TW202303809A - 基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202303809A
TW202303809A TW111120049A TW111120049A TW202303809A TW 202303809 A TW202303809 A TW 202303809A TW 111120049 A TW111120049 A TW 111120049A TW 111120049 A TW111120049 A TW 111120049A TW 202303809 A TW202303809 A TW 202303809A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
partition plate
liquid supply
solution
liquid
Prior art date
Application number
TW111120049A
Other languages
English (en)
Inventor
津賀尾圭祐
奥村智則
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202303809A publication Critical patent/TW202303809A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/346Controlling the process
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D53/00Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77Liquid phase processes
    • B01D53/78Liquid phase processes with gas-liquid contact
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2258/00Sources of waste gases
    • B01D2258/02Other waste gases
    • B01D2258/0216Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing

Abstract

[課題]刪減溶解液的使用量。 [解決手段]基板處理裝置具備複數處理部、排氣經路、氣體處理裝置、及控制部。複數處理部使用藥品處理基板。排氣經路流通從複數處理部排出的氣體。氣體處理裝置設於排氣經路,將流通排氣經路的氣體中包含的對象成份從氣體除去。控制部控制複數處理部及氣體處理裝置。氣體處理裝置具備導管、區隔板及液供應部。導管在內部具有氣體通過的流路。區隔板為將流路區隔成複數空間的區隔板,以能透過氣體且能保持液體的多孔質材形成。液供應部對區隔板供應能溶解包含於氣體中的對象成份的溶解液。控制部,因應表示複數處理部的運轉狀況的運轉資訊,調整從液供應部供應至區隔板的溶解液的流量。

Description

基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法
本揭示係有關於基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法。
從處理半導體晶圓等的基板的基板處理裝置排出的排出氣體中,有包含用於基板處理的藥品的成份,例如酸成份、鹼成份或有機成份的情形。
包含藥品的成份的排出氣體,被放出至大氣中,會有對環境及人體造成影響的風險。因此,在基板處理裝置中的排出氣體的排氣經路,有設置從排出氣體將藥品成份除去的稱為洗滌器的除去裝置的情形。
專利文獻1揭示具有在內部設置噴出溶解包含於排出氣體中的藥品成份的溶解液之噴嘴的框體,藉由使從噴嘴噴出的溶解液與導入至框體內部的排出氣體接觸,從排出氣體中除去藥品成份的洗滌器。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2013-21026號公報
[發明所欲解決的問題]
本揭示提供能夠刪減溶解液的使用量的技術。 [用以解決問題的手段]
本揭示的一態樣的基板處理裝置,具備複數處理部、排氣經路、氣體處理裝置、及控制部。複數處理部使用藥品處理基板。排氣經路流通從複數處理部排出的氣體。氣體處理裝置設於排氣經路,將流通排氣經路的氣體中包含的對象成份從氣體除去。控制部控制複數處理部及氣體處理裝置。氣體處理裝置具備導管、區隔板及液供應部。導管在內部具有氣體通過的流路。區隔板為將流路區隔成複數空間的區隔板,以能透過氣體且能保持液體的多孔質材形成。液供應部對區隔板供應能溶解包含於氣體中的對象成份的溶解液。控制部,因應表示複數處理部的運轉狀況的運轉資訊,調整從液供應部供應至區隔板的溶解液的流量。 [發明的效果]
根據本揭示,能夠發揮刪減溶解液的使用量的效應。
以下,參照圖式,詳細說明本案揭示的基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法的實施形態。此外,並非用以下所示的實施形態來限制揭示技術。
(第1實施形態) 首先,參照圖1說明關於第1實施形態的基板處理裝置的構造。
圖1為表示本實施形態的基板處理系統的概略構造的圖。以下,為了使位置關係明確,設定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸,將Z軸正方向設為鉛直向上的方向。
如圖1所示,基板處理系統1具備搬入搬出站2、及處理站3。搬入搬出站2與處理站3鄰接設置。
搬入搬出站2具備載體載置部11、及搬送部12。在載體載置部11,載置有將複數片基板(在本實施形態中為半導體晶圓(以下晶圓W)以水平狀態收容的複數載體C。
搬送部12鄰接載體載置部11而設置,在內部具備基板搬送裝置13、及收授部14。基板搬送裝置13具備保持晶圓W的晶圓保持機構。又,基板搬送裝置13,能夠向水平方向及鉛直方向移動並以鉛直軸為中心旋轉,利用晶圓保持機構在載體C與收授部14之間進行晶圓W的搬送。
處理站3鄰接搬送部12設置。處理站3具備搬送部15、及複數處理單元16。複數處理單元16在搬送部15的兩側排列設置。
搬送部15在內部具備基板搬送裝置17。基板搬送裝置17具備保持晶圓W的晶圓保持機構。又,基板搬送裝置17,能夠向水平方向及鉛直方向移動並以鉛直軸為中心旋轉,利用晶圓保持機構在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W的搬送。
處理單元16對由基板搬送裝置17搬送的晶圓W進行預定的基板處理。
又,基板處理系統1具備控制裝置4。控制裝置4例如是電腦,具備控制部18及記憶部19。在記憶部19中,儲存有控制在基板處理系統1中執行的各種處理的程式。控制部18藉由將記憶於記憶部19中的程式讀出並執行,控制基板處理系統1的動作。
此外,相關的程式為記錄於由電腦可讀取的記憶媒體中者,從該記憶媒體安裝至控制裝置4的記憶部19也可以。作為由電腦可讀取的記憶媒體,例如有硬碟(HD)、可撓性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述構成的基板處理系統1中,首先,搬入搬出站2的基板搬送裝置13,從載置於載體載置部11的載體C將晶圓W取出,將取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14的晶圓W,藉由處理站3的基板搬送裝置17從收授部14取出,搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16的晶圓W,由處理單元16進行處理後,藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出,載置於收授部14。接著,載置於收授部14的處理完的晶圓W,藉由基板搬送裝置13返回至載體載置部11的載體C。
接著,參照圖2及圖3說明關於處理單元16及處理單元16的排氣經路的構造。圖2為表示第1實施形態的處理單元16的構造的圖。
如圖2所示,處理單元16具備腔室20、基板保持機構30、處理流體供應部40、及回收罩杯50。
腔室20收容基板保持機構30、處理流體供應部40、及回收罩杯50。在腔室20的頂部設有FFU(Fan Filter Unit)21。在FFU21經由給氣管22連接氣體供應源23。FFU21,藉由從氣體供應源23經由給氣管22將供應的氣體從腔室20內的上方朝向下方供應,在腔室20內形成向下流。
基板保持機構30具備保持部31、支柱部32、及驅動部33。保持部31將晶圓W水平保持。支柱部32為在鉛直方向延伸的構件,基端部藉由驅動部33以可旋轉支持,在前端部將保持部31水平支持。驅動部33使支柱部32繞鉛直軸旋轉。該基板保持機構30,由利用驅動部33使支柱部32旋轉,而讓支持於支柱部32的保持部31旋轉,藉此使保持於保持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供應部40對晶圓W供應處理流體。處理流體供應部40連接至處理流體供應源70。
回收罩杯50以包圍保持部31的方式配置,藉由保持部31的旋轉捕集從晶圓W飛散的處理液。在回收罩杯50的底部,形成排液口51。在排液口51連接排液管52,被回收罩杯50捕集的處理液,從排液口51通過排液管52向處理單元16的外部排出。
又,在回收罩杯50的底部,形成有將從FFU21供應的氣體向處理單元16的外部排出的排氣口53。在排氣口53連接排氣管54,從FFU21供應至處理單元16的氣體,從排氣口53通過排氣管54向處理單元16的外部排出。
其中,從處理單元16排出的氣體(以下,記載成「排出氣體」)中,有包含從處理流體供應部40供應的處理流體的成份的情形。例如,處理流體為酸系、鹼系或者有機系的藥品的情形,有酸成份、鹼成份、有機成份分別包含於排出氣體的情形。
此外,作為酸系的藥品,例如有DHF(稀氫氟酸)及BHF(氫氟酸與氟化銨的混合液)等。此外,作為鹼系的藥品,例如有SC1(氨、過氧化氫水及水的混合液)等。又,作為有機系的藥品,例如有IPA(異丙醇)。藥品不限於液體,也有是氣體的情形。
包含上述成份的排出氣體,被放出至大氣中,會有對環境及人體造成影響的風險。在此,第1實施形態的基板處理系統1,具備從由處理單元16排出的排出氣體中將包含酸成份、鹼成份、有機成份之中的任一者的對象成份除去的氣體處理裝置100(圖3參照)。氣體處理裝置100設於基板處理系統1具備的排氣經路。
圖3為表示第1實施形態的處理單元16的排氣經路的構造的圖。如圖3所示,第1實施形態的基板處理系統1具備複數的排氣管54。複數排氣管54的一端連接至複數處理單元16的排氣口53,另一端連接至集合排氣管55。
如圖3所示,氣體處理裝置100設於集合排氣管55。集合排氣管55為構成基板處理系統1具備的排氣經路的一部分者,設於基板處理系統1的內部。接著,氣體處理裝置100也設於基板處理系統1的內部。藉由氣體處理裝置100將對象成份除去的排出氣體,通過集合排氣管55從基板處理系統1排出。此外,集合排氣管55延伸至基板處理系統1的外部的情形,氣體處理裝置100設於基板處理系統1的外部也可以。又,分別設於複數基板處理系統1的複數集合排氣管55連接至一個合流排氣管的情形,氣體處理裝置100設於該合流排氣管也可以。
接著,參照圖4說明關於氣體處理裝置100的構造。圖4為表示第1實施形態的氣體處理裝置100的構造的圖。此外,在圖4中,將排出氣體流以虛線箭頭表示,將溶解液流以實線箭頭表示。
如圖4所示,氣體處理裝置100具備第1導管110、第2導管120、區隔板130、液供應部140、氣體導入部150、氣體排出部160、儲留槽170、及液排出部180。
第1導管110在內部具有第1流路F1,第2導管120在內部具有第2流路F2。第1導管110及第2導管120以在上下方向(Z軸方向)延伸的方式配置。第1導管110及第2導管120的形狀,例如是圓筒狀及角筒形狀等任意的形狀即可。
氣體導入部150,連接集合排氣管55之中位於比氣體處理裝置100還上游側的上游側集合排氣管55a(圖3參照)與第1導管110,將在上游側集合排氣管55a流動的排出氣體導入第1流路F1。又,氣體導入部160,連接集合排氣管55之中位於比氣體處理裝置100還下游側的下游側集合排氣管55b(圖3參照)與第2導管120,將通過第2流路F2的排出氣體從第2導管120排出送至下游側集合排氣管55b。第1導管110的下端側(亦即第1流路F1的下部)、與第2導管120的下端側(亦即第2流路F2的下部)經由儲留槽170連接。
具體上,氣體導入部150連接至第1導管110的上端側,從第1導管110的上端側(亦即第1流路F1的上部)對第1流路F1導入排出氣體。又,氣體排出部160連接至第2導管120的上端側,從第2導管120的上端側(亦即第2流路F2的上部)向下游側集合排氣管55b將排出氣體排出。因此,在第1流路F1形成從上方向下方的排出氣體流,在儲留槽170形成從第1流路F1的下部向第2流路F2的下部的排出氣體流,在第2流路F2形成從下方向上方的排出氣體流。
分別在第1導管110的第1流路F1及第2導管120的第2流路F2配置區隔板130。區隔板130分別將第1流路F1及第2流路F2在上下方向鄰接的複數空間S區隔。
區隔板130為以能透過排出氣體且能保持液體的多孔質材形成的多孔質構件。作為形成區隔板130的多孔質材,例如,使用多孔質的陶瓷。多孔質的陶瓷為至少包含矽(Si)及矽碳化物(SiC)的陶瓷。多孔質的陶瓷為由矽(Si)形成的3維骨架藉由矽碳化物(SiC)補強而形成。多孔質的陶瓷更包含氮化鋁或氮化矽也可以。
區隔板130,以在能調節第1流路F1及第2流路F2各自的複數空間S的尺寸的複數安裝位置能夠裝脫的方式安裝。例如,在第1流路F1及第2流路F2,在水平方向延伸的軌道於上下方向以等間隔形成複數個,區隔板130在第1流路F1及第2流路F2的複數軌道之中相對於所期望的軌道以可脫附的方式安裝。藉由對第1流路F1及第2流路F2的全部軌道安裝區隔板130,複數空間S的尺寸成為相同。在全部的軌道之中從一部分的軌道將區隔板130,能夠使一部分的空間S的尺寸增大。複數空間S的尺寸,在第1導管110與第2導管120之間相同也可以、不同也可以。又,複數空間S的尺寸,在第1導管110與第2導管120中相同也可以、不同也可以。
液供應部140,在各空間S至少配置一個。具體上,液供應部140,在各空間S中配置於區隔板130的上方。液供應部140朝向下方的區隔板130供應溶解液。
液供應部140具有第1液供應部141、及第2液供應部142。
第1液供應部141經由供應管141a連接至溶解液供應源141b。在供應管141a,對應各空間S的第1液供應部141設置供給機器群141c。溶解液供應源141b,作為將排出氣體中包含的對象成份溶解的溶解液,例如供應純水或自來水。此外,從溶解液供應源141b供應的溶解液,不限於純水或自來水,能夠因應在排出氣體中包含的對象成份的種類適宜選擇。供給機器群141c,例如,包含將供應管141a開關的開關閥門、質量流量控制器、及能調整溶解液的溫度的溫度調整器等。此外,圖5中,在說明的方便上,僅示出第1導管110側的溶解液的供應系(供應管141a、溶解液供應源141b及供給機器群141c),但第2導管120側的溶解液的供應系也與第1導管110側的溶解液的供應系一樣。
第1液供應部141將從溶解液供應源141b供應的溶解液供應至下方的區隔板130。供應至區隔板130的溶解液,從區隔板130的上面滲入區隔板130內部的多孔質構造而由區隔板130暫時保持。
第2液供應部142連接至循環液管142a。於循環液管142a設置泵142b。又,在循環液管142a,對應各空間S的第2液供應部142設置供給機器群142c。循環液管142a,接液至在儲留槽170儲留的使用完的溶解液(亦即包含從排出氣體除去的對象成份的溶解液)。泵142b經由循環液管142a使溶解液從儲留槽170提升朝向第2液供應部142壓送。藉此,儲留於儲留槽170的溶解液經由以循環液管142a及泵142b構成的循環經路循環。供給機器群141c,例如,包含將循環液管142a開關的開關閥門、質量流量控制器、及能調整循環液的溫度的溫度調整器等。此外,圖5中,在說明的方便上,僅示出第1導管110側的循環液的供應系(循環液管142a及泵142b),但第2導管120側的循環液的供應系也與第1導管110側的循環液的供應系一樣。
第2液供應部142,將儲留於儲留槽170的溶解液經由循環經路循環得到的循環液供應至下方的區隔板130。供應至區隔板130的循環液,從區隔板130的上面滲入區隔板130內部的多孔質構造而由區隔板130暫時保持。以下,有將從第2液供應部142供應的循環液和從第1液供應部141供應的溶解液適宜整理稱為「溶解液」的情形。
液供應部140,在第1導管110的內部從第1流路F1的上游側向下方的區隔板130供應溶解液,在第2導管120的內部從第2流路F2的下游側向下方的區隔板130供應溶解液。在第1導管110的內部供應的溶解液與在第2導管120的內部供應的溶解液為相同種類的液體。
儲留槽170連接第1導管110的第1流路F1的下游側與第2導管120的第2流路F2的上游側,儲留從區隔板130落下的溶解液。
液排出部180將儲留於儲留槽170的溶解液從儲留槽170排出。在液排出部180連接排液管181,在排液管181設置閥門182。
又,氣體處理裝置100具備液量檢出部171。液量檢出部171設於儲留槽170,檢出儲留於儲留槽170的溶解液的液量。
液量檢出部171的檢出結果輸出至控制部18。又,供給機器群141c、142c、泵142b及閥門182藉由控制部18控制。
控制部18,基於液量檢出部171的檢出結果,判定是否執行從第2液供應部142供應循環液。判定液量檢出部171的檢出液量(亦即儲留於儲留槽170的溶解液的液量)超出預先決定的上限值的情形,控制部18判定執行從第2液供應部142供應循環液。接著,控制部18,控制供給機器群142c及泵142b,開始從第2液供應部142供應循環液。
又,控制部18,藉由控制供給機器群141c、142c,在每個空間S中調整從第1液供應部141及第2液供應部142供應至區隔板130的溶解液及循環液的流量及溫度。
又,控制部18,基於液量檢出部171的檢出結果,判定是否執行從液排出部180排出溶解液。判定液量檢出部171的檢出液量(亦即儲留於儲留槽170的溶解液的液量)超出預先決定的上限值的情形,控制部18判定執行從液排出部180排出溶解液。接著,控制部18將閥門132開放。藉此,藉由液排出部180從儲留槽170將溶解液排出,從儲留槽170排出的溶解液,通過排液管181向外部排出。
此外,在此雖基於液量檢出部171的檢出結果判定是否執行循環液的供應及溶解液的排出,但控制部18基於其他檢出部的檢出結果判定是否執行循環液的供應及溶解液的排出也可以。例如,控制部18,基於檢出儲留於儲留槽170的溶解液中包含的對象成份的濃度的濃度檢出部(未圖示)的檢出結果判定是否從第2液供應部142供應循環液也可以。又,例如,控制部18,基於檢出儲留於儲留槽170的溶解液中包含的對象成份的濃度的濃度檢出部(未圖示)的檢出結果判定是否從液排出部180排出溶解液也可以。又,控制部18,基於液量檢出部171及濃度檢出部(未圖示)的檢出結果,調整從第2液供應部142供應至區隔板130的循環液的流量、及從液排出部180排出的溶解液的流量也可以。
氣體處理裝置100,如同上述構成,從氣體導入部150向第1導管110的第1流路F1導入的排出氣體,透過區隔板130同時從上方向下方通過第1流路F1。
通過第1流路F1的排出氣體,經由儲留槽170的內部向第2導管120的第2流路F2導入後,透過區隔板130同時從下方朝上方通過第2流路F2。
在區隔板130保持溶解液。因此,排出氣體,透過區隔板130同時從上方向下方通過第1流路F1的期間、或透過區隔板130同時從下方朝上方通過第2流路F2的期間,與保持於區隔板130的溶解液接觸。
排出氣體接觸保持於區隔板130的溶解液,包含於排出氣體中的對象成份會溶解於溶解液中。藉此,從排出氣體將對象成份除去。除去對象成份的排出氣體,藉由氣體排出部160從第2導管120的第2流路F2排出至下游側集合排氣管55b(圖3參照)。又,包含從排出氣體除去的對象成份的溶解液,從區隔板130落下並在儲留槽170儲留後,藉由液排出部180從儲留槽170排出。
藉此,氣體處理裝置100,藉由以能透過排出氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板130將溶解液保持,使排出氣體接觸保持於區隔板130的溶解液,從排出氣體將對象成份除去。
保持於區隔板130的溶解液,因為欲暫時留於該處,與一直噴出溶解液的洗滌器相比較,能夠使溶解液以長時間留在第1導管110及第2導管120。因此,氣體處理裝置100與洗滌器相比能夠削減溶解液的使用量。
如同上述,第1實施形態的氣體處理裝置(例如氣體處理裝置100)具備導管(例如第1導管110、第2導管120)、區隔板(例如區隔板130)、及液供應部(例如液供應部140)。導管具有氣體(例如排出氣體)通過的流路(例如第1流路F1、第2流路F2)。區隔板為將流路區隔成複數空間(例如空間S)的區隔板,以能透過氣體且能保持液體的多孔質材形成。液供應部對區隔板供應能溶解包含於氣體中的對象成份的溶解液。接著,氣體處理裝置,使保持於區隔板的溶解液接觸通過流路的氣體。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,能夠削減溶解液的使用量。
又,第1實施形態的區隔板,以在能調節流路的複數空間的尺寸的複數安裝位置能夠裝脫的方式安裝。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,能夠自由調節複數空間的尺寸。
又,第1實施形態的氣體處理裝置具備複數導管。複數導管,包含在內部具有氣體從上方向下方通過的第1流路(例如第1流路F1)的第1導管(例如第1導管110)、及在內部具有氣體從下方朝上方通過的第2流路(例如第2流路F2)的第2導管(例如第2導管120)。區隔板,分別配置於第1流路及第2流路,將第1流路及第2流路分別區隔成複數空間。接著,氣體處理裝置,更具備連接第1流路的下游側與第2流路的上游側,儲留從區隔板落下的溶解液的儲留槽(例如儲留槽170)。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,能夠再利用在儲留槽170儲留的使用完的溶解液(亦即包含從排出氣體除去的對象成份的溶解液)。
又,第1實施形態的液供應部,在各空間至少配置一個。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,在各空間中,因為能夠使通過流路的氣體接觸保持在區隔板的溶解液,能夠使溶解液造成的對象成份的溶解效率提升。
又,第1實施形態的液供應部,在第1導管的內部從第1流路的上游側向下方的區隔板供應溶解液,在第2導管的內部從第2流路的下游側向下方的區隔板供應溶解液。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,因為能夠提高透過區隔板的排出氣體與從液供應部供應的溶解液的接觸可能性,能夠使溶解液造成的對象成份的溶解效率提升。
又,在第1實施形態的第1導管的內部供應的溶解液與在第2導管的內部供應的溶解液為相同種類的液體。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,能夠使用在第1導管及第2導管中共通的相同種類的溶解液從排出氣體中將包含酸成份、鹼成份、有機成份之中的任一者的對象成份除去。
又,第1實施形態的液供應部具有第1液供應部(例如第1液供應部141)、及第2液供應部(例如第2液供應部142)。第1液供應部141將從溶解液供應源(例如溶解液供應源141b)供應的溶解液供應至區隔板。第2液供應部,將儲留於儲留槽的溶解液經由循環經路(例如循環液管142a及泵142b)循環得到的循環液供應至區隔板。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,能夠刪減從溶解液供應源供應的新鮮的溶解液的使用量。
又,從第1實施形態的第1液供應部及第2液供應部供應至區隔板的溶解液及循環液的流量及溫度,在每個空間中被調整。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,能夠在每個空間將供應至區隔板的溶解液及循環液的流量及溫度調整成適合除去對象成份的流量及溫度。
又,第1實施形態的氣體處理裝置更具備液量檢出部(例如液量檢出部171)、及控制部(例如控制部18)。液量檢出部檢出儲留於儲留槽的溶解液的液量。控制部基於液量檢出部的檢出結果,判定是否執行從第2液供應部供應循環液。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,因為能夠在儲留於儲留槽的溶解液的液量到達適切的液量為止使循環液的供應待機,能夠抑制循環液的過剩使用。
又,第1實施形態的氣體處理裝置,更具備將儲留於儲留槽的溶解液從儲留槽排出的液排出部。控制部,基於液量檢出部的檢出結果,判定是否執行從液排出部排出溶解液。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,因為能夠在儲留於儲留槽的溶解液的液量到達適切的液量為止使溶解液的排出待機,能夠確保應再利用的溶解液的液量。
又,第1實施形態的基板處理裝置(例如基板處理系統1)具備複數處理部(例如處理單元16)、排氣經路(例如集合排氣管55)、及氣體處理裝置(例如氣體處理裝置100)。複數處理部使用藥品(例如處理流體)處理基板(例如晶圓W)。排氣經路流通從複數處理部排出的氣體(例如排出氣體)。氣體處理裝置100設於排氣經路,將流通排氣經路的氣體中包含的對象成份從氣體除去。藉此,根據第1實施形態的基板處理裝置,能夠將除去對象成份的清淨的排出氣體向基板處理裝置的外部排出。
又,第1實施形態的氣體處理裝置(例如氣體處理裝置100)具備導管(例如第1導管110、第2導管120)、多孔質構件(例如區隔板130)、及液供應部(例如液供應部140)。導管具有氣體(例如排出氣體)通過的流路(例如第1流路F1、第2流路F2)。多孔質構件配置於流路,以能透過氣體且能保持液體的多孔質材形成。液供應部對多孔質構件供應能溶解包含於氣體中的對象成份的溶解液。形成多孔質構件的多孔質材為多孔質的陶瓷。接著,氣體處理裝置,使保持於多孔質構件的溶解液接觸通過流路的氣體。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,能夠提升多孔質構件的耐久性同時削減溶解液的使用量。
又,第1實施形態的多孔質的陶瓷為至少包含矽(Si)及矽碳化物(SiC)的陶瓷。藉此,根據第1實施形態的氣體處理裝置,即便多孔質構件被薄型化的情形,因為能夠保持多孔質構件的強度,能夠提升多孔質構件的耐久性。
(第2實施形態) 另外,基板處理系統1中,複數處理單元16的運轉狀況時時刻刻都發生變化。例如,運轉的處理單元16之數(亦即進行使用處理流體的基板處理的處理單元16之數)會在每個時間帶增減。
假如從液供應部140供應至區隔板130的溶解液的流量無關運轉處理單元16之數而維持一定的情形,例如運轉的處理單元16之數減少的時間帶中,會有溶解液消耗至必要以上的風險。
因此,第2實施形態的基板處理系統1,因應表示複數處理單元16的運轉狀況的運轉資訊,進行調整從液供應部140(第1液供應部141及第2液供應部142)供應至區隔板130的溶解液的流量的流量調整處理。
圖5為表示第2實施形態的氣體處理裝置100A的構造的圖。此外,在圖6中,與圖4一樣,將排出氣體流以虛線箭頭表示,將洗淨液流以實線箭頭表示。又,在圖6中,與圖4相同部分附加相同符號。
第2實施形態的基板處理系統1的複數處理單元16及氣體處理裝置100A藉由控制部18A控制。又,上述流量調整處理,例如,因應記憶於記憶部19A的配方資訊191執行。
配方資訊191,為表示複數處理單元16的運轉狀況的運轉資訊之一例,為包含在每個時間帶應運轉的處理單元16之數的資訊。
控制部18A,基於在配方資訊191中包含的處理單元16之數,進行流量調整處理。亦即,控制部18A,基於配方資訊191中包含的處理單元16之數,調整從第1液供應部141供應至區隔板130的溶解液的流量、及從第2液供應部142供應至區隔板130的循環液的流量。
接著,參照圖6說明關於控制部18A所致的溶解液的流量調整處理。圖6為表示第2實施形態的流量調整處理中的各部的動作之一例的時序圖表。圖6中,「溶解液流量」表示從第1液供應部141供應至區隔板130的溶解液的流量的動作,「循環液流量」表示從第2液供應部142供應至區隔板130的循環液的流量的動作。又,圖6中,「儲留液量」表示液量檢出部171所致的檢出液量(亦即儲留於儲留槽170的溶解液的液量的動作)。又,圖6中,「單元運轉數」表示在配方資訊191中包含的處理單元16之數。
圖6之例中,依序實施準備處理、流量調整處理、及待機處理。首先,控制部18A,從時間T0開始使供給機器群141c動作,開始從第1液供應部141對區隔板130以最大流量供應溶解液的準備處理。該準備處理,為開始流量調整處理前,儲留應於儲留槽170再利用的溶解液的處理。
接著,在儲留槽170儲留的溶解液的液量到達預定的液量,準備處理結束的時間T1,控制部18A,對複數處理單元16之中最初運轉的處理單元16發送使處理流體的供應開始的信號。藉此,複數處理單元16,開始使用處理流體的晶圓W的處理。
又,控制部18A,從時間T1開始流量調整處理。具體上,控制部18A,從時間T1開始使供給機器群141c、142c及泵142b動作,開始從液供應部140(第1液供應部141及第2液供應部142)的溶解液供應。
流量調整處理中,控制部18A,首先,從時間T1開始若配方資訊191中包含的處理單元16之數(單元運轉數)越增加,則使從第1液供應部141供應的溶解液的流量、與從第2液供應部142供應的循環液的流量增加。
因應配方資訊191中包含的處理單元16之數(亦即運轉中的處理單元16之數)的增加若使對區隔板130的溶解液及循環液的供應流量越增加,則保持在區隔板130的溶解液的液量增加。藉此,因為能夠提高透過區隔板130的排出氣體與保持於區隔板130的溶解液的接觸可能性,能夠使溶解液造成的對象成份的溶解效率提升。
接著,從單元運轉數到達最大值的時間T2開始,從第1液供應部141對區隔板130以最大流量供應溶解液,並從第2液供應部142對區隔板130以最大流量供應循環液。
接著,從時間T2經過預定時間的時間T3開始,控制部18A,若單元運轉數越減少,則使從第1液供應部141供應的溶解液的流量、與從第2液供應部142供應的循環液的流量減少。
配方資訊191中包含的處理單元16之數(亦即運轉中的處理單元16之數)減少的時間帶中,排出氣體中包含的處理流體的成份並不多。這種情形中,能使對區隔板130的溶解液及循環液的供應流量減少,降低溶解液所致的對象成份的溶解效率。藉此,因為能夠抑制溶解液的過剩使用,能夠刪減溶解液的使用量。
接著,控制部18A,在從所有的處理單元16接收表示晶圓W的處理結束的信號的時間T4停止供給機器群141c、142c及泵142b,停止從液供應部140供應溶解液。接著,控制部18A,從時間T4開始待機處理。該待機處理,為複數處理單元16所致的下個基板處理開始的期間,待機的處理。
該待機處理中,停止從液供應部140供應溶解液的狀態持續。藉此,能刪減溶解液的使用量。
此外,在這裡,雖示出配方資訊191包含在每個時間帶應運轉的處理單元16之數的資訊的情形,但配方資訊191的內容不在此限定。配方資訊191,若是表示複數處理單元16的運轉狀況的資訊則可以是任何資訊。例如,配方資訊191是包含在每個時間帶從複數處理單元16排出的排出氣體中包含的對象成份的量或濃度資訊也可以。此時,控制部18A,基於配方資訊191中包含的對象成份的量或濃度,調整從液供應部140供應至區隔板130的溶解液的流量。
又,配方資訊191,除了對象成份的量或濃度外,更包含對象成份的種類也可以。此時,控制部18A,基於配方資訊191中包含的對象成份的種類,變更從液供應部140供應至區隔板130的溶解液的種類也可以。藉此,能夠因應對象成份的種類適宜變更溶解液的種類。又,控制部18A,基於配方資訊191中包含的對象成份的種類,控制供給機器群141c、142c,調整從液供應部140供應至區隔板130的溶解液的溫度也可以。藉此,能將溶解液的溫度調整成適合對象成份的種類的溫度。
如同上述,第2實施形態的基板處理裝置(例如基板處理系統1)具備複數處理部(例如處理單元16)、排氣經路(例如集合排氣管55)、氣體處理裝置(例如氣體處理裝置100A)、及控制部(例如控制部18A)。複數處理部使用藥品(例如處理流體)處理基板(例如晶圓W)。排氣經路流通從複數處理部排出的氣體(例如排出氣體)。氣體處理裝置100設於排氣經路,將流通排氣經路的氣體中包含的對象成份從氣體除去。控制部18A控制複數處理部及氣體處理裝置。氣體處理裝置具備導管(例如第1導管110、第2導管120)、區隔板(例如區隔板130)、及液供應部(例如液供應部140)。導管具有氣體(例如排出氣體)通過的流路(例如第1流路F1、第2流路F2)。區隔板為將流路區隔成複數空間(例如空間S)的區隔板,以能透過氣體且能保持液體的多孔質材形成。液供應部對區隔板供應能溶解包含於氣體中的對象成份的溶解液。接著,控制部,因應表示複數處理部的運轉狀況的運轉資訊,調整從液供應部供應至區隔板的溶解液的流量。藉此,根據第2實施形態的氣體處理裝置,能夠削減溶解液的使用量。
又,第2實施形態的控制部,在對複數處理部之中最初運轉的處理部發送使藥品的供應開始的信號的時點(例如時間T1),使從液供應部的溶解液的供應開始。藉此,根據第2實施形態的基板處理裝置,能夠與處理部中的藥品的供應同步開始氣體處理裝置中的溶解液的供應。
又,第2實施形態的控制部,在從所有的處理部接收表示晶圓的處理結束的信號的時點(例如時間T4),停止從液供應部供應溶解液。藉此,根據第2實施形態的基板處理裝置,能夠與使用處理部中的藥品的基板處理的結束同步停止氣體處理裝置中的溶解液的供應。
又,第2實施形態的液供應部具有第1液供應部(例如第1液供應部141)、及第2液供應部(例如第2液供應部142)。第1液供應部141將從溶解液供應源(例如溶解液供應源141b)供應的溶解液供應至區隔板。第2液供應部,將儲留於儲留槽的溶解液經由循環經路(例如循環液管142a及泵142b)循環得到的循環液供應至區隔板。控制部,因應運轉資訊,調整從第1液供應部供應至區隔板的溶解液的流量、及從第2液供應部供應至區隔板的循環液的流量。
具體上,第2實施形態的運轉資訊,為包含在每個時間帶應運轉的處理部之數的配方資訊(例如配方資訊191)。控制部,基於配方資訊中包含的處理部之數,調整從第1液供應部供應至區隔板的溶解液的流量、及從第2液供應部供應至區隔板的循環液的流量。藉此,根據第2實施形態的基板處理裝置,因為能夠削減溶解液的過剩使用,能夠刪減溶解液的使用量。
又,第2實施形態的運轉資訊,是包含在每個時間帶從前述複數處理部的各者排出的氣體中包含的對象成份的量或濃度的配方資訊也可以。此時,控制部,基於配方資訊中包含的對象成份的量或濃度,調整從液供應部供應至區隔板的溶解液的流量也可以。藉此,根據第2實施形態的基板處理裝置,因為能夠削減溶解液的過剩使用,能夠刪減溶解液的使用量。
又,第2實施形態的配方資訊,更包含對象成份的種類也可以。此時,控制部,基於配方資訊中包含的對象成份的種類,變更從液供應部供應至區隔板的溶解液的種類也可以。藉此,根據第2實施形態的基板處理裝置,能夠因應對象成份的種類適宜變更溶解液的種類。
又,第2實施形態的控制部,基於配方資訊中包含的對象成份的種類,調整從液供應部供應至區隔板的溶解液的溫度也可以。藉此,根據第2實施形態的基板處理裝置,能將溶解液的溫度調整成適合對象成份的種類的溫度。
(第3實施形態) 第3實施形態的基板處理系統1,基於檢出排出氣體中包含的對象成份的濃度的濃度檢出部的檢出結果,進行流量調整處理的點與上述第2實施形態的基板處理系統1不同。
圖7為表示第3實施形態的氣體處理裝置100B的構造的圖。此外,在圖7中,與圖5一樣,將排出氣體流以虛線箭頭表示,將洗淨液流以實線箭頭表示。又,在圖7中,與圖5相同部分附加相同符號。
第3實施形態的基板處理系統1的複數處理單元16及氣體處理裝置100B藉由控制部18B控制。
第3實施形態的氣體處理裝置100B具備第1濃度檢出部151及第2濃度檢出部161。第1濃度檢出部151設於氣體導入部150,檢出由氣體導入部150導入第1導管110的第1流路F1的排出氣體中包含的對象成份的濃度。又,第2濃度檢出部161設於氣體排出部160,檢出由氣體排出部160導入第2導管120的第2流路F2的排出氣體中包含的對象成份的濃度。
第1濃度檢出部151及第2濃度檢出部161的檢出結果輸出至控制部18B。
控制部18B,將第1濃度檢出部151及第2濃度檢出部161的檢出結果作為表示複數處理單元16的運轉狀況的運轉資訊監視,基於第1濃度檢出部151及第2濃度檢出部161的檢出結果,進行流量調整處理。亦即,控制部18B,基於第1濃度檢出部151及第2濃度檢出部161的檢出結果,調整從第1液供應部141供應至區隔板130的溶解液的流量、及從第2液供應部142供應至區隔板130的循環液的流量。
接著,參照圖8說明關於控制部18B所致的溶解液的流量調整處理。圖8為表示第3實施形態的流量調整處理的順序的一例的流程圖。
如圖8所示,控制部18B,判定第2濃度檢出部161的檢出濃度(亦即流經氣體排出部160的排出氣體中包含的對象成份的濃度)是否超過預先設定的上限值(步驟S101)。判定第2濃度檢出部161的檢出濃度超過預先設定的上限值時(步驟S101;Yes),控制部18B進行以下處理。亦即,控制部18B,控制供給機器群141c、142c,使從第1液供應部141供應至區隔板130的溶解液的流量、及從第2液供應部142供應至區隔板130的循環液的流量增加(步驟S102)。
若使對區隔板130的溶解液及循環液的供應流量越增加,則保持在區隔板130的溶解液的液量增加。藉此,因為能夠提高透過區隔板130的排出氣體與保持於區隔板130的溶解液的接觸可能性,能夠使溶解液造成的對象成份的溶解效率提升。其結果,能夠降低從氣體排出部160排出的排出氣體中包含的對象成份的濃度。
另一方面,第2濃度檢出部161的檢出濃度未超過預先設定的上限值的情形(步驟S101;No),控制部18B,判定第2濃度檢出部161的檢出濃度是否低於預先設定的下限值(步驟S103)。判定第2濃度檢出部161的檢出濃度低於預先設定的下限值時(步驟S103;Yes),控制部18B進行以下處理。亦即,控制部18B,控制供給機器群141c、142c,使從第1液供應部141供應至區隔板130的溶解液的流量、及從第2液供應部142供應至區隔板130的循環液的流量減少(步驟S104)。
步驟S102、S104的處理結束時、或步驟S103中第2濃度檢出部161的檢出濃度未低於預先設定的下限值的情形(步驟S103;No),控制部18B使處理返回步驟S101。藉此,重複步驟S101~S104的處理。
判定第2濃度檢出部161的檢出濃度低於預先設定的下限值的情形,從排出氣體除去必要以上的對象成份。這種情形中,使溶解液的流量及循環液的流量減少,降低溶解液所致的對象成份的溶解效率也可以。藉此,能夠抑制溶解液的過剩使用。
此外,在這裡雖基於第2濃度檢出部161的檢出結果進行流量調整,但控制部18B基於第1濃度檢出部151的檢出結果進行步驟S101~S104的流量調整處理也可以。又,控制部18B,基於檢出通過第1導管110的第1流路F1或第2導管120的第2流路F2的排出氣體中包含的對象成份的濃度的第3濃度檢出部(圖未示)的檢出濃度進行步驟S101~S104的流量調整處理也可以。
又,控制部18B判定第1濃度檢出部151或第2濃度檢出部161的檢出濃度是否超過比預先設定的上限值還大的閾值也可以。接著,控制部18B判定第1濃度檢出部151或第2濃度檢出部161的檢出濃度超過該閾值時,進行使從複數處理單元16排出的排出氣體的流量減少的控制也可以。作為該控制,例如,有限制運轉處理單元16(亦即進行使用處理流體的基板處理的處理單元16)的控制。又,例如,有停止從載體C取出對應在處理單元16處理中的晶圓W的批量的下個批量的晶圓W的控制。藉由進行從複數處理單元16排出的排出氣體的流量減少的控制,能夠降低從氣體導入部150導入的排出氣體中包含的對象成份的濃度。
如同上述,第3實施形態的基板處理裝置(例如基板處理系統1)的氣體處理裝置(例如氣體處理裝置100B)具備濃度檢出部(例如第1濃度檢出部151、第2濃度檢出部161)。濃度檢出部檢出氣體(例如排出氣體)中包含的對象成份的濃度。接著,第3實施形態的控制部(例如控制部18B)將濃度檢出部的檢出結果作為運轉資訊監視。控制部18B,基於濃度檢出部的檢出結果,調整從第1液供應部(例如第1液供應部141)供應至區隔板(例如區隔板130)的溶解液的流量、及從第2液供應部(例如第2液供應部142)供應至區隔板的循環液的流量。藉此,根據第3實施形態的基板處理裝置,因為能夠削減溶解液的過剩使用,能夠刪減溶解液的使用量。
(其他) 上述各實施形態中,雖將第1導管110及第2導管120在上下方向(Z軸方向)延伸配置,但第1導管110及第2導管120的配置態樣不在此限。例如,第1導管110及第2導管120以在上下方向(Z軸方向)傾斜配置也可以。
又,上述各實施形態中,雖以儲留槽170儲留從分別配置於第1導管110的第1流路F1及第2導管120的第2流路F2的區隔板130落下的溶解液的情形為例說明,但將儲留槽170在每個導管區分也可以。例如,儲留槽170,藉由隔壁,區分成對應第1導管110的第1儲留部、及對應第2導管120的第2儲留部也可以。此時,第1儲留部儲留從配置於第1導管110的第1流路F1的區隔板130落下的溶解液,第2儲留部儲留從配置於第2導管120的第2流路F2落下的溶解液。例如,儲留槽170藉由隔壁區分成第1儲留部及第2儲留部時,在第1導管110的內部與第2導管120的內部從液供應部140供應不同種類的溶解液也可以。
又,上述第2實施形態及上述第3實施形態中,雖對應運轉資訊進行溶解液的流量調整處理,但因應運轉資訊增減在複數液供應部140之中進行向區隔板130的溶解液的供應的液供應部140之數也可以。例如,控制部18A,控制供給機器群141c、142c,若配方資訊191中包含的處理單元16(亦即運轉中的處理單元16)之數越減少,則使進行向區隔板130的溶解液的供應的液供應部140之數減少也可以。藉此,能刪減溶解液的使用量。
又,上述第2實施形態及上述第3實施形態中,因應特定出包含在處理單元16中應處理的晶圓W的批量的批量特定資訊增減複數液供應部140之中進行向區隔板130的溶解液的供應的液供應部140之數也可以。例如,控制部18A,在由批量特定資訊特定出的批量中包含的晶圓W未從載體C取出的期間,控制供給機器群141c、142c,使進行向區隔板130的溶解液的供應的液供應部140之數減少也可以。藉此,能刪減溶解液的使用量。
應考慮到這次揭示的實施形態在全部的點都是例示並非用來限制者。實際上上述實施形態可以以多種形態具現。又,上述實施形態,在不脫離申請專利範圍及其要旨的情況下,以各種形態省略、置換、變更也可以。
1:基板處理系統 16:處理單元 18,18A,18B:控制部 19,19A:記憶部 55:集合排氣管 100,100A,100B:氣體處理裝置 110:第1導管 120:第2導管 130:區隔板 140:液供應部 141:第1液供應部 142:第2液供應部 150:氣體導入部 151:第1濃度檢出部 160:氣體排出部 161:第2濃度檢出部 170:儲留槽 171:液量檢出部 180:液排出部 191:配方資訊 F1:第1流路 F2:第2流路 S:空間
[圖1]圖1為表示本實施形態的基板處理系統的概略構造的圖。 [圖2]圖2為表示第1實施形態的處理單元的構造的圖。 [圖3]圖3為表示第1實施形態的處理單元的排氣經路的構造的圖。 [圖4]圖4為表示第1實施形態的氣體處理裝置的構造的圖。 [圖5]圖5為表示第2實施形態的氣體處理裝置的構造的圖。 [圖6]圖6為表示第2實施形態的流量調整處理中的各部的動作之一例的時序圖表。 [圖7]圖7為表示第3實施形態的氣體處理裝置的構造的圖。 [圖8]圖8為表示第3實施形態的流量調整處理的順序的一例的流程圖。

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置,具備:使用藥品處理基板的複數處理部; 流通從前述複數處理部排出的氣體的排氣經路; 設於前述排氣經路,將流通前述排氣經路的前述氣體中包含的對象成份從前述氣體除去的氣體處理裝置; 控制前述複數處理部及前述氣體處理裝置的控制部; 其中, 前述氣體處理裝置,具備: 在內部具有氣體通過的流路的導管; 將前述流路區隔成複數空間,以能透過前述氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板; 對前述區隔板供應能溶解包含於前述氣體中的對象成份的溶解液的液供應部; 其中, 前述控制部, 因應表示前述複數處理部的運轉狀況的運轉資訊,調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置,其中,前述控制部, 在對前述複數處理部之中最先運轉的處理部發送使前述藥品的供應開始的信號的時點,使來自前述液供應部的前述溶解液的供應開始。
  3. 如請求項2記載的基板處理裝置,其中,前述控制部, 在從全部的前述處理部接收到表示前述基板的處理結束的信號的時點,停止來自前述液供應部的前述溶解液的供應。
  4. 如請求項1記載的基板處理裝置,其中,前述氣體處理裝置,具備: 複數前述導管; 複數前述導管,包含: 在內部具有前述氣體從上方向下方通過的第1流路的第1導管; 在內部具有前述氣體從下方向上方通過的第2流路的第2導管; 其中, 前述區隔板,分別配置於前述第1流路及前述第2流路,將前述第1流路及前述第2流路分別區隔成複數空間; 前述氣體處理裝置,更具備: 連接前述第1流路的下游側與前述第2流路的上游側,儲留從前述區隔板落下的前述溶解液的儲留槽。
  5. 如請求項4記載的基板處理裝置,其中,前述液供應部,具有: 將從溶解液供應源供應的前述溶解液供應至前述區隔板的第1液供應部; 將儲留於前述儲留槽的前述溶解液經由循環經路循環得到的循環液供應至前述區隔板的第2液供應部。 其中, 前述控制部,因應前述運轉資訊,調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量。
  6. 如請求項5記載的基板處理裝置,其中,前述運轉資訊為包含在每個時間帶應運轉的前述處理部之數的配方資訊; 前述控制部, 基於前述配方資訊中包含的前述處理部之數,調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量。
  7. 如請求項5記載的基板處理裝置,其中,前述氣體處理裝置,更具備: 檢出前述氣體中包含的對象成份的濃度的濃度檢出部; 前述控制部, 將前述濃度檢出部的檢出結果作為前述運轉資訊監視,基於前述濃度檢出部的檢出結果,調整從前述第1液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量、及從前述第2液供應部供應至前述區隔板的前述循環液的流量。
  8. 如請求項7記載的基板處理裝置,其中,前述控制部, 判定由前述濃度檢出部檢出的濃度是否超過比預先設定的上限值還大的閾值,判定成由前述濃度檢出部檢出的濃度超過前述閾值的情形,進行使從前述複數處理部排出的氣體的流量減少的控制。
  9. 如請求項1記載的基板處理裝置,其中,前述運轉資訊為包含在每個時間帶從前述複數處理部排出的氣體中包含的對象成份之量或濃度的配方資訊; 前述控制部, 基於前述配方資訊中包含的前述對象成份之量或濃度,調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量。
  10. 如請求項9記載的基板處理裝置,其中,前述配方資訊,更包含前述對象成份的種類; 前述控制部, 基於前述配方資訊中包含的前述對象成份的種類,變更應從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的種類。
  11. 如請求項10記載的基板處理裝置,其中,前述控制部, 基於前述配方資訊中包含的前述對象成份的種類,調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的溫度。
  12. 如請求項1記載的基板處理裝置,其中,前述液供應部,在各前述空間至少配置一個; 前述控制部, 因應前述運轉資訊,增減在複數前述液供應部之中進行向前述區隔板的前述溶解液的供應的液供應部之數。
  13. 一種基板處理裝置的控制方法,前述基板處理裝置具備:使用藥品處理基板的複數處理部; 流通從前述複數處理部排出的氣體的排氣經路; 設於前述排氣經路,將流通前述排氣經路的前述氣體中包含的對象成份從前述氣體除去的氣體處理裝置; 其中, 前述氣體處理裝置,具備: 在內部具有氣體通過的流路的導管; 將前述流路區隔成複數空間,以能透過前述氣體且能保持液體的多孔質材形成的區隔板; 對前述區隔板供應能溶解包含於前述氣體中的對象成份的溶解液的液供應部; 其中,該基板處理裝置的控制方法, 因應表示前述複數處理部的運轉狀況的運轉資訊,調整從前述液供應部供應至前述區隔板的前述溶解液的流量。
TW111120049A 2021-06-10 2022-05-30 基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法 TW202303809A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-097100 2021-06-10
JP2021097100A JP2022188854A (ja) 2021-06-10 2021-06-10 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202303809A true TW202303809A (zh) 2023-01-16

Family

ID=84364878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111120049A TW202303809A (zh) 2021-06-10 2022-05-30 基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220399209A1 (zh)
JP (1) JP2022188854A (zh)
KR (1) KR20220166736A (zh)
CN (1) CN115472525A (zh)
TW (1) TW202303809A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5705666B2 (ja) 2011-07-07 2015-04-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システム及び基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220166736A (ko) 2022-12-19
US20220399209A1 (en) 2022-12-15
CN115472525A (zh) 2022-12-13
JP2022188854A (ja) 2022-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10022758B2 (en) Substrate processing apparatus and method for detecting clogging of exhaust pipe in substrate processing apparatus
KR20190024722A (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
TW202303809A (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置的控制方法
TW202305920A (zh) 氣體處理裝置及基板處理裝置
JP5154102B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4692997B2 (ja) 処理装置及び処理方法
US10458010B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and storage medium
JP3817093B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2019220518A (ja) 基板処理装置および処理液再利用方法
CN112002654A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
WO2019082613A1 (ja) 気体浄化装置、気体浄化方法および基板処理装置
US20210118704A1 (en) Substrate processing apparatus and apparatus cleaning method
JP7321052B2 (ja) 基板処理装置および装置洗浄方法
JP2018129476A (ja) 基板処理装置
JP2014130931A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TW202112452A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2024055802A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
KR20240049160A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법
US20210305066A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20240047234A1 (en) Substrate processing apparatus, supply system, substrate processing method, and supply method
JP7202229B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7065622B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
WO2021112022A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN117642845A (zh) 基板处理系统和基板处理方法
KR20230133231A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템