DE112017001127T5 - Filmausbildevorrichtung - Google Patents
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Abstract
[Lösung der Aufgabe] Ein Zufuhrteil 4 beinhaltet eine erste Abtrennung 32, eine zweite Abtrennung 401, die unter der ersten Abtrennung in einem vorbestimmten Abstand hiervon vorgesehen ist, eine dritte Abtrennung 402, die unter der zweiten Abtrennung in einem vorbestimmten Abstand davon vorgesehen ist, einen ersten Flusspfad 431, der zwischen der ersten Abtrennung und der zweiten Abtrennung vorgesehen ist, um einem ersten Gas zu erlauben, darin eingeführt zu werden, einen zweiten Flusspfad 432, der zwischen der zweiten Abtrennung und der dritten Abtrennung vorgesehen ist, um einem zweiten Gas zu erlauben, darin eingeführt zu werden, eine erste Rohrleitung 411, die sich von der ersten Abtrennung erstreckt, um nach unterhalb der dritten Abtrennung zu reichen und in Verbindung mit dem ersten Flusspfad steht, eine zweite Rohrleitung 421, die vorgesehen ist, um die erste Rohrleitung einzuschließen, und sich von der dritten Abtrennung erstreckt, um nach unterhalb der dritten Abtrennung zu reichen und in Kontakt mit dem zweiten Flusspfad steht, und einen konvexen Abschnitt, der an einer äußeren Umfangsoberfläche 411c der ersten Rohrleitung oder einer inneren Umfangsoberfläche 421b der zweiten Rohrleitung vorgesehen ist und von einer der äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung und inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung zu der anderen vorspringt.
Description
- Gebiet
- Die Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf eine Filmausbildevorrichtung.
- Hintergrund
- Eine Filmausbildevorrichtung, die ein Si-Quellgas und ein C-Quellgas einem Substrat von oberhalb des Substrats zuführt, um einen SiC-Film epitaxisch zu züchten, hat ein Problem, dass, wenn das Si-Quellgas und das C-Quellgas gemischt werden, bevor sie in eine Reaktionskammer eingeführt werden, diese Quellgase miteinander reagieren und Ablagerungen an einem Einführteil oder einer Wandoberfläche haften, was in einer Quelle von Partikeln resultiert.
- Um dieses Problem zu lösen, ist eine Filmausbildevorrichtung vorgeschlagen worden, die ein Si-Quellgas und ein C-Quellgas aus einer Mehrzahl von getrennten Rohrleitungen in eine Reaktionskammer zuführt, um diese Gase dazu zu bringen, in der Reaktionskammer gemischt zu werden.
- Zitationsliste
- Patentliteratur
- [Patentliteratur 1]
japanische offengelegte Patentanmeldung Nr. 2015-5658 - Darstellung der Erfindung
- Technische Aufgabe
- Allerdings besteht in der oben beschrieben Struktur ein Risiko, dass die Gase, die aus den getrennten Rohrleitungen zugeführt werden, die Rohrleitungen wieder betreten und Ablagerungen an Einführöffnungen der Rohrleitungen haften. Demgemäß haben die vorliegenden Erfinder herausgefunden, dass Eintreten von Gasen unterdrückt werden kann, indem eine Zufuhrrohrleitung für ein Quellgas so aufgebaut wird, dass sie eine Doppelröhrenstruktur, die ein Innenrohr und ein Außenrohr beinhaltet, aufweist und indem ein Si-Quellgas und ein C-Quellgas aus dem Innenrohr zugeführt werden, während ein Säuberungsgas aus einem Raum zwischen dem Innenrohr und dem entsprechenden Außenrohr zugeführt wird.
- In einem Hochtemperaturverfahren für SiC oder dergleichen erreicht ein Gaszufuhrteil, an dem die Rohrleitungen vorgesehen sind, auch eine hohe Temperatur. Daher muss ein Material, das einen hohen Wärmewiderstand aufweist, wie beispielsweise Kohlenstoff, der mit SiC beschichtet ist, für die Rohrleitungen benutzt werden. Allerdings benötigt diese Doppelröhrenstruktur getrennte Strukturen, die etwas Spiel haben, um Verformung aufgrund von thermischer Ausdehnung zu unterdrücken. Demgemäß ist es schwierig, Lagegenauigkeit zwischen dem Innen- und dem Außenrohr aufrechtzuerhalten. Wenn die Lage versetzt ist und ein Ort ausgebildet wird, an dem das Innenrohr und das Außenrohr nah beieinander sind, wird das Säuberungsgas nicht ausreichend aus diesem Ort zugeführt, was zu einem Risiko führt, dass Haftung von Ablagerungen auftritt. In diesem Fall tritt ein Problem auf, dass die Ablagerungen an den Rohren als Partikel auf das Substrat fallen und daher die Filmqualität verschlechtern.
- Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Filmausbildevorrichtung bereitzustellen, die Eintreten von Gasen unterdrücken kann, unterdrücken kann, dass Partikel wegen des Haftens von Ablagerungen gebildet werden und ein Auftreten von Kristalldefekten in einem ausgebildeten Film verhindert.
- Lösung der Aufgabe
- Eine Filmausbildevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine Reaktionskammer, die so aufgebaut ist, dass sie eine Reaktion auf einem Substrat ermöglicht und einen Zufuhrteil, der oberhalb der Reaktionskammer vorgesehen ist und so aufgebaut ist, dass er mindestens ein erstes Gas und ein zweites Gas auf das Substrat zuführt, wobei der Zufuhrteil einen ersten Abschnitt, einen zweiten Abschnitt, der unter dem ersten Abschnitt in einem vorbestimmten Abstand davon vorgesehen ist, einen dritten Abschnitt, der unter dem zweiten Abschnitt in einem vorbestimmten Abstand davon vorgesehen ist, einen ersten Flusspfad, der zwischen dem ersten Abschnitt und dem zweiten Abschnitt vorgesehen ist, um dem ersten Gas zu erlauben, darin eingeführt zu werden, einen zweiten Flusspfad, der zwischen dem zweiten Abschnitt und dem dritten Abschnitt vorgesehen ist, um dem zweiten Gas zu erlauben, darin eingeführt zu werden, eine erste Rohrleitung, die sich vom zweiten Abschnitt so erstreckt, dass sie unter den dritten Abschnitt reicht und in Verbindung mit dem ersten Flusspfad steht, eine zweite Rohrleitung, die so vorgesehen ist, dass sie die erste Rohrleitung einschließt, und sich von dem dritten Abschnitt so erstreckt, dass sie unter den dritten Abschnitt reicht und in Verbindung mit dem zweiten Flusspfad steht, und einen konvexen Abschnitt, der an einer äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung oder einer inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohleitung vorgesehen ist und von einer der äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung und der inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung zu der anderen vorspringt.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung kann der konvexe Abschnitt an der äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung vorgesehen sein und zur inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung vorspringen.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung kann der konvexe Abschnitt über Bodenenden der ersten Rohrleitung und der zweiten Rohrleitung vorgesehen sein.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung kann der konvexe Abschnitt eine Form, die sich in einer Zentralachsenrichtung der ersten Rohrleitung erstreckt, aufweisen.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung kann ein Bodenende des konvexen Abschnitts eine Verjüngung aufweisen.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung kann eine Abmessung des konvexen Abschnitts in einer Radialrichtung eine Abmessung sein, die den konvexen Anteil nicht in Kontakt mit der inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung bringt, nachdem die ersten Rohrleitung und die zweite Rohrleitung aufgrund von Hitze verformt sind.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung kann ein Bodenende der ersten Rohrleitung auf dem gleichen Niveau wie das eines Bodenendes der zweiten Rohrleitung positioniert sein.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung können drei oder mehr der konvexen Anteile an der äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung vorgesehen sein, um in einer Umfangsrichtung gleich gestaffelt zu sein.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung kann die erste Rohleitung einen Bodenend-Abschnitt mit einer sich verjüngenden Form, die einen Innendurchmesser, der graduell nach unten ansteigt, aufweisen, und die zweite Rohrleitung kann eine lineare Form aufweisen.
- In der oben beschriebenen Filmausbildevorrichtung können die erste Rohrleitung die zweite Rohrleitung einen Bodenend-Abschnitt mit einer sich verjüngenden Form, die einen Innendurchmesser, der graduell nach unten ansteigt, aufweist, beinhalten.
- Effekt der Erfindung
- Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es möglich, Eintreten von Gasen zu unterdrücken, zu unterdrücken, dass Partikel aufgrund von Anhaften von Ablagerungen gebildet werden, und den Auftritt von Kristalldefekten in einem ausgebildeten Film zu verhindern.
- Figurenliste
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- [
1 ]1 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Filmausbildevorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform darstellt. - [
2 ]2A ist eine Schnittansicht eines ersten Innenrohrs gemäß der ersten Ausführungsform und2B ist eine Bodenoberflächenansicht des ersten Innenrohres, das in2A dargestellt ist. - [
3 ]3 ist eine Schnittansicht eines zweiten Innenrohres gemäß der ersten Ausführungsform. - [
4 ]4 ist eine Schnittansicht eines Rohres mit einer Doppelröhrenstruktur gemäß einer zweiten Ausführungsform. - [
5 ]5 ist eine Schnittansicht eines Rohres mit einer Doppelröhrenstruktur gemäß einer dritten Ausführungsform. - [
6 ]6 ist eine schematische Schnittansicht, die eine Filmausbildevorrichtung gemäß einer vierten Ausführungsform darstellt. - Beschreibung von Ausführungsformen
- Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden unten detailliert mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben. Diese Ausführungsformen beschränken die vorliegende Erfindung nicht.
- (Erste Ausführungsform)
-
1 ist eine schematische Schnittansicht einer Filmausbildevorrichtung1 gemäß einer ersten Ausführungsform. Die Filmausbildevorrichtung1 in1 kann benutzt werden, um epitaxisches Wachstum eines SiC-Films, was ein Beispiel für Filmausbildeverarbeitung ist, auf einem SiC-Substrat 2 durchzuführen, das ein Beispiel für ein Substrat ist. Wie in1 dargestellt beinhaltet die Filmausbildevorrichtung1 eine Kammer3 , die ein Beispiel für eine Filmausbildekammer ist und einen Zufuhrteil4 . Die Filmausbildevorrichtung1 beinhaltet auch einen drehenden Teil 51 und einen Gasabgabeteil 6. - Die Kammer
3 ist aus Metall, wie beispielsweise SUS in einer hohlen Form ausgebildet. Die Kammer3 hat beispielsweise eine im Wesentlichen zylindrische Form. Epitaxialwachstum des SiC-Substrats 2 wird in der Kammer3 durchgeführt, die auf einem konstanten Druck oder einem reduzierten Druck gehalten wird. - Der Zufuhrteil
4 ist in einem oberen Abschnitt der Kammer3 platziert. Der Zufuhrteil4 führt Quellgase aus einem Außenabschnitt der Kammer3 in einen Innenabschnitt der Kammer3 ein und führt die eingeführten Quellgase dem SiC-Substrat 2 zu, das in einer Richtung D11 (im Folgenden: „unter“) des Zufuhrteils4 positioniert ist. Ein besonderer Aufbau des Zufuhrteils4 wird später beschrieben werden. - Der drehende Teil 51 ist in einer Reaktionskammer 33 unter dem Zufuhrteil
4 platziert. Der drehende Teil 51 wird gedreht, während er einen Suszeptor 51a, der darauf angebracht ist, aufweist. Das SiC-Substrat 2 ist auf dem Suszeptor 51a angebracht. Ein Heizmechanismus 52 ist innerhalb des drehenden Teils 51 platziert. Der drehende Teil 51 ist mit einem Unterstützungsstiel 51b in einer Röhrenform, der sich unterhalb erstreckt, verbunden, und der Unterstützungsstiel 51b ist mit einem Drehmechanismus (nicht dargestellt) gekuppelt. Über den drehenden Teil 51 wird der Suszeptor 51a mit dem Drehmechanismus gedreht. Der Heizmechanismus 52 besteht beispielsweise aus einem Widerstandsheizer. Der Heizmechanismus 52 ist mit einem Kabel (nicht dargestellt), das durch das Innere des Unterstützungsstiels 51b verläuft, verbunden. Der Heizmechanismus 52 wird mit Leistung aus dem Kabel gespeist, um das SiC-Substrat 2 von der rückseitigen Oberfläche über den Suszeptor 51a zu heizen. - Der drehende Teil 51 dreht das SiC-Substrat 2, das auf dem Suszeptor 51a angebracht ist, während er das SiC-Substrat 2 mit dem Heizmechanismus 52 heizt. Quellgase, die auf das geheizte SiC-Substrat 2 zugeführt werden, verursachen eine thermische Auflösungsreaktion und eine Wasserstoffreduktionsreaktion an der Oberfläche des SiC-Substrats 2 oder in der Nähe davon. Demgemäß wird ein SiC-Film epitaxial auf dem SiC-Substrat 2 gezüchtet. Aufgrund von Drehung des SiC-Substrats 2 kann die Wachstumsrate des SiC-Films in der Ebene des SiC-Substrats 2 vereinheitlicht werden. Dies kann die Einheitlichkeit (im Folgenden auch als „Ebenen-Einheitlichkeit“) der Filmdicke des SiC-Films in der Ebene des SiC-Substrats 2 verbessern.
- Der Gasabgabteil 6 ist unterhalb des Suszeptors 51a vorgesehen, beispielsweise an einer Seitenwand 31 der Kammer
3 . Der Gasabgabeteil 6 gibt Reaktionsnebenprodukte, nach Passieren des SiC-Substrats 2 unreagierte Gase und dergleichen ab. Eine Vakuumabsaugung kann mit einer Pumpe (nicht dargestellt) durch den Gasabgabeteil 6 durchgeführt werden und ein Umgebungsdruck in der Kammer3 kann angemessen eingestellt werden. - (Zufuhrteil 4)
- Als nächstes wird ein besonderes Aufbaubeispiel des Zufuhrteils
4 erläutert. - Wie in
1 dargestellt, weist der Zufuhrteil4 eine Oberwand32 der Kammer3 und erste bis vierte Gastrennplatten401 bis404 , die Beispiele für Abtrennung sind, erste und zweite Innenrohre411 und412 , die ein Beispiel für eine erste Rohrleitung sind, und erste und zweite Außenrohre421 und422 , die ein Beispiel für eine zweite Rohrleitung sind, auf. Diese Aufbauelemente sind aus, beispielsweise, Kohlenstoff, der mit SiC überzogen ist, um einem Hochtemperaturreaktionsverfahren gegenüber resistent zu sein, hergestellt. - (Gastrennplatten 401 bis 404)
- Die ersten bis vierten Gastrennplatten
401 bis404 sind an vorbestimmten Abständen, in dieser Reihenfolge fortlaufend von der Oberwand32 der Kammer3 nach unten platziert. Unabhängige Gasflusspfade sind zwischen den ersten bis vierten Gastrennplatten401 bis404 beziehungsweise der Oberwand32 der Kammer3 vorgesehen. - Besonders ist ein erster Einfuhrpfad
431 , der ein Beispiel für einen ersten Flusspfad ist, zwischen der Oberwand32 der Kammer3 , die ein Beispiel für eine erste Abtrennung ist und der ersten Gastrennplatte401 , die ein Beispiel für eine zweite Abtrennung ist, vorgesehen. Der erste Einfuhrpfad431 führt ein Si-basiertes Quellgas, das Si enthält, ein. Eine erste Einfuhröffnung 441, die mit dem ersten Einfuhrpfad431 in Verbindung steht, ist an der Seitenwand 31 der Kammer3 an einem stromaufwärts gelegenen Ende des ersten Einfuhrpfades431 vorgesehen. Eine Gasquelle des Si-basierten Quellgases (nicht dargestellt) ist mit der ersten Einfuhröffnung 441 verbunden. Ein Flusseinstellmechanismus (nicht dargestellt) stellt die Flussrate des Si-basierten Quellgases, das von der Gasquelle zur ersten Einfuhröffnung 441 zugeführt wird, ein. Als das Si-basierte Quellgas kann beispielsweise Silan (SiH4) als ein Silan-basiertes Gas benutzt werden. Ein Gas, das Chlor enthält, wie beispielsweise SiH2Cl2, SiHCl3 oder SiCl4 kann auch benutzt werden. Ein Gas aus Silan, das HCl, das dazu zugesetzt wird, aufweist, kann alternativ als das Si-basierte Quellgas benutzt werden. - Ein zweiter Einfuhrpfad
432 , der ein Beispiel eines zweiten Flusspfades ist, ist zwischen der ersten Gastrennplatte401 und der zweiten Gastrennplatte402 , die ein Beispiel für eine dritte Abtrennung ist, vorgesehen. Der zweite Einfuhrpfad432 führt ein Säuberungsgas zum Unterdrücken von Mischung von Quellgasen in die Kammer3 ein. Eine zweite Einfuhröffnung 442, die mit dem zweiten Einfuhrpfad432 in Verbindung steht, ist an der Seitenwand 31 der Kammer3 an einem stromaufwärts gelegenen Ende des zweiten Einfuhrpfades432 vorgesehen. Eine Gasquelle des Säuberungsgases (nicht dargestellt) ist mit der zweiten Einfuhröffnung 442 verbunden. Ein Flusseinstellmechanismus (nicht dargestellt) stellt die Flussrate des Säuberungsgases, das aus der Gasquelle zur zweiten Einfuhröffnung432 zugeführt wird, ein. Beispielsweise kann ein Inertgas, das heißt ein Edelgas, wie beispielsweise Ar oder He, wie auch H2, als das Säuberungsgas benutzt werden. - Ein dritter Einfuhrpfad
433 , der ein Beispiel des ersten Fußpfades ist, ist zwischen der zweiten Gastrennplatte402 , die auch ein Beispiel für die erste Abtrennung ist, und der dritten Gastrennplatte403 , die ein Beispiel für die zweite Abtrennung ist, platziert. Der dritte Einfuhrpfad433 führt ein C-basiertes Quellgas in die Kammer3 ein. Eine dritte Einfuhröffnung 443, die mit dem dritten Einfuhrpfad433 in Verbindung steht, ist an der Seitenwand 31 der Kammer3 an einem stromaufwärts gelegenen Ende des dritten Einfuhrpfades433 vorgesehen. Eine Gasquelle des C-basierten Quellgases (nicht dargestellt) ist mit der dritten Einfuhröffnung 443 verbunden. Ein Flusseinstellmechanismus (nicht dargestellt) stellt die Flussrate des C-basierten Quellgases ein, das der dritten Einfuhröffnung 443 aus der Gasquelle zugeführt wird. Zum Beispiel kann Propan (C3H8) als das C-basierte Quellgas benutzt werden. - Ein vierter Einfuhrpfad
434 , der ein Beispiel des zweiten Flusspfades ist, ist zwischen der dritten Gastrennplatte403 und der vierten Gastrennplatte404 , die ein Beispiel für die dritte Abtrennung ist, platziert. Der vierte Einfuhrpfad434 führt ein Säuberungsgas zum Unterdrücken von Mischung von Quellgasen in die Kammer3 ein. Eine vierte Einfuhröffnung 444, die mit dem vierten Einfuhrpfad434 verbunden ist, ist an der Seitenwand 31 der Kammer3 an einem stromaufwärts gelegenen Ende des vierten Einfuhrpfades434 platziert. Eine Gasquelle des Säuberungsgases (nicht dargestellt) ist mit der vierten Einfuhröffnung 444 verbunden. Ein Flusseinstellmechanismus (nicht dargestellt) stellt die Flussrate des Säuberungsgases, das der vierten Einfuhröffnung 444 von der Gasquelle zugeführt wird, ein. - Der zweite Einfuhrpfad
432 und der vierte Einfuhrpfad434 können zusätzlich zum Säuberungsgas ein Verunreinigungs-Dotiergas zum Steuern des Leitfähigkeits-Typs des SiC-Films einführen. Wenn der Leitfähigkeits-Typ des SiC-Films ein n-Typ sein soll, kann beispielsweise N2 als Verunreinigungs-Dotiergas benutzt werden. Wenn der Leitfähigkeits-Typ des SiC-Films ein p-Typ sein soll, kann beispielsweise TMA (Trimethylaluminium) als das Verunreinigungs-Dotiergas benutzt werden. - (Rohre 411, 412, 421 und 422)
- Das erste Innenrohr
411 hat eine im Wesentlichen zylindrische Form, die sich in eine Richtung D1 (im Folgenden „vertikale Richtung“) erstreckt. Das erste Innenrohr411 ist an der ersten Gastrennplatte401 , die den ersten Einfuhrpfad431 und den zweiten Einfuhrpfad432 , der unterhalb D11 des ersten Einfuhrpfades431 vorgesehen ist, voneinander trennt, platziert. Das erste Innenrohr411 steht in Verbindung mit dem ersten Einfuhrpfad431 und erstreckt sich von der ersten Gastrennplatte401 , um nach unterhalb der vierten Gastrennplatte404 zu reichen. Besonders ist ein ringförmiger Flansch 411a am oberen Ende des ersten Innenrohres411 vorgesehen. Durchgangslöcher 401a bis 404a sind an den ersten bis vierten Gastrennplatten401 bis404 , die jeweils dem ersten Innenrohr entsprechen, angeordnet. Das erste Innenrohr411 erstreckt sich von der Gastrennplatte401 durch die Durchgangslöcher 402a bis 404a in einem Zustand, in dem der Flansch 411a dazu gebracht wird, aus einer Richtung D12 (im Folgenden „oberhalb“) an einen inneren Umfangsabschnitt des Durchgangsloch401 a anzustoßen und tritt durch den zweiten Einfuhrpfad432 , die zweite Gastrennplatte402 , den dritten Einfuhrpfad403 , die dritte Gastrennplatte403 und den vierten Einfuhrpfad434 durch, um bis unterhalb der vierten Gastrennplatte404 zu reichen. - Das erste Außenrohr
421 hat eine im Wesentlichen zylindrische Form, die sich in der vertikalen Richtung erstreckt. Das erste Außenrohr421 ist kürzer als das erste Innenohr411 . Der Innendurchmesser des ersten Außenrohres421 ist größer als der Außendurchmesser des ersten Innenrohres411 . Das erste Außenrohr421 ist an der zweiten Gastrennplatte402 platziert, die den zweiten Einfuhrpfad432 und den dritten Einfuhrpfad433 voneinander trennt, sodass es das erste Innenrohr411 einschließt. Das erste Außenrohr421 steht in Verbindung mit dem zweiten Einfuhrpfad432 und erstreckt sich von der zweiten Gastrennplatte402 , um nach unterhalb der vierten Gastrennplatte 440 zu reichen. Besonders ist ein ringförmiger Flansch 421a am oberen Ende des ersten Außenrohres421 vorgesehen. Das erste Außenrohr421 erstreckt sich von der zweiten Gastrennplatte402 durch die Durchgangslöcher 403a und 404a in einem Zustand, in dem der Flansch 421a dazu gebracht wird, von oben an einen inneren Umfangsabschnitt des Durchgangslochs 402a anzustoßen, und tritt durch den dritten Einfuhrpfad433 , die dritte Trennplatte403 und den vierten Einfuhrpfad434 durch, um nach unterhalb der vierten Gastrennplatte404 zu reichen. Das Bodenende des ersten Außenrohres421 ist auf dem gleichen Niveau wie das Bodenende des ersten Innenrohres411 positioniert. - Mit diesem Aufbau kann das Si-basierte Quellgas, das aus dem ersten Innenrohr
411 nach unten zugeführt wird, durch das Säuberungsgas von der Umgebung abgeschirmt werden, das aus einem Raum zwischen dem ersten Außenrohr421 und dem ersten Innenrohr411 nach unten zugeführt wird. Demgemäß kann ein Eintreten des Si-basierten Quellgases unterdrückt werden. - Das zweite Innenrohr
412 hat eine im Wesentlichen zylindrische Form, welche sich in der vertikalen Richtung erstreckt. Das zweite Innenohr412 ist kürzer als das erste Außenrohr421 . Das zweite Innenrohr ist an der dritten Gastrennplatte403 , die den dritten Einfuhrpfad433 und den vierten Einfuhrpfad434 , der unterhalb des dritten Einfuhrpfades433 vorgesehen ist, voneinander trennt. Das zweite Innenrohr412 steht in Verbindung mit dem dritten Einfuhrpfad433 und erstreckt sich von der dritten Gastrennplatte403 , um nach unterhalb der vierten Gastrennplatte404 zu reichen. Besonders ist ein ringförmiger Flansch 412a am oberen Ende des zweiten Innenrohres412 vorgesehen. Durchgangslöcher 403b und 404b sind an der dritten beziehungsweise vierten Gastrennplatte403 beziehungsweise404 , die dem zweiten Innenrohr412 entsprechen, vorgesehen. - Das zweite Innenrohr
412 erstreckt sich von der dritten Gastrennplatte403 durch das Durchgangsloch 404b in einem Zustand, in dem der Flansch 412a dazu gebracht wird, von oben an einem inneren Umfangabschnitt des Durchgangsloches 403b anzustoßen und tritt durch den vierten Einfuhrpfad434 durch, um nach unterhalb der vierten Gastrennplatte404 zu reichen. Das Bodenende des zweiten Innenrohres412 ist auf demselben Niveau wie das Bodenende des ersten Innerohres411 positioniert. - Das zweite Außenrohr
422 hat eine im Wesentlichen zylindrische Form, die sich in der vertikalen Richtung erstreckt. Das zweite Außenrohr422 ist kürzer als das zweite Innenrohr412 . Der Innendurchmesser des zweiten Außenrohres422 ist größer als der Außendurchmesser des zweiten Innenrohres412 . Das zweite Außenrohr422 ist an der vierten Gastrennplatte404 platziert, die den vierten Einfuhrpfad434 und die Reaktionskammer 33, die unterhalb des vierten Einfuhrpfades434 vorgesehen ist, voneinander trennt, um das zweite Innenrohr412 einzuschließen. Das zweite Außenrohr422 steht in Verbindung mit dem vierten Einfuhrpfad434 und reicht nach unterhalb der vierten Gastrennplatte404 . Besonders ist ein ringförmiger Flansch 422a am oberen Ende des zweiten Außenrohres422 vorgesehen. Das zweite Außenrohr422 ist so vorgesehen, dass es das Bodenende davon auf einem gleichen Niveau wie das des Bodenendes des ersten Innenrohres411 in einem Zustand, in dem Flansch 422a dazu gebracht wird, von oben an einem inneren Umfangsabschnitt des Durchgangslochs 404b anzustoßen, zu positionieren. - Mit diesem Aufbau kann das C-basierte Quellgas, welches aus dem zweiten Innenrohr
412 nach unten zugeführt wird, durch das Säuberungsgas von der Umgebung abgeschirmt werden, das aus einem Raum zwischen dem zweiten Außenrohr422 und dem zweiten Innenrohr412 nach unten zugeführt wird. Demgemäß kann Eintreten von C-basiertem Quellgas unterdrückt werden. - Paare des ersten Innenrohres
411 und des ersten Außenrohres421 und Paare des zweiten Innenrohres412 und des zweiten Außenrohres422 sind in angemessenen Abstand in einer Richtung D2 (im Folgenden „horizontale Richtung“) platziert. - (Leitteile 411b und 412b)
-
2A ist eine Schnittansicht des ersten Innenrohres411 gemäß der ersten Ausführungsform und2B ist eine Bodenoberflächenansicht des ersten Innenrohrs411 , das in2A dargestellt ist. - Wenn der Zufuhrteil
4 zusammengebaut werden soll, wird das erste Außenrohr421 an der zweiten Gastrennplatte402 installiert, und danach wird das erste Innenrohr411 an der ersten Gastrennplatte401 installiert. Zu diesem Zeitpunkt wird das erste Innenrohr411 in das erste Außenrohr421 eingebracht. Um das Einführen und Positionieren des ersten Innenrohres411 in Bezug auf das erste Außenrohr421 zu leiten, sind die ersten Leitteile411b , die in1 ,2A und2B dargestellt sind, vorgesehen. - Die ersten Leitteile
411b sind an einer äußeren Umfangsoberfläche 411c des ersten Innenrohres411 vorgesehen und springen von der äußeren Umfangsoberfläche411c in Richtung einer inneren Umfangsoberfläche421b des ersten Außenrohres421 vor. Das heißt, wie in2A dargestellt, die ersten Leitteile411b springen in eine RichtungD21 (im Folgenden „radial nach außen“) des ersten Innenrohres411 vor. Da die ersten Leitteile411b am ersten Innenrohr411 vorgesehen sind, können die ersten Leitteile411b einfacher ausgebildet werden als in einem Fall, in dem die ersten Leitteile411b am ersten Außenrohr421 vorgesehen sind. - Die ersten Leitteile
411b haben jeweils eine Lamellenform, die sich in die vertikale Richtung, die eine Zentralachsenrichtung des ersten Innenrohrs411 ist, erstreckt. Dies kann unterdrücken, dass die ersten Leitteile411b den Fluss des Si-basierten Quellgases blockieren. Ein Bauteil, das einen rechtwinkeligen Querschnitt in der Radialrichtung aufweist, kann als erster Leitteil411b benutzt werden, wie in2B dargestellt ist. Der Durchschnitt der ersten Leitteile411b in der Radialrichtung kann eine dreieckige Form oder eine Form, in der das radial äußere Ende abgerundet ist, aufweisen. - Die ersten Leitteile
411b sind oberhalb der Bodenenden des ersten Innenrohres411 und des ersten Außenrohres421 vorgesehen. Demgemäß können die ersten Leitteile411b an einer Position, die vom Reaktionsraum 33, der unterhalb des Zufuhrteils4 vorgesehen ist, platziert werden und daher kann Bildung von Ablagerungen an den ersten Leitteilen411b aufgrund des Quellgases unterdrückt werden. - Wie in
2A dargestellt, hat ein Bodenende 411b1 des ersten Leitteils411b eine Verjüngung auf einer radial äußeren Seite. Demgemäß kann das erste Innenohr411 einfach in das ersten Außenrohr421 eingebracht werden. - In dem in
2B dargestellten Beispiel sind die ersten Leitteile411b an der äußeren Umfangsoberfläche411c des ersten Innenrohres411 jeweils an vier Positionen platziert, die in einer Richtung D3 (eine Umfangsrichtung) in gleicher Staffelung sind. Es ist notwendig, eine Mehrzahl der ersten Leitteile411b vorzusehen. Die ersten Leitteile411b sind bevorzugt an drei oder mehr Positionen, die im Wesentlichen in gleicher Phase sind, vorgesehen und können alternativ an vier oder mehr Positionen vorgesehen sein, solange die ersten Leitteile411b den Fluss des Si-basierten Quellgases nicht blockieren. Vorsehen der ersten Leitteile411b an drei oder mehr Positionen ermöglicht es dem ersten Innenrohr411 , eine Lücke G (siehe1 ) zwischen dem ersten Innenrohr411 und dem zweiten Außenrohr422 in allen Richtungen zu sichern. - Es ist wünschenswert, dass die ersten Leitteile
411b eine solche Abmessung in der Radialrichtung haben, die die ersten Leitteile411b nicht in Kontakt mit der inneren Umfangsoberfläche421b des ersten Außenrohres421 bringt, nachdem das erste Innenrohr411 und das erste Außenrohr421 aufgrund von Hitze der Heizung während einer Filmausbildung verformt worden sind. - Mit den ersten Leitteilen
411b werden Einbringung und Positionieren des ersten Innenrohres411 mit Bezug auf das erste Außenrohr421 geleitet, um einer Zentralachse A1 des ersten Innenrohres411 zu erlauben, fast mit einer Zentralachse des ersten Außenrohres421 ausgerichtet zu sein. Das heißt, mit den ersten Leitteilen411b kann Positionsgenauigkeit des Innenrohres411 verbessert werden. Demgemäß kann die Lücke G zwischen dem ersten Innenrohr411 und dem ersten Außenrohr421 gesichert werden. Da die Lücke G gesichert ist, kann Kontakt zwischen dem ersten Innenrohr411 und dem ersten Außenrohr421 während des Zusammenbaus vermieden werden. -
3 ist eine Schnittansicht eines zweiten Innenrohres412 gemäß der ersten Ausführungsform. - Wenn der Zufuhrteil
4 zusammengebaut werden soll, wird das zweite Außenrohr422 an der vierten Gastrennplatte404 , die unterhalb der dritten Gastrennplatte403 vorgesehen ist, installiert und danach wird das zweite Innenrohr412 an der dritten Gastrennplatte403 installiert. Zu diesem Zeitpunkt wird das zweite Innenrohr412 in das zweite Außenrohr422 eingebracht. Um Einbringung und Positionieren des zweiten Innenrohres412 mit Bezug auf das zweite Außenrohr422 zu leiten, sind Leitteile412b , die in1 und3 dargestellt sind, vorgesehen. - Die zweiten Leitteile
412b sind ein Beispiel für einen konvexen Abschnitt, der von einer der zweiten Innenrohre412 und der zweiten Außenrohre422 zum anderen vorspringt. - Die zweiten Leitteile
412b sind an einer äußeren Umfangsoberfläche412c des zweiten Innenrohrs412 vorgesehen und springen von der äußeren Umfangsoberfläche412c zu einer inneren Umfangsoberfläche422b des zweiten Außenrohres422 vor. Da die zweiten Leitteile412b an dem zweiten Innenrohr412 vorgesehen sind, können die zweiten Leitteile412b einfacher als in einem Fall, in dem die zweiten Leitteile412b am zweiten Außenrohr422 vorgesehen sind, ausgebildet werden. - Darüber hinaus haben die zweiten Leitteile
412b jeweils eine Lamellenform, die sich in der vertikalen Richtung, die eine Zentralachsenrichtung des zweiten Innenrohres412 ist, erstrecken. Dies kann unterdrücken, dass die zweiten Leitteile412b den Fluss des C-basierten Quellgases blockieren. Ein Querschnitt der zweiten Leitteile412b in der Radialrichtung kann eine identische Form wie diejenige der ersten Leitteile411b aufweisen. - Die zweiten Leitteile
412b sind oberhalb der Bodenenden des zweiten Innenrohrs412 und der zweiten Außenrohre422 vorgesehen. Demgemäß können die zweiten Leitteile412b an einer Position platziert sein, die vom Reaktionsraum 33, der unter dem Zufuhrteil4 vorgesehen ist, entfernt ist, und dadurch kann Bildung von Ablagerungen an den zweiten Leitteilen412b aufgrund des Quellgases unterdrückt werden. - Wie in
3 dargestellt, hat ein Bodenende 412b1 des zweiten Leitteils412b eine Verjüngung an einer radialen Außenseite. Dies ermöglicht dem zweiten Innenrohr412 , einfach in das zweite Außenrohr422 eingebracht zu werden. - Die zweiten Leitteile
412b sind an vier Positionen platziert, die in der Umfangsrichtung der äußeren Umfangsoberfläche412c des zweiten Innerohres412 jeweils gleich beabstandet sind, ähnlich wie die ersten Leitteile411b . Die Anzahl der zweiten Leitteile412b kann drei sein oder kann fünf oder mehr sein, solange der Fluss des C-basierten Quellgases nicht blockiert wird. Wegen der Bereitstellung von drei oder mehr zweiten Leitteilen412b kann das zweite Innenrohr412 die Lücke G zwischen dem zweiten Innenrohr412 und dem zweiten Außenrohr422 in allen Richtungen sichern. - Es ist wünschenswert, dass die zweiten Leitteile
412b eine solche Abmessung in der Radialrichtung haben, die die zweiten Leitteile412b nicht in Kontakt mit der inneren Umfangsoberfläche422b des zweiten Außenrohres422 bringt, auch nachdem das zweite Innenrohr412 und das zweite Außenrohr422 aufgrund von Hitze verformt worden sind. - Mit den zweiten Leitteilen
412b werden Einbringung und Positionieren des zweiten Innenrohres412 mit Bezug auf das zweite Außenrohr422 geleitet, um einer Zentralachse A2 des zweiten Innenrohres412 zu ermöglichen, fast mit einer Zentralachse des zweiten Außenrohres422 ausgerichtet zu sein. Das heißt, mit den zweiten Leitteilen412b kann Positionsgenauigkeit des zweiten Innerohres412 verbessert werden. Demgemäß kann die Lücke G zwischen dem zweiten Innenrohr412 und dem zweiten Außenrohr422 gesichert werden. Da die Lücke G gesichert ist, kann Kontakt zwischen dem zweiten Innenrohr412 und dem zweiten Außenrohr422 während des Zusammenbaus verhindert werden. - Die ersten Leitteile
411b und die zweiten Leitteile412b können von den inneren Umfangsoberflächen der relevanten Außenrohre in Richtung der äußeren Umfangsoberflächen der jeweils entsprechenden Innenrohre vorspringen. Auch in diesem Fall können identische Effekte vorgesehen sein. - In
1 ist jedes der Rohre411 ,412 ,421 und422 mehrmals angeordnet. Die Nummern der Rohre411 ,412 ,421 und422 , die in1 dargestellt sind, sind nur beispielhaft und nicht darauf beschränkt. Praktisch können mehr Rohre411 ,412 ,421 und422 als die in1 dargestellten platziert werden. Darüber hinaus können die Rohre411 ,412 ,421 und422 in Abständen auch in der Umfangsrichtung der Gastrennplatten401 bis404 platziert werden, wie auch in der Radialrichtung. - (Filmausbildungsmethode)
- Eine Filmausbildungsmethode eines SiC-Films wird als nächstes als ein Betriebsbeispiel der Filmausbildevorrichtung
1 gemäß der ersten Ausführungsform, die wie oben beschrieben aufgebaut ist, erläutert. - Als erstes wird das SiC-Substrat 2, welches aus n-Typ- oder p-Typ-SiC-Einzelkristall zusammengesetzt ist, am Suszeptor 51a angebracht und das Innere der Reaktionskammer 33 wird durch den Gasabgabeteil 6 vakuumgesaugt, um einen gewünschten Druck zu erhalten. Der Heizmechanismus 52 wird dazu gebracht, Wärme zu erzeugen, um das SiC-Substrat auf beispielsweise ungefähr 1600 Grad C° zu erhitzen. Der Drehmechanismus dreht den Suszeptor 51a und das SiC-Substrat 2 über den Drehteil 51, um eine Temperaturverteilung in der Fläche des SiC-Substrats 2 zu vereinheitlichen, ohne durch eine Wärmeerzeugungsverteilung in der Umfangsrichtung des Heizmechanismus 52 beeinflusst zu sein.
- Als nächstes werden ein Si-basiertes Quellgas, ein Säuberungsgas und ein C-basiertes Quellgas durch die ersten bis vierten Einfuhröffnungen 441 bis 444 eingeführt. Die jeweiligen Gase werden durch die ersten bis vierten Einfuhrpfade
431 bis434 in die Reaktionskammer 33 eingeführt und werden dann durch die Rohre411 ,412 ,421 und422 auf das SiC-Substrat 2 zugeführt. - Zu diesem Zeitpunkt wird das Si-basierte Quellgas, welches aus den ersten Innenrohren
411 zugeführt wird, durch Säuberungsgas, das aus den entsprechenden ersten Außenrohren421 zugeführt wird, abgeschirmt. Aufgrund des Abschirmens wird Eintreten von Si-basiertem Quellgas unterdrückt. Demgemäß kann eine Reaktion zwischen dem Si-basierten Quellgas und dem C-basierten Quellgas unterdrückt werden, bevor sie das SiC-Substrat 2 erreichen. Darüber hinaus wird das C-basierte Quellgas, das von den zweiten Innenrohren412 zugeführt wird, durch das Säuberungsgas, das von den entsprechenden zweiten Außenrohren422 zugeführt wird, abgeschirmt. Wegen des Abschirmens wird ein Eintritt des C-basierten Quellgases unterdrückt. Demgemäß kann eine Reaktion zwischen dem Si-basierten Quellgas und dem C-basierten Quellgas vor dem Erreichen des SiC-Substrats 2 mehr unterdrückt werden. - Mit den Quellgasen, die zum SiC-Substrat 2 zugeführt werden, wird auf der Oberfläche des SiC-Substrats 2 ein SiC-Film epitaxial gezüchtet.
- Wie oben beschrieben, sind die Gastrennplatten
401 bis404 , die Innenrohre411 und412 und die Außenrohre421 und422 aus, beispielsweise, Kohlenstoff, der mit SiC überzogen ist, um einem Hochtemperatur-Reaktionsverfahren gegenüber widerstandsfähig zu sein, hergestellt. Da SiC und Kohlenstoff sich in der Wärmeausdehnungsrate unterscheiden, kann an den Gastrennplatten401 bis404 , den Innenrohren411 und412 und den Außenrohren421 und422 zum Zeitpunkt der Herstellung dieser Bauteile eine Verformung wie beispielsweise Verzug auftreten. Deswegen ist es schwierig, Verfahrensgenauigkeit der Gastrennplatten401 bis404 , der Innenrohre411 und412 und der Außenrohre421 und422 sicherzustellen. Demgemäß ist es auch schwierig, die Positionsgenauigkeit der Rohre411 ,412 ,421 und422 sicherzustellen, wenn die Innenrohre411 und412 und die Außenrohre421 und422 an den Gastrennplatten401 bis404 angebracht sind. Darüber hinaus ist es, da die Gastrennplatten401 bis404 , die Innenrohre411 und412 und die Außenrohre421 und422 zum Zeitpunkt einer Reaktion aufgrund von Hitze weiter verformt werden, schwieriger, die Positionsgenauigkeit der Rohre411 ,412 ,421 und422 sicherzustellen. - In einem Fall, in dem die Leitteile
411b und412b nicht vorgesehen sind, ist es schwierig, die Positionsgenauigkeit der Rohre411 ,412 ,421 und422 sicherzustellen und daher besteht eine Möglichkeit, dass die Richtungen der Zentralachsen A1 und A2 der Innenrohre411 und412 stark von den Richtungen der Zentralachsen der entsprechenden Außenrohre421 und422 abweichen. Demgemäß können die Innenrohre411 und412 und die entsprechenden Außenrohre421 und422 in Kontakt miteinander stehen. Wenn Ablagerungen aufgrund der Quellgase an Kontaktstellen zwischen den Innenrohren411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 gebildet werden, besteht ein Risiko, dass die Innenrohre411 und412 und die Außenrohre421 und422 durch die Ablagerungen aneinander befestigt werden. Wenn die Innenrohre411 und412 und die Außenrohre421 und422 aneinander befestigt sind, werden die Schnittflächen der Flusspfade der äußeren Rohre421 und422 nicht-einheitlich und daher wird es schwierig, das Säuberungsgas mit einer gleichmäßigen Flussrate zuzuführen. Deshalb funktioniert das Säuberungsgas nicht angemessen als ein Mischungsunterdrückendes Gas und es ist wahrscheinlich, dass Ablagerungen aufgrund eines Eintretens des Si-basierten Quellgases oder des C-basierten Quellgases an den Auslässen der Rohre411 ,412 ,421 und422 an den Innenrohren411 und412 und den Außenrohren421 und422 gebildet werden. Die Ablagerungen an den Rohren411 ,412 ,421 und422 fallen dann als Partikel auf das SiC-Substrat 2 und verursachen Kristalldefekte in einem SiC-Film. - Im Kontrast dazu kann in der ersten Ausführungsform das Positionieren der Zentralachsen A1 und A2 der Innenrohre
411 und412 durch die Leitteile411b und412b geleitet werden, wenn die Innenrohre411 und412 in die Außenrohre421 beziehungsweise422 eingebracht werden. Da das Positionieren geleitet werden kann, können die Zentralachsen A1 und A2 der Innenrohre411 und412 fast mit den Zentralachsen der Außenrohre421 bzw.422 ausgerichtet werden. Da die Zentralachsen miteinander ausgerichtet werden können, kann die Lücke G zwischen den Innenrohren411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 gesichert werden. Da die Lücke G gesichert werden kann, kann Kontakt zwischen den Innenrohren411 und412 und den Außenrohren421 und422 vermieden werden. Deswegen kann Bildung von Ablagerungen an den Kontaktstellen zwischen den Innenrohren411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 verhindert werden und Kristalldefekte in einem SiC-Film, die von den Ablagerungen verursacht werden, können vermieden werden. - Wie oben beschrieben, kann gemäß der ersten Ausführungsform Kontakt zwischen den Innenrohren
411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 durch die Leitteile411b beziehungsweise412b vermieden werden. Deswegen kann die Bildung von Ablagerungen an den Kontaktstellen zwischen den Innenrohren411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 aufgrund Eintretens der Gase verhindert werden. Dies ermöglicht es, Auftreten von Kristalldefekte, die aus den Ablagerungen resultieren, zu verhindern. - (Zweite Ausführungsform)
- Eine Ausführungsform, in der Bodenendabschnitte der Innenrohre
411 und412 eine sich verjüngende Form aufweisen, wird als nächstes als eine zweite Ausführungsform erläutert. In der zweiten Ausführungsform werden Bestandteile, die denjenigen in der obigen Ausführungsform entsprechen, durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet und redundante Beschreibungen hiervon werden vermieden. -
4 ist eine Schnittansicht eines Rohres mit einer Doppelröhrenstruktur gemäß der zweiten Ausführungsform. Wie in4 dargestellt, haben die Innenrohre411 und412 der zweiten Ausführungsform Bodenendabschnitte411d beziehungsweise412d mit einer sich verjüngenden Form. Indessen haben die Außenrohre421 und422 eine lineare Form ohne, dass sie eine Verjüngung ähnlich wie in der ersten Ausführungsform haben. Die sich verjüngende Form der Bodenendabschnitte411d und412d ist eine Form, in der die inneren Durchmesser der Bodenendabschnitte411d und412d , das heißt die Schnittflächen der Gasflusspfade, in Richtung einer stromabwärts gelegenen Seite des Quellgases, das heißt nach unterhalb vonD11 , ansteigen. - In der zweiten Ausführungsform mit dem Bodenendabschnitt
411d des ersten Innerohres411 , das die sich verjüngende Form aufweist, kann das Si-basierte Quellgas aus dem ersten Innenrohr411 ausgetrieben werden, sodass es sich in der Radialrichtung leicht nach außen aufweitet. Ein Fluss von radialen Auswärtskomponenten des Si-basierten Quellgases ist gegen einen Fluss des C-basierten Quellgases, das gerade in das erste Innenrohr411 von radial auswärts eintritt. Daher kann ein Eintreten des C-basierten Quellgases in das erste Innenrohr411 unterdrückt werden. Dies kann Mischung des Si-basierten Quellgases und des C-basierten Quellgases am Bodenendabschnitt411d des ersten Innenrohres411 unterdrücken, um die Bildung von Ablagerungen am ersten Innenrohr411 zu unterdrücken. - Ähnlich kann in der zweiten Ausführungsform mit dem Bodenendabschnitt
412d des zweiten Innenrohres412 , das die sich verjüngende Form aufweist, das C-basierte Quellgas aus dem zweiten Innenrohr412 ausgetrieben werden, sodass es sich in der Radialrichtung leicht nach auswärts aufspreizt. Ein Fluss von radialen Auswärtskomponenten des C-basierten Quellgases ist einem Fluss des Si-basierten Quellgases, das dabei ist, das zweite Innenrohr412 von radial auswärts zu betreten, entgegengesetzt. Deswegen kann Eintreten des Si-basierten Quellgases in das zweite Innenrohr412 unterdrückt werden. Demgemäß kann Mischung des Si-basierten Quellgases und des C-basierten Quellgases am Bodenendabschnitt412d des zweiten Innenrohres412 unterdrückt werden, um die Bildung von Ablagerung am zweiten Innenrohr412 zu unterdrücken. - Da die Bodenendabschnitte
411d und412d eine sich verjüngende Form aufweisen, sind die Lücken zwischen den Innenrohren411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 an den Bodenenden enger als diejenigen in der ersten Ausführungsform. Das heißt, dass es wahrscheinlicher ist, dass die Innenrohre411 und412 und die entsprechenden Außenrohre421 und422 in Kontakt miteinander stehen, als diejenigen in der ersten Ausführungsform. - Allerdings können die Lücken, da die Leitteile
411b und412b in der zweiten Ausführungsform ähnlich wie in der ersten Ausführungsform vorgesehen sind, zwischen den Innenrohren411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 beziehungsweise422 auch an den Bodenenden gesichert werden. - Deswegen kann gemäß der zweiten Ausführungsform Bildung von Ablagerungen an den Rohren
411 ,412 ,421 und422 , ähnlich wie in der ersten Ausführungsform effektiv, unterdrückt werden. - (Dritte Ausführungsform)
- Eine Ausführungsform, in der die Bodenendanteile von beiden Innenrohren
411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 eine sich verjüngende Form aufweisen, wird als nächstes als eine dritte Ausführungsform erläutert. In der dritten Ausführungsform werden Bestandteile, die denjenigen in den obigen Ausführungsformen entsprechen, durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet und redundante Beschreibungen davon werden vermieden. -
5 ist eine Schnittansicht eines Rohres mit einer Doppelröhrenstruktur gemäß der dritten Ausführungsform. In der dritten Ausführungsform weisen, wie in5 dargestellt, die Außenrohre421 und422 auch Bodenendabschnitte421c beziehungsweise422c mit einer sich verjüngenden Form auf, wobei jeweils der innere Durchmesser zusätzlich zum Aufbau, der in der zweiten Ausführungsform beschrieben ist, nach unten graduell ansteigt. - Verjüngungswinkel der Bodenendabschnitte
421c und422c der Außenrohre421 und422 sind, beispielsweise, gleich zu Verjüngungswinkeln der Bodenendabschnitte411d und412d der Innenrohre411 beziehungsweise412 . Die Verjüngungswinkel der Bodenendabschnitte421 und422c der Außenrohre421 und422 können von den Verjüngungswinkeln der Bodenendabschnitte411d und412d der Innenrohre411 beziehungsweise412 verschieden sein. - In der dritten Ausführungsform kann die Austreibungsrichtung der Quellgase und die Austreibungsrichtung der Säuberungsgase in Übereinstimmung gebracht werden, da die Bodenendabschnitte
411d und412d der Innenrohre411 und412 und die Bodenendabschnitte421c und422c der entsprechenden Außenrohre421 und422 beide eine sich verjüngende Form aufweisen. Demgemäß kann Bildung eines gestörten Flusses unterdrückt werden, um die Quellgase angemessen dem SiC-Substrat 2 zuzuführen. - (Vierte Ausführungsform)
- Eine Ausführungsform, die ein Rohr mit einer Dreifachröhrenstruktur aufweist, wird als nächstes als eine vierte Ausführungsform erläutert. In der vierten Ausführungsform werden Bestandteile, die denjenigen in den obigen Ausführungsformen entsprechen, durch gleiche Bezugszeichen bezeichnet und redundante Beschreibungen davon werden vermieden.
-
6 ist eine schematische Schnittansicht, welche die Filmausbildevorrichtung gemäß der vierten Ausführungsform darstellt. Wie in6 dargestellt, hat der Zufuhrteil4 in der vierten Ausführungsform Rohre mit einer Dreifachröhrenstruktur, in der das zweite Innenrohr412 , das in den oben beschriebenen Ausführungsformen erklärt wurde, das erste Außenrohr421 einschließt. In den folgenden Beschreibungen wird das erste Außenrohr421 als „Mittelrohr 421“ und das zweite Innenrohr412 als „Außenrohr 412“ bezeichnet. - Wie in
6 dargestellt, sind dritte Leitteile421e , die zum Außenrohr412 vorspringen, an einer äußeren Umfangsoberfläche421d des Mittelrohres421 in der vierten Ausführungsform vorgesehen. - In der vierten Ausführungsform kann Kontakt zwischen dem ersten Innenrohr
411 und dem Mittelrohr421 durch die ersten Leitteile411b vermieden werden und Kontakt zwischen dem Mittelrohr421 und dem Außenrohr412 kann durch die dritten Leitteile421e vermieden werden. - Daher kann gemäß der vierten Ausführungsform Bildung von Ablagerungen an den Rohren
411 ,412 und421 , ähnlich wie in den ersten bis dritten Ausführungsformen, unterdrückt werden. - Wie durch die gestrichelten Linien in
6 dargestellt, können Rohre mit einer Vierfachröhrenstruktur, in der das zweite Außenrohr422 , das in den ersten bis dritten Ausführungsformen beschrieben wurde, das Außenrohr412 einschließt, alternativ angenommen werden. In diesem Fall reicht es aus, Leitteile (nicht dargestellt), die beispielsweise an der äußeren Umfangsoberfläche des Rohres 412zur inneren Umfangsoberfläche des Rohres422 vorspringen, vorzusehen. - In den oben beschrieben Ausführungsformen werden die Leitteile
411b mit einer Lamellenform als ein Beispiel eines konvexen Abschnittes angenommen. Der konvexe Abschnitt ist nicht auf denjenigen mit der Lamellenform beschränkt, solange der konvexe Abschnitt eine Betriebsart hat, die die Lücke G zwischen den Innenrohren411 und412 und den entsprechenden Außenrohren421 und422 sichert. Beispielsweise kann der konvexe Abschnitt ein säulenförmiges Bauteil sein, welches von den Innenrohren411 und412 radial nach außen vorspringt. - Darüber hinaus kann der Leitteil mehrfach in Abständen in der vertikalen Richtung angeordnet sein.
- Um die thermische Effizienz zu erhöhen, kann ein ringförmiger Reflektor an einem oberen Abschnitt der Kammer
3 vorgesehen sein, der Strahlung von einer Wärmequelle, die unten vorgesehen ist, reflektiert. In diesem Fall sind die Rohre411 ,412 ,421 und422 so angeordnet, dass sie durch den Reflektor durchtreten. Eine Hilfsheizung kann an der Seitenwand 31 der Kammer3 zwischen dem Zufuhrteil4 und dem drehenden Teil 51 vorgesehen sein. - Die oben beschriebenen Ausführungsformen werden nur zu Zwecken der Darstellung dargestellt und es ist nicht gemeint, dass diese den Schutzbereich der Erfindung begrenzen. Diese Ausführungsformen können auch in verschiedenartigen anderen Betriebsarten ausgeführt werden und verschiedene Typen von Auslassungen, Ersetzungen und Modifikationen können vorgenommen werden, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen. Diese Ausführungsformen und Modifikationen davon sind im Grundgedanken und Schutzbereich der Erfindung beinhaltet und sind auch in der Erfindung enthalten, die in den angehängten Ansprüchen und Äquivalenten davon beschrieben wird.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Filmausbildevorrichtung
- 2
- SiC-Substrat
- 3
- Kammer
- 32
- Oberwand
- 4
- Zufuhrteil
- 401
- erste Gastrennplatte
- 402
- zweite Gastrennplatte
- 403
- dritte Gastrennplatte
- 404
- vierte Gastrennplatte
- 411
- erstes Innenrohr
- 411b
- erstes Leitteil
- 412
- zweites Innenrohr
- 412b
- zweites Leitteil
- 421
- erstes Außenrohr
- 422
- zweites Außenrohr
- 431
- erster Einfuhrpfad
- 432
- zweiter Einfuhrpfad
- 433
- dritter Einfuhrpfad
- 434
- vierter Einfuhrpfad
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- JP 20155658 [0004]
Claims (10)
- Filmausbildevorrichtung, umfassend: eine Reaktionskammer, die so aufgebaut ist, dass sie eine Reaktion auf einem Substrat ermöglicht; und einen Zufuhrteil, der oberhalb der Reaktionskammer angeordnet ist und so aufgebaut ist, dass er auf das Substrat mindestens ein erstes Gas und ein zweites Gas zuführt, wobei der Zufuhrteil eine erste Abtrennung, eine zweite Abtrennung, die unter der ersten Abtrennung in einem vorbestimmten Abstand davon vorgesehen ist, eine dritte Abtrennung, die unter der zweiten Abtrennung in einem vorbestimmten Abstand davon vorgesehen ist, einen ersten Flusspfad, der zwischen dem ersten Teilbereich und dem zweiten Teilbereich vorgesehen ist, um dem ersten Gas zu erlauben, darin eingeführt zu werden, einen zweiten Flusspfad, der zwischen dem zweiten Teilbereich und dem dritten Teilbereich vorgesehen ist, um dem zweiten Gas zu erlauben, darin eingeführt zu werden; eine erste Rohrleitung, die sich von dem zweiten Teilbereich erstreckt, um nach unterhalb des dritten Teilbereichs zu reichen, und die in Verbindung mit dem ersten Flusspfad steht, eine zweite Rohrleitung, die so vorgesehen ist, dass sie die erste Rohrleitung einschließt, und sich von dem dritten Teilbereich erstreckt, um nach unterhalb des dritten Teilbereichs zu reichen und in Verbindung mit dem zweiten Flusspfad steht, und einen konvexen Abschnitt, der an einer äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung oder einer inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung vorgesehen ist und von einer der äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung und der inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung zu der anderen vorspringt, umfasst.
- Vorrichtung nach
Anspruch 1 , wobei der konvexe Abschnitt an der äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung vorgesehen ist und zur inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung vorspringt. - Vorrichtung nach
Anspruch 1 oder2 , wobei der konvexe Abschnitt oberhalb von Bodenenden der ersten Rohrleitung und der zweiten Rohrleitung vorgesehen ist. - Vorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis3 , wobei der konvexe Abschnitt eine Form, die sich in einer Zentralachsenrichtung der ersten Rohrleitung erstreckt, aufweist. - Vorrichtung nach
Anspruch 4 , wobei ein Bodenende des konvexen Abschnitts eine Verjüngung aufweist. - Vorrichtung nach
Anspruch 2 , wobei eine Abmessung des konvexen Abschnitts in einer Radialrichtung eine Abmessung ist, die den konvexen Abschnitt nicht in Kontakt mit der inneren Umfangsoberfläche der zweiten Rohrleitung bringt, nachdem die erste Rohrleitung und die zweite Rohrleitung aufgrund von Wärme verformt worden sind. - Vorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis6 , wobei ein Bodenende der ersten Rohrleitung auf einem gleichen Niveau wie das eines Bodenendes der zweiten Rohrleitung positioniert ist. - Vorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis7 , wobei drei oder mehr der konvexen Abschnitte an der äußeren Umfangsoberfläche der ersten Rohrleitung vorgesehen sind, um in einer Umfangsrichtung gleichmäßig gestaffelt zu sein. - Vorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis8 , wobei die erste Rohrleitung einen Bodenendabschnitt mit einer sich verjüngenden Form beinhaltet, die einen inneren Durchmesser, der graduell nach unten ansteigt, aufweist, und die zweite Rohrleitung eine lineare Form aufweist. - Vorrichtung nach einem der
Ansprüche 1 bis8 , wobei die erste Rohrleitung und die zweite Rohrleitung einen Bodenendabschnitt mit einer sich verjüngenden Form beinhalten, die einen inneren Durchmesser, der graduell nach unten ansteigt, aufweist.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11326275B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-05-10 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial growth apparatus having purge gas supply ports which surround a vicinity of a raw material gas supply port |
US11390949B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-07-19 | Showa Denko K.K. | SiC chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing SiC epitaxial wafer |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11944988B2 (en) * | 2018-05-18 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone showerhead |
JP7365761B2 (ja) * | 2018-08-24 | 2023-10-20 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
JP7152970B2 (ja) * | 2019-03-01 | 2022-10-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置 |
SG11202107817XA (en) * | 2019-03-11 | 2021-09-29 | Applied Materials Inc | Lid assembly apparatus and methods for substrate processing chambers |
WO2021102726A1 (zh) * | 2019-11-27 | 2021-06-03 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 一种用于GaN材料生长的线性喷头 |
KR102678091B1 (ko) | 2020-12-14 | 2024-06-26 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 기상 성장 장치 및 기상 성장 방법 |
WO2022130926A1 (ja) * | 2020-12-14 | 2022-06-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置及び気相成長方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0292896A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-04-03 | Toshiba Corp | Si単結晶の製造方法 |
JPH02205316A (ja) * | 1989-02-03 | 1990-08-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | エピタキシャル気相成長装置 |
JPH02308534A (ja) * | 1989-05-24 | 1990-12-21 | Toshiba Corp | 半導体基板の薄膜形成装置 |
JPH0383897A (ja) * | 1989-08-24 | 1991-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 気相成長装置 |
JP2969596B2 (ja) * | 1989-10-06 | 1999-11-02 | アネルバ株式会社 | Cvd装置 |
JP3406959B2 (ja) * | 1992-10-16 | 2003-05-19 | キヤノン株式会社 | マイクロ波プラズマcvd法による堆積膜形成方法 |
JP2500773B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1996-05-29 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
JP3360098B2 (ja) * | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
JP2000144432A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-26 | Ebara Corp | ガス噴射ヘッド |
JP2000252270A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Ebara Corp | ガス噴射ヘッド |
JP2004076076A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 大気圧プラズマ処理装置及び大気圧プラズマ処理方法 |
JP3869778B2 (ja) * | 2002-09-11 | 2007-01-17 | エア・ウォーター株式会社 | 成膜装置 |
JP4794942B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2011-10-19 | 古河機械金属株式会社 | 原子層堆積装置 |
DE102005055468A1 (de) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor |
JP4989210B2 (ja) | 2006-12-20 | 2012-08-01 | 住友ゴム工業株式会社 | 自動二輪車用タイヤ |
JP2008226857A (ja) * | 2008-05-16 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
JP5026373B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2012-09-12 | シャープ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
CN102224571A (zh) * | 2008-11-21 | 2011-10-19 | 国立大学法人长冈技术科学大学 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
JP2011114081A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Sharp Corp | 気相成長装置 |
TWI527090B (zh) * | 2010-07-12 | 2016-03-21 | 愛發科股份有限公司 | 成膜裝置 |
JP5542584B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2014-07-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
JP2013122066A (ja) | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Cornes Technologies Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP2013122067A (ja) | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Cornes Technologies Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP2013121885A (ja) | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Cornes Technologies Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP6096547B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びシャワープレート |
JP6065762B2 (ja) | 2013-06-21 | 2017-01-25 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体成膜装置およびそれを用いた成膜方法 |
JP2016050164A (ja) | 2014-09-02 | 2016-04-11 | 昭和電工株式会社 | SiC化学気相成長装置 |
-
2016
- 2016-03-01 JP JP2016039270A patent/JP6664993B2/ja active Active
-
2017
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-
2018
- 2018-08-31 US US16/118,734 patent/US10896831B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11326275B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-05-10 | Showa Denko K.K. | SiC epitaxial growth apparatus having purge gas supply ports which surround a vicinity of a raw material gas supply port |
US11390949B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-07-19 | Showa Denko K.K. | SiC chemical vapor deposition apparatus and method of manufacturing SiC epitaxial wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201739952A (zh) | 2017-11-16 |
KR102211543B1 (ko) | 2021-02-02 |
US10896831B2 (en) | 2021-01-19 |
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