KR101437187B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치의 기판 처리부에 미리 정해진 유량·미리 정해진 농도의 처리액을 정밀도 좋게 공급하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 처리액 공급부(24)로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 처리하는 기판 처리 장치(1)에 있어서, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에는, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량 이상이 되도록 처리액 공급부(24)로부터 처리액을 공급하고, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량인 경우에는, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부(24)로부터 공급하도록 제어한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM HAVING SUBSTRATE PROCESSING PROGRAM THEREIN}
본 발명은, 처리액 공급부로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부에서 기판을 처리하기 위한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 프로그램, 및 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 부품이나 플랫 디스플레이 등을 제조하는 경우에는, 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판을 세정 처리나 에칭 처리하기 위해서 기판 처리 장치를 이용하여 기판의 각종 처리를 수행하고 있다.
종래의 기판 처리 장치는, 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리부를 복수개 갖고, 복수개의 기판 처리부에 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 가지며, 처리액 공급부에서 미리 정해진 농도로 희석한 처리액을 미리 생성하여, 그 처리액을 저류시켜 두며, 기판 처리 시에 처리액 공급부로부터 복수개의 기판 처리부 에 미리 정해진 농도의 처리액을 동시에 공급하도록 구성되어 있다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2007-123393호 공보
상기 종래의 기판 처리 장치에서는, 기판 처리부에서 사용되는 처리액의 유량이 소량인 경우에는, 처리액 공급부에서 유량을 제어할 수 없게 되어 미리 정해진 유량의 처리액을 정밀도 좋게 공급할 수 없게 될 우려가 있었다.
특히, 기판을 처리하는 처리액을 미리 정해진 농도로 희석하여 생성하고, 생성 직후에 기판 처리부로 공급하도록 구성된 경우에는, 희석되는 액체의 유량이 극소량이라 처리액 공급부에서 농도를 제어할 수 없게 되므로, 미리 정해진 농도의 처리액을 정밀도 좋게 공급할 수 없게 될 우려가 있었다.
또한, 모든 기판 처리부에서 사용되는 유량의 처리액을 항상 공급하는 경우도 생각할 수 있지만, 사용하지 않는 처리액까지도 쓸데없이 공급하게 되어 처리액의 사용 효율이 낮아지게 된다.
그래서, 본 발명에서는, 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 복수개의 기판 처리부와, 상기 복수개의 기판 처리부에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 각 기판 처리부 및 처리액 공급부를 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치에 있어서, 제어부는, 상기 복수개의 기판 처리부에 기판을 순차 반송하며, 각 기판 처리부에서 처리액에 의한 기판의 처리를 순차 개시하고, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 동안은, 처리액 공급부에서 제어 가능한 최소 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하고, 그 후, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량으로 되었을 때에는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부로부터 공급하도록 제어한다.
또한, 상기 제어부는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에만, 기판 처리부에서 동시에 사용되지 않는 잉여의 처리액을 폐액부로부터 배출하도록 제어한다.
또한, 상기 처리액 공급부는, 제1 유체로 제2 유체를 희석하여 정해진 농도의 처리액을 생성하며, 생성한 처리액을 생성 직후에 기판 처리부에 공급하도록 구성되고, 상기 제어부는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 포함되는 제2 유체의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량보다 소량인 경우에만, 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 포함되는 제2 유체의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 정해진 농도의 처리액을 공급하도록 제어한다.
또한, 본 발명에서는, 처리액 공급부로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부에서 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 상기 복수개의 기판 처리부에 기판을 순차 반송하며, 각 기판 처리부에서 처리액에 의한 기판의 처리를 순차 개시하고, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 동안은, 처리액 공급부에서 제어 가능한 최소 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하고, 그 후, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량으로 되었을 때에는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부로부터 공급한다.
또한, 상기 제어부는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에만, 기판 처리부에서 동시에 사용되지 않는 잉여의 처리액을 폐액부로부터 배출하도록 제어한다.
또한, 상기 처리액 공급부는, 제1 유체로 제2 유체를 희석하여 정해진 농도의 처리액을 생성하며, 생성한 처리액을 생성 직후에 기판 처리부에 공급하고, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 함유되는 제2 유체의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량보다 소량인 경우에만, 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 포함되는 제2 유체의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 정해진 농도의 처리액을 공급한다.
또한, 본 발명에서는, 처리액 공급부로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치로 기판을 처리하게 하는 기판 처리 프로그램에 있어서, 상기 복수개의 기판 처리부에 기판을 순차 반송하며, 각 기판 처리부에서 처리액에 의한 기판의 처리를 순차 개시하고, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 동안은, 처리액 공급부에서 제어 가능한 최소 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하고, 그 후, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량으로 되었을 때에는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부로부터 공급하도록 제어한다.
또한, 본 발명에서는, 처리액 공급부로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치로 기판을 처리하게 하는 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서, 상기 복수개의 기판 처리부에 기판을 순차 반송하며, 각 기판 처리부에서 처리액에 의한 기판의 처리를 순차 개시하고, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 동안은, 처리액 공급부에서 제어 가능한 최소 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하고, 그 후, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량으로 되었을 때에는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부로부터 공급하도록 제어한다.
본 발명에 따르면, 처리액 공급부로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에는, 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량이 되도록 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하기 때문에, 처리액 공급부로부터 기판 처리부에 미리 정해진 유량의 처리액을 정밀도 좋게 공급할 수 있고, 기판 처리 장치에서 사용되는 처리액의 사용률을 향상시킬 수 있어, 기판 처리 장치의 운전비용(running cost)을 저감시킬 수 있다.
특히, 제1 유체로 제2 유체를 희석하여 미리 정해진 농도의 처리액을 생성하고, 생성한 처리액을 생성 직후에 기판 처리부로 공급하며, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 미리 정해진 농도의 처리액에 함유되는 제2 유체의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량보다 소량인 경우에는, 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량이 되도록 처리액 공급부로부터 미리 정해진 농도의 처리액을 공급함으로써, 미리 정해진 농도의 처리액을 정밀도 좋게 공급할 수 있다.
이하에, 본 발명에 따른 기판 처리 장치, 이 기판 처리 장치에서 이용되는 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 처리 동작을 실행시키기 위한 기판 처리 프로그램의 구체적인 구성에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 전단부에 기판(2)(여기서는, 반도체 웨이퍼)을 복수장(예컨, 25장) 모아서 캐리어(3)로 반입 및 반출하기 위한 기판 반입/반출대(4)를 형성하고, 기판 반입/반출대(4)의 후방부에, 캐리어(3)에 수용된 기판(2)을 1장씩 반송하기 위한 기판 반송실(5)을 형성하며, 기판 반송실(5)의 후방부에, 기판(2)의 세정이나 건조 등의 각종 처리를 수행하기 위한 기판 처리실(6)을 형성한다.
기판 반입/반출대(4)는 4개의 캐리어(3)를 기판 반송실(5)의 전방벽(7)에 밀착시킨 상태에서 좌우로 간격을 두고 적재할 수 있도록 구성되어 있다.
기판 반송실(5)은 내부에 기판 반송 장치(8)와 기판 전달대(9)를 수용하고 있고, 기판 반송 장치(8)를 이용하여 기판 반입/반출대(4)에 적재된 어느 하나의 캐리어(3)와 기판 전달대(9)의 사이에서 기판(2)을 1장씩 반송하도록 구성되어 있다.
기판 처리실(6)은 중앙부에 기판 반송 장치(10)를 수용하고, 기판 반송 장치(10)의 좌측에 제1∼제6 기판 처리부(11∼16)를 전후로 배열하여 수용하며, 기판 반송 장치(10)의 우측에 제7∼제12 기판 처리부(17∼22)를 전후로 배열하여 수용하고 있다.
그리고, 기판 처리실(6)은 기판 반송 장치(10)를 이용하여 기판 반송실(5)의 기판 전달대(9)와 각 기판 처리부(11∼22)의 사이에서 기판(2)을 1장씩 반송하고, 각 기판 처리부(11∼22)를 이용하여 기판(2)을 처리하도록 구성되어 있다.
이 기판 처리실(6)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1∼제12 기판 처리부(11∼22)를 갖는 처리부(23)와 함께, 처리부(23)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(24)와, 이들 처리부(23)와 처리액 공급부(24)를 제어하는 제어부(25)를 수용하고 있다. 또한, 제어부(25)는 기판 반송 장치(8, 10) 등의 기판 처리 장치(1) 전체를 제어하도록 구성되어 있다.
처리부(23)는 처리액 공급부(24)와 연결되는 연결관(26)의 선단부에 공통 공급관(27)을 접속하고, 공통 공급관(27)의 선단부에 바이패스관(28)을 접속하고 있다. 공통 공급관(27)은 각 기판 처리부(11∼22)에 분기되어 접속되어 있고, 처리액 공급부(24)로부터 공급되는 처리액을 각 기판 처리부(11∼22)에 공통적으로 공급하도록 구성되어 있다. 또한, 바이패스관(28)은 플로우 컨트롤러(29)를 통해 폐액부(30)에 접속되어 있고, 처리액 공급부(24)로부터 공급되는 처리액 중에서 기판 처리부(11∼22)에서 사용되지 않는 잉여 처리액을 폐액부(30)로부터 배출하도록 구성되어 있다. 또한, 폐액부(30)로부터 배출되는 처리액의 유량은 제어부(25)에 의해 플로우 컨트롤러(29)에서 제어된다.
각 기판 처리부(11∼22)에는 기판(2)의 표면 또는 이면을 향해 처리액을 토 출시키는 상하 한 쌍의 노즐(31, 32)이 설치되어 있고, 각 노즐(31, 32)에 공통 공급관(27)이 전환 밸브(33, 34)와 플로우 컨트롤러(35, 36)를 통해 접속되어 있다. 전환 밸브(33, 34)에는 린스용 순수(린스액)를 공급하기 위한 린스액 공급원(45)이 공급관(46)을 통해 접속되어 있고, 전환 밸브(33, 34)를 전환함으로써, 각 노즐(31, 32)로부터 순수를 토출시켜 기판(2)을 린스 처리(순수 처리)하도록 되어 있다. 각 노즐(31, 32)로부터 토출되는 처리액이나 순수의 유량[각 기판 처리부(11∼22)에서 사용되는 처리액의 유량]은 제어부(25)에 의해 플로우 컨트롤러(35, 36)에서 제어된다.
처리액 공급부(24)는 제1 액체와 제2 액체를 혼합함으로써 제1 액체로 제2 액체를 희석하여 미리 정해진 농도의 처리액을 생성하고, 생성한 처리액을 생성 직후에 연결관(26)을 통해 처리부(23)로 공급하도록 구성되어 있다. 또한, 여기서는, 제1 액체로서 순수를 이용하고, 제2 액체로서 불산을 이용하며, 순수로 불산을 1/300로 희석한 처리액을 생성하는 경우에 대해서 설명한다.
즉, 처리액 공급부(24)는 순수를 공급하기 위한 순수 공급원(37)에 접속된 순수 공급관(38)에, 플로우 컨트롤러(39)를 통해 혼합부(믹싱 밸브)(40)를 접속하고, 불산을 공급하기 위한 불산 공급원(41)에 접속된 불산 공급관(42)에, 플로우 컨트롤러(43)를 통해 혼합부(40)를 접속하며, 혼합부(40)에 연결관(26)의 기단부를 접속하고 있다. 또한, 순수 공급원(37)이나 불산 공급원(41)으로서는, 순수나 불산을 저류한 봄베나 탱크 등을 이용할 수 있다.
그리고, 처리액 공급부(24)에서는, 순수 공급관(38)으로부터 혼합부(40)로 유입되는 순수의 유량이나 불산 공급관(42)으로부터 혼합부(40)로 유입되는 불산의 유량을 제어부(25)에 의해 플로우 컨트롤러(39, 43)에서 제어하여, 미리 정해진 농도 및 미리 정해진 유량의 처리액을 생성하도록 되어 있다.
기판 처리 장치(1)는 이상으로 설명한 바와 같이 구성되어 있고, 제어부(25)에 내장된 기록 매체(44)에 저장된 기판 처리 프로그램에 의해, 도 3에 모식적으로 나타낸 바와 같이 제어된다. 또한, 기록 매체(44)는 기판 처리 프로그램을 저장할 수 있는 매체인 것이 좋고, ROM이나 RAM 등의 반도체 메모리형 기억 매체인 것도 좋으며, 하드 디스크나 CD-ROM 등의 디스크형 기억 매체인 것도 좋다.
기판 처리 프로그램에서는, 기판 처리 장치(1)를 이용하여, 도 3에 나타낸 바와 같이, 캐리어(3)에 수용된 25장의 기판(2)을 12개의 기판 처리부(11∼22)에서 병렬적으로 순차 처리하도록 제어하고, 1장의 기판(2)에 대해서는, 10초간 각 기판 처리부(11∼22)에 반송하며, 20초간 처리액에 의한 처리(처리액 처리)를 수행하고, 그 후 20초간 순수에 의한 처리(순수 처리)를 수행하며, 그 후 40초간 건조 처리를 수행하도록 제어한다.
여기서, 기판 처리 프로그램에서는 기판(2)의 반송에 있어서, 기판 반송 장치(10)를 이용하여 제1∼제12 기판 처리부(11∼22)에 기판(2)을 순차 1장씩 반송하도록 제어하며, 이미 건조 처리된 기판(2)이 있는 경우에는, 처리된 기판(2)을 반출하고, 처리전 기판(2)을 반입하도록 제어한다.
또한, 기판 처리 프로그램에서는 기판(2)의 처리액 처리에 있어서, 처리액 공급부(24)로부터 미리 정해진 유량 및 미리 정해진 농도의 처리액을 각 기판 처리 부(11∼22)에 공급하고, 처리액을 이용하여 각 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 처리하도록 제어한다.
또한, 기판 처리 프로그램에서는 기판(2)의 순수 처리에 있어서 린스액 공급원(45)으로부터 미리 정해진 유량의 순수를 각 기판 처리부(11∼22)에 공급하고, 순수를 이용하여 각 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 처리하도록 제어한다.
또한, 기판 처리 프로그램에서는 기판(2)의 건조 처리에 있어서 각 기판 처리부(11∼22)에의 처리액이나 순수의 공급을 정지하고, 각 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 건조 처리하도록 제어한다.
또한, 기판 처리 프로그램에서는, 각 기판 처리부(11∼22)에서 처리액 처리 시에 1/300로 희석한 불산을 처리액으로서 매분 2 리터 사용하도록 제어한다. 또한, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 불산 공급관(42)에 설치된 플로우 컨트롤러(43)로서 매분 20 밀리리터까지 유량을 제어할 수 있는 것을 사용하기 때문에, 이것을 희석된 처리액으로 환산하면 300배인 매분 6 리터의 처리액이 필요하게 된다. 즉, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 불산(제2 유체)의 최소 유량이 매분 20 밀리리터이고, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 처리액의 최소 유량이 매분 6 리터가 된다.
그래서, 기판 처리 프로그램에서는, 각 기판 처리부(11∼22)에서의 처리액 사용량이 매분 2 리터(이 때의 불산 사용량이 매분 6.67 밀리리터)이므로, 동시에 사용되는 기판 처리부(11∼22)의 개수가 2개 이하인 경우, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 처리액의 최소 유량인 매분 6 리터(불산의 최소 유량인 매분 20 밀리 리터)보다 소량이기 때문에, 2개 이하의 기판 처리부(11∼22)를 동시에 사용하는 경우에는, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 최소 유량인 매분 20 밀리리터의 불산을 순수로 희석함으로써, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 최소 유량인 매분 6 리터의 미리 정해진 농도의 처리액을 생성하여 처리부(23)에 공급하도록 제어한다.
구체적으로 설명하면, 기판 처리 프로그램은, 기판 처리를 시작한 후 10초간 제1 기판 처리부(11)에 기판(2)을 반송하도록 제어하고, 처리를 시작한 후 10∼20초간 제2 기판 처리부(12)에 기판(2)을 반송하며, 제1 기판 처리부(11)에서 기판(2)을 처리액 처리하도록 제어한다. 여기서, 처리를 시작한 후 10∼20초 동안은 제1 기판 처리부(11)에서만 처리액이 사용되기 때문에, 처리액 사용량이 매분 2 리터가 되어, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 최소 유량(매분 6 리터)보다 매분 4 리터만큼 소량이기 때문에, 차분인 매분 4 리터의 처리액을 여분으로 생성하여 합계 매분 6 리터의 처리액을 공급하도록 제어한다.
다음에, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 20∼30초간 제3 기판 처리부(13)에 기판(2)을 반송하고, 제1 및 제2 기판 처리부(11, 12)에서 기판(2)을 처리액 처리하도록 제어한다. 여기서, 처리를 시작한 후 20∼30초 동안은 제1 및 제2 기판 처리부(11, 12)에서만 처리액이 사용되기 때문에, 처리액 사용량이 매분 4 리터가 되어, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 최소 유량(매분 6 리터)보다 매분 2 리터만큼 소량이기 때문에, 차분인 매분 2 리터의 처리액을 여분으로 생성하여 합계 매분 6 리터의 처리액을 공급하도록 제어한다. 마찬가지로, 처리를 시작한 후 30∼260초 동안은 2개의 기판 처리부(11∼22)에서만 처리액이 사용되기 때문에, 매분 6 리터의 처리액을 공급하도록 제어한다.
다음에, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 30∼40초간 기판 반송 장치(10)를 이용하여 제4 기판 처리부(14)에 기판(2)을 반송하고, 제1 기판 처리부(11)에서 기판(2)을 순수 처리하며, 제2 및 제3 기판 처리부(12, 13)에서 기판(2)을 처리액 처리하도록 제어한다.
다음에, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 40∼50초간 제5 기판 처리부(15)에 기판(2)을 반송하고, 제1 및 제2 기판 처리부(11, 12)에서 기판(2)을 순수 처리하며, 제3 및 제4 기판 처리부(13, 14)에서 기판(2)을 처리액 처리하도록 제어한다.
다음에, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 50∼60초간 제6 기판 처리부(16)에 기판(2)을 반송하고, 제1 기판 처리부(11)에서 기판(2)을 건조 처리하며, 제2 및 제3 기판 처리부(12, 13)에서 기판(2)을 순수 처리하고, 제4 및 제5 기판 처리부(14, 15)에서 기판(2)을 처리액 처리하도록 제어한다.
그 후, 마찬가지로, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 60∼250초간 제1∼제12 기판 처리부(11∼22)에 기판(2)을 순차 반송하고, 각 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 처리액 처리, 순수 처리, 건조 처리하도록 제어한다.
다음에, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 250∼260초간 제2 기판 처리부(12)로부터 기판(2)을 반송하고, 제6∼제9 기판 처리부(16∼19)에서 기판(2)을 건조 처리하며, 제10 및 제11 기판 처리부(20, 21)에서 기판(2)을 순수 처리하고, 제1 및 제12 기판 처리부(11, 22)에서 기판(2)을 처리액 처리하도록 제어한다.
다음에, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 260∼270초간 제3 기판 처리부(13)로부터 기판(2)을 반송하고, 제7∼제10 기판 처리부(17∼20)에서 기판(2)을 건조 처리하며, 제11 및 제12 기판 처리부(21, 22)에서 기판(2)을 순수 처리하고, 제1 기판 처리부(11)에서 기판(2)을 처리액 처리하도록 제어한다. 여기서, 처리를 시작한 후 260∼270초 동안은 제1 기판 처리부(11)에서만 처리액이 사용되기 때문에, 처리액 사용량이 매분 2 리터가 되어, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 최소 유량(매분 6 리터)보다 매분 4 리터만큼 소량이기 때문에, 차분인 매분 4 리터의 처리액을 여분으로 생성하여 합계 매분 6 리터의 처리액을 공급하도록 제어한다.
그 후, 마찬가지로, 기판 처리 프로그램은, 처리를 시작한 후 270∼330초간 제4∼제9 기판 처리부(14∼19)로부터 기판(2)을 순차 반송하고, 제1 및 제8∼제12 기판 처리부(1, 18∼22)에서 기판(2)을 순수 처리, 건조 처리하도록 제어한다.
다음에, 기판 처리 프로그램은 처리를 시작한 후 330∼340초간 제10 기판 처리부(20)로부터 기판(2)을 반송하고, 처리를 시작한 후 340∼350초간 제11 기판 처리부(21)로부터 기판(2)을 반송하며, 처리를 시작한 후 350∼360초간 제12 기판 처리부(22)로부터 기판(2)을 반송하고, 처리를 시작한 후 360∼370초간 제1 기판 처리부(11)로부터 기판(2)을 반송하도록 제어한다.
이상으로 설명한 바와 같이, 상기 기판 처리 장치(1)의 기판 처리 프로그램에서는, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급 부(24)에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에는, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량(매분 6 리터)이 되도록 처리액 공급부(24)로부터, 기판 처리부(11∼22)에서 사용되지 않는 처리액을 공급하도록 제어한다.
이에 따라, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 처리를 시작한 후 10∼20초간 및 처리를 시작한 후 260∼270초간 매분 6 리터의 처리액을 생성하여(실선으로 나타냄), 그 중의 2 리터의 처리액을 기판 처리부(11∼22)에서 사용하며(점선으로 나타냄), 처리를 시작한 후 20∼260초간 매분 6 리터의 처리액을 생성하여(실선으로 나타냄), 그 중의 4 리터의 처리액을 기판 처리부(11∼22)에서 사용한다(점선으로 나타냄).
이상으로 설명한 기판 처리 프로그램에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 1장의 기판(2)에 대하여 10초간 각 기판 처리부(11∼22)에 반송하고, 20초간 처리액 처리하며, 그 후의 20초간 순수 처리하고, 그 후 40초간 건조 처리하도록 제어하지만, 이것에 한정되지 않고, 적절하게 기판(2)을 처리할 수 있다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 캐리어(3)에 수용된 25장의 기판(2)을 12개의 기판 처리부(11∼22)에서 병렬적으로 순차 처리하고, 1장의 기판(2)에 대하여 10초간 각 기판 처리부(11∼22)에 반송하며, 30초간 처리액 처리하고, 그 후 20초간 순수 처리하며, 그 후 30초간 건조 처리하도록 제어할 수도 있다.
이 경우에는, 도 4에 도시된 바와 같이, 처리를 시작한 후 10∼20초간 및 처리를 시작한 후 270∼280초간 매분 6 리터의 처리액을 생성하여(실선으로 나타냄), 그 중의 2 리터의 처리액을 기판 처리부(11∼22)에서 사용하며(점선으로 나타냄), 처리를 시작한 후 20∼30초간 및 처리를 시작한 후 260∼270초간 매분 6 리터의 처리액을 생성하여(실선으로 나타냄), 그 중의 4 리터의 처리액을 기판 처리부(11∼22)에서 사용하며(점선으로 나타냄), 처리를 시작한 후 30∼260초간 매분 6 리터의 처리액을 생성하여, 그 모든 처리액을 기판 처리부(11∼22)에서 사용한다(실선으로 나타냄).
또한, 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량보다 소량이라서 미리 정해진 농도의 처리액을 공급할 수 없는 경우, 전체 기판 처리부(11∼22)에서 사용되는 유량의 처리액을 항상 공급하는 것도 생각할 수 있지만, 12개 전체의 기판 처리부(11∼22)에서 사용되는 처리액의 유량이 24 리터가 되어, 그 중의 대부분이 폐기되기 때문에, 처리액 사용률이 현저히 낮아지게 된다. 그것에 비해, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 공급되는 처리액의 대부분이 기판 처리부(11∼22)에서 사용되어 처리액 사용률을 향상시킬 수 있다.
이와 같이, 처리액 공급부(24)로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부(11∼22)에서 기판(2)을 처리하는 기판 처리 장치(1)에 있어서는, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 유량이 되도록 처리액 공급부(24)로부터 기판 처리부(11∼22)에 처리액을 공급함으로써, 처리액 공급부(24)로부터 기판 처리부(11∼22)에 미리 정해진 유량의 처리액을 정밀도 좋게 공급할 수 있고, 기판 처리 장치(1)에서 사용되는 처리액의 사용률을 향상시킬 수 있어 기판 처리 장치(1)의 운전비용을 저감시킬 수 있다.
특히, 제1 유체로 제2 유체를 희석하여 미리 정해진 농도의 처리액을 생성하고, 생성한 처리액을 생성 직후에 기판 처리부(11∼22)로 공급하며, 기판 처리부(11∼22)에서 동시에 사용되는 미리 정해진 농도의 처리액에 함유되는 제2 유체의 유량이 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 제2 유체의 유량보다 소량인 경우에는, 처리액 공급부(24)에서 제어 가능한 제2 유체의 유량이 되도록 처리액 공급부(24)로부터 미리 정해진 농도의 처리액을 공급함으로써, 미리 정해진 농도의 처리액을 정밀도 좋게 공급할 수 있다.
또한, 상기 기판 처리 장치(1)에서는, 복수개의 기판 처리부(11∼22)에 기판(2)을 순차 반송하고, 각 기판 처리부(11∼22)에서 처리액에 의한 기판(2)의 처리를 순차 시작하도록 제어하기 때문에, 복수장의 기판(2)을 단시간에 처리할 수 있어 기판 처리 장치(1)의 처리량을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 도시하는 평면도.
도 2는 도 1의 블록도.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서의 처리를 모식적으로 나타내는 설명도.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에서의 처리를 모식적으로 나타내는 설명도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
1 : 기판 처리 장치 2 : 기판
3 : 캐리어 4 : 기판 반입/반출대
5 : 기판 반송실 6 : 기판 처리실
7 : 전방벽 8 : 기판 반송 장치
9 : 기판 전달대 10 : 기판 반송 장치
11∼22 : 제1∼제12 기판 처리부 23 : 처리부
24 : 처리액 공급부 25 : 제어부
26 : 연결관 27 : 공통 공급관
28 : 바이패스관 29 : 플로우 컨트롤러
30 : 폐액부 31, 32 : 노즐
33, 34 : 전환 밸브 35, 36 : 플로우 컨트롤러
37 : 순수 공급원 38 : 순수 공급관
39 : 플로우 컨트롤러 40 : 혼합부
41 : 불산 공급원 42 : 불산 공급관
43 : 플로우 컨트롤러 44 : 기록 매체
45 : 린스액 공급원 46 : 공급관

Claims (7)

  1. 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 복수개의 기판 처리부와, 상기 복수개의 기판 처리부에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 각 기판 처리부 및 처리액 공급부를 제어하는 제어부를 갖는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 제1 유체로 제2 유체를 희석하여 정해진 농도의 처리액을 생성하며, 생성한 처리액을 생성 직후에 기판 처리부에 공급하도록 구성되고,
    제어부는,
    상기 복수개의 기판 처리부에 기판을 순차 반송하며, 각 기판 처리부에서 처리액에 의한 기판의 처리를 순차 개시하고,
    기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 동안은, 처리액 공급부에서 제어 가능한 최소 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하고,
    그 후, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량으로 되었을 때에는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부로부터 공급하도록 제어하고,
    기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 포함되는 제2 유체의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량보다 소량인 경우에만, 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 포함되는 제2 유체의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 정해진 농도의 처리액을 공급하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에만, 기판 처리부에서 동시에 사용되지 않는 잉여의 처리액을 폐액부로부터 배출하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 처리액 공급부로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부에서 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    상기 처리액 공급부와 복수개의 기판 처리부는 제어부에 의해 제어되며,
    상기 복수개의 기판 처리부에 기판을 순차 반송하며, 각 기판 처리부에서 처리액에 의한 기판의 처리를 순차 개시하고,
    기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 동안은, 처리액 공급부에서 제어 가능한 최소 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하고,
    그 후, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량으로 되었을 때에는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부로부터 공급하고,
    상기 처리액 공급부는, 제1 유체로 제2 유체를 희석하여 정해진 농도의 처리액을 생성하며, 생성된 처리액을 생성 직후에 기판 처리부에 공급하고, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 함유되는 제2 유체의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량보다 소량인 경우에만, 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 포함되는 제2 유체의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 정해진 농도의 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어부는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 경우에만, 기판 처리부에서 동시에 사용되지 않는 잉여의 처리액을 폐액부로부터 배출하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 삭제
  7. 처리액 공급부로부터 공급되는 처리액을 사용하여 복수개의 기판 처리부에서 기판을 처리하는 기판 처리 장치로 기판을 처리하게 하는 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체에 있어서,
    상기 복수개의 기판 처리부에 기판을 순차 반송하며, 각 기판 처리부에서 처리액에 의한 기판의 처리를 순차 개시하고,
    기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량보다 소량인 동안은, 처리액 공급부에서 제어 가능한 최소 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 처리액을 공급하고,
    그 후, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 처리액의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 유량으로 되었을 때에는, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 유량의 처리액을 처리액 공급부로부터 공급하도록 제어하고,
    상기 처리액 공급부는, 제1 유체로 제2 유체를 희석하여 정해진 농도의 처리액을 생성하며, 생성된 처리액을 생성 직후에 기판 처리부에 공급하고, 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 함유되는 제2 유체의 유량이 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량보다 소량인 경우에만, 처리액 공급부에서 제어 가능한 제2 유체의 유량이 되도록 기판 처리부에서 동시에 사용되는 정해진 농도의 처리액에 포함되는 제2 유체의 유량보다 여분으로 처리액 공급부로부터 정해진 농도의 처리액을 공급하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345026A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Suminoe Textile Co Ltd 流量制御装置
JP2002096030A (ja) 2000-09-26 2002-04-02 Shibaura Mechatronics Corp ノズルを用いた処理装置
JP2005093695A (ja) 2003-09-17 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007123393A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61279858A (ja) * 1985-06-05 1986-12-10 Mitsubishi Electric Corp ネガレジスト現像装置
JP2739419B2 (ja) * 1992-09-25 1998-04-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6904920B2 (en) * 1998-07-10 2005-06-14 Semitool, Inc. Method and apparatus for cleaning containers
US6168048B1 (en) * 1998-09-22 2001-01-02 American Air Liquide, Inc. Methods and systems for distributing liquid chemicals
US20020104552A1 (en) * 2000-08-17 2002-08-08 Steven Bay Systems and methods for forming processing streams
US6783429B2 (en) * 2001-08-17 2004-08-31 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for sampling a chemical-mechanical polishing slurry
JP3999059B2 (ja) * 2002-06-26 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP2005175183A (ja) * 2003-12-11 2005-06-30 Kitz Sct:Kk 液体加圧機構及びこれを用いた液体制御装置と液体制御方法
JP4700536B2 (ja) * 2006-03-22 2011-06-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置並びに液処理装置の処理液供給方法及び処理液供給プログラム。

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11345026A (ja) * 1998-06-03 1999-12-14 Suminoe Textile Co Ltd 流量制御装置
JP2002096030A (ja) 2000-09-26 2002-04-02 Shibaura Mechatronics Corp ノズルを用いた処理装置
JP2005093695A (ja) 2003-09-17 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007123393A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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