DE112004001308T5

DE112004001308T5 - Chemischer Bedampfungs-Reaktor

Info

Publication number: DE112004001308T5
Application number: DE112004001308T
Authority: DE
Inventors: Heng Sunnyvale Liu
Original assignee: Elite Optoelectronics Inc Sunnyvale; Bridgelux Inc
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2003-07-15
Filing date: 2004-06-29
Publication date: 2006-10-19
Also published as: GB2419896B; WO2005010227A2; GB0602942D0; WO2005010227A3; US20050011459A1; TWI276698B; US20050011436A1; KR20060036095A; JP2007531250A; CN101036215A; JP2009212531A; KR100816969B1; GB2419896A; TW200516168A

Abstract

Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger, der mit einer Kammer des Reaktors zusammenwirkt, um den laminaren Strom eines Reaktionsgases innerhalb der Kammer zu erleichtern.

Description

FELD DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich generell auf chemische Bedampfungs-Reaktoren (CVD), sowie diejenigen, die für Halbleiter-Kristalle der Gruppen III–V verwendet werden. Die vorliegende Erfindung bezieht sich insbesondere auf einen CVD-Reaktor, der so aufgebaut ist, dass er Wachstumsbedingungen und einen hohen Durchsatz mit niedriger Wärmekonvektion bereitstellt.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die Organische chemische Bedampfung von Metallen (MOCVD) mit Mischungen der Gruppen III–V ist ein Dünnfilm-Ablagerungsprozess, der eine chemische Reaktion zwischen einem organischen Metall der Gruppe III des Periodensystems und einem Hybrid der Gruppe V des Periodensystems anwendet. Verschiedene Kombinationen von organischem Metall der Gruppe III und den Hybriden der Gruppe V sind möglich.
Dieser Prozess wird üblicherweise bei der Herstellung von Halbleiter-Vorrichtungen sowie Licht emittierenden Dioden (LEDs) angewendet. Der Prozess findet üblicherweise in einem chemischen Bedampfungs-Reaktor (CVD) statt. Die Gestaltung eines CVD-Reaktors ist ein kritischer Faktor beim Erzielen von hochqualitativen Filmen, die für die Halbleiter-Herstellung erforderlich sind.
Generell begünstigt die Gasstrom-Dynamik für die hochqualitative Filmabscheidung den laminaren Strom. Ein laminarer Strom ist im Gegensatz zu einem konvektiven Strom dazu erforderlich, eine hohe Wachstums-Effizienz und Gleichmäßigkeit zu erzielen. Verschiedene Reaktor-Designs sind kommerziell erhältlich, um in großem Maßstab, d.h. bei hohem Durchsatz, eine laminare Wachstumsbedingung zur Verfügung zu stellen. Diese Designs beinhalten Drehscheiben-Reaktoren (RDR), Planetendrehreaktoren (PRR) sowie eng verschlossenen gekoppelten Duschkopf (CCS).
Jedoch leiden solche derzeitigen Reaktoren von inhärenten Nachteilen, die von deren Erwünschtheit insgesamt und insbesondere in Bezug auf Hochdruck- und/oder Hochtemperatur-CVD-Prozesse herrühren. Solche derzeitigen Reaktoren arbeiten generell bei niedrigen Drücken und vergleichsweise niedrigen Temperaturen (so wie beispielsweise 30 Torr und 700°C) gut. Daher sind sie generell geeignet zum Wachstum von BaAs, InP-basierten Mischungen.
Jedoch liegen beim Wachstum von auf Gruppe III Nitriden basierenden Mischungen (sowie GaN, AlN, InN, AlGaN und InGaN) Faktoren vor, die bei der Verwendung solcher derzeitigen Reaktoren wichtig werden. Im Gegensatz zu GaAs oder InP-basierten Materialien werden Gruppe II Nitride vorzugsweise bei wesentlich höheren Drücken und Temperaturen (üblicherweise größer als 500 Torr und höher als 1000°C) wachsen. bei der Verwendung der vorab genannten Reaktor-Designs unter Hochdruck- und Hochtemperatur-Bedingungen tritt inhärent eine schwere Wärmekonvektion auf. Solch eine Wärmekonvektion stört in unerwünschter Weise den Wachstumsprozess, um so die Effizienz und die Ausbeute abzusenken.
Diese Situation wird verschlechtert, wenn die Gasphase in ihrer Mehrheit Ammoniak ist. Ammoniak wird üblicherweise als Stickstoffquelle im Gruppe-III-Nitridprozess (MOCVD) verwendet. Ammoniak ist deutlich viskoser als Wasserstoff. Wenn das Umgebungsgas einen hohen Prozentsatz an Ammoniak enthält, tritt eine Wärmekonvektion leichter auf als wenn das Umgebungsgas in seiner Mehrheit Wasserstoff ist, was beim GaAs- oder InP-basierten MOCVD-Wachstum der Fall ist. Wärmekonvektion ist beim Wachsen hochqualitativer dünner Filme störend, da schwer zu steuernde komplexe chemische Reaktionen aufgrund der verlängerten Dauer der Reaktanzgase in der Wachstumskammer auftreten. Dies führt inhärent zu einem Absinken der Wachstums-Effizienz und zu einer schlechten Film-Gleichmäßigkeit.
Gemäß der derzeitigen Praxis wird eine große Gasstromrate typischerweise verwendet, um eine unerwünschte Wärmekonvektion zu unterdrücken. Beim Wachstum von Gruppe III-Nitriden wird dies durch Anheben der Umgebungsgas-Strömungsrate erzielt, wobei das Gas typischerweise eine Mischung aus Ammoniak mit entweder Wasserstoff oder Stickstoff ist. Daher führt dies zu einem hohen Verbrauch von Ammoniak, insbesondere bei Hochdruck-Wachstumsbedingungen. Dieser hohe Verbrauch an Ammoniak führt zu dementsprechend hohen Kosten.
Den Quellenchemikalien in der Gasphase ist ein anderer wichtiger Punkt für das Wachstum von GaN im derzeitigen MOCVD-Prozess. Diese Reaktion tritt ebenfalls beim Wachstum anderer Gruppe III-Nitriden sowie AlGaN und InGaN auf. Die Gasphasen-Reaktion wird üblicherweise nicht erwünscht. Jedoch ist es nicht im Gruppe III-Nitrid-MOCVD-Prozess zu vermeiden, da die Reaktion heftig und schnell ist.
Wenn die Gruppe III-Alkyle (sowie Trimethylgallium, Trimethylindium, Trimethylaluminium) auf Ammoniak treffen, tritt eine Reaktion nahezu direkt ein, was zur unerwünschten Bildung von Adducts führt.
Üblicherweise werden sich dann, wenn diese Reaktionen auftreten, alle Quellengase in die Wachstumskammer eingetreten sind, die produzierten Adducts im eigentlichen Wachstumsprozess beteiligen. Jedoch werden die produzierten Adducts dann, wenn die Reaktionen vor oder nahe dem Gaseingang der Wachstumskammer auftreten, eine Möglichkeit haben, an der Feststoffoberfläche anzuhaften. Wenn dies passiert, werden die Adducts, die an der Oberfläche anhaften, als Sammelzentren agieren und mehr und mehr Adduct wird infolgedessen dazu neigen, sich anzusammeln. Dieser Prozess wird schließlich die Quellen erschöpfen, wodurch der Wachstumsprozess in unerwünschter Weise zwischen Durchläufen variieren wird und/oder den Gaseingang verstopfen wird.
Ein effizientes Reaktor-Design für das Wachstum von Gruppe III-Nitriden verhindert nicht die Gasphasen-Reaktion, steuert jedoch diese Reaktion, so dass sie nicht solch unerwünschte Situationen erzeugt.
Da die Nachfrage für BaN-basierte blaue und grüne LEDs in den letzten Jahren dramatisch angestiegen ist, wurden Durchsatz-Erfordernisse für Produktions-Reaktoren wichtig. Der derzeitige Ansatz, die Produktion anzuheben, ist typischerweise, größere Reaktoren zu bauen. Die Anzahl von während jedem lauf produzierten Halbleiterscheiben wurde von 6 Halbleiterscheiben auf mehr als 20 Halbleiterscheiben angehoben, während die gleiche Anzahl von Läufen pro Tag in derzeit kommerziell erhältlichen Reaktoren beibehalten wurde.
Jedoch treten dann, wenn ein Reaktor auf diese Weise vergrößert wird, verschiedene neue Punkte auf. Da die Wärmekonvektion in einem großen Reaktor genauso heftig ist wie in einem kleinen Reaktor (oder noch heftiger), werden die Film-Gleichmäßigkeit sowie die Gleichmäßigkeit von Halbleiterscheibe zu Halbleiterscheibe nicht besser (und könnte sogar schlechter sein). Darüber hinaus wird bei hohen Wachstumsdrücken eine sehr hohe Gasstromrate notwendig, um die Wärmekonvektion zu unterdrücken. Die Menge an benötigtem Gasstrom ist so hoch, dass die Modifikation und spezielle Erwägungen für das Gas-Liefersystem erforderlich sind.
Zusätzlich sind aufgrund der Hochtemperatur-Erfordernisse die größeren mechanischen Teile solcher vergrößerter Reaktoren inhärent höherer thermischer Belastung ausgesetzt und neigen infolgedessen dazu, frühzeitig zu brechen. In nahezu sämtlichen Reaktor-Konstruktionen sind Edelstahl, Graphit und Quartz die am meisten üblich verwendeten Materialien. Aufgrund der Hydrierung der verwendeten Metalle (was diese spröde macht) und aufgrund einer Ätzung des Graphits durch Ammoniak bei hohen Temperaturen neigen die größeren Metall- und Graphitteile dazu, deutlich eher als vergleichbare Teile kleinerer Reaktoren zu brechen. Größere Quartzteile werden ebenso aufgrund höherer thermischer Belastung anfällig für Brechen.
Ein anderen Punkt, der mit großen Reaktoren verbunden ist, ist die Schwierigkeit beim Beibehalten gleichmäßig hoher Temperaturen. Die Gleichmäßigkeit in der Dicke und der Zusammensetzung kann direkt durch die Gleichmäßigkeit der Temperatur der Halbleiterscheiben-Trägeroberfläche beeinflusst werden. In großen Reaktoren wird die Gleichmäßigkeit der Temperatur durch Verwendung einer Multizonen-Aufweit-Konfiguration, die in ihrem Design komplex ist, erreicht. Die Zuverlässigkeit der Erhitzer-Anordnung ist aufgrund der oben erwähnten thermischen Belastung und der Ammoniak-Zersetzung schlecht. Diese Punkte der Prozess-Widersprüchlichkeit und extensiven Hardware-Instandhaltung haben einen signifikanten Einfluss auf die Produktionsausbeute und daher auf die Produktkosten.
Unter Bezugnahme auf 1 ist schematisch ein Beispiel eines derzeitigen RDR-Reaktors zur Verwendung bei GaN-Kristallen gezeigt. Die Reaktionskammer hat einen doppelwandigen wassergekühlten 10'' Zylinder 11, einen Strömungsflansch 12, wo sämtliche Reaktions- oder Quellgase verteilt oder in eine Kammer 13 geliefert werden, eine Rotationsanordnung 14, die den Halbleiterscheiben-Träger 16 bei einigen hundert Umdrehungen pro Minute dreht, eine Erhitzeranordnung 17 unterhalb des sich drehenden Halbleiterscheiben-Trägers 16, die dazu aufgebaut ist, die Halbleiterscheiben 10 auf die gewünschten Prozesstemperaturen zu erhitzen, einen Durchgang 18, um den Transfer des Halbleiterscheiben-Trägers in die Kammer 13 hinein und aus dieser heraus zu erleichtern, sowie einen Auslass 19 am Zentrum der Bodenseite der Kammer 13. Eine von außen angetriebene Spindel 21 bewirkt die Rotation des Halbleiterscheiben-Trägers 16. Der Halbleiterscheiben-Träger 16 umfasst eine Vielzahl von Taschen, von denen jede so aufgebaut ist, dass sie eine Halbleiterscheibe 10 enthält.
Der Erhitzer 17 umfasst zwei Sätze von Heizelementen. Ein innerer Satz von Heizelementen 41 erhitzt den zentralen Abschnitt des Halbleiterscheiben-Trägers 16 und ein äußerer Satz von Heizelementen 42 heizt den Umfang des Halbleiterscheiben-Trägers 16 auf. Da der Erhitzer 17 innerhalb der Kammer 13 liegt, ist er den schädlichen Effekten der Reaktionsgase ausgesetzt.
Die Spindel dreht den Halbleiterscheiben-Träger bei zwischen 500 und 1000 U/min.
Wie oben diskutiert, arbeitet dieses Design bei niedrigeren Drücken und Temperaturen gut, insbesondere, wenn das Umgebungsgas eine niedrige Viskosität aufweist. Jedoch tritt dann, wenn GaN bei hohen Drücken und Temperaturen in einem hoch Ammoniak-haltigen Umgebungsgas wächst, eine Wärmekonvektion auf und der Gasstrom neigt dazu, unerwünscht turbulent zu sein.
Unter Bezugnahme auf 2 wird eine vereinfachte Gas-Stromlinie gezeigt, um diese turbulent darzustellen. Es ist klar, dass die Turbulenz anwächst, wenn die Größe der Kammer und/oder die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Oberseite der Kammer ansteigt. Wenn das Design aus 1 für einen höheren Durchsatz vergrößert wird, wird die Kammer 13 sowie der Halbleiterscheiben-Träger 16 vergrößert, um mehr Halbleiterscheiben abzustützen und zu enthalten.
Gas-Rezirkulationszellen 50 neigen dazu, gebildet zu werden, wenn eine Turbulenz im Umgebungsgas vorliegt. Wie dem Fachmann bewusst ist, ist eine solche Rezirkulation unerwünscht, da sie zu unerwünschten Variation in der Reaktanz-Konzentration und der Temperatur führt. Darüber hinaus führt eine solche Rezirkulation generell zu einer reduzierten Wachstums-Effizienz aufgrund der ineffektiven Verwendung des Reaktanzgases.
Darüber hinaus sind in einem größeren Reaktor mehr Aufheizzonen erforderlich. Dies kompliziert selbstverständlich unerwünschter Weise den Aufbau solch größerer Reaktoren und erhöht deren Kosten.
Unter Bezugnahme auf die 3A und 3B kann ein Vergleich zwischen einem 7'' Halbleiterscheiben-Träger 16a mit sechs Taschen (der, wie in 3A gezeigt, sechs Halbleiterscheiben abstützt) sowie einem 12'' Halbleiterscheiben-Träger 16b mit zwanzig Taschen (der, wie in 3B gezeigt, zwanzig Halbleiterscheiben abstützt) leicht durchgeführt werden. Jede Tasche 22 stützt eine einzelne 2'' runde Halbleiterscheibe ab. Aus diesem Vergleich wird deutlich, dass ein solches Vergrößern eines Reaktors zum Aufnehmen von mehr Halbleiterscheiben die Größe stark erhöht und insbesondere deren Volumen. Dieser Anstieg der Größe des Reaktors führt zu unerwünschten Effekten der Wärmekonvektion und, wie oben beschrieben, zu zusätzlicher Komplexität der Konstruktion.
Im Hinblick auf das oben Genannte ist es wünschenswert, einen Reaktor zur Verfügung zu stellen, der nicht wesentlich anfällig für die unerwünschten Effekte einer Wärmekonvektion ist und der leicht und ökonomisch vergrößert werden kann, um den Durchsatz zu erhöhen. Es ist weiter wünschenswert, einen Reaktor zur Verfügung zu stellen, der eine erhöhte Wachstums-Effizienz aufweist (sowie durch Bereitstellen des Mischens von Reaktanzgasen direkt neben einer Wachstumsregion der Halbleiterscheiben und durch Sicherstellen eines engen Kontakts der Reaktanzgase mit der Wachstumsregion). Es ist noch weiter wünschenswert, einen Reaktor zur Verfügung zu stellen, bei dem der Erhitzer außerhalb dessen Kammer liegt und somit nicht den schädlichen Effekten der Reaktionsgase ausgesetzt ist.
KURZE ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Während die Vorrichtung und das Verfahren zum Zwecke der grammatikalischen Flüssigkeit mit funktionalen Erläuterungen beschrieben wurde oder beschrieben werden wird, wird ausdrücklich erklärt, dass die Ansprüche, ausgenommen dann, wenn ausdrücklich unter 35 USC 112 formuliert, nicht so gedacht sind, dass sie notwendigerweise in irgendeiner Weise durch die Konstruktion von "Mittel" oder "Schritten"-Begrenzungen beschränkt sind, sondern den vollen Schutzbereich des Wortlauts und der Äquivalente der durch die Ansprüche unter der juristischen "doctrine of equivalents" zur Verfügung gestellt wird, eingeräumt bekommen, und in dem Falle, wo die Ansprüche ausdrücklich unter 35 USC 112 formuliert wurden, die vollen gesetzlichen Äquivalente unter 35 USC 112 eingeräumt bekommen.
Die vorliegende Erfindung geht speziell die oben mit dem Stand der Technik verbundenen Nachteile an und verringert diese. Insbesondere umfasst gemäß eines Aspekts die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfung-Reaktor, der einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger umfasst, der mit einer Kammer des Reaktors zusammenwirkt, um den laminaren Strom des Reaktionsgases innerhalb der Kammer zu erleichtern.
Gemäß eines anderen Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger aufweist, der an dessen Umfang zur Kammer des Reaktors so abgedichtet ist, dass der laminare Strom innerhalb der Kammer erleichtert wird.
Gemäß eines anderen Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Kammer sowie einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger umfasst, der innerhalb der Kammer angeordnet ist, wobei der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er den Strom des Reaktionsgases innerhalb der Kammer nach außen erhöht.
Gemäß eines anderen Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger sowie eine Reaktionskammer umfasst, wobei der Boden der Reaktionskammer im Wesentlichen durch den Halbleiterscheiben-Träger definiert wird.
Gemäß eines anderen Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Kammer umfasst, einen Halbleiterscheiben-Träger, der innerhalb der Kammer angeordnet ist, sowie einen Erhitzer, der außerhalb der Kammer angeordnet ist, wobei der Erhitzer so aufgebaut ist, dass er den Halbleiterscheiben-Träger erhitzt.
Gemäß eines anderen Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Vielzahl von Kammern und zumindet entweder ein gemeinsames Reaktanzgas-Zufuhrsystem und/oder ein gemeinsames Gasablasssystem umfasst.
Gemäß eines anderen Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der einen Halbleiterscheiben-Träger umfasst, der so aufgebaut ist, dass das Reaktanzgas im Wesentlichen nicht unter den Halbleiterscheiben-Träger strömt.
Gemäß eines anderen Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Kammer, einen Halbleiterscheiben-Träger, einen Gaseinlass, der generell zentral innerhalb der Kammer platziert ist, sowie zumindest einen Gasauslass umfasst, der vollständig oberhalb einer oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet ist, um den laminaren Gasstrom durch die Kammer zu erhöhen.
Diese sowie andere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen deutlicher ersichtlich. Es wird angemerkt, dass Veränderungen im speziell gezeigten beschriebenen Aufbau innerhalb des Schutzbereichs der Ansprüche ohne Abweichen vom Geist der Erfindung ausgeführt werden können.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die Erfindung und ihre verschiedenen Ausführungsformen können nunmehr besser durch Hinwendung zur nachfolgenden detaillierten Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform verstanden werden, die als illustrierte Beispiele der Erfindung, wie sie in den Ansprüchen definiert ist, präsentiert werden. Es wird ausdrücklich angegeben, dass die Erfindung, wie sie durch die Ansprüche definiert ist, breiter als die unten beschriebenen dargestellten Ausführungsformen sein kann.
1 ist eine semi-schematische Querschnitts-Seitenansicht eines derzeitigen Reaktors, der zeigt, dass das Reaktionsgas in verteilter Weise über einen Strömungsflansch in den Reaktor eingeführt wird und die zeigt, dass das Gas aus der Kammer über einen Gasauslass ausgelassen wird, der unterhalb des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist;
2 ist eine semi-schematische Querschnitts-Seitenansicht eines derzeitigen Reaktors, der die unerwünschte Konvektion zeigt, die durch die Rezirkulation des Reaktionsgases innerhalb der Kammer bewirkt wird, wobei die Rezirkulation durch die derzeitig große Distanz zwischen der Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger erleichtert wird;
3A ist eine semi-schematische Ansicht von oben auf einen Halbleiterscheiben-Träger, der so aufgebaut ist, dass er innerhalb eines Reaktors sechs Halbleiterscheiben abstützt;
3B ist eine semi-schematische Ansicht von oben eines Halbleiterscheiben-Trägers, der so aufgebaut ist, dass er innerhalb eines Reaktors zwanzig Halbleiterscheiben abstützt;
4 ist eine semi-schematische Querschnitts-Seitenansicht eines Reaktors, der eine vergleichsweise geringe Distanz zwischen der Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger aufweist und der einen einzelnen vergleichsweise kleinen Gaseinlass aufweist, der generell zentral in Bezug auf den Halbleiterscheiben-Träger gemäß dieser vorliegenden Erfindung angeordnet ist;
5 ist eine semi-schematische Querschnitts-Seitenansicht eines alternativen Aufbaus des Reaktors aus 4, der eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen aufweist, die sämtlich oberhalb der oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet sind und in fluider Wirkverbindung mit einem Ringdiffusor, um so den laminaren Gasstrom zu erhöhen, welcher eine Abdichtung aufweist, die zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet ist und der einen Erhitzer aufweist, der außerhalb der Kammer zusammen mit einer Erhitzergas-Reinigung so angeordnet ist, dass die Effekte des Reaktanzgases auf den Erhitzer gemäß der vorliegenden Erfindung vermindert werden;
6A ist eine semi-schematische Querschnittsansicht von oben des Reaktors aus 5, der einen Halbleiterscheiben-Träger mit drei Taschen, die Abdichtung zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer, den Diffusor sowie die Reaktionsgas-Auslässe zeigt;
6B ist eine semi-schematische perspektivische Seitenansicht des Diffusors aus den 5 und 6A, welche eine Vielzahl von Öffnungen zeigt, die in der inneren Oberfläche und dessen äußerer Oberfläche ausgebildet sind;
7 ist eine semi-schematische Seitenansicht eines alternativen Aufbaus des Reaktors aus 5, der einen separaten Alkyl-Einlass sowie einen separaten Ammoniak-Einlass aufweist, der ein Reaktionsgas zu einem Trägergas bereitstellt;
8 ist eine semi-schematische Querschnitts-Seitenansicht eines alternativen Aufbaus des Reaktors aus 5, der einen Ammoniak-Einlass aufweist, der generell konzentrisch innerhalb eines Alkyl-Trägergas-Einlasses angeordnet ist;
9 ist eine semi-schematische perspektivische Seitenansicht eines vergleichsweise großen, vergrößerten RDR-Reaktors, der eine Kapazität von einundzwanzig Halbleiterscheiben aufweist und der eine Vielzahl von Reaktionsgas-Einlässen aufweist; und
10 ist eine semi-schematische perspektivische Seitenansicht eines Reaktorsystems, welches drei vergleichsweise kleine Reaktoren aufweist (von denen jeder eine Kapazität von sieben Halbleiterscheiben aufweist, so dass die vollständige Kapazität gleich der des großen Vergleichsreaktors aus 9 ist), welche sich ein gemeinsames Reaktionsgas-Zufuhrsystem sowie ein gemeinsames Reaktionsgas-Auslasssystem teilen.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Viele Veränderungen und Modifikationen können vom Fachmann ohne Abweichen vom Geist und Schutzbereich der Erfindung gemacht werden. Daher muss verstanden werden, dass die dargestellte Ausführungsform nur zum Zwecke eines Beispiels angegeben wurde und diese nicht als die Erfindung, wie sie durch die nachfolgenden Ansprüche definiert ist, beschränkend angegeben wurde. beispielsweise muss ausdrücklich angegeben werden, dass unabhängig von der Tatsache, dass die Elemente eines Anspruchs im Folgenden in einer bestimmten Kombination angegeben wurden, dass die Erfindung andere Kombinationen oder weniger, mehr oder unterschiedliche Elemente, die in den obigen offenbart wurden, auch dann beinhaltet, wenn diese nicht ursprünglich in diesen Kombinationen beansprucht wurden.
Die in dieser Ausführung dazu verwendeten Worte, die Erfindung und deren verschiedene Ausführungsformen zu beschreiben, soll nicht ausschließlich im Sinne von deren gemeinhin definierten Bedeutungen verstanden werden, sondern sollen ebenso die speziellen Definitionen gemäß dieser Ausführung des Aufbaus, der Materialien oder der Handlungen über den Schutzbereich der gemeinhin definierten Bedeutungen beinhalten. Somit muss dann, wenn ein Element im Kontext dieser Ausführung mit mehr als einer Bedeutung verstanden werden kann, dessen Verwendung in einem Anspruch als allgemein für alle möglichen Bedeutungen, die von der Ausführung sowie durch das Wort selbst gestützt sind, verstanden werden.
Die Definitionen oder Worte oder Elemente der nachfolgenden Ansprüche sind daher in dieser Ausführung so definiert, dass sie nicht nur die Kombination der Elemente, wie sie wörtlich angegeben wurde, beinhaltet, sondern sämtliche äquivalenten Strukturen, Materialien oder Handlungen zum Durchführen im Wesentlichen der gleichen Funktion in im Wesentlichen der gleichen Weise, um im Wesentlichen das gleiche Ergebnis zu erzielen. In diesem Sinne wird daher vorgesehen, dass eine äquivalente Substitution von zwei oder mehr Elementen für jedes der in den Ansprüchen unten erfolgen kann, oder dass ein einzelnes Element zwei oder mehr Elemente in einem Anspruch substituieren kann. Obwohl Elemente oben als in bestimmten Kombinationen funktionierend beschrieben sein mögen und auch wenn ursprünglich als solche beansprucht, wird ausdrücklich angegeben, dass eine oder mehrere Elemente aus der beanspruchten Kombination in einigen Fällen aus der Kombination entfernt werden können und dass die beanspruchte Kombination auf eine Subkombination oder Variation einer Subkombination gerichtet werden kann.
Unwesentliche Veränderungen des beanspruchten Gegenstands, wie vom Fachmann gesehen, derzeit bekannt oder später ausgedacht, werden ausdrücklich als äquivalent innerhalb des Schutzbereichs der Ansprüche betrachtet. Daher werden offenkundige Substitutionen, die dem Fachmann derzeit bekannt sind oder später bekannt werden, als innerhalb des Schutzbereichs der definierten Elemente definiert.
Die Ansprüche werden somit so verstanden, dass sie das beinhalten, was speziell dargestellt und oben beschrieben wurde, was konzeptionell äquivalent ist, was offensichtlich substituiert werden kann und ebenso was wesentlich die wesentliche Idee der Erfindung beinhaltet.
Somit ist die detaillierte Beschreibung, wie sie im Folgenden in Verbindung mit den anhängenden Zeichnungen angegeben wird, als eine Beschreibung der derzeit bevorzugten Ausführungsform oder Ausführungsformen der Erfindung vorgesehen und ist nicht dazu gedacht, die einzige Form oder die einzigen Formen, in denen die vorliegende Erfindung gebaut oder verwendet werden kann, zu repräsentieren. Die Beschreibung gibt die Funktionen und die Abfolge der Schritte zum Aufbauen und Betreiben der Erfindung in Verbindung mit der(den) Ausführungsform(en) an. Es wird jedoch verstanden, dass gleiche oder äquivalente Funktionen durch unterschiedliche Ausführungsformen erzielt werden können, die ebenso dazu gedacht sind, vom Schutzbereich der Erfindung umfasst zu sein.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger umfasst, der mit einer Kammer des Reaktors zusammenwirkt, um den laminaren Strom des Reaktionsgases innerhalb der Kammer zu erleichtern.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger umfasst, der an dessen Umfang zu einer Kammer des Reaktors so abgedichtet ist, dass der laminare Strom innerhalb der Kammer erleichtert wird.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Kammer sowie einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger umfasst, der innerhalb der Kammer angeordnet ist, wobei der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er den Strom des Reaktionsgases innerhalb der Kammer nach außen erhöht.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger sowie eine Reaktionskammer umfasst, wobei ein Boden der Reaktionskammer im Wesentlichen durch den Halbleiterscheiben-Träger definiert wird.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Kammer, einen innerhalb der Kammer angeordneten Halbleiterscheiben-Träger sowie einen Erhitzer, der außerhalb der Kammer angeordnet ist, umfasst, wobei der Erhitzer so aufgebaut ist, dass er den Halbleiterscheiben-Träger erhitzt.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Vielzahl von Kammern und zumindest entweder ein gemeinsames Reaktanzgas-Zufuhrsystem und/oder eine gemeinsames Gasauslasssystem umfasst.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der einen Halbleiterscheiben-Träger umfasst, der so aufgebaut ist, dass das Reaktanzgas im Wesentlichen nicht unter den Halbleiterscheiben-Träger strömt.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Kammer, einen Halbleiterscheiben-Träger, einen generell zentral innerhalb der Kammer platzierten Gaseinlass sowie zumindest einen Gasauslass umfasst, der vollständig oberhalb einer oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers so ausgebildet ist, dass der laminare Gasstrom durch die Kammer erhöht wird.
Gemäß eines Aspekts umfasse die vorliegenden Erfindung einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, der eine Kammer, einen innerhalb der Kammer angeordneten und mit einem Abschnitt (beispielsweise dem oberen) der Kammer zusammenwirkenden Halbleiterscheiben-Träger, um einen Strömungskanal zu definieren, sowie eine den Halbleiterscheiben-Träger drehende Welle umfasst. Eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer ist klein genug, um einen generell laminaren Strom des Gases durch den Strömungskanal zu bewirken.
Vorzugsweise ist die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug, dass die durch die Rotation des Halbleiterscheiben-Trägers bewirkte Zentrifugalkraft eine Bewegung des Gases innerhalb des Kanals nach außen bewirkt. Vorzugsweise ist die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug dafür, dass ein wesentlicher Abschnitt der Reaktanzien in dem Reaktionsgas vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berührt. Vorzugsweise ist die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug, dass ein Großteil der Reaktanzien in dem Reaktionsgas vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berührt. Vorzugsweise ist die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug dafür, die Wärmekonvektion zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger zu verringern.
Vorzugsweise ist die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer geringer als etwa 2 Inches. Vorzugsweise ist die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer zwischen etwa 0,5 Inch und etwa 1,5 Inches. Vorzugsweise beträgt die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer etwa 0,75 Inch.
Vorzugsweise ist ein Gaseinlass oberhalb des Halbleiterscheiben-Trägers und generell zentral in Bezug auf diesen ausgebildet.
Vorzugsweise wird die Kammer durch einen Zylinder definiert. Vorzugsweise wird die Kammer durch einen Zylinder definiert, dessen eine generell flache Wand eine Oberseite der Kammer definiert und der Reaktionsgas-Einlass etwa am Zentrum der Oberseite der Kammer platziert ist. Jedoch wird dem Fachmann ersichtlich, dass die Kammer alternativ durch jede andere gewünschte geometrische Form definiert werden kann. Beispielsweise kann die Kammer alternativ durch einen Kubus, einen Quader, eine Kugel oder ein Ellipsoid definiert sein.
Vorzugsweise ist der Halbleiterscheiben-Träger für den chemischen Bedampfer so aufgebaut, dass er um dessen Achse rotiert und der Reaktionsgas-Einlass ist generell koaxial in Bezug auf die Achse des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet.
Vorzugsweise weist der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser auf, der kleiner als 1/5 des Durchmessers der Kammer ist. Vorzugsweise weist der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser auf, der kleiner als etwa 2 Inches ist. Vorzugsweise weist der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser auf, der zwischen etwa 0,25 Inch und etwa 1,5 Inch beträgt.
Somit ist der Reaktionsgas-Einlass so groß, dass er bewirken kann, dass Gas generell von einem Zentrum des Halbleiterscheiben-Trägers zu dessen Umfang in einer Weise strömt, die zu einem im Wesentlichen laminaren Reaktionsgas-Strom führt. In dieser Weise werden Konvektionsströme vermindert und die Reaktionseffizienz wird erhöht.
Vorzugsweise wird das Reaktionsgas dazu gezwungen, generell horizontal innerhalb der Kammer zu strömen. Vorzugsweise wird das Reaktionsgas dazu gezwungen, generell horizontal durch den Kanal zu strömen. Vorzugsweise wird bewirkt, dass das Reaktionsgas zumindest teilweise durch einen rotierenden Halbleiterscheiben-Träger nach außen strömt.
Vorzugsweise ist zumindest ein Reaktionsgas-Auslass in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet. Vorzugsweise ist eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen in der Kammer vollständig oberhalb der oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet. Ein Anstieg der Anzahl der Reaktionsgas-Auslässe erhöht den laminaren Strom des Reaktionsgases insbesondere am Umfang des Halbleiterscheiben-Trägers durch Erleichtern des radialen Stroms des Reaktionsgases (durch Bereitstellen geraderer Linienwege für den Gasstrom vom Zentrum des Halbleiterscheiben-Trägers zu dessen Umfang). Das Ausbilden der Reaktionsgas-Auslässe vollständig oberhalb der oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers verringert unerwünschte Turbulenzen im Reaktionsgas-Strom, welcher aus einem über eine Kante des Halbleiterscheiben-Trägers strömenden Reaktionsgases herrührt.
Somit wird zumindest ein Reaktionsgas-Auslass vorzugsweise in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers und unterhalb der Oberseite der Kammer ausgebildet.
Der chemische Bedampfungs-Reaktor umfasst vorzugsweise einen Reaktionsgas-Einlass, der generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist, sowie einen Reaktionsgas-Auslass, der in der Kammer ausgebildet ist. Der Halbleiterscheiben-Träger ist innerhalb der Kammer unterhalb des Gasauslasses (der Gasauslässe) so angeordnet, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger derart definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Ein Ringdiffusor ist vorzugsweise nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet und so aufgebaut, dass er den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht. Der Halbleiterscheiben-Träger ist innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe so angeordnet, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger so definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas- Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Der Ringdiffusor umfasst vorzugsweise einen im Wesentlichen hohlen Kreisring, der eine innere Oberfläche sowie eine äußere Oberfläche aufweist, eine Vielzahl von in der inneren Oberfläche ausgebildeten Öffnungen sowie eine Vielzahl von in der äußeren Oberfläche ausgebildeten Öffnungen. Die Öffnungen in der inneren Oberfläche erhöhen die Gleichmäßigkeit des Reaktionsgas-Stroms über den Halbleiterscheiben-Träger.
Die Öffnungen in der inneren Oberfläche sind vorzugsweise so aufgebaut, dass sie eine ausreichende Beschränkung für den Reaktionsgas-Strom hierdurch erzeugen, um so eine Gleichmäßigkeit des Reaktionsgas-Stroms über den Halbleiterscheiben-Träger zu erhöhen.
Der Ringdiffusor beinhaltet vorzugsweise ein Material, welches gegenüber einer von erhitztem Ammoniak bewirkten Schädigung resistent ist. Beispielsweise kann der Ringdiffusor aus mit Graphit beschichtetem SiC, SiC, Quartz oder Molybdän ausgebildet werden.
Gemäß eines Aspekts der vorliegenden Erfindung ist eine Ringdichtung zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet. Die Ringdichtung ist so aufgebaut, dass sie den Reaktionsgas-Strom aus der Kammer anders als aus dem Reaktionsgas-Auslass mindert. Die Ringdichtung umfasst vorzugsweise entweder Graphit, Quartz oder SiC.
Gemäß eines Aspekts der vorliegenden Erfindung ist eine Erhitzeranordnung außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet. Der Erhitzer kann ein Induktionserhitzer, ein Strahlungserhitzer oder jeder andere gewünschte Typ von Erhitzer sein. Vorzugsweise ist ein Erhitzer-Reinigungssystem konfiguriert, um den Kontakt des Reaktionsgases mit dem Erhitzer zu mäßigen.
Typischerweise ist ein Gasstrom-Regler so aufgebaut, dass er die Menge an in die Kammer über den Gas-Einlassanschluss eingeführten Reaktanzgasen regelt.
Der Halbleiterscheiben-Träger ist vorzugsweise so aufgebaut, dass er zumindest drei 2 Inch-runde Halbleiterscheiben abstützt. Jedoch kann der Halbleiterscheiben-Träger alternativ so aufgebaut sein, dass er jede gewünschte Anzahl von Halbleiterscheiben, jede gewünschte Größe von Halbleiterscheiben und jede gewünschte Form von Halbleiterscheiben abstützt.
Gemäß eines Aspekts der vorliegenden Erfindung ist der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut, dass er den Strom des Reaktionsgases aufgrund der Zentrifugalkraft nach außen erleichtert. Somit umfasst der Halbleiterscheiben-Träger vorzugsweise einen rotierenden Halbleiterscheiben-Träger. Der Halbleiterscheiben-Träger ist vorzugsweise so aufgebaut, dass er bei mehr als etwa 500 U/min rotiert. Der Halbleiterscheiben-Träger ist so aufgebaut, dass er zwischen etwa 100 U/min und etwa 1500 U/min rotiert. Der Halbleiterscheiben-Träger ist vorzugsweise so aufgebaut, dass er etwa bei 800 U/min rotiert.
Die Vorrichtung und das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung können dazu verwendet werden, um Halbleiterscheiben zu bilden, aus denen eine Vielzahl unterschiedlicher Halbleiter-Vorrichtungen geformt werden können. Beispielsweise können die Halbleiterscheiben dazu verwendet werden, ein Plättchen auszuformen, aus dem LEDs erzeugt werden.
Die vorliegende Erfindung ist in den 1 bis 10 dargestellt, die derzeit bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung darstellen. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen chemischen Bedampfungs-Reaktor (CVD) sowie ein integriertes Multireaktor-System, welches für einen vergrößerten Durchsatz geeignet ist. Der Reaktor weist eine Geometrie auf, die eine Wärmekonvektion im Wesentlichen unterdrückt, ein Gasinjektions-Schema, das eine sehr hohe Gasgeschwindigkeit bereitstellt, um die Adhäsion von Adducts an der Oberfläche zu verhindern, sowie eine begrenzte Wachstumszone, um die Wachstums-Effizienz (durch Reduzierung des Quellengas-Verbrauchs) zu erhöhen.
Für Konfigurationen mit hohem Durchsatz können eine Vielzahl von Einheiten des Reaktors integriert werden. Jeder Reaktor in der Konfiguration mit einer Vielzahl von Einheiten kann eine vergleichsweise kleine Größe aufweisen, so dass der mechanische Aufbau einfach und zuverlässig sein kann. Sämtliche Reaktoren teilen sich eine gemeinsame Gaszufuhr, Auslass- und Regelsysteme, so dass die Kosten ähnlich zu denen der größeren konventionellen Reaktoren mit dem gleichen Durchsatz sind.
Das Konzept des Anhebens des Durchsatzes ist unabhängig in Bezug auf das Reaktor-Design und kann ebenso auf verschiedene andere Reaktor-Design angewendet werden. In der Theorie besteht keine Beschränkung dahingehend, wie viele der Reaktoren in einem System integriert werden können. Jedoch ist aus praktischem Gesichtspunkt die maximale Anzahl der integrierte Reaktoren im Wesentlichen dadurch begrenzt, wie das Gas-Zufuhrsystem konfiguriert ist. Sowohl das Reaktor-Design als auch das Vergrößerungs-Konzept können ebenso auf das Wachstum verschiedener anderer Materialien angewendet werden und somit beinhaltet dieses III-Nitride, sämtlichen anderen Gruppe III–V Mischungen, Oxide, Nitride und Gruppe V-Kistalle, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
Unter Bezugnahme auf 4 weist ein Reaktor 100 einen engen Gaseinlass auf, der an der Oberseite und dem Zentrum des Reaktorzylinders 111 platziert ist. Der Zylinder 111 ist doppelwandig und wassergekühlt, wie der in 1 gezeigte Reaktor. Die Temperatur des Wassers kann so variiert werden, dass die Temperatur der Kammer 113 geregelt wird. Ein enger Gaskanal 130, der von dem Halbleiterscheiben-Träger 116 und der Oberseite 131 des Reaktors 100 definiert wird, führt das Gas nach außen.
In dem Halbleiterscheiben-Träger 116 ausgebildete Taschen sind so aufgebaut, dass sie Halbleiterscheiben 110 aufnehmen und abstützen, sowie 2 Inch-Halbleiterscheiben, die zur Verwendung bei der Herstellung von LEDs geeignet sind.
Der rotierende Halbleiterscheiben-Träger 116 fördert den Gasstrom durch seine Zentrifugalkraft nach außen. Der rotierende Halbleiterscheiben-Träger 116 dreht sich vorzugsweise zwischen 10 und 1500 U/min. Wie dem Fachmann ersichtlich ist, führen höhere Rotationsgeschwindigkeiten des Halbleiterscheiben-Trägers 116 typischerweise zu einer größeren auf das Reaktionsgas aufgebrachten Zentrifugalkraft.
Durch Einführen des Gases vom Zentrum aus wird das Gas dazu gedrängt, generell horizontal in dem engen Kraft 130 zu strömen, wodurch der Wachstumsprozess in einiger Hinsicht einen Horizontalreaktor simuliert. Dem Fachmann wird hier ersichtlich, dass ein Vorteil eines Horizontalreaktors eine höhere Wachstums-Effizienz ist. Dies liegt darin, dass sämtliche Reaktanzien in einem horizontalen Reaktor auf ein deutlich geringeres Volumen beschränkt sind, wodurch die Reaktanzien in deren Kontakt mit der Wachstumsoberfläche effizient gemacht werden.
Vorzugsweise weist der Gaseinlass einen Durchmesser, Dimension A, auf, der kleiner als 1/5 des Durchmessers der Kammer ist. Vorzugsweise weist der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser auf, der kleiner als etwa 2 Inch ist. Vorzugsweise weist der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser auf, der zwischen etwa 0,25 Inch und etwa 1,5 Inch ist.
Im Gegensatz zur Verwendung eines zusätzlichen Gasstroms zur Unterdrückung der Wärmekonvektion in einem Reaktor des vertikalen Typs, sowie dem in 2 gezeigten RDR, wird die Unterdrückung der Wärmekonvektion unter Verwendung eines engen Strömungskanals 130 erreicht, so dass der Gasstrom in die gewünschte Richtung gezwungen wird.
Die Distanz zwischen der oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers 116 und der Oberseite der Kammer 111 wird als Dimension B gekennzeichnet. Die Dimension B ist vorzugsweise kleiner als etwa 2 Inch. Die Dimension B ist vorzugsweise zwischen etwa 0,5 Inch und etwa 1,5 Inch. Die Dimension B ist vorzugsweise etwa 0,75 Inch.
Es ist jedoch gut bekannt, dass ein Abreicherungseffekt ein Hauptnachteil beim Horizontalreaktor ist. Wenn die Reaktanzien im Trägergas vom Zentrum auf den Umfang der rotierenden Scheibe fortschreiten, wird die Menge an Reaktanzien entlang des Weges verbraucht, was zur Folge hat, dass der abgeschiedene dünne Film entlang der radialen Richtung auf der Halbleiterscheibe dünner und dünner wird.
Ein derzeitiger Ansatz, den Abreicherungseffekt zu reduzieren, ist die Verwendung einer hohen Gasstromrate, um den Konzentrationsgradienten entlang der Radiusrichtung zu reduzieren. Der Nachteil dieses Ansatzes ist eine inhärente Absenkung der Wachstums-Effizienz.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Wachstums-Effizienz durch Verwendung einer vergleichsweise hohen Halbleiterscheiben-Träger-Rotationsrate verbessert, so dass die durch die Rotation des Halbleiterscheiben-Trägers erzeugte Zentrifugalkraft die Gasgeschwindigkeit über die Halbleiterscheiben ohne Verwendung einer hohen Gasstromrate erhöht.
Unter Bezugnahme auf 5 kann der Gasstrom-Widerstand reduziert werden, so dass ein höherer Grad an laminarem Strom durch Ausformung des(der) Reaktionsgas-Auslasses(-Auslässe) derart, dass sie vollstädig oberhalb der oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers stehen, produziert wird. Durch Ausbilden des Gasauslasses vollständig oberhalb der oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers 116 wird eine direktere Route (und somit weniger gekrümmte) für das Reaktionsgas vom Gaseinlass 112 zum Gasauslass 119 zur Verfügung gestellt. Wie für den Fachmann ersichtlich ist, wird je direkter und weniger gekrümmt die Route des Reaktionsgases ist, desto weniger turbulent (und laminarer) dessen Strom wird.
Durch Hinzufügen einer Ringdichtung 132 um den rotierenden Halbleiterscheiben-Träger 116, um den Strömungskanal 130 des Auslassgas-Stroms zu überbrücken, wird der Strömungswiderstand reduziert und ein laminarer Strom wird wesentlich erhöht. Dies liegt daran, dass eine Veränderung der Gasstrom-Richtung an der Kante des Halbleiterscheiben-Trägers eliminiert wird. Die Ringdichtung 132 kann aus Quartz, Graphit, SiC oder anderen beständigen Materialien, die für Reaktoren-Umgebungen geeignet sind, erzeugt sein.
Um auch das Pumpen von Auslass-Gas (und somit einen laminareren Strom) zu erzielen, kann ein ringförmiger Diffusor 133 (besser in den 6A und 6B gezeigt) verwendet werden. Der ringförmige Diffusor 133 erzeugt effektiv nahezu den gesamten Umfang des Reaktors nahe des Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers 132 und einen generell kontinuierlichen Gasauslass-Anschluss.
Ein Erhitzer 117 ist außerhalb der Kammer (was der Abschnitt des Reaktors ist, innerhalb dessen das Reaktionsgas tatsächlich strömt, dazu angeordnet. Der Erhitzer ist unterhalb des Halbleiterscheiben-Trägers 116 angeordnet. Da die Ringdichtung 132 den Reaktionsgas-Strom unter den Halbleiterscheiben-Träger 116 vermindert, ist der Erhitzer nicht vollständig dem Reaktionsgas ausgesetzt und somit wird er nicht hierdurch wesentlich geschädigt.
Vorzugsweise wird eine Erhitzer-Reinigung 146 so vorgesehen, sämtliches Reaktionsgas, das über die Ringdichtung 132 in den Bereich unterhalb des Halbleiterscheiben-Trägers eintritt, abzuführen.
Unter Bezugnahme auf 6A sind vier Pumpen-Anschlüsse oder Gas-Auslässe 119 in fluider Wirkverbindung mit dem Diffusor 133. Sämtliche Gas-Auslässe 119 sind vorzugsweise mit einer gemeinsamen Pumpe verbunden.
Die Ringdichtung 132 überbrückt den Spalt zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger 116 und der Kammer 111, um so den laminaren Strom des Reaktionsgases, wie oben beschrieben, zu erleichtern.
Unter Bezugnahme auf 6B umfasst der Diffusor 133 eine Vielzahl von inneren Öffnungen 136 und eine Vielzahl von äußeren Öffnungen 137. Wie dem Fachmann ersichtlich ist, wird, je größer die Anzahl der inneren Öffnungen 136 sein mag, desto näher die inneren Öffnungen sich einer einzelnen kontinuierlichen Öffnung annähern. Tatsächlich wird, je näher sich die inneren Öffnungen einer einzelnen kontinuierlichen Öffnung annähern, desto laminarer wird der Gasstrom durch die Kammer.
Der Diffusor 133 umfasst vorzugsweise zumindest so viele äußere Öffnungen wie Gasauslass-Anschlüsse vorliegen (in 5A sind beispielsweise vier Gasauslass-Anschlüsse 119 gezeigt).
Der Diffusor 133 wird vorzugsweise aus Graphit, mit Graphit beschichtetem SiC, festem SiC, Quartz, Molybdän oder anderen Materialien, die heißem Ammoniak widerstehen, erzeugt. Dem Fachmann wird ersichtlich sein, dass verschiedene Materialien geeignet sind.
Die Größe der Löcher in dem Diffusor 133 kann klein genug gemacht werden, um eine leichte Beschränkung des Gasstroms zu erzeugen, so dass eine gleichmäßigere Verteilung des Auslasses erzielt werden kann. Jedoch sollte die Lochgröße nicht so klein gemacht werden, dass eine Verstopfung leicht auftreten kann, da das Reaktionsprodukt Dampf und Feststoffpartikel enthält, die aneinander anhaften können oder an dem Diffusor Löcher kondensieren können.
Unter Bezugnahme auf die 7 und 8 kann die Reaktanzgas-Injektionskonfiguration modifiziert werden, um die Gasphasen-Reaktion zu verbessern. Gemäß dieser modifizierten Konfiguration werden Alkyle und Ammoniak meistens voneinander getrennt, bevor sie in die Reaktionskammer eingeführt werden, wie dies in 7 gezeigt ist, und werden vor dem Eintreten in die Reaktionskammer vollständig separiert, wie dies in 8 gezeigt ist. In sämtlichen Fällen werden die Reaktanzien direkt bevor sie die Wachstumszone erreichen, in der die Halbleiterscheiben platziert sind, vermischt. Die Gasphasen-Reaktion tritt nur in einer sehr kurzen Zeit auf, bevor die Gase sich am Wachstumsprozess beteiligen.
Insbesondere unter Bezugnahme auf 7 liegt ein Alkyl-Einlass 141 getrennt von einem Ammoniak-Einlass 142 vor. Sowohl der Alkyl-Einlass 141 als auch der Ammoniak-Einlass 142 stellen ein Reaktionsgas zum Trägergas-Einlass 112 direkt bevor diese Gase in die Kammer 111 eintreten, zur Verfügung.
Mit besonderer Bezugnahme auf 8 stellt der Alkyl-Einlass 141 ein Reaktionsgas zum Trägergas-Einlass 112 zur Verfügung, wie dies weitestgehend auch in 7 verwirklicht ist. Der Ammoniak-Einlass 151 umfasst ein Rohr, das innerhalb des Trägergas-Einlasses 112 angeordnet ist. Der Ammoniak-Einlass ist vorzugsweise generell konzentrisch innerhalb des Trägergas-Einlasses 12 angeordnet, jedoch wird dem Fachmann ersichtlich sein, dass verschiedene andere Konfigurationen des Alkyl-Einlasses 141, des Ammoniak-Einlasses 151 sowie des Trägergas-Einlasses 112 ebenfalls geeignet sind.
Eine Düse 161 neigt dazu, Ammoniak gleichmäßig über den Halbleiterscheiben-Träger 116 aufzutragen, um so die Reaktionseffizienz zu erhöhen.
Die Konfiguration des Reaktionsgas-Einlasses sowohl aus 7 als auch aus 8 verringern unerwünschte Gasphasen-Reaktionen vor dem Kontakt der Reaktionsgase mit den Halbleiterscheiben.
Wie oben erwähnt, ist ein Vorteil des Reaktor-Aufbaus, wie er in den 5, 7 und 8 gezeigt ist, die signifikante Reduktion unerwünschter Ablagerungen am Erhitzer 117. Die Erhitzeranordnung kann sowohl ein Strahlungserhitzer oder ein Radiofrequenz-(RF)-induktiver Erhitzer sein. Durch Bereitstellen einer Erhitzer-Reinigung 146 am unteren Teil des Reaktors 111 kann das Reaktionsgas effektiv davon abgehalten werden, in den Erhitzerbereich einzutreten. Somit wird jedes Reaktionsgas, welches über die Ringdichtung 132 hinaus fließt, schnell von der Erhitzerregion abgeführt, so dass die Beschädigung des Erhitzers 117, die hierdurch bewirkt wird, verringert wird.
Gemäß eines Aspekts umfasst die vorliegende Erfindung einen Weg, den Durchsatz eines metallorganischen chemischen Bedampfungs-(MOCVD)-Systems oder dergleichen zu erhöhen. Im Gegensatz zu derzeitigen Versuchen, einen MOCVD-Reaktor durch Anheben der Größe der Reaktionskammer zu vergrößern, integriet die vorliegende Erfindung verschiedene kleinere Reaktormodule, um den gleichen Halbleiterscheiben-Durchsatz zu erzielen.
Unter Bezugnahme auf 9 wird ein Reaktor 900 mit einundzwanzig Halbleiterscheiben gezeigt. Aufgrund der großen Größe des Reaktors 900 wird das Gas üblicherweise durch eine Vielzahl von Anschlüssen 901–903 eingeführt, um so dessen gleichmäßige Verteilung zu erreichen. Gasstrom-Regler 902 erleichtern die Regelung der Menge an Reaktionsgas und der Mengen an Komponenten des Reaktionsgases, welches zu den Kammern zugeführt wird.
Ein Gas-Zufuhrsystem 940 stellt ein Reaktionsgas zu den Anschlüssen 901–903 zur Verfügung. Ein Gasauslasssystem 950 entfernt gebrauchtes Reaktionsgas aus dem Reaktor 111.
Unter Bezugnahme auf 10 wird ein Reaktor mit drei integrierten Kammern gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt. Jede Kammer 951–953 ist eine vergleichsweise kleine Kammer, die beispielsweise jeweils einen Reaktor mit sieben Halbleiterscheiben definiert. Sämtliche Reaktoren teilen sich das gleiche Gaseinlasssystem 960 und Gasauslasssystem 970.
Sowohl der Aufbau aus 9 als auch der Aufbau aus 10 erzielen den gleichen Durchsatz mit einundzwanzig Halbleiterscheiben. Jedoch liegen wesentliche Vorteile der vorliegenden Erfindung vor, wie dies in 10 gezeigt ist, verglichen mit dem Reaktor, wie er in 9 gezeigt ist. Kleinere Reaktoren weisen eine bessere Hardware-Verlässlichkeit insbesondere für das Wachstum von Gruppe III-Nitriden auf, da kleinere mechanische Teile bei hohen Temperaturen geringeren thermischen Belastungen unterliegen.
Des weiteren wird die Wachstums-Gleichheit besser mit kleineren Reaktoren erzielt, da die Temperatur- und Strömungsdynamik deutlich leichter aufrecht zu erhalten ist als in größeren Reaktoren. Ebenso ist die Instandhaltung kleinerer Reaktoren deutlich einfacher und benötigt weniger Zeit, da die Konstruktion kleinerer Reaktoren deutlich einfacher als die größerer Reaktoren ist. Daher weist ein kleinerer Reaktor üblicherweise eine höhere Betriebszeit sowie einen weniger häufigeren und billigeren Teile-Service auf.
Sämtliche dieser Faktoren führen zu deutlich geringeren Kosten beim Besitz von kleinen Reaktoren, da die tatsächliche Halbleiterscheiben-Ausbeute höher und die Instandhaltungskosten geringer sind. Da die Kosten, einen Reaktor zu bauen, nur etwa 2–5% des gesamten MOCVD-Systems betragen, erhöhen viele Reaktoren in dem System die Gesamtkosten nicht deutlich. Der Vorteil dieser Erfindung ist deutlich höher als die Kosten zusätzlicher Reaktoren.
Es wird verstanden, dass das beispielhafte Verfahren sowie die Vorrichtung für die chemische Bedampfung, wie sie hierin beschrieben wurden und in den Zeichnungen gezeigt sind, nur derzeit bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung darstellen. Tatsächlich können verschiedene Modifikationen und Hinzufügungen zu diesen Ausführungsformen gemacht werden, ohne vom Geist und Schutzbereich der Erfindung abzuweichen.
Beispielsweise sollte deutlich werden, dass die Vorrichtung und das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung Anwendungen finden können, die von der metallorganischen chemischen Bedampfung abweichen können. Tatsächlich kann die vorliegende Erfindung für eine Anwendung geeignet sein, die keinerlei Bezug zu der Herstellung von Halbleiter-Vorrichtungen aufweist.
Somit können diese und andere Modifikationen und Hinzufügungen dem Fachmann offensichtlich sein und können eingeführt werden, um die vorliegende Erfindung an eine Verwendung in einer Vielzahl von unterschiedlichen Anwendungen anzupassen.
Zusammenfassung
Ein chemischer Bedampfungs-Reaktor weist einen rotierenden Halbleiterscheiben-Träger auf, der mit einer Kammer des Reaktors so zusammenwirkt, dass der laminare Strom eines Reaktionsgases innerhalb der Kammer erleichtert wird. Der chemische Bedampfungs-Reaktor kann bei der Herstellung von LEDs und dergleichen verwendet werden.

Claims

Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger, der mit einer Kammer des Reaktors zusammenwirkt, um den laminaren Strom eines Reaktionsgases innerhalb der Kammer zu erleichtern.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger, der an dessen Umfang zu einer Kammer des Reaktors so abgedichtet ist, dass der laminare Strom innerhalb der Kammer erleichtert wird.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend eine Kammer sowie innerhalb der Kammer angeordneten drehbaren Halbleiterscheiben-Träger, wobei der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er den Strom des Reaktionsgases innerhalb der Kammer nach außen erhöht.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend einen drehbaren Halbleiterscheiben-Träger sowie eine Reaktionskammer, wobei ein Boden der Reaktionskammer im Wesentlichen durch den Halbleiterscheiben-Träger definiert wird.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend eine Kammer, einen innerhalb der Kammer angeordneten Halbleiterscheiben-Träger, sowie einen Erhitzer, der außerhalb der Kammer angeordnet ist, wobei der Erhitzer so aufgebaut ist, dass er den Halbleiterscheiben-Träger erhitzt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend eine Vielzahl von Kammern sowie zumindest entweder ein gemeinsames Reaktanzgas-Zufuhrsystem und/oder ein gemeinsames Gas-Auslasssystem.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend einen Halbleiterscheiben-Träger, der so aufgebaut ist, dass das Reaktanzgas im Wesentlichen nicht unterhalb des Halbleiterscheiben-Trägers strömt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend eine Kammer, einen Halbleiterscheiben-Träger, einen Gas-Einlass, der im Wesentlichen zentral innerhalb der Kammer platziert ist, sowie zumindest einen Gasauslass, der in der Kammer vollständig oberhalb einer oberen Oberfläche des Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet ist, um so den laminaren Gasstrom durch die Kammer zu erhöhen.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Übermitteln eines Reaktionsgases durch eine Reaktionskammer, so dass der Großteil der Reaktantien im Reaktionsgas vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berührt.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Übermitteln eines Reaktionsgases durch eine Reaktionskammer über einen Kanal, der zwischen der Kammer und einem mittels einer Spindel angetriebenen Halbleiterscheiben-Träger ausgebildet ist, wobei eine Distanz zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger klein genug ist, um die Wärmekonvektion zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger zu mildern.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom zumindest teilweise durch Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers bewirkt wird.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines zumindest teilweise generell radialen Stroms von Reaktionsgasen innerhalb eines Reaktors mittels Zetrifugalkraft.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom teilweise durch einen Gaseinlass bewirkt wird, der generell zentral innerhalb der Kammer angeordnet ist, sowie zumindest einen Gasauslass, der generell umfänglich innerhalb der Kammer angeordnet ist, sowie teilweise durch die Rotation des Halbleiterscheiben-Trägers.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb des Reaktors durch Bereitstellen von Reaktionsgas zu einer Kammer des Reaktors über einen zentral angeordneten Reaktionsgas-Einlass und durch Auslassen von Reaktionsgas aus der Kammer über zumindest einen umfänglich platzierten Reaktionsgas-Auslass, der vollständig oberhalb einer oberen Oberfläche eines Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Zuführen von Reaktionsgasen aus einem gemeinsamen Gasvorrat in eine Vielzahl von Kammern.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Entfernen von Gas aus den Kammern über ein gemeinsames Gasauslasssystem.
Verfahren zur chemischen Bedampfung eines Reaktors, umfassend das Strömen eines Reaktionsgases über einen Halbleiterscheiben-Träger, ohne wesentliches Strömen des Reaktionsgases unterhalb des Halbleiterscheiben-Trägers.
Verfahren für einen chemischen Bedampfungs-Reaktor, umfassend ein Einströmen von Reaktionsgas durch eine Kammer und aus einem Gasauslass heraus, der vollständig oberhalb einer oberen Oberfläche eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet ist, so dass der laminare Gasstrom erhöht wird.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend: eine Kammer; einen innerhalb der Kammer angeordneten und mit einem Abschnitt der Kammer zusammenwirkenden Halbleiterscheiben-Träger, um einen Strömungskanal zu definieren; eine Welle zur Drehung des Halbleiterscheiben-Trägers; und wobei eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug ist, um einen generell laminaren Strom des Gases durch den Strömungskanal zu bewirken.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug für eine durch die Rotation des Halbleiterscheiben-Trägers bewirkte Zentrifugalkraft ist, um eine Bewegung des Gases innerhalb des Kanals nach außen zu bewirken.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas Reaktanzien umfasst und eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug ist, dass ein wesentlicher Abschnitt der Reaktanzien in dem Reaktionsgas eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe vor dem Austritt aus der Kammer berührt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas Reaktanzien umfasst, und eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug ist, dass ein Großteil der Reaktanzien in dem Reaktionsgas eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe vor dem Austritt aus der Kammer berührt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug ist, um die Wärmekonvektion zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger zu mindern.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer geringer als etwa 2 Inch ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer zwischen etwa 0,5 Inch und etwa 1,5 Inch beträgt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer etwa 0,75 Inch beträgt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend einen Gaseinlass, der oberhalb des Halbleiterscheiben-Trägers und generell zentral in Bezug hierzu ausgebildet ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei die Kammer durch einen Zylinder definiert wird.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei die Kammer durch einen Zylinder definiert ist, dessen eine im Wesentlichen flache Wand eine Oberseite der Kammer definiert und der Reaktionsgas-Einlass bei etwa einem Zentrum der Oberseite der Kammer platziert ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei: der Halbleiterscheiben-Träger derart aufgebaut ist, dass er sich um dessen Achse dreht; und der Reaktionsgas-Einlass im Wesentlichen koaxial in Bezug auf die Achse des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser aufweist, der geringer als 1/5 des Durchmessers der Kammer ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser aufweist, der geringer als etwa 2 Inches ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei der Reaktionsgas-Einlass einen Durchmesser aufweist, der zwischen etwa 0,25 Inch und etwa 1,5 Inch beträgt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas dazu gezwungen wird, generell horizontal innerhalb der Kammer zu strömen.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas dazu gezwungen wird, generell horizontal durch den Kanal zu strömen.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas zumindest teilweise durch Rotieren eines Halbleiterscheiben-Trägers dazu gebracht wird, nach außen zu strömen.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend zumindest einen Reaktionsgas-Auslass, der in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend zumindest einen Reaktionsgas-Auslass, der in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers und unterhalb einer Oberseite der Kammer ausgebildet ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Reaktionsgas-Einlass, der generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist; zumindest einen Reaktionsgas-Auslass, der in der Kammer ausgebildet ist; und wobei der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb des Gasauslasses (der Gasauslässe) derart angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger definiert, so dass das Reaktionsgas in die Kammer durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer über den Strömungskanal und aus der Kammer über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Reaktionsgas-Einlass, der generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist; zumindest einen Reaktionsgas-Auslass, der in der Kammer ausgebildet ist; einen Ringdiffusor, der nahe einem Umfang des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass er den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zu dem(den) Reaktionsgas-Einlass (Einlässen) erhöht; und wobei der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe so angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger so definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer über dem Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Reaktionsgas-Einlass, der generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen, die in der Kammer ausgebildet sind; einen Ringdiffusor, der nahe einem Umfang des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass er den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zu dem Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor umfasst: einen im Wesentlichen hohlen Kreisring, der eine innere Oberfläche sowie eine äußere Oberfläche aufweist; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der inneren Oberfläche ausgebildet sind; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der äußeren Oberfläche ausgeformt sind; und wobei Öffnungen in der inneren Oberfläche die Gleichmäßigkeit des Reaktionsgas-Stroms über den Halbleiterscheiben-Träger erhöhen; und wobei der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe so angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger derart definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer über dem Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Reaktionsgas-Einlass, der generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen, die in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet sind; einen Ringdiffusor, der nahe einem Umfang des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass er den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor umfasst: einen im Wesentlichen hohlen Kreisring, der eine obere Oberfläche sowie eine äußere Oberfläche aufweist; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der inneren Oberfläche ausgebildet sind; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der äußeren Oberfläche ausgebildet sind; wobei die Öffnungen in der inneren Oberfläche so aufgebaut sind, dass sie einer ausreichenden Beschränkung für den Reaktionsgas-Strom hierdurch erzeugen, so dass die Gleichmäßigkeit eines Reaktionsgas-Stroms über den Halbleiterscheiben-Träger erhöht wird; und wobei der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe so angeordnet ist, dass er einen Strömungkanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger derart definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer hinaus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Reaktionsgas-Einlass, der generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen, die in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet sind; einen Ringdiffusor, der nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass er den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor aus einem Material besteht, welches gegen eine von erhitztem Ammoniak erzeugte Beschädigung resistent ist; und wobei der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe so angeordnet ist, dass ein Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger definiert ist, so dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Reaktionsgas-Einlass, der generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen, die in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet sind; einen Ringdiffusor, der nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass er den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor aus entweder Graphit und/oder mit Graphit beschichtetem SiC und/oder SiC Quartz und/oder Molybdän besteht; und wobei der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe so angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger so definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionseinlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend eine Abdichtung, die zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet ist, wobei die Abdichtung so aufgebaut ist, dass sie den Reaktionsgas-Strom aus der Kammer heraus anders als aus dem Reaktionsgas-Auslass mindert.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend eine Ringdichtung, die zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet ist, wobei die Ringdichtung so aufgebaut ist, dass sie den Reaktionsgas-Strom aus der Kammer heraus anders als durch den Reaktionsgas-Auslass mindert.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend eine Ringdichtung, die zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet ist, wobei die Ringdichtung so aufgebaut ist, dass sie den Reaktionsgas-Strom aus der Kammer heraus anders als aus dem Reaktionsgas-Auslass mindert, wobei die Ringdichtung zumindest entweder Graphit und/oder Quartz und/oder SiC umfasst.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend eine Erhitzungsanordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend eine Induktionserhitzer-Anordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend eine Strahlungserhitzer-Anordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: eine Erhitzeranordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist; und ein Erhitzer-Reinigungssystem, das so aufgebaut ist, dass es den Kontakt des Reaktionsgases mit dem Erhitzer mindert.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend einen Gasstrom-Regler, der so aufgebaut ist, dass er die Menge an in die Kammer über den Gaseinlass-Anschluss eingeführten Reaktanzgasen regelt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Trägergas-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; einen Alkyl-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Trägergas-Einlass; und einen Ammoniak-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Trägergas-Einlass.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Trägergas-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; einen Alkyl-Einlass in fluider Wirkverbindung mit der Trägergas-Einlass; einen Ammoniak-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Trägergas-Einlass; und wobei der Alkyl-Einlass und der Ammoniak-Einlass nahe der Kammer so angeordnet sind, dass die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer zu erhöht wird.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Alkyl-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; eine Ammoniakleitung, die durch den Reaktionsgas-Einlass hindurchführt; und wobei die Ammoniak-Leitung so aufgebaut ist, dass sie die Trennung von Alkylen und Ammoniak vor deren Einführung in die Kammer aufrecht erhält.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Alkyl-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; eine Ammoniakleitung, die durch den Reaktionsgas-Einlass derart hindurchtritt, dass eine innere Ammoniak-Fluidleitung und eine äußere Alkyl-Fluid-Leitung definiert werden; und wobei die innere Ammoniakleitung und die äußere Alkyl-Leitung so aufgebaut sind, dass sie die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor der Einführung in die Kammer aufrecht erhalten.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Ammoniak-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; eine Alkyl-Leitung, die durch den Reaktionsgas-Einlass so hindurchtritt, dass eine innere Alkyl-Fluid-Leitung und eine äußere Ammoniak-Fluid-Leitung definiert werden; und wobei die innere Alkyl-Leitung und die äußere Ammoniakleitung so aufgebaut sind, dass sie die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer aufrecht erhalten.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: ein äußeres Rohr in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; ein inneres Rohr, das zumindest teilweise innerhalb des äußeren Rohrs angeordnet ist und in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass steht; und wobei das äußere Rohr und das innere Rohr so aufgebaut sind, dass sie die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer erhöhen.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, des weiteren umfassend: ein äußeres Rohr in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; ein inneres Rohr, das zumindest teilweise innerhalb des äußeren Rohrs angeordnet ist und in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass steht; und wobei das äußere Rohr und das innere Rohr generell konzentrisch zueinander so aufgebaut sind, dass die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer erhöht wird und die Vermischung der Alkyle und des Ammoniaks nach deren Einführung in die Kammer erhöht wird.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei: der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er zumindest drei 2 Inch runde Halbleiterscheiben abstützt; und des weiteren umfassend eine Vielzahl von Gaseinlässen, wobei jeder Gaseinlass so aufgebaut ist, dass er generell Reaktionsgase zu einem unterschiedlichen Abschnitt des Halbleiterscheiben-Trägers bereitstellt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 20 bezeichnet, wobei: der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er zumindest drei 2 Inch rund Halbleiterscheiben abstützt; des weiteren umfassend eine Vielzahl von Gaseinlässen, wobei jeder Gaseinlass so aufgebaut ist, dass er generell Reaktionsgase zu einem unterschiedlichen Abschnitt des Halbleiterscheiben-Trägers bereitstellt; und einen Gasstrom-Regler, der so aufgebaut ist, dass er die Menge an über jeden Gaseinlass-Anschluss in die Kammer eingeführten Reaktanzgasen regelt.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer einen Halbleiterscheiben-Träger enthaltenden Kammer; Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers mit einer Spindel; Bewirken eines generell laminaren Stroms von Gas zwischen einem Abschnitt der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug ist, so dass die durch die Drehung des Halbleiterscheiben-Trägers bewirkte Zentrifugalkraft eine Bewegung des Gases innerhalb des Kanals nach außen bewirkt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas Reaktanzien umfasst und eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug dafür ist, dass ein wesentlicher Abschnitt der Reaktanzien im Reaktionsgas vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berührt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas Reaktanzien umfasst und eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug dafür ist, dass ein Großteil der Reaktanzien im Reaktionsgas vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berührt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei eine Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer klein genug dafür ist, die Wärmekonvektion zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger zu mindern.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer geringer als etwa 2 Inch beträgt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer zwischen etwa 0,5 Inch und etwa 1,5 Inch beträgt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei die Distanz zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und dem Abschnitt der Kammer etwa 0,75 Inch beträgt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend eine Gaseinlass, der oberhalb des Halbleiterscheiben-Trägers und generell zentral in Bezug hierauf ausgebildet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei die Kammer durch einen Zylinder definiert wird.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei die Kammer durch einen Zylinder definiert ist, dessen eine generell flache Wand eine Oberseite der Kammer definiert und ein Reaktionsgas-Einlass bei etwa einem Zentrum der Oberseite der Kammer ausgebildet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend das Einführen von Gas in die Kammer über einen Reaktionsgas-Einlass, der generell koaxial in Bezug auf die Achse des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei das Reaktionsgas in die Kammer über einen Gaseinlass eingeführt wird, der einen Durchmesser aufweist, der geringer als 1/5 des Durchmessers der Kammer ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei Reaktionsgas in die Kammer über einen Gaseinlass eingeführt wird, welcher einen Durchmesser aufweist, der kleiner als etwa 2 Inches ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei Reaktionsgas in die Kammer über einen Gaseinlass eingeführt wird, der einen Durchmesser aufweist, der zwischen etwa 0,25 Inch und etwa 1,5 Inch beträgt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas dazu gezwungen wird, generell horizontal zu strömen.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas dazu gezwungen wird, durch einen Kanal, der durch die Zusammenwirkung mit der Kammer und einen Halbleiterscheiben-Träger definiert wurde, generell horizontal zu strömen.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei ein Reaktionsgas zumindest teilweise durch einen rotierenden Halbleiterscheiben-Träger dazu gebracht wird, nach außen zu strömen.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei zumindest ein Reaktionsgas aus der Kammer über einen Auslass ausströmt, der oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers in der Kammer ausgebildet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei zumindest ein Reaktionsgas-Auslass in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers und unterhalb einer Oberseite der Kammer ausgebildet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei: ein Reaktionsgas-Einlass generell zentral innerhalb der Kammer ausgebildet ist; zumindest ein Reaktionsgas-Auslass in der Kammer ausgebildet ist; und der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb des Gasauslasses (der Gasauslässe) so angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger definiert, so dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über die Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei: ein Reaktionsgas-Einlass generell zentral in der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen in der Kammer ausgebildet ist; der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe so angeordnet ist, dass ein Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger derart definiert wird, dass Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt; und ein Ringdiffusor nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei: ein Reaktionsgas-Einlass generell zentral in der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen in der Kammer ausgebildet ist; der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer unterhalb der Gasauslässe derart angeordnet ist, dass ein Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger so definiert ist, dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt; einen Ringdiffusor, der nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor umfasst: einen im Wesentlichen hohlen Kreisring, der eine innere Oberfläche sowie eine äußere Oberfläche aufweist; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der inneren Oberfläche ausgebildet sind; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der äußeren Oberfläche ausgebildet sind; und wobei Öffnungen in der inneren Oberfläche die Gleichmäßigkeit des Reaktionsgas-Stroms über den Halbleiterscheiben-Träger erhöhen.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei: ein Reaktionsgas-Einlass generell zentral in der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet ist; der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer so angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger so definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungkanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt; ein Ringdiffusor nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist und den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor umfasst: einen im Wesentlichen hohlen Kreisring, der eine innere Oberfläche sowie eine äußere Oberfläche aufweist; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der inneren Oberfläche ausgebildet ist; eine Vielzahl von Öffnungen, die in der äußeren Oberfläche ausgebildet ist; und wobei die Öffnungen in der inneren Oberfläche so aufgebaut sind, dass sie eine ausreichende Beschränkung für den Reaktionsgas-Strom hier hindurch erzeugen, so dass eine Gleichmäßigkeit des Reaktionsgas-Stroms über den Halbleiterscheiben-Träger erhöht wird.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei: ein Reaktionsgas-Einlass generell zentral in der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet ist; der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer so angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger derart definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt; und ein Ringdiffusor, der nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist, der den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor aus einem Material besteht, welches gegenüber der durch erhitzten Ammoniak bewirkten Beschädigung resistent ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, wobei: ein Reaktionsgas-Einlass generell zentral in der Kammer ausgebildet ist; eine Vielzahl von Reaktionsgas-Auslässen in der Kammer oberhalb eines Halbleiterscheiben-Trägers ausgebildet ist; der Halbleiterscheiben-Träger innerhalb der Kammer so angeordnet ist, dass er einen Strömungskanal zwischen einer Oberseite der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger derart definiert, dass das Reaktionsgas in die Kammer hinein durch den Reaktionsgas-Einlass, durch die Kammer hindurch über den Strömungskanal und aus der Kammer heraus über den Reaktionsgas-Auslass strömt; und ein Ringdiffusor, der nahe eines Umfangs des Halbleiterscheiben-Trägers angeordnet ist, den laminaren Strom vom Reaktionsgas-Einlass zum Reaktionsgas-Auslass erhöht, wobei der Ringdiffusor aus zumindest entweder Graphit und/oder mit Graphit beschichtetem SiC und/oder SiC-Quartz und/oder Molybdän besteht.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: das Abstützen einer Vielzahl von Halbleiterscheiben mittels des Halbleiterscheiben-Trägers; und das Verringern des Reaktionsgas-Stroms aus der Gaskammer anders als aus dem Reaktionsgas-Auslass über eine Abdichtung, die zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: das Abstützen einer Vielzahl von Halbleiterscheiben mittels des Halbleiterscheiben-Trägers; und das Mindern des Reaktionsgas-Stroms aus der Kammer heraus anders als durch den Reaktionsgas-Auslass mittels einer Ringdichtung, die zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: das Abstützen einer Vielzahl von Halbleiterscheiben mittels des Halbleiterscheiben-Trägers; und das Mindern des Reaktionsgas-Stroms aus der Kammer heraus anders als durch den Reaktionsgas-Auslass mittels einer Ringdichtung, die zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und der Kammer angeordnet ist, wobei die Ringdichtung so aufgebaut ist, dass die Ringdichtung zumindest entweder Graphit und/oder Quartz und/oder SiC umfasst.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend das Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb der Kammer angeordnet ist, mittels einer Erhitzeranordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend das Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb der Kammer angeordnet ist, über eine Induktionserhitzer-Anordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend das Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb der Kammer angeordnet ist, mittels einer Strahlungserhitzer-Anordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb der Kammer angeordnet ist, mittels einer Erhitzeranordnung, die außerhalb der Kammer und nahe dem Halbleiterscheiben-Träger angeordnet ist; und Mindern des Kontakts des Reaktionsgases mit dem Erhitzer mittels eines Erhitzer-Reinigungssystems.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend das Regeln einer Menge an in die Kammer eingeführten Reaktanz-Gasen mittels eines Gasstrom-Reglers.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Bereitstellen eines Trägergases zu der Kammer über einen Trägergas-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; Bereitstellen eines Alkyls zu der Kammer über einen Alkyl-Einlass in fluider Wirkverbindung mit der Trägergas-Einlass; und Bereitstellen von Ammoniak zu der Kammer über einen Ammoniak-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Trägergas-Einlass.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Bereitstellen eines Trägergases zu der Kammer über einen Trägergas-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; Bereitstellen eines Alkyls zu der Kammer über einen Alkyl-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Trägergas-Einlass; Bereitstellen von Ammoniak zu der Kammer über einen Ammoniak-Einlass in fluider Wirkverbindung mit dem Trägergas-Einlass; und wobei der Alkyl-Einlass und der Ammoniak-Einlass nahe der Kammer so angeordnet sind, dass die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer erhöht wird.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Bereitstellen eines Alkyls zu der Kammer über eine Alkyl-Leitung in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; Bereitstellen von Ammoniak zu der Kammer über eine Ammoniak-Leitung, die durch den Reaktionsgas-Einlass verläuft; und wobei die Ammoniak-Leitung so aufgebaut ist, dass sie die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer aufrecht erhält.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Bereitstellen eines Alkyls zu der Kammer über eine Alkyl-Leitung in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; Bereitstellen von Ammoniak zu der Kammer über eine Ammoniak-Leitung, die durch den Reaktionsgas-Einlass verläuft; und wobei die innere Ammoniak-Leitung und die äußere Alkyl-Leitung so aufgebaut sind, dass sie die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer aufrecht erhalten.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Bereitstellen eines Alkyls zu der Kammer über eine Alkyl-Leitung in fluider Wirkverbindung mit dem Reaktionsgas-Einlass; Bereitstellen von Ammoniak zu der Kammer über eine Ammoniak-Leitung, die durch den Reaktionsgas-Einlass verläuft; und wobei die innere Alkyl-Leitung und die äußere Ammoniak-Leitung so aufgebaut sind, dass sie die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer aufrecht erhalten.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Bereitstellen eines ersten Gases zu der Kammer über ein äußeres Rohr; Bereitstellen eines zweiten Gases zu der Kammer über ein inneres Rohr, das zumindest teilweise innerhalb des äußeren angeordnet ist; und wobei das äußere Rohr und das innere Rohr so aufgebaut sind, dass sie die Trennung der ersten und zweiten Gase vor deren Einführung in die Kammer erhöhen.
Verfahren wie in Anspruch 63 bezeichnet, des weiteren umfassend: Bereitstellen eines ersten Gases zu der Kammer über ein äußeres Rohr; Bereitstellen eines zweiten Gases zu der Kammer über ein inneres Rohr, das zumindest; teilweise innerhalb des äußeren angeordnet ist; und wobei das äußere Rohr und das innere Rohr generell konzentrisch in Bezug aufeinander angeordnet sind, um so die Trennung der Alkyle und des Ammoniaks vor deren Einführung in die Kammer zu erhöhen und so die Vermischung der Alkyle und des Ammoniaks nach deren Einführung in die Kammer zu erhöhen.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend: eine Kammer; und einen Halbleiterscheiben-Träger, der innerhalb der Kammer angeordnet ist, wobei der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er den Strom des Reaktionsgases nach außen aufgrund einer Zentrifugalkraft erleichtert.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 104 bezeichnet, wobei der Halbleiterscheiben-Träger einen sich drehenden Halbleiterscheiben-Träger umfasst.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 104 bezeichnet, wobei der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er sich vorzugsweise bei höherer Umdrehungsgeschwindigkeit als etwa 500 U/min dreht.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 104 bezeichnet, wobei der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er zwischen etwa 100 U/min und etwa 1500 U/min rotiert.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 104 bezeichnet, wobei der Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut ist, dass er bei etwa 800 U/min rotiert.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 104 bezeichnet, wobei ein Gasvorrat so aufgebaut ist, dass er die Reaktionsgase getrennt voneinander beibehält, bis die Gase innerhalb der Kammer sind.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 104 bezeichnet, des weiteren umfassend: eine äußere Fluidleitung, die so aufgebaut ist, dass sie zumindest ein Reaktionsgas zu der Kammer zur Verfügung stellt; zumindest eine innere Fluidleitung, die innerhalb der äußeren Fluidleitung angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass sie zumindest ein anderes Reaktionsgas zu der Kammer zur Verfügung stellt; und wobei die innere und äußere Fluidleitung die Trennung der Reaktionsgase erleichtern.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 104 bezeichnet, des weiteren umfassend: eine äußere Fluidleitung, die so aufgebaut ist, dass sie zumindest ein Reaktionsgas zu der Kammer zur Verfügung stellt; zumindest eine innere Fluidleitung, die konzentrisch innerhalb der äußeren Fluidleitung angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass sie zumindest ein anderes Reaktionsgas zur Verfügung stellt; und wobei die innere und äußere Fluidleitung die Trennung der Reaktionsgase erleichtern.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Reaktionskammer; Bereitstellen eines Halbleiterscheiben-Trägers, der innerhalb der Kammer angeordnet ist; Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers derart, dass der Strom des Reaktionsgases nach außen aufgrund der Zentrifugalkraft erleichtert wird.
Verfahren wie in Anspruch 112 bezeichnet, wobei das Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers das Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers bei mehr als etwa 500 U/min umfasst.
Verfahren wie in Anspruch 112 bezeichnet, wobei das Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers das Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers bei zwischen etwa 100 U/min und etwa 1500 U/min umfasst.
Verfahren wie in Anspruch 112 bezeichnet, wobei das Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers das Drehen des Halbleiterscheiben-Trägers bei etwa 800 U/min umfasst.
Verfahren wie in Anspruch 112 bezeichnet, wobei die Reaktionsgase voneinander getrennt gehalten werden, bis die Gase innerhalb der Kammer sind.
Verfahren wie in Anspruch 112 bezeichnet, des weiteren umfassend: Einbringen eines ersten Reaktionsgases über eine äußere Fluidleitung in die Kammer; Einbringen eines zweiten Reaktionsgases über zumindest eine innere Fluidleitung, die innerhalb der äußeren Fluidleitung angeordnet ist, in die Kammer; und wobei die inneren und äußeren Fluidleitungen die Trennung der Reaktionsgase erleichtern.
Verfahren wie in Anspruch 112 bezeichnet, des weiteren umfassend: Einbringen eines ersten Reaktionsgases über eine äußere Fluidleitung in die Kammer; Einbringen eines zweiten Reaktionsgases über zumindest eine innere Fluidleitung, die innerhalb der äußeren Fluidleitung angeordnet ist, in die Kammer; wobei die inneren und äußeren Fluidleitungen generell konzentrisch zueinander stehen und die Trennung der Reaktionsgase erleichtern.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor, umfassend: eine Reaktionskammer, die so aufgebaut ist, dass sie zumindest eine Halbleiterscheibe enthält; und einen außerhalb der Kammer angeordneten Erhitzer, der so aufgebaut ist, dass er die Halbleiterscheibe(n) erhitzt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 119 bezeichnet, des weiteren umfassend einen Halbleiterscheiben-Träger, der so aufgebaut ist, dass er zumindest eine Halbleiterscheibe abstützt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 119 bezeichnet, des weiteren umfassend einen Halbleiterscheiben-Träger, der so aufgebaut ist, dass er innerhalb der Kammer rotiert und eine Vielzahl von Halbleiterscheiben abstützt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 119 bezeichnet, des weiteren umfassend einen Halbleiterscheiben-Träger, der den Boden der Kammer definiert und der so aufgebaut ist, dass er innerhalb der Kammer rotiert und eine Vielzahl von Halbleiterscheiben abstützt.
Chemischer Bedampfungs-Reaktor wie in Anspruch 119 bezeichnet, des weiteren umfassend: einen Halbleiterscheiben-Träger, der einen Boden der Kammer definiert und der so aufgebaut ist, dass er innerhalb der Kammer rotiert und eine Vielzahl von Halbleiterscheiben abstützt; und eine Ringdichtung, die so aufgebaut ist, dass sie einen Strom des Gases zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und einem Seitenabschnitt der Kammer mindert.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Reaktorkammer, die zumindest eine Halbleiterscheibe enthält; und Erhitzen der Halbleiterscheibe(n) über einen Erhitzer, der außerhalb der Kammer angeordnet ist.
Verfahren wie in Anspruch 124 bezeichnet, des weiteren umfassend das Abstützen der Halbleiterscheibe(n) mit einem Halbleiterscheiben-Träger.
Verfahren wie in Anspruch 124 bezeichnet, des weiteren umfassend das Drehen eines Halbleiterscheiben-Trägers innerhalb der Kammer.
Verfahren wie in Anspruch 124 bezeichnet, des weiteren umfassend das Definieren eines Bodens der Kammer mit einem Halbleiterscheiben-Träger, der so aufgebaut ist, dass er innerhalb der Kammer rotiert und eine Vielzahl von Halbleiterscheiben abstützt.
Verfahren wie in Anspruch 124 bezeichnet, des weiteren umfassend: das Definieren eines Bodens der Kammer mit einem Halbleiterscheiben-Träger, der so aufgebaut ist, dass er innerhalb der Kammer rotiert und eine Vielzahl von Halbleiterscheiben abstützt; und das Mindern eines Gasstroms zwischen dem Halbleiterscheiben-Träger und einem Seitenabschnitt der Kammer mit einer Ringdichtung.
Chemisches Bedampfungs-System, umfassend: eine Vielzahl von Reaktorkammern; ein gemeinsames Gas-Zufuhrsystem, das so aufgebaut ist, dass es Reaktionsgase zu den Kammern bereitstellt; und ein gemeinsames Gasauslasssystem, das so aufgebaut ist, dass es die Gase aus den Kammern entfernt.
Chemisches Bedampfungs-System wie in Anspruch 129 bezeichnet, des weiteren umfassend einen Halbleiterscheiben-Träger, der innerhalb jeder Kammer angeordnet ist, wobei die Halbleiterscheiben-Träger so aufgebaut sind, dass sie jeweils weniger als zwölf Halbleiterscheiben abstützen.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, wobei das Verfahren umfasst: das Bereitstellen einer Vielzahl von Reaktorkammern; das Bereitstellen von Reaktionsgasen zu den Kammern über eine gemeinsame Gaszufuhr; und das Entfernen der Gase aus den Kammern über ein gemeinsames Gasauslasssystem.
Verfahren wie in Anspruch 131 bezeichnet, des weiteren umfassend das Abstützen von weniger als zwölft Halbleiterscheiben auf einem innerhalb jeder Kammer angeordneten Halbleiterscheiben-Träger.
Halbleiterscheibe, erzeugt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, welches das Einbringen von Reaktionsgas durch eine Reaktorkammer umfasst, so dass ein Großteil der Reaktanzien des Reaktionsgases vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berühren.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Einbringgen eines Reaktionsgases durch eine Reaktionskammer über einen Kanal, der zwischen der Kammer und einem Halbleiterscheiben-Träger ausgebildet ist, wobei eine Distanz zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger klein genug dafür ist, die Wärmekonvektion zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger zu mindern.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radialen laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom zumindest teilweise durch einen Gaseinlass, der generell zentral innerhalb der Kammer angeordnet ist, sowie durch zumindest einen Gasauslass, der generell umfänglich innerhalb der Kammer angeordnet ist, bewirkt wird.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radialen laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom zumindest teilweise durch ein Rotieren des Halbleiterscheiben-Trägers bewirkt wird.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines zumindest teilweise generell radialen Stroms von Reaktionsgasen innerhalb eines Reaktors mittels Zentrifugalkraft.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radialen laminaren Stroms innerhalb eines Reaktors durch Bereitstellen eines Reaktionsgases zu einer Kammer des Reaktors mittels eines zentral angeordneten Reaktionsgas-Einlasses und durch das Ablassen von Reaktionsgas aus der Kammer über zumindest einen umfänglich platzierten Reaktionsgas-Auslass.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das generelle Getrennthalten von zwei Reaktanzgasen in Bezug aufeinander und das Einführen der Gase in eine Kammer in einer Weise, die die Gase generell vermischt und einen generell radialen Strom der Gase bereitstellt.
Halbleiterscheibe, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb einer Reaktorkammer angeordnet ist, mit zumindest einem Erhitzer, der außerhalb der Reaktorkammer angeordnet ist.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Einbringen eines Reaktionsgases durch Reaktorkammer, so dass ein Großteil der Reaktanzien des Reaktionsgases vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berührt.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Einbringen von Reaktionsgas durch eine Reaktorkammer über einen Kanal, der zwischen der Kammer und einem Halbleiterscheiben-Träger ausgebildet ist, wobei eine Distanz zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger klein genug dafür ist, die Wärmekonvektion zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger zu mindern.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom zumindest teilweise durch einen Gaseinlass, der generell zentral innerhalb der Kammer angeordnet ist, sowie durch zumindest einen Gasauslass, der generell umfänglich innerhalb der Kammer angeordnet ist, bewirkt wird.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom zumindest teilweise durch ein Rotieren des Halbleiterscheiben-Trägers bewirkt wird.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines zumindest teilweise generell radialen Stroms der Reaktionsgase innerhalb eines Reaktors mittels Zentrifugalkraft.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb eines Reaktors durch Bereitstellen von Reaktionsgas zu einer Kammer des Reaktors mittels eines zentral platzierten Reaktionsgas-Einlasses und durch das Ablassen von Reaktionsgas aus der Kammer über zumindest einen umfänglich angeordneten Reaktionsgas-Auslass.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Getrennthalten von zumindest zwei Reaktanzgasen in Bezug aufeinander und das Einführen der Gasein eine Kammer in einer Weise, die die Gase generell vermischt und einen generell radialen Stroms der Gase bereitstellt.
Plättchen, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb einer Reaktorkammer angeordnet ist, mittels zumindest eines Erhitzers, der außerhalb der Reaktorkammer angeordnet ist.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Einbringen von Reaktionsgas durch eine Reaktorkammer, so dass ein Großteil der Reaktanzien in dem Reaktionsgas vor dem Austritt aus der Kammer eine Oberfläche einer Halbleiterscheibe berührt.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Einbringen von Reaktionsgas durch eine Reaktorkammer über einen Kanal, der zwischen der Kammer und einem Halbleiterscheiben-Träger ausgebildet ist, wobei eine Distanz zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger klein genug dafür ist, die Wärmekonvektion zwischen der Kammer und dem Halbleiterscheiben-Träger zu mindern.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer des Reaktors.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eine generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom zumindest teilweise durch einen Gaseinlass, der generell zentrall innerhalb der Kammer angeordnet ist, sowie durch zumindest einen Gasauslass, der generell umfänglich innerhalb der Kammer angeordnet ist, bewirkt wird.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb einer Kammer eines Reaktors, wobei der radial laminare Strom zumindest teilweise durch Rotieren eines Halbleiterscheiben-Trägers bewirkt wird.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines zumindest teilweise generell radial laminaren Stroms von Reaktionsgasen innerhalb eines Reaktors mittels Zentrifugalkraft.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Bewirken eines generell radial laminaren Stroms innerhalb eines Reaktors durch Bereitstellen eines Reaktionsgases zu der Kammer des Reaktors mittels eines zentral platzierten Reaktionsgas-Einlasses und durch Ablassen des Reaktionsgases aus der Kammer über zumindest einen umfänglich platzierten Reaktionsgas-Auslass.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Getrennthalten von zumindest zwei Reaktanzgasen in Bezug aufeinander und das Einführen der Gase in eine Kammer in einer Weise, die die Case generell vermischt und einen generell radialen Strom der Gase zur Verfügung stellt.
LED, gefertigt durch ein Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb einer Reaktorkammer angeordnet ist, mit zumindest einem Erhitzer, der außerhalb der Reaktorkammer angeordnet ist.
Verfahren zur chemischen Bedampfung, umfassend das Erhitzen von zumindest einer Halbleiterscheibe, die innerhalb einer Reaktorkammer angeordnet ist, mit zumindest einem Erhitzer, der außerhalb der Reaktorkammer angeordnet ist.