CN1397662A - 模块化的喷射器和排放装置 - Google Patents

模块化的喷射器和排放装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1397662A
CN1397662A CN02141805A CN02141805A CN1397662A CN 1397662 A CN1397662 A CN 1397662A CN 02141805 A CN02141805 A CN 02141805A CN 02141805 A CN02141805 A CN 02141805A CN 1397662 A CN1397662 A CN 1397662A
Authority
CN
China
Prior art keywords
injector
discharge
channel
gas
mounting plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN02141805A
Other languages
English (en)
Inventor
杰伊·B·德东特尼
理查德·H·马西森
塞缪尔·库里塔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML US Inc
Original Assignee
ASML US Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML US Inc filed Critical ASML US Inc
Publication of CN1397662A publication Critical patent/CN1397662A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45514Mixing in close vicinity to the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519Inert gas curtains
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45572Cooled nozzles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45578Elongated nozzles, tubes with holes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Infusion, Injection, And Reservoir Apparatuses (AREA)
  • Quick-Acting Or Multi-Walled Pipe Joints (AREA)

Abstract

一种用于输送气体到基片上的喷射器和排气装置,它包括:至少两个彼此相邻且间隔设置以在其间形成至少一个排放通道的喷射器;和一个用于固定至少两个喷射器的安装板,其中至少两个喷射器中的每一个可单独安装到安装板或从安装板拆下,且安装板带有与至少一个排放通道连通的至少一个排放槽。排气装置固定到安装板以从喷射器排放气体。

Description

模块化的喷射器和排放装置
                         发明领域
本发明涉及一种用于输送气体的气体喷射器。尤其涉及一种模块化的气体输送喷射器和促使气体基本上均匀分布的排气装置。
                         发明背景
在半导体装置的生产中,气体的输送是一个重要的工艺步骤。输送气体以用多种半导体生产设备来加工半导体。在这样的例子中,化学蒸汽沉积(CVD)系统用来输送特定气体,所述气体通过热反应或分解反应在半导体基片或晶片的表面上沉积一层物质如一种氧化膜。
在多种半导体生产设备系统中一个重要的元件是用于输送气体到基片上的喷射器。例如在CVD系统中,气体必须被分布在基片上以便气体反应并在基片的表面上沉积一理想的膜或层。喷射器的一个目的是以一种可控制的和可重复的方式把气体输送到一个希望的位置。气体的可控制的分布使气体的预混合和在先反应减少到最小,而且最大化了气体基本上完全、快速和均匀反应的机会。如果不控制气体流动,化学反应将不是最佳的且结果将可能得到一个不具有均匀成分和/或厚度的膜。当这种情况发生时,将导致削弱半导体的正确功能且甚至可能失效。因此,希望设计一种喷射器以一种可控制和基本均匀的方式促进气体的输送。
已经知道了喷射器的重要性,发展了一些类型的设计。已有技术中的喷射器装置的两个例子在US6022414和US6200389中描述,这两篇在此都用作参考。其中描述了一个细长或线性的喷射器单体,具有多个沿着喷射器的长度延伸的气体出口。而且所描述的是形成在一个材料块内的具有多个喷射器头的喷射器装置。尽管这些喷射器已经被证明是一种有用的设计,但是已有技术多个头的单体喷射器装置制造成本高。因为每一喷射器顺序地在同一单体材料块中加工(使用放电加工(EDM)),所以制造时间是冗长的。
出于生产量的考虑,通常希望使用多个喷射器。当使用一个单体喷射器装置时,随着喷射器头的数目的增加,制造时间也增加。冗长的制造时间和高的成本阻碍了可能提高整个加工效果的喷射器结构的重复设计。并且在每一连续的制造步骤过程中由于单一的制造失误有置整个多喷射器头于危险中的增加的倾向。因此需要提供一种改进的喷射器装置,易于制造和装配。
除了喷射器,通常与喷射器装置相连用于排放气体的排气系统在促使气体基本均匀和/或可控制地输送到基片中也起着重要的作用。工业上一直在努力改进排气系统,尤其是以基本均匀的方式排放气体的系统。当喷射器数目增加时,排气系统的复杂性也提高并且产生问题如排放气体流量的平衡。因为多个喷射器可以提高生产量,所以也需要改进排气系统。
                         发明概述
本发明的一个目的是提供一种用于输送气体的改进的喷射器。更特别的是,本发明的一个目的是提供一种模块化的气体输送喷射器和排气装置。
本发明的一个方面提供了一种用于将气体输送到基片上的喷射器装置,包括一个或多个彼此相邻并间隔设置以便在它们之间形成排气通道的内喷射器头。一个或多个端部喷射器头设置成相邻的并位于一个或多个喷射器头的外边且相互间隔开以便在它们之间形成排气通道。提供有一个安装板,具有许多用于分别固定每一个喷射器和端部喷射器头的固定孔,其中喷射器和端部喷射器头可以单独地从喷射器装置拆下或加到喷射器装置上。
在本发明的另一方面中,喷射器装置还包括与安装板相连的用于从喷射器头排放气体的排气装置。本发明的特别之处在于为内喷射器头和端部喷射器头分别提供排放。这促进了可控制气体的排放,即使在系统的结构不平衡时。
在本发明的另一方面中,排气装置包括连接到安装板的下排放板。下排放板具有形成在其中沿着基本下排放板的长度方向延伸的锥形排放通道。上排放板连接到下排放板。上排放板具有形成在其中的排放口,所述排放口具有一定的断面形状并包括在底端上的细长孔,所述底端基本上沿着上排放板的长度方向延伸且终止于上排放板的顶表面上的偶数孔。锥形排放通道和排放口与喷射器装置中的排放通道以流动方式连通。
在本发明的再一方面中,排气装置还包括以流通的方式与端部喷射器头连通的一个外排气管,和以流通的方式与内喷射器头连通的一个内排气管。在一个实施例中内排气管包括其中具有许多通道的板。提供有许多管子且一条管子连接一个通道。这些管子固定到平衡部件。平衡部件具有用于每一管子的一个入口和一个单一的出口。这样甚至当喷射器装置具有非偶数的或不平衡数目的排放通道时也能提供平衡的排放。
                       附图的简要说明
通过阅读下面本发明的详细说明和权利要求并参照附图,本发明的其它目的和优点将变得更加清楚,其中:
图1表示本发明模块化的喷射器装置的一个实施例的横截面图;
图2表示根据本发明的一个实施例的单体模块化喷射器头的简化的装置的示意图;
图3表示图1的多个喷射器头和一个端部喷射器的部分放大横截面图;
图4表示根据本发明的一个实施例的喷射器的底部透视图;
图5表示本发明的安装板的顶部视图;
图6表示根据本发明的一个实施例的第一(下)排放板的顶部视图;
图7表示根据本发明的一个实施例的第二(上)排放板的顶部视图;
图8表示图7中的第二排放板沿线A-A’的横截面视图;
图9是根据本发明的一个实施例的第二排放板的底部视图;
图10是根据本发明的另一实施例的喷射器和排放装置的顶部透视图;
图11表示本发明的外排放管的简单侧视图;
图12和13分别表示根据本发明的一个实施例的内排放管的侧顶视图和侧视图;
图14A和14B分别表示内排放管底板的顶视图和侧视图;
图14C表示沿图14A的线14C-14C的横截面图;
图15表示内排放管的一个顶管的装配图;
图16A是根据本发明的一个实施例的图15的顶管的底板的顶部视图;
图16B表示底板沿图16A的线16B-16B的横截面图;
图17A表示根据本发明的一个实施例的图15的顶管的顶板的顶视图;
图17B表示顶板沿图17A的线17B-17B的横截面图。
                       本发明的详细描述
通常,本发明提供能够沿着一长度特别是喷射器的长度方向提供气体分布的一个模块化的化学或气体喷射器和排气装置,并且提供许多单独的喷射器头以配合形成解决已有技术缺点的喷射器和排气装置。本发明的喷射器装置包括许多喷射器头互相配合形成喷射器装置来在加工过程中输送一种或多种气态化学物质到半导体晶片或基片上。本发明的喷射器头包括一个或多个轴向对齐的通道,用于通过一个或多个分布通道输送一种或多种气体到输送表面。此装置还包括至少两个分别定位在装置相对端的端部喷射器头。端部喷射器头还包括一个或多个轴向对齐的通道,用于通过一个或多个分布通道输送一种或多种气体到输送表面。在一个实施例中,装置还包括一个安装板,许多喷射器头固定到其上来提供单个喷射器的定位和配合。排放系统与安装板相连以便排放由喷射器输送的气体。
更具体地,图1表示本发明模块化的喷射器装置120的横截面示意图。在图1所示的实施例中,装置120包括总计6个单独的喷射器头122a-d和124a-b;但是对本领域技术人员来说装置120可以包括任意多个喷射器以便把希望的化学物质输送到靠近喷射器装置120设置的基片121(图3)上是显而易见的。6个喷射器头包括内喷射头122a-d和沿X轴线在装置的每个末端设置的端喷射头124a-b。在安装板126上设置和固定所有喷射器头122a-d和124a-b。安装板126的刚性足以支撑和固定喷射器头的重量。安装板126连接到下面详细描述的排气系统130。虽然没有表示,整个喷射器和排放装置通常是存在于一个系统如CVD系统中,在US6022414、6200389和美国系列号NO.09/757542中描述的例子,在此参考它们的整个批露内容。
在一个实施例中,内喷射头122a-d和端喷射头124a-b(有时整体称作“喷射器”)这样设置以便排放通道134a-e形成在每一端部喷射器和相邻的喷射器之间和每一相邻的喷射器之间。例如第一排放通道134a形成在第一端喷射器124a和第一喷射器122a之间。第二排放通道134b形成在第一喷射器122a和第二喷射器122b之间。第三排放通道134c形成在第二和第三喷射器122b和122c之间。第四排放通道134d形成在第三和第四喷射器122c和122d之间。第五排放通道134e形成在第四喷射器122d和第二端部喷射器124b之间。喷射头122和端部喷射器124设计和定位成这样以便排放通道沿着Y轴线延伸喷射器的高度并进入安装板126。内喷射头和端部喷射器头固定到安装板126上以便每一个排放通道134与相应的形成在安装板126上的排放槽132和下面详细描述的排放系统或装置130对齐。
现在参照图2和3,每一喷射器头122a-d包括一个或多个沿着Z轴(图1中进入纸页的方向)喷射器的长度方向延伸的细长通道150。分布通道152从每一个伸长的通道150延伸到化学物质输送表面154。从每一个细长通道150延伸的每一个分布通道152在限定于输送表面154内的区域156处会聚。区域156可以如图1和3所示为槽形。或者,区域156可以是平面的或甚至凹入的。分布通道152,区域156和输送表面154可以延伸喷射器头122的长度。在一个替换实施例中,一个或多个细长通道150和/或分布通道152在它的端部被限制(如阻塞、塞住和/或填堵)来防止一种或多种反应物横跨喷射器的整个长度。这样把在沉积区域的反应跨度限制在喷射器的总长度范围内,并且最小化了反应超过晶片121的边缘的发生。
现在再参考图2,为了提供气体给喷射器装置120,气体入口端帽160和162连接到喷射器的每一端以便允许气态化学物质供给到细长通道150。每个端帽160和162包含一个或多个对应于通道150的任意一孔的孔163。端帽固定到气体供给入口(未示出),用于通过孔163输送气体并进入通道150。值得注意的是在每一端帽孔160或162上的孔163并不要求具有相同模式,并且依赖于每一端帽上孔163的布置气体可以在任何一端或喷射器的两端输送入通道150。例如如图2所示,端帽160具有两个与通道150b和150c对齐的孔163,且端帽162具有一个与通道150a对齐的孔163。密封164设置在喷射器头和每一端帽160,162之间以提供不透气密封。密封164可以是黄铜材料,在铜焊过程中黄铜材料熔化以形成端帽160,162焊接到喷射器头上的一个单体。或者,端帽160,162可以通过铆钉、螺钉、销或固定金属元件的类似装置固定到喷射器头。
为了在基片121上沉积一材料层或膜,反应物气体通过通道和分布通道输送到气体输送表面154。特别之处在于气体可以在每一个通道150和152中分别输送。这样最小化了气体的预混合和/或在先反应。当气体进入区域156时,气体在气体输送表面154的区域内混合和反应,且在基片121的表面上沉积一个材料层。当沉积一层二氧化硅膜例如硅烷和氧,或四乙基原硅酸盐和臭氧时,可以在每一个通道150中分别输送。另外,净化气如氮和类似物可以在一个或多个通道150中单独地输送。净化气用于从相邻区域隔离一个沉积区域且还可以帮助防止反应气体的预反应。或者,一个或多个通道150还可以输送一种蚀刻剂以便在喷射器装置120内最小化沉积的累积。
输送表面154从凹槽区域沿两个方向延伸出到喷射头的外部边缘158a-b,提供一个增加的表面区域且因此增加了气体与要作用产品或基片121(如硅晶片)的接触以提供更强的化学反应。细长通道150包括通过细长通道帮助提供气体的均匀分布的测量管172。在一个实施例中,喷射器包括一个或多个形成在喷射器内部的附加细长通道174且延伸喷射器的长度来提供冷却液体的流通以便控制喷射器的温度。
在一个实施例中,端喷射器头124a-b设计用于在沉积过程中输送一种净化气。净化气的流动最好用于在端部喷射器头124a-b下面的区域和基片121之间形成惰性气体屏障或半密封176以便基本上防止反应物气体从沉积区域逃溢且进入CVD装置(未表示)的其它区域或周围环境。端部喷射器124a,b还包括一向着基片表面伸出的一段材料,围绕喷射器装置的周长形成一个狭窄间隙区域,在这个凸出和基片之间形成“半密封”。这个半密封有助于最小化反应物在希望区域外部的扩散。在另一实施例中,端部喷射头124设计用来输送一种蚀刻剂来最小化喷射器装置120内沉积的累积。
如上所述,本发明提供了一种模块化的喷射器装置120。每一个喷射器头是分别设置和安装的单独件来形成装置120。这样提供了很大的适应性。单个的喷射器头122,124可以完全地换出或拆下。其它的喷射器头122,124可以增加。可以采用喷射器头122,124的不同类型以形成不同的沉积型式。这样允许改变、优化和/或制作设置系统的腔室结构以适应不同的使用。喷射器122a-d可以用一个横跨整个区域的以前的喷射器122a-d代替,形成一个具有大大延长的气体输送表面154的喷射器。这样允许在反应器内需要更长时间的化学反应的使用。
更具体地,本发明的模块化的特点如图4和5所示。通常,喷射器装置120固定到安装板126上。如上所述,本发明的特别之处在于提供每一喷射器头122,124分别固定到安装板126上。在如图5所示的实施例中,安装板126由带有形成上表面的凸缘133的侧壁131和带有下表面135的凹槽形成。在底表面135上形成有一个或多个排放槽132和许多固定孔178。排放槽132基本上沿着Z-轴线安装板126的长度方向延伸,且与喷射器装置120的每一个排放通道134对齐和流通。设置穿过底表面135的固定孔178用于在安装板126上固定喷射器头122,124和在下面描述的排放板。虽然只表示了安装板126的一个方式,应该明白本领域技术人员可以采取其它方式,不偏离本发明的范围,如具有排放槽和固定孔的平板。
如图6-10所示,排放装置130连接到安装板126上。排放装置130由下排放板140,上排放板142,外部排放管146和内部排放管148组成。通常,下和上排放板140和142用于直接与喷射器的排放通道134连接以便从喷射器装置排出气体,且外和内排放管146和148用于平衡从喷射器装置的端部和中心部气体的排放流量,以便促进气体排放的可控制和基本均匀。
下排放板140详细参照图6和图1所示的横截面图。通常下排放板140由具有一个或多个贯穿它的向外的锥形排放通道136的元件141组成。锥形排放通道136是细长的且基本上沿着Z-轴线的下排放板140的长度方向延伸。一个锥形排放通道提供给喷射器装置120的各排放槽134。下排放板140固定在安装板126内且与喷射头一起设置,以便锥形排放通道136(图1)与形成在安装板126上的排放通道132对齐且排放槽134形成在相邻喷射器头122,124之间。锥形排放通道136在与安装板126相邻处通常较窄,然后以基本上线性的方式向外变锥以便在与上排放板142相邻的顶端变宽。在另一实施例中锥形排放通道136以一种代替线性方式的特定方式成锥形。例如一个较宽的轮廓孔设置在通道136的上端。在一些情况下其有利于在喷射器的端部提供较高的抽吸力来减少喷射器下面横跨的边缘附近的基片上的不均匀沉积。
下排放板140的锥形排放通道136还与上排放板142的排放口210对齐,上排放板142与相邻的下排放板140连接。这样从气体输送表面154和穿出下和上排放板提供了一个基本连续的排放气体通路。上排放板142设置在下排放板140的顶上且固定到安装板126的适当位置。固定孔设计用于接收螺钉、铆钉、销或用于固定上、下排放板和安装板的其它类似装置。
本发明的特别之处在于以一种可控制的和/或基本均匀的方式消除气体。特别是,本发明提供从“线源”到“点源”的排放气体;即,沿着喷射器的长度(例如线源)通过排放通道134,下和上排放板140和142到上排放板142顶部上的出口210(例如点源)排放气体。
参照图1和7至9详细描述这个特点。如上所述,下排放板140上的排放通道136是提供用于大体积排放气体的向外的锥形。上排放板142包括一个或多个形成在其上和延伸穿过它的排放口210。排放口210不具有相同的形状。如图8的横截面图所示,它延伸了喷射器装置120的长度,排放口210a在沿着Z-轴线的上排放板的基本长度方向延伸的基部具有一个宽的,细长的开口端213,然后向里变锥以便优选是终止于在上排放板142的顶表面212上的两个(例如偶数)狭窄的口210a1和210a2。虽然表示了两个口,在另外的实施例中可以采用一个或两个以上的口。为了促使排放基本均匀的流动,设置偶数排放口210a1和210a2,以便形成两个内部的腔室216a和216b,每一口通过中间部分220分隔,且每个腔室216a和216b是锥形的以便每一排放口的宽端213的长度基本上等于排放板140的第一锥形排放通道136的长度的一半。在一个较佳实施例中,从晶片表面到上排放板的偶数出口的始端的排放路径的高度与宽度之比大约为0.6或更大。
在上排放板142上形成固定孔178来固定和对齐上排放板与下排放板140和安装板126以便确保所有排放槽和通道的对齐,并进而确保整个装置之间的不透气密封。排放管安装孔214围绕每一个排放孔210形成以便允许排放管(下面描述)固定到上排放板142形成气密密封。
特别之处在于,本发明的排气系统130还包括用于平衡从喷射头122a-d和端部喷射头124a-b排出的流量的装置。提供用于平衡排出流量的装置使喷射器装置120的设计有更大的灵活性和选择性。例如,给喷射器装置的内和外区域提供独立的排放管允许喷射器装置使用一个不平衡的或奇数的喷射器或排放通道(如图1中所示其中有5个排放通道134a至134e)。
更具体地,在一个典型的实施例中,排放系统130还包括一个外部排放管146和一个内部排放管装置148,如图10至17所示。通常,外排气管146包括两块板230,每一块通常沿着喷射器装置120的基本长度方向延伸且具有两个通道232,形成在板230的每一端。在板230上连接每一通道232的是U形管234。最好在弯曲的顶部在U形管234上连接有一个适合的连接件235,如鱼嘴形凸缘,以便将管和板连接到普通的外排气管路237上。
外排气管146以流通的方式与两个端部喷射器头124a-b连通,且为通过喷射器装置120内的最外部排气通道的气体提供最后的排出路线(例如图中所示的典型实施例中的排出通道134a和134e)。特别是,每块板230固定到上排气板142以便在板230每一端的通道232纵向地与对应于最外部的或端部喷射器头124a-b和喷射器122a,d的半外侧的排放通道的偶数出口210a1和210a2对齐。因为有两个位于喷射器装置120的相对端的端部喷射器124a和124b,所以外部排气管146包括两个设置在上排放板142的相对端的相应的板230和管234装置。两个板230和管234装置通过T形连接件238一起连接到外排气管路237。因此为了从端部喷射器头124a-b和喷射器122a,d的外侧排出气体,气体流经最外侧的排放通道134a和134e,向上经过安装板内的相应的最外侧排放槽132,分别通过下和上排放板内的相应最外侧排放通道136a,136e和210a和210e,且通过外部排气管的通道232和管234,和外部排气管路237,最终到达普通的主排放管236。
本发明的最重要的优点在于为喷射器装置的内部和最外部排放通道提供分隔的排放。排放内部通道(如典型实施例中所示的排放通道134b,134c和134d)使用内排放管装置148。内排放管装置148更详细地参照图12至17所示。内排放管包括通常沿着喷射器装置120的基本长度方向延伸的板240。在板240内形成有许多通孔242。如图12所示,通道242成对形成,每对中的每个通道纵向地设置在板240的相对端。连接板240上的每一通道242的是管244,管244连接各个通道到平衡单元246。
与外排气管146相同,内排气管148以流通的方式与内喷射头122a,d的内半侧和内喷射器122b,c全部连通,且为通过喷射器装置120的内排放通道的气体提供最后的排放通路(如图中所示的典型实施例中的排放通道134b,134c,134d)。特别地,板240固定到上排放板142以便在板240的每一端上的通孔242纵向地与对应于内喷射器头122b,122c,122d的排放通道的偶数出口210a和210b对齐。虽然实施例中表示了三个内喷射器头,每一个喷射器带有两个(例如偶数)出口,所以在板240内提供了6个通道242,然而本领域技术人员能够认识到可以在不偏离本发明范围的情况下使用其它结构。
为了排放系统,气体通过内排气通道134b,134c和134d,向上通过安装板126上相应的内排放槽132,分别经过下和上排放板的相应的内排放通道136b,136c和136d及210b,210c和210d且通过通道242进入管244。管244的另一端连接到平衡单元246。优点在于平衡单元246使排放气体基本均匀流动,甚至当使用奇数或非偶数排气通道时。
平衡单元246详细如图15至17B所示。通常,平衡单元246包括顶板250,底板252和中心片或黄铜箔254。在底板252上形成有许多凹沟255,尤其如图16A和16B所示,一个凹沟255对应一个管244。每一个凹沟255具有一个设置在各个管连接到平衡单元一端的入口256。每一个凹沟255向着单元246的中心向里延伸,凹沟255的相对端会聚在具有一个出口259的中心区域258。出口259通过凸缘262连接到内排放管路260。内排放管路260在这个例子中通过阀300连接到主排放管236。
如图17A和17B所示,顶板250也包含有许多凹沟265,它们向着单元的中心向里地会聚在中心槽区域268。顶板的凹沟265和中心区域是底板252上凹沟255的镜像,不同的是没有入口或出口。因此,当顶板250和底板252密封时,其中形成许多通道,具有许多入口256和在平衡中心的底表面上的一个单一的中心出口258。
平衡单元246的通道以流通的方式与从内喷射头122排放的气体连通。如上所述,这些排放气体进入管244。每一个管244与底板252上的一个入口256相连。气体通过入口256和通道并且穿过中心口258和出口259。将从所有入口256中排出的气体输送到平衡每个管中气体流量的单一的中心出口258,并且相互连通,因此平衡喷射器装置中每一个排放通道134的气体流量。在较佳实施例中,排放管244都具有相同长度和形状,且平衡单元246提供每一排放通路从入口210到最后出口259相同的长度。除了前述的内和外排放通路的平衡,阀300允许喷射器120的第二操作模式。通过封闭阀300,可以将有净化反应副产品能力的气体通过鱼嘴形凸缘301引入到内排放管。当连接内排放管和主排放管的阀封闭时,净化气体通过内排放平衡件退回且通过多个内排放通路进入加工腔。平衡单元用于均匀地分布净化气体到导入加工腔的每一排放通路。与沉积副产品反应的净化气体的流出物都通过两个外排放通路排出。
总之,本发明的模块化喷射器和排放装置包括一个具有细长通道和分布通道的单一细长体。在一个实施例中,细长的通道、分布通道和凹槽区域通过放电加工(EDM)形成。然后固定气体入口端帽喷射器到喷射器装置上以形成喷射器体本身,如通过焊接、螺纹或其它方式。安装从喷射器体的顶部的各入口发送和分布各化学物质的测量管,以便在细长通道内均匀分布,然后发送到输送表面。许多喷射器螺固到使许多喷射器彼此相互定位的一个单体安装板上。排放通路通过并排设置的间隔一定距离的两喷射器形成。安装板包含与锥形排放通道对齐的排放槽,和附加的排气管和管道系统螺固到安装板的顶端,且然后到排放装置来导引排出的副产品排出沉积区。然后带有喷射器的安装板安装到CVD腔上,从而喷射器输送表面形成加工腔的内表面。
本发明的模块化喷射器与已有技术的多块喷射器相比是有优势的。模块化喷射器的制造允许采用放电加工步骤,在几个机床上并行进行。这样大大地减少了制造时间。模块化还允许发生破坏的单个部件的替换。模块化喷射器还允许对喷射器表面具体形状作出改变而不会有在一个单独的单元中做这些变化所需要的时间和费用。铜焊喷射器体的端帽对每个喷射器的特点依赖非常少,因此提高铜焊加工的成品,减小废品和成本。由于减小的重量和尺寸,单个喷射器使制造和运输比先前的结构容易。用电解法抛光与反应区域接触的表面比在小的、轻的完全暴露的单个喷射器上容易。此外,由于错误、损害或其它问题引起的废品的成本大大降低。
单个喷射器固定到提供气、水和氮供给和确定排放通路宽度的连接板(未表示)。单个喷射器的端帽互锁以防止气体在喷射器的端部泄漏并提供半密封。因为每个喷射器是单个的管路,所以每个喷射器可以根据加工要求有不同的化学要素。下排放板可以包含一个变化的出口形状来影响沉积气体速度流动范围。端部喷射器提供与反应物区域的两端都相邻并且在装置120的每一末端提供半密封的一个入口气体区域。喷射器通道、区域、输送表面和轮廓的结构可以变化以获得最佳沉积率、提高的化学物质使用率和改进的气体流动通路。排放通道、槽、出口和管路促进腔室内均匀的排放量。
本发明的其它特点和优点对于研究了本发明所披露内容的本领域技术人员来说是清楚的。本发明前述的具体实施例的说明目的在于说明和描述本发明,且虽然本发明用前述的特定例子来说明,但并不构成对本发明的限定。它们不趋向于是完全的或限制本发明为所披露的精确形式,并且很显然在考虑上述教导的情况下可以做出一些变化、实施例和改变。本发明的范围趋向于包括在此批露的公知领域,并且通过到此为止附加的权利要求和它们的等同物限定。

Claims (24)

1.一种用于输送气体到基片上的喷射器装置,包括:
至少两个彼此相邻并间隔设置以在其间形成至少一个排放通道的喷射器;和
一个用于固定至少两个喷射器的安装板,其特征在于至少两个喷射器中的每一个可单独安装到安装板上或可从安装板上单独拆下的,且安装板设有与至少一个排放通道流通的至少一个排放槽。
2.如权利要求1所述的喷射器装置,其特征在于所述喷射器具有相同型式。
3.如权利要求1所述的喷射器装置,其特征在于所述喷射器具有不同型式。
4.如权利要求1所述的喷射器装置,其特征在于所述喷射器还包括:
一个具有端表面和细长的外部气体输送表面的单一细长件,所述气体输送表面沿着直接与基片相对的细长件的长度方向延伸;
形成在所述细长件内和在端表面之间延伸用于接收气体的至少一个细长通道;和
形成在所述单个细长件内且在所述细长通道和气体输送表面之间延伸用于沿着气体输送表面输送气体的至少一个窄的、细长的分布槽。
5.如权利要求5所述的喷射器装置,其特征在于所述气体输送表面包括一个中心凹槽区域。
6.如权利要求1所述的喷射器装置,其特征在于所述至少一个排放槽沿着安装板的基本长度方向延伸且与至少一个排放通道对齐。
7.如权利要求1所述的喷射器装置,还包括一个固定到所述安装板用于从所述喷射器排放气体的排放装置。
8.如权利要求7所述的喷射器装置,其特征在于排放装置包括:
一个固定到所述安装板的下排放板,所述下排放板带有与安装板上的所述至少一个排放槽流体连通的至少一个排放通道;和
固定到所述下排放板的一个上排放板,所述上排放板设有与下排放板上的所述至少一个排放通道流体连通的至少一个排放口。
9.如权利要求8所述的喷射器装置,其特征在于所述的下排放板上的至少一个排放通道沿着下排放板的基本长度方向延伸并与安装板上的至少一个排放槽对齐。
10.如权利要求9所述的喷射器装置,其特征在于所述的下排放板上的所述至少一个排放通道沿着下排放板的高度方向呈锥形。
11.如权利要求10所述的喷射器装置,其特征在于下排放板上的至少一个排放通道在下排放板的顶表面上较宽,在下排放板的底表面上较窄。
12.如权利要求8所述的喷射器装置,其特征在于所述至少一个排放口包括沿着上排放板的基本长度方向延伸的底端上的一个细长孔,所述细长孔向里呈锥形且终止在上排放板的顶表面上的至少一个出口。
13.如权利要求12所述的喷射器装置,其特征在于所述细长孔终止在上排放板的顶表面上的许多出口。
14.如权利要求12所述的喷射器装置,其特征在于所述细长孔终止在上排放板的顶表面上的两个出口。
15.如权利要求7所述的喷射器装置,其特征在于所述至少两个喷射器包括:
彼此相邻且间隔设置以在它们之间形成第一排放通道的一个或多个内喷射器;
与一个或多个内喷射器相邻和在其外侧且间隔设置以在其间形成第二排放通道的一个或多个端部喷射器;而且
所述排放装置还包括:
与所述第一排放通道流体连通的一个内部排放管装置;和
与所述第二排放通道流体连通的一个外部排放管装置。
16.如权利要求15所述的喷射器装置,其特征在于在所述一个或多个端部喷射器和一个或多个内部喷射器之间提供气密密封。
17.如权利要求15所述的喷射器装置,其特征在于所述内部排放管装置包括:
其中设有许多通道的一个板;
连接到许多通道的每一个的许多管;和
具有许多对应于每一管的入口和一个单一出口的一个平衡单元。
18.如权利要求17所述的喷射器装置,其特征在于所述平衡单元还带有连接所述许多入口和单个出口的许多通道。
19.如权利要求18所述的喷射器装置,其特征在于平衡单元包括:
一底板,其上设有向内延伸到底板的中心区域的许多凹沟,和在许多凹沟的一端的许多入口;和
设有向内延伸到顶板的中心区域的许多凹沟的顶板;其中
在底板和顶板上的所述凹沟和中心区域是镜像且构成连接所述许多入口和单一出口的许多通道。
20.一种喷射器装置,包括:
至少两个彼此相邻并间隔设置以在其间形成至少一个排放通道的喷射器;和
一个用于固定至少两个喷射器的安装板,其特征在于至少两个喷射器中的每一个是可单独安装到安装板上或可从安装板上单独拆下的,且安装板设有与至少一个排放通道流体连通的至少一个排放槽,和
连接到所述安装板上用于从所述喷射器排放气体的排放装置,其特征在于所述排放装置包括一个用于提供排放气体的均匀流动的平衡单元。
21.如权利要求20所述的喷射器装置,其特征在于:
所述的至少两个喷射器包括:
彼此相邻且间隔设置以在它们之间形成第一排放通道的一个或多个内喷射器;
与一个或多个内喷射器相邻和在其外侧且间隔设置以在其间形成第二排放通道的一个或多个端部喷射器;
所述排放装置包括:
所述第二排放通道流体连通的一个外部排放管装置;而且
所述内排放管装置包括设有与内喷射器排放气体流体连通的许多通道的平衡单元。
22.一种输送气体到基片的方法,包括:
提供彼此相邻且间隔设置以在它们之间形成第一排放通道的一个或多个内喷射器;
提供与一个或多个内喷射器相邻和在其外侧且间隔设置以在其间形成第二排放通道的一个或多个端部喷射器;
通过所述内部和端部喷射器输送反应气体到基片;
通过内排放管装置从第一排放通道排出废气;和
通过外排放管装置从第二排放通道排放废气。
23.如权利要求22所述的方法,其中从内部和端部喷射器排出废气的步骤包括从沿着底表面长度方向的通道排放气体到内和外部排放管装置的顶表面上的出口。
24.如权利要求22所述的方法,其中从内部喷射器排出废气的步骤包括从许多入口通过内排放管装置内的平衡单元上的许多通道会聚废气到单一中央出口。
CN02141805A 2001-07-13 2002-07-15 模块化的喷射器和排放装置 Pending CN1397662A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30540601P 2001-07-13 2001-07-13
US60/305,406 2001-07-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1397662A true CN1397662A (zh) 2003-02-19

Family

ID=23180650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN02141805A Pending CN1397662A (zh) 2001-07-13 2002-07-15 模块化的喷射器和排放装置

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6890386B2 (zh)
EP (1) EP1283279B1 (zh)
JP (1) JP2003133243A (zh)
KR (1) KR20030007175A (zh)
CN (1) CN1397662A (zh)
DE (1) DE60203971T2 (zh)
SG (1) SG104976A1 (zh)
TW (1) TW548724B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110382737A (zh) * 2017-03-14 2019-10-25 伊斯曼柯达公司 带有模块化沉积头的沉积系统

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1322801B1 (de) * 2000-09-22 2010-01-06 Aixtron Ag Cvd-verfahren und gaseinlassorgan zur durchführung des verfahrens
US6670071B2 (en) * 2002-01-15 2003-12-30 Quallion Llc Electric storage battery construction and method of manufacture
US6955725B2 (en) * 2002-08-15 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US20040142558A1 (en) * 2002-12-05 2004-07-22 Granneman Ernst H. A. Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7601223B2 (en) * 2003-04-29 2009-10-13 Asm International N.V. Showerhead assembly and ALD methods
US7344755B2 (en) * 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) * 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7581511B2 (en) * 2003-10-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US20050249873A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Demetrius Sarigiannis Apparatuses and methods for producing chemically reactive vapors used in manufacturing microelectronic devices
US8133554B2 (en) * 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7456429B2 (en) * 2006-03-29 2008-11-25 Eastman Kodak Company Apparatus for atomic layer deposition
US8980007B2 (en) * 2006-06-28 2015-03-17 Konica Minolta Holdings, Inc. Thin film forming apparatus and thin film forming method
US7789961B2 (en) * 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
US20080166880A1 (en) * 2007-01-08 2008-07-10 Levy David H Delivery device for deposition
US20100015731A1 (en) * 2007-02-20 2010-01-21 Lam Research Corporation Method of low-k dielectric film repair
KR20100029126A (ko) * 2007-06-15 2010-03-15 나노그램 코포레이션 무기물 포일의 반응성 유동 증착 및 합성
US8528498B2 (en) * 2007-06-29 2013-09-10 Lam Research Corporation Integrated steerability array arrangement for minimizing non-uniformity
US9105449B2 (en) * 2007-06-29 2015-08-11 Lam Research Corporation Distributed power arrangements for localizing power delivery
US8398770B2 (en) * 2007-09-26 2013-03-19 Eastman Kodak Company Deposition system for thin film formation
US8211231B2 (en) * 2007-09-26 2012-07-03 Eastman Kodak Company Delivery device for deposition
US8333839B2 (en) * 2007-12-27 2012-12-18 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor
US20100212591A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-26 Alta Devices, Inc. Reactor lid assembly for vapor deposition
US20100206229A1 (en) * 2008-05-30 2010-08-19 Alta Devices, Inc. Vapor deposition reactor system
GB0816186D0 (en) * 2008-09-05 2008-10-15 Aviza Technologies Ltd Gas delivery device
US8470718B2 (en) * 2008-08-13 2013-06-25 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor
US8758512B2 (en) * 2009-06-08 2014-06-24 Veeco Ald Inc. Vapor deposition reactor and method for forming thin film
JP5648349B2 (ja) * 2009-09-17 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20110076421A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Synos Technology, Inc. Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface
DE102010050258A1 (de) * 2010-11-02 2012-05-03 Hq-Dielectrics Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US8840958B2 (en) 2011-02-14 2014-09-23 Veeco Ald Inc. Combined injection module for sequentially injecting source precursor and reactant precursor
US20120225203A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US20120225191A1 (en) * 2011-03-01 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
TR201903701T4 (tr) 2011-03-23 2019-04-22 Pilkington Group Ltd İnce film kaplamaların çöktürülmesi için düzenek ve bu düzeneğin kullanılması için çöktürme usulü.
JP2014513209A (ja) * 2011-03-23 2014-05-29 ピルキントン グループ リミテッド 化学気相蒸着法による酸化亜鉛被膜を堆積させる方法
US20130143415A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Applied Materials, Inc. Multi-Component Film Deposition
US9267205B1 (en) 2012-05-30 2016-02-23 Alta Devices, Inc. Fastener system for supporting a liner plate in a gas showerhead reactor
US20200173015A1 (en) * 2013-07-25 2020-06-04 Samsung Display Co., Ltd. Vapor deposition apparatus
US20150360242A1 (en) * 2014-06-11 2015-12-17 Veeco Ald Inc. Linear Deposition Apparatus with Modular Assembly
US20150361548A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Veeco Ald Inc. Injection Assembly in Linear Deposition Apparatus with Bulging Ridges Extending along Bottom Openings
US11220737B2 (en) 2014-06-25 2022-01-11 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
EP2960059B1 (en) 2014-06-25 2018-10-24 Universal Display Corporation Systems and methods of modulating flow during vapor jet deposition of organic materials
US11267012B2 (en) * 2014-06-25 2022-03-08 Universal Display Corporation Spatial control of vapor condensation using convection
KR102337807B1 (ko) * 2014-11-14 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치
KR102420015B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10566534B2 (en) 2015-10-12 2020-02-18 Universal Display Corporation Apparatus and method to deliver organic material via organic vapor-jet printing (OVJP)
US10294562B2 (en) 2016-04-05 2019-05-21 Aixtron Se Exhaust manifold in a CVD reactor
US10780447B2 (en) * 2016-04-26 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead
US10550476B2 (en) 2017-03-14 2020-02-04 Eastman Kodak Company Heated gas-bearing backer
US10895011B2 (en) 2017-03-14 2021-01-19 Eastman Kodak Company Modular thin film deposition system
US20180265977A1 (en) 2017-03-14 2018-09-20 Eastman Kodak Company Deposition system with vacuum pre-loaded deposition head
US10435788B2 (en) 2017-03-14 2019-10-08 Eastman Kodak Deposition system with repeating motion profile
US11248292B2 (en) 2017-03-14 2022-02-15 Eastman Kodak Company Deposition system with moveable-position web guides
US10584413B2 (en) 2017-03-14 2020-03-10 Eastman Kodak Company Vertical system with vacuum pre-loaded deposition head
US10422038B2 (en) 2017-03-14 2019-09-24 Eastman Kodak Company Dual gas bearing substrate positioning system
US10400332B2 (en) * 2017-03-14 2019-09-03 Eastman Kodak Company Deposition system with interlocking deposition heads
JP6640781B2 (ja) * 2017-03-23 2020-02-05 キオクシア株式会社 半導体製造装置
TWI821314B (zh) * 2018-06-18 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 用於改良式泵吹洗及前驅物輸送之氣體分配組件
KR102576220B1 (ko) * 2018-06-22 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 처리 장치 및 박막 처리 방법
US11332827B2 (en) * 2019-03-27 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density
US20230097346A1 (en) * 2021-09-30 2023-03-30 Applied Materials, Inc. Flow guide apparatuses for flow uniformity control in process chambers

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4252595A (en) * 1976-01-29 1981-02-24 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Etching apparatus using a plasma
US4590042A (en) * 1984-12-24 1986-05-20 Tegal Corporation Plasma reactor having slotted manifold
US4731995A (en) * 1986-11-05 1988-03-22 Edelbrock Corporation Exhaust manifold and an improved exhaust manifold, intake manifold and engine combination
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
JPH0399747A (ja) * 1989-09-11 1991-04-24 Honda Motor Co Ltd デュアルタイプエキゾーストマニホールドの鋳造方法
US5136975A (en) * 1990-06-21 1992-08-11 Watkins-Johnson Company Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface
US5599387A (en) * 1993-02-16 1997-02-04 Ppg Industries, Inc. Compounds and compositions for coating glass with silicon oxide
US6022414A (en) 1994-07-18 2000-02-08 Semiconductor Equipment Group, Llc Single body injector and method for delivering gases to a surface
US6200389B1 (en) * 1994-07-18 2001-03-13 Silicon Valley Group Thermal Systems Llc Single body injector and deposition chamber
US6086710A (en) * 1995-04-07 2000-07-11 Seiko Epson Corporation Surface treatment apparatus
JP3498299B2 (ja) * 1996-01-08 2004-02-16 株式会社ユーメックス 排気マニホールドの構造
DE19643865C2 (de) * 1996-10-30 1999-04-08 Schott Glas Plasmaunterstütztes chemisches Abscheidungsverfahren (CVD) mit entfernter Anregung eines Anregungsgases (Remote-Plasma-CVD-Verfahren) zur Beschichtung oder zur Behandlung großflächiger Substrate und Vorrichtung zur Durchführung desselben
US6352592B1 (en) * 1998-01-16 2002-03-05 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Free floating shield and semiconductor processing system
US6056824A (en) * 1998-01-16 2000-05-02 Silicon Valley Group Thermal Systems Free floating shield and semiconductor processing system
US5849088A (en) * 1998-01-16 1998-12-15 Watkins-Johnson Company Free floating shield
US6063235A (en) * 1998-08-14 2000-05-16 Plasmasil, Llc Gas discharge apparatus for wafer etching systems
US6454860B2 (en) * 1998-10-27 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US20020134507A1 (en) * 1999-12-22 2002-09-26 Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc Gas delivery metering tube

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110382737A (zh) * 2017-03-14 2019-10-25 伊斯曼柯达公司 带有模块化沉积头的沉积系统
CN110382737B (zh) * 2017-03-14 2021-09-07 伊斯曼柯达公司 一种用于薄膜沉积系统的沉积单元

Also Published As

Publication number Publication date
US20050183825A1 (en) 2005-08-25
DE60203971D1 (de) 2005-06-09
US20030037729A1 (en) 2003-02-27
SG104976A1 (en) 2004-07-30
EP1283279B1 (en) 2005-05-04
TW548724B (en) 2003-08-21
EP1283279A3 (en) 2003-03-05
JP2003133243A (ja) 2003-05-09
DE60203971T2 (de) 2006-02-23
EP1283279A2 (en) 2003-02-12
KR20030007175A (ko) 2003-01-23
US6890386B2 (en) 2005-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1397662A (zh) 模块化的喷射器和排放装置
TW412597B (en) Single body injector and method for delivering gases to a surface
US5935647A (en) Method of manufacturing an injector for chemical vapor deposition processing
US6521048B2 (en) Single body injector and deposition chamber
US9315897B2 (en) Showerhead for film depositing vacuum equipment
CN100451163C (zh) 用于半导体工艺件处理反应器的气体分布装置及其反应器
US8191871B2 (en) Diffuser for aeration
CN101068950A (zh) 气体分配系统
US20060159847A1 (en) Method and apparatus for low temperature dielectric deposition using monomolecular precursors
US20040231588A1 (en) System and method for preferential chemical vapor deposition
CN102754190A (zh) Cvd腔室的流体控制特征结构
CN103168343A (zh) 多区部的喷头组件
KR100341521B1 (ko) 가스 분배 시스템
JP2010084190A (ja) 気相成長装置および気相成長方法
KR100522727B1 (ko) 박막증착용 반응용기
KR20090031338A (ko) 샤워헤드를 구비한 반도체 소자 제조 장비
CN1535329A (zh) 将一流体流分成多个分流的流体分配单元
CN113755823A (zh) 半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备
US8043577B2 (en) Method and device for nozzle-jetting oxygen into a synthesis reactor
EP4303337A1 (en) Semiconductor processing apparatus for processing a plurality of substrates with cross flow
CN219653120U (zh) 出气板及进气装置
KR20000051890A (ko) 종형확산로의 가스분사관
CN112981370A (zh) 沉积炉管内管、沉积炉管以及沉积方法
KR200163643Y1 (ko) 반도체 제조 장치의 반응로
KR20180130890A (ko) 기판처리 장치의 반응기

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication