JP2004134540A - ドライエッチング装置および終点検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ドライエッチング中の基板の膜の状態をリアルタイムにて確認することにより、ドライエッチングの適切な終点を容易に検出する。
【解決手段】多層膜が形成された基板9がチャンバ2内に保持され、基板9に対するドライエッチングが行われる。チャンバ2の上方にはヘッド部4が設けられ、光源ユニット61からの照明光がヘッド部4の光学系41およびチャンバ2の透光窓26を介して基板9の表面に導かれ、基板9からの反射光は分光器62へと導かれる。分光器62からの出力は演算部へと順次送られ、一定間隔ごとの一の時刻における分光反射率を示す曲線と一の時刻の次の時刻における分光反射率を示す曲線との相違が最小となるときの波長軸方向に関する相対移動量が算出される。相対移動量の累積値が予め特定された終点特定値と比較されてることにより、終点が検出される。
【選択図】 図1
【解決手段】多層膜が形成された基板9がチャンバ2内に保持され、基板9に対するドライエッチングが行われる。チャンバ2の上方にはヘッド部4が設けられ、光源ユニット61からの照明光がヘッド部4の光学系41およびチャンバ2の透光窓26を介して基板9の表面に導かれ、基板9からの反射光は分光器62へと導かれる。分光器62からの出力は演算部へと順次送られ、一定間隔ごとの一の時刻における分光反射率を示す曲線と一の時刻の次の時刻における分光反射率を示す曲線との相違が最小となるときの波長軸方向に関する相対移動量が算出される。相対移動量の累積値が予め特定された終点特定値と比較されてることにより、終点が検出される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対するドライエッチングの終点を検出する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体基板(以下、「基板」という。)の表面に形成された膜に微細加工(例えば、ダマシン工程の前段階における溝の形成)を施すために、基板が載置されたチャンバ内にガスを供給し、基板表面にガス(プラズマ状態やイオン状態を含む。)によるドライエッチングが行われている。このとき、予めドライエッチングの速度(いわゆる、エッチングレート)を測定しておき、ドライエッチングに関する多数の条件を一定に保つことにより、エッチング時間に基づいて所望のエッチング深さとなるように制御を行っている。
【0003】
ところで、エッチングレートを厳密に再現するには、ドライエッチングに関するすべての条件を一定に保つことが必要とされるため、実際には、所望のエッチング深さに対してばらつきが生じてしまう。そこで、チャンバ内に載置されたドライエッチング中の基板に向けて光を照射し、基板からの反射光を分光することにより得られる分光反射率を示す波形と、基板上の膜(多層膜であってもよい。)の光学定数に基づいて予め理論的演算により求められた波形とのフィッティングを行うことによりエッチング深さ(すなわち、基板上の膜厚の減少量に対応する量)を確認する手法が提案されている。
【0004】
また、特許文献1では、基板に単波長の光を照射し、エッチングの進行により生じる反射光の強度振動に基づいてエッチング深さを検出する技術が開示されている。特許文献1に記載された技術ではさらに、波長可変光源を用いて所望のエッチング深さの検出に適した波長の光がドライエッチング中の基板に向けて出射される。
【0005】
【特許文献1】
特開平7−58081号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の理論波形とのフィッティングによる手法では、新規な膜に変更する度に、基板上の膜(多層膜の場合は、それぞれの膜)の光学定数を求めて理論波形を計算したり、理論波形が正しく求められていることを確認する等、煩雑な作業を行う必要がある。また、膨大な量の計算を行う必要があるため、測定結果を迅速に求めることが困難となり、ドライエッチング中にリアルタイムで行うことができない。
【0007】
一方、特許文献1に記載された手法では、光源から出射される光の波長を基板の種類に応じて変更する必要があり、様々な基板に対して容易に測定を行うことができない。
【0008】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ドライエッチング中の基板の膜の状態を容易に検出する手法を提供することにより、ドライエッチングの終点をリアルタイムにて検出することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板上に形成された膜のドライエッチングを行うドライエッチング装置であって、基板上の膜に対するドライエッチングが行われるチャンバと、基板への照明光を出射する光源と、基板からの光を分光する分光器と、前記分光器からの出力に基づいて基板上の膜に対するドライエッチングの終点を検出する演算部と、前記演算部からの信号に基づいてドライエッチングを終了する制御部とを備え、前記演算部が、前記分光器からの出力に基づいて基板の分光反射率を求める手段と、一の時刻における分光反射率を示す曲線と他の時刻における分光反射率を示す曲線とを波長軸方向へ相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量を求める手段と、前記相対移動量を用いて前記終点を検出する手段とを有する。
【0010】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のドライエッチング装置であって、基板上の照明光の照射位置を撮像する撮像部と、前記撮像部にて取得された画像に基づいて前記照射位置を移動する機構とをさらに備える。
【0011】
請求項3に記載の発明は、基板上に形成された膜のドライエッチング時における終点を検出する終点検出方法であって、ドライエッチングが行われている基板の一の時刻における分光反射率を示す第1の曲線を取得する工程と、他の時刻における前記基板の分光反射率を示す第2の曲線を取得する工程と、前記第1の曲線と前記第2の曲線とを波長軸方向へ相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量を求める工程と、前記相対移動量に基づいてドライエッチングの終点であるか否かを検出する工程とを有する。
【0012】
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の終点検出方法であって、前記一の時刻が一定間隔ごとの時刻であり、前記他の時刻が前記一定間隔ごとの時刻のうち前記一の時刻の次の時刻であり、前記第1の曲線を取得する工程ないし前記検出する工程が繰り返され、前記相対移動量の累積値に基づいて前記終点が検出される。
【0013】
請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の終点検出方法であって、前記一の時刻がエッチング開始時刻に対して固定された時刻であり、前記他の時刻が一定間隔ごとの時刻であり、前記第2の曲線を取得する工程ないし前記検出する工程が繰り返される。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一の実施の形態に係るドライエッチング装置1の概略構成を示す図である。ドライエッチング装置1は、基板9上に形成された膜に対してドライエッチングを行いつつ、所望のエッチング量となる終点(すなわち、ドライエッチングを終了すべき状態、または、ドライエッチングを終了すべき時刻)を検出する装置である。ドライエッチング装置1はドライエッチングが行われるチャンバ2、ドライエッチングの制御を行う制御部3、チャンバ2の上方に設けられるヘッド部4、ヘッド部4をチャンバ2に対して相対的に移動するヘッド移動機構43、および、各種演算を行うCPUや各種情報を記憶するメモリ等により構成されたコンピュータ5を有する。
【0015】
チャンバ2の内部には、ステージ21が設けられ、ステージ21により多層膜(単層膜でもよい。)が形成された基板9が保持される。ステージ21の周囲には円筒状の内部側壁22が設けられ、内部側壁22の周囲には電源ユニット(図示省略)に接続されたコイル23が形成される。チャンバ2には、所定のガスをチャンバ2の内部へと導入するガス導入口24、および、チャンバ2の内部を排気する排気口25が形成されており、ガス導入口24は外部のガス供給部(図示省略)へ、排気口25は外部のポンプ(図示省略)へとそれぞれ接続される。また、チャンバ2の上面には光を透過する透光窓26が設けられ、これにより外部からの光が基板9の表面へと導かれる。電源ユニット、ガス供給部およびポンプ(以下、「ドライエッチング駆動ユニット」と総称する。)は制御部3に接続され、これらの構成が制御部3により制御されることにより、基板9に対するドライエッチングが行われる。
【0016】
ヘッド部4の周囲には、基板9への照明光を出射する光源ユニット61、基板9からの光を分光する分光器62、基板9上の照明光の照射位置を撮像する撮像部63、および、撮像部63に接続されたパターン認識部64が設けられ、ヘッド部4の光学系41により、光源ユニット61からの照明光が基板9へと導かれつつ、基板9からの光が分光器62および撮像部63へと導かれる。
【0017】
具体的には、光ファイバ410の一端へと光源ユニット61からの照明光が導入され、他端に設けられたレンズ411により照明光がミラー412へと導かれる。照明光はミラー412にて反射されてハーフミラー413,414を透過してレンズ群415へと導かれ、レンズ群415によりチャンバ2の透光窓26へと導かれる。透光窓26を透過した照明光はステージ21上の基板9の表面におよそ垂直に入射し、基板9からの反射光は透光窓26を介してチャンバ2の外部へと導かれ、レンズ群415によりハーフミラー414へと導かれる。ハーフミラー414により、一部の光がレンズ416から光ファイバ417を介して分光器62へと導かれる。また、ハーフミラー414を透過した光はハーフミラー413によりレンズ418から光ファイバ419を介して撮像部63へと導かれる。
【0018】
以上のように、光ファイバ410,417,419、レンズ411,416,418、ミラー412、ハーフミラー413,414、および、レンズ群415により光学系41が構成される。なお、光学系41のレンズやミラー等は、図1中に波線にて示すカバー42により覆われつつ支持されており、ヘッド部4は光学系41およびカバー42により構成される。
【0019】
ヘッド移動機構43はヘッド部4を図1中のX方向に移動するX方向移動機構44、および、Y方向に移動するY方向移動機構45を有する。X方向移動機構44はモータ441にボールねじ(図示省略)が接続され、モータ441が回転することにより、Y方向移動機構45がガイドレール442に沿って図1中のX方向に移動する。Y方向移動機構45もX方向移動機構44と同様の構成となっており、モータ451が回転するとボールねじ(図示省略)によりヘッド部4がガイドレール452に沿ってY方向に移動する。
【0020】
光源ユニット61、ヘッド移動機構43、パターン認識部64、分光器62および制御部3はコンピュータ5に接続され、これらの構成がコンピュータ5により制御されることにより、ドライエッチング装置1において基板9上の膜に対してドライエッチングが行われつつ終点が検出される。
【0021】
図2はコンピュータ5のCPUがメモリ中のプログラムに従って演算処理を行うことにより実現される機能構成を示すブロック図である。図2において演算部51内の各構成がCPU等により実現される機能を示し、分光器62からの出力に基づいて演算部51によりドライエッチングの終点が検出される。なお、演算部51の各機能は専用の電気的回路により実現されてもよく、部分的に電気的回路が用いられてもよい。
【0022】
図3はドライエッチング装置1が基板9上の膜に対してドライエッチングを行いつつ終点を検出する処理の流れを示す図である。以下、ドライエッチング装置1の処理について図1および図2を参照しながら図3に沿って説明を行う。
【0023】
まず、多層膜が形成された基板9が外部の搬送機構によりチャンバ2内へと搬入され、ステージ21上に載置されて保持される(ステップS11)。なお、必要に応じて、ステージ21に昇降機構が設けられ、ステージ21が内部側壁22から離れた状態で基板9の受け渡しが行われてもよい。
【0024】
続いて、ヘッド部4の位置合わせが行われる(ステップS12)。具体的には、コンピュータ5が光源ユニット61を制御することにより光源ユニット61から照明光の出射が開始され、ヘッド部4の光学系41および透光窓26を介して基板9の表面上に照明光が照射される。そして、基板9からの反射光が透光窓26および光学系41を介して撮像部63へと導かれる。基板9の多層膜上には所定のレジストパターンが予め形成されており、レジストパターンを示す画像が撮像部63により撮像され、撮像された画像のデータがパターン認識部64へと出力される。
【0025】
パターン認識部64には、基板9上の所定の測定位置を示す参照画像が予め記憶されており、参照画像と撮像された画像とを比較することにより、測定位置と照明光の照射位置とのずれ量がコンピュータ5へと出力される。コンピュータ5は、入力されたずれ量に応じてヘッド移動機構43を制御し、照明光の照射位置が測定位置へと移動する。なお、パターン認識部64にて確認される位置は測定位置には限定されず、測定位置を相対的に特定することができる位置であってもよい。また、基板9の多層膜上には必ずしもレジストパターンが形成されている必要はなく、レジストパターン以外のパターンにより基板9のステージ21上の位置が確認されてもよい。
【0026】
ヘッド部4の位置合わせが行われると、制御部3がドライエッチング駆動ユニットを制御することにより、基板9に対するドライエッチングが開始される(ステップS13)。その後、速やかに分光器62により取得された反射光の分光強度が図2に示す演算部51の分光反射率算出部52へと出力される。分光反射率算出部52には、光源ユニット61が出射する照明光の分光強度が予め記憶されており、照明光の分光強度を参照して反射光の分光反射率が算出される(ステップS14)。以下、説明の便宜上、ステップS14にて算出される分光反射率を「第1分光反射率」と呼ぶ。なお、分光反射率算出部52の機能は分光器62に設けられてもよい。また、ドライエッチング開始時における第1分光反射率は必ずしもドライエッチング開始直後に取得される必要はなく、ドライエッチング開始から所定時間経過後に取得されてもよい。
【0027】
第1分光反射率が算出されると、その時刻から一定時間が経過した時刻において、ステップS14と同様に、基板9からの反射光の分光反射率が算出される(ステップS15)。以下、ステップS15にて求められる分光反射率を「第2分光反射率」と呼ぶ。
【0028】
図4は、ステップS14,S15において分光反射率を算出した結果の一例を示す図であり、図4にて符号71を付す曲線が第1分光反射率を示し、符号72を付す曲線が第2分光反射率を示している。図4中の横軸は波長を示し、縦軸は反射率を示している。図4に示すように、両曲線71,72は波長λ1から波長λ2の範囲にて求められている。なお、曲線71,72は、正確には測定対象となる離散的な波長に対応した離散的な値の集合である。
【0029】
分光反射率算出部52にて求められた第1分光反射率および第2分光反射率のデータは相対移動量算出部53へと出力され(図2参照)、終点の検出に利用される値(後述の「相対移動量」)が求められる(ステップS16)。
【0030】
相対移動量算出部53では、まず、第1分光反射率を示す曲線71に対して第2分光反射率を示す曲線72を波長軸方向へと微小量移動し、波長軸方向に関して両曲線71,72が重なる範囲において曲線71と曲線72との差分が算出される。例えば、図5に示すように曲線72が波長軸の負の方向へ距離dだけ移動した状態では、波長λ1から波長(λ2−d)の範囲での各波長(離散的な波長のそれぞれ)における反射率の差分が求められる。そして、各波長における差分は二乗され、得られた値の総和を波長の総数(すなわち、得られた値の総数)で除した値が求められる。以下、求められた値を「平均差分二乗和」という。
【0031】
相対移動量算出部53では、第1分光反射率を示す曲線71と第2分光反射率を示す曲線72とのずらし量(すなわち、図5における距離dであり、以下、「波長ずらし量」という。)を微小量ずつ変化させながら平均差分二乗和が繰り返し求められることにより、図6に示すように、波長ずらし量と平均差分二乗和との関係を示す曲線73が得られる。続いて、相対移動量算出部53において、図6に示す曲線73から平均差分二乗和が最小となる波長ずらし量d1が特定される。平均差分二乗和が最小となる波長ずらし量d1は、第1分光反射率を示す曲線71と第2分光反射率を示す曲線72との相違が最小となる状態のときの波長軸方向に関する相対的な移動量であり、以下、単に「相対移動量」と呼ぶ。
【0032】
以上のようにして求められた相対移動量は、終点検出部54にて、相対移動量の累積値の初期値として記憶される(ステップS17)。終点検出部54には、予め求められた終点を特定する値(以下、「終点特定値」という。)が記憶されており、相対移動量の累積値と終点特定値との比較が行われる。なお、終点特定値を取得する手法については後述する。相対移動量の累積値が終点特定値より小さい場合には、ステップS15〜S17が繰り返され(ステップS18)、新たな相対移動量が求められる。
【0033】
新たな相対移動量が求められる際には、直前に取得された第2分光反射率が第1分光反射率として取り扱われる。すなわち、分光反射率算出部52において、第1分光反射率が取得された時刻(すなわち、直前の第2分光反射率が取得された時刻から一定時間経過後の時刻における分光反射率が新たな第2分光反射率として取得され(ステップS15)、相対移動量算出部53により、新たな第1分光反射率と新たな第2分光反射率とを示す両曲線の相違が最小となる相対移動量が求められる(ステップS16)。続いて、終点検出部54において、記憶されている相対移動量の累積値に新たな相対移動量が加えられ(ステップS17)、相対移動量の累積値と終点特定値との比較が行われる(ステップS18)。
【0034】
以上のように、ドライエッチング装置1ではドライエッチングを継続しつつ相対移動量の累積値が終点特定値以上となるまでステップS15〜S18が一定間隔ごとに繰り返される。
【0035】
ステップS18において、相対移動量の累積値が終点特定値以上となると、演算部51から制御部3へと終点検出を示す信号が出力され(図2参照)、制御部3がドライエッチング駆動ユニットを制御してドライエッチングが終了する(ステップS19)。そして、基板9がチャンバ2より搬出される(ステップS20)。
【0036】
上述の処理において適正なエッチングを行うために、終点特定値は所望の量(深さ)だけエッチングを行う際に得られる(両分光反射率の曲線の)相対移動量の累積値として準備される。例えば、一時的にエッチング条件を所定の条件に保持してエッチング速度の精度を高めつつ分光反射率曲線の相対移動量を繰り返し求め、終点における相対移動量の累積値が終点特定値として取得される。また、予め適正なドライエッチングが施された基板の分光反射率を示す曲線と処理前の基板の分光反射率を示す曲線とに対して相違が最小となる相対移動量(すなわち、累積処理を省いて求められた相対移動量)が終点特定値として取得されてもよい。
【0037】
図7は、一定間隔ごとに求められた相対移動量を示す線74と相対移動量の累積値を示す線75とを示す図である。図7の横軸はエッチング時間を示し、縦軸は相対移動量を示している。図7の線75に示すように、相対移動量の累積値はエッチング時間の経過に従ってほぼ一定の速度で大きくなる。したがって、ドライエッチング開始時における膜厚がおよそ一定である限り、終点特定値として所望のエッチング深さ(すなわち、終点)に対応する相対移動量の累積値が設定されることにより、ドライエッチング装置1では、終点を適正に検出することが実現されることが判る。
【0038】
図8は、エッチング時間の経過に対する分光反射率の変化を示す図であり、横軸は波長を示し、縦軸はエッチング時間を示している。図8では、反射率の大きさが一定間隔に区切られ、それぞれ対応する波長をエッチング時間の経過に従って結ぶことで分光反射率の変化が等高線のように図示されている。図8において符号P1,P2を付す位置が分光反射率の極大値に対応し、符号V1を付す位置が極小値に対応する。図8において2次元的に表現された分光反射率の尾根および谷が真っ直ぐに伸びていることが判る。すなわち、エッチング時間に対して相対移動量の累積値が一定量ずつ増加することが図8からも確認できる。
【0039】
以上のように、ドライエッチング装置1では、一定間隔ごとの時刻において、ドライエッチングが行われている基板9の一の時刻における分光反射率を示す曲線(すなわち、第1分光反射率)と、一の時刻の次の時刻における基板9の分光反射率を示す曲線(すなわち、第2分光反射率)とを取得し、第1分光反射率と第2分光反射率とを波長軸方向へと相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量が求められる。そして、各時刻における相対移動量を繰り返し求めつつ、相対移動量の累積値に基づいてドライエッチングの終点を検出することにより、エッチング条件に依存することなく適切な終点を容易に検出することができる。また、煩雑な計算を行う必要がないため、ドライエッチングを行いつつリアルタイムに終点を検出することができる。
【0040】
さらに、新規な膜を有する基板に対してドライエッチングする場合であっても、光学定数を求めたり、複雑な計算を行うことなく、確認用基板(好ましくは複数)を用いて実際にエッチング深さと相対移動量の累積値との関係を求めるのみで終点特定値を容易に取得することが可能である。
【0041】
図9はドライエッチング装置1が終点検出を行う処理の流れの他の例を示す図であり、図3のステップS13とステップS19との間の処理を示している。
【0042】
他の例に係る終点検出の処理では、ドライエッチングが開始されると(図3中のステップS13)、速やかに分光反射率算出部52により分光反射率(以下、「最初の分光反射率」と呼ぶ。)が取得される(ステップS31)。なお、最初の分光反射率はドライエッチングの開始後すぐに取得されることが好ましいが、例えば、ドライエッチングの開始から所定の時間が経過した後等、エッチング開始時刻に固定された時刻であってもよい。
【0043】
続いて、最初の分光反射率を測定した時刻から一定時間が経過した時刻において分光反射率が求められ(ステップS32)、最初の分光反射率との相対移動量が相対移動量算出部53にて求められる(ステップS33)。なお、ステップS31〜S33において分光反射率および相対移動量を求める手法は、図3の場合と同様である。そして、終点検出部54において相対移動量と終点特定値との比較が行われ、相対移動量が終点特定値よりも小さい場合は前の分光反射率の取得から一定時間経過後にステップS32から繰り返される(ステップS34)。すなわち、一定間隔ごとに分光反射率の算出、最初の分光反射率に対する相対移動量の算出および終点確認が行われる。
【0044】
相対移動量が終点特定値以上となると(すなわち、終点が検出されると)、ドライエッチングが終了されて基板9がチャンバ2より搬出される(図3中のステップS19,S20)。
【0045】
以上のように、図9に示す終点検出の処理の流れでは、ドライエッチングが行われている基板9のエッチング開始時刻に対して固定された時刻における最初の分光反射率を示す曲線と、一定間隔ごとの時刻における分光反射率を示す曲線とに基づいてドライエッチングの終点が検出される。すなわち、図3に示す相対移動量の累積値が図9では相対移動量として求められる。これにより、ドライエッチング装置1では、複雑な計算を行うことなく、簡素な計算のみで容易かつ適切に終点を検出することができる。
【0046】
なお、図9に示す処理は、相対移動量に含まれる誤差が累積されないため、分光反射率が波長に対して周期性に乏しい場合(すなわち、累積処理を省略しても終点の誤検出の可能性が低い場合)に特に適している。
【0047】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【0048】
上記実施の形態では基板9の一の時刻における分光反射率と他の時刻における分光反射率とから相対移動量が求められるが、一の時刻における反射光の分光強度を示す曲線と他の時刻における分光強度を示す曲線とから両曲線の相対移動量が求められてもよい。すなわち、分光強度は上記実施の形態における分光反射率と等価に取り扱うことができる。
【0049】
相対移動量算出部53では、相対移動量は必ずしも平均差分二乗和に基づいて特定される必要はなく、例えば、各波長(離散的な波長のそれぞれ)における差分の標準偏差が算出され、標準偏差が最小となる波長ずらし量が相対移動量とされてもよい。また、波長軸方向に関する微小区間における両曲線71,72の面積の差に基づいて相対移動量が求められてもよい。すなわち、相対移動量は所定の基準に基づいて両曲線の相違が最小となるときの移動量であればどのようなものが採用されてもよい。
【0050】
また、平均差分二乗和と波長ずらし量との関係を示す線73は、極一部の波長範囲で求められるのみでもよい。例えば、平均差分二乗和の最小値が存在すると推測される波長ずらし量を基準に所定の範囲が予め特定され、特定された範囲内でのみ平均差分二乗和が求められてもよい。その場合、その範囲内における極小値(すなわち、最小値と推測される極小値)が相対移動量とされる。
【0051】
複数のヘッド部が設けられることにより、または、1つのヘッド部が移動することにより基板9上の複数の位置の終点検出が行われ、複数の位置の終点検出結果に基づいてドライエッチングが終了されてもよい。
【0052】
チャンバ2の構成は上記実施の形態に限定されず、チャンバ2内にガスを供給してガス(プラズマ状態やイオン状態を含む。)により基板表面にドライエッチングが行われるのであれば、他の構造であってもよい。
【0053】
ドライエッチングされる基板9は、半導体基板に限定されず、例えば、液晶表示装置やその他のフラットパネル表示装置等に使用されるガラス基板に対するドライエッチングにも上述の終点を検出する手法を利用することができる。
【0054】
【発明の効果】
本発明によれば、ドライエッチングを行いつつ終点を容易に検出することができる。
【0055】
また、請求項2の発明では、照明光の照射位置を適切な位置に移動することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ドライエッチング装置の概略構成を示す図である。
【図2】コンピュータの機能構成を示すブロック図である。
【図3】ドライエッチングを行いつつ終点を検出する処理の流れを示す図である。
【図4】第1分光反射率および第2分光反射率を示す図である。
【図5】第2分光反射率を波長軸方向に移動した様子を示す図である。
【図6】平均差分二乗和と波長ずらし量との関係を示す図である。
【図7】相対移動量とエッチング時間との関係を示す図である。
【図8】エッチング時間の経過に対する分光反射率の分布の変化を示す図である。
【図9】終点を検出する処理の流れの他の例を示す図である。
【符号の説明】
1 ドライエッチング装置
2 チャンバ
3 制御部
9 基板
43 ヘッド移動機構
51 演算部
52 分光反射率算出部
53 相対移動量算出部
54 終点検出部
61 光源ユニット
62 分光器
63 撮像部
71,72 曲線
S14〜S18,S31〜S34 ステップ
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に対するドライエッチングの終点を検出する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体基板(以下、「基板」という。)の表面に形成された膜に微細加工(例えば、ダマシン工程の前段階における溝の形成)を施すために、基板が載置されたチャンバ内にガスを供給し、基板表面にガス(プラズマ状態やイオン状態を含む。)によるドライエッチングが行われている。このとき、予めドライエッチングの速度(いわゆる、エッチングレート)を測定しておき、ドライエッチングに関する多数の条件を一定に保つことにより、エッチング時間に基づいて所望のエッチング深さとなるように制御を行っている。
【0003】
ところで、エッチングレートを厳密に再現するには、ドライエッチングに関するすべての条件を一定に保つことが必要とされるため、実際には、所望のエッチング深さに対してばらつきが生じてしまう。そこで、チャンバ内に載置されたドライエッチング中の基板に向けて光を照射し、基板からの反射光を分光することにより得られる分光反射率を示す波形と、基板上の膜(多層膜であってもよい。)の光学定数に基づいて予め理論的演算により求められた波形とのフィッティングを行うことによりエッチング深さ(すなわち、基板上の膜厚の減少量に対応する量)を確認する手法が提案されている。
【0004】
また、特許文献1では、基板に単波長の光を照射し、エッチングの進行により生じる反射光の強度振動に基づいてエッチング深さを検出する技術が開示されている。特許文献1に記載された技術ではさらに、波長可変光源を用いて所望のエッチング深さの検出に適した波長の光がドライエッチング中の基板に向けて出射される。
【0005】
【特許文献1】
特開平7−58081号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の理論波形とのフィッティングによる手法では、新規な膜に変更する度に、基板上の膜(多層膜の場合は、それぞれの膜)の光学定数を求めて理論波形を計算したり、理論波形が正しく求められていることを確認する等、煩雑な作業を行う必要がある。また、膨大な量の計算を行う必要があるため、測定結果を迅速に求めることが困難となり、ドライエッチング中にリアルタイムで行うことができない。
【0007】
一方、特許文献1に記載された手法では、光源から出射される光の波長を基板の種類に応じて変更する必要があり、様々な基板に対して容易に測定を行うことができない。
【0008】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ドライエッチング中の基板の膜の状態を容易に検出する手法を提供することにより、ドライエッチングの終点をリアルタイムにて検出することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板上に形成された膜のドライエッチングを行うドライエッチング装置であって、基板上の膜に対するドライエッチングが行われるチャンバと、基板への照明光を出射する光源と、基板からの光を分光する分光器と、前記分光器からの出力に基づいて基板上の膜に対するドライエッチングの終点を検出する演算部と、前記演算部からの信号に基づいてドライエッチングを終了する制御部とを備え、前記演算部が、前記分光器からの出力に基づいて基板の分光反射率を求める手段と、一の時刻における分光反射率を示す曲線と他の時刻における分光反射率を示す曲線とを波長軸方向へ相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量を求める手段と、前記相対移動量を用いて前記終点を検出する手段とを有する。
【0010】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のドライエッチング装置であって、基板上の照明光の照射位置を撮像する撮像部と、前記撮像部にて取得された画像に基づいて前記照射位置を移動する機構とをさらに備える。
【0011】
請求項3に記載の発明は、基板上に形成された膜のドライエッチング時における終点を検出する終点検出方法であって、ドライエッチングが行われている基板の一の時刻における分光反射率を示す第1の曲線を取得する工程と、他の時刻における前記基板の分光反射率を示す第2の曲線を取得する工程と、前記第1の曲線と前記第2の曲線とを波長軸方向へ相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量を求める工程と、前記相対移動量に基づいてドライエッチングの終点であるか否かを検出する工程とを有する。
【0012】
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の終点検出方法であって、前記一の時刻が一定間隔ごとの時刻であり、前記他の時刻が前記一定間隔ごとの時刻のうち前記一の時刻の次の時刻であり、前記第1の曲線を取得する工程ないし前記検出する工程が繰り返され、前記相対移動量の累積値に基づいて前記終点が検出される。
【0013】
請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の終点検出方法であって、前記一の時刻がエッチング開始時刻に対して固定された時刻であり、前記他の時刻が一定間隔ごとの時刻であり、前記第2の曲線を取得する工程ないし前記検出する工程が繰り返される。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一の実施の形態に係るドライエッチング装置1の概略構成を示す図である。ドライエッチング装置1は、基板9上に形成された膜に対してドライエッチングを行いつつ、所望のエッチング量となる終点(すなわち、ドライエッチングを終了すべき状態、または、ドライエッチングを終了すべき時刻)を検出する装置である。ドライエッチング装置1はドライエッチングが行われるチャンバ2、ドライエッチングの制御を行う制御部3、チャンバ2の上方に設けられるヘッド部4、ヘッド部4をチャンバ2に対して相対的に移動するヘッド移動機構43、および、各種演算を行うCPUや各種情報を記憶するメモリ等により構成されたコンピュータ5を有する。
【0015】
チャンバ2の内部には、ステージ21が設けられ、ステージ21により多層膜(単層膜でもよい。)が形成された基板9が保持される。ステージ21の周囲には円筒状の内部側壁22が設けられ、内部側壁22の周囲には電源ユニット(図示省略)に接続されたコイル23が形成される。チャンバ2には、所定のガスをチャンバ2の内部へと導入するガス導入口24、および、チャンバ2の内部を排気する排気口25が形成されており、ガス導入口24は外部のガス供給部(図示省略)へ、排気口25は外部のポンプ(図示省略)へとそれぞれ接続される。また、チャンバ2の上面には光を透過する透光窓26が設けられ、これにより外部からの光が基板9の表面へと導かれる。電源ユニット、ガス供給部およびポンプ(以下、「ドライエッチング駆動ユニット」と総称する。)は制御部3に接続され、これらの構成が制御部3により制御されることにより、基板9に対するドライエッチングが行われる。
【0016】
ヘッド部4の周囲には、基板9への照明光を出射する光源ユニット61、基板9からの光を分光する分光器62、基板9上の照明光の照射位置を撮像する撮像部63、および、撮像部63に接続されたパターン認識部64が設けられ、ヘッド部4の光学系41により、光源ユニット61からの照明光が基板9へと導かれつつ、基板9からの光が分光器62および撮像部63へと導かれる。
【0017】
具体的には、光ファイバ410の一端へと光源ユニット61からの照明光が導入され、他端に設けられたレンズ411により照明光がミラー412へと導かれる。照明光はミラー412にて反射されてハーフミラー413,414を透過してレンズ群415へと導かれ、レンズ群415によりチャンバ2の透光窓26へと導かれる。透光窓26を透過した照明光はステージ21上の基板9の表面におよそ垂直に入射し、基板9からの反射光は透光窓26を介してチャンバ2の外部へと導かれ、レンズ群415によりハーフミラー414へと導かれる。ハーフミラー414により、一部の光がレンズ416から光ファイバ417を介して分光器62へと導かれる。また、ハーフミラー414を透過した光はハーフミラー413によりレンズ418から光ファイバ419を介して撮像部63へと導かれる。
【0018】
以上のように、光ファイバ410,417,419、レンズ411,416,418、ミラー412、ハーフミラー413,414、および、レンズ群415により光学系41が構成される。なお、光学系41のレンズやミラー等は、図1中に波線にて示すカバー42により覆われつつ支持されており、ヘッド部4は光学系41およびカバー42により構成される。
【0019】
ヘッド移動機構43はヘッド部4を図1中のX方向に移動するX方向移動機構44、および、Y方向に移動するY方向移動機構45を有する。X方向移動機構44はモータ441にボールねじ(図示省略)が接続され、モータ441が回転することにより、Y方向移動機構45がガイドレール442に沿って図1中のX方向に移動する。Y方向移動機構45もX方向移動機構44と同様の構成となっており、モータ451が回転するとボールねじ(図示省略)によりヘッド部4がガイドレール452に沿ってY方向に移動する。
【0020】
光源ユニット61、ヘッド移動機構43、パターン認識部64、分光器62および制御部3はコンピュータ5に接続され、これらの構成がコンピュータ5により制御されることにより、ドライエッチング装置1において基板9上の膜に対してドライエッチングが行われつつ終点が検出される。
【0021】
図2はコンピュータ5のCPUがメモリ中のプログラムに従って演算処理を行うことにより実現される機能構成を示すブロック図である。図2において演算部51内の各構成がCPU等により実現される機能を示し、分光器62からの出力に基づいて演算部51によりドライエッチングの終点が検出される。なお、演算部51の各機能は専用の電気的回路により実現されてもよく、部分的に電気的回路が用いられてもよい。
【0022】
図3はドライエッチング装置1が基板9上の膜に対してドライエッチングを行いつつ終点を検出する処理の流れを示す図である。以下、ドライエッチング装置1の処理について図1および図2を参照しながら図3に沿って説明を行う。
【0023】
まず、多層膜が形成された基板9が外部の搬送機構によりチャンバ2内へと搬入され、ステージ21上に載置されて保持される(ステップS11)。なお、必要に応じて、ステージ21に昇降機構が設けられ、ステージ21が内部側壁22から離れた状態で基板9の受け渡しが行われてもよい。
【0024】
続いて、ヘッド部4の位置合わせが行われる(ステップS12)。具体的には、コンピュータ5が光源ユニット61を制御することにより光源ユニット61から照明光の出射が開始され、ヘッド部4の光学系41および透光窓26を介して基板9の表面上に照明光が照射される。そして、基板9からの反射光が透光窓26および光学系41を介して撮像部63へと導かれる。基板9の多層膜上には所定のレジストパターンが予め形成されており、レジストパターンを示す画像が撮像部63により撮像され、撮像された画像のデータがパターン認識部64へと出力される。
【0025】
パターン認識部64には、基板9上の所定の測定位置を示す参照画像が予め記憶されており、参照画像と撮像された画像とを比較することにより、測定位置と照明光の照射位置とのずれ量がコンピュータ5へと出力される。コンピュータ5は、入力されたずれ量に応じてヘッド移動機構43を制御し、照明光の照射位置が測定位置へと移動する。なお、パターン認識部64にて確認される位置は測定位置には限定されず、測定位置を相対的に特定することができる位置であってもよい。また、基板9の多層膜上には必ずしもレジストパターンが形成されている必要はなく、レジストパターン以外のパターンにより基板9のステージ21上の位置が確認されてもよい。
【0026】
ヘッド部4の位置合わせが行われると、制御部3がドライエッチング駆動ユニットを制御することにより、基板9に対するドライエッチングが開始される(ステップS13)。その後、速やかに分光器62により取得された反射光の分光強度が図2に示す演算部51の分光反射率算出部52へと出力される。分光反射率算出部52には、光源ユニット61が出射する照明光の分光強度が予め記憶されており、照明光の分光強度を参照して反射光の分光反射率が算出される(ステップS14)。以下、説明の便宜上、ステップS14にて算出される分光反射率を「第1分光反射率」と呼ぶ。なお、分光反射率算出部52の機能は分光器62に設けられてもよい。また、ドライエッチング開始時における第1分光反射率は必ずしもドライエッチング開始直後に取得される必要はなく、ドライエッチング開始から所定時間経過後に取得されてもよい。
【0027】
第1分光反射率が算出されると、その時刻から一定時間が経過した時刻において、ステップS14と同様に、基板9からの反射光の分光反射率が算出される(ステップS15)。以下、ステップS15にて求められる分光反射率を「第2分光反射率」と呼ぶ。
【0028】
図4は、ステップS14,S15において分光反射率を算出した結果の一例を示す図であり、図4にて符号71を付す曲線が第1分光反射率を示し、符号72を付す曲線が第2分光反射率を示している。図4中の横軸は波長を示し、縦軸は反射率を示している。図4に示すように、両曲線71,72は波長λ1から波長λ2の範囲にて求められている。なお、曲線71,72は、正確には測定対象となる離散的な波長に対応した離散的な値の集合である。
【0029】
分光反射率算出部52にて求められた第1分光反射率および第2分光反射率のデータは相対移動量算出部53へと出力され(図2参照)、終点の検出に利用される値(後述の「相対移動量」)が求められる(ステップS16)。
【0030】
相対移動量算出部53では、まず、第1分光反射率を示す曲線71に対して第2分光反射率を示す曲線72を波長軸方向へと微小量移動し、波長軸方向に関して両曲線71,72が重なる範囲において曲線71と曲線72との差分が算出される。例えば、図5に示すように曲線72が波長軸の負の方向へ距離dだけ移動した状態では、波長λ1から波長(λ2−d)の範囲での各波長(離散的な波長のそれぞれ)における反射率の差分が求められる。そして、各波長における差分は二乗され、得られた値の総和を波長の総数(すなわち、得られた値の総数)で除した値が求められる。以下、求められた値を「平均差分二乗和」という。
【0031】
相対移動量算出部53では、第1分光反射率を示す曲線71と第2分光反射率を示す曲線72とのずらし量(すなわち、図5における距離dであり、以下、「波長ずらし量」という。)を微小量ずつ変化させながら平均差分二乗和が繰り返し求められることにより、図6に示すように、波長ずらし量と平均差分二乗和との関係を示す曲線73が得られる。続いて、相対移動量算出部53において、図6に示す曲線73から平均差分二乗和が最小となる波長ずらし量d1が特定される。平均差分二乗和が最小となる波長ずらし量d1は、第1分光反射率を示す曲線71と第2分光反射率を示す曲線72との相違が最小となる状態のときの波長軸方向に関する相対的な移動量であり、以下、単に「相対移動量」と呼ぶ。
【0032】
以上のようにして求められた相対移動量は、終点検出部54にて、相対移動量の累積値の初期値として記憶される(ステップS17)。終点検出部54には、予め求められた終点を特定する値(以下、「終点特定値」という。)が記憶されており、相対移動量の累積値と終点特定値との比較が行われる。なお、終点特定値を取得する手法については後述する。相対移動量の累積値が終点特定値より小さい場合には、ステップS15〜S17が繰り返され(ステップS18)、新たな相対移動量が求められる。
【0033】
新たな相対移動量が求められる際には、直前に取得された第2分光反射率が第1分光反射率として取り扱われる。すなわち、分光反射率算出部52において、第1分光反射率が取得された時刻(すなわち、直前の第2分光反射率が取得された時刻から一定時間経過後の時刻における分光反射率が新たな第2分光反射率として取得され(ステップS15)、相対移動量算出部53により、新たな第1分光反射率と新たな第2分光反射率とを示す両曲線の相違が最小となる相対移動量が求められる(ステップS16)。続いて、終点検出部54において、記憶されている相対移動量の累積値に新たな相対移動量が加えられ(ステップS17)、相対移動量の累積値と終点特定値との比較が行われる(ステップS18)。
【0034】
以上のように、ドライエッチング装置1ではドライエッチングを継続しつつ相対移動量の累積値が終点特定値以上となるまでステップS15〜S18が一定間隔ごとに繰り返される。
【0035】
ステップS18において、相対移動量の累積値が終点特定値以上となると、演算部51から制御部3へと終点検出を示す信号が出力され(図2参照)、制御部3がドライエッチング駆動ユニットを制御してドライエッチングが終了する(ステップS19)。そして、基板9がチャンバ2より搬出される(ステップS20)。
【0036】
上述の処理において適正なエッチングを行うために、終点特定値は所望の量(深さ)だけエッチングを行う際に得られる(両分光反射率の曲線の)相対移動量の累積値として準備される。例えば、一時的にエッチング条件を所定の条件に保持してエッチング速度の精度を高めつつ分光反射率曲線の相対移動量を繰り返し求め、終点における相対移動量の累積値が終点特定値として取得される。また、予め適正なドライエッチングが施された基板の分光反射率を示す曲線と処理前の基板の分光反射率を示す曲線とに対して相違が最小となる相対移動量(すなわち、累積処理を省いて求められた相対移動量)が終点特定値として取得されてもよい。
【0037】
図7は、一定間隔ごとに求められた相対移動量を示す線74と相対移動量の累積値を示す線75とを示す図である。図7の横軸はエッチング時間を示し、縦軸は相対移動量を示している。図7の線75に示すように、相対移動量の累積値はエッチング時間の経過に従ってほぼ一定の速度で大きくなる。したがって、ドライエッチング開始時における膜厚がおよそ一定である限り、終点特定値として所望のエッチング深さ(すなわち、終点)に対応する相対移動量の累積値が設定されることにより、ドライエッチング装置1では、終点を適正に検出することが実現されることが判る。
【0038】
図8は、エッチング時間の経過に対する分光反射率の変化を示す図であり、横軸は波長を示し、縦軸はエッチング時間を示している。図8では、反射率の大きさが一定間隔に区切られ、それぞれ対応する波長をエッチング時間の経過に従って結ぶことで分光反射率の変化が等高線のように図示されている。図8において符号P1,P2を付す位置が分光反射率の極大値に対応し、符号V1を付す位置が極小値に対応する。図8において2次元的に表現された分光反射率の尾根および谷が真っ直ぐに伸びていることが判る。すなわち、エッチング時間に対して相対移動量の累積値が一定量ずつ増加することが図8からも確認できる。
【0039】
以上のように、ドライエッチング装置1では、一定間隔ごとの時刻において、ドライエッチングが行われている基板9の一の時刻における分光反射率を示す曲線(すなわち、第1分光反射率)と、一の時刻の次の時刻における基板9の分光反射率を示す曲線(すなわち、第2分光反射率)とを取得し、第1分光反射率と第2分光反射率とを波長軸方向へと相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量が求められる。そして、各時刻における相対移動量を繰り返し求めつつ、相対移動量の累積値に基づいてドライエッチングの終点を検出することにより、エッチング条件に依存することなく適切な終点を容易に検出することができる。また、煩雑な計算を行う必要がないため、ドライエッチングを行いつつリアルタイムに終点を検出することができる。
【0040】
さらに、新規な膜を有する基板に対してドライエッチングする場合であっても、光学定数を求めたり、複雑な計算を行うことなく、確認用基板(好ましくは複数)を用いて実際にエッチング深さと相対移動量の累積値との関係を求めるのみで終点特定値を容易に取得することが可能である。
【0041】
図9はドライエッチング装置1が終点検出を行う処理の流れの他の例を示す図であり、図3のステップS13とステップS19との間の処理を示している。
【0042】
他の例に係る終点検出の処理では、ドライエッチングが開始されると(図3中のステップS13)、速やかに分光反射率算出部52により分光反射率(以下、「最初の分光反射率」と呼ぶ。)が取得される(ステップS31)。なお、最初の分光反射率はドライエッチングの開始後すぐに取得されることが好ましいが、例えば、ドライエッチングの開始から所定の時間が経過した後等、エッチング開始時刻に固定された時刻であってもよい。
【0043】
続いて、最初の分光反射率を測定した時刻から一定時間が経過した時刻において分光反射率が求められ(ステップS32)、最初の分光反射率との相対移動量が相対移動量算出部53にて求められる(ステップS33)。なお、ステップS31〜S33において分光反射率および相対移動量を求める手法は、図3の場合と同様である。そして、終点検出部54において相対移動量と終点特定値との比較が行われ、相対移動量が終点特定値よりも小さい場合は前の分光反射率の取得から一定時間経過後にステップS32から繰り返される(ステップS34)。すなわち、一定間隔ごとに分光反射率の算出、最初の分光反射率に対する相対移動量の算出および終点確認が行われる。
【0044】
相対移動量が終点特定値以上となると(すなわち、終点が検出されると)、ドライエッチングが終了されて基板9がチャンバ2より搬出される(図3中のステップS19,S20)。
【0045】
以上のように、図9に示す終点検出の処理の流れでは、ドライエッチングが行われている基板9のエッチング開始時刻に対して固定された時刻における最初の分光反射率を示す曲線と、一定間隔ごとの時刻における分光反射率を示す曲線とに基づいてドライエッチングの終点が検出される。すなわち、図3に示す相対移動量の累積値が図9では相対移動量として求められる。これにより、ドライエッチング装置1では、複雑な計算を行うことなく、簡素な計算のみで容易かつ適切に終点を検出することができる。
【0046】
なお、図9に示す処理は、相対移動量に含まれる誤差が累積されないため、分光反射率が波長に対して周期性に乏しい場合(すなわち、累積処理を省略しても終点の誤検出の可能性が低い場合)に特に適している。
【0047】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【0048】
上記実施の形態では基板9の一の時刻における分光反射率と他の時刻における分光反射率とから相対移動量が求められるが、一の時刻における反射光の分光強度を示す曲線と他の時刻における分光強度を示す曲線とから両曲線の相対移動量が求められてもよい。すなわち、分光強度は上記実施の形態における分光反射率と等価に取り扱うことができる。
【0049】
相対移動量算出部53では、相対移動量は必ずしも平均差分二乗和に基づいて特定される必要はなく、例えば、各波長(離散的な波長のそれぞれ)における差分の標準偏差が算出され、標準偏差が最小となる波長ずらし量が相対移動量とされてもよい。また、波長軸方向に関する微小区間における両曲線71,72の面積の差に基づいて相対移動量が求められてもよい。すなわち、相対移動量は所定の基準に基づいて両曲線の相違が最小となるときの移動量であればどのようなものが採用されてもよい。
【0050】
また、平均差分二乗和と波長ずらし量との関係を示す線73は、極一部の波長範囲で求められるのみでもよい。例えば、平均差分二乗和の最小値が存在すると推測される波長ずらし量を基準に所定の範囲が予め特定され、特定された範囲内でのみ平均差分二乗和が求められてもよい。その場合、その範囲内における極小値(すなわち、最小値と推測される極小値)が相対移動量とされる。
【0051】
複数のヘッド部が設けられることにより、または、1つのヘッド部が移動することにより基板9上の複数の位置の終点検出が行われ、複数の位置の終点検出結果に基づいてドライエッチングが終了されてもよい。
【0052】
チャンバ2の構成は上記実施の形態に限定されず、チャンバ2内にガスを供給してガス(プラズマ状態やイオン状態を含む。)により基板表面にドライエッチングが行われるのであれば、他の構造であってもよい。
【0053】
ドライエッチングされる基板9は、半導体基板に限定されず、例えば、液晶表示装置やその他のフラットパネル表示装置等に使用されるガラス基板に対するドライエッチングにも上述の終点を検出する手法を利用することができる。
【0054】
【発明の効果】
本発明によれば、ドライエッチングを行いつつ終点を容易に検出することができる。
【0055】
また、請求項2の発明では、照明光の照射位置を適切な位置に移動することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ドライエッチング装置の概略構成を示す図である。
【図2】コンピュータの機能構成を示すブロック図である。
【図3】ドライエッチングを行いつつ終点を検出する処理の流れを示す図である。
【図4】第1分光反射率および第2分光反射率を示す図である。
【図5】第2分光反射率を波長軸方向に移動した様子を示す図である。
【図6】平均差分二乗和と波長ずらし量との関係を示す図である。
【図7】相対移動量とエッチング時間との関係を示す図である。
【図8】エッチング時間の経過に対する分光反射率の分布の変化を示す図である。
【図9】終点を検出する処理の流れの他の例を示す図である。
【符号の説明】
1 ドライエッチング装置
2 チャンバ
3 制御部
9 基板
43 ヘッド移動機構
51 演算部
52 分光反射率算出部
53 相対移動量算出部
54 終点検出部
61 光源ユニット
62 分光器
63 撮像部
71,72 曲線
S14〜S18,S31〜S34 ステップ
Claims (5)
- 基板上に形成された膜のドライエッチングを行うドライエッチング装置であって、
基板上の膜に対するドライエッチングが行われるチャンバと、
基板への照明光を出射する光源と、
基板からの光を分光する分光器と、
前記分光器からの出力に基づいて基板上の膜に対するドライエッチングの終点を検出する演算部と、
前記演算部からの信号に基づいてドライエッチングを終了する制御部と、
を備え、
前記演算部が、
前記分光器からの出力に基づいて基板の分光反射率を求める手段と、
一の時刻における分光反射率を示す曲線と他の時刻における分光反射率を示す曲線とを波長軸方向へ相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量を求める手段と、
前記相対移動量を用いて前記終点を検出する手段と、
を有することを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項1に記載のドライエッチング装置であって、
基板上の照明光の照射位置を撮像する撮像部と、
前記撮像部にて取得された画像に基づいて前記照射位置を移動する機構と、
をさらに備えることを特徴とするドライエッチング装置。 - 基板上に形成された膜のドライエッチング時における終点を検出する終点検出方法であって、
ドライエッチングが行われている基板の一の時刻における分光反射率を示す第1の曲線を取得する工程と、
他の時刻における前記基板の分光反射率を示す第2の曲線を取得する工程と、
前記第1の曲線と前記第2の曲線とを波長軸方向へ相対的に移動して、両曲線の相違が最小となるときの相対移動量を求める工程と、
前記相対移動量に基づいてドライエッチングの終点であるか否かを検出する工程と、
を有することを特徴とする終点検出方法。 - 請求項3に記載の終点検出方法であって、
前記一の時刻が一定間隔ごとの時刻であり、前記他の時刻が前記一定間隔ごとの時刻のうち前記一の時刻の次の時刻であり、
前記第1の曲線を取得する工程ないし前記検出する工程が繰り返され、
前記相対移動量の累積値に基づいて前記終点が検出されることを特徴とする終点検出方法。 - 請求項3に記載の終点検出方法であって、
前記一の時刻がエッチング開始時刻に対して固定された時刻であり、前記他の時刻が一定間隔ごとの時刻であり、
前記第2の曲線を取得する工程ないし前記検出する工程が繰り返されることを特徴とする終点検出方法。
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JP2002296850A JP2004134540A (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | ドライエッチング装置および終点検出方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160046309A (ko) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | 램 리써치 코포레이션 | 멀티-모드 펄스 프로세스들 내의 프로세스 지점을 식별하기 위한 시스템 및 방법 |
US10948900B2 (en) | 2009-11-03 | 2021-03-16 | Applied Materials, Inc. | Display of spectra contour plots versus time for semiconductor processing system control |
-
2002
- 2002-10-10 JP JP2002296850A patent/JP2004134540A/ja active Pending
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KR102623688B1 (ko) * | 2014-10-20 | 2024-01-10 | 램 리써치 코포레이션 | 멀티-모드 펄스 프로세스들 내의 프로세스 지점을 식별하기 위한 시스템 및 방법 |
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