JPH11354489A - 半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法Info
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- JPH11354489A JPH11354489A JP15709698A JP15709698A JPH11354489A JP H11354489 A JPH11354489 A JP H11354489A JP 15709698 A JP15709698 A JP 15709698A JP 15709698 A JP15709698 A JP 15709698A JP H11354489 A JPH11354489 A JP H11354489A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、エッチング処理中にエッチング対象膜
の膜厚を測定し、エッチング量を調べることは困難であ
った。このため、エッチング処理中にエッチング量を測
定し、これをフィードバックしてエッチング量を制御す
ることはできなかった。 【解決手段】 薬液１４を半導体基板１３上に吐出する
薬液吐出ノズル１５と、エッチング処理中に大気を介さ
ず薬液１４中を通って半導体基板１３の表面へ到達する
ように光を導き、前記薬液１４を通過してきた半導体基
板１３の表面からの反射光を大気を介さずに受光する、
前記薬液吐出ノズル１５内にある光ケーブル１６と、前
記反射光から得た情報によりエッチング対象膜の膜厚を
測定する光学式膜厚測定器１２と、エッチング対象膜の
膜厚情報によりエッチング量を制御するエッチング量制
御装置１９とを具備することを特徴とする。
の膜厚を測定し、エッチング量を調べることは困難であ
った。このため、エッチング処理中にエッチング量を測
定し、これをフィードバックしてエッチング量を制御す
ることはできなかった。 【解決手段】 薬液１４を半導体基板１３上に吐出する
薬液吐出ノズル１５と、エッチング処理中に大気を介さ
ず薬液１４中を通って半導体基板１３の表面へ到達する
ように光を導き、前記薬液１４を通過してきた半導体基
板１３の表面からの反射光を大気を介さずに受光する、
前記薬液吐出ノズル１５内にある光ケーブル１６と、前
記反射光から得た情報によりエッチング対象膜の膜厚を
測定する光学式膜厚測定器１２と、エッチング対象膜の
膜厚情報によりエッチング量を制御するエッチング量制
御装置１９とを具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は半導体製造装置、
特に、エッチング処理中に半導体基板表層の膜厚の測定
が可能なエッチング装置に関する。
特に、エッチング処理中に半導体基板表層の膜厚の測定
が可能なエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチングの対象となる膜、例えば半導
体基板上の薄膜をウェットエッチングするエッチング装
置には、バッチ式エッチング装置と枚葉式エッチング装
置とがある。バッチ式エッチング装置とは、半導体基板
を何枚も同時にエッチング処理することができるものを
いう。枚葉式エッチング装置とは、１枚ずつエッチング
処理するものをいう。
体基板上の薄膜をウェットエッチングするエッチング装
置には、バッチ式エッチング装置と枚葉式エッチング装
置とがある。バッチ式エッチング装置とは、半導体基板
を何枚も同時にエッチング処理することができるものを
いう。枚葉式エッチング装置とは、１枚ずつエッチング
処理するものをいう。
【０００３】ウェットエッチング法を用いた薄膜等のエ
ッチング量は、薬液温度や処理時間等により制御してい
る。そして、従来はエッチング処理の前後それぞれにお
いて、膜厚測定器により半導体基板上の薄膜の膜厚を測
定することにより、実際のエッチング量を調べていた。
ッチング量は、薬液温度や処理時間等により制御してい
る。そして、従来はエッチング処理の前後それぞれにお
いて、膜厚測定器により半導体基板上の薄膜の膜厚を測
定することにより、実際のエッチング量を調べていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
技術では、エッチング処理の前後それぞれにおいて、膜
厚測定器により半導体基板上の薄膜の膜厚・比較するこ
とにより実際のエッチング量を測定していた。このた
め、半導体基板上の薄膜をエッチングする際、エッチン
グ処理中には実際のエッチング量を知ることはできなか
った。即ち、従来の技術では、実際のエッチング量の結
果しか分からなかったのである。
技術では、エッチング処理の前後それぞれにおいて、膜
厚測定器により半導体基板上の薄膜の膜厚・比較するこ
とにより実際のエッチング量を測定していた。このた
め、半導体基板上の薄膜をエッチングする際、エッチン
グ処理中には実際のエッチング量を知ることはできなか
った。即ち、従来の技術では、実際のエッチング量の結
果しか分からなかったのである。
【０００５】一方、同一種類の薄膜のエッチングであっ
ても、エッチング用薬液の濃度、エッチング処理の時
間、エッチング処理の温度、エッチングする薄膜の密度
等のパラメーターにより、そのエッチング量は変化す
る。これにより、エッチング処理の時間等を制御すれ
ば、エッチング量も制御できることとなる。
ても、エッチング用薬液の濃度、エッチング処理の時
間、エッチング処理の温度、エッチングする薄膜の密度
等のパラメーターにより、そのエッチング量は変化す
る。これにより、エッチング処理の時間等を制御すれ
ば、エッチング量も制御できることとなる。
【０００６】しかし、従来の技術によるとエッチング量
の結果しか分からなかった。このため、エッチング中に
実際のエッチング量を測定し、これをフィードバックし
てエッチング量を制御することはできなかった。
の結果しか分からなかった。このため、エッチング中に
実際のエッチング量を測定し、これをフィードバックし
てエッチング量を制御することはできなかった。
【０００７】ここで、図１に示したように、例えば、従
来の枚葉式エッチング装置１に光学式膜厚測定器２を取
り付けることが考えられる。これは、薬液吐出用ノズル
５を通して薬液４を半導体基板３上に流し、エッチング
対象膜、例えば半導体基板３上の図示せぬ薄膜をウェッ
トエッチングしながら、光学式膜厚測定器２により薄膜
の膜厚を測定するものである。
来の枚葉式エッチング装置１に光学式膜厚測定器２を取
り付けることが考えられる。これは、薬液吐出用ノズル
５を通して薬液４を半導体基板３上に流し、エッチング
対象膜、例えば半導体基板３上の図示せぬ薄膜をウェッ
トエッチングしながら、光学式膜厚測定器２により薄膜
の膜厚を測定するものである。
【０００８】ここで、薄膜の膜厚を測定する方法を説明
する。まず、光学式膜厚測定器２内の光学系から照射さ
れて光ケーブル６により導かれた光は大気を通過する。
そして、その光は薬液４を通って薄膜及び半導体基板３
に照射される。次に、薄膜及び半導体基板３からの反射
光が薬液４及び大気を通過し、光ケーブル６により光学
式膜厚測定器２まで導かれる。そして、その反射光から
得た情報、例えば薄膜の膜厚の相違による光の干渉や屈
折率、反射率の相違等により、薄膜の膜厚を測定するも
のである。さらに、エッチング処理中に薄膜のエッチン
グ量を測定して、これをフィードバックしてエッチング
量を制御することが考えられる。
する。まず、光学式膜厚測定器２内の光学系から照射さ
れて光ケーブル６により導かれた光は大気を通過する。
そして、その光は薬液４を通って薄膜及び半導体基板３
に照射される。次に、薄膜及び半導体基板３からの反射
光が薬液４及び大気を通過し、光ケーブル６により光学
式膜厚測定器２まで導かれる。そして、その反射光から
得た情報、例えば薄膜の膜厚の相違による光の干渉や屈
折率、反射率の相違等により、薄膜の膜厚を測定するも
のである。さらに、エッチング処理中に薄膜のエッチン
グ量を測定して、これをフィードバックしてエッチング
量を制御することが考えられる。
【０００９】しかし、エッチング処理中は薬液４が半導
体基板３上を流れているため、半導体基板３上の薬液４
の液面には揺らぎがある。光ケーブル６により導かれ大
気を通過した光は、この揺らぎにより大気と半導体基板
３上の薬液４の液面との界面で不規則的に反射したり屈
折したりする。これにより、光学式膜厚測定器２から照
射された光から薄膜の膜厚に関する正確な情報を得るこ
とができなくなる。このため、エッチング処理中に薄膜
の膜厚を測定し、エッチング量を調べることが困難とな
る。
体基板３上を流れているため、半導体基板３上の薬液４
の液面には揺らぎがある。光ケーブル６により導かれ大
気を通過した光は、この揺らぎにより大気と半導体基板
３上の薬液４の液面との界面で不規則的に反射したり屈
折したりする。これにより、光学式膜厚測定器２から照
射された光から薄膜の膜厚に関する正確な情報を得るこ
とができなくなる。このため、エッチング処理中に薄膜
の膜厚を測定し、エッチング量を調べることが困難とな
る。
【００１０】一方、光ケーブル６と大気との界面や、大
気と薬液４の液面との界面、液面と薄膜との界面におい
て揺らぎが存在しなければ、屈折率の相違等をあらかじ
め補正しておくことにより、半導体基板３上の薄膜の膜
厚を測定することができるようになる。
気と薬液４の液面との界面、液面と薄膜との界面におい
て揺らぎが存在しなければ、屈折率の相違等をあらかじ
め補正しておくことにより、半導体基板３上の薄膜の膜
厚を測定することができるようになる。
【００１１】つまり、従来の技術の問題点は、光が揺ら
ぎのある薬液４の液面を通過することにより引き起こさ
れるのである。そこで、図２に示したように、光学式膜
厚測定器２の光ケーブル６の先端を薬液４中に浸す方法
を採ることが考えられる。しかし、薬液の厚さ７は１ｍ
ｍ程度であり、光ケーブル６の先端が薬液４中に常に浸
されているように制御することは困難である。
ぎのある薬液４の液面を通過することにより引き起こさ
れるのである。そこで、図２に示したように、光学式膜
厚測定器２の光ケーブル６の先端を薬液４中に浸す方法
を採ることが考えられる。しかし、薬液の厚さ７は１ｍ
ｍ程度であり、光ケーブル６の先端が薬液４中に常に浸
されているように制御することは困難である。
【００１２】そこで、本願発明は上記欠点に鑑みてなさ
れてたものであり、枚葉式エッチング装置において、エ
ッチング処理中にエッチング対象膜の膜厚を測定するこ
とを目的とする。
れてたものであり、枚葉式エッチング装置において、エ
ッチング処理中にエッチング対象膜の膜厚を測定するこ
とを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願発明は、ウェットエ
ッチング用の薬液を半導体基板上に吐出する薬液吐出ノ
ズルと、エッチング処理中に大気を介さずに前記薬液を
通過して前記半導体基板表面へ到達するように光を導
き、かつ、前記薬液を通過してきた前記半導体基板表面
からの反射光を大気を介さずに受光するように設けら
れ、少なくとも一部が前記薬液吐出ノズル内にある光ケ
ーブルと、前記反射光から得た情報により前記半導体基
板上のエッチング対象膜の膜厚を測定する光学式膜厚測
定器とを具備することを特徴とする。これにより本願発
明は、枚葉式エッチング装置において、エッチング処理
中に半導体基板表層の膜厚を測定することを可能とし
た。
ッチング用の薬液を半導体基板上に吐出する薬液吐出ノ
ズルと、エッチング処理中に大気を介さずに前記薬液を
通過して前記半導体基板表面へ到達するように光を導
き、かつ、前記薬液を通過してきた前記半導体基板表面
からの反射光を大気を介さずに受光するように設けら
れ、少なくとも一部が前記薬液吐出ノズル内にある光ケ
ーブルと、前記反射光から得た情報により前記半導体基
板上のエッチング対象膜の膜厚を測定する光学式膜厚測
定器とを具備することを特徴とする。これにより本願発
明は、枚葉式エッチング装置において、エッチング処理
中に半導体基板表層の膜厚を測定することを可能とし
た。
【００１４】
【発明の実施の形態】本願発明にかかる第一の実施の形
態について図面（図３、図４）を参照して説明する。本
願発明は、図３に示したような構成をとり、この枚葉式
エッチング装置１１は光学式膜厚測定器１２を含んでい
る。ウェットエッチング用の薬液１４が薬液吐出ノズル
１５を通り、半導体基板１３上へと流れる。これによ
り、図示せぬエッチング対象膜、例えばシリコン酸化膜
をエッチングすることとなる。そして、光学式膜厚測定
器１２はエッチング対象膜の膜厚を調べるために備えら
れている。次に、エッチング対象膜の膜厚を測定する方
法を説明する。まず、光学式膜厚測定器１２内の所定の
光学系から照射されて光ケーブル１６により導かれた光
は大気を介さずに薬液１４中を通過してエッチング対象
膜及び半導体基板１３に照射される。次に、エッチング
対象膜及び半導体基板１３からの反射光が薬液１４中を
通過し、大気を介さずに光ケーブル１６により光学式膜
厚測定器１２まで導かれる。そして、その反射光から得
た情報、例えばエッチング対象膜の膜厚の相違による光
の干渉や屈折率、反射率等の相違により、その膜厚を測
定するものである。
態について図面（図３、図４）を参照して説明する。本
願発明は、図３に示したような構成をとり、この枚葉式
エッチング装置１１は光学式膜厚測定器１２を含んでい
る。ウェットエッチング用の薬液１４が薬液吐出ノズル
１５を通り、半導体基板１３上へと流れる。これによ
り、図示せぬエッチング対象膜、例えばシリコン酸化膜
をエッチングすることとなる。そして、光学式膜厚測定
器１２はエッチング対象膜の膜厚を調べるために備えら
れている。次に、エッチング対象膜の膜厚を測定する方
法を説明する。まず、光学式膜厚測定器１２内の所定の
光学系から照射されて光ケーブル１６により導かれた光
は大気を介さずに薬液１４中を通過してエッチング対象
膜及び半導体基板１３に照射される。次に、エッチング
対象膜及び半導体基板１３からの反射光が薬液１４中を
通過し、大気を介さずに光ケーブル１６により光学式膜
厚測定器１２まで導かれる。そして、その反射光から得
た情報、例えばエッチング対象膜の膜厚の相違による光
の干渉や屈折率、反射率等の相違により、その膜厚を測
定するものである。
【００１５】ここで、ウェットエッチング法によるエッ
チング処理中の本願発明にかかる装置の断面図を図４に
示す。光学式膜厚測定器１２につながる光ケーブル１６
は薬液吐出ノズル１５内を通っている。薬液１４が薬液
吐出ノズル１５を通って半導体基板１３上へと流れてい
る。このため、エッチング処理中は、光ケーブル１６の
先端が薬液１４中にある。さらに、光ケーブル１６の先
端面１７が薬液１４の流れる方向に向いており、半導体
基板１３の上面とほぼ平行となっている。そのため、光
学式膜厚測定器１２内の所定の光学系から照射され光ケ
ーブル１６により導かれた光は大気を介さずに薬液１４
中を通って半導体基板１３に向かって進むのである。こ
れによりエッチング対象膜の膜厚を測定するのに必要な
情報を得ることとなる。さらに、エッチング対象膜及び
半導体基板１３からの反射光は薬液１４中を通過して大
気を介さずに光ケーブル１６へ到達する。
チング処理中の本願発明にかかる装置の断面図を図４に
示す。光学式膜厚測定器１２につながる光ケーブル１６
は薬液吐出ノズル１５内を通っている。薬液１４が薬液
吐出ノズル１５を通って半導体基板１３上へと流れてい
る。このため、エッチング処理中は、光ケーブル１６の
先端が薬液１４中にある。さらに、光ケーブル１６の先
端面１７が薬液１４の流れる方向に向いており、半導体
基板１３の上面とほぼ平行となっている。そのため、光
学式膜厚測定器１２内の所定の光学系から照射され光ケ
ーブル１６により導かれた光は大気を介さずに薬液１４
中を通って半導体基板１３に向かって進むのである。こ
れによりエッチング対象膜の膜厚を測定するのに必要な
情報を得ることとなる。さらに、エッチング対象膜及び
半導体基板１３からの反射光は薬液１４中を通過して大
気を介さずに光ケーブル１６へ到達する。
【００１６】また、光学式膜厚測定器１２内の所定の光
学系と光ケーブル１６との界面や、光ケーブル１６と薬
液１４との界面、薬液１４と図示せぬエッチング対象膜
との界面などには揺らぎが存在しない。このため、それ
ぞれの界面において生じる屈折率の相違等をあらかじめ
補正しておくことにより、エッチング対象膜の膜厚を測
定することが可能となる。つまり、従来の技術では、測
定用の光が揺らぎのある薬液４の液面を通過していたた
め、揺らぎについては補正をすることができず、エッチ
ング処理中にエッチング対象膜の膜厚を測定できなかっ
た（図１参照）。これに対し、本願発明によれば、測定
用の光が揺らぎのある薬液１４の液面を通過しないの
で、エッチング処理中にもエッチング対象膜の膜厚を測
定することが可能となるのである。
学系と光ケーブル１６との界面や、光ケーブル１６と薬
液１４との界面、薬液１４と図示せぬエッチング対象膜
との界面などには揺らぎが存在しない。このため、それ
ぞれの界面において生じる屈折率の相違等をあらかじめ
補正しておくことにより、エッチング対象膜の膜厚を測
定することが可能となる。つまり、従来の技術では、測
定用の光が揺らぎのある薬液４の液面を通過していたた
め、揺らぎについては補正をすることができず、エッチ
ング処理中にエッチング対象膜の膜厚を測定できなかっ
た（図１参照）。これに対し、本願発明によれば、測定
用の光が揺らぎのある薬液１４の液面を通過しないの
で、エッチング処理中にもエッチング対象膜の膜厚を測
定することが可能となるのである。
【００１７】また、エッチング処理中には薬液１４が薬
液吐出ノズル１５を流れるため、光ケーブル１６を薬液
吐出ノズル１５内に通すことにより、薬液の厚さ１８に
関係なく光ケーブル１６の先端が常に薬液中に浸ること
になる。従来の技術では、光ケーブル６の先端が半導体
基板３上の薬液４に浸るようにしなければならず、これ
は非常に困難な制御であった（図２参照）。これに対し
本願発明においては、エッチング処理中、光ケーブル１
６の先端面１７が常に薬液１４中に浸っているので、光
ケーブル１６の位置を細かく制御する必要がなくなると
いう効果がある。
液吐出ノズル１５を流れるため、光ケーブル１６を薬液
吐出ノズル１５内に通すことにより、薬液の厚さ１８に
関係なく光ケーブル１６の先端が常に薬液中に浸ること
になる。従来の技術では、光ケーブル６の先端が半導体
基板３上の薬液４に浸るようにしなければならず、これ
は非常に困難な制御であった（図２参照）。これに対し
本願発明においては、エッチング処理中、光ケーブル１
６の先端面１７が常に薬液１４中に浸っているので、光
ケーブル１６の位置を細かく制御する必要がなくなると
いう効果がある。
【００１８】なお、光ケーブル１６がエッチング対象膜
の上方に来るように制御する必要はある。光ケーブル１
６により導かれた光がエッチング対象膜及び半導体基板
１３に到達するようにするためである。これには、光学
式膜厚測定器１２や光ケーブル１６を移動させる方法の
他、半導体基板１３を移動させる方法も考えられる。
の上方に来るように制御する必要はある。光ケーブル１
６により導かれた光がエッチング対象膜及び半導体基板
１３に到達するようにするためである。これには、光学
式膜厚測定器１２や光ケーブル１６を移動させる方法の
他、半導体基板１３を移動させる方法も考えられる。
【００１９】また、エッチング対象膜の膜厚が半導体基
板１３の表面で均一であれば、半導体基板１３を回転し
ても構わない。以上のように、本願発明の第一の実施の
形態によれば、エッチング処理中にエッチング対象膜の
膜厚を測定できる効果が得られる。また、この測定のた
めに光ケーブルの位置を細かく制御する必要もなくなる
効果が得られる。
板１３の表面で均一であれば、半導体基板１３を回転し
ても構わない。以上のように、本願発明の第一の実施の
形態によれば、エッチング処理中にエッチング対象膜の
膜厚を測定できる効果が得られる。また、この測定のた
めに光ケーブルの位置を細かく制御する必要もなくなる
効果が得られる。
【００２０】次に、本願発明にかかる第二の実施の形態
について図面（図５）を参照して説明する。図５に示し
たように、この実施の形態において、枚葉式エッチング
装置１１の構成は第一の実施の形態と同じである。これ
にエッチング量制御装置１９が付加されている。つま
り、以下の通りである。
について図面（図５）を参照して説明する。図５に示し
たように、この実施の形態において、枚葉式エッチング
装置１１の構成は第一の実施の形態と同じである。これ
にエッチング量制御装置１９が付加されている。つま
り、以下の通りである。
【００２１】ウェットエッチング用の薬液１４が薬液タ
ンク２２から供給される。そして、ポンプ２０及びバル
ブ２１を通過して、薬液吐出ノズル１５を通り、半導体
基板１３上へと流れる。これにより、図示せぬエッチン
グ対象膜、例えばシリコン酸化膜をエッチングすること
となる。そして、エッチング対象膜の膜厚を知るために
光学式膜厚測定器１２が備えられる。次に、エッチング
対象膜の膜厚を測定する方法を説明する。まず、光学式
膜厚測定器１２内の所定の光学系から照射されて光ケー
ブル１６により導かれた光は大気を介さずに薬液１４中
を通過してエッチング対象膜及び半導体基板１３に照射
される。次に、エッチング対象膜及び半導体基板１３か
らの反射光が薬液１４中を通過し、大気を介さずに光ケ
ーブル１６により光学式膜厚測定器１２まで導かれる。
そして、その反射光から得た情報、例えばエッチング対
象膜の膜厚の相違による光の干渉や屈折率、反射率等の
相違により、その膜厚を測定するものである。
ンク２２から供給される。そして、ポンプ２０及びバル
ブ２１を通過して、薬液吐出ノズル１５を通り、半導体
基板１３上へと流れる。これにより、図示せぬエッチン
グ対象膜、例えばシリコン酸化膜をエッチングすること
となる。そして、エッチング対象膜の膜厚を知るために
光学式膜厚測定器１２が備えられる。次に、エッチング
対象膜の膜厚を測定する方法を説明する。まず、光学式
膜厚測定器１２内の所定の光学系から照射されて光ケー
ブル１６により導かれた光は大気を介さずに薬液１４中
を通過してエッチング対象膜及び半導体基板１３に照射
される。次に、エッチング対象膜及び半導体基板１３か
らの反射光が薬液１４中を通過し、大気を介さずに光ケ
ーブル１６により光学式膜厚測定器１２まで導かれる。
そして、その反射光から得た情報、例えばエッチング対
象膜の膜厚の相違による光の干渉や屈折率、反射率等の
相違により、その膜厚を測定するものである。
【００２２】そして、光学式膜厚測定器１２により測定
されたエッチング対象膜の膜厚に関する情報に基づきエ
ッチング量制御装置１９を用いてエッチング量を制御す
る。つまり、エッチング用薬液の濃度、エッチング処理
の時間、エッチング処理の温度、エッチングする薄膜の
密度等のパラメーターにより、エッチング量は変化す
る。そこで、エッチング量制御装置１９を用いて上記の
何らかのパラメーターを操作することにより、エッチン
グ対象膜の膜厚の情報をフィードバックしてエッチング
量を制御することが可能となるのである。通常は、適切
なエッチング量に達したときにポンプ２０を停止したり
バルブ２１を閉めたりすることにより、エッチング用薬
液の流出を止め、半導体基板１３を水洗することによ
り、エッチング量を制御する。これにより、所望のエッ
チング量を得ることが可能となる。
されたエッチング対象膜の膜厚に関する情報に基づきエ
ッチング量制御装置１９を用いてエッチング量を制御す
る。つまり、エッチング用薬液の濃度、エッチング処理
の時間、エッチング処理の温度、エッチングする薄膜の
密度等のパラメーターにより、エッチング量は変化す
る。そこで、エッチング量制御装置１９を用いて上記の
何らかのパラメーターを操作することにより、エッチン
グ対象膜の膜厚の情報をフィードバックしてエッチング
量を制御することが可能となるのである。通常は、適切
なエッチング量に達したときにポンプ２０を停止したり
バルブ２１を閉めたりすることにより、エッチング用薬
液の流出を止め、半導体基板１３を水洗することによ
り、エッチング量を制御する。これにより、所望のエッ
チング量を得ることが可能となる。
【００２３】なお、第一の実施の形態と同様に、光ケー
ブル１６がエッチング対象膜の上方に来るように制御す
る必要はある。光ケーブル１６により導かれた光がエッ
チング対象膜及び半導体基板１３に到達するようにする
ためである。これには、光学式膜厚測定器１２や光ケー
ブル１６を移動させる方法の他、半導体基板１３を移動
させる方法も考えられる。
ブル１６がエッチング対象膜の上方に来るように制御す
る必要はある。光ケーブル１６により導かれた光がエッ
チング対象膜及び半導体基板１３に到達するようにする
ためである。これには、光学式膜厚測定器１２や光ケー
ブル１６を移動させる方法の他、半導体基板１３を移動
させる方法も考えられる。
【００２４】また、エッチング対象膜の膜厚が半導体基
板１３の表面で均一であれば、半導体基板１３を回転し
ても構わない。以上のように、本願発明の第二の実施の
形態によれば、エッチング処理中にエッチング対象膜の
膜厚を測定することが可能となる。また、そのエッチン
グ対象膜の膜厚に基づきエッチング量を制御し、適切な
エッチング量を得ることが可能となる。
板１３の表面で均一であれば、半導体基板１３を回転し
ても構わない。以上のように、本願発明の第二の実施の
形態によれば、エッチング処理中にエッチング対象膜の
膜厚を測定することが可能となる。また、そのエッチン
グ対象膜の膜厚に基づきエッチング量を制御し、適切な
エッチング量を得ることが可能となる。
【００２５】
【発明の効果】上記詳述したように、本願発明は、枚葉
式エッチング装置において、エッチング処理中にエッチ
ング対象膜の膜厚を測定することを可能とする。
式エッチング装置において、エッチング処理中にエッチ
ング対象膜の膜厚を測定することを可能とする。
【図１】従来のエッチング対象膜の膜厚を測定するため
の装置図。
の装置図。
【図２】従来のエッチング対象膜の膜厚を測定するため
の装置図。
の装置図。
【図３】本願発明の第一の実施の形態におけるエッチン
グ対象膜の膜厚を測定するための装置図。
グ対象膜の膜厚を測定するための装置図。
【図４】ウェットエッチング法によるエッチング処理中
の、本願発明の第一の実施の形態における装置断面図。
の、本願発明の第一の実施の形態における装置断面図。
【図５】本願発明の第二の実施の形態においてエッチン
グ対象膜の膜厚からエッチング量を制御する装置図。
グ対象膜の膜厚からエッチング量を制御する装置図。
１・・・・枚葉式エッチング装置 ２・・・・光学式膜厚測定器 ３・・・・半導体基板 ４・・・・薬液 ５・・・・薬液吐出用ノズル ６・・・・光ケーブル ７・・・・薬液の厚さ １１・・・・枚葉式エッチング装置 １２・・・・光学式膜厚測定器 １３・・・・半導体基板 １４・・・・薬液 １５・・・・薬液吐出ノズル １６・・・・光ケーブル １７・・・・光ケーブル１６の先端面 １８・・・・薬液の厚さ １９・・・・エッチング量制御装置 ２０・・・・ポンプ ２１・・・・バルブ ２２・・・・薬液タンク
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェットエッチング用の薬液を半導体基
板上に吐出する薬液吐出ノズルと、 エッチング処理中に大気を介さずに前記薬液を通過して
前記半導体基板表面へ到達するように光を導き、かつ、
前記薬液を通過してきた前記半導体基板表面からの反射
光を大気を介さずに受光するように設けられ、少なくと
も一部が前記薬液吐出ノズル内にある光ケーブルと、 前記反射光から得た情報により前記半導体基板上のエッ
チング対象膜の膜厚を測定する光学式膜厚測定器とを具
備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 ウェットエッチング用の薬液を半導体基
板上に吐出する薬液吐出ノズルと、 エッチング処理中に大気を介さずに前記薬液を通過して
前記半導体基板表面へ到達するように光を導き、かつ、
前記薬液を通過してきた前記半導体基板表面からの反射
光を大気を介さずに受光するように設けられ、少なくと
も一部が前記薬液吐出ノズル内にある光ケーブルと、 前記反射光から得た情報により前記半導体基板上のエッ
チング対象膜の膜厚を測定する光学式膜厚測定器と、 前記光学式膜厚測定器から得た前記エッチング対象膜の
膜厚情報により、エッチング量を制御するエッチング量
制御装置とを具備することを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項３】 薬液吐出ノズルを通してウェットエッチ
ング用の薬液を半導体基板上に吐出する工程と、 少なくとも一部が前記薬液吐出ノズル内にある光ケーブ
ルにより、大気を介さずに前記薬液を通過して前記半導
体基板表面へ到達するように光を導き、かつ、前記薬液
を通過してきた前記半導体基板表面からの反射光を大気
を介さずに受光する工程と、 光学式膜厚測定器により、前記反射光から得た情報によ
り前記半導体基板上のエッチング対象膜の膜厚を測定す
る工程と、 前記光学式膜厚測定器から得た前記エッチング対象膜の
膜厚情報により、エッチング量を制御する工程とを具備
することを特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15709698A JPH11354489A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15709698A JPH11354489A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354489A true JPH11354489A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15642169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15709698A Abandoned JPH11354489A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354489A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059830A1 (fr) * | 2000-01-21 | 2001-08-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Appareil de mesure d'epaisseur, procede de mesure d'epaisseur, et appareil de gravure humide et procede de gravure humide correspondants |
| WO2001084620A1 (fr) * | 2000-05-01 | 2001-11-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif et procede de mesure d'epaisseur, dispositif et procede de gravure humide utilisant les precedents |
| JP2007207810A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| JP2013069842A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェットエッチング装置 |
| JP2015153989A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 株式会社ディスコ | ウェットエッチング装置 |
| CN105225981A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-06 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 一种半导体基板的刻蚀装置和方法 |
| WO2020022187A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
| WO2022097520A1 (ja) * | 2020-11-05 | 2022-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP15709698A patent/JPH11354489A/ja not_active Abandoned
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001059830A1 (fr) * | 2000-01-21 | 2001-08-16 | Hamamatsu Photonics K.K. | Appareil de mesure d'epaisseur, procede de mesure d'epaisseur, et appareil de gravure humide et procede de gravure humide correspondants |
| US6897964B2 (en) | 2000-01-21 | 2005-05-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them |
| WO2001084620A1 (fr) * | 2000-05-01 | 2001-11-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositif et procede de mesure d'epaisseur, dispositif et procede de gravure humide utilisant les precedents |
| US6768552B2 (en) | 2000-05-01 | 2004-07-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them |
| JP2007207810A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Sumco Corp | ウェーハの枚葉式エッチング装置及びウェーハの枚葉式エッチング方法 |
| JP2013069842A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェットエッチング装置 |
| JP2015153989A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 株式会社ディスコ | ウェットエッチング装置 |
| CN105225981A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-06 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 一种半导体基板的刻蚀装置和方法 |
| WO2020022187A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
| CN112514035A (zh) * | 2018-07-26 | 2021-03-16 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统和基板处理方法 |
| KR20210035220A (ko) | 2018-07-26 | 2021-03-31 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| JPWO2020022187A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2021-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
| WO2022097520A1 (ja) * | 2020-11-05 | 2022-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
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