CN117187791A - 薄膜制备设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种薄膜制备设备，用于在基板表面沉积钝化膜，包括：第一沉积装置；第二沉积装置，所述第一沉积装置与所述第二沉积装置沿第一方向依次排布；运输机构，用于沿所述第一方向输送所述基板，以使所述基板依次流经所述第一沉积装置与所述第二沉积装置；所述第一沉积装置用于在所述基板表面沉积第一钝化膜，所述第二沉积装置用于在所述第一钝化膜表面沉积致密度小于所述第一钝化膜的第二钝化膜，且所述第二沉积装置的沉积速率大于所述第一沉积装置的沉积速率。该薄膜制备设备，其制备效率较高，且所制备的钝化膜的钝化效果较好。

Description

薄膜制备设备

技术领域

本申请涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种薄膜制备设备。

背景技术

在光伏电池生产过程中，通常需要在硅片表面生长氧化铝等钝化膜，以提高电池的光电转换效率。相关技术中，一些薄膜制备设备虽然能制备出钝化效果较好的钝化膜，但其制备效率较低，另一些薄膜制备设备虽然制备效率较高，但所制备的钝化膜的钝化效果不佳。因此，如何使薄膜制备设备兼顾制备效率与钝化膜的钝化效果成为亟待解决的一个问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种薄膜制备设备，其制备效率较高，且所制备的钝化膜的钝化效果较好。

一种薄膜制备设备，用于在基板表面沉积钝化膜，所述薄膜制备设备包括：

第一沉积装置；

第二沉积装置，所述第一沉积装置与所述第二沉积装置沿第一方向依次排布；以及

运输机构，用于沿所述第一方向输送所述基板，以使所述基板依次流经所述第一沉积装置与所述第二沉积装置；

所述第一沉积装置用于在所述基板表面沉积第一钝化膜，所述第二沉积装置用于在所述第一钝化膜表面沉积致密度小于所述第一钝化膜的第二钝化膜，且所述第二沉积装置的沉积速率大于所述第一沉积装置的沉积速率。

在其中一个实施例中，所述第一沉积装置位于所述运输机构沿第二方向一侧，所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述第一沉积装置包括沿所述第一方向排布的多组第一沉积组件，每组所述第一沉积组件均包括沿所述第一方向间隔排布的第一进气通道与第二进气通道，所述第一进气通道沿所述第一方向两侧均设有第一排气通道，所述第二进气通道沿所述第一方向两侧均设有第二排气通道。

在其中一个实施例中，所述第一进气通道用于供第一前驱体流向所述基板，所述第二进气通道用于供第二前驱体流向所述基板；所述第一进气通道与所述第二进气通道二者中，其中一个处于打开状态时，另一个处于关闭状态。

在其中一个实施例中，所述第一沉积装置具有依次交替出现的第一状态、第二状态、第三状态与第四状态，所述第一状态下，所述第一进气通道打开且用于供第一前驱体流向所述基板，所述第二进气通道关闭；所述第二状态下，所述第一进气通道打开且用于供吹扫气体流向所述基板；所述第三状态下，所述第二进气通道打开且用于供第二前驱体流向所述基板，所述第一进气通道关闭；所述第四状态下，所述第二进气通道打开且用于供吹扫气体流向所述基板。

在其中一个实施例中，多组所述第一沉积组件均处于打开状态，所述运输机构用于输送所述基板依次流经多组所述第一沉积组件。

在其中一个实施例中，所述第一排气通道与所述第二排气通道之间设有混合排气通道。

在其中一个实施例中，所述第一排气通道与所述第二排气通道之间设有吹扫气体进气通道。

在其中一个实施例中，每组所述第一沉积组件中，所述第一进气通道与所述第二进气通道的间距为a，a的范围为60mm≤a≤100mm。

在其中一个实施例中，所述第二沉积装置位于所述运输机构沿所述第二方向一侧，所述第二沉积装置包括沿所述第一方向排布的多组第二沉积组件，多组所述第二沉积组件均处于打开状态，所述运输机构用于输送所述基板依次流经多组所述第二沉积组件；

每组所述第二沉积组件均包括沿所述第一方向间隔排布的第三进气通道与第四进气通道，所述第三进气通道沿所述第一方向两侧均设有第三排气通道，所述第四进气通道沿所述第一方向两侧均设有第四排气通道；

每组所述第二沉积组件中，所述第三进气通道与所述第四进气通道的间距为b，每组所述第一沉积组件中，所述第一进气通道与所述第二进气通道的间距为a，a＞b。

在其中一个实施例中，所述第二沉积装置包括反应腔，以及连通于所述反应腔的第一进气管与第二进气管，所述反应腔内设有间隔排布的第一极板与第二极板，所述第一极板与所述第二极板之间形成有电场，所述电场用于将经所述第一进气管流入的第一气体和经所述第二进气管流入的第二气体电离形成等离子体，并使所述等离子体到达所述基板。

上述薄膜制备设备，设置了沿第一方向依次排布的第一沉积装置与第二沉积装置，并通过运输机构沿第一方向输送基板，使基板依次流经第一沉积装置与第二沉积装置。基板经过第一沉积装置，便能在表面沉积形成第一钝化膜，经过第二沉积装置时，便能在第一钝化膜表面形成第二钝化膜。由于所形成的第一钝化膜的致密度大于第二钝化膜，也即靠近基板的第一钝化膜的致密度更高，从而能对基板进行良好地钝化，以满足钝化要求；由于第二沉积装置的沉积速率大于第一沉积装置的沉积速率，从而能在钝化膜总厚度一致的前提下尽可能提高制备效率。可见，通过第一沉积装置与第二沉积装置配合，便能在有效保证钝化性能的同时提高制备效率，较好地平衡钝化效果与制备效率之间的关系。

附图说明

图1为本申请一实施例中薄膜制备设备的结构示意图。

图2为本申请另一实施例中薄膜制备设备的结构示意图。

图3为本申请一实施例中第一沉积装置的结构示意图。

图4为本申请另一实施例中第一沉积装置的结构示意图。

图5为本申请又一实施例中第一沉积装置的结构示意图。

图6为本申请一实施例中第二沉积装置的结构示意图。

图7为本申请另一实施例中第二沉积装置的结构示意图。

附图标记：

第一沉积装置100、第一沉积组件110、第一进气通道111、第二进气通道112、第一排气通道113、第二排气通道114、混合排气通道115、吹扫气体进气通道116；第二沉积装置200、第二沉积组件210、第三进气通道211、第四进气通道212、第三排气通道213、第四排气通道214、反应腔221、第一进气管222、第二进气管223、第一极板224、第二极板225、中间管226；运输机构300；进料机构400；预热机构500；出料机构600；过渡腔700；基板800。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

参阅图1至图3，本申请一实施例提供的薄膜制备设备，用于在基板800表面沉积钝化膜，该薄膜制备设备包括第一沉积装置100、第二沉积装置200与运输机构300。第一沉积装置100与第二沉积装置200沿第一方向依次排布，运输机构300用于沿第一方向输送基板800，以使基板800依次流经第一沉积装置100与第二沉积装置200。第一沉积装置100用于在基板800表面沉积第一钝化膜，第二沉积装置200用于在第一钝化膜表面沉积致密度小于第一钝化膜的第二钝化膜，且第二沉积装置200的沉积速率大于第一沉积装置100的沉积速率。

上述薄膜制备设备，设置了沿第一方向依次排布的第一沉积装置100与第二沉积装置200，并通过运输机构300沿第一方向输送基板800，使基板800依次流经第一沉积装置100与第二沉积装置200。基板800经过第一沉积装置100，便能在表面沉积形成第一钝化膜，经过第二沉积装置200时，便能在第一钝化膜表面形成第二钝化膜。由于所形成的第一钝化膜的致密度大于第二钝化膜，也即靠近基板800的第一钝化膜的致密度更高，从而能对基板800进行良好地钝化，以满足钝化要求；由于第二沉积装置200的沉积速率大于第一沉积装置100的沉积速率，从而能在钝化膜总厚度一致的前提下尽可能提高制备效率。可见，通过第一沉积装置100与第二沉积装置200配合，便能在有效保证钝化性能的同时提高制备效率，较好地平衡钝化效果与制备效率之间的关系。

具体地，本申请实施例中的基板800即为硅片，所形成的第一钝化膜和第二钝化膜均为氧化铝膜。

参阅图1至图3，在一些实施例中，第一沉积装置100位于运输机构300沿第二方向一侧，第二方向垂直于第一方向。第一沉积装置100包括沿第一方向排布的多组第一沉积组件110，每组第一沉积组件110均包括沿第一方向间隔排布的第一进气通道111与第二进气通道112，第一进气通道111沿第一方向两侧均设有第一排气通道113，第二进气通道112沿第一方向两侧均设有第二排气通道114。

具体地，第二方向即为硅片的厚度方向。第一进气通道111用于通入第一前驱体，第二进气通道112用于通入第二前驱体，使第一前驱体和第二前驱体能够到达硅片表面，沉积形成第一钝化膜。第一排气通道113主要用于排出反应剩余的第一前驱体，第二排气通道114主要用于排出反应剩余的第二前驱体。

在形成上述各通道时，可以通过设置沿第一方向间隔排布的多个板件来实现，在任意相邻的两个板件之间即可形成一个通道。

在一些实施例中，第一前驱体为包含三甲基铝的气体，第二前驱体为气态的臭氧或水。使第一前驱体和第二前驱体依次到达硅片表面，即可形成氧化铝薄膜，实现对硅片表面的钝化。在其他实施例中，第一前驱体和第二前驱体也可以互换，也即第二前驱体为包含三甲基铝的气体，第一前驱体为气态的臭氧或水。

参阅图3，在一些实施例中，第一进气通道111用于供第一前驱体流向基板800，第二进气通道112用于供第二前驱体流向基板800；第一进气通道111与第二进气通道112二者中，其中一个处于打开状态时，另一个处于关闭状态。

在本实施例中，第一沉积装置100是通过原子层沉积中的“时间法”来进行第一钝化膜的沉积。在此种方式中，由于第一前驱体和第二前驱体分时段到达硅片表面，因而能尽量抑制二者在硅片以外的区域提前反应，从而能提高沉积质量，形成的第一钝化膜的致密度较高，因而能对硅片进行良好的钝化，以满足钝化要求。

具体地，第一排气通道113与第二排气通道114始终打开，第一进气通道111和第二进气通道112则交替打开，从而将第一前驱体和第二前驱体交替通向硅片表面。例如，先将第一进气通道111打开，第二进气通道112关闭，第一前驱体经第一进气通道111喷向硅片表面，然后将第一进气通道111关闭，第二进气通道112打开，第二前驱体经第二进气通道112喷向硅片表面，和此前沉积的第一前驱体反应，生成第一钝化膜。第一进气通道111和第二进气通道112交替打开一次为一个循环，通过多次循环，即可形成所需厚度的第一钝化膜。

参阅图3，在另一些实施例中，第一沉积装置100具有依次交替出现的第一状态、第二状态、第三状态与第四状态，第一状态下，第一进气通道111打开且用于供第一前驱体流向基板800，第二进气通道112关闭；第二状态下，第一进气通道111打开且用于供吹扫气体流向基板800；第三状态下，第二进气通道112打开且用于供第二前驱体流向基板800，第一进气通道111关闭；第四状态下，第二进气通道112打开且用于供吹扫气体流向基板800。

在本实施例中，第一沉积装置100也是通过原子层沉积中的“时间法”来进行第一钝化膜的沉积。与前述实施例不同的是，在其基础上增加了吹扫气体的吹扫。通过吹扫气体的吹扫，可以在通入第二前驱体之前将第一前驱体吹扫排出，以免之后通入的第二前驱体和残余的未附着于硅片表面的第一前驱体直接反应而导致沉积质量不佳。同样的，可以在通入第一前驱体之前将第二前驱体吹扫排出，以免之后通入的第一前驱体和残余的未附着于硅片表面的第二前驱体直接反应而导致沉积质量不佳。如此，便能在上一实施例基础上进一步提高所形成的第一钝化膜的沉积质量，从而进一步优化其钝化性能。

具体地，四个状态下，第一排气通道113与第二排气通道114始终打开。第二状态下，第一进气通道111打开且供吹扫气体流向硅片，以实现对第一状态时残余的第一前驱体的吹扫，使其能够尽快排出。第二状态下，第二排气通道114可以关闭，或者，第二排气通道114也可以打开并供吹扫气体流向硅片。类似地，第四状态下，第二进气通道112打开且供吹扫气体流向硅片，以实现对第三状态时残余的第二前驱体的吹扫，使其能够尽快排出。第四状态下，第一排气通道113可以关闭，或者，第一排气通道113也可以打开并供吹扫气体流向硅片。上述四个状态为一个循环，通过多次循环，即可形成所需厚度的第一钝化膜。

在一些实施例中，吹扫气体可以选用氮气或惰性气体。

参阅图3至图5，在一些实施例中，多组第一沉积组件110均处于打开状态，运输机构300用于输送基板800依次流经多组第一沉积组件110。

在本实施例中，第一沉积装置100通过原子层沉积中的“空间法”来进行第一钝化膜的沉积。具体地，每组第一沉积组件110中的各个进气和排气通道始终属于打开状态，运输机构300将硅片沿第一方向运输过程中，依次经过多组第一沉积组件110，在该移动过程中，即可完成第一钝化膜的沉积。这种方式中，硅片上某一区域经过相邻的第一进气通道111和第二进气通道112时，可以分别进行原子层沉积过程中的不同步骤，硅片上的不同区域经过第一进气通道111或第二进气通道112时，均会进行与该进气通道对应的步骤，也就是说，各个进气通道与排气通道相当于多个工位，硅片沿第一方向运动的过程即相当于硅片过了不同的工位，在各个工位处进行相应的步骤，该装置能够以类似流水线生产的方式进行原子层沉积过程中的各个步骤，从而提高沉积效率，缩短沉积时间。

参阅图4，进一步地，在一些实施例中，第一排气通道113与第二排气通道114之间设有混合排气通道115。

具体地，第一排气通道113主要用于排出反应剩余的第一前驱体，第二排气通道114主要用于排出反应剩余的第二前驱体。除此之外，混合排气通道115也可以用来排出残余的第一前驱体和/或第二前驱体。本实施例中，通过在第一排气通道113与第二排气通道114之间增设混合排气通道115，可以使残余的第一前驱体和第二前驱体不容易在硅片以外的区域发生反应，从而在“空间法”较高沉积效率的基础上提高沉积质量，优化第一钝化膜的钝化性能，从而在形成第一钝化膜时兼顾钝化性能和沉积效率。

参阅图5，或者，在一些实施例中，第一排气通道113与第二排气通道114之间设有吹扫气体进气通道116。

本实施例中，吹扫气体可以选用氮气或惰性气体。通过吹扫气体的流入，可以将残余的第一前驱体和第二前驱体分隔，使二者不容易在硅片以外的区域发生反应，从而在“空间法”较高沉积效率的基础上提高沉积质量，优化第一钝化膜的钝化性能，从而在形成第一钝化膜时兼顾钝化性能和沉积效率。

参阅图3，或者，在一些实施例中，每组第一沉积组件110中，第一进气通道111与第二进气通道112的间距为a，a的范围为60mm≤a≤100mm。

相关技术中，a的范围通常为30mm-65mm。本实施例中，增大了第一进气通道111与第二进气通道112的间距，便能对二者通入的两种前驱体中的残余气体进行较好地分隔，使二者不容易在硅片以外的区域发生反应，从而在“空间法”较高沉积效率的基础上提高沉积质量，优化第一钝化膜的钝化性能，从而在形成第一钝化膜时兼顾钝化性能和沉积效率。

参阅图3与图6，在一些实施例中，第二沉积装置200位于运输机构300沿第二方向一侧，第二沉积装置200包括沿第一方向排布的多组第二沉积组件210，多组第二沉积组件210均处于打开状态，运输机构300用于输送基板800依次流经多组第二沉积组件210。每组第二沉积组件210均包括沿第一方向间隔排布的第三进气通道211与第四进气通道212，第三进气通道211沿第一方向两侧均设有第三排气通道213，第四进气通道212沿第一方向两侧均设有第四排气通道214。每组第二沉积组件210中，第三进气通道211与第四进气通道212的间距为b，每组第一沉积组件110中，第一进气通道111与第二进气通道112的间距为a，a＞b。

具体地，第三进气通道211用于通入第一前驱体，第四进气通道212用于通入第二前驱体，使第一前驱体和第二前驱体能够到达硅片表面，沉积形成第二钝化膜。第三排气通道213主要用于排出反应剩余的第一前驱体，第四排气通道214主要用于排出反应剩余的第二前驱体。本实施例中，第一前驱体和第二前驱体的类型与第一沉积装置100中的相同。

在本实施例中，第二沉积装置200通过原子层沉积中的“空间法”来进行第二钝化膜的沉积。如前所述，这种方式中能够以类似流水线生产的方式进行原子层沉积过程中的各个步骤，从而提高沉积效率，缩短沉积时间。

实际上，图6所示实施例中第二沉积装置200的结构与图4所示的第一沉积装置100的结构基本相同，不同之处在于a＞b。将第一沉积装置100中两个前驱体进气通道(第一进气通道111与第二进气通道112)的间距设置的较大，可以对二者通入的两种前驱体中的残余气体进行较好地分隔，使二者不容易在硅片以外的区域发生反应，从而在“空间法”较高沉积效率的基础上提高沉积质量，优化第一钝化膜的钝化性能。将第二沉积装置200中两个前驱体进气通道(第三进气通道211与第四进气通道212)的间距设置的较小，则在沉积相同厚度钝化膜的前提下，能缩短沉积时间，提高沉积效率。综上，通过本实施例中第一沉积装置100和第二沉积装置200的配合，整体上能够提高沉积质量，优化钝化膜的钝化性能，同时提高沉积效率，从而兼顾钝化性能和沉积效率。

参阅图7，在一些实施例中，第二沉积装置200包括反应腔221，以及连通于反应腔221的第一进气管222与第二进气管223，反应腔221内设有间隔排布的第一极板224与第二极板225，第一极板224与第二极板225之间形成有电场，电场用于将经第一进气管222流入的第一气体和经第二进气管223流入的第二气体电离形成等离子体，并使等离子体到达基板800。

本实施例中，第二沉积装置200通过等离子体增强化学气相沉积的方式形成第二钝化膜，此种方式的沉积效率也较高，通过与沉积质量较高的第一沉积装置100配合，则能兼顾钝化性能和沉积效率。

具体地，第一极板224与第二极板225中，其中一个与电源正极相连，另一个与电源负极相连，从而在第一极板224与第二极板225之间形成电场。硅片被运输机构300运输至第二沉积装置200后，将其转移至第一极板224上。第一气体和第二气体经各自的进气管流入反应腔221后，两种气体在电场中被电离，形成等离子体，并在电场作用下轰击硅片表面，从而实现第二钝化膜的沉积。

在一些实施例中，第一气体为包含三甲基铝的气体，第二气体为笑气或氧气。

优选地，第一气体和第二气体经各自的进气管流入中间管226，分别从中间管226的两端流入反应腔221，并逐渐充满整个反应腔221。让两种气体从不同的方向流入反应腔221，可以防止二者在未进入反应腔221之前就已经反应，从而能提高沉积质量，优化钝化性能。

参阅图1与图2，图1所示实施例中，第二沉积装置200选用图6所示实施例的方式，图2所示实施例中，第二沉积装置200选用图7所示实施例的方式。

参阅图2，在一些实施例中，当在第一沉积装置100与第二沉积装置200之间还设置有过渡腔700，其内充满氮气或惰性气体，以对第一沉积装置100与第二沉积装置200各自的反应腔体进行分隔，以免两个反应腔体内不同的反应气体混在一起而导致沉积质量降低。另外，还能在进入第二沉积装置200的反应腔221之前对硅片进行缓冲，使其温度等达到等离子体增强化学气相沉积的要求。

参阅图1与图2，在一些实施例中，无论第二沉积装置200选用图6还是图7的方式，在第一沉积装置100的上游均设有沿第一方向依次排布的进料机构400和预热机构500。进料机构400用于对硅片上料，使其到达运输机构300上。预热机构500用于对硅片预热，使其达到第一沉积装置100中反应的温度要求。在第二沉积装置200的下游均设有出料机构600，用于对完成沉积的硅片进行下料。

在一些实施例中，在第一沉积装置100中，以及图6所示的第二沉积装置200中，各个进气通道的出气端与硅片的间距范围为4mm-25mm。当满足该范围时，气体不会因该间距过大而导致形成的钝化膜过于疏松，也不会因该间距过小而猛烈冲击硅片造成其损伤。

在一些实施例中，第一沉积装置100中，以及图6所示的第二沉积装置200中，通入的第一前驱体和第二前驱体的量可以单独控制，以满足两步沉积过程对气体量的不同需求，具体可以通过流量计和阀门等部件配合实现。

在一些实施例中，运输机构300可以选用带传动机构、链传动机构或传动辊等常见的运输结构。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种薄膜制备设备，用于在基板(800)表面沉积钝化膜，其特征在于，所述薄膜制备设备包括：

第一沉积装置(100)；

第二沉积装置(200)，所述第一沉积装置(100)与所述第二沉积装置(200)沿第一方向依次排布；以及

运输机构(300)，用于沿所述第一方向输送所述基板(800)，以使所述基板(800)依次流经所述第一沉积装置(100)与所述第二沉积装置(200)；

所述第一沉积装置(100)用于在所述基板(800)表面沉积第一钝化膜，所述第二沉积装置(200)用于在所述第一钝化膜表面沉积致密度小于所述第一钝化膜的第二钝化膜，且所述第二沉积装置(200)的沉积速率大于所述第一沉积装置(100)的沉积速率。

2.根据权利要求1所述的薄膜制备设备，其特征在于，所述第一沉积装置(100)位于所述运输机构(300)沿第二方向一侧，所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述第一沉积装置(100)包括沿所述第一方向排布的多组第一沉积组件(110)，每组所述第一沉积组件(110)均包括沿所述第一方向间隔排布的第一进气通道(111)与第二进气通道(112)，所述第一进气通道(111)沿所述第一方向两侧均设有第一排气通道(113)，所述第二进气通道(112)沿所述第一方向两侧均设有第二排气通道(114)。

3.根据权利要求2所述的薄膜制备设备，其特征在于，所述第一进气通道(111)用于供第一前驱体流向所述基板(800)，所述第二进气通道(112)用于供第二前驱体流向所述基板(800)；所述第一进气通道(111)与所述第二进气通道(112)二者中，其中一个处于打开状态时，另一个处于关闭状态。

4.根据权利要求2所述的薄膜制备设备，其特征在于，所述第一沉积装置(100)具有依次交替出现的第一状态、第二状态、第三状态与第四状态，所述第一状态下，所述第一进气通道(111)打开且用于供第一前驱体流向所述基板(800)，所述第二进气通道(112)关闭；所述第二状态下，所述第一进气通道(111)打开且用于供吹扫气体流向所述基板(800)；所述第三状态下，所述第二进气通道(112)打开且用于供第二前驱体流向所述基板(800)，所述第一进气通道(111)关闭；所述第四状态下，所述第二进气通道(112)打开且用于供吹扫气体流向所述基板(800)。

5.根据权利要求2所述的薄膜制备设备，其特征在于，多组所述第一沉积组件(110)均处于打开状态，所述运输机构(300)用于输送所述基板(800)依次流经多组所述第一沉积组件(110)。

6.根据权利要求5所述的薄膜制备设备，其特征在于，所述第一排气通道(113)与所述第二排气通道(114)之间设有混合排气通道(115)。

7.根据权利要求5所述的薄膜制备设备，其特征在于，所述第一排气通道(113)与所述第二排气通道(114)之间设有吹扫气体进气通道(116)。

8.根据权利要求5所述的薄膜制备设备，其特征在于，每组所述第一沉积组件(110)中，所述第一进气通道(111)与所述第二进气通道(112)的间距为a，a的范围为60mm≤a≤100mm。

9.根据权利要求2至8中任一项所述的薄膜制备设备，其特征在于，所述第二沉积装置(200)位于所述运输机构(300)沿所述第二方向一侧，所述第二沉积装置(200)包括沿所述第一方向排布的多组第二沉积组件(210)，多组所述第二沉积组件(210)均处于打开状态，所述运输机构(300)用于输送所述基板(800)依次流经多组所述第二沉积组件(210)；

每组所述第二沉积组件(210)均包括沿所述第一方向间隔排布的第三进气通道(211)与第四进气通道(212)，所述第三进气通道(211)沿所述第一方向两侧均设有第三排气通道(213)，所述第四进气通道(212)沿所述第一方向两侧均设有第四排气通道(214)；

每组所述第二沉积组件(210)中，所述第三进气通道(211)与所述第四进气通道(212)的间距为b，每组所述第一沉积组件(110)中，所述第一进气通道(111)与所述第二进气通道(112)的间距为a，a＞b。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的薄膜制备设备，其特征在于，所述第二沉积装置(200)包括反应腔(221)，以及连通于所述反应腔(221)的第一进气管(222)与第二进气管(223)，所述反应腔(221)内设有间隔排布的第一极板(224)与第二极板(225)，所述第一极板(224)与所述第二极板(225)之间形成有电场，所述电场用于将经所述第一进气管(222)流入的第一气体和经所述第二进气管(223)流入的第二气体电离形成等离子体，并使所述等离子体到达所述基板(800)。