HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Anlage zur
chemischen Gasphasenbeschichtung (CVD) der In-Line-Bauart,
welche dazu benutzt werden kann, um einen
Dünnschichttransistor (TFT) für eine Flüssigkeitskristallanzeige oder
einen amorphen Si:H-Film und einen SiNx-Film beispielsweise
für eine Solarbatterie zu erzeugen.
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Es ist bekannt, dass die Herstellung des
Dünnschichttransistors (TFT) für Flüssigkristallanzeigen oder des amorphen
a-Si:H-Films oder des SiNx-Films für Solarbatterien durch
Verwendung einer chemischen Dampfbeschichtung aus dem
Plasma vorgenommen wird. Im allgemeinen verwendet man eine
In-Line-Anlage zur chemischen Plasmadampfbeschichtung bei
der Massenproduktion solcher Komponenten. Bei der üblichen
In-Line-Anlage zur chemischen Plasmadampfbeschichtung wird
ein Substrat unter Atmosphärendruck auf einem
Substrathalter befestigt, der Substrathalter mit dem zu bearbeitenden
Substrat wird in eine Vorbereitungskammer gebracht, die
dann evakuiert wird, und dann in eine
Plasma-CVD-Bearbeitungskammer überführt, in welcher auf dem Substrat eine
dünne Schicht durch chemische Ablagerung aus der Dampfphase
erzeugt wird. Der Substrathalter, auf dem eine dünne
Schicht abgeschieden wurde, wird in eine Kammer gefahren,
die belüftet wird, und wird dann in eine Entnahmekammer
überführt, aus der das verarbeitete Substrat entnommen
wird.
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In der Praxis wurde bereits eine CVD-Anlage zur
Vertikalbearbeitung vorgeschlagen, in der der Substrathalter vertikal
angeordnet ist, eine CVD-Anlage zur vertikalen und
doppelseitigen Bearbeitung, worin der Substrathalter vertikal und
beidseitig bewegbar angeordnet ist, und eine Anlage zur
horizontalen Bearbeitung, worin der Substrathalter
horizontal und bewegbar angeordnet ist.
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Bei jeder der bekannten Anlagen wird zunächst das zu
bearbeitende Substrat auf den Substrathalter montiert, der dann
in die Vorbereitungskammer überführt wird. Diese
Vorbereitungskammer wird durch eine Vakuumpumpe auf einen Druck von
10&supmin;³ bis 10&supmin;&sup5; Torr evakuiert. Nach Evakuierung der
Vorbereitungskammer wird der Substrathalter mit dem Substrat in
die CVD-Bearbeitungskammer bewegt. Je nach dem vorliegenden
Fall wird das auf dem Substrathalter montierte Substrat in
der Vorbereitungskammer auf etwa 200º bis 300 ºC erwärmt.
In die CVD-Bearbeitungskammer wird ein Gas wie SiH&sub4;, NH&sub3;,
N&sub2; oder dergleichen eingeleitet, so dass sich auf dem
Substrat ein Film aus a-Si:H oder SiNx abscheidet. Beim
Plasma-CVD-Verfahren wird in der CVD-Bearbeitungskammer
eine HF-Kathode als Elektrode gegenüber dem Substrat
angeordnet. Diese Kathode wird mit HF-Spannung versorgt, so
dass sich eine Glimmentladung ausbildet, welche das
eingeleitete Gas anregt und dieses dann einen a-Si:H- oder SiNx-
Film auf dem Substrat bildet. Bei der Anwendung
wärmeunterstützter CVD oder optischer CVD, die in der Zukunft
verwirklicht wird, ist die HF-Kathode durch eine
Heizvorrichtung oder eine Lichtquelle ersetzt, welche Wärme- oder
Lichtenergie erzeugen, durch die das eingeleitete Gas
derart angeregt wird, dass es einen a-Si:H-Film oder einen
SiNx-Film, einen polykristallinen Si-Film oder einen SiO&sub2;-
Film auf dem Substrat abscheiden.
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Es ist weiterhin bekannt, eine CVD-Bearbeitungskammer
vorzusehen, die mehrere Kammerabschnitte aufweist. Wenn
beispielsweise ein Zweischichtenfilm aus einem a-Si:H-Film und
einem SiNx-Film auf dem Substrat gebildet werden soll,
können zwei CVD-Bearbeitungskammern miteinander verbunden
werden, oder es kann eine Trennkammer zwischen den CVD-
Bearbeitungskammerabschnitten vorgesehen werden, so dass
sich die Gase, die in die jeweilige Kammer eingeleitet
werden, sich nicht mit anderen Gasen vermischen.
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Wenn die Bildung der gewünschten Dünnschicht
vervollständigt ist, wird der Substrathalter in die Entnahmekammer
überführt, welche dann belüftet wird. Der auf diese Weise
der Atmosphäre ausgesetzte Substrathalter wird dann wieder
in die Substrat-Montagestation zurückgebracht, wo ein neues
zu bearbeitendes Substrat auf den zurückgebrachten
Substrathalter aufmontiert wird. Auf diese Weise kann der oben
beschriebene Verfahrensablauf wiederholt und eine grosse
Anzahl von Substrathaltern nacheinander durch das ganze
System bewegt werden.
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Bei den oben erwähnten üblichen In-Line-CVD-Anlagen besteht
die Neigung, dass sich ein a-Si:H-Film oder ein SiNx-Film
auf dem Substrat, aber auch auf dem Substrathalter
ablagert, da der gleiche Substrathalter nacheinander und
wiederholt verwendet wird. Insbesondere besitzt bei der
CVD-Anlage zur Herstellung der TFT der SiNx-Film eine Dicke
von etwa 5'000 bis 10'000 Å, und daher wird der Film, der
sich auf den Halterteilen niederschlägt, sehr dick. Auch
hat der SiNx-Film eine grössere innere Spannung, wodurch er
sich sehr leicht abschälen kann. Demgemäss kann der auf den
Halterteilen abgeschiedene Film sehr leicht abblättern, was
zu Fehlerstellen auf dem Substrat führen kann.
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Um diesen Nachteil in den bekannten, üblichen Anlagen zu
beheben, muss man, sobald das Abblättern des unerwünscht
abgeschiedenen Film auftritt, den Betrieb des Systems
abstellen und dessen innere Teile reinigen. Daher besitzt
das übliche System nur eine sehr geringe Produktivität, und
die Ausbeute an Produkt ist niedrig.
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Die üblichen CVD-Anlagen der In-Line-Bauart haben aber noch
den zusätzlichen Nachteil, dass sich ein unerwünschter
Niederschlag eines Filmes auf der Oberfläche der Kathode
bildet, und das Substrat kann durch Abblättern des auf der
Kathode abgeschiedenen Films beschädigt werden. Da die
Kathode im allgemeinen in der Vakuumkammer fest angebracht
ist, muss die Reinigung vorgenommen werden, nachdem man die
Vakuumkammer belüftet hat. Daher kann auch dadurch eine
gewisse Verminderung der Produktivität des Systems nicht
vermieden werden.
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Im allgemeinen kann der auf dem Substrathalter und der
Kathode niedergeschlagene Film durch eine Trockenätzung
entfernt werden, die darin besteht, dass CF&sub4; oder SF&sub6; in
die CVD-Bearbeitungskammer eingeleitet und eine
Hochfrequenzspannung an die Kathode angelegt wird. Es ist jedoch
erforderlich, die Anlage über eine sehr lange Zeit
stillzusetzen, um die auf dem Substrathalter und auf der Kathode
abgeschiedenen Filme zu entfernen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Daher ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die
Nachteile der üblichen bekannten Anlagen zu beseitigen und eine
CVD-Anlage der In-Line-Bauart anzugeben, bei der es möglich
ist, die unerwünschten, auf dem Substrathalter und anderen
Apparateteilen abgeschiedenen Filme zu entfernen, ohne die
Anlage über längere Zeit stillsetzen zu müssen.
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Die oben erwähnte Aufgabe wird mit den Merkmalen des
Patentanspruches 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen
sind in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 8 angegeben.
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Nach der vorliegenden Erfindung wird eine CVD-Anlage der
In-Line-Bauart geschaffen, enthaltend eine Kammer zur
Aufnahme eines Substrats, in der ein zu behandelndes
Substrat unter Atmosphärendruck auf einem Substrathalter
befestigt wird, eine evakuierbare Vorbereitungskammer, in
der das Substrat vorbehandelt wird, eine
Bearbeitungskammer, in der auf dem Substrat ein gewünschter Film erzeugt
wird, eine Kammer zur Entnahme des Substrats, eine Kammer
zum Abbau des Substrats, in der das bearbeitete Substrat
vom Substrathalter abmontiert wird, eine nach der Kammer
zum Substratabbau angeordnete Ätzkammer zum Ätzen
mindestens des Substrathalters ohne das bearbeitete Substrat im
Vakuum, wobei die Kammer zum Substratabbau über die
Ätzkammer mit der Substrataufnahmekammer verbunden ist, eine
Mehrzahl von Absperrschiebern, von denen sich jeweils einer
zwischen benachbarten Kammern befindet, und Mittel zum
Transportieren mindestens des Substrathalters nacheinander
durch die einzelnen Kammern.
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Wenn die vorliegende Erfindung auf eine Anlage zur Plasma-
CVD angewandt wird, können die Kathodenteile vorzugsweise
zusammen mit dem Substrathalter verfahren werden, und die
Kathodenteile und der Substrathalter können gleichzeitig
oder getrennt trockengeätzt werden.
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Die Ätzkammer der erfindungsgemässen Anlage enthält Mittel
zur Ausführung einer Plasmaätzung, wobei die zu ätzenden
Teile auf der Anodenseite angeordnet sind, oder Mittel zum
Trockenätzen, beispielsweise zur Ausführung des
RIE-Verfahrens,
wobei die zu ätzenden Teile auf der Kathodenseite
angeordnet sind.
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Wenn die Anlage der vorliegenden Erfindung als Plasma-CVD-
Anlage gefahren werden soll, kann der Abschnitt, in dem der
Ätzprozess stattfindet, derart gebaut sein, dass die
Plattenoberfläche jedes Kathodenteils mit einer HF-Spannung
versorgt wird, und das Ätzverfahren wird ausgeführt, indem
jeder Substrathalter als Anode auf die gleiche Art wie bei
der Plasma-CVD verwendet wird.
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Der Ätzvorgang läuft in drei Schritten ab, nämlich ein
Evakuierungsschritt, eine Ätzstufe unter Einleiten eines Gases
in die Ätzkammer, und ein Entlüftungsschritt. Diese
Schritte können in der gleichen Kammer oder in verschiedenen
Kammern ausgeführt werden.
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Die vorliegende Erfindung soll nun an Hand von Beispielen
unter Bezugnahme auf die beigelegten Zeichnungen
beschrieben werden.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Fig. 1 ist eine schematische Ansicht einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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Fig. 2 ist ein Querschnitt, der ein Beispiel einer
Vorrichtung zum Verfahren eines Substrathalters
zeigt, der in der Anlage gemäss Fig. 1 verwendbar
ist;
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Fig. 3 ist eine Seitenansicht der Vorrichtung zum
Verfahren des Substrathalters gemäss Fig. 2;
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Fig. 4 ist eine schematische Ansicht einer weiteren
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
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Fig. 5 ist ein Schnitt eines Beispiels einer
Fahrvorrichtung für Substrathalter und Kathodenplatten,
die in der Anlage gemäss Fig. 4 verwendbar ist;
und
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Fig. 6 ist eine schematische Seitenansicht gemäss der
Linie I-I in Fig. 5.
EINZELBESCHREIBUNG
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In Fig. 1 ist eine Anlage zur chemischen
Gasphasenabscheidung des In-Line-Typs als eine Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung dargestellt, bei der eine thermische CVD
angewandt wird. Die dargestellte Anlage besitzt eine
Station oder Kammer 1 zur Einführung des Substrats, eine
Vorbereitungsstation oder -kammer 2, eine Bearbeitungs-
oder Filmbildungsstation oder -kammer 3, eine Station oder
Kammer 4 zur Entnahme des Substrats, eine Station 5 zum
Abbau des Substrats und eine Ätzstation oder -kammer 6.
Jeweils benachbarte Stationen sind durch Absperrschieber 7,
8, 9, 10 und 11 voneinander getrennt. Die Ätzstation 6
weist eine Auslassöffnung auf, die über einen
Absperrschieber 12 mit einem Ende eines Rückführungstransporteurs 13
verbunden ist. Das andere Ende des
Rückführungstransporteurs 13 ist unmittelbar mit der Einlassöffnung der
Substrataufnahmestation 1 verbunden.
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Die Aufnahmestation 1 ist so ausgestaltet, dass ein zu
bearbeitendes Substrat 14 unter Atmosphärendruck auf einem
Substrathalter 15 befestigt werden kann.
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Die Vorbereitungsstation 2 ist über ein Ventil 16 mit einem
nicht gezeigten Vakuumsystem zwecks Evakuierung der Kammer
verbunden. In dieser Vorbereitungsstation 2 kann eine
Heizvorrichtung 17 vorgesehen sein, wie dies durch gestrichelte
Linien angedeutet ist, und die Vorbereitungsstation 2 kann
also als Heizkammer dienen. In diesem Fall kann das
Substrat 14 auf eine gewünschte Temperatur erwärmt werden,
während die Vorbereitungskammer 2 evakuiert wird.
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Die Filmbildungsstation 3 ist über ein regelbares
Einstellventil 18 mit einer Quelle eines reaktiven Gases wie SiH&sub4;,
NH&sub3; oder dergleichen verbunden. Die Filmbildungsstation ist
über ein Regelventil 19 ebenfalls mit einer nicht
dargestellten Vakuumpumpe verbunden. Durch Einleiten eines
gewünschten reaktiven Gases aus der Quelle des Reaktivgases
durch das Regelventil 18 in die Filmbildungsstation 3 wird
auf dem Substrat 14 ein gewünschter Film gebildet.
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Die Station zur Entnahme des Substrats 4 ist über ein
Ventil 20 mit einem Vakuumsystem verbunden und ist so
ausgebildet, dass der Substrathalter 15 mit dem vom Film
überzogenen Substrat 14 aus der Entnahmestation 3 entnommen
werden kann, ohne dass das Vakuum aufgehoben werden muss.
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Die Station 5 zum Abbau des Substrats ist so konstruiert,
dass sie den Substrathalter 14 zusammen mit dem
bearbeiteten Substrat 14 aus der Entnahmestation 4 aufnehmen kann.
In der Station wird das bearbeitete Substrat 14 vom
Substrathalter 15 abmontiert, und nur der Substrathalter 15
geht in die Ätzstation 6.
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Die Ätzstation 6 ist einerseits über ein Regelventil 21 mit
einer nicht gezeigten Quelle eines Ätzgases wie CF&sub4; und
andererseits über ein Ventil 22 mit einem nicht
dargestellten Vakuumsystem verbunden. In der Ätzstation 6 befindet
sich weiterhin eine als Kathode geschaltete HF-Elektrode
23, die elektrisch mit einer äusseren HF-Stromquelle 24
verbunden ist. Die HF-Kathode 23 ist an ihrer Oberfläche
mit einer SiO&sub2;-Platte versehen.
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Fig. 2 und 3 zeigen ein Beispiel eines Antriebsmechanismus
für den Substrathalter 15, der in der in Fig. 1 gezeigten
Anlage verwendet wird. Der dargestellte Substrathalter ist
vertikal gebaut, und auf beiden Seiten des Halters sind
Substrate angebracht. Der Substrathalter weist einen
vertikalen Halterkörper 15a auf, auf dessen beiden Seiten
Substrate 14 mittels Tragklammern 25 angebracht sind. Der
Halterkörper 15a besitzt ein Basisteil 15b, an dem Rollen
26 vorgesehen sind. Die Rollen 26 laufen auf Schienen 27.
Diese Schienen 27 sind in Fig. 1 nicht gezeigt, aber so
gelegt, dass sie durch die einzelnen Stationen gehen.
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Das Basisteil 15b des Halterkörpers 15a ist an der
Unterseite mit einer Zahnstange 28 versehen. Die Zahnstange 28
erstreckt sich in Axialrichtung des Halterkörpers 15a und
steht in Eingriff mit Antriebszahnrädern 29, von denen drei
dargestellt sind. Diese einzelnen Antriebszahnräder sind in
den zugehörigen Stationen gemäss Fig. 1 vorgesehen.
Veranlasst durch die Drehung der einzelnen Antriebszahnräder
kann demnach der Substrathalter längs der Schienen 27
bewegt werden.
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Beim Betrieb der so aufgebauten Anlage werden zunächst in
der Aufnahmestation 1 die zu bearbeitenden Substrate 14 auf
den beiden Seitenflächen des Substrathalters 15 mit Hilfe
geeigneter Befestigungsmittel montiert. Der Substrathalter
15 mit den darauf befindlichen Substraten 14 wird dann
durch den geöffneten Absperrschieber 7 in die
Vorbereitungsstation 2 verfahren. Nach Schliessen des
Absperrschiebers 7 wird die Vorbereitungsstation 2 vom
Evakuierungssystem über das Ventil 16 evakuiert, und die
Heizvorrichtung 17 kann, wenn gewünscht, in Betrieb gesetzt werden, um
die Substrate 14 während des Evakuierens aufzuheizen. Wenn
die vorbestimmten Vakuum- und/oder Temperaturbedingungen in
der Vorbereitungsstation 2 erreicht sind, wird der
Absperrschieber 8 geöffnet und der Substrathalter 15 in die
Filmbildungsstation transportiert, die zuvor durch den
geöffneten Absperrschieber 8 evakuiert worden war.
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Durch Öffnen des Regelventils 18 wird nun das reaktive Gas
wie z.B. SiH&sub4;, NH&sub3; oder ähnliche von der Reaktivgasquelle
in die Filmbildungsstation 3 eingeleitet. Die Filmbildung
auf den einzelnen Substraten 14 wird nach einem üblichen
thermischen CVD-Verfahren vorgenommen. Wenn die Filmbildung
auf jedem Substrat 14 beendet ist, wird der Absperrschieber
9, der zwischen der Filmbildungsstation 3 und der
Substratentnahmestation 4 eingebaut ist, geöffnet, und der
Substrathalter 15 wird aus der Filmbildungsstation 3 in die
Substratentnahmestation 4 überführt und dort einer
Atmosphäre ausgesetzt oder belüftet. Dann wird durch Öffnen des
Absperrschiebers 10 der belüftete Substrathalter 15 in die
Substratabbaustation 5 gebracht, wo die bearbeiteten
Substrate 14 vom Substrathalter 15 abmontiert werden.
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Nach Abbau der Substrate 14 wird der leere Substrathalter
15 durch den geöffneten Absperrschieber 11 in die
Ätzstation 6 gebracht. Die Ätzstation 6 wird bis zu einer
Grössenordnung von 10&supmin;³ Torr über das Ventil 22 evakuiert, und
dann wird ein Ätzgas wie z.B. CF&sub4; in die Ätzstation 6 über
das Regelventil 21 eingeleitet, bis der Druck im Inneren
der Ätzstation 6 0,5 Torr beträgt. An die HF-Kathode 23
wird über die äussere Hochfrequenzquelle 24 eine
HF-Spannung mit einer Frequenz von 13,56 MHz angelegt. Der
überführte Substrathalter 15 verhält sich wie eine geerdete
Elektrode, und es wird eine Plasmaabtragung ausgeführt,
durch welche der auf dem Substrathalter 15 abgeschiedene
Film, beispielsweise ein a-Si-Film oder ein a-SiN-Film,
entfernt wird. Nach Abtragung des Films vom Substrathalter
15 wird die Einleitung von Ätzgas beendet. Um kleine Mengen
an Kohlenstoff oder Polymermaterial, die sich beim Ätzen
gebildet haben, zu entfernen, wird Wasserstoffgas in die
Ätzstation 6 bis zu einem Druck von 0,5 Torr eingeleitet.
Dann wird die HF-Quelle abgeschaltet und der Innenraum der
Ätzstation 6 mit einer Atmosphäre belüftet. Der derart
gereinigte Substrathalter 15 wird durch den geöffneten
Absperrschieber 12 zum Rücktransporteur 13 verfahren. Dieser
Rücktransporteur bringt den gereinigten Substrathalter 15
zur nachfolgenden Vorbereitung in die
Substrataufnahmestation 1 zurück.
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In Fig. 4 ist nun eine andere Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung gezeigt, in der eine Plasma-CVD
vorgenommen wird. In Fig. 4 bezeichnet das Bezugszeichen 31 eine
Substrataufnahmestation, 32 bezeichnet eine
Vorbereitungsstation, mit 33 ist eine Bearbeitungs oder
Filmbildungsstation bezeichnet, die Substratentnahmestation trägt das
Bezugszeichen 34, die Zahl 35 bedeutet eine
Substratabbaustation, und 36 bezeichnet eine Ätzstation. Benachbarte
Stationen werden durch die Absperrschieber 37, 38, 39, 40
und 41 getrennt.
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Ähnlich der Ausführungsform gemäss Fig. 1 besitzt die
Ätzstation 36 eine Auslassöffnung, welche über einen Schieber
42 zu einem Ende einer Rücktransportvorrichtung 43 führt.
Die Einlassöffnung der Substrataufnahmestation 31 ist
direkt mit dem anderen Ende der Rücktransportvorrichtung 43
verbunden. Mit Ausnahme der Filmbildungsstation 33 haben
alle Stationen eine ähnliche Konstruktion wie diejenige der
Anlage gemäss Fig. 1.
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Die Filmbildungsstation 33 ist mit HF-Kathodenplatten 44
versehen, die senkrecht angeordnet sind und zusammen mit
einem Substrathalter 45 oder aber unabhängig davon bewegt
werden können. Jede Elektrodenplatte 44 ist mit einer
äusseren Hochfrequenzquelle 46 verbunden.
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Ein Beispiel des Substrathalters 45 ist in Fig. 5 und 6
dargestellt, worin der Substrathalter 45 zwei
Substrathalterkörper 45a aufweist. An jedem Halterkörper 45a ist ein
Substrat an einer Seite befestigt, nämlich an der
Aussenseite, und er wird durch Rollen 48a und 49a einer oberen
bzw. unteren Rollenbahn 48 bzw. 49 vertikal gehalten und
ist bewegbar. Der Aussenseite jedes Halterkörpers 45a liegt
je eine HF-Kathodenplatte 50 gegenüber, die über
Isolierelemente 51 an einem Trägerrahmen 52 befestigt ist. Die
Trägerrahmen 52 werden von Rollen 48b und 49b verfahrbar
und vertikal gehalten, wobei die Rollen zur oberen bzw.
unteren Rollenbahn 48 bzw. 49 gehören. Bei dieser
Ausführungsform können demnach die HF-Elektrodenplatten 50 und
auch die Halterkörper 45a über die obere und die untere
Rollenbahn 48 bzw. 49 verfahren werden.
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Wie in Fig. 5 in gestrichelten Linien gezeigt ist, können
die Filmbildungsstation 33 und die Ätzstation 36 jeweils
mit HF-Zufuhrelektroden 53 ausgestattet werden, welche quer
verschiebbar sind. Demgemäss kann jede HF-Zufuhrelektrode
53 bewegt werden, um in Berührung mit der zugehörigen HF-
Kathodenplatte 50 zu kommen, wenn ihr letztere
gegenübersteht, und sie kann von der zugehörigen HF-Kathodenplatte
50 wegbewegt werden, wenn letztere zusammen mit dem
Substrathalter 45 weiterverfahren werden soll. In Fig. 5
bezeichnen weiterhin die Bezugszeichen 54 und 55
Erdabschirmungen zum Schutz der Rückseiten jeder
HF-Kathodenplatte 50 und jedes Substrathalterkörpers 45a vor jeder
Abscheidung von Reaktionsprodukten.
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In der Ausführungsform, die in den Fig. 4 und 5 gezeigt
ist, können die Substrathalter 45 und die
HF-Kathodenplatten 50 gleichzeitig verfahren werden, und sie können daher
für jeden Betriebszyklus abgeätzt und gereinigt werden.
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Es sollte darauf hingewiesen werden, dass die
Transporteinrichtung der Substrathalter und der HF-Elektrodenplatten
nicht auf die Ausführungen gemäss Fig. 2, 3, 5 und 6
eingeschränkt ist und durch andere, in der Technik bekannte
Einrichtungen ersetzt werden kann. Es ist ebenfalls
möglich, andere Bauarten von Substrathaltern anstelle der
dargestellten zu verwenden.
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Bei den dargestellten Ausführungsformen wird die
CVD-Bearbeitung und Ätzung im Plasma mit Hilfe einer bipolaren HF-
Entladung ausgeführt. Die vorliegende Erfindung kann jedoch
an beliebige Plasmasysteme angepasst werden, beispielsweise
Magnetronentladung, Penning-Entladung, ECR-Entladung und
ähnliche.
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Weiterhin weist jede der gezeigten Ätzstationen eine Kammer
auf, die ein Evakuieren, ein Ätzen und ein Belüften
ermöglicht. Wenn es jedoch notwendig ist, kann die Ätzstation
aus drei voneinander getrennten Kammern bestehen, nämlich
einer Vorbereitungskammer, einer Ätzkammer und einer
Entnahmekammer.
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Es sollte weiterhin darauf hingewiesen werden, dass in den
dargestellten Ausführungsformen gemäss Fig. 2, 3, 5 und 6
jede HF-Kathodenplatte und der Substrathalter getrennt
voneinander aufgebaut und verfahrbar sein können. In diesem
Falle kann das Abätzen des Substrathalters und der
HF-Elektrodenteile getrennt vorgenommen werden.
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Wie oben schon beschrieben wurde, ist die erfindungsgemässe
CVD-Anlage der In-Line-Bauart mit einer Ätzstation zur
Reinigung der Substrathalter und der Elektrodenteile im
Anschluss an die Substratabbaustation, in der die
bearbeiteten Substrate in einer Atmosphäre vom Substrathalter
abgebaut werden, ausgestattet. Die vorliegende Erfindung weist
den Vorteil auf, dass es möglich ist, das Auftreten von
Fehlstellen auf den Substraten zu vermindern, die auf ein
Abschälen eines auf den Substrathaltern oder anderen Teilen
anhaftenden Films zurückzuführen sind, und daher können die
Zeitspannen zwischen zwei aufeinanderfolgenden Reinigungen
der Anlage verlängert werden, was weniger Stillstandszeiten
der Anlage bedeutet und damit eine stark erhöhte
Produktivität.
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Weiterhin ist es im Falle der Ausführung der vorliegenden
Erfindung als Plasma-CVD-Anlage möglich, sowohl die
Kathodenplatten als auch die Substrathalter zu reinigen, indem
die ersteren verfahrbar gemacht werden. Daher ist es ein
weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung, dass die
Wahrscheinlichkeit eines Abschälens des anhaftenden Films
weiter vermindert werden kann.