JP2001313279A - 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法 - Google Patents

厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法

Info

Publication number
JP2001313279A
JP2001313279A JP2000132607A JP2000132607A JP2001313279A JP 2001313279 A JP2001313279 A JP 2001313279A JP 2000132607 A JP2000132607 A JP 2000132607A JP 2000132607 A JP2000132607 A JP 2000132607A JP 2001313279 A JP2001313279 A JP 2001313279A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thickness
light
time
measurement
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000132607A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4486217B2 (ja
Inventor
Teruo Takahashi
輝雄 高橋
Motoyuki Watanabe
元之 渡邉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2000132607A priority Critical patent/JP4486217B2/ja
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to DE60127673T priority patent/DE60127673T2/de
Priority to AU2001227075A priority patent/AU2001227075A1/en
Priority to PCT/JP2001/000351 priority patent/WO2001084620A1/ja
Priority to AT01901468T priority patent/ATE358892T1/de
Priority to EP01901468A priority patent/EP1296367B1/en
Priority to US10/275,136 priority patent/US6768552B2/en
Publication of JP2001313279A publication Critical patent/JP2001313279A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4486217B2 publication Critical patent/JP4486217B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0683—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating measurement during deposition or removal of the layer
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Instruments For Measurement Of Length By Optical Means (AREA)
  • A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)
  • Length-Measuring Instruments Using Mechanical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエットエッチングの実行中に半導体ウエハ
の厚みを計測することが可能な厚み計測装置、及びそれ
を用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング
方法を提供する。 【解決手段】 計測時刻のそれぞれにおいて、計測光源
１１からの計測光による半導体ウエハＷ等からの反射光
と、参照光生成部１４からの参照光とを結合して、光検
出器１５で干渉光を検出する。そして、生厚み値算出部
１６ｂにおいて、干渉光強度と参照光路長との光強度分
布からウエハＷの上面及び下面に対応する２本の光強度
ピークを特定して生厚み値を算出するとともに、統計厚
み値算出部１６ｃで、データ選別、生厚み値の許容数値
範囲内外の判定、及び厚み変化直線の決定などを含む統
計処理を行って、各計測時刻における統計厚み値を求め
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエットエッチン
グの実行中に半導体ウエハの厚みを計測するための厚み
計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、
ウエットエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、近年、パタ
ーン付などの半導体ウエハの厚みをより薄くするエッチ
ング工程の必要性が増大している。
【０００３】そのようなエッチング工程においては、エ
ッチング液を供給して半導体ウエハのエッチングを行う
ウエットエッチング装置が使用される。従来のウエット
エッチング方法では、あらかじめダミーウエハのエッチ
ングを行ってエッチングレートを確認しておき、そのエ
ッチングレートに基づいてエッチングの終了時刻を決定
している。
【０００４】しかしながら、このようなエッチング時間
の管理方法を用いた場合、ダミーウエハのエッチングと
いう実際のエッチング工程とは別の工程が余計に必要と
なるという問題がある。また、エッチングレートは必ず
しもエッチング工程ごとに一定ではなく、そのため、一
定のエッチングレートを仮定した時間管理では得られる
半導体ウエハの厚みにばらつきを生じてしまう。
【０００５】このようなエッチング工程におけるエッチ
ング精度や作業効率を向上させるには、半導体ウエハ部
分の厚みを、インサイチュ（In-Situ）でエッチング中
に計測する必要がある。このような計測を行うことによ
って、エッチング中での厚みの時間変化のデータを得る
ことができ、これによって終了時刻をそれぞれのエッチ
ング工程ごとに求めることができるなど、様々なエッチ
ング工程の管理及び制御が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハの
厚み計測装置としては、接触式の厚み計や、マイケルソ
ン干渉計型の厚み計などがある。これらの厚み計のう
ち、接触式の厚み計は、インサイチュでの計測に適用す
ることができない。また、接触するためにウエハに傷が
つく場合があり、高速での計測ができず、あるいは、保
持基板やフィルムなどがついている場合にはウエハのみ
での厚みの計測ができないなどの問題点がある。
【０００７】一方、マイケルソン干渉計型の厚み計は、
非接触で半導体ウエハの厚みを計測する厚み計である。
このような厚み計としては、特開平５−２４８８１７号
公報に示されている装置があるが、この装置では、半導
体ウエハに計測光を照射し、ウエハ表面からの反射光の
反射タイミング変化によって厚みの時間変化を計測して
いる。しかしながら、この場合には、表面の位置のみを
計測していることになるので、厚みを求めるために裏面
の位置などの厚みの初期条件を与えてやる必要がある。
また、エッチング液を用いたウエットエッチング工程で
は、ウエハ表面上にあるエッチング液で計測光が反射さ
れてしまうため、半導体ウエハの厚みを計測することが
できない。
【０００８】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、ウエットエッチングの実行中に半導体ウエ
ハの厚みを計測することが可能な厚み計測装置、及びそ
れを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチン
グ方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による厚み計測装置は、エッチング液
を用いたウエットエッチングの実行中に半導体ウエハの
厚みを計測するための厚み計測装置であって、（１）所
定の時間間隔をおいた複数の計測時刻のそれぞれに、計
測光を供給する計測光源と、（２）計測光源からの計測
光を分岐させる光分岐手段と、（３）光分岐手段で分岐
された計測光の一方を、計測対象である半導体ウエハに
対して出力させて、エッチング液が供給されているエッ
チング面側から照射する光出力手段と、（４）光出力手
段から照射された計測光がエッチング液または半導体ウ
エハによって反射された反射光を入力させる光入力手段
と、（５）光分岐手段で分岐された計測光の他方を、光
路長が可変に構成された参照用光路を通過させて、参照
光路長が設定された参照光を生成する参照光生成手段
と、（６）光入力手段からの反射光と、参照光生成手段
からの参照光とを結合させて干渉光とする光結合手段
と、（７）光結合手段からの干渉光を検出する光検出手
段と、（８）計測時刻のそれぞれにおいて、参照光生成
手段で設定された参照光路長と、光検出手段で検出され
た干渉光の光強度との相関を示す光強度分布を用い、設
定された閾値よりも大きい光強度を有する複数の光強度
ピークから選択された２本の光強度ピーク間での参照光
路長の光路長差に基づいて、半導体ウエハの生厚み値を
算出する生厚み値算出手段と、（９）最初の計測時刻か
ら規定時間が経過した後の計測時刻のそれぞれにおい
て、設定された許容数値範囲内にあって有効とされてい
る複数の生厚み値の時間変化に対して、直線近似計算に
よる厚み変化直線の決定を行って、厚み変化直線から統
計厚み値を算出する統計厚み値算出手段と、を備え、
（１０）統計厚み値算出手段は、最初の計測時刻から規
定時間が経過した後の１回目の計測時刻において、その
計測時刻までの有効な生厚み値の時間変化に対して、直
線近似計算による選別用の厚み変化直線の決定と、選別
用の厚み変化直線からの選別数値範囲の設定と、選別数
値範囲外にある生厚み値を無効とするデータの選別とを
含むデータ選別計算を行った後、選別後に有効とされて
いる生厚み値の時間変化に対して、直線近似計算による
厚み変化直線の決定を行うとともに、厚み変化直線から
の許容数値範囲を設定することを特徴とする。
【００１０】上記した厚み計測装置は、半導体ウエハに
計測光を照射して反射されてきた反射光と、計測光から
分岐され所定の光路を通過して反射光の光路長に対して
参照光路長が設定された参照光とを結合し、生成された
干渉光を検出する。そして、その干渉光の光強度分布に
おいて生じる複数の光強度ピークから、ウエットエッチ
ング中の半導体ウエハの厚みを計測している。
【００１１】このとき、半導体ウエハに照射した計測光
は、エッチング液表面、半導体ウエハの上面（エッチン
グ面）、及び下面などで反射され、光強度分布では、そ
れらの面にそれぞれ対応した光強度ピークが得られる。
したがって、所定の選択基準によって選択された半導体
ウエハの上面及び下面に対応する２本の光強度ピークを
利用することによって、エッチング液の存在にかかわら
ず、ウエットエッチング中に半導体ウエハの厚み、ある
いはその時間変化を計測することが可能となる。また、
ウエハ上面からの反射光と基準となる初期条件とから厚
みを求めるのではなく、ウエハ上面及び下面の両方から
の反射光を用いているので、半導体ウエハやエッチング
液の状態が変化しても、常に正しく半導体ウエハの厚み
を計測することができる。
【００１２】また、あらかじめ与えられた規定時間が経
過して充分なデータ数の生厚み値が得られた後の厚み計
測においては、その時間変化を直線近似するフィッティ
ング計算を行い、得られた厚み変化直線から統計厚み値
を算出している。これによって、生厚み値の持つ統計的
ばらつきの影響を低減することができる。また、厚みの
計測においては、統計的ばらつきとは別に、エッチング
液面からの光強度ピークが検出されないなどの計測エラ
ーによるばらつきを生じる場合がある。これに対して、
厚み変化直線の決定に用いる生厚み値を所定の許容数値
範囲内の生厚み値に限定することによって、計測エラー
を生じた生厚み値を除外して、エラーばらつきの影響を
低減することができる。
【００１３】さらに、規定時間経過後、最初に厚み変化
直線を決定するときに、データ選別のためのフィッティ
ング計算と、厚み変化直線の決定のためのフィッティン
グ計算とによる生厚み値データの統計処理を実行してい
る。ここで、この規定時間経過後１回目の計測時刻での
統計処理によって選別される生厚み値と、決定される厚
み変化直線とは、２回目以降の計測時刻においては、そ
れぞれでの統計処理の初期条件となる。
【００１４】したがって、上記のようにデータ選別のた
めの予備的な直線近似計算を行って、選別用の厚み変化
直線及び選別数値範囲を用いて計測エラーを生じた生厚
み値を無効として統計処理から除外した後に、再び直線
近似計算を含む統計処理を行って厚み変化直線及び許容
数値範囲を設定する構成とすることによって、規定時間
経過後の各計測時刻において、エラーばらつきなどの影
響を効率的に低減することが可能となる。なお、選別用
の厚み変化直線を用いたデータ選別計算については、１
回に限らず、複数回繰り返し行って、計測エラーを生じ
た生厚み値などの余分な生厚み値データの除外を、さら
に確実に行っても良い。
【００１５】また、統計厚み値算出手段は、最初の計測
時刻から規定時間が経過した後の２回目以降の計測時刻
のそれぞれにおいて、その計測時刻で算出された生厚み
値が、前回の計測時刻で決定された厚み変化直線から許
容数値範囲の範囲内または範囲外にあるかによって、そ
の生厚み値の有効または無効を判定するとともに、生厚
み値が許容数値範囲内にあって有効とされた場合には、
その生厚み値を含む有効な複数の生厚み値の時間変化に
対して、直線近似計算による厚み変化直線の決定を行っ
て、厚み変化直線から統計厚み値を算出し、生厚み値が
許容数値範囲外にあって無効とされた場合には、前回の
計測時刻で決定された厚み変化直線を、そのまま今回の
厚み変化直線に決定して、厚み変化直線から統計厚み値
を算出することを特徴とする。
【００１６】このように、前回の厚み変化直線及び許容
数値範囲から生厚み値を用いるか除外するかを判定し、
許容数値範囲内にあるときのみ新たな直線近似計算を行
うことによって、２回目以降での厚み変化直線の決定及
び統計厚み値の算出を効率的に実行することができる。
【００１７】各数値範囲の設定については、統計厚み値
算出手段は、最初の計測時刻から規定時間が経過した後
の１回目の計測時刻において、許容数値範囲を、選別数
値範囲よりも狭い数値範囲に設定することが好ましい。
【００１８】選別数値範囲を適用したデータ選別後に有
効となっている生厚み値では、計測エラーを生じた生厚
み値等が除外されているために、その厚み値のばらつき
が小さくなっている。したがって、生厚み値のデータ選
別後に設定される許容数値範囲を、データ選別に用いた
選別数値範囲よりも狭い数値範囲とすることによって、
直線近似計算に用いる生厚み値として好適な数値範囲を
設定することができる。
【００１９】また、統計厚み値算出手段は、最初の計測
時刻から規定時間が経過した後の１回目の計測時刻にお
いて、選別数値範囲を、選別の対象となっている生厚み
値の選別用の厚み変化直線からのばらつき値と、あらか
じめ決められた選別定数とに基づいて設定するととも
に、許容数値範囲を、選別後に有効とされている生厚み
値の厚み変化直線からのばらつき値と、あらかじめ決め
られた許容定数とに基づいて設定することを特徴とす
る。
【００２０】これによって、選別数値範囲及び許容数値
範囲に対して生厚み値の統計的ばらつきを反映させるこ
とができ、厚み計測で実際に得られている生厚み値のデ
ータに適した数値範囲を設定することが可能となる。
【００２１】また、統計厚み値算出手段は、計測時刻の
それぞれにおいて、光強度ピークの数が３本未満であっ
た場合に、その生厚み値を無効とすることを特徴として
も良い。
【００２２】これによって、エッチング液面からの光強
度ピークが検出されないなどの計測エラーの影響を、統
計処理前のデータ処理の段階でも除外することができ
る。
【００２３】また、統計厚み値算出手段は、最初の計測
時刻から規定時間が経過した後の２回目以降の計測時刻
のそれぞれにおいて、その計測時刻から規定時間の範囲
外にある生厚み値を無効とすることを特徴とする。
【００２４】ウエットエッチングのエッチングレート
は、各エッチング工程において時間経過とともに変化し
てしまう場合がある。これに対して、２回目以降の直線
近似計算においても、最初の直線近似計算と同様の規定
時間を、厚み変化直線の決定に用いる生厚み値の時間範
囲とすることによって、厚み変化直線を決定するための
充分な生厚み値データの統計点数を確保しつつ、規定時
間以上前の生厚み値を直線近似計算から除外して、エッ
チングレートの変化などに対応することが可能となる。
【００２５】また、本発明によるウエットエッチング装
置は、上記した厚み計測装置を備えるウエットエッチン
グ装置であって、ウエットエッチングの対象となる半導
体ウエハのエッチング面に、エッチング液を供給するエ
ッチング液供給手段と、エッチング液供給手段によるエ
ッチング液の供給を制御するエッチング制御手段とを備
えることを特徴とする。
【００２６】また、本発明によるウエットエッチング方
法は、上記した厚み計測装置を用いたウエットエッチン
グ方法であって、ウエットエッチングの対象となる半導
体ウエハのエッチング面に、エッチング液を供給してウ
エットエッチングを開始するエッチング開始ステップ
と、エッチング開始ステップで開始されたウエットエッ
チングの実行中に、時間間隔をおいた複数の計測時刻の
それぞれに、厚み計測装置を用いて半導体ウエハの厚み
を計測する厚み計測ステップと、エッチング液の供給を
停止してウエットエッチングを終了するエッチング終了
ステップとを有することを特徴とする。
【００２７】このようなウエットエッチング装置及び方
法によれば、上記した厚み計測装置を用いてウエットエ
ッチング中の半導体ウエハに対して得られた厚み変化直
線及び統計厚み値に基づいて、エッチング制御手段を介
して、エッチング液の供給の停止によるウエットエッチ
ングの終了、あるいはエッチングレートの変更などを適
宜制御することが可能である。
【００２８】また、ウエットエッチング装置は、厚み計
測装置の統計厚み値算出手段が、決定された厚み変化直
線から、あらかじめ設定された終点厚みに基づいてウエ
ットエッチングの終了時刻を求めて、終了時刻を指示す
る終了指示信号を出力し、エッチング制御手段は、終了
指示信号に基づいて、エッチング液供給手段によるエッ
チング液の供給を停止させることを特徴とする。
【００２９】エッチングの終了時刻としては、例えば、
厚み変化直線などから操作者が判断してエッチング制御
手段に指示することも可能であるが、上記のように統計
厚み値算出手段からの終了指示信号によってエッチング
を終了させる構成とすることによって、設定された終点
厚みが得られるように自動的にエッチングの終了が制御
されるウエットエッチング装置が実現される。
【００３０】また、ウエットエッチング方法は、厚み計
測ステップで決定された厚み変化直線から、あらかじめ
設定された終点厚みに基づいてウエットエッチングの終
了時刻を求める終了時刻算出ステップをさらに有し、エ
ッチング終了ステップにおいて、終了時刻算出ステップ
で求められた終了時刻に基づいてエッチング液の供給を
停止することを特徴とする。
【００３１】このように、厚み計測装置で求められた厚
み変化直線に基づいて終了時刻を求めることによって、
ウエットエッチングの終了後に得られる半導体ウエハの
厚みにおいて、設定されている終点厚みからのばらつき
を抑制することができ、半導体装置製造の効率化と歩留
まりの向上を実現することができる。
【００３２】終了時刻を求める方法については、終了時
刻算出ステップにおいて、厚み変化直線から算出された
統計厚み値が終点厚み以下となった計測時刻を終了時刻
とする構成が可能である。
【００３３】あるいは、終了時刻算出ステップにおい
て、厚み変化直線を用いて終了時刻を予測する構成が可
能である。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装
置、ウエットエッチング方法の好適な実施形態について
詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素
には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、
図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していな
い。
【００３５】最初に、本発明による厚み計測装置及びウ
エットエッチング装置の構成について説明する。図１
は、厚み計測装置、及びそれを備えるウエットエッチン
グ装置の一実施形態を示す構成図である。このウエット
エッチング装置は、厚み計測装置Ａと、厚み計測装置Ａ
を除く通常のウエットエッチング装置Ｂ（以下、この装
置部分を単にウエットエッチング装置Ｂという）とを備
えて構成されている。
【００３６】厚み計測装置Ａは、計測対象である半導体
ウエハＷに計測光を照射し、半導体ウエハＷからの反射
光及び参照光の干渉光の光強度変化を利用して半導体ウ
エハＷの厚みを計測するように構成された非接触式の厚
み計である。厚み計測に用いる計測光は、所定の時間間
隔をおいた複数の計測時刻のそれぞれにおいて、計測光
源１１によって供給され、計測光源１１から出力された
計測光は、入力用光ファイバ１１ａを介してファイバカ
プラからなる光カプラ１２に入力される。計測光源１１
としては、低コヒーレンス光源（例えば波長１．３μｍ
の光を発生させるＳＬＤなど）を用いることが好まし
い。計測光の波長としては、半導体ウエハＷやエッチン
グ液などを充分に透過する波長を選択する。
【００３７】光カプラ１２は、計測光源１１からの計測
光を分岐させる光分岐手段として機能し、光カプラ１２
に入力された計測光は、計測用光路に向かう計測用光フ
ァイバ１３ａ、及び参照用光路に向かう参照用光ファイ
バ１４ａに分岐される。分岐された計測光は、それぞれ
厚みを計測するためのプローブヘッド１３、及び参照光
を生成するための参照光生成部１４に入力される。
【００３８】プローブヘッド１３は、計測光を半導体ウ
エハＷへと照射するための光出力手段、及び半導体ウエ
ハＷまたはエッチング液などによって計測光が反射され
た反射光を再び入力するための光入力手段として機能す
る光入出力手段である。光カプラ１２で分岐された光の
うち、光ファイバ１３ａ側に分岐された計測光は、プロ
ーブヘッド１３から半導体ウエハＷへと出力され、半導
体ウエハＷに対して上面側のエッチング面から照射され
る。この計測光には、上記したように半導体ウエハＷな
どを充分に透過する波長の光が用いられているが、その
一部は各界面において反射されて、その反射光が再びプ
ローブヘッド１３に到達する。プローブヘッド１３に到
達して再入力された反射光は、光ファイバ１３ａを介し
て光カプラ１２に入力される。
【００３９】一方、参照光生成部１４においては、半導
体ウエハＷなどからの反射光との干渉光によって厚み
（光路長）を測定するための参照光が生成される。光カ
プラ１２で光ファイバ１４ａ側に分岐された計測光は、
光ファイバ１４ａの出力端と、反射ミラー１４ｃとの間
に配置された光路長変調光学系からなる参照用光路１４
ｂを通過して、半導体ウエハＷなどからの反射光の光路
長（反射光路長）に対する参照光の光路長（参照光路
長）が設定された参照光となる。
【００４０】本実施形態においては、光ファイバ１４ａ
の出力端から出力された計測光は、平行平面ガラス基板
１４ｄを透過し、反射ミラー１４ｃに到達して反射され
る。反射ミラー１４ｃからの反射光は、再びガラス基板
１４ｄを逆方向に透過して、適当な参照光路長が設定さ
れた参照光として、光ファイバ１４ａを介して光カプラ
１２に入力される。
【００４１】上記の参照光生成部１４は、参照用光路１
４ｂの光路長が可変に構成されている。すなわち、参照
用光路１４ｂ上にあるガラス基板１４ｄは、ガルバノメ
ータ１４ｅに取り付けられている。ガルバノメータ１４
ｅは、参照光路長制御部１７からの周期的な信号に基づ
いて動作し、これによって、参照用光路１４ｂに対する
ガラス基板１４ｄの傾きが周期的に変化する。このと
き、参照用光路１４ｂの方向で見たガラス基板１４ｄの
厚さが変化するので、これによって、参照用光路１４ｂ
の光路長が周期的に変化して、反射光路長に対する参照
光路長（反射光に対する参照光のタイミング）が周期的
にスキャンされる。
【００４２】光カプラ１２は、上記したように計測光源
１１からの計測光を分岐させる光分岐手段であるととも
に、プローブヘッド１３からの反射光、及び参照光生成
部１４からの参照光を結合させる光結合手段としても機
能する。半導体ウエハＷなどで反射されてプローブヘッ
ド１３に戻って入力された反射光、及び参照光生成部１
４において参照光路長が設定された参照光は、光カプラ
１２で結合されて干渉光となり、出力用光ファイバ１５
ａを介してフォトダイオード（ＰＤ）などの光検出器１
５に入力されて検出される。
【００４３】計測時刻のそれぞれにおいて、光検出器１
５で検出された干渉光のデータ等は、厚み算出部１６に
おいて処理され、それらのデータに基づいて半導体ウエ
ハＷの厚みが算出される。光検出器１５によって干渉光
を検出して得られた検出信号は、厚み算出部１６の信号
処理回路１６ａを介して生厚み値算出部１６ｂに入力さ
れる。この光検出器１５からの検出信号によって、干渉
光の光強度のデータが得られる。また、参照光路長制御
部１７からのガルバノメータ１４ｅ（ガラス基板１４
ｄ）の角度信号も、同様に信号処理回路１６ａを介して
生厚み値算出部１６ｂに入力されている。この角度信号
から、参照用光路１４ｂにおける参照光路長、またはそ
の光路長変化量のデータが得られる。
【００４４】生厚み値算出部１６ｂにおいては、これら
の光強度データ、及び参照光路長データから、干渉光の
光強度の参照光路長による変化（相関）を示す光強度分
布が作成される。そして、得られた光強度分布におい
て、そのピーク強度が設定されている閾値強度を超える
ものとして複数の光強度ピークが特定され、それらの光
強度ピークから選択された２本の光強度ピークを用い
て、半導体ウエハＷの生厚み値が算出される。
【００４５】生厚み値算出部１６ｂで算出された生厚み
値は、さらに、統計厚み値算出部１６ｃに入力される。
統計厚み値算出部１６ｃにおいては、複数の生厚み値の
時間変化に対して、直線近似計算によって厚み変化直線
が決定されて、統計厚み値が算出される。なお、半導体
ウエハＷなどからの反射光、それに対応して生成される
光強度分布の光強度ピーク、及び生厚み値、統計厚み値
の算出方法の詳細については、後述する。
【００４６】ウエットエッチング装置Ｂは、エッチング
処理の対象（厚み計測装置Ａの計測対象）である半導体
ウエハＷの一方の表面（以下、エッチング面という）
を、エッチング液によってウエットエッチングするよう
に構成されている。半導体ウエハＷは、エッチング面と
は反対の面側に配置されたガラス基板などからなる保持
基板２１によって保持された状態で、回転台２２上に固
定される。回転台２２は、回転駆動部２３によって回転
駆動され、これによって、ウエットエッチング中に半導
体ウエハＷが回転される。半導体ウエハＷがパターン付
である場合には、パターンのある面が保持基板２１側と
され、パターンとは反対側の面をエッチング面としてウ
エットエッチングが行われる。
【００４７】半導体ウエハＷのエッチング面へのエッチ
ング液の供給は、エッチング液供給部２４によって行わ
れる。エッチング液供給部２４は、半導体ウエハＷに対
するエッチング液の供給及び停止、または洗浄水の供給
などを行う。このエッチング液供給部２４によって、回
転している半導体ウエハＷのエッチング面にノズル２４
ａからエッチング液が供給されると、供給されたエッチ
ング液は半導体ウエハＷの表面上で薄いエッチング液層
Ｅを形成し、このエッチング液層Ｅによって、半導体ウ
エハＷの表面がウエットエッチングされる。
【００４８】回転台２２及び回転台２２上に載置された
保持基板２１、半導体ウエハＷの回転駆動部２３による
回転と、エッチング液供給部２４による半導体ウエハＷ
のエッチング面へのエッチング液または洗浄液の供給及
び停止は、エッチング制御部２５によって制御される。
【００４９】厚み計測装置Ａのプローブヘッド１３は、
回転台２２上に保持基板２１とともに載置された半導体
ウエハＷのエッチング面の所定部位に対向する位置に、
エッチング面に向けて照射される計測光の光路がエッチ
ング面に対して略垂直になるように設置される。このと
き、垂直に照射された計測光が半導体ウエハＷなどによ
って反射された反射光が、効率的にプローブヘッド１３
に再入力される。なお、飛散したエッチング液によるレ
ンズ等の腐食を防止するため、プローブヘッド１３には
エッチング液に耐性のある塩化ビニルなどの透明シート
を保護膜として設けておくことが好ましい。または、プ
ローブヘッド１３の先端に円筒を取り付け、その内部を
加圧することによってエッチング液の付着を防いでも良
い。
【００５０】ここで、厚み計測装置Ａ及びウエットエッ
チング装置Ｂからなる図１のウエットエッチング装置を
用いた半導体ウエハＷのウエットエッチング方法につい
て、一例をあげて説明しておく。
【００５１】まず、保持基板２１に保持された半導体ウ
エハＷを、回転台２２上に載置する。そして、エッチン
グ制御部２５からの指示信号に基づいて回転台２２の回
転駆動が開始される。続いて、エッチング液供給部２４
に対して半導体ウエハＷのエッチング面へのエッチング
液の供給が指示されて、半導体ウエハＷのウエットエッ
チングが開始される（エッチング開始ステップ）。
【００５２】ウエットエッチングが開始されたら、厚み
計測装置Ａによって半導体ウエハＷの厚みが計測される
（厚み計測ステップ）。厚み計測は、操作者から所定の
時間間隔で指示された計測時刻により、または設定され
ている時間間隔の計測時刻で自動的に行われて、それぞ
れ生厚み値が算出される。また、規定時間が経過して充
分な回数の厚み計測が実行された以降の厚み計測では、
各計測時刻で算出された生厚み値から、厚みの時間変化
を示す厚み変化直線、及び統計処理がされた統計厚み値
が算出される。
【００５３】そして、これらの厚み変化直線及び統計厚
み値から、実行中のウエットエッチング工程における半
導体ウエハＷの厚み及びその時間変化が評価される。厚
みの評価については、例えば厚み計測装置Ａの厚み算出
部１６において自動的に評価を行うことが可能である。
または、厚み算出部１６に表示装置（ディスプレイ）を
接続しておき、この表示装置に厚みデータを表示させ
て、表示されたデータに基づいて操作者が評価する構成
としても良い。
【００５４】ウエットエッチングの終了時刻となった
ら、エッチング制御部２５からの指示信号によって、エ
ッチング液供給部２４によるエッチング液の供給が停止
される。続いて、所定時間にわたって洗浄水が半導体ウ
エハＷのエッチング面に供給されて、半導体ウエハＷが
洗浄される。洗浄水の供給を停止して半導体ウエハＷの
洗浄が終了した後、さらに所定時間、回転台２２を回転
駆動して半導体ウエハＷのエッチング面から洗浄水を除
去する。そして、洗浄水の除去が終了したら、回転駆動
部２３による回転台２２の回転が停止されて、半導体ウ
エハＷのウエットエッチングの全工程を終了する（エッ
チング終了ステップ）。
【００５５】このとき、ウエットエッチングの終了時刻
としては、あらかじめ与えられたエッチング時間やエッ
チングレートのデータに基づいて決定しても良いが、厚
み計測装置Ａによって計測された生厚み値のデータから
得られた厚み変化直線から、設定されている終点厚みに
なる終了時刻を算出して用いることが好ましい（終了時
刻算出ステップ）。
【００５６】この終了時刻の算出については、統計厚み
値算出部１６ｃで自動的に求める構成としても良いし、
表示装置に表示されたデータから操作者が判断すること
も可能である。なお、統計厚み値算出部１６ｃにおいて
終了時刻が求められる場合には、終了時刻を指示する終
了指示信号を厚み算出部１６の統計厚み値算出部１６ｃ
から出力し、その終了指示信号に基づいてエッチング制
御部２５がウエットエッチングの終了制御を行う構成と
することができる。
【００５７】各計測時刻での半導体ウエハＷの生厚み値
の、厚み計測装置Ａによる計測及び算出方法について具
体的に説明する。図２は、図１に示したウエットエッチ
ング装置における半導体ウエハＷの厚みの計測方法につ
いて模式的に示した図であり、図２（ａ）は、半導体ウ
エハＷへの計測光の照射、及びプローブヘッド１３への
反射光の再入力について示す断面図、図２（ｂ）は、光
検出器１５において得られる干渉光の光強度分布を示す
グラフである。なお、図２（ａ）においては、図の見易
さのため、半導体ウエハＷに照射される計測光の光路、
及びプローブヘッド１３への反射光の光路を、それぞれ
位置をずらして示してある。
【００５８】光カプラ１２で分岐されてプローブヘッド
１３から出力された計測光Ｌ０は、エッチング液層Ｅ、
半導体ウエハＷ、及び保持基板２１を順次透過していく
とともに、それらの隣接する層の各界面において計測光
Ｌ０の一部がそれぞれ反射される。すなわち、エッチン
グ液層Ｅの表面から反射光Ｌ１が、半導体ウエハＷの上
面から反射光Ｌ２が、半導体ウエハＷの下面から反射光
Ｌ３が、また、保持基板２１の下面から反射光Ｌ４がそ
れぞれ反射され、プローブヘッド１３へと戻って再入力
される。
【００５９】再入力された反射光Ｌ１〜Ｌ４は、図２
（ａ）に示されているように反射された界面によってそ
れぞれ異なる反射光路長を通過しており、プローブヘッ
ド１３から光カプラ１２を介して光検出器１５に入力さ
れるタイミングが異なる。これに対して、参照光生成部
１４において参照用光路１４ｂの光路長を上述したよう
に周期的に変化させて、参照光路長（参照光の反射光に
対するタイミング）をスキャンする。このとき、光カプ
ラ１２から反射光Ｌ１〜Ｌ４が反射された各界面までの
光路長と、光カプラ１２から反射ミラー１４ｃまでの光
路長とが一致すると、光路長及びタイミングが一致した
反射光と参照光とが干渉によって強め合い、光検出器１
５において大きい光強度の干渉光が検出される。
【００６０】このように光路長をスキャンして得られる
参照光路長（光路長変化量）と干渉光強度の相関を示す
光強度分布を、図２（ａ）の断面図と対応させて図２
（ｂ）に示す。このグラフにおいて、一方の軸はスキャ
ンされた参照用光路１４ｂの光路長変化量、他方の軸は
光検出器１５によって検出された干渉光の光強度を示し
ている。なお、参照光路長（光路長変化量）及び光路長
差は、エッチング液層Ｅ、半導体ウエハＷ、及び保持基
板２１のそれぞれにおける屈折率の違いによって必ずし
もそれぞれの厚みにはそのままは対応しないが、図２に
おいては、説明のために屈折率の違いがないものとし
て、断面図及びグラフを対応させて図示している。
【００６１】このグラフに示されているように、光路長
変化量を小さい方から大きくする（参照光路長を大きく
する）方向にスキャンしていくと、エッチング液層Ｅ表
面からの反射光Ｌ１に対応する光強度ピークＰ１（液面
ピークＰ１）、半導体ウエハＷの上面（エッチング面）
からの反射光Ｌ２に対応する光強度ピークＰ２（ウエハ
上面ピークＰ２）、半導体ウエハＷの下面からの反射光
Ｌ３に対応する光強度ピークＰ３（ウエハ下面ピークＰ
３）、及び保持基板２１の下面からの反射光Ｌ４に対応
する光強度ピークＰ４（基板下面ピークＰ４）が順次得
られる。
【００６２】これらの光強度ピークＰ１〜Ｐ４は、光強
度分布に対して適当な光強度の閾値（スレッショルド）
を設定しておき、ノイズ信号による小さい光強度ピーク
などの余分なピークを除外して特定される。図２（ｂ）
においては、そのような閾値強度として、光強度Ｐｔを
点線で示してある。
【００６３】また、光強度ピークがスキャンされる光路
長範囲は、参照光生成部１４における参照用光路１４ｂ
での光路長のスキャン範囲によって設定することができ
るが、必要があれば、さらにスキャンされた光路長範囲
から光強度ピークの特定に用いる光路長範囲を選択して
設定しても良い。このような光路長範囲の選択は、厚み
算出部１６にあらかじめ与えておいても良いし、また
は、厚み算出部１６に接続された表示装置に表示された
光強度分布から、操作者がマウスカーソルの操作などに
よって選択して指示することも可能である。
【００６４】厚み計測においては、得られた光強度分布
に対して、上記した閾値光強度の条件、あるいはさらに
光路長範囲の条件等を適用して、複数の光強度ピークを
特定する。そして、それらの光強度ピークから、所定の
選択基準でウエハ上面及び下面からの反射光に対応する
２本の光強度ピークを選択する。
【００６５】ここで、上記した光強度ピークＰ１〜Ｐ４
については、それぞれの光強度比等は半導体ウエハＷや
エッチング液層Ｅなどの状態によって変化するが、その
光路長変化量に対する順番は変化しない。例えば、エッ
チング液層Ｅの状態はノズル２４ａから流出されている
エッチング液のエッチング面上での流れ方によって変化
するが、このとき、計測光の光路に対するエッチング液
層Ｅ表面の角度が変わるので、エッチング液層Ｅ表面か
らプローブヘッド１３に到達する反射光Ｌ１の光強度も
変化する。また、半導体ウエハＷとして用いられている
物質（Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｄｏｐｅｄ Ｓｉなど）や、保
持基板２１の材質などによっても光強度比は異なってく
る。
【００６６】一方で、光路長については、上記のように
光強度などの状態が変化した場合でも、光強度ピークＰ
１〜Ｐ４の光路長に対する順番は変わらない。したがっ
て、得られた複数の光強度ピークに対して、光強度ピー
クの順番などを選択基準に用いて２本の光強度ピークを
選択することによって、ウエハ上面及び下面に対応する
光強度ピークＰ２、Ｐ３を選択することができる。
【００６７】そして、図２（ｂ）に示す光強度分布にお
いて、参照光路長が小さい方から２番目の光強度ピーク
Ｐ２と、３番目の光強度ピークＰ３との間の光路長差
は、半導体ウエハＷの上面から下面までの光路長差に相
当している。したがって、この２本の光強度ピークＰ
２、Ｐ３の間の光路長差から、半導体ウエハＷの厚みの
生厚み値を算出することができる。
【００６８】特に、１つの光強度ピークに対する光路長
とその時間変化を計測するのではなく、上記のように２
本の光強度ピークＰ２、Ｐ３を用いる計測方法によっ
て、半導体ウエハＷの厚みをより直接的に正しく計測で
きる。さらに、半導体ウエハＷのエッチング面上にエッ
チング液が流れているウエットエッチングの実行中での
厚み計測が、エッチング液の存在にかかわらず可能とな
る。
【００６９】上記した光強度ピークＰ２、Ｐ３の光路長
差は、半導体ウエハＷの光学的厚みに相当する。したが
って、最終的な生厚み値は、得られた光路長差を半導体
ウエハの屈折率で割ることによって求められる。この生
厚み値の算出に用いられる半導体ウエハＷの屈折率の値
は、屈折率が既知のものであれば、その値を用いれば良
い。また、必要があれば、マイクロゲージや顕微鏡など
を用いた他の方法で厚みが計測されたウエハであらかじ
め屈折率を測定しておき、その値を用いることが好まし
い。
【００７０】ウエハ上面及び下面に対応する２本の光強
度ピークＰ２、Ｐ３を選択するための所定の選択基準と
しては、具体的にはいくつかの選択方法が適用可能であ
る。例えば、生厚み値の算出に用いる光路長範囲を範囲
Ｒ１またはＲ２（図２（ｂ））に設定するとともに、上
から２番目及び３番目の光強度ピークを選択する方法が
ある。あるいは、光路長範囲を範囲Ｒ１（範囲Ｒ２）に
設定するとともに、下から１番目及び２番目（下から２
番目及び３番目）を選択する方法がある。
【００７１】なお、基板下面に対応する光強度ピークＰ
４については、保持基板２１の厚み等によって、光路長
が長くなって反射光Ｌ４が充分な強度で検出されないこ
とがある。このような場合には、安定して光強度ピーク
の特定を行うため、光強度ピークＰ４が検出される光路
長範囲が除外された光路長範囲Ｒ１を、光強度ピークの
選択のために設定することが好ましい。また、保持基板
２１が用いられていない場合にも、同様に光路長範囲Ｒ
１が設定される。
【００７２】以上により、ウエットエッチングの実行中
において半導体ウエハＷの厚みの計測が可能な非接触式
の厚み計測装置、及びそれを備えるウエットエッチング
装置、ウエットエッチング方法が得られる。
【００７３】なお、エッチング液層Ｅの状態は上記した
ように変化し、その厚みも表面の角度と同様に時間とと
もに変動する。これによって、光強度ピークＰ１、Ｐ２
の光路長差が変化するが、このとき、光強度ピークＰ１
のピーク位置がシフトするだけでなく、エッチング液層
Ｅが持つ屈折率のため、プローブヘッド１３から半導体
ウエハＷまでの光路長が変化する。したがって、光強度
ピークＰ２、Ｐ３なども同様にそのピーク位置がシフト
する。この場合においても、半導体ウエハＷの上面より
も下方（半導体ウエハＷ及び保持基板２１）に相当する
光強度分布は全体として同じだけシフトするので、光強
度ピークＰ２、Ｐ３の光路長差などの各光路長差は、ピ
ーク位置のシフトには影響されない。
【００７４】また、半導体ウエハＷのエッチング面とは
反対の面にパターンが付いている場合には、パターンよ
りも計測光のビーム径が小さければ各パターン部位での
厚みが、また、パターンよりもビーム径が大きければビ
ーム範囲内での平均的な厚みが求められる。また、図１
に示したウエットエッチング装置では、エッチング中に
は半導体ウエハＷが回転されているため、この場合、厚
み計測では平均的な厚みを計測することになる。
【００７５】上記した厚みの計測方法及び生厚み値の算
出方法によって得られた生厚み値のデータに対する統計
処理等について説明する。所定の時間間隔をおいた複数
の計測時刻のそれぞれでの厚み計測で算出された半導体
ウエハＷの厚みの値（生厚み値）は、（１）統計的なば
らつき（統計ばらつき）、及び（２）計測エラーによる
ばらつき（エラーばらつき）の２つの原因による値のば
らつきを有する。このうち、（１）統計ばらつきは正し
く行われた厚み計測においても必然的に生じるものであ
り、この生厚み値のばらつきはデータとして許容される
範囲である。
【００７６】一方、（２）エラーばらつきは、例えば次
のような原因によって発生する。すなわち、エッチング
液層Ｅ表面の計測光に対する角度は、上記したようにエ
ッチング液の流れ方によって変化し、それによってエッ
チング液層Ｅの表面からの反射光Ｌ１の光強度が変化す
る。特に、その表面の波立ちによって液面の傾きが大き
くなってくると、反射光Ｌ１の計測光に対する角度が大
きくなって、プローブヘッド１３に入力されなくなる。
【００７７】このとき、図２（ｂ）の光強度分布におい
て、液面ピークＰ１の光強度が閾値Ｐｔよりも小さくな
って、光強度ピークとして特定されない。また、計測条
件によっては、ウエハ上面ピークＰ２、ウエハ下面ピー
クＰ３についても、同様に光強度ピークとして特定され
ないことがあり得る。
【００７８】このような場合には、各光強度ピークが各
面に誤って割り当てられることとなるので、生厚み値が
誤って算出される。例えば、光路長範囲Ｒ２で上から２
番目及び３番目の光強度ピークを選択する場合には、保
持基板２１の厚みが生厚み値として算出される計測エラ
ーが生じる。また、光路長範囲Ｒ１で下から１番目及び
２番目の光強度ピークを選択する場合には、エッチング
液層Ｅの厚み、またはエッチング液層Ｅ及び半導体ウエ
ハＷを合わせた厚みが生厚み値として算出される計測エ
ラーが生じる。また、各光強度ピークＰ１〜Ｐ４の間に
閾値レベルＰｔを超えるノイズ信号によるピークが発生
した場合にも、そのノイズピークが上記した光強度ピー
クとされてしまい、誤った厚みが求められる。
【００７９】これらの統計ばらつき及びエラーばらつき
による生厚み値のばらつきに対して、図１に示したウエ
ットエッチング装置における厚み計測方法及びウエット
エッチング方法では、以下に述べるように、生厚み値の
データに対する許容範囲の適用によるデータ選択と、選
択された生厚み値のデータに対して直線近似計算を行う
ことによる厚み変化直線の決定とによって、それぞれの
値ばらつきの影響を除去または低減している。すなわ
ち、生厚み値データの選択によってエラーばらつきの影
響を除去するとともに、直線近似計算によって統計ばら
つきの影響を低減している。
【００８０】以下、計測時刻のそれぞれで算出された生
厚み値からの厚み変化直線の決定方法、統計厚み値の算
出方法、及びウエットエッチングの終了時刻の決定方法
について具体的に説明する。図３は、図１に示したウエ
ットエッチング装置における厚み計測方法及びウエット
エッチング方法の一実施形態を示すフローチャートであ
る。
【００８１】本ウエットエッチング装置においては、ウ
エットエッチング装置Ｂで半導体ウエハＷに対するウエ
ットエッチングが開始されたら、所定の時間間隔をおい
た複数の計測時刻ｔのそれぞれで、厚み計測が行われる
（ステップＳ１０１）。計測時刻を指示する時間間隔と
しては、例えば、全体のエッチング時間１〜２分に対し
て５Ｈｚの時間間隔など、エッチング時間やエッチング
レートに応じて適宜設定して、その各計測時刻で自動的
に厚み計測を実行することが好ましい。また、エッチン
グ時間の全体に対して一定の時間間隔でも良いし、異な
る時間間隔としても良い。
【００８２】計測光源１１から計測光が供給されて、厚
み計測が実行されたら、光検出器１５及び参照光路長制
御部１７からの各データが、厚み算出部１６の信号処理
回路１６ａを介して生厚み値算出部１６ｂに入力され
る。
【００８３】次に、生厚み値算出部１６ｂにおいて、光
強度分布（図２参照）が作成されるとともに、選択され
た２本の光強度ピークを用いて、その計測時刻ｔにおけ
る生厚み値ＲＴｈ（ｔ）が算出される（Ｓ１０２）。こ
こで、光強度分布で特定された光強度ピークが２本未満
の場合は、生厚み値を算出できないので、ＲＴｈ（ｔ）
＝０μｍとして、その生厚み値を無効とする。
【００８４】さらに、算出された生厚み値に対して、特
定された光強度ピークのピーク数による分類がＯＮにな
っているかどうかを判断し（Ｓ１０３）、ＯＮの場合の
み、ピーク数による分類を行う（Ｓ１０４）。このピー
ク数による分類では、算出された生厚み値ＲＴｈ（ｔ）
のデータのうち、光強度分布に対して設定された光路長
範囲内で閾値より大きい光強度を有するピークとして特
定された光強度ピークの数が３本未満であった場合に、
その生厚み値を無効とする。
【００８５】特定されたピーク数が３本未満である場合
のデータは、液面、ウエハ上面、及びウエハ下面の光強
度ピークＰ１、Ｐ２、及びＰ３のうちのいずれかが検出
されない計測エラーが発生した場合に相当し、誤った生
厚み値が得られている可能性が高いデータである。した
がって、上記したピーク数による分類を行うことによっ
て、計測エラーを伴う生厚み値の少なくとも一部を除外
して、エラーばらつきの影響を低減することができる。
このようなピーク数による分類は、液層Ｅ及びウエハＷ
の厚みが同程度で、後述する選別数値範囲や許容数値範
囲の適用によっては計測エラー発生の判定が難しい場合
に、特に効果がある。
【００８６】ただし、ウエハＷの厚みが液層Ｅよりも充
分に厚いときなど、後述するデータ選別などの統計処理
で充分な効果が得られる場合には、このようなピーク数
による分類は行わなくても良い。この場合、光強度ピー
クの数が２本未満で、生厚み値の算出が不可能なデータ
以外の生厚み値は、すべて有効とされる。
【００８７】次に、最初の計測時刻から経過した時間が
規定時間以上となったかどうかを判断し（Ｓ１０５）、
規定時間未満であれば、厚み計測の実行及び生厚み値の
算出を繰り返す。一方、規定時間に到達していれば、生
厚み値に対する統計処理を開始する。この規定時間は、
半導体ウエハＷの厚み評価に充分な生厚み値データの統
計点数が得られたかどうかを判断するための時間であ
り、最初の計測時刻からの経過時間（時間幅）によって
指定しておくことが好ましい。あるいは、厚み計測が行
われた統計点数によって規定時間を指定することも可能
である。以下においては、規定時間を統計点数によらず
時間幅によって指定することとし、最初の計測時刻から
の時間幅Ｔｃを規定時間とする。
【００８８】厚み計測の開始からの時間が規定時間Ｔｃ
に到達していると判断されたら、続いて、生厚み値に対
する許容数値範囲が設定済みであるかどうかを判断する
（Ｓ１０６）。許容数値範囲が設定されていなければ、
最初の計測時刻から規定時間Ｔｃが経過した後の１回目
の計測時刻であるので、許容数値範囲の設定を実行す
る。
【００８９】上記した１回目の計測時刻での許容数値範
囲の設定方法（Ｓ１０７〜Ｓ１０９）について、図４〜
図７に模式的に示すグラフを参照しつつ説明する。ここ
で、以下に示す図４〜図９のグラフにおいては、それぞ
れ横軸はエッチング時間ｔ（＝計測時刻ｔ）を示し、縦
軸は各時刻での半導体ウエハＷの厚みＴｈを示してい
る。
【００９０】また、各グラフ中に示す計測時刻ｔのそれ
ぞれで算出された生厚み値ＲＴｈ（ｔ）については、そ
れぞれのグラフの段階で有効となっているものを黒丸で
図示している。一方、無効となっているものについて
は、白丸で図示するか、あるいはグラフの見易さのため
図示を省略している。また、ウエットエッチングの目標
としてあらかじめ設定された半導体ウエハＷの終点厚み
Ｔｈ０を、それぞれ横軸に平行な点線によって示してあ
る。
【００９１】図４は、ｔｎ＝Ｔｃとなって規定時間Ｔｃ
に到達した１回目の計測時刻ｔｎに対して、その計測時
刻ｔｎまでに計測及び算出が行われた生厚み値の分布及
び時間変化の一例を示すグラフである。各計測時刻での
生厚み値のデータのうち、ＲＴｈ（ｔ）＝０μｍとなっ
ている３データ点の生厚み値は、特定された光強度ピー
クが２本未満で無効とされているデータ（白丸）であ
る。許容数値範囲の設定は、それ以外の有効とされてい
るデータ（黒丸）を用いて実行される。
【００９２】図４に黒丸で示された有効な生厚み値ＲＴ
ｈ（ｔ）の時間変化に対して、図５に示すように、１回
目のデータ選別計算を行う（Ｓ１０７）。まず、それら
の生厚み値ＲＴｈ（ｔ）のデータに対して直線近似計算
（例えば最小二乗法などのフィッティング計算）を実行
して、近似直線である１回目の厚み変化直線ＦＴｈ１
（ｔ）を決定する。この厚み変化直線ＦＴｈ１（ｔ）
は、データ選別用の直線である。
【００９３】続いて、この選別用の厚み変化直線ＦＴｈ
１（ｔ）からの１回目の選別数値範囲ＤＴｈ１を設定す
る。本実施形態においては、まず、厚み変化直線ＦＴｈ
１（ｔ）に対して、生厚み値ＲＴｈ（ｔ）のばらつき値
σ１を算出する。一方、選別数値範囲ＤＴｈ１を求める
ための選別定数ＤＴｈｃ１があらかじめ設定されてい
る。これらの数値から選別数値範囲ＤＴｈ１は、ＤＴｈ
１＝σ１×ＤＴｈｃ１として設定される。なお、生厚み
値のばらつき値σ１としては、例えば生厚み値データの
選別用の厚み変化直線からの標準偏差の値を用いること
ができる。
【００９４】設定された選別数値範囲ＤＴｈ１によっ
て、生厚み値に対する１回目のデータ選別を行う。すな
わち、厚み変化直線ＦＴｈ１（ｔ）から±ＤＴｈ１の範
囲（図５中、選別用の厚み変化直線ＦＴｈ１（ｔ）を上
下から挟む２本の破線で示されている）内にある生厚み
値のデータについては、引き続き有効とするとともに、
この範囲外にある生厚み値のデータ（図５中に白丸で示
されている５データ点）を無効とする。
【００９５】次に、図５に黒丸で示された有効な生厚み
値ＲＴｈ（ｔ）の時間変化に対して、図６に示すよう
に、２回目のデータ選別計算を行う（Ｓ１０８）。デー
タ選別計算の方法については、１回目とほぼ同様であ
る。すなわち、生厚み値ＲＴｈ（ｔ）のデータに対して
直線近似計算を実行して、近似直線である２回目の選別
用の厚み変化直線ＦＴｈ２（ｔ）を決定する。
【００９６】続いて、この選別用の厚み変化直線ＦＴｈ
２（ｔ）からの２回目の選別数値範囲ＤＴｈ２を、同様
にばらつき値σ２及び選別定数ＤＴｈｃ２から、ＤＴｈ
２＝σ２×ＤＴｈｃ２として設定する。そして、厚み変
化直線ＦＴｈ２（ｔ）から±ＤＴｈ２の範囲内にある生
厚み値のデータを引き続き有効とし、この範囲外にある
生厚み値のデータ（図６中に白丸で示されている３デー
タ点）を無効とする。以上で、本実施形態における生厚
み値のデータ選別計算を終了する。
【００９７】次に、上記したデータ選別計算によって選
別されて有効となっている生厚み値ＲＴｈ（ｔ）のデー
タの時間変化から、図７に示すように、許容数値範囲Ｄ
Ｔｈの設定を行う（Ｓ１０９）。まず、１回目及び２回
目のデータ選別計算で有効とされた生厚み値のデータ
（図６及び図７に黒丸で示されている８データ点）に対
して直線近似計算を実行して、生厚み値の時間変化を示
す近似直線である厚み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）を決定す
る。ここで、下付添字ｔｎは、その厚み変化直線が計測
時刻ｔｎで決定された厚み変化直線であることを示して
いる。
【００９８】続いて、この厚み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）
からの許容数値範囲ＤＴｈを設定する。本実施形態にお
ける許容数値範囲ＤＴｈの設定方法は、上記した選別数
値範囲ＤＴｈ１、ＤＴｈ２の設定方法とほぼ同様であ
る。すなわち、まず、厚み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）に対
して、この段階で有効とされている生厚み値ＲＴｈ
（ｔ）の標準偏差などのばらつき値σを算出する。一
方、許容数値範囲ＤＴｈを求めるための許容定数ＤＴｈ
ｃがあらかじめ設定されている。これらの数値から許容
数値範囲ＤＴｈは、ＤＴｈ＝σ×ＤＴｈｃとして設定さ
れる。
【００９９】ここで設定された許容数値範囲ＤＴｈは、
以後の各計測時刻（最初の計測時刻から規定時間Ｔｃが
経過した後の２回目以降の計測時刻）における生厚み値
の有効または無効の判定に用いられる。計測時刻ｔｎで
の厚み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）の決定、及び許容数値範
囲ＤＴｈの設定が終了したら、次の厚み計測の実行及び
生厚み値の算出に移行する。
【０１００】最初の計測時刻から規定時間Ｔｃが経過し
た後の２回目以降の計測時刻では、許容数値範囲が設定
済みであるので、上記したデータ選別及び許容数値範囲
の（再）設定を行わず、許容範囲内外の判定等を実行す
る。この２回目以降の計測時刻での許容範囲内外の判定
方法等（Ｓ１１０〜Ｓ１１２）について、図８、図９に
模式的に示すグラフを参照しつつ説明する。
【０１０１】２回目以降の計測時刻ｔｍで算出された生
厚み値ＲＴｈ（ｔｍ）について、図８に示すように、許
容範囲内外の判定を行う（Ｓ１１０）。許容範囲内また
は範囲外のいずれにあるかは、具体的には、前回の計測
時刻（ここでは、計測時刻ｔｎとする）で決定された厚
み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）から許容数値範囲ＤＴｈ内に
あるかどうかによって判定される。
【０１０２】すなわち、前回の計測時刻ｔｎで決定され
た厚み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）を外挿（点線）して、今
回の計測時刻ｔｍでの厚みの期待値ＦＴｈtn（ｔｍ）を
求める。そして、この計測時刻ｔｍで実行された厚み計
測による生厚み値ＲＴｈ（ｔｍ）が、ＦＴｈtn（ｔｍ）
から±ＤＴｈの範囲（図８中、厚み変化直線ＦＴｈ
tn（ｔ）を上下から挟む２本の破線で示されている）内
にあれば、その生厚み値ＲＴｈ（ｔｍ）のデータを有効
とする。一方、範囲外であれば、その生厚み値のデータ
を無効とする。そして、その判定結果に基づいて、今回
の計測時刻ｔｍに対する厚み変化直線ＦＴｈtm（ｔ）の
決定を行う（Ｓ１１１）。
【０１０３】図８のグラフにおいては、生厚み値ＲＴｈ
（ｔｍ）が、前回の厚み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）から許
容数値範囲ＤＴｈの範囲内にある場合を示している。こ
のとき、生厚み値ＲＴｈ（ｔｍ）は有効とされる。そし
て、図９に示すように、この生厚み値ＲＴｈ（ｔｍ）を
含み、計測時刻ｔｍから規定時間Ｔｃの時間範囲内にあ
る有効な生厚み値のデータ（黒丸）に対して、直線近似
計算を実行して、新たな厚み変化直線ＦＴｈtm（ｔ）を
決定する。
【０１０４】一方、生厚み値ＲＴｈ（ｔｍ）が、前回の
厚み変化直線ＦＴｈtn（ｔ）から許容数値範囲ＤＴｈの
範囲外であった場合には、生厚み値ＲＴｈ（ｔｍ）は無
効とされる。このとき、直線近似計算を実行せず、前回
の厚み変化直線をそのまま、今回の計測時刻ｔｍでの厚
み変化直線ＦＴｈtm（ｔ）＝ＦＴｈtn（ｔ）に決定す
る。
【０１０５】厚み変化直線ＦＴｈtm（ｔ）が決定された
ら、計測時刻ｔｍでの統計厚み値ＳＴｈ（ｔｍ）を、Ｓ
Ｔｈ（ｔｍ）＝ＦＴｈtm（ｔｍ）によって算出して（Ｓ
１１２）、その計測時刻ｔｍにおけるデータの統計処理
を終了する。そして、算出された統計厚み値ＳＴｈ（ｔ
ｍ）が終点厚みＴｈ０に到達しているかどうかを判断す
る（Ｓ１１３）。統計厚み値ＳＴｈ（ｔｍ）があらかじ
め設定されているウエットエッチングの終点厚みＴｈ０
以下となっていたら、厚み算出部１６（統計厚み値算出
部１６ｃ）からエッチング制御部２５に終了指示信号を
出力して、ウエットエッチングを終了する。一方、図９
に示すように、終点厚みＴｈ０に到達していなければ、
ウエットエッチング工程を継続するとともに、次の厚み
計測を実行する。
【０１０６】上記した厚み計測装置、及びそれを用いた
ウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法にお
いては、計測光からそれぞれ生成された反射光及び参照
光の干渉光を検出し、光路長変化に対する光強度分布で
半導体ウエハの上面及び下面に相当する光強度ピークを
特定、選択して、それらの光路長差から生厚み値を算出
する。これによって、エッチング液の存在にかかわら
ず、ウエットエッチングの実行中に半導体ウエハの厚み
を計測することができる。また、ウエハ上面及び下面の
両方からの２本の光強度ピークを用いているため、エッ
チング液層の状態などが変化しても、正しく半導体ウエ
ハの厚みを計測することが可能である。
【０１０７】また、規定時間経過後で充分な生厚み値デ
ータの統計点数がある計測時刻において、許容数値範囲
内外の判定、及び直線近似計算による厚み変化直線の決
定を含む統計処理を行っている。これによって、エラー
ばらつき及び統計ばらつきの影響が充分に低減された統
計厚み値を、その計測時刻における半導体ウエハＷの厚
みとして算出することができる。
【０１０８】特に、規定時間経過後で１回目の計測時刻
では、厚み変化直線を決定する前に、データ選別のため
の予備的な直線近似計算、選別数値範囲の設定、及びデ
ータの選別を含むデータ選別計算を実行した後、データ
選別計算の終了後に有効とされている生厚み値によっ
て、厚み変化直線の決定及び許容数値範囲の設定を行っ
ている。これによって、厚み変化直線及び統計厚み値か
らエラーばらつき等の影響を充分かつ効率的に除外し
て、より正確に半導体ウエハＷの厚みを得ることが可能
となる。また、２回目以降の計測時刻では、設定されて
いる許容数値範囲及び前回の厚み変化直線から、生厚み
値について判定を行い、生厚み値が有効とされた場合の
み新たな直線近似計算を行うこととすることによって、
効率的な統計厚み値の算出を実現している。
【０１０９】規定時間経過後で１回目の計測時刻におけ
る許容数値範囲及び選別数値範囲の設定については、い
ずれも、その段階で有効な生厚み値の厚み変化直線から
のばらつき値と、あらかじめ決められた許容定数及び選
別定数とに基づいて設定している。これによって、許容
数値範囲及び選別数値範囲の設定において、対象となっ
ている実際の生厚み値のデータの状態が反映されるの
で、そのデータに適した数値範囲を設定することができ
る。
【０１１０】ここで、データ選別を行うごとに生厚み値
のデータのばらつきは小さくなっていくため、許容数値
範囲は、通常は選別数値範囲よりも狭い数値範囲に設定
される。すなわち、上記した例においては、１回目の選
別数値範囲ＤＴｈ１、２回目の選別数値範囲ＤＴｈ２、
及び許容数値範囲ＤＴｈは、通常はＤＴｈ１＞ＤＴｈ２
＞ＤＴｈとなる。ただし、このような数値範囲の大小関
係は主にばらつき値によって決まるので、ばらつき値を
除いた許容定数、選別定数では、必ずしもこのような大
小関係とはならない。
【０１１１】なお、許容数値範囲及び選別数値範囲につ
いては、データのばらつき値があらかじめ予測されてい
る場合には、許容定数、選別定数を指定することなく、
操作者等が直接に数値範囲を設定しても良い。この場合
でも、それぞれの数値範囲は、上記した大小関係を満た
すように設定しておくことが好ましい。また、必要があ
れば、いくつかの数値範囲（例えば２回目の選別数値範
囲と最終的な許容数値範囲）を等しく設定したり、許容
数値範囲を選別数値範囲よりもやや広く設定しても良
い。
【０１１２】規定時間経過後で２回目以降の計測時刻で
の直線近似計算においては、その計測時刻から規定時間
の範囲よりも前にある生厚み値を無効として、直線決定
に用いないこととしている。このような範囲設定は、エ
ッチングレートがウエットエッチング中に時間とともに
変化していく場合などに、その時間変化に対応する上で
有効であり、充分な統計点数を確保しつつ、より正確な
厚み変化直線及び統計厚み値を得ることができる。ただ
し、エッチングレートの変化等が問題とならない場合に
は、常に最初の計測時刻からの生厚み値を使用するよう
にしても良い。この場合、時間の経過とともに、統計処
理に用いる生厚み値データの統計点数が増加する。
【０１１３】上記した厚み計測装置を適用した図１のウ
エットエッチング装置及びウエットエッチング方法で
は、統計厚み値算出部１６ｃで得られた厚み変化直線及
び統計厚み値に基づき、エッチング制御部２５を介し
て、エッチング液供給部２４によるエッチング液の供給
の停止によるウエットエッチングの終了、あるいはエッ
チングレートの変更などを適宜制御することが可能であ
る。特に、ウエットエッチング終了後に得られる半導体
ウエハの厚みについては、厚み変化直線及び統計厚み値
と、あらかじめ設定された終点厚みとに基づいて終了時
刻を求めることとしておくことによって、終点厚みから
のばらつきを抑制することができ、半導体装置製造の効
率化と歩留まりの向上を実現することができる。
【０１１４】より具体的には、上記の例では、算出され
た統計厚み値が終点厚み以下となっていたら、その計測
時刻を終了時刻とするとともに、厚み算出部１６（統計
厚み値算出部１６ｃ）からエッチング制御部２５に終了
指示信号を出力して、ウエットエッチングを終了してい
る。
【０１１５】また、上記以外にも、厚み変化直線を用い
て終了時刻を予測する構成が可能である。すなわち、図
９に示すように、厚み変化直線ＦＴｈtm（ｔ）を外挿
（延長）して、終点厚みを示す直線との交点を求め、そ
の交点での時刻ｔｅを終了時刻として予測することがで
きる。このように終了時刻をあらかじめ予測した場合に
は、その予測された終了時刻に基づいてウエットエッチ
ングの終了制御を行うことが可能である。
【０１１６】例えば、終了指示信号によってエッチング
液供給部２４からのエッチング液の供給が停止されてか
ら、洗浄水によってエッチング面上のエッチング液が除
去されるまでには、ある程度のタイムラグがある。その
ため、終点厚み以下となった時刻を終了時刻とする制御
方法では、オーバーエッチを起こす可能性がある。これ
に対して、厚み変化直線によってあらかじめ予測された
終了時刻を用い、その終了時刻よりもタイムラグの分だ
け早い時刻にエッチング液の供給を停止すれば、オーバ
ーエッチを起こすことがなくなり、半導体ウエハＷの終
点厚みを正確に制御することができる。
【０１１７】本発明による厚み計測装置、及びそれを用
いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
は、上記した実施形態に限られるものではなく、様々な
構成の変形や工程の変更が可能である。例えば、保持基
板２１は、薄くエッチングされる半導体ウエハＷの機械
的強度を維持するためのものであり、半導体ウエハＷの
厚みによっては保持基板を用いずにエッチングを行うこ
とも可能である。
【０１１８】また、半導体ウエハＷからの反射光を取り
込む光入力手段については、上記した実施形態では光出
力手段であるプローブヘッド１３を共用しているが、光
出力手段とは別に光入力手段を設置する構成としても良
い。この場合、反射光はプローブヘッド１３への光ファ
イバ１３ａとは別の光ファイバに入力されるので、光カ
プラ１２に加えて設けられた他の光カプラなどを光結合
手段として、反射光と参照光の結合が行われる。また、
光入力／出力手段あるいは光分岐／結合手段の一方のみ
を単一の光入出力手段あるいは光カプラとし、他方は別
々とする構成も可能である。
【０１１９】ウエットエッチングのエッチングレートに
ついては、必ずしも一定のレートとしなくても良い。例
えば、厚み計測によって得られた半導体ウエハＷの厚み
の時間変化に基づいて、終点厚み（エッチングの終了時
刻）が近づくにつれてエッチングレートが遅くなるよう
にエッチングを制御すれば、さらに細かい厚みの制御が
可能となる。この場合、厚みの時間変化を求める生厚み
値のデータの時間範囲を区分して、エッチングレートを
変更した時刻の前後で別々に厚み変化直線を求めること
も可能である。
【０１２０】また、厚み変化直線及び統計厚み値を算出
するための統計処理の各計算についても、上記した実施
形態以外にも様々に変形して良い。例えば、規定時間経
過後の１回目の計測時刻において、厚み変化直線の決定
前に行われるデータ選別計算については、上記の実施形
態では２回のデータ選別を行っているが、このデータ選
別については、１回のみ、または３回以上としても良
い。
【０１２１】
【発明の効果】本発明による厚み計測装置、及びそれを
用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方
法は、以上詳細に説明したように、次のような効果を得
る。すなわち、反射光と参照光とを結合させた干渉光の
光強度分布から特定、選択された２本の光強度ピークの
光路長差から、半導体ウエハＷの生厚み値を算出すると
ともに、規定時間経過後で充分な生厚み値データの統計
点数がある計測時刻において、許容数値範囲内外の判
定、及び直線近似計算による厚み変化直線の決定を含む
統計処理、特に規定時間経過後で１回目の計測時刻で
は、１回または複数回のデータ選別計算、及び直線近似
計算による厚み変化直線の決定を含む統計処理を行う。
これによって、エッチング液の存在にかかわらず、半導
体ウエハの厚みを計測することが可能となるとともに、
エラーばらつき及び統計ばらつきの影響が充分に低減さ
れた統計厚み値を得ることができる。
【０１２２】このような厚み計測を利用すれば、それぞ
れのウエットエッチング工程での現実のエッチングレー
トやその時間変化などのエッチング条件を実測によって
知ることが可能となる。したがって、ウエットエッチン
グの終了後に、得られた半導体ウエハの厚みを計測する
検査段階でウエットエッチングの良否を判断するのでは
なく、エッチング中に厚みの時間変化を判断しつつウエ
ットエッチングを制御することができ、半導体装置製造
の効率化やその歩留まりの向上が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】厚み計測装置、及び厚み計測装置を備えるウエ
ットエッチング装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２】図１に示したウエットエッチング装置における
半導体ウエハの厚みの計測方法について示す図である。
【図３】厚み計測方法及びウエットエッチング方法の一
実施形態を示すフローチャートである。
【図４】規定時間までに算出された生厚み値の一例を模
式的に示すグラフである。
【図５】１回目のデータ選別計算について示すグラフで
ある。
【図６】２回目のデータ選別計算について示すグラフで
ある。
【図７】許容数値範囲の設定について示すグラフであ
る。
【図８】生厚み値の許容数値範囲内外の判定について示
すグラフである。
【図９】厚み変化直線の決定及び統計厚み値の算出につ
いて示すグラフである。
【符号の説明】
Ａ…厚み計測装置、１１…計測光源、１１ａ…入力用光
ファイバ、１２…光カプラ、１３…プローブヘッド、１
３ａ…計測用光ファイバ、１４…参照光生成部、１４ａ
…参照用光ファイバ、１４ｂ…参照用光路、１４ｃ…反
射ミラー、１４ｄ…ガラス基板、１４ｅ…ガルバノメー
タ、１５…光検出器、１５ａ…出力用光ファイバ、１６
…厚み算出部、１６ａ…信号処理回路、１６ｂ…生厚み
値算出部、１６ｃ…統計厚み値算出部、１７…参照光路
長制御部、Ｂ…ウエットエッチング装置、２１…保持基
板、２２…回転台、２３…回転駆動部、２４…エッチン
グ液供給部、２４ａ…ノズル、２５…エッチング制御
部、Ｗ…半導体ウエハ、Ｅ…エッチング液層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F064 AA01 EE09 GG00 GG02 GG12 GG24 GG52 HH01 HH05 2F065 AA02 AA30 BB03 CC19 CC32 FF42 FF51 GG01 HH04 HH13 JJ11 JJ18 LL00 LL02 LL12 LL65 MM04 PP13 QQ17 QQ29 4M106 AA01 BA04 CA48 DH03 DH12 DH31 DH55 DJ20 5F043 AA02 DD30 EE07 EE08 EE27 EE40 GG10

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エッチング液を用いたウエットエッチン
    グの実行中に半導体ウエハの厚みを計測するための厚み
    計測装置であって、 所定の時間間隔をおいた複数の計測時刻のそれぞれに、
    計測光を供給する計測光源と、 前記計測光源からの前記計測光を分岐させる光分岐手段
    と、 前記光分岐手段で分岐された前記計測光の一方を、計測
    対象である前記半導体ウエハに対して出力させて、前記
    エッチング液が供給されているエッチング面側から照射
    する光出力手段と、 前記光出力手段から照射された前記計測光が前記エッチ
    ング液または前記半導体ウエハによって反射された反射
    光を入力させる光入力手段と、 前記光分岐手段で分岐された前記計測光の他方を、光路
    長が可変に構成された参照用光路を通過させて、参照光
    路長が設定された参照光を生成する参照光生成手段と、 前記光入力手段からの前記反射光と、前記参照光生成手
    段からの前記参照光とを結合させて干渉光とする光結合
    手段と、 前記光結合手段からの前記干渉光を検出する光検出手段
    と、 前記計測時刻のそれぞれにおいて、前記参照光生成手段
    で設定された前記参照光路長と、前記光検出手段で検出
    された前記干渉光の光強度との相関を示す光強度分布を
    用い、設定された閾値よりも大きい光強度を有する複数
    の光強度ピークから選択された２本の前記光強度ピーク
    間での前記参照光路長の光路長差に基づいて、前記半導
    体ウエハの生厚み値を算出する生厚み値算出手段と、 最初の前記計測時刻から規定時間が経過した後の前記計
    測時刻のそれぞれにおいて、設定された許容数値範囲内
    にあって有効とされている複数の前記生厚み値の時間変
    化に対して、直線近似計算による厚み変化直線の決定を
    行って、前記厚み変化直線から統計厚み値を算出する統
    計厚み値算出手段と、を備え、 前記統計厚み値算出手段は、最初の前記計測時刻から前
    記規定時間が経過した後の１回目の前記計測時刻におい
    て、 その前記計測時刻までの有効な前記生厚み値の時間変化
    に対して、直線近似計算による選別用の厚み変化直線の
    決定と、前記選別用の厚み変化直線からの選別数値範囲
    の設定と、前記選別数値範囲外にある前記生厚み値を無
    効とするデータの選別とを含むデータ選別計算を行った
    後、選別後に有効とされている前記生厚み値の時間変化
    に対して、前記直線近似計算による前記厚み変化直線の
    決定を行うとともに、前記厚み変化直線からの前記許容
    数値範囲を設定することを特徴とする厚み計測装置。
  2. 【請求項２】 前記統計厚み値算出手段は、最初の前記
    計測時刻から前記規定時間が経過した後の２回目以降の
    前記計測時刻のそれぞれにおいて、 その前記計測時刻で算出された前記生厚み値が、前回の
    前記計測時刻で決定された前記厚み変化直線から前記許
    容数値範囲の範囲内または範囲外にあるかによって、そ
    の生厚み値の有効または無効を判定するとともに、 前記生厚み値が前記許容数値範囲内にあって有効とされ
    た場合には、その前記生厚み値を含む有効な複数の前記
    生厚み値の時間変化に対して、前記直線近似計算による
    前記厚み変化直線の決定を行って、前記厚み変化直線か
    ら前記統計厚み値を算出し、 前記生厚み値が前記許容数値範囲外にあって無効とされ
    た場合には、前回の前記計測時刻で決定された前記厚み
    変化直線を、そのまま今回の前記厚み変化直線に決定し
    て、前記厚み変化直線から前記統計厚み値を算出するこ
    とを特徴とする請求項１記載の厚み計測装置。
  3. 【請求項３】 前記統計厚み値算出手段は、最初の前記
    計測時刻から前記規定時間が経過した後の１回目の前記
    計測時刻において、 前記許容数値範囲を、前記選別数値範囲よりも狭い数値
    範囲に設定することを特徴とする請求項１または２記載
    の厚み計測装置。
  4. 【請求項４】 前記統計厚み値算出手段は、最初の前記
    計測時刻から前記規定時間が経過した後の１回目の前記
    計測時刻において、 前記選別数値範囲を、選別の対象となっている前記生厚
    み値の前記選別用の厚み変化直線からのばらつき値と、
    あらかじめ決められた選別定数とに基づいて設定すると
    ともに、 前記許容数値範囲を、選別後に有効とされている前記生
    厚み値の前記厚み変化直線からのばらつき値と、あらか
    じめ決められた許容定数とに基づいて設定することを特
    徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の厚み計測装
    置。
  5. 【請求項５】 前記統計厚み値算出手段は、前記計測時
    刻のそれぞれにおいて、前記光強度ピークの数が３本未
    満であった場合に、その前記生厚み値を無効とすること
    を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の厚み計
    測装置。
  6. 【請求項６】 前記統計厚み値算出手段は、最初の前記
    計測時刻から前記規定時間が経過した後の２回目以降の
    前記計測時刻のそれぞれにおいて、 その前記計測時刻から前記規定時間の範囲外にある前記
    生厚み値を無効とすることを特徴とする請求項１〜５の
    いずれか一項記載の厚み計測装置。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか一項記載の厚み
    計測装置を備えるウエットエッチング装置であって、 前記ウエットエッチングの対象となる前記半導体ウエハ
    の前記エッチング面に、前記エッチング液を供給するエ
    ッチング液供給手段と、 前記エッチング液供給手段による前記エッチング液の供
    給を制御するエッチング制御手段とを備えることを特徴
    とするウエットエッチング装置。
  8. 【請求項８】 前記厚み計測装置の前記統計厚み値算出
    手段は、決定された前記厚み変化直線から、あらかじめ
    設定された終点厚みに基づいて前記ウエットエッチング
    の終了時刻を求めて、前記終了時刻を指示する終了指示
    信号を出力し、 前記エッチング制御手段は、前記終了指示信号に基づい
    て、前記エッチング液供給手段による前記エッチング液
    の供給を停止させることを特徴とする請求項７記載のウ
    エットエッチング装置。
  9. 【請求項９】 請求項１〜６のいずれか一項記載の厚み
    計測装置を用いたウエットエッチング方法であって、 前記ウエットエッチングの対象となる前記半導体ウエハ
    の前記エッチング面に、前記エッチング液を供給して前
    記ウエットエッチングを開始するエッチング開始ステッ
    プと、 前記エッチング開始ステップで開始された前記ウエット
    エッチングの実行中に、前記時間間隔をおいた複数の前
    記計測時刻のそれぞれに、前記厚み計測装置を用いて前
    記半導体ウエハの厚みを計測する厚み計測ステップと、 前記エッチング液の供給を停止して前記ウエットエッチ
    ングを終了するエッチング終了ステップとを有すること
    を特徴とするウエットエッチング方法。
  10. 【請求項１０】 前記厚み計測ステップで決定された前
    記厚み変化直線から、あらかじめ設定された終点厚みに
    基づいて前記ウエットエッチングの終了時刻を求める終
    了時刻算出ステップをさらに有し、 前記エッチング終了ステップにおいて、前記終了時刻算
    出ステップで求められた前記終了時刻に基づいて前記エ
    ッチング液の供給を停止することを特徴とする請求項９
    記載のウエットエッチング方法。
  11. 【請求項１１】 前記終了時刻算出ステップにおいて、
    前記厚み変化直線から算出された前記統計厚み値が前記
    終点厚み以下となった前記計測時刻を前記終了時刻とす
    ることを特徴とする請求項１０記載のウエットエッチン
    グ方法。
  12. 【請求項１２】 前記終了時刻算出ステップにおいて、
    前記厚み変化直線を用いて前記終了時刻を予測すること
    を特徴とする請求項１０記載のウエットエッチング方
    法。
JP2000132607A 2000-05-01 2000-05-01 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法 Expired - Lifetime JP4486217B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000132607A JP4486217B2 (ja) 2000-05-01 2000-05-01 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
AU2001227075A AU2001227075A1 (en) 2000-05-01 2001-01-19 Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them
PCT/JP2001/000351 WO2001084620A1 (fr) 2000-05-01 2001-01-19 Dispositif et procede de mesure d'epaisseur, dispositif et procede de gravure humide utilisant les precedents
AT01901468T ATE358892T1 (de) 2000-05-01 2001-01-19 Dickemessvorrichtung, dickemessverfahren und nassätzvorrichtung und nassätzverfahren damit
DE60127673T DE60127673T2 (de) 2000-05-01 2001-01-19 Dickemessvorrichtung, dickemessverfahren und nassätzvorrichtung und nassätzverfahren damit
EP01901468A EP1296367B1 (en) 2000-05-01 2001-01-19 Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them
US10/275,136 US6768552B2 (en) 2000-05-01 2001-01-19 Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000132607A JP4486217B2 (ja) 2000-05-01 2000-05-01 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001313279A true JP2001313279A (ja) 2001-11-09
JP4486217B2 JP4486217B2 (ja) 2010-06-23

Family

ID=18641274

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000132607A Expired - Lifetime JP4486217B2 (ja) 2000-05-01 2000-05-01 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6768552B2 (ja)
EP (1) EP1296367B1 (ja)
JP (1) JP4486217B2 (ja)
AT (1) ATE358892T1 (ja)
AU (1) AU2001227075A1 (ja)
DE (1) DE60127673T2 (ja)
WO (1) WO2001084620A1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008004395A1 (fr) * 2006-07-03 2008-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé de traitement par laser
JP2008292296A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Toray Eng Co Ltd 透明膜の膜厚測定方法およびその装置
JP2009236886A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Hamamatsu Photonics Kk 厚み計測装置
JP2012508875A (ja) * 2008-11-17 2012-04-12 マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ 物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法、計測装置、及び、計測システム
JP2013130417A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス板の反り測定方法およびガラス板の製造方法
JP2013531227A (ja) * 2010-05-18 2013-08-01 マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ 物体の厚さを干渉法により光学的に計測する方法及び装置
WO2013143389A1 (zh) * 2012-03-31 2013-10-03 北京京东方光电科技有限公司 用于刻蚀设备的刻蚀时间检测装置及方法
JP2015153989A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 株式会社ディスコ ウェットエッチング装置
JP2018024571A (ja) * 2016-08-05 2018-02-15 旭硝子株式会社 孔を有するガラス基板の製造方法
JP2020150198A (ja) * 2019-03-15 2020-09-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体
CN114038777A (zh) * 2022-01-11 2022-02-11 江苏卓远半导体有限公司 一种半导体晶片测厚设备

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE396497T1 (de) * 2000-01-21 2008-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Dickenmessvorrichtung, dickenmessverfahren und nassätzvorrichtung und nassätzverfahren, die diese verwenden
GB0016562D0 (en) * 2000-07-05 2000-08-23 Metryx Limited Apparatus and method for investigating semiconductor wafers
GB2404787B (en) * 2000-07-05 2005-04-13 Metryx Ltd Apparatus and method for investigating semiconductor wafers
JP2003307458A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Akifumi Ito 基材の温度測定方法および温度測定装置
JP2003315017A (ja) * 2002-04-25 2003-11-06 Hamamatsu Photonics Kk 厚み計測装置
US7116429B1 (en) * 2003-01-18 2006-10-03 Walecki Wojciech J Determining thickness of slabs of materials by inventors
US7256104B2 (en) 2003-05-21 2007-08-14 Canon Kabushiki Kaisha Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus
US7659212B2 (en) * 2004-03-22 2010-02-09 Mimasu Semiconductor Industry Co., Ltd. Process control method in spin etching and spin etching apparatus
DE102004045956B4 (de) * 2004-09-22 2008-12-11 Universität des Saarlandes Ätzhalterung für ein Substrat und Ätzsystem mit einer Ätzhalterung
US7502121B1 (en) * 2004-11-24 2009-03-10 Ahbee 1, L.P. Temperature insensitive low coherence based optical metrology for nondestructive characterization of physical characteristics of materials
FR2892188B1 (fr) 2005-10-14 2007-12-28 Nanotec Solution Soc Civ Ile Procede et dispositif de mesure de hauteurs de motifs
GB0719460D0 (en) 2007-10-04 2007-11-14 Metryx Ltd Measurement apparatus and method
GB0719469D0 (en) 2007-10-04 2007-11-14 Metryx Ltd Measurement apparatus and method
DE102007048295A1 (de) 2007-10-08 2009-04-16 Precitec Optronik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Dickenmessung
GB2478590A (en) 2010-03-12 2011-09-14 Precitec Optronik Gmbh Apparatus and method for monitoring a thickness of a silicon wafer
IT1399875B1 (it) * 2010-05-18 2013-05-09 Marposs Spa Metodo e apparecchiatura per la misura ottica mediante interferometria dello spessore di un oggetto
IT1399876B1 (it) * 2010-05-18 2013-05-09 Marposs Spa Metodo e apparecchiatura per la misura ottica mediante interferometria dello spessore di un oggetto
JP5799108B2 (ja) 2010-11-19 2015-10-21 インターデイジタル パテント ホールディングス インコーポレイテッド リソースの公表および公表取消しのためのマシン間（ｍ２ｍ）インタフェース手順
JP5853382B2 (ja) * 2011-03-11 2016-02-09 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法、及び電子機器の製造方法
GB2489722B (en) * 2011-04-06 2017-01-18 Precitec Optronik Gmbh Apparatus and method for determining a depth of a region having a high aspect ratio that protrudes into a surface of a semiconductor wafer
DE102011051146B3 (de) 2011-06-17 2012-10-04 Precitec Optronik Gmbh Prüfverfahren zum Prüfen einer Verbindungsschicht zwischen waferförmigen Proben
DE102012111008B4 (de) 2012-11-15 2014-05-22 Precitec Optronik Gmbh Optisches Messverfahren und optische Messvorrichtung zum Erfassen einer Oberflächentopographie
JP6247752B2 (ja) 2013-06-17 2017-12-13 プレシテック オプトロニック ゲーエムベーハーＰｒｅｃｉｔｅｃ Ｏｐｔｒｏｎｉｋ ＧｍｂＨ 距離差を取得するための光学測定装置および光学測定方法
US10551165B2 (en) 2015-05-01 2020-02-04 Adarza Biosystems, Inc. Methods and devices for the high-volume production of silicon chips with uniform anti-reflective coatings
TWI629720B (zh) * 2015-09-30 2018-07-11 東京威力科創股份有限公司 用於濕蝕刻製程之溫度的動態控制之方法及設備
US10207489B2 (en) * 2015-09-30 2019-02-19 Sigma Labs, Inc. Systems and methods for additive manufacturing operations
US10234265B2 (en) 2016-12-12 2019-03-19 Precitec Optronik Gmbh Distance measuring device and method for measuring distances
WO2018163396A1 (ja) 2017-03-10 2018-09-13 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
DE102017126310A1 (de) 2017-11-09 2019-05-09 Precitec Optronik Gmbh Abstandsmessvorrichtung
WO2020070884A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 三菱電機株式会社 工作装置
DE102018130901A1 (de) 2018-12-04 2020-06-04 Precitec Optronik Gmbh Optische Messeinrichtung
EP3786574A1 (de) * 2019-08-26 2021-03-03 Sturm Maschinen- & Anlagenbau GmbH Sensorvorrichtung
CN110690134B (zh) * 2019-09-12 2022-07-01 长江存储科技有限责任公司 多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质
CN117968545A (zh) * 2024-03-28 2024-05-03 钛玛科（北京）工业科技有限公司 带花纹发泡棉的厚度测量方法及系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5490849A (en) * 1990-07-13 1996-02-13 Smith; Robert F. Uniform-radiation caustic surface for photoablation
DE69208413T2 (de) * 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
US5220405A (en) * 1991-12-20 1993-06-15 International Business Machines Corporation Interferometer for in situ measurement of thin film thickness changes
US5392124A (en) * 1993-12-17 1995-02-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real-time, in-situ endpoint detection and closed loop etch process control
US5956142A (en) 1997-09-25 1999-09-21 Siemens Aktiengesellschaft Method of end point detection using a sinusoidal interference signal for a wet etch process
US6282309B1 (en) * 1998-05-29 2001-08-28 Kla-Tencor Corporation Enhanced sensitivity automated photomask inspection system
JPH11354489A (ja) * 1998-06-05 1999-12-24 Toshiba Corp 半導体製造装置及び半導体装置のエッチング方法
US6283829B1 (en) * 1998-11-06 2001-09-04 Beaver Creek Concepts, Inc In situ friction detector method for finishing semiconductor wafers
US6160336A (en) * 1999-11-19 2000-12-12 Baker, Jr.; Robert M. L. Peak power energy storage device and gravitational wave generator

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008004395A1 (fr) * 2006-07-03 2008-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Procédé de traitement par laser
JP2008292296A (ja) * 2007-05-24 2008-12-04 Toray Eng Co Ltd 透明膜の膜厚測定方法およびその装置
JP2009236886A (ja) * 2008-03-28 2009-10-15 Hamamatsu Photonics Kk 厚み計測装置
JP2012508875A (ja) * 2008-11-17 2012-04-12 マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ 物体の厚さを干渉分析法によって光学的に計測するための方法、計測装置、及び、計測システム
KR101822976B1 (ko) * 2010-05-18 2018-01-29 마포스 쏘시에타 페르 아지오니 간섭법에 의해 대상물의 두께를 광학적으로 측정하는 장치 및 방법
JP2013531227A (ja) * 2010-05-18 2013-08-01 マーポス、ソチエタ、ペル、アツィオーニ 物体の厚さを干渉法により光学的に計測する方法及び装置
JP2013130417A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラス板の反り測定方法およびガラス板の製造方法
WO2013143389A1 (zh) * 2012-03-31 2013-10-03 北京京东方光电科技有限公司 用于刻蚀设备的刻蚀时间检测装置及方法
JP2015153989A (ja) * 2014-02-18 2015-08-24 株式会社ディスコ ウェットエッチング装置
JP2018024571A (ja) * 2016-08-05 2018-02-15 旭硝子株式会社 孔を有するガラス基板の製造方法
JP2020150198A (ja) * 2019-03-15 2020-09-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体
WO2020188992A1 (ja) * 2019-03-15 2020-09-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体
TWI775032B (zh) * 2019-03-15 2022-08-21 日商斯庫林集團股份有限公司 處理條件選擇方法、基板處理方法、基板製品製造方法、處理條件選擇裝置、電腦程式以及記憶媒體
JP7166966B2 (ja) 2019-03-15 2022-11-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体
CN114038777A (zh) * 2022-01-11 2022-02-11 江苏卓远半导体有限公司 一种半导体晶片测厚设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2001084620A1 (fr) 2001-11-08
JP4486217B2 (ja) 2010-06-23
ATE358892T1 (de) 2007-04-15
AU2001227075A1 (en) 2001-11-12
US20030121889A1 (en) 2003-07-03
DE60127673T2 (de) 2007-12-27
EP1296367A1 (en) 2003-03-26
EP1296367B1 (en) 2007-04-04
EP1296367A4 (en) 2005-06-15
DE60127673D1 (de) 2007-05-16
US6768552B2 (en) 2004-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4486217B2 (ja) 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
US6897964B2 (en) Thickness measuring apparatus, thickness measuring method, and wet etching apparatus and wet etching method utilizing them
KR100329891B1 (ko) 폴리싱 방법 및 장치와 이를 모니터링하는 방법
US6413147B1 (en) Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment
US5695660A (en) Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment
JP4347517B2 (ja) 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
TWI426574B (zh) 用以監視半導體晶圓薄化的監視裝置及原位測量晶圓厚度的方法與具有濕蝕刻裝置及監視裝置的薄化裝置
KR101882510B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 두께를 모니터링하는 방법 및 장치, 및 실리콘 웨이퍼를 얇게 하는 장치
KR100506942B1 (ko) 화학적 기계적 연마장치
US20180130667A1 (en) Film thickness measuring method, film thickness measuring apparatus, polishing method, and polishing apparatus
KR100380911B1 (ko) 반도체 웨이퍼 연마 종점 검출 시스템 및 그 방법
KR20130115142A (ko) 연마 장치 및 연마 방법
CN106239352A (zh) 研磨装置
JP2007054881A (ja) レーザ加工モニタリング装置
JP4347484B2 (ja) 厚み計測装置、及びそれを用いたウエットエッチング装置、ウエットエッチング方法
US20190022820A1 (en) Polishing apparatus and polishing method
KR101379915B1 (ko) 종말점 검출 장치 및 이를 구비한 식각 장치 그리고 종말점검출방법
JPH0691045B2 (ja) エツチングモニタ−装置
TW201932811A (zh) 評價裝置、評價方法及顯示裝置
JP2010115726A (ja) 研磨終点検知用の光の波長選択に用いられるダイヤグラムの作成方法、光の波長選択方法、研磨終点検出方法、研磨終点検出装置、および研磨装置
CN107264483A (zh) 与汽车外形匹配的洗车方法
KR101321058B1 (ko) 레이저를 이용하여 필름의 두께를 측정하는 방법
JP2003166944A (ja) 半導体装置の欠陥検出装置および欠陥検出方法
JPH0915134A (ja) パーティクルの検査方法および検査装置
JP2004134540A (ja) ドライエッチング装置および終点検出方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100323

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100326

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402

Year of fee payment: 4