JP2007531250A - 化学気相成長反応装置 - Google Patents
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Abstract
Description
望ましくは、前記反応ガスは、回転するウエハキャリヤによって、少なくとも部分的に外側に向かって流れるようになる。
理論的には、1つのシステムに統合される反応装置の数には制限がない。しかし、実用上は、統合される反応装置の最大数は、ガス供給システムがどのように構成されているかによって実質的に制限される。
反応装置の設計および拡大のコンセプトは、種々の異なる材質の増大に適用でき、従って、限定はされないが、III族の窒化物、全てのIII−V族の化合物、酸化物、窒化物、及びV族エピタキシーを含む。
Claims (160)
- 反応装置のチャンバと協働して該チャンバ内で反応ガスの層流を促進させる回転可能なウエハキャリヤを備える化学気相成長反応装置。
- 反応装置のチャンバ内において層流が促進されるように、その周囲で前記チャンバに対してシールされている回転可能なウエハキャリヤを備える化学気相成長反応装置。
- チャンバ及び該チャンバ内に配置された回転可能なウエハキャリヤを備え、該ウエハキャリヤは前記チャンバ内において反応ガスの上方への流れを増大させるように構成されている化学気相成長反応装置。
- 回転可能なウエハキャリヤ及び反応チャンバを備え、
該反応チャンバの底部が前記ウエハキャリヤによって実質的に定められる化学気相成長反応装置。 - チャンバと、該チャンバ内に配置されたウエハキャリヤと、前記チャンバの外に配置されたヒータとを備え、該ヒータは前記ウエハキャリヤを加熱するように構成されている化学気相成長反応装置。
- 複数のチャンバと、共通の反応ガス供給システム及び共通のガス排出システムの少なくとも一方とを備える化学気相成長反応装置。
- ウエハキャリヤを備え、反応ガスが実質的に前記ウエハキャリヤの下側を流れないように構成されている化学気相成長反応装置。
- チャンバと、ウエハキャリヤと、前記チャンバ内の略中央に位置するガス注入口と、前記チャンバを通るガスの層流を促進するように、前記ウエハキャリヤの上部表面の上方に全て形成された少なくとも1つのガス排出口とを備える化学気相成長反応装置。
- 反応装置チャンバを通って反応物質ガスを伝達させるステップを含み、前記反応ガス中の殆どの前記反応物質が、前記チャンバから排出される前に、ウエハの表面に接触するように通過させる化学気相成長方法。
- チャンバとスピンドル駆動のウエハキャリヤとの間に形成された流路を介して、反応装置チャンバを通って反応物質ガスを伝達させるステップを含み、前記チャンバと前記ウエハキャリヤとの間の距離が、前記チャンバと前記ウエハキャリヤとを媒介する熱対流を軽減させるように十分に小さい、化学気相成長方法。
- 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法。
- 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含み、
前記半径方向の層流が、ウエハキャリヤを回転させることによって少なくとも部分的にもたらされる化学気相成長方法。 - 遠心力によって、反応装置のチャンバ内で略半径方向の反応ガスの層流を、少なくとも部分的にもたらすステップを含む化学気相成長方法。
- 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含み、
前記半径方向の層流が、前記チャンバ内の略中央に位置するガス注入口及び略前記チャンバ内の周縁部に配置された少なくとも1つのガス排出口によって部分的にもたらされ、且つウエハキャリヤの回転によって部分的にもたらされる化学気相成長方法。 - 中央に配置された反応ガス注入口を介してチャンバ内に反応ガスを供給すること、及び、ウエハキャリヤの上部表面の真上に配置され、周縁部に位置する少なくとも1つの反応ガス排出口を介して前記チャンバから反応ガスを排出することによって、反応装置内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法。
- 共通のガス供給装置から、複数のチャンバに反応ガスを共有するステップを含む化学気相成長方法。
- 共通のガス排出システムを介してチャンバからガスを排出させるステップを含む化学気相成長方法。
- ウエハキャリヤの下方に反応ガスを実質的に流すこと無く、前記ウエハキャリヤの上全体に前記反応ガスを流すステップを含む化学気相成長反応装置用の方法。
- 層状のガスの流れが促進されるように、チャンバを通り、前記チャンバ内の、ウエハキャリヤの上部表面の真上上方に形成されたガス排出口から出るように反応ガスを流すステップを含む化学気相成長反応装置用の方法。
- チャンバと、
該チャンバ内に配置され且つ該チャンバの一部と共に流路を定めるウエハキャリヤと、
該ウエハキャリヤを回転させるためのシャフトとを備え、
前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が、前記流路を通って略層状のガスの流れを生じるように十分に狭い化学気相成長反応装置。 - 前記ウエハキャリヤの回転によって生じる遠心力が、前記チャンバ内で外方向へのガスの動きを生じるように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 反応ガスが反応物質を含み、
前記反応ガス中の前記反応物質の多くの部分が、前記チャンバから出る前にウエハ表面に接触するように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 反応ガスが反応物質を含み、
前記反応ガス中の前記反応物質の大部分が、前記チャンバから出る前にウエハ表面に接触するように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記チャンバと前記ウエハキャリヤとの間の熱対流を軽減するように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が約2インチ未満である請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が、約0.5インチおよび約1.5インチの間である請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が、約0.75インチである請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤの上方に、且つそれに対して略中心に形成されたガス注入口をさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバが円筒によって定められる請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバが、前記チャンバの最上部を定める略平坦な1つの壁と、前記チャンバの前記最上部の略中央に位置する前記反応ガス注入口とを備える円筒によって定められる請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤが、その軸の周りに回転するように構成されており、
前記反応ガス注入口が、前記ウエハキャリヤの前記軸に対して略同軸状に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口が、前記チャンバの直径の約1/5未満の直径を有する請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記反応ガス注入口が、約2インチ未満の直径を有する請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記反応ガス注入口が、約0.25インチ及び約1.5インチの間の直径を有する請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記反応ガスが、前記チャンバ内で略水平に流れるように制限される請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記反応ガスが、前記流路を通って略水平に流れるように制限される請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記反応ガスが、回転するウエハキャリヤによって、少なくとも部分的に外方向に流れるようになる請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成された、少なくとも1つの反応ガス排出口をさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方かつ前記チャンバの最上部の下方に形成された、少なくとも1つの反応ガス排出口をさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバ内の略中心上に形成された反応ガス注入口と、
前記チャンバに形成された少なくとも1つの反応ガス排出口とをさらに備え、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが記チャンバ内で前記反応ガス排出口の下方に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記チャンバ内の略中心上に形成された反応ガス注入口と、
前記チャンバに形成された少なくとも1つの反応ガス排出口と、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置され、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進するように構成された円形の拡散器をさらに備え、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが、前記チャンバ内で、前記反応ガス排出口の下方に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記チャンバ内の略中心上に形成された反応ガス注入口と、
前記チャンバに形成された複数の反応ガス排出口と、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置され、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進するように構成された円形の拡散器をさらに備え、
前記円形の拡散器が、内側表面および外側表面を有する実質的に中空の環と、前記内側表面に形成された複数の開口と、前記外側表面に形成された複数の開口とを備え、
前記内側表面の開口が、前記ウエハキャリヤの上の反応ガスの流れの均一性を促進し、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが、前記チャンバ内で、前記反応ガス排出口の下方に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記チャンバ内の略中心上に形成された反応ガス注入口と、
前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成された複数の反応ガス排出口と、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置され、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進するように構成された円形の拡散器をさらに備え、
前記円形の拡散器が、内側表面および外側表面を有する実質的に中空の環と、前記内側表面に形成された複数の開口と、前記外側表面に形成された複数の開口とを備え、
前記内側表面の開口が、前記ウエハキャリヤの上の反応ガスの流れの均一性を促進するように、そこを流れる反応ガスの流れに対して十分な制限を生じるように構成され、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが、前記チャンバ内で、前記反応ガス排出口の下方に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記チャンバ内の略中心上に形成された反応ガス注入口と、
前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成された複数の反応ガス排出口と、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置され、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進するように構成された円形の拡散器をさらに備え、
前記円形の拡散器が、過熱されたアンモニアによって生じる劣化に耐性のある物質を含み、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが、前記チャンバ内で、前記反応ガス排出口の下方に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記チャンバ内の略中心上に形成された反応ガス注入口と、
前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成された複数の反応ガス排出口と、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置され、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進するように構成された円形の拡散器をさらに備え、
前記円形の拡散器が、グラファイト、SiCで被覆されたグラファイト、SiC石英、又はモリブデンの少なくとも一つを含み、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが、前記チャンバ内で、前記反応ガス排出口の下方に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記ウエハキャリヤと前記チャンバとの間に配置されたシールをさらに備え、
前記シールが、前記反応ガス排出口以外から前記チャンバ外への反応ガスの流れを軽減するように構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記ウエハキャリヤと前記チャンバとの間に配置された円形のシールをさらに備え、
前記円形のシールが、前記反応ガス排出口以外から前記チャンバ外への反応ガスの流れを軽減するように構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記ウエハキャリヤと前記チャンバとの間に配置された円形のシールをさらに備え、
前記円形のシールが、前記反応ガス排出口以外から前記チャンバ外への反応ガスの流れを軽減するように構成され、
前記円形のシールが、グラファイト、石英、及びSiCの少なくとも一つを含む請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記チャンバの外部であり、前記ウエハキャリヤの近傍に配置されたヒータアセンブリをさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバの外部であり、前記ウエハキャリヤの近傍に配置された誘導ヒータアセンブリをさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバの外部であり、前記ウエハキャリヤの近傍に配置された放射ヒータアセンブリをさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバの外部であり、前記ウエハキャリヤの近傍に配置されたヒータアセンブリと、
反応ガスの前記ヒータとの接触を軽減するように構成されたヒータパージシステムとをさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に導入される反応ガスの量を制御するように構成されたガス流のコントローラを備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記反応ガス注入口と流体相互作用するキャリヤガス注入口と、
該キャリヤガス注入口と流体相互作用するアルキル注入口と、
前記キャリヤガス注入口と流体相互作用するアンモニア注入口とをさらに備える請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するキャリヤガス注入口と、
該キャリヤガス注入口と流体相互作用するアルキル注入口と、
前記キャリヤガス注入口と流体相互作用するアンモニア注入口とをさらに備え、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を促進するように、前記アルキル注入口及び前記アンモニア注入口が前記チャンバの近傍に配置されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するキャリヤガス注入口と、
前記反応ガス注入口を通るアンモニア導管とをさらに備え、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を維持するように、前記アンモニア導管が構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するキャリヤガス注入口と、
内側のアンモニア流体導管および外側のアルキル流体導管を定めるように、前記反応ガス注入口を通るアンモニア導管とをさらに備え、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を維持するように、前記内側のアンモニア流体導管および前記外側のアルキル流体導管が構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するアンモニア注入口と、
内側のアルキル流体導管および外側のアンモニア流体導管を定めるように、前記反応ガス注入口を通るアルキル導管とをさらに備え、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を維持するように、前記内側のアルキル流体導管および前記外側のアンモニア流体導管が構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用する外側の管と、
少なくとも部分的に前記外側の管内に配置され、前記反応ガス注入口と流体相互作用する内側の管とをさらに備え、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を促進するように、前記外側の管および前記内側の管が構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用する外側の管と、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を促進し、アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入後の混合を促進するように、前記外側の管および前記内側の管が相互に略同軸状に構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記ウエハキャリヤが、少なくとも3枚の2インチの円形ウエハを支持するように構成され、
複数のガス注入口をさらに備え、
各々のガス注入口が、前記ウエハキャリヤの異なる部分に反応ガスを概ね供給するように構成されている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - 前記ウエハキャリヤが、少なくとも3枚の2インチの円形ウエハを支持するように構成され、
前記ウエハキャリヤの異なる部分に反応ガスを概ね供給するように構成された複数のガス注入口と、
各々のガス注入口を介して前記チャンバ内に導入される反応ガスの量を制御するように構成されたガス流のコントローラとをさらに備えている請求項20に記載の化学気相成長反応装置。 - ウエハキャリヤを含むチャンバを準備するステップと、
前記ウエハキャリヤを軸の周りに回転させるステップと、
前記チャンバの一部および前記ウエハキャリヤの間に略層状のガスの流れを発生させるステップとを含む化学気相成長方法。 - 前記ウエハキャリヤの回転によって生じる遠心力が、前記チャンバ内で外方向へのガスの動きを生じるように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガスが反応物質を含み、
前記反応ガス中の前記反応物質の多くの部分が、前記チャンバから出る前にウエハ表面に接触するように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 反応ガスが反応物質を含み、
前記反応ガス中の前記反応物質の大部分が、前記チャンバから出る前にウエハ表面に接触するように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記チャンバと前記ウエハキャリヤとの間の熱対流を軽減するように、前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が十分に狭い請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が約2インチ未満である請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が、約0.5インチおよび約1.5インチの間である請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記ウエハキャリヤと前記チャンバの前記一部との間の距離が、約0.75インチである請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記ウエハキャリヤの上方に、且つそれに対して略中心に形成されたガス注入口をさらに備える請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバが円筒によって定められる請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバが、前記チャンバの最上部を定める略平坦な1つの壁を有する円筒によって定められ、
反応ガス注入口が、前記チャンバの前記最上部の略中央に形成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記ウエハキャリヤの軸に対して略同軸状に配置されている反応ガス注入口を介して前記チャンバに反応ガスを導入するステップをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガスが、前記チャンバの直径の約1/5未満の直径を有する反応ガス注入口を介して前記チャンバに導入される請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガスが、約2インチ未満の直径を有する反応ガス注入口を介して前記チャンバに導入される請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガスが、約0.25インチ及び約1.5インチの間の直径を有する反応ガス注入口を介して前記チャンバに導入される請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガスが、前記チャンバ内で略水平に流れるように制限される請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガスが、前記チャンバとウエハキャリヤとの協働によって定められる流路を通って略水平に流れるように制限される請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガスが、回転するウエハキャリヤによって、少なくとも部分的に外方向に流れるようになる請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 少なくとも1つの反応ガスが、前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成された反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出する請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 少なくとも1つの反応ガス排出口が、前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方かつ前記チャンバの最上部の下方に形成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガス注入口が前記チャンバの略中心上に形成され、
少なくとも1つの反応ガス排出口が前記チャンバに形成され、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが前記チャンバ内で前記反応ガス排出口の下方に配置されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 反応ガス注入口が前記チャンバ内の略中心上に形成され、
複数の反応ガス排出口が前記チャンバに形成され、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが前記チャンバ内で前記反応ガス排出口の下方に配置され、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置された円形の拡散器が、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進する請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 反応ガス注入口が前記チャンバ内の略中心上に形成され、
複数の反応ガス排出口が前記チャンバに形成され、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが前記チャンバ内で前記反応ガス排出口の下方に配置され、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置された円形の拡散器が、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進し、
前記円形の拡散器が、内側表面および外側表面を有する実質的に中空の環と、前記内側表面に形成された複数の開口と、前記外側表面に形成された複数の開口とを備え、
前記内側表面の開口が、前記ウエハキャリヤの上の反応ガスの流れの均一性を促進する請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 反応ガス注入口が前記チャンバ内の略中心上に形成され、
複数の反応ガス排出口が、前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成され、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが前記チャンバ内に配置され、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置された円形の拡散器が、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進し、
前記円形の拡散器が、内側表面および外側表面を有する実質的に中空の環と、前記内側表面に形成された複数の開口と、前記外側表面に形成された複数の開口とを備え、
前記内側表面の開口が、前記ウエハキャリヤの上の反応ガスの流れの均一性を促進するように、そこを流れる反応ガスの流れに対して十分な制限を生じるように構成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 反応ガス注入口が前記チャンバ内の略中心上に形成され、
複数の反応ガス排出口が、前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成され、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが前記チャンバ内に配置され、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置された円形の拡散器が、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進し、
前記円形の拡散器が、過熱されたアンモニアによって生じる劣化に耐性のある物質を含む請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 反応ガス注入口が前記チャンバ内の略中心上に形成され、
複数の反応ガス排出口が、前記チャンバにおいてウエハキャリヤの上方に形成され、
前記反応ガスが、前記反応ガス注入口を介して前記チャンバ内に流入し、前記流路を介して前記チャンバを通り、且つ前記反応ガス排出口を介して前記チャンバから流出するように、前記チャンバ最上部と前記ウエハキャリヤとの間に前記流路を定めるために、前記ウエハキャリヤが前記チャンバ内に配置され、
前記ウエハキャリヤの周囲近傍に配置された円形の拡散器が、前記反応ガス注入口から前記反応ガス排出口への層流を促進し、
前記円形の拡散器が、グラファイト、SiCで被覆されたグラファイト、SiC石英、又はモリブデンの少なくとも一つを含む請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記ウエハキャリヤによって複数のウエハを支持するステップと、
前記ウエハキャリヤと前記チャンバとの間に配置されたシールを介して、前記反応ガス排出口以外から前記チャンバ外への反応ガスの流れを軽減するステップとをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記ウエハキャリヤによって複数のウエハを支持するステップと、
前記ウエハキャリヤと前記チャンバとの間に配置された円形のシールを介して、前記反応ガス排出口以外から前記チャンバ外への反応ガスの流れを軽減するステップとをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記ウエハキャリヤによって複数のウエハを支持するステップと、
前記ウエハキャリヤと前記チャンバとの間に配置された円形のシールを介して、前記反応ガス排出口以外から前記チャンバ外への反応ガスの流れを軽減するステップとをさらに含み、
前記円形のシールが、グラファイト、石英、及びモリブデンの少なくとも一つを含み、構成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記チャンバ内に配置された少なくとも1つのウエハを、前記チャンバの外側で前記ウエハキャリヤの近傍に配置されたヒータアセンブリを介して加熱するステップをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバ内に配置された少なくとも1つのウエハを、前記チャンバの外側で前記ウエハキャリヤの近傍に配置された誘導ヒータアセンブリを介して加熱するステップをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバ内に配置された少なくとも1つのウエハを、前記チャンバの外側で前記ウエハキャリヤの近傍に配置された放射ヒータアセンブリを介して加熱するステップをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバ内に配置された少なくとも1つのウエハを、前記チャンバの外側で前記ウエハキャリヤの近傍に配置されたヒータアセンブリを介して加熱するステップと、
反応ガスの前記ヒータへの接触を、ヒータパージシステムによって軽減させるステップとをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記チャンバ内に導入されるガスの量を、ガス流のコントローラによって制御するステップをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。
- 前記反応ガス注入口と流体相互作用するキャリヤガス注入口を介して前記チャンバにキャリヤガスを供給するステップと、
前記キャリヤガス注入口と流体相互作用するアルキル注入口を介して前記チャンバにアルキルを供給するステップと、
前記キャリヤガス注入口と流体相互作用するアンモニア注入口を介して前記チャンバにアンモニアを供給するステップとをさらに含む請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するキャリヤガス注入口を介して前記チャンバにキャリヤガスを供給するステップと、
前記キャリヤガス注入口と流体相互作用するアルキル注入口を介して前記チャンバにアルキルを供給するステップと、
前記キャリヤガス注入口と流体相互作用するアンモニア注入口を介して前記チャンバにアンモニアを供給するステップとをさらに含み、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を促進するように、前記アルキル注入口及び前記アンモニア注入口が前記チャンバの近傍に配置されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するアルキル導管を介して前記チャンバにアルキルを供給するステップと、
前記反応ガス注入口を通るアンモニア導管を介して前記チャンバにアンモニアを供給するステップとをさらに含み、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を維持するように、前記アンモニア導管が構成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するアルキル導管を介して前記チャンバにアルキルを供給するステップと、
前記反応ガス注入口を通るアンモニア導管を介して前記チャンバにアンモニアを供給するステップとをさらに含み、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を維持するように、内側の前記アンモニア導管および外側の前記アルキル導管が構成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 前記反応ガス注入口と流体相互作用するアルキル導管を介して前記チャンバにアルキルを供給するステップと、
前記反応ガス注入口を通るアンモニア導管を介して前記チャンバにアンモニアを供給するステップとをさらに含み、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を維持するように、内側の前記アルキル導管および外側の前記アンモニア導管が構成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 外側の管を介して前記チャンバに第1のガスを供給するステップと、
前記外側の管内に少なくとも平行に配置された内側の管を介して前記チャンバに第2のガスを供給するステップとをさらに含み、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を促進するように、前記外側の管および前記内側の管が構成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 外側の管を介して前記チャンバに第1のガスを供給するステップと、
前記外側の管内に少なくとも平行に配置された内側の管を介して前記チャンバに第2のガスを供給するステップとをさらに含み、
アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入前の分離を促進し、アルキル及びアンモニアの前記チャンバ内への導入後の混合を促進するように、前記外側の管および前記内側の管が相互に略同軸状に構成されている請求項63に記載の化学気相成長方法。 - 反応装置と、
チャンバ内に配置されたウエハキャリヤとを備え、
該ウエハキャリヤが、遠心力によって反応ガスの外方向への流れを促進させるように構成されている化学気相成長反応装置。 - 前記ウエハキャリヤが、回転するウエハキャリヤを備えている請求項104に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤが、望ましくは約500rpmよりも高速に回転するように構成されている請求項104に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤが、約100rpm及び約1500rpmの間で回転するように構成されている請求項104に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記ウエハキャリヤが、約800rpmで回転するように構成されている請求項104に記載の化学気相成長反応装置。
- ガス供給装置が、複数の前記反応ガスが前記チャンバ内部に入るまで前記反応ガスが相互に分離された状態を維持するように構成されている請求項104に記載の化学気相成長反応装置。
- 少なくとも1つの反応ガスを前記チャンバに供給する外側の流体導管と、
該外側の流体導管内に配置され、少なくとも1つの別の反応ガスを前記チャンバに供給するように構成された少なくとも1つの内側の流体導管とをさらに備え、
前記内側及び外側の流体導波管が、前記反応ガスの分離を促進する請求項104に記載の化学気相成長反応装置。 - 少なくとも1つの反応ガスを前記チャンバに供給する外側の流体導管と、
該外側の流体導管内に同軸状に配置され、少なくとも1つの別の反応ガスを前記チャンバに供給するように構成された少なくとも1つの内側の流体導管とをさらに備え、
前記内側及び外側の流体導波管が、前記反応ガスの分離を促進する請求項104に記載の化学気相成長反応装置。 - 反応チャンバを準備するステップと、
前記チャンバ内に配置されたウエハキャリヤを準備するステップと、
遠心力によって反応ガスの外方向への流れを促進するように、前記ウエハキャリヤを回転するステップとを含む化学気相成長方法。 - 前記ウエハキャリヤを回転する前記ステップが、前記ウエハキャリヤを約500rpmよりも高速に回転させるステップを含む請求項112に記載の化学気相成長方法。
- 前記ウエハキャリヤを回転する前記ステップが、前記ウエハキャリヤを約100rpm及び約1500rpmの間で回転させるステップを含む請求項112に記載の化学気相成長方法。
- 前記ウエハキャリヤを回転する前記ステップが、前記ウエハキャリヤを約800rpmで回転させるステップを含む請求項112に記載の化学気相成長方法。
- 複数の反応ガスが前記チャンバ内部に入るまで、前記反応ガスが相互に分離された状態が維持される請求項112に記載の化学気相成長方法。
- 外側の流体導管を介して前記チャンバに第1の反応ガスを伝達させるステップと、
前記外側の流体導管内に配置された、少なくとも1つの内側の流体導管を介して、前記チャンバに第2の反応ガスを伝達させるステップとを含み、
前記内側及び外側の流体導波管が、前記反応ガスの分離を促進する請求項112に記載の化学気相成長方法。 - 外側の流体導管を介して前記チャンバに第1の反応ガスを伝達させるステップと、
前記外側の流体導管内に配置された、少なくとも1つの内側の流体導管を介して、前記チャンバに第2の反応ガスを伝達させるステップとを含み、
前記内側及び外側の流体導波管が、相互に略同軸状に構成されており、前記反応ガスの分離を促進する請求項112に記載の化学気相成長方法。 - 少なくとも1枚のウエハを収容するに構成された反応装置チャンバと、
前記チャンバの外側に配置され、前記ウエハを過熱するように構成されたヒータとを備える化学気相成長反応装置。 - 少なくとも1枚のウエハを支持するように構成されたウエハキャリヤを、さらに備える請求項119に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバ内で回転し、且つ複数のウエハを支持するように構成されたウエハキャリヤを、さらに備える請求項119に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバの底を定め、前記チャンバ内で回転し、且つ複数のウエハを支持するように構成されたウエハキャリヤを、さらに備える請求項119に記載の化学気相成長反応装置。
- 前記チャンバの底を定め、前記チャンバ内で回転し、複数のウエハを支持するように構成されたウエハキャリヤと、
前記ウエハキャルヤ及び前記チャンバの側部の間のガスの流れを軽減する円形のシールとを、さらに備える請求項119に記載の化学気相成長反応装置。 - 少なくとも1枚のウエハを収容する反応装置チャンバを準備するステップと、
前記チャンバの外側に配置されたヒータによって前記ウエハを過熱するステップとを含む化学気相成長方法。 - ウエハキャリヤでウエハを支持するステップをさらに含む請求項124に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバ内でウエハキャリヤを回転するステップをさらに含む請求項124に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバ内で回転し、且つ複数のウエハを支持するように構成されたウエハキャリヤで前記チャンバの底を定めるステップをさらに含む請求項124に記載の化学気相成長方法。
- 前記チャンバ内で回転し、且つ複数のウエハを支持するように構成されたウエハキャリヤで前記チャンバの底を定めるステップと、
前記ウエハキャルヤ及び前記チャンバの側部の間のガスの流れを、円形のシールで軽減するステップとを、さらに含む請求項124に記載の化学気相成長方法。 - 複数の反応装置チャンバと、
前記チャンバに反応ガスを供給するように構成された共通のガス供給システムと、
前記チャンバからガスを排出するように構成された共通のガス排出システムとを備える化学気相成長システム。 - 各チャンバ内に配置されたウエハキャリヤをさらに備え、
前記ウエハキャリヤが12枚未満のウエハを支持するように構成されている請求項129に記載の化学気相成長システム。 - 複数の反応装置チャンバを準備するステップと、
共通のガス供給システムを介して前記チャンバに反応ガスを供給するステップと、
共通のガス排出システムを介して前記チャンバからガスを排出するステップとを含む化学気相成長方法。 - 各々の前記チャンバ内に配置されたウエハキャリヤ上に、12枚未満のウエハを支持するステップをさらに含む請求項131に記載の化学気相成長方法。
- 反応ガス中の反応物質の大部分が、前記チャンバから排出される前にウエハ表面に接触するように、反応装置チャンバを介して反応ガスを伝達するステップを含む化学気相成長方法によって製造されたウエハ。
- 反応装置チャンバ及びウエハキャリヤの間に形成された流路を介して、前記チャンバを通って反応ガスを伝達させるステップを含む化学気相成長方法であって、
前記チャンバと前記ウエハキャリヤとの間の距離が、前記チャンバと前記ウエハキャリヤとを媒介する熱対流を軽減させるように十分に小さい、化学気相成長方法によって製造されたウエハ。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたウエハ。
- 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法であって、
前記チャンバ内の略中央に位置するガス注入口及び略前記チャンバ内の周縁部に配置された少なくとも1つのガス排出口によって、前記半径方向の層流が、少なくとも部分的にもたらされる化学気相成長方法によって製造されたウエハ。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法であって、
ウエハキャリヤを回転させることによって、前記半径方向の層流が、少なくとも部分的にもたらされる化学気相成長方法によって製造されたウエハ。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の流れを、遠心力によってもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたウエハ。
- 中央に配置された反応ガス注入口を介してチャンバ内に反応ガスを供給すること、及び、周縁部に位置する少なくとも1つの反応ガス排出口を介して前記チャンバから反応ガスを排出することによって、反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたウエハ。
- 少なくとも2つの反応物質ガスを相互に略分離した状態を維持するステップと、
前記ガスを略混合し、且つ略半径方向の流れを提供するように、前記ガスをチャンバ内に導入するステップとを含む化学気相成長方法によって製造されたウエハ。 - 反応装置チャンバ内に配置された少なくとも1枚のウエハを、前記反応装置チャンバの外側に配置された少なくとも1つのヒータで過熱するステップを含む化学気相成長方法によって製造されたウエハ。
- 反応ガス中の反応物質の大部分が、前記チャンバから排出される前にウエハ表面に接触するように、反応装置チャンバを介して反応ガスを伝達するステップを含む化学気相成長方法によって製造されたダイ。
- 反応装置チャンバ及びウエハキャリヤの間に形成された流路を介して、前記チャンバを通って反応ガスを伝達させるステップを含む化学気相成長方法であって、
前記チャンバと前記ウエハキャリヤとの間の距離が、前記チャンバと前記ウエハキャリヤとを媒介する熱対流を軽減させるように十分に小さい、化学気相成長方法によって製造されたダイ。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたダイ。
- 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法であって、
前記チャンバ内の略中央に位置するガス注入口及び略前記チャンバ内の周縁部に配置された少なくとも1つのガス排出口によって、前記半径方向の層流が、少なくとも部分的にもたらされる化学気相成長方法によって製造されたダイ。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法であって、
ウエハキャリヤを回転させることによって、前記半径方向の層流が、少なくとも部分的にもたらされる化学気相成長方法によって製造されたダイ。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の流れを、遠心力によってもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたダイ。
- 中央に配置された反応ガス注入口を介してチャンバ内に反応ガスを供給すること、及び、周縁部に位置する少なくとも1つの反応ガス排出口を介して前記チャンバから反応ガスを排出することによって、反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたダイ。
- 少なくとも2つの反応物質ガスを相互に略分離した状態を維持するステップと、
前記ガスを略混合し、且つ略半径方向の流れを提供するように、前記ガスをチャンバ内に導入するステップとを含む化学気相成長方法によって製造されたダイ。 - 反応装置チャンバ内に配置された少なくとも1枚のウエハを、前記反応装置チャンバの外側に配置された少なくとも1つのヒータで過熱するステップを含む化学気相成長方法によって製造されたダイ。
- 反応ガス中の反応物質の大部分が、前記チャンバから排出される前にウエハ表面に接触するように、反応装置チャンバを介して反応ガスを伝達するステップを含む化学気相成長方法によって製造されたLED。
- 反応装置チャンバ及びウエハキャリヤの間に形成された流路を介して、前記チャンバを通って反応ガスを伝達させるステップを含む化学気相成長方法であって、
前記チャンバと前記ウエハキャリヤとの間の距離が、前記チャンバと前記ウエハキャリヤとを媒介する熱対流を軽減させるように十分に小さい、化学気相成長方法によって製造されたLED。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたLED。
- 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法であって、
前記チャンバ内の略中央に位置するガス注入口及び略前記チャンバ内の周縁部に配置された少なくとも1つのガス排出口によって、前記半径方向の層流が、少なくとも部分的にもたらされる化学気相成長方法によって製造されたLED。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法であって、
ウエハキャリヤを回転させることによって、前記半径方向の層流が、少なくとも部分的にもたらされる化学気相成長方法によって製造されたLED。 - 反応装置のチャンバ内で略半径方向の流れを、遠心力によってもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたLED。
- 中央に配置された反応ガス注入口を介してチャンバ内に反応ガスを供給すること、及び、周縁部に位置する少なくとも1つの反応ガス排出口を介して前記チャンバから反応ガスを排出することによって、反応装置のチャンバ内で略半径方向の層流をもたらすステップを含む化学気相成長方法によって製造されたLED。
- 少なくとも2つの反応物質ガスを相互に略分離した状態を維持するステップと、
前記ガスを略混合し、且つ略半径方向の流れを提供するように、前記ガスをチャンバ内に導入するステップとを含む化学気相成長方法によって製造されたLED。 - 反応装置チャンバ内に配置された少なくとも1枚のウエハを、前記反応装置チャンバの外側に配置された少なくとも1つのヒータで過熱するステップを含む化学気相成長方法によって製造されたLED。
- 反応装置チャンバ内に配置された少なくとも1枚のウエハを、前記反応装置チャンバの外側に配置された少なくとも1つのヒータで過熱するステップを含む化学気相成長方法。
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