JP2015153989A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】測定ユニット41は、保持テーブル12に保持された板状ワーク90に対して保持テーブル12の上方から測定光を照射し、照射した測定光が板状ワーク90の上面で反射した反射光と下面で反射した反射光とが干渉した干渉光を受光する。厚さ算出部42は、測定ユニット41が受光した干渉光に基づいて板状ワーク90の厚さを算出する。放射温度計15は、厚さ測定手段14から照射された測定光が板状ワーク90に反射する位置における板状ワークの温度を非接触で測定し、厚さ補正部52は、放射温度計15が測定した表面温度における板状ワーク90の屈折率を算出し、算出した屈折率に基づいて、厚さ算出部42が算出した厚さを補正する。エッチング中でも、非接触式によって板状ワーク90の厚さを正確に測定することができる。
【選択図】図1
Description
このウェットエッチング装置は、前記測定ユニットを、前記保持テーブルに保持された板状ワークの上面に平行で、かつ、該板状ワークの径方向に移動させる第1の移動手段と、前記放射温度計を、該保持テーブルに保持された板状ワークの上面に平行で、かつ、該板状ワークの径方向に移動させる第2の移動手段と、を備え、さらに、該第1の移動手段が移動させる該測定ユニットの測定位置と該第2の移動手段が移動させる該放射温度計による測定位置とが該板状ワークの回転中心を中心とする同じ円上に位置するように該第1の移動手段と該第2の移動手段とを制御する関係調整部を備えることが好ましい。
11 制御部、12 保持テーブル、29 回転軸、
13 エッチング液供給手段、31 薬液源、32 ヒータ部、33 ポンプ、
34 調節部、35 基部、36 アーム、37 ノズル、
14 厚さ測定手段、41 測定ユニット、42 厚さ算出部、
15 放射温度計、51 関係記憶部、52 厚さ補正部、
16 移動手段、61 基部、62 アーム、
17 ハウジング、18 回転手段、81 モータ、
90 板状ワーク、91 上面、92 下面、
95 エッチング液、96 測定光、97 反射光、98 赤外線
Claims (2)
- 円板状の板状ワークを保持する保持テーブルと、
該保持テーブルに保持された該板状ワークに対してエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
該保持テーブルを回転させる回転手段と、
該保持テーブルに保持された板状ワークの厚さを非接触で測定する厚さ測定手段と、
を備えたウェットエッチング装置であって、
該エッチング液供給手段は、
該エッチング液を該板状ワークに放出するノズルと、
該エッチング液を該ノズルに送出するポンプと、
該エッチング液を所定の温度に加熱するヒータ部と、
を備え、
該厚さ測定手段は、
該保持テーブルに保持された該板状ワークに対して該保持テーブルの上方から測定光を照射する発光部と、該発光部から照射された該測定光が該板状ワークの上面で反射した反射光と該板状ワークの下面で反射した反射光とが干渉した干渉光を受光する受光部とを備え、該保持テーブルに保持された該板状ワークの上面に平行で、かつ、該板状ワークの径方向に移動可能に配設された測定ユニットと、
該受光部が受光した該干渉光に基づいて該板状ワークの厚さを算出する厚さ算出部と、
を備え、
該ウェットエッチング装置は、
該保持テーブルに保持された該板状ワークの上面に平行で、かつ、該板状ワークの径方向に移動可能に配設され、該測定ユニットから照射された該測定光が該板状ワークにおいて反射する位置における該板状ワークの温度を非接触で測定する放射温度計と、
該板状ワークの温度と屈折率との関係に基づいて、該放射温度計が測定した該温度における該板状ワークの屈折率を算出し、算出した該屈折率に基づいて、該厚さ算出部が算出した該厚さを補正する厚さ補正部と、
を備え、
該保持テーブルに保持された該板状ワークに対して該エッチング液供給手段が該エッチング液を供給することにより該板状ワークをエッチングしながら、該板状ワークの該厚さを該測定ユニットが測定し、該板状ワークの温度を該放射温度計が測定し、該温度に基づき該厚さ算出部が算出した該厚さを該厚さ補正部が補正することにより、該板状ワークの厚さを算出する、ウェットエッチング装置。 - 前記測定ユニットを、前記保持テーブルに保持された板状ワークの上面に平行で、かつ、該板状ワークの径方向に移動させる第1の移動手段と、
前記放射温度計を、該保持テーブルに保持された板状ワークの上面に平行で、かつ、該板状ワークの径方向に移動させる第2の移動手段と、
を備え、
さらに、該第1の移動手段が移動させる該測定ユニットの測定位置と該第2の移動手段が移動させる該放射温度計による測定位置とが該板状ワークの回転中心を中心とする同じ円上に位置するように該第1の移動手段と該第2の移動手段とを制御する関係調整部を備える、
請求項1記載のウェットエッチング装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018098322A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10481005B2 (en) | 2018-04-20 | 2019-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor substrate measuring apparatus and plasma treatment apparatus using the same |
WO2020022187A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
WO2021085160A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP2021089983A (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
US12112959B2 (en) | 2018-09-04 | 2024-10-08 | Tokyo Electron Limited | Processing systems and platforms for roughness reduction of materials using illuminated etch solutions |
US12119230B2 (en) | 2020-04-28 | 2024-10-15 | Disco Corporation | Wet etching method and wet etching system |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11464375B2 (en) | 2018-09-04 | 2022-10-11 | Irobot Corporation | Navigation of autonomous mobile robots |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291107A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Toshiba Mach Co Ltd | プラスチックシートのプロファイル計測方法および装置 |
JPH11354489A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法 |
JP2000106356A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2001313279A (ja) * | 2000-05-01 | 2001-11-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法 |
JP2002176087A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法 |
JP2002323303A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Denso Corp | 膜厚測定方法、測定装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2003332299A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-11-21 | Dns Korea Co Ltd | 厚さ測定システムが具備された回転エッチング装置 |
JP2005101055A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 処理液による基板の処理装置 |
JP2009231732A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
2014
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291107A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Toshiba Mach Co Ltd | プラスチックシートのプロファイル計測方法および装置 |
JPH11354489A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法 |
JP2000106356A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2001313279A (ja) * | 2000-05-01 | 2001-11-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法 |
US20030121889A1 (en) * | 2000-05-01 | 2003-07-03 | Teruo Takahashi | Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them |
JP2002176087A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Hamamatsu Photonics Kk | 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法 |
JP2002323303A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Denso Corp | 膜厚測定方法、測定装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2003332299A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-11-21 | Dns Korea Co Ltd | 厚さ測定システムが具備された回転エッチング装置 |
JP2005101055A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 処理液による基板の処理装置 |
JP2009231732A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018098322A (ja) * | 2016-12-12 | 2018-06-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US10481005B2 (en) | 2018-04-20 | 2019-11-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor substrate measuring apparatus and plasma treatment apparatus using the same |
JPWO2020022187A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2021-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
WO2020022187A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JP7018506B2 (ja) | 2018-07-26 | 2022-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
US12112959B2 (en) | 2018-09-04 | 2024-10-08 | Tokyo Electron Limited | Processing systems and platforms for roughness reduction of materials using illuminated etch solutions |
WO2021085160A1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP7376317B2 (ja) | 2019-10-30 | 2023-11-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP2021072340A (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP2021089983A (ja) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
US11862474B2 (en) | 2019-12-04 | 2024-01-02 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP7412990B2 (ja) | 2019-12-04 | 2024-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
US12119230B2 (en) | 2020-04-28 | 2024-10-15 | Disco Corporation | Wet etching method and wet etching system |
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