210设于炉体110上且位于容纳腔111外,多个进气板220设于容纳腔111内,且多个进气板220围绕于容纳腔111内的晶圆20间隔布设。每一进气板220具有沿炉体110的轴线方向相对设置的第一端221和第二端222,每一进气板220的第一端221伸出炉体110外,并与多个进气管210相连,每一进气板220的第二端222朝向容纳腔111的底部延伸。每一进气板220朝向容纳腔111内的晶圆20的一侧设有沿炉体110的轴线方向间隔设置的多个出气口组,每一出气口组包括分别与进气管210和容纳腔111相连通的多个出气口223,同一进气板220上的多个出气口223围绕于容纳腔111内的晶圆20间隔布设。
该化学气相沉积炉10使用时,可使通入进气板220的反应气体可分别通过出气口组的多个出气口223朝向对应的晶圆20的表面扩散,可以一一对应地晶圆20的表面沉积薄膜层,可以提高多个晶圆20的表面所沉积的薄膜层的厚度的均匀性。
本申请一实施例提供的一种进气方法,利用上述的用于化学气相沉积炉10的进气机构或上述的化学气相沉积炉10进行进气,进气板220设有多个,多个进气板220围绕于容纳腔111内的晶圆20间隔布设,每一进气板220具有分别与进气管210和出气口223相连通的进气腔,进气方法包括:
同时向多个进气板220的进气腔内通入反应气体。
通过该进气方法进行进气,可以提高反应气体进入炉体110的效率和均匀性,进而提高晶圆20的表面所沉积的薄膜层的沉积效率,还可提升晶圆20的表面所沉积的薄膜层的质量。
在另一些实施例中,进气方法包括:
依次向多个进气板220的进气腔内通入反应气体。
通过该进气方法进行进气,可避免因不同的进气板220同时通入反应气体而产生气体对流和扰动,可以进一步地提升晶圆20的表面所沉积的薄膜层的质量。
如此,可根据实际需要选择合适的进气方法。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种用于化学气相沉积炉的进气机构,所述化学气相沉积炉包括炉体(110),所述炉体(110)设有用于容置晶圆(20)的容纳腔(111),其特征在于,所述进气机构包括:
至少一进气管(210),设于所述炉体(110)上且位于所述容纳腔(111)外;
至少一进气板(220),设于所述容纳腔(111)内;
其中,每一所述进气板(220)具有沿所述炉体(110)的轴线方向相对设置的第一端(221)和第二端(222);
每一所述进气板(220)的第一端(221)伸出所述炉体(110)外,并与所述进气管(210)相连,每一所述进气板(220)的第二端(222)朝向所述容纳腔(111)的底部延伸;
每一所述进气板(220)朝向所述容纳腔(111)内的所述晶圆(20)的一侧设有出气口组,所述出气口组包括分别与所述进气管(210)和所述容纳腔(111)相连通的多个出气口(223),同一所述进气板(220)上的多个所述出气口(223)围绕于所述容纳腔(111)内的所述晶圆(20)间隔布设。
2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积炉的进气机构,其特征在于,所述容纳腔(111)沿所述炉体(110)的轴线方向延伸,所述容纳腔(111)内设有沿所述炉体(110)的轴线方向间隔设置的多个所述晶圆(20);
每一所述进气板(220)朝向所述容纳腔(111)内的所述晶圆(20)的一侧设有沿所述炉体(110)的轴线方向间隔设置的多个所述出气口组。
3.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积炉的进气机构,其特征在于,每一所述进气板(220)具有分别与所述进气管(210)和所述出气口(223)相连通的进气腔,每一所述进气板(220)朝向所述容纳腔(111)内的所述晶圆(20)的一侧设有弧形出气面(224),所述弧形出气面(224)沿所述炉体(110)的径向方向向内凹陷;
所述出气口组设于对应的所述弧形出气面(224),同一所述出气口组的多个所述出气口(223)沿所述弧形出气面(224)的弧长方向间隔设置。
4.根据权利要求1-3任一项所述的用于化学气相沉积炉的进气机构,其特征在于,每一所述进气板(220)背离所述晶圆(20)的一侧与所述容纳腔(111)的侧壁之间具有预设间隔。
5.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积炉的进气机构,其特征在于,所述进气板(220)设有多个,多个所述进气板(220)围绕于所述容纳腔(111)内的所述晶圆(20)间隔布设。
6.根据权利要求5所述的用于化学气相沉积炉的进气机构,其特征在于,所述进气机构还包括设于所述炉体(110)上且位于所述容纳腔(111)外的分流部件(230),多个所述进气板(220)的第一端(221)通过所述分流部件(230)与所述进气管(210)连接;
所述分流部件(230)具有与所述进气管(210)相连通的分流腔,以及与所述分流腔相连通的多个分流出口,每一所述分流出口与对应的所述进气板(220)的多个所述出气口(223)相连通。
7.根据权利要求6所述的用于化学气相沉积炉的进气机构,其特征在于,所述分流部件(230)包括分流主体(231)和与所述分流主体(231)相连且与所述进气板(220)一一对应的多个分流管组;
每一所述分流管组包括多个分流管(232);
每一所述进气板(220)的第一端(221)通过对应的分流管组的多个所述分流管(232)与所述分流主体(231)相连;
所述分流腔形成于所述分流主体(231)内,所述分流出口形成于所述分流管(232)与所述分流主体(231)的连接处。
8.一种化学气相沉积炉,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的用于化学气相沉积炉的进气机构。
9.根据权利要求8所述的化学气相沉积炉,其特征在于,所述化学气相沉积炉还包括出气机构,所述出气机构包括:
多个废气排出口(241),设于所述炉体(110)上,且位于所述容纳腔(111)外,每一所述废气排出口(241)分别与所述容纳腔(111)和外界环境相连通。
10.一种进气方法,其特征在于,利用权利要求1-7任一项所述的用于化学气相沉积炉的进气机构或权利要求8-9任一项所述的化学气相沉积炉进行进气,所述进气板(220)设有多个,多个所述进气板(220)围绕于所述容纳腔(111)内的所述晶圆(20)间隔布设,每一所述进气板(220)具有分别与所述进气管(210)和所述出气口(223)相连通的进气腔,所述进气方法包括:
同时向多个所述进气板(220)的所述进气腔内通入反应气体;或
所述进气方法包括:
依次向多个所述进气板(220)的所述进气腔内通入反应气体。
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