JP2020150198A - 処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板を構成する対象物の広範な領域において、処理後の対象物の厚みのバラツキを抑制できる処理条件選択方法を提供する。【解決手段】処理条件選択方法は工程Ｓ２１及び工程Ｓ２２を含む。工程Ｓ２１において、対象物の複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の厚みの分布を示す厚みパターンＴＭと、予め記憶されている複数の参照パターンＲＰとを比較して、複数の参照パターンＲＰのうちから規定ルールに基づき厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定する。工程Ｓ２２において、複数の参照パターンＲＰにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定された参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件を対象物の処理条件として取得する。複数の参照パターンＲＰの各々は参照対象物の物理量の分布を示す。複数の参照処理条件の各々は、参照パターンＲＰを有する参照対象物に対して処理を過去に実行したときの処理条件を示す。【選択図】図１１

Description

本発明は、処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体に関する。
特許文献１に記載されている半導体装置では、対応表を作成して、半導体基板上に形成された絶縁膜のエッチング時間を決定する。対応表は、半導体基板上に形成されたストッパ膜の膜厚平均値と絶縁膜のエッチング時間とを対比させている。
特開２００４−７１８６２号公報
しかしながら、特許文献１に記載されている半導体装置では、対応表は、基板の特定の２５ポイントについて、ストッパ膜の膜厚を測定し、測定結果から求められる膜厚平均値と、絶縁膜のエッチング時間とを対比させているに過ぎない。
一方、本願の発明者は、基板のある位置（以下、「位置ＬＣ」と記載する。）についてのエッチング処理が、位置ＬＣの近傍の膜厚分布に影響を与えることの知見を有している。
従って、対応表が、基板の特定の２５ポイントの膜厚平均値に対して良好なエッチング時間を定めていても、基板の広範な領域にわたって絶縁膜のエッチングが良好であるとは限らない。その結果、基板の広範な領域を観察すると、エッチング後の絶縁膜の厚みにバラツキが発生する可能性がある。
換言すれば、エッチング液等の処理液による処理後の対象物の厚みにバラツキが発生する可能性がある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を構成する対象物の広範な領域において、処理後の対象物の厚みのバラツキを抑制できる処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体を提供することにある。
本発明の一局面によれば、処理条件選択方法においては、基板を構成する対象物を処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する。処理条件選択方法は、前記対象物の複数の測定位置の各々において、前記処理液による処理前に前記対象物の厚みを測定する工程と、前記複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の前記厚みの分布を示す厚みパターンと、予め記憶部に記憶されている複数の参照パターンとを比較して、前記複数の参照パターンのうちから、規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い参照パターンを特定する工程と、前記複数の参照パターンにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定された前記参照パターンに関連付けられた参照処理条件を、前記処理条件として前記記憶部から取得する工程とを含む。前記複数の参照パターンの各々は、参照対象物の物理量の分布を示す。前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照パターンを有する前記参照対象物に対して、前記処理液による処理を過去に実行したときの処理条件を示す。
本発明の処理条件選択方法において、前記複数の参照パターンの各々は、複数の参照グループのうちのいずれかに予め分類されていることが好ましい。前記複数の参照グループは、参照パターンの形状の特徴に基づいて定められていることが好ましい。前記参照パターンを特定する前記工程は、前記厚みパターンを前記複数の参照グループのうちのいずれかの参照グループに分類する工程と、前記複数の参照パターンのうち、前記厚みパターンが分類された前記参照グループに分類されている２以上の参照パターンを対象として、前記規定ルールに基づき前記厚みパターンと前記参照パターンとの比較を行い、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定する工程とを含むことが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記複数の参照グループは、第１参照グループと第２参照グループと第３参照グループとのうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。前記第１参照グループは、前記対象物または前記参照対象物の中心部からエッジ部までの間に極小部を有するパターンのグループを示すことが好ましい。前記第２参照グループは、前記対象物または前記参照対象物の中心部からエッジ部までの間に極大部を有するパターンのグループを示すことが好ましい。前記第１参照グループは、前記対象物または前記参照対象物の中心部からエッジ部に向かって一方向に傾斜しているパターンのグループを示すことが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記厚みパターンが分類された前記参照グループが前記第１参照グループである場合、前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンに基づく第１差分と、前記参照パターンに基づく第２差分とを比較して、比較結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定することが好ましい。前記第１差分は、前記厚みパターンの極小部によって示される前記対象物の厚みと、前記厚みパターンのエッジ部によって示される前記対象物のエッジ部の厚みとの差分を示すことが好ましい。前記第２差分は、前記参照パターンの極小部によって示される前記参照対象物の物理量と、前記参照パターンのエッジ部によって示される前記参照対象物のエッジ部の物理量との差分を示すことが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記厚みパターンが分類された前記参照グループが前記第２参照グループである場合、前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンに基づく第１距離と、前記参照パターンに基づく第２距離とを比較して、比較結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定することが好ましい。前記第１距離は、前記対象物の中心部から前記厚みパターンの極大部に対応する位置までの距離を示すことが好ましい。前記第２距離は、前記参照対象物の中心部から前記参照パターンの極大部に対応する位置までの距離を示すことが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記厚みパターンが分類された前記参照グループが前記第３参照グループである場合、前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンの傾斜と、前記参照パターンの傾斜とを比較して、比較結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定することが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記参照パターンを特定する前記工程は、前記厚みパターンの次元と前記参照パターンの次元とを一致させる工程をさらに含むことが好ましい。前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンの次元と前記参照パターンの次元とが一致させられた後に、前記規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定することが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照対象物を含む基板の回転速度を示す情報と、前記参照対象物に対して前記処理液を吐出するノズルの折り返し位置を示す情報と、前記参照対象物に沿った前記ノズルの移動速度を示す情報とを含むことが好ましい。
本発明の処理条件選択方法は、前記厚みパターンの特徴を示す第１特徴量と、前記参照パターンの特徴を示す第２特徴量とを比較して、比較結果に基づいて、前記記憶部から取得する前記工程によって取得された前記処理条件に含まれる前記ノズルの移動速度を示す情報を調整する工程をさらに含むことが好ましい。前記第１特徴量は、前記厚みパターンの極値、前記厚みパターンが示す前記対象物の中心部の厚み、または、前記厚みパターンが示す前記対象物のエッジ部の厚みを示すことが好ましい。前記第２特徴量は、前記参照パターンの極値、前記参照パターンが示す前記参照対象物の中心部の物理量、または、前記参照パターンが示す前記参照対象物のエッジ部の物理量を示すことが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記参照パターンを特定する前記工程では、ユーザーからの入力装置への入力結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンが特定されてもよい。
本発明の処理条件選択方法は、前記処理液による処理前の前記対象物の前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを特定または調整するために利用される情報、または、前記処理液による処理後の前記対象物の厚みパターンを評価するために利用される情報を、表示装置に表示する工程をさらに含むことが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記処理液は、前記対象物をエッチングするエッチング液であることが好ましい。前記物理量は、エッチングレートまたはエッチング量であることが好ましい。
本発明の処理条件選択方法において、前記処理液は、前記対象物を除去する除去液であることが好ましい。前記物理量は、除去レートまたは除去量であることが好ましい。
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、上記一局面による処理条件選択方法と、前記処理条件選択方法において選択された前記処理条件に従って、前記対象物を前記処理液によって処理する工程とを含む。
本発明の基板処理方法は、前記処理液による処理後の前記対象物の複数の測定位置の各々において、処理後の前記対象物の厚みを測定する工程をさらに含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法は、処理前の前記対象物の厚みの分布を示す処理前の前記厚みパターンと、処理前の前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンと、前記処理条件と、処理後の前記対象物の厚みの分布を示す処理後の厚みパターンとを関連付けて記憶部に記憶する工程をさらに含むことが好ましい。
本発明の基板処理方法は、処理前の前記対象物の厚みの分布を示す処理前の前記厚みパターンと、処理前の前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンと、前記処理条件と、処理後の前記対象物の厚みの分布を示す処理後の厚みパターンと、処理後の前記厚みパターンに対する評価結果とを関連付けて記憶部に記憶する工程をさらに含むことが好ましい。
本発明のさらに他の局面によれば、基板製品製造方法においては、上記他の局面による基板処理方法によって前記基板を処理して、処理後の前記基板である基板製品を製造する。
本発明のさらに他の局面によれば、処理条件選択装置は、基板を構成する対象物を処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する。処理条件選択装置は、厚み測定部と、記憶部と、特定部と、取得部とを備える。厚み測定部は、前記対象物の複数の測定位置の各々において、前記処理液による処理前に前記対象物の厚みを測定する。記憶部は、各々が参照対象物の物理量の分布を示す複数の参照パターンを予め記憶している。特定部は、前記複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の前記厚みの分布を示す厚みパターンと、前記複数の参照パターンとを比較して、前記複数の参照パターンのうちから、規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い参照パターンを特定する。取得部は、前記複数の参照パターンにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定された前記参照パターンに関連付けられた参照処理条件を、前記処理条件として前記記憶部から取得する。前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照パターンを有する前記参照対象物に対して、前記処理液による処理を過去に実行したときの処理条件を示す。
本発明のさらに他の局面によれば、コンピュータープログラムは、基板を構成する対象物を処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する。コンピュータープログラムは、前記対象物の複数の測定位置の各々において、前記処理液による処理前に前記対象物の厚みを測定する工程と、前記複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の前記厚みの分布を示す厚みパターンと、予め記憶部に記憶されている複数の参照パターンとを比較して、前記複数の参照パターンのうちから、規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い参照パターンを特定する工程と、前記複数の参照パターンにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定された前記参照パターンに関連付けられた参照処理条件を、前記処理条件として前記記憶部から取得する工程とをコンピューターに実行させる。前記複数の参照パターンの各々は、参照対象物の物理量の分布を示す。前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照パターンを有する前記参照対象物に対して、前記処理液による処理を過去に実行したときの処理条件を示す。
本発明のさらに他の局面によれば、記憶媒体は、上記他の局面によるコンピュータープログラムを記憶している。
本発明によれば、基板を構成する対象物の広範な領域において、処理後の対象物の厚みのバラツキを抑制できる処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体を提供できる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す図である。 実施形態に係る基板処理装置のノズルによる基板のスキャン処理を示す平面図である。 実施形態に係る基板処理装置の光学プローブによる基板のスキャン処理を示す平面図である。 （ａ）は、実施形態に係る基板処理装置によるエッチング前の厚みパターンを示す図である。（ｂ）は、実施形態に係る基板処理装置によるエッチングレート分布を示す図である。（ｃ）は、実施形態に係る基板処理装置によるエッチング後の厚みパターンを示す図である。 実施形態に係る基板処理装置の制御装置を示すブロック図である。 （ａ）は、実施形態に係る第１参照グループに分類される厚みパターンを示す図である。（ｂ）は、実施形態に係る第２参照グループに分類される厚みパターンを示す図である。（ｃ）は、実施形態に係る第３参照グループに分類される厚みパターンを示す図である。 （ａ）は、実施形態に係る第１参照グループに分類される複数の参照パターンを示す図である。（ｂ）は、実施形態に係る第１参照グループに分類される参照パターンの詳細を示す図である。 （ａ）は、実施形態に係る第２参照グループに分類される複数の参照パターンを示す図である。（ｂ）は、実施形態に係る第２照グループに分類される参照パターンの詳細を示す図である。 （ａ）は、実施形態に係る第３参照グループに分類される複数の参照パターンを示す図である。（ｂ）は、実施形態に係る第３参照グループに分類される参照パターンの詳細を示す図である。 実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図１０の工程Ｓ３を示すフローチャートである。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、「平面視」は、鉛直上方から対象を見ることを示す。
図１〜図１１を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す図である。図１に示す基板処理装置１００は、基板Ｗを処理液によって処理する。
具体的には、基板処理装置１００は、基板Ｗを構成する対象物を処理液によって処理する。以下、処理液による処理対象である対象物を「対象物ＴＧ」と記載する。基板Ｗを構成する対象物ＴＧは、例えば、基板本体（例えば、シリコンからなる基板本体）、または、基板本体の表面に形成された物質である。基板本体の表面に形成された物質は、例えば、基板本体と同じ材料の物質（例えば、シリコンからなる層）、または、基板本体と異なる材料の物質（例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、または、レジスト）である。「物質」は膜を構成していてもよい。
基板処理装置１００は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。基板Ｗは略円板状である。
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。以下の実施形態の説明では、基板Ｗは、半導体ウエハである。
特に、本実施形態では、基板処理装置１００は、基板Ｗを構成する対象物ＴＧを処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する「処理条件選択装置」として機能する。
図１に示すように、基板処理装置１００は、処理ユニット１と、表示装置１９と、入力装置２０と、制御装置２１と、バルブＶ１と、供給配管Ｋ１と、バルブＶ２と、供給配管Ｋ２とを備える。
制御装置２１は、処理ユニット１、表示装置１９、入力装置２０、バルブＶ１、および、バルブＶ２を制御する。表示装置１９は各種情報を表示する。表示装置１９は、例えば、液晶ディスプレイである。入力装置２０は、ユーザーからの入力を受け付けて、入力結果を示す情報を制御装置２１に出力する。入力装置２０は、例えば、タッチパネルおよびポインティングデバイスを含む。タッチパネルは、例えば、表示装置１９の表示面に配置される。表示装置１９と入力装置２０とは、例えば、グラフィカルユーザーインターフェースを構成する。
処理ユニット１は、基板Ｗに処理液を吐出して基板Ｗを処理する。具体的には、処理ユニット１は、チャンバー２と、スピンチャック３と、スピンモーター５と、ノズル７と、ノズル移動部９と、ノズル１１と、複数のガード１３（本実施形態では２つのガード１３）と、厚み測定部１５と、プローブ移動部１７とを含む。
チャンバー２は略箱形状を有する。チャンバー２は、基板Ｗ、スピンチャック３、スピンモーター５、ノズル７、ノズル移動部９、ノズル１１、複数のガード１３、厚み測定部１５、プローブ移動部１７、供給配管Ｋ１の一部、および、供給配管Ｋ２の一部を収容する。
スピンチャック３は、基板Ｗを保持して回転する。具体的には、スピンチャック３は、チャンバー２内で基板Ｗを水平に保持しながら、回転軸線ＡＸの回りに基板Ｗを回転させる。具体的には、スピンチャック３は、スピンモーター５によって駆動されて回転する。
スピンチャック３は、複数のチャック部材３２と、スピンベース３３とを含む。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの周縁に沿ってスピンベース３３に設けられる。複数のチャック部材３２は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース３３は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３２を支持する。スピンモーター５は、スピンベース３３を回転軸線ＡＸの回りに回転させる。従って、スピンベース３３は回転軸線ＡＸの回りに回転する。その結果、スピンベース３３に設けられた複数のチャック部材３２に保持された基板Ｗが回転軸線ＡＸの回りに回転する。具体的には、スピンモーター５は、モーター本体５１と、シャフト５３とを含む。シャフト５３はスピンベース３３に結合される。そして、モーター本体５１は、シャフト５３を回転させることで、スピンベース３３を回転させる。
ノズル７は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けて処理液を吐出する。処理液は薬液である。
以下、本実施形態では、基板処理装置１００が基板Ｗ（具体的には対象物ＴＧ）に対してエッチング処理を実行し、処理液がエッチング液である場合を説明する。従って、基板処理装置１００は、基板Ｗを構成する対象物ＴＧをエッチング液によってエッチング処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する「処理条件選択装置」として機能する。
エッチング液は、例えば、フッ硝酸（フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３）との混合液）、フッ酸、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、または、燐酸（Ｈ３ＰＯ４）である。
供給配管Ｋ１はノズル７にエッチング液を供給する。バルブＶ１は、ノズル７に対するエッチング液の供給開始と供給停止とを切り替える。
ノズル移動部９は、略鉛直方向および略水平方向にノズル７を移動する。具体的には、ノズル移動部９は、アーム９１と、回動軸９３と、ノズル移動機構９５とを含む。アーム９１は略水平方向に沿って延びる。アーム９１の先端部にはノズル７が配置される。アーム９１は回動軸９３に結合される。回動軸９３は、略鉛直方向に沿って延びる。ノズル移動機構９５は、回動軸９３を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム９１を略水平面に沿って回動させる。その結果、ノズル７が略水平面に沿って移動する。また、ノズル移動機構９５は、回動軸９３を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム９１を昇降させる。その結果、ノズル７が略鉛直方向に沿って移動する。ノズル移動機構９５は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。
ノズル１１は、基板Ｗの回転中に基板Ｗに向けてリンス液を吐出する。リンス液は、例えば、脱イオン水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、または、希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水である。
供給配管Ｋ２はノズル１１にリンス液を供給する。バルブＶ２は、ノズル１１に対するリンス液の供給開始と供給停止とを切り替える。
複数のガード１３の各々は略筒形状を有する。複数のガード１３の各々は、基板Ｗから排出された処理液又はリンス液を受け止める。
厚み測定部１５は、対象物ＴＧの厚みを非接触方式で測定して、対象物ＴＧの厚みを示す情報を制御装置２１に出力する。厚み測定部１５は、例えば、分光干渉法によって対象物ＴＧの厚みを測定する。具体的には、厚み測定部１５は、光学プローブ１５１と、接続線１５３と、厚み測定器１５５とを含む。光学プローブ１５１はレンズを含む。接続線１５３は、光学プローブ１５１と厚み測定器１５５とを接続する。接続線１５３は光ファイバーを含む。厚み測定器１５５は、光源と受光素子とを含む。厚み測定器１５５の光源が出射した光は、接続線１５３および光学プローブ１５１を介して、対象物ＴＧに出射される。対象物ＴＧによって反射された光は、光学プローブ１５１および接続線１５３を介して、厚み測定器１５５の受光素子に受光される。厚み測定器１５５は、受光された光を解析して、解析結果に基づいて、対象物ＴＧの厚みを算出する。厚み測定器１５５は、対象物ＴＧの厚みを示す情報を制御装置２１に出力する。
プローブ移動部１７は、略鉛直方向および略水平方向に光学プローブ１５１を移動する。具体的には、プローブ移動部１７は、アーム１７１と、回動軸１７３と、プローブ移動機構１７５とを含む。アーム１７１は略水平方向に沿って延びる。アーム１７１の先端部には光学プローブ１５１が配置される。アーム１７１は回動軸１７３に結合される。回動軸１７３は、略鉛直方向に沿って延びる。プローブ移動機構１７５は、回動軸１７３を略鉛直方向に沿った回動軸線のまわりに回動させて、アーム１７１を略水平面に沿って回動させる。その結果、光学プローブ１５１が略水平面に沿って移動する。また、プローブ移動機構１７５は、回動軸１７３を略鉛直方向に沿って昇降させて、アーム１７１を昇降させる。その結果、光学プローブ１５１が略鉛直方向に沿って移動する。プローブ移動機構１７５は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モーターとを含む。
次に、図２を参照して、ノズル７による基板Ｗのスキャン処理を説明する。図２は、ノズル７による基板Ｗのスキャン処理を示す平面図である。図２に示すように、ノズル７によるスキャン処理とは、平面視において、対象物ＴＧの表面に対する処理液の着液位置が円弧状の軌跡ＴＪ１を形成するように、ノズル７を移動しながら、処理液を対象物ＴＧに吐出する処理のことである。軌跡ＴＪ１は、基板Ｗのエッジ部ＥＧと基板Ｗの中心部ＣＴとを通る。中心部ＣＴは、基板Ｗのうち回転軸線ＡＸが通る部分を示す。エッジ部ＥＧは、基板Ｗの周縁部を示す。ノズル７による基板Ｗのスキャン処理は、基板Ｗの回転中に実行される。ノズル７による基板Ｗのスキャン処理中は、ノズル７の移動速度は一定である。ノズル７の移動速度は、例えば、ノズル７が移動するときのノズル７の角速度または速度によって示される。
具体的には、ノズル７は、時計回りの回動方向ＲＴ１への回動と、反時計回りの回動方向ＲＴ２への回動とを行う。つまり、ノズル７は、回動方向ＲＴ１へ回動して、折り返し位置ＴＲ１で折り返して、回動方向ＲＴ２に回動する。そして、ノズル７は、折り返し位置ＴＲ２で折り返して、回動方向ＲＴ１に回動する。つまり、ノズル７は、折り返し位置ＴＲ１と折り返し位置ＴＲ２との間で移動を繰り返す。折り返し位置ＴＲ１は、回動方向ＲＴ１でのノズル７の折り返し位置を示す。折り返し位置ＴＲ２は、回動方向ＲＴ２でのノズル７の折り返し位置を示す。折り返し位置ＴＲ１と折り返し位置ＴＲ２とは、平面視において、軌跡ＴＪ１上で中心部ＣＴを挟んでいる。折り返し位置ＴＲ１と折り返し位置ＴＲ２とは、処理液による処理条件に応じて適宜変更される。なお、折り返し位置ＴＲ３については後述する。
次に、図３を参照して、光学プローブ１５１による基板Ｗのスキャン処理を説明する。図３は、光学プローブ１５１による基板Ｗのスキャン処理を示す平面図である。図３に示すように、光学プローブ１５１によるスキャン処理とは、平面視において、対象物ＴＧに対する厚みの測定位置が円弧状の軌跡ＴＪ２を形成するように、光学プローブ１５１を移動しながら、対象物ＴＧの厚みを測定する処理のことである。軌跡ＴＪ２は、基板Ｗのエッジ部ＥＧと基板Ｗの中心部ＣＴとを通る。光学プローブ１５１による基板Ｗのスキャン処理は、基板Ｗの回転中に実行される。
具体的には、光学プローブ１５１は、平面視において、基板Ｗの中心部ＣＴとエッジ部ＥＧとの間を移動しながら、測定位置を移動する。換言すれば、厚み測定部１５は、対象物ＴＧの複数の測定位置の各々において、対象物ＴＧの厚みを測定する。その結果、基板Ｗの中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでにおいて、対象物ＴＧの厚みの分布が測定される。つまり、基板Ｗの径方向ＲＤにおける対象物ＴＧの厚みの分布が測定される。
次に、図４（ａ）〜図４（ｃ）を参照して、基板処理装置１００による基板Ｗ（具体的には対象物ＴＧ）に対するエッチング処理を説明する。図４（ａ）は、エッチング前の厚みパターンＴＡ、ＴＢ、ＴＣを示す図である。図４（ｂ）は、エッチングレート分布ＥＡ、ＥＢ、ＥＣを示す図である。図４（ｃ）は、エッチング後の厚みパターンＴＡＲ、ＴＢＲ、ＴＣＲを示す図である。「厚みパターン」は、対象物ＴＧの複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の厚みの分布を示す。つまり、「厚みパターン」は、基板Ｗの径方向ＲＤにおける対象物ＴＧの厚みの分布を示す。
図４（ａ）〜図４（ｃ）において、横軸は、基板Ｗ上の位置を示している。図４（ａ）および図４（ｃ）において、縦軸は、対象物ＴＧの厚みを示している。図４（ｂ）において、縦軸は、対象物ＴＧのエッチングレートを示している。エッチングレートは、単位時間当たりのエッチング量のことである。
図４（ａ）に示すように、対象物ＴＧがエッチング前に厚みパターンＴＡを有する場合、図４（ｂ）に示すように、厚みパターンＴＡと相関の高いエッチングレート分布ＥＡを有するように処理条件が定められて、エッチング処理が実行される。その結果、本実施形態によれば、図４（ｃ）に示すように、対象物ＴＧがエッチング前に厚みパターンＴＡを有する場合に、エッチング後の対象物ＴＧの厚みパターンＴＡＲが略フラットなる。つまり、対象物ＴＧの広範な領域（中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの領域）において、エッチング後の対象物ＴＧの厚みのバラツキを抑制できる。
同様に、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、エッチング前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＢと相関の高いエッチングレート分布ＥＢを有するように処理条件が定められて、エッチング処理が実行される。その結果、図４（ｃ）に示すように、対象物ＴＧがエッチング前に厚みパターンＴＢを有する場合に、エッチング後の対象物ＴＧの厚みパターンＴＢＲが略フラットなる。
同様に、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、エッチング前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＣと相関の高いエッチングレート分布ＥＣを有するように処理条件が定められて、エッチング処理が実行される。その結果、図４（ｃ）に示すように、対象物ＴＧがエッチング前に厚みパターンＴＣを有する場合に、エッチング後の対象物ＴＧの厚みパターンＴＣＲが略フラットなる。
なお、仮に、対象物の厚みが径方向に略均一であること（つまり、対象物の厚みパターンが略フラットであること）を前提として、エッチングレート分布が略一定となる処理条件が定められている場合は、対象物の厚みが径方向に不均一であると、エッチング後の対象物の厚みパターンが略フラットにならず、エッチング後の対象物の厚みにバラツキが発生し得る。
次に、図５を参照して、制御装置２１を説明する。図５は、制御装置２１を示すブロック図である。図５に示すように、制御装置２１は、制御部３１と、記憶部４１とを含む。制御部３１は記憶部４１を制御する。また、制御部３１は、基板処理装置１００のその他の各構成を制御する。
制御部３１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。記憶部４１は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部４１は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び／又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部４１は、光ディスクのようなリムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部３１のプロセッサーは、記憶部４１の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理装置１００の各構成を制御する。
具体的には、記憶部４１は、レシピデータ４１５と、コンピュータープログラム４１７とを記憶する。また、記憶部４１は、参照パターンデータベース４１１を含む。記憶部４１は、処理結果データベース４１３を含むことが好ましい。
参照パターンデータベース４１１は、複数の参照パターンＲＰを記憶している。複数の参照パターンＲＰの各々は、複数の参照グループＧのうちのいずれかに予め分類されている。複数の参照グループＧは、参照パターンＲＰの形状の特徴に基づいて定められている。また、参照パターンデータベース４１１は、複数の参照処理条件を記憶している。複数の参照処理条件は、それぞれ、複数の参照パターンＲＰに関連付けられている。
処理結果データベース４１３は、処理液による対象物ＴＧの処理結果を示す情報を記憶する。レシピデータ４１５は、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。コンピュータープログラム４１７は、制御部３１のプロセッサーに、本実施形態に係る処理条件選択方法を含む基板処理方法を実行させる。例えば、コンピュータープログラム４１７は、基板Ｗを構成する対象物ＴＧを処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択するように、制御部３１のプロセッサーを動作させる。プロセッサーは「コンピューター」の一例に相当する。
制御部３１は、特定部３１１と、取得部３１３とを含む。制御部３１のプロセッサーは、コンピュータープログラム４１７を実行して、特定部３１１および取得部３１３として機能する。
特定部３１１は、処理液による処理前に厚み測定部１５によって測定された対象物ＴＧの厚みを示す情報を、厚み測定部１５から取得する。対象物ＴＧの厚みを示す情報は、処理液による処理前の対象物ＴＧの厚みパターン（以下、「厚みパターンＴＭ」と記載する場合がある。）を含む。
特定部３１１は、厚みパターンＴＭと、予め記憶部４１（具体的には、参照パターンデータベース４１１）に記憶されている複数の参照パターンＲＰとを比較する。そして、特定部３１１は、複数の参照パターンＲＰのうちから、規定ルール（以下、「規定ルールＲＵ」と記載する。）に基づき厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定する。換言すれば、本明細書において、「厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ」は、例えば、「厚みパターンＴＭの形状（プロファイル）と類似する形状（プロファイル）を有する参照パターンＲＰ」である。
例えば、特定部３１１は、複数の参照パターンＲＰのうちから、規定ルールＲＵに基づき厚みパターンＴＭと最も相関の高い参照パターンＲＰを特定する。換言すれば、本明細書において、「厚みパターンＴＭと最も相関の高い参照パターンＲＰ」は、例えば、「厚みパターンＴＭの形状（プロファイル）と最も近似する形状（プロファイル）を有する参照パターンＲＰ」である。
相関が高いことの基準は、規定ルールＲＵに定められている。相関が高いことの基準は、実験的および／経験的に定められる。例えば、相関が高いことは、厚みパターンＴＭと参照パターンＲＰとの間で、１以上の特徴が一致または近似することを示す。
厚みパターンＴＭと最も相関の高い複数の参照パターンＲＰが存在する場合は、特定部３１１は、参照パターンデータベース４１１への登録日時が最も新しい参照パターンＲＰを選択する。そして、特定部３１１は、選択した参照パターンＲＰを、「厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ」として特定する。
規定ルールＲＵを示す情報は、例えば、記憶部４１に記憶されている。記憶部４１は、複数の規定ルールＲＵを記憶していてもよい。この場合、ユーザーは、入力装置２０を介して、複数の規定ルールＲＵのうちから、状況に応じた規定ルールＲＵを選択することができる。そして、特定部３１１は、ユーザーによって選択された規定ルールＲＵに基づき比較動作を行って、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定する。
また、規定ルールＲＵを内蔵または読み込み可能な検索エンジンを利用してもよい。検索エンジンは、厚みパターンＴＭを入力情報として検索することにより比較動作を行って、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定する。
複数の参照パターンＲＰの各々は、参照対象物の物理量の分布を示す。参照対象物は、過去に処理された基板を構成する対象物である。参照対象物は、例えば、過去に処理された基板本体である。または、参照対象物は、例えば、基板本体の表面に形成された物質であって、過去に処理された物質である。基板本体の表面に形成された物質は、例えば、基板本体と同じ材料の物質、または、基板本体と異なる材料の物質である。「物質」は膜を構成していてもよい。
「過去に処理された基板」の素材および構成は、対象物ＴＧを含む基板Ｗの素材および構成と同様である。また、「参照対象物」の素材および構成は、対象物ＴＧの素材および構成と同様である。
取得部３１３は、複数の参照パターンＲＰにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定部３１１によって特定された参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件を、対象物ＴＧに対する処理条件として記憶部４１（具体的には、参照パターンデータベース４１１）から取得する。つまり、取得部３１３は、取得した参照処理条件を処理条件に決定する。「処理条件」は、対象物ＴＧを処理液によって処理するときに使用可能な処理条件である。
複数の参照処理条件の各々は、参照処理条件が関連付けられている参照パターンＲＰを有する参照対象物に対して、処理液による処理を過去に実行したときの処理条件を示す。この場合の「処理液」は、対象物ＴＧを処理するときの処理液と同様である。
以上、図５を参照して説明したように、本実施形態によれば、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件が、対象物ＴＧに対する処理条件として取得される。つまり、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件が、複数の参照処理条件のうちから、対象物ＴＧに対する処理条件として選択される。従って、選択された処理条件に従って対象物ＴＧを処理することで、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの広範な領域において、処理後の対象物ＴＧの厚みのバラツキを抑制できる。本実施形態では、「広範な領域」は、基板Ｗの中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの領域を示す。
特に、本実施形態では、処理液は、対象物ＴＧをエッチングするエッチング液である。この場合、参照パターンＲＰを定義する「参照対象物の物理量の分布」における「物理量」は、エッチングレートである。つまり、参照パターンＲＰは、参照対象物のエッチングレートの分布を示す。
従って、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高いエッチングレートの分布を示す参照パターンＲＰが選択される。そして、このようなエッチングレートの分布を示す参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件が、対象物ＴＧに対する処理条件として取得される。従って、取得された処理条件に従って対象物ＴＧをエッチング処理することで、対象物ＴＧの広範な領域において、エッチング処理後の対象物ＴＧの厚みのバラツキを抑制できる。つまり、対象物ＴＧの広範な領域において、エッチング処理後の対象物ＴＧの厚みパターン（以下、「厚みパターンＴＭＲ」と記載する場合がある。）を略フラットにできる。
図４（ａ）〜図４（ｃ）を例に挙げると、図４（ａ）に示すエッチング処理前の厚みパターンＴＡ〜ＴＣの各々が、エッチング処理前の厚みパターンＴＭに相当する。また、図４（ｂ）に示すエッチングレート分布ＥＡ〜ＥＣの各々が、厚みパターンＴＭと相関の高いエッチングレートの分布を示す参照パターンＲＰに相当する。さらに、図４（ｃ）に示すエッチング処理後の厚みパターンＴＡＲ〜ＴＣＲの各々が、エッチング処理後の厚みパターンＴＭＲに相当する。
なお、参照パターンＲＰを定義する「参照対象物の物理量の分布」における「物理量」は、エッチング量であってもよい。つまり、参照パターンＲＰは、参照対象物のエッチング量の分布を示していてもよい。
また、本実施形態では、複数の参照処理条件の各々は、参照対象物を含む基板の回転速度を示す情報と、参照対象物に対して処理液を吐出するノズル７の折り返し位置を示す情報と、参照対象物に沿ったノズル７の移動速度を示す情報とを含む。従って、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件を、対象物ＴＧに対する処理条件として取得することで、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭに応じて、処理時の基板Ｗの回転速度と、対象物ＴＧに対して処理液を吐出するノズル７の折り返し位置と、対象物ＴＧに沿ったノズル７の移動速度とを適切に決定できる。その結果、対象物ＴＧの広範な領域において、処理後の対象物ＴＧの厚みのバラツキをさらに抑制できる。具体的には、対象物ＴＧの広範な領域において、エッチング処理後の対象物ＴＧの厚みのバラツキをさらに抑制できる。
引き続き、図５を参照して、制御部３１の特定部３１１を説明する。図５に示すように、特定部３１１は、分類部３１１ａと、決定部３１１ｃとを含むことが好ましい。
分類部３１１ａは、エッチング処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭを複数の参照グループＧのうちのいずれかの参照グループＧに分類する。そして、決定部３１１ｃは、複数の参照パターンＲＰのうち、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭが分類された参照グループＧに分類されている２以上の参照パターンＲＰを対象として、規定ルールＲＵに基づき厚みパターンＴＭと参照パターンＲＰとの比較を行い、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを決定する。従って、本実施形態によれば、全ての参照パターンＲＰの各々と厚みパターンＴＭとを比較して厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定する場合と比較して、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを短時間で決定できる。「決定部３１１ｃによって決定された参照パターンＲＰ」が、「特定部３１１によって特定された参照パターンＲＰ」に相当する。
例えば、決定部３１１ｃは、複数の参照パターンＲＰのうち、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭが分類された参照グループＧに分類されている２以上の参照パターンＲＰから、厚みパターンＴＭと最も相関の高い参照パターンＲＰを決定する。
厚みパターンＴＭと最も相関の高い複数の参照パターンＲＰが存在する場合は、決定部３１１ｃは、参照パターンデータベース４１１への登録日時が最も新しい参照パターンＲＰを選択する。そして、決定部３１１ｃは、選択した参照パターンＲＰを、「厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ」と決定する。
規定ルールＲＵは、参照グループＧごとに定められている。規定ルールＲＵを示す情報は、例えば、記憶部４１に参照グループＧごとに記憶されている。記憶部４１は、参照グループＧごとに、複数の規定ルールＲＵを記憶していてもよい。この場合、ユーザーは、入力装置２０を介して、参照グループＧに応じて、複数の規定ルールＲＵのうちから、状況に応じた規定ルールＲＵを選択することができる。そして、決定部３１１ｃは、ユーザーによって選択された規定ルールＲＵに基づき比較動作を行って、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを決定する。
また、規定ルールＲＵを内蔵または読み込み可能な検索エンジンを利用してもよい。検索エンジンは、厚みパターンＴＭが分類された参照グループＧに分類されている２以上の参照パターンＲＰを対象として、厚みパターンＴＭを入力情報として検索することにより比較動作を行って、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを決定する。
取得部３１３は、決定部３１１ｃによって決定された参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件を、対象物ＴＧに対する処理条件として記憶部４１（具体的には、参照パターンデータベース４１１）から取得する。
特定部３１１は、前処理部３１１ｂをさらに含むことが好ましい。前処理部３１１ｂは、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭの次元（［長さＬ］）と参照パターンＲＰの次元（［長さＬ］／［時間Ｔ］）とを一致させる。
例えば、前処理部３１１ｂは、参照パターンＲＰの次元を厚みパターンＴＭの次元に変換する。この場合、具体的には、前処理部３１１ｂは、変換係数ＣＶを算出する。そして、前処理部３１１ｂは、厚みパターンＴＭが分類された参照グループＧに含まれる複数の参照パターンＲＰの各々に変換係数ＣＶを乗じることによって、複数の参照パターンＲＰの各々の次元を厚みパターンＴＭの次元に変換する。
変換係数ＣＶは、平均値ＡＶ１を平均値ＡＶ２で除することで算出される。平均値ＡＶ１は、厚みパターンＴＭを構成している複数の厚み値の平均値である。平均値ＡＶ２は、厚みパターンＴＭが分類された参照グループＧに含まれる複数の参照パターンＲＰを構成している複数のエッチングレート値の平均値である。
例えば、前処理部３１１ｂは、厚みパターンＴＭの次元を参照パターンＲＰの次元に変換してもよい。例えば、前処理部３１１ｂは、厚みパターンＴＭおよび参照パターンＲＰに対して規格化または正規化を実行して、厚みパターンＴＭと参照パターンＲＰとを無次元化してもよい。
決定部３１１ｃは、前処理部３１１ｂによって厚みパターンＴＭの次元と参照パターンＲＰの次元とが一致させられた後に、厚みパターンＴＭが分類された参照グループＧに含まれる複数の参照パターンＲＰのうちから、規定ルールＲＵに基づき厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ（つまり、厚みパターンＴＭと類似する参照パターンＲＰ）を決定する。従って、本実施形態によれば、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ（つまり、厚みパターンＴＭと類似する参照パターンＲＰ）をより精度良く決定できる。
次に、図５〜図９（ｂ）を参照して、参照グループＧを説明する。図５に示すように、複数の参照グループＧは、第１参照グループＧ１と、第２参照グループＧ２と、第３参照グループＧ３とのうちの少なくとも１つを含む。本実施形態では、複数の参照グループＧは、第１参照グループＧ１と、第２参照グループＧ２と、第３参照グループＧ３とを含む。従って、分類部３１１ａは、エッチング処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭを、第１参照グループＧ１〜第３参照グループＧ３のうちのいずれかの参照グループに分類する。
一方、本実施形態では、複数の参照パターンＲＰの各々は、第１参照グループＧ１〜第３参照グループＧ３のうちのいずれかの参照グループＧに予め分類されている。そして、決定部３１１ｃは、前処理部３１１ｂによって厚みパターンＴＭの次元と参照パターンＲＰの次元とが一致させられた後に、第１参照グループＧ１〜第３参照グループＧ３のうち、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭが分類された参照グループＧに分類されている２以上の参照パターンＲＰから、規定ルールＲＵに基づき厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ（つまり、厚みパターンＴＭと類似する参照パターンＲＰ）を決定する。
図６（ａ）は、第１参照グループＧ１に分類される厚みパターンＴ１を示す図である。横軸は基板Ｗ上の位置を示し、縦軸は対象物ＴＧの厚みを示している。図６（ａ）に示すように、分類部３１１ａは、エッチング処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴ１を、第１参照グループＧ１に分類する。第１参照グループＧ１は、対象物ＴＧまたは参照対象物の中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの間に極小部を有するパターン（つまり、下に凸の曲線状のパターン）のグループを示す。このようなパターンは、厚みパターンＴ１および参照パターンＲＰ１の「特徴」の一例である。厚みパターンＴ１は、中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの間に厚みの極小部Ｐ１を有している。
図６（ｂ）は、第２参照グループＧ２に分類される厚みパターンＴ２を示す図である。横軸は基板Ｗ上の位置を示し、縦軸は対象物ＴＧの厚みを示している。図６（ｂ）に示すように、分類部３１１ａは、エッチング処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴ２を、第２参照グループＧ２に分類する。第２参照グループＧ２は、対象物ＴＧまたは参照対象物の中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの間に極大部を有するパターン（つまり、上に凸の曲線状のパターン）のグループを示す。このようなパターンは、厚みパターンＴ２および参照パターンＲＰ２の「特徴」の一例である。厚みパターンＴ２は、中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの間に厚みの極大部Ｐ３を有している。
図６（ｃ）は、第３参照グループＧ３に分類される厚みパターンＴ３を示す図である。横軸は基板Ｗ上の位置を示し、縦軸は対象物ＴＧの厚みを示している。図６（ｃ）に示すように、分類部３１１ａは、エッチング処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴ３を、第３参照グループＧ３に分類する。第３参照グループＧ３は、対象物ＴＧまたは参照対象物の中心部ＣＴからエッジ部ＥＧに向かって一方向に傾斜しているパターンのグループを示す。本実施形態では、第３参照グループＧ３は、対象物ＴＧまたは参照対象物の中心部ＣＴからエッジ部ＥＧに向かって増加するように傾斜しているパターンのグループを示す。このようなパターンは、厚みパターンＴ３および参照パターンＲＰ３の「特徴」の一例である。厚みパターンＴ２は、中心部ＣＴからエッジ部ＥＧに向かって増加するように傾斜している。
図７（ａ）は、第１参照グループＧ１に分類される複数の参照パターンＲＰ１を示す図である。図７（ａ）に示すように、第１参照グループＧ１には、複数のテーブルＢＬ１が属している。複数のテーブルＢＬ１の各々は、互いに異なる複数の参照パターンＲＰ１を含む。
複数のテーブルＢＬ１には、それぞれ、互いに異なる複数の回転速度を示す情報が関連付けられている。そして、１つのテーブルＢＬ１に含まれる複数の参照パターンＲＰ１には、同一の回転速度を示す情報が関連付けられている。「回転速度」は、参照対象物を含む基板の回転速度を示しており、例えば、単位時間当たりの基板の回転数によって表される。複数の回転速度を示す情報の各々は、参照処理条件の１つである。
複数のテーブルＢＬ１の各々において、Ｕ軸は、回動方向ＲＴ１（図２）でのノズル７の折り返し位置ＴＲ１を示し、Ｖ軸は、回動方向ＲＴ２（図２）でのノズル７の折り返し位置ＴＲ２を示す。折り返し位置ＴＲ１および折り返し位置ＴＲ２の各々は、基板の中心部ＣＴからの位置を示す。
そして、複数のテーブルＢＬ１の各々において、１つの折り返し位置ＴＲ１と１つの折り返し位置ＴＲ２とで、１つの参照パターンＲＰ１が特定される。つまり、１つの参照パターンＲＰ１に対して、１つの折り返し位置ＴＲ１と１つの折り返し位置ＴＲ２とが関連付けられている。折り返し位置ＴＲ１を示す情報および折り返し位置ＴＲ２を示す情報は、参照処理条件の１つである。
また、第１参照グループＧ１に含まれる複数の参照パターンＲＰ１（具体的には全ての参照パターンＲＰ１）には、同一の移動速度を示す情報が関連付けられている。「移動速度」は、参照対象物に沿ったノズル７の移動速度である。ノズル７の移動速度を示す情報は、参照処理条件の１つである。
図７（ｂ）は、参照パターンＲＰ１の詳細を示す図である。横軸は基板上の位置を示し、縦軸は参照対象物のエッチングレートを示している。図７（ｂ）に示すように、参照パターンＲＰ１は、第１参照グループＧ１に分類されている。参照パターンＲＰ１は、中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの間にエッチングレートの極小部Ｐ１＃を有している。
図８（ａ）は、第２参照グループＧ２に分類される複数の参照パターンＲＰ２を示す図である。図８（ａ）に示すように、第２参照グループＧ２には、複数のテーブルＢＬ２が属している。複数のテーブルＢＬ２の各々は、互いに異なる複数の参照パターンＲＰ２を含む。テーブルＢＬ２が参照パターンＲＰ２を含む点で、テーブルＢＬ２は、参照パターンＲＰ１を含むテーブルＢＬ１（図７（ａ））と異なる。ただし、テーブルＢＬ２のその他の点は、テーブルＢＬ１と同様であり、説明を省略する。
図８（ｂ）は、参照パターンＲＰ２の詳細を示す図である。横軸は基板上の位置を示し、縦軸は参照対象物のエッチングレートを示している。図８（ｂ）に示すように、参照パターンＲＰ２は、第２参照グループＧ２に分類されている。参照パターンＲＰ２は、中心部ＣＴからエッジ部ＥＧまでの間にエッチングレートの極大部Ｐ３＃を有している。
図９（ａ）は、第３参照グループＧ３に分類される複数の参照パターンＲＰ３を示す図である。図９（ａ）に示すように、第３参照グループＧ３には、複数のテーブルＢＬ３が属している。複数のテーブルＢＬ３の各々は、互いに異なる複数の参照パターンＲＰ３を含む。テーブルＢＬ３が参照パターンＲＰ３を含む点で、テーブルＢＬ３は、参照パターンＲＰ１を含むテーブルＢＬ１（図７（ａ））と異なる。ただし、テーブルＢＬ３のその他の点は、テーブルＢＬ１と同様であり、説明を省略する。
図９（ｂ）は、参照パターンＲＰ３の詳細を示す図である。横軸は基板上の位置を示し、縦軸は参照対象物のエッチングレートを示している。図９（ｂ）に示すように、参照パターンＲＰ３は、第３参照グループＧ３に分類されている。参照パターンＲＰ３では、中心部ＣＴからエッジ部ＥＧに向かってエッチングレートが一方向に傾斜している。具体的には、参照パターンＲＰ３では、中心部ＣＴからエッジ部ＥＧに向かってエッチングレートが増加するように傾斜している。
以上、図５〜図９（ｂ）を参照して説明したように、本実施形態によれば、第１参照グループＧ１〜第３参照グループＧ３の各々は、簡素な形状のパターンのグループである。従って、分類部３１１ａは、厚みパターンＴＭの分類を容易に行うことができる。
次に、図６（ａ）および図７（ｂ）を参照して、厚みパターンＴ１が第１参照グループＧ１に分類されたときの決定部３１１ｃの処理の詳細を説明する。厚みパターンＴ１が分類された参照グループＧが第１参照グループＧ１である場合、厚みパターンＴ１と参照パターンＲＰ１との次元を一致させた後に、決定部３１１ｃは、厚みパターンＴ１に基づく第１差分Ｄ１と、参照パターンＲＰ１に基づく第２差分Ｄ１＃とを比較して、比較結果に基づいて、複数の参照パターンＲＰ１のうちから、厚みパターンＴ１と相関の高い参照パターンＲＰ１（つまり、厚みパターンＴ１と類似する参照パターンＲＰ１）を決定する。このような決定のルールは、第１参照グループＧ１における規定ルールＲＵの一例である。
図６（ａ）に示すように、第１差分Ｄ１は、厚みパターンＴ１の極小部Ｐ１によって示される対象物ＴＧの厚みｔ２と、厚みパターンＴ１のエッジ部Ｐ２によって示される対象物ＴＧのエッジ部ＥＧの厚みｔ０との差分の絶対値を示す。
図７（ｂ）に示すように、第２差分Ｄ１＃は、参照パターンＲＰ１の極小部Ｐ１＃によって示される参照対象物のエッチングレートｔ２＃と、参照パターンＲＰ１のエッジ部Ｐ２＃によって示される参照対象物のエッジ部ＥＧのエッチングレートｔ０＃との差分の絶対値を示す。
基板Ｗの回転速度の影響は対象物ＴＧのエッジ部ＥＧのエッチングレートに表れやすいため、本実施形態では、第１差分Ｄ１と第２差分Ｄ１＃との比較結果に基づいて厚みパターンＴ１と相関の高い参照パターンＲＰ１を決定することで、厚みパターンＴ１を有する対象物ＴＧに対してより良好な処理条件（例えば、基板Ｗの回転速度）を取得できる。
例えば、決定部３１１ｃは、第１差分Ｄ１と第２差分Ｄ１＃との差の絶対値が最も小さい参照パターンＲＰ１を、複数の参照パターンＲＰ１のうちから、厚みパターンＴ１と相関の高い参照パターンＲＰ１であると決定する。例えば、決定部３１１ｃは、第１差分Ｄ１と第２差分Ｄ１＃との差の絶対値が所定値ＶＡ１以下の参照パターンＲＰ１を、複数の参照パターンＲＰ１のうちから、厚みパターンＴ１と相関の高い参照パターンＲＰ１であると決定する。これらの例のような決定のルールは、第１参照グループＧ１における規定ルールＲＵの一例である。
なお、決定部３１１ｃは、図６（ａ）に示す第１差分Ｄ１と距離Ｌ０と距離Ｌ１と厚みｔ０と厚みｔ１と厚みｔ２と差分（＝ｔ１−ｔ２）とのうちの少なくとも１以上の情報と、図７（ｂ）に示す第２差分Ｄ１＃と距離Ｌ０＃と距離Ｌ１＃とエッチングレートｔ０＃とエッチングレートｔ１＃とエッチングレートｔ２＃と差分（＝ｔ１＃−ｔ２＃）とのうちの少なくとも１以上の情報とを比較して、比較結果に基づいて、複数の参照パターンＲＰ１のうちから、厚みパターンＴ１と相関の高い参照パターンＲＰ１を決定してもよい。これのような決定のルールは、第１参照グループＧ１における規定ルールＲＵの一例である。
距離Ｌ０は、対象物ＴＧの中心部ＣＴから厚みパターンＴ１の極小部Ｐ１に対応する位置Ｒ１までの距離を示す。距離Ｌ１は、対象物ＴＧの極小部Ｐ１に対応する位置Ｒ１から対象物ＴＧのエッジ部ＥＧまでの距離を示す。厚みｔ０は、対象物ＴＧのエッジ部ＥＧの厚みを示す。厚みｔ１は、対象物ＴＧの中心部ＣＴの厚みを示す。厚みｔ２は、厚みパターンＴ１の極小部Ｐ１によって示される対象物ＴＧの厚みを示す。
距離Ｌ０＃は、参照対象物の中心部ＣＴから参照パターンＲＰ１の極小部Ｐ１＃に対応する位置Ｒ１＃までの距離を示す。距離Ｌ１＃は、参照対象物の極小部Ｐ１＃に対応する位置Ｒ１＃から参照対象物のエッジ部ＥＧまでの距離を示す。エッチングレートｔ０＃は、参照対象物のエッジ部ＥＧのエッチングレートを示す。エッチングレートｔ１＃は、参照対象物の中心部ＣＴのエッチングレートを示す。エッチングレートｔ２＃は、参照パターンＲＰ１の極小部Ｐ１＃によって示される参照対象物のエッチングレートを示す。
なお、第１差分Ｄ１、距離Ｌ０、距離Ｌ１、厚みｔ０、厚みｔ１、厚みｔ２、および、差分（＝ｔ１−ｔ２）は、厚みパターンＴ１の「特徴」の一例である。また、第２差分Ｄ１＃、距離Ｌ０＃、距離Ｌ１＃、エッチングレートｔ０＃、エッチングレートｔ１＃、エッチングレートｔ２＃、および、差分（＝ｔ１＃−ｔ２＃）は、参照パターンＲＰ１の「特徴」の一例である。
次に、図６（ｂ）および図８（ｂ）を参照して、厚みパターンＴ２が第２参照グループＧ２に分類されたときの決定部３１１ｃの処理の詳細を説明する。厚みパターンＴ２が分類された参照グループＧが第２参照グループＧ２である場合、厚みパターンＴ２と参照パターンＲＰ２との次元を一致させた後に、決定部３１１ｃは、厚みパターンＴ２に基づく第１距離Ｌ２と、参照パターンＲＰ２に基づく第２距離Ｌ２＃とを比較して、比較結果に基づいて、複数の参照パターンＲＰ２のうちから、厚みパターンＴ２と相関の高い参照パターンＲＰ２（つまり、厚みパターンＴ２と類似する参照パターンＲＰ２）を決定する。このような決定のルールは、第２参照グループＧ２における規定ルールＲＵの一例である。
図６（ｂ）に示すように、第１距離Ｌ２は、対象物ＴＧの中心部ＣＴから厚みパターンＴ２の極大部Ｐ３に対応する位置Ｒ２までの距離を示す。
図８（ｂ）に示すように、第２距離Ｌ２＃は、参照対象物の中心部ＣＴから参照パターンＲＰ２の極大部Ｐ３＃に対応する位置Ｒ２＃までの距離を示す。
ノズル７の折り返し位置では、対象物ＴＧのエッチングレートが最大になる場合があるため、本実施形態では、第１距離Ｌ２と第２距離Ｌ２＃との比較結果に基づいて厚みパターンＴ２と相関の高い参照パターンＲＰ２を決定することで、厚みパターンＴ２を有する対象物ＴＧに対してより良好な処理条件（例えば、ノズル７の折り返し位置）を取得できる。ノズル７の折り返し位置において対象物ＴＧのエッチングレートが最大になる理由は、ノズル７の折り返し位置ではノズル７が停止するため、ノズル７の折り返し位置では対象物ＴＧへの処理液の吐出量が多くなるからである。この現象は、処理液がフッ硝酸である場合に顕著である。
例えば、決定部３１１ｃは、第１距離Ｌ２と第２距離Ｌ２＃との差の絶対値が最も小さい参照パターンＲＰ２を、複数の参照パターンＲＰ２のうちから、厚みパターンＴ２と相関の高い参照パターンＲＰ２であると決定する。例えば、決定部３１１ｃは、第１距離Ｌ２と第２距離Ｌ２＃との差の絶対値が所定値ＶＡ２以下の参照パターンＲＰ２を、複数の参照パターンＲＰ２のうちから、厚みパターンＴ２と相関の高い参照パターンＲＰ２であると決定する。これらの例のような決定のルールは、第２参照グループＧ２における規定ルールＲＵの一例である。
なお、決定部３１１ｃは、図６（ｂ）に示す第１距離Ｌ２と距離Ｌ３と厚みｔ３と厚みｔ４と厚みｔ５と差分（＝ｔ３−ｔ５）と差分（＝ｔ３−ｔ４）とのうちの少なくとも１以上の情報と、図８（ｂ）に示す第２距離Ｌ２＃と距離Ｌ３＃とエッチングレートｔ３＃とエッチングレートｔ４＃とエッチングレートｔ５＃と差分（＝ｔ３＃−ｔ５＃）と差分（＝ｔ３＃−ｔ４＃）とのうちの少なくとも１以上の情報とを比較して、比較結果に基づいて、複数の参照パターンＲＰ２のうちから、厚みパターンＴ２と相関の高い参照パターンＲＰ２を決定してもよい。これのような決定のルールは、第２参照グループＧ２における規定ルールＲＵの一例である。
距離Ｌ３は、厚みパターンＴ２の極大部Ｐ３に対応する位置Ｒ２から対象物ＴＧのエッジ部ＥＧまでの距離を示す。厚みｔ３は、厚みパターンＴ２の極大部Ｐ３によって示される対象物ＴＧの厚みを示す。厚みｔ４は、対象物ＴＧの中心部ＣＴの厚みを示す。厚みｔ５は、対象物ＴＧのエッジ部ＥＧの厚みを示す。
距離Ｌ３＃は、参照パターンＲＰ２の極大部Ｐ３＃に対応する位置Ｒ２＃から参照対象物のエッジ部ＥＧまでの距離を示す。エッチングレートｔ３＃は、参照パターンＲＰ２の極大部Ｐ３＃によって示される参照対象物のエッチングレートを示す。エッチングレートｔ４＃は、参照対象物の中心部ＣＴのエッチングレートを示す。エッチングレートｔ５＃は、参照対象物のエッジ部ＥＧのエッチングレートを示す。
なお、第１距離Ｌ２、距離Ｌ３、厚みｔ３、厚みｔ４、厚みｔ５、差分（＝ｔ３−ｔ５）、および、差分（＝ｔ３−ｔ４）は、厚みパターンＴ２の「特徴」の一例である。また、第２距離Ｌ２＃、距離Ｌ３＃、エッチングレートｔ３＃、エッチングレートｔ４＃、エッチングレートｔ５＃、差分（＝ｔ３＃−ｔ５＃）、および、差分（＝ｔ３＃−ｔ４＃）は、参照パターンＲＰ２の「特徴」の一例である。
次に、図６（ｃ）および図９（ｂ）を参照して、厚みパターンＴ３が第３参照グループＧ３に分類されたときの決定部３１１ｃの処理の詳細を説明する。厚みパターンＴ３が分類された参照グループＧが第３参照グループＧ３である場合、厚みパターンＴ３と参照パターンＲＰ３との次元を一致させた後に、決定部３１１ｃは、厚みパターンＴ３の傾斜と、参照パターンＲＰ３の傾斜とを比較し、比較結果に基づいて、複数の参照パターンＲＰ３のうちから、厚みパターンＴ３と相関の高い参照パターンＲＰ３（つまり、厚みパターンＴ３と類似する参照パターンＲＰ３）を決定する。このような決定のルールは、第３参照グループＧ３における規定ルールＲＵの一例である。
図６（ｃ）に示すように、厚みパターンＴ３の傾斜は、例えば、傾斜角θによって示される。傾斜角θは、対象物ＴＧを含む基板Ｗの径方向に対する厚みパターンＴ３の傾斜角を示す。
図９（ｂ）に示すように、参照パターンＲＰ３の傾斜は、例えば、傾斜角θ＃によって示される。傾斜角θ＃は、参照対象物を含む基板の径方向に対する参照パターンＲＰ３の傾斜角を示す。
遠心力に起因して、対象物ＴＧの中心部ＣＴに対する処理液の量よりもエッジ部ＥＧに対する処理液の量の方が多い場合があるため、本実施形態では、厚みパターンＴ３の傾斜と参照パターンＲＰ３の傾斜との比較結果に基づいて厚みパターンＴ３と相関の高い参照パターンＲＰ３を決定することで、厚みパターンＴ３を有する対象物ＴＧに対してより良好な処理条件（例えば、基板Ｗの回転速度）を取得できる。
例えば、決定部３１１ｃは、傾斜角θと傾斜角θ＃との差の絶対値が最も小さい参照パターンＲＰ３を、複数の参照パターンＲＰ３のうちから、厚みパターンＴ３と相関の高い参照パターンＲＰ３であると決定する。例えば、決定部３１１ｃは、傾斜角θと傾斜角θ＃との差の絶対値が所定値ＶＡ３以下の参照パターンＲＰ３を、複数の参照パターンＲＰ３のうちから、厚みパターンＴ３と相関の高い参照パターンＲＰ３であると決定する。これらの例のような決定のルールは、第３参照グループＧ３における規定ルールＲＵの一例である。
なお、決定部３１１ｃは、図６（ｃ）に示す傾斜角θと厚みｔ６と厚みｔ８と差分（＝ｔ６−ｔ８）とのうちの少なくとも１以上の情報と、図９（ｂ）に示す傾斜角θ＃とエッチングレートｔ６＃とエッチングレートｔ８＃と差分（＝ｔ６＃−ｔ８＃）とのうちの少なくとも１以上の情報とを比較して、比較結果に基づいて、複数の参照パターンＲＰ３のうちから、厚みパターンＴ３と相関の高い参照パターンＲＰ３を決定してもよい。このような決定のルールは、第３参照グループＧ３における規定ルールＲＵの一例である。
厚みｔ６は、対象物ＴＧのエッジ部ＥＧの厚みを示す。厚みｔ８は、対象物ＴＧの中心部ＣＴの厚みを示す。
エッチングレートｔ６＃は、参照対象物のエッジ部ＥＧのエッチングレートを示す。エッチングレートｔ８＃は、参照対象物の中心部ＣＴのエッチングレートを示す。
なお、傾斜角θ、厚みｔ６、厚みｔ８、および、差分（＝ｔ６−ｔ８）は、厚みパターンＴ３の「特徴」の一例である。また、傾斜角θ＃、エッチングレートｔ６＃、エッチングレートｔ８＃、および、差分（＝ｔ６＃−ｔ８＃）は、参照パターンＲＰ３の「特徴」の一例である。
次に、図５〜図９（ｂ）を参照して、制御部３１を説明する。図５に示すように、制御部３１は、解析部３１５と、調整部３１７とをさらに含むことが好ましい。解析部３１５は、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭを解析して、厚みパターンＴＭの特徴を示す第１特徴量ＦＴを算出する。第１特徴量ＦＴは、厚みパターンＴＭの極値、厚みパターンＴＭが示す対象物ＴＧの中心部ＣＴの厚み、または、厚みパターンＴＭが示す対象物ＴＧのエッジ部ＥＧの厚みを示す。厚みパターンＴＭの極値は、厚みパターンＴＭの極大部または極小部である。
また、記憶部４１は、参照パターンＲＰの特徴を示す第２特徴量ＳＣを、参照パターンＲＰごとに予め記憶している。第２特徴量ＳＣは、参照パターンＲＰの極値、参照パターンＲＰが示す参照対象物の中心部ＣＴのエッチングレート、または、参照パターンＲＰが示す参照対象物のエッジ部ＥＧのエッチングレートを示す。
そして、調整部３１７は、厚みパターンＴＭの特徴を示す第１特徴量ＦＴと、参照パターンＲＰの特徴を示す第２特徴量ＳＣとを比較して、比較結果に基づいて、取得部３１３によって取得された処理条件に含まれるノズル７の移動速度を示す情報を調整する。その結果、本実施形態では、ノズル７の移動速度がさらに良好になるので、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの広範な領域において、エッチング処理後の対象物ＴＧの厚みのバラツキをさらに抑制できる。
具体的には、図６（ａ）および図７（ｂ）に示すように、厚みパターンＴ１が第１参照グループＧ１に分類された場合、厚みパターンＴ１と参照パターンＲＰ１との次元を一致させた後に、調整部３１７は、厚みパターンＴ１の第１特徴量ＦＴとしての極小部Ｐ１によって示される厚みｔ２と、参照パターンＲＰ１の第２特徴量ＳＣとしての極小部Ｐ１＃によって示されるエッチングレートｔ２＃とを比較して、比較結果に基づいて、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を示す情報を調整する。
例えば、厚みパターンＴ１と参照パターンＲＰ１との次元を一致させた後に、極小部Ｐ１によって示される対象物ＴＧの厚みｔ２が、極小部Ｐ１＃によって示されるエッチングレートｔ２＃よりも大きい場合、調整部３１７は、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を、厚みｔ２とエッチングレートｔ２＃との差の絶対値に応じた値だけ小さくする。なぜなら、ノズル７の移動速度が小さい程、エッチングレートが大きくなるからである。一方、厚みｔ２がエッチングレートｔ２＃よりも小さい場合、調整部３１７は、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を、厚みｔ２とエッチングレートｔ２＃との差の絶対値に応じた値だけ大きくする。
また、図６（ｂ）および図８（ｂ）に示すように、厚みパターンＴ２が第２参照グループＧ２に分類された場合、厚みパターンＴ２と参照パターンＲＰ２との次元を一致させた後に、調整部３１７は、厚みパターンＴ２の第１特徴量ＦＴとしての対象物ＴＧの中心部ＣＴの厚みｔ４と、参照パターンＲＰ２の第２特徴量ＳＣとしての参照対象物の中心部ＣＴのエッチングレートｔ４＃とを比較して、比較結果に基づいて、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を示す情報を調整する。
例えば、厚みパターンＴ２と参照パターンＲＰ２との次元を一致させた後に、対象物ＴＧの中心部ＣＴの厚みｔ４が、参照対象物の中心部ＣＴのエッチングレートｔ４＃よりも大きい場合、調整部３１７は、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を、厚みｔ３とエッチングレートｔ４＃との差の絶対値に応じた値だけ小さくする。なぜなら、ノズル７の移動速度が小さい程、エッチングレートが大きくなるからである。一方、厚みｔ４がエッチングレートｔ４＃よりも小さい場合、調整部３１７は、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を、厚みｔ４とエッチングレートｔ４＃との差に応じた値だけ大きくする。
また、図６（ｃ）および図９（ｂ）に示すように、厚みパターンＴ３が第３参照グループＧ３に分類された場合、厚みパターンＴ３と参照パターンＲＰ３との次元を一致させた後に、調整部３１７は、厚みパターンＴ３の第１特徴量ＦＴとしての対象物ＴＧの中点位置ＲＭの厚みｔ７と、参照パターンＲＰ３の第２特徴量ＳＣとしての参照対象物の中点位置ＲＭのエッチングレートｔ７＃とを比較して、比較結果に基づいて、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を示す情報を調整する。
例えば、厚みパターンＴ３と参照パターンＲＰ３との次元を一致させた後に、対象物ＴＧの中点位置ＲＭの厚みｔ７が、参照対象物の中点位置ＲＭのエッチングレートｔ７＃よりも大きい場合、調整部３１７は、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を、厚みｔ７とエッチングレートｔ７＃との差の絶対値に応じた値だけ小さくする。なぜなら、ノズル７の移動速度が小さい程、エッチングレートが大きくなるからである。一方、厚みｔ７がエッチングレートｔ７＃よりも小さい場合、調整部３１７は、処理条件に含まれるノズル７の移動速度を、厚みｔ７とエッチングレートｔ７＃との差の絶対値に応じた値だけ大きくする。
引き続き図５を参照して、制御部３１をさらに説明する。制御部３１は、処理時間算出部３１８をさらに含むことが好ましい。処理時間算出部３１８は、取得部３１３によって取得された処理条件に関連付けられた参照パターンＲＰを構成する複数のエッチングレート値の平均値と、対象物ＴＧに対する所望のエッチング量とに基づいて、エッチング処理時間を算出する。
または、処理時間算出部３１８は、調整部３１７によって調整された処理条件に基づくエッチングレートと、対象物ＴＧに対する所望のエッチング量とに基づいて、エッチング処理時間を算出する。
本実施形態では、エッチング処理時間は、ノズル７による基板Ｗのスキャン回数によって定められる。
制御部３１は、表示制御部３２３をさらに含むことが好ましい。表示制御部３２３は、処理液による処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定または調整するために利用される情報ＩＮ１を表示するように、表示装置１９を制御する。従って、表示装置１９は情報ＩＮ１を表示する。その結果、本実施形態によれば、ユーザーは情報ＩＮ１を容易に確認または利用できる。
情報ＩＮ１は、例えば、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭ、厚みパターンＴＭの特徴量、複数の参照パターンＲＰ、複数の参照パターンＲＰの各々の特徴量、または、複数の参照処理条件である。
次に、図５を参照して、基板Ｗを処理液によって処理した後の処理を説明する。厚み測定部１５は、処理液による処理後の対象物ＴＧの複数の測定位置の各々において、処理後の対象物ＴＧの厚みを測定する。従って、ユーザーは、処理後の対象物ＴＧの厚みを知ることができるため、処理後の対象物ＴＧに対するエッチング処理の評価を行うことができる。
また、制御部３１は、・BR>L憶制御部３２１をさらに含むことが好ましい。記憶制御部３２１は、処理前の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理前の厚みパターンＴＭと、処理前の厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰと、取得部３１３によって取得された処理条件と、処理後の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理後の厚みパターンＴＭＲとを関連付けて記憶するように、記憶部４１（具体的には、処理結果データベース４１３）を制御する。従って、記憶部４１は、厚みパターンＴＭと、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰと、処理条件と、厚みパターンＴＭＲとを関連付けて記憶する。その結果、本実施形態によれば、ユーザーは、入力装置２０を介して記憶部４１にアクセスすることで、これらの情報を有効活用できる。
さらに、制御部３１は、評価部３１９をさらに含むことが好ましい。評価部３１９は、処理前の厚みパターンＴＭと処理後の厚みパターンＴＭＲとを比較して、比較結果に基づいて、処理後の対象物ＴＧに対するエッチング処理の評価を行う。
また、表示制御部３２３は、処理液による処理後の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭＲを評価するために利用される情報ＩＮ２を表示するように、表示装置１９を制御してもよい。この場合、表示装置１９は情報ＩＮ２を表示する。従って、本実施形態によれば、ユーザーは、情報ＩＮ２を確認して、処理後の対象物ＴＧに対するエッチング処理の評価を行うことができる。そして、入力装置２０は、ユーザーから評価結果を示す情報の入力を受け付ける。さらに、記憶制御部３２１は、ユーザーから評価結果を示す情報を記憶するように、記憶部４１（具体的には、処理結果データベース４１３）を制御する。
情報ＩＮ２は、例えば、取得部３１３によって取得された処理条件、処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭ、厚みパターンＴＭの特徴量、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰの特徴量、処理後の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭＲ、または、厚みパターンＴＭＲの特徴量である。
また、記憶制御部３２１は、処理前の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理前の厚みパターンＴＭと、処理前の厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰと、取得部３１３によって取得された処理条件と、処理後の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理後の厚みパターンＴＭＲと、処理後の厚みパターンＴＭＲに対する評価結果とを関連付けて記憶するように、記憶部４１（具体的には、処理結果データベース４１３）を制御する。従って、記憶部４１は、厚みパターンＴＭと、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰと、処理条件と、厚みパターンＴＭＲと、厚みパターンＴＭＲに対する評価結果とを関連付けて記憶する。その結果、本実施形態によれば、ユーザーは、入力装置２０を介して記憶部４１にアクセスすることで、これらの情報を有効活用できる。
なお、制御部３１のプロセッサーは、コンピュータープログラム４１７を実行して、解析部３１５、調整部３１７、処理時間算出部３１８、評価部３１９、記憶制御部３２１、および、表示制御部３２３として機能する。
次に、図５および図１０を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理方法を説明する。図１０は、基板処理方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１〜工程Ｓ１５を含む。基板処理方法は、１枚の基板Ｗごとに基板処理装置１００によって実行される。
図５および図１０に示すように、工程Ｓ１において、基板処理装置１００の制御部３１は、基板Ｗを保持するように、スピンチャック３を制御する。その結果、スピンチャック３は基板Ｗを保持する。
次に、工程Ｓ２において、制御部３１は、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの厚みを測定するように、厚み測定部１５を制御する。その結果、厚み測定部１５は、処理前の対象物ＴＧの厚みを測定して、処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭを示す情報を制御部３１に出力する。
次に、工程Ｓ３において、制御部３１は、基板Ｗを構成する対象物ＴＧを処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する。
次に、工程Ｓ４において、制御部３１は、レシピデータ４１５に含まれる「処理液（エッチング液）による処理条件」を、工程Ｓ３で選択された処理条件に変更する。
次に、工程Ｓ５において、制御部３１は、工程Ｓ３で選択された処理条件に従って処理液によって基板Ｗを処理するように、スピンモーター５およびノズル移動部９を制御する。その結果、工程Ｓ３で選択された処理条件に従って基板Ｗが処理される。具体的には、工程Ｓ３で選択された処理条件に含まれる回転速度で基板Ｗが回転される。また、工程Ｓ３で選択された処理条件に含まれる移動速度でノズル７が移動する。さらに、工程Ｓ３で選択された処理条件に含まれる折り返し位置でノズル７が折り返す。
次に、工程Ｓ６において、制御部３１は、ノズル１１がリンス液を基板Ｗに吐出するように、バルブＶ２を制御する。その結果、ノズル１１がリンス液を吐出する。
次に、工程Ｓ７において、制御部３１は、基板Ｗが回転するようにスピンモーター５を制御する。その結果、スピンモーター５がスピンチャック３を回転させることによって、基板Ｗが回転する。基板Ｗの回転によって基板Ｗが乾燥する。
次に、工程Ｓ８において、制御部３１は、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの厚みを測定するように、厚み測定部１５を制御する。その結果、厚み測定部１５は、処理後の対象物ＴＧの厚みを測定して、処理後の厚みパターンＴＭＲを示す情報を制御部３１に出力する。
次に、工程Ｓ９において、制御部３１の記憶制御部３２１は、処理前の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理前の厚みパターンＴＭと、処理前の厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰと、工程Ｓ３で選択された処理条件と、処理後の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理後の厚みパターンＴＭＲとを関連付けて記憶するように、記憶部４１を制御する。その結果、記憶部４１（具体的には、処理結果データベース４１３）は、これらの情報を記憶する。
次に、工程Ｓ１０において、制御部３１は、チャンバー２から基板Ｗを取り出すように、搬送ロボットを制御する。その結果、搬送ロボットは基板Ｗをチャンバー２から取り出す。
次に、工程Ｓ１１において、制御部３１の評価部３１９は、処理前の厚みパターンＴＭと処理後の厚みパターンＴＭＲとを比較して、比較結果に基づいて、処理後の対象物ＴＧに対するエッチング処理の評価を行う。
次に、工程Ｓ１２において、制御部３１の記憶制御部３２１は、処理前の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理前の厚みパターンＴＭと、処理前の厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰと、工程Ｓ３で選択された処理条件と、処理後の対象物ＴＧの厚みの分布を示す処理後の厚みパターンＴＭＲと、処理後の厚みパターンＴＭＲに対する評価結果とを関連付けて記憶するように、記憶部４１を制御する。その結果、記憶部４１（具体的には、処理結果データベース４１３）は、これらの情報を記憶する。
次に、工程Ｓ１３において、制御部３１の表示制御部３２３は、参照パターンデータベース４１１に記憶されている情報、または、処理結果データベース４１３に記憶されている情報を表示するように、表示装置１９を制御する。その結果、表示装置１９は、これらの情報を表示する。
次に、工程Ｓ１４において、制御部３１は、入力装置２０を介してユーザーからの入力を受け付ける。具体的には、工程Ｓ１３で表示された情報を閲覧しながら、ユーザーは、入力装置２０を介して各種情報を入力する。そして、制御部３１は、入力装置２０を介してユーザーからの入力を受け付ける。
次に、工程Ｓ１５において、制御部３１は、ユーザーから受け付けた入力に基づく情報を記憶するように、記憶部４１を制御する。その結果、記憶部４１は、ユーザーから受け付けた入力に基づく情報を記憶する。工程Ｓ１５の後、処理は終了する。
本実施形態に係る基板製品製造方法では、工程Ｓ１〜工程Ｓ１５を含む基板処理方法によって基板Ｗを処理して、処理後の基板Ｗである基板製品を製造する。
次に、図５および図１１を参照して、図１０の工程Ｓ３を説明する。図１１は、図１０の工程Ｓ３を示すフローチャートである。工程Ｓ３は、工程Ｓ２１〜工程Ｓ２５を含む。工程Ｓ３は、「処理条件選択方法」の一例に相当する。
図５および図１１に示すように、工程Ｓ２１において、制御部３１の特定部３１１は、対象物ＴＧの複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の厚みの分布を示す厚みパターンＴＭと、予め記憶部４１に記憶されている複数の参照パターンＲＰとを比較して、複数の参照パターンＲＰのうちから、規定ルールＲＵに基づき対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定する。
次に、工程Ｓ２２において、取得部３１３は、複数の参照パターンＲＰにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、工程Ｓ２１で特定された参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件を、処理条件として記憶部４１から取得する。
次に、工程Ｓ２３において、解析部３１５は、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭを解析して、厚みパターンＴＭの特徴を示す第１特徴量ＦＴを算出する。
次に、工程Ｓ２４において、調整部３１７は、厚みパターンＴＭの特徴を示す第１特徴量ＦＴと、参照パターンＲＰの特徴を示す第２特徴量ＳＣとを比較して、比較結果に基づいて、工程Ｓ２２によって取得された処理条件に含まれるノズル７の移動速度を示す情報を調整する。
次に、工程Ｓ２５において、処理時間算出部３１８は、工程Ｓ２４によって調整された処理条件に基づくエッチングレートと、対象物ＴＧに対する所望のエッチング量とに基づいて、エッチング処理時間を算出する。
具体的には、工程Ｓ２１は、工程Ｓ３１、工程Ｓ５１、工程Ｓ５２、工程Ｓ６１、工程Ｓ６２、工程Ｓ７１、および工程Ｓ７２を含む。また、工程Ｓ２２は、工程Ｓ５３、工程Ｓ６３、および工程Ｓ７３を含む。さらに、工程Ｓ２３は、工程Ｓ５４、工程Ｓ６４、および工程Ｓ７４を含む。さらに、工程Ｓ２４は、工程Ｓ５５、工程Ｓ６５、および工程Ｓ７５を含む。さらに、工程Ｓ２５は、工程Ｓ５６、工程Ｓ６６、および工程Ｓ７６を含む。
工程Ｓ３１において、制御部３１の分類部３１１ａは、処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭを複数の参照グループＧのうちのいずれかの参照グループＧに分類する。具体的には、分類部３１１ａは、厚みパターンＴＭを第１参照グループＧ１〜第３参照グループＧ３のうちのいずれかの参照グループＧに分類する。
工程Ｓ３１で厚みパターンＴＭが第１参照グループＧ１に分類された場合、処理は工程Ｓ５１に進む。
次に、工程Ｓ５１において、前処理部３１１ｂは、厚みパターンＴＭの次元と参照パターンＲＰ１の次元とを一致させる。
次に、工程Ｓ５２において、決定部３１１ｃは、厚みパターンＴＭの次元と参照パターンＲＰ１の次元とが一致させられた後に、規定ルールＲＵに基づき厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰ１（つまり、厚みパターンＴＭと類似する参照パターンＲＰ１）を決定する。
次に、工程Ｓ５３において、取得部３１３は、複数の参照パターンＲＰ１にそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、工程Ｓ５２で決定された参照パターンＲＰ１に関連付けられた参照処理条件を、処理条件として記憶部４１から取得する。
次に、工程Ｓ５４において、解析部３１５は、第１参照グループＧ１に分類された厚みパターンＴＭを解析して、厚みパターンＴＭの特徴を示す第１特徴量ＦＴを算出する。
次に、工程Ｓ５５において、調整部３１７は、厚みパターンＴＭの特徴を示す第１特徴量ＦＴと、参照パターンＲＰ１の特徴を示す第２特徴量ＳＣとを比較して、比較結果に基づいて、工程Ｓ５３によって取得された処理条件に含まれるノズル７の移動速度を示す情報を調整する。
次に、工程Ｓ５６において、処理時間算出部３１８は、工程Ｓ５５によって調整された処理条件に基づくエッチングレートと、対象物ＴＧに対する所望のエッチング量とに基づいて、エッチング処理時間を算出する。そして、処理は、図１０の工程Ｓ４に進む。
一方、工程Ｓ３１で厚みパターンＴＭが第２参照グループＧ２に分類された場合、処理は工程Ｓ６１に進む。工程Ｓ６１〜工程Ｓ６６の処理は、参照グループＧが異なる点を除いて、工程Ｓ５１〜工程Ｓ５６の処理と同様であり、説明を省略する。
また、工程Ｓ３１で厚みパターンＴＭが第３参照グループＧ３に分類された場合、処理は工程Ｓ７１に進む。工程Ｓ７１〜工程Ｓ７６の処理は、参照グループＧが異なる点を除いて、工程Ｓ５１〜工程Ｓ５６の処理と同様であり、説明を省略する。
なお、工程Ｓ２１では、ユーザーからの入力装置２０への入力結果に基づいて、処理前の対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰが特定されてもよい。同様に、工程Ｓ２４において、ユーザーからの入力装置２０への入力結果に基づいて、処理条件が調整されてもよい。
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
（１）図１〜図１１を参照して説明した本実施形態では、参照パターンＲＰを定義する「参照対象物の物理量の分布」における「物理量」は、エッチングレートであったが、参照対象物の厚みであってもよい。つまり、参照パターンＲＰは、参照対象物の厚みの分布を示していてもよい。
この場合、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭと相関の高い厚みの分布を示す参照パターンＲＰ（つまり、厚みパターンＴＭと類似する厚みの分布を示す参照パターンＲＰ）が選択される。そして、このような厚みの分布を示す参照パターンＲＰに関連付けられた参照処理条件が、対象物ＴＧに対する処理条件として取得される。従って、取得された処理条件に従って対象物ＴＧをエッチング処理することで、対象物ＴＧの広範な領域において、エッチング処理後の対象物ＴＧの厚みのバラツキを抑制できる。
（２）図１〜図１１を参照して説明した本実施形態では、処理液の例として、エッチング液を説明した。ただし、処理液は、基板Ｗを処理する限りにおいては、エッチング液に限定されない。例えば、処理液は、対象物ＴＧを除去する除去液であってもよい。この場合、参照パターンＲＰを定義する「参照対象物の物理量の分布」における「物理量」は、参照対象物の除去レートまたは除去量である。従って、この場合、参照パターンＲＰは、対象物ＴＧの除去レートまたは除去量の分布を示す。
除去液は、基板処理装置１００が基板Ｗに対してレジスト除去処理を実行する場合は、例えば、硫酸過酸化水素水混合液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ／ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ：ＳＰＭ）である。レジスト除去処理とは、半導体基板の表面から、レジストを除去する処理のことである。
（３）図５を参照して説明した本実施形態では、前処理部３１１ｂは、分類部３１１ａによる分類後であって、決定部３１１ｃによる決定前に、対象物ＴＧの厚みパターンＴＭの次元と参照パターンＲＰの次元とを一致させた。ただし、記憶部４１が、規格化または正規化によって無次元化された複数の参照パターンＲＰを予め記憶していてもよい。そして、前処理部３１１ｂは、分類部３１１ａによる分類前に、厚みパターンＴＭを規格化または正規化によって無次元化してもよい。
（４）図５に示す特定部３１１は、複数の参照パターンＲＰのうちから、厚みパターンＴＭと相関の高い２以上の参照パターンＲＰを特定してもよい。この場合は、取得部３１３は、２以上の参照パターンＲＰにそれぞれ関連付けられた２以上の参照処理条件に対して、補間（内挿）または外挿を行って、処理条件を決定してもよい。
（５）図５に示す特定部３１１は、厚みパターンＴＭからノイズ成分を除去した後に、厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定してもよい。この場合は、さらに精度良く厚みパターンＴＭと相関の高い参照パターンＲＰを特定できる。
（６）図５に示す厚み測定部１５による対象物ＴＧにおける測定位置は、任意に定めることができる。例えば、厚みの測定位置は、等間隔に設定されてもよい。例えば、厚みの測定位置は、対象物ＴＧの中心部ＣＴとエッジ部ＥＧと中間位置とであってよい。中間位置は、中心部ＣＴとエッジ部ＥＧとの間の位置であって、エッチング特性に応じて定められる位置である。例えば、対象物ＴＧの特定領域について、測定間隔を短くし、他の領域について測定間隔を長くすることもできる。
（７）図２を参照して説明した本実施形態では、ノズル７は、折り返し位置ＴＲ１と折り返し位置ＴＲ２とで折り返した。ただし、ノズル７は、エッジ部ＥＧ側の折り返し位置ＴＲ１と中心部ＣＴ側の折り返し位置ＴＲ３とで折り返してもよい。この場合は、参照処理条件には、折り返し位置ＴＲ１の情報と折り返し位置ＴＲ３の情報とが含まれる。
（８）図１１の工程Ｓ２３〜工程Ｓ２５は、設けなくてもよい。
本発明は、処理条件選択方法、基板処理方法、基板製品製造方法、処理条件選択装置、コンピュータープログラム、および、記憶媒体に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
１５ 厚み測定部
４１ 記憶部（記憶媒体）
１００ 基板処理装置（処理条件選択装置）
３１１ 特定部
３１３ 取得部
４１７ コンピュータープログラム
Ｗ 基板

Claims (21)

  1. 基板を構成する対象物を処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する処理条件選択方法であって、
    前記対象物の複数の測定位置の各々において、前記処理液による処理前に前記対象物の厚みを測定する工程と、
    前記複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の前記厚みの分布を示す厚みパターンと、予め記憶部に記憶されている複数の参照パターンとを比較して、前記複数の参照パターンのうちから、規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い参照パターンを特定する工程と、
    前記複数の参照パターンにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定された前記参照パターンに関連付けられた参照処理条件を、前記処理条件として前記記憶部から取得する工程と
    を含み、
    前記複数の参照パターンの各々は、参照対象物の物理量の分布を示し、
    前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照パターンを有する前記参照対象物に対して、前記処理液による処理を過去に実行したときの処理条件を示す、処理条件選択方法。
  2. 前記複数の参照パターンの各々は、複数の参照グループのうちのいずれかに予め分類されており、
    前記複数の参照グループは、参照パターンの形状の特徴に基づいて定められており、
    前記参照パターンを特定する前記工程は、
    前記厚みパターンを前記複数の参照グループのうちのいずれかの参照グループに分類する工程と、
    前記複数の参照パターンのうち、前記厚みパターンが分類された前記参照グループに分類されている２以上の参照パターンを対象として、前記規定ルールに基づき前記厚みパターンと前記参照パターンとの比較を行い、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定する工程と
    を含む、請求項１に記載の処理条件選択方法。
  3. 前記複数の参照グループは、第１参照グループと第２参照グループと第３参照グループとのうちの少なくとも１つを含み、
    前記第１参照グループは、前記対象物または前記参照対象物の中心部からエッジ部までの間に極小部を有するパターンのグループを示し、
    前記第２参照グループは、前記対象物または前記参照対象物の中心部からエッジ部までの間に極大部を有するパターンのグループを示し、
    前記第１参照グループは、前記対象物または前記参照対象物の中心部からエッジ部に向かって一方向に傾斜しているパターンのグループを示す、請求項２に記載の処理条件選択方法。
  4. 前記厚みパターンが分類された前記参照グループが前記第１参照グループである場合、前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンに基づく第１差分と、前記参照パターンに基づく第２差分とを比較して、比較結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定し、
    前記第１差分は、前記厚みパターンの極小部によって示される前記対象物の厚みと、前記厚みパターンのエッジ部によって示される前記対象物のエッジ部の厚みとの差分を示し、
    前記第２差分は、前記参照パターンの極小部によって示される前記参照対象物の物理量と、前記参照パターンのエッジ部によって示される前記参照対象物のエッジ部の物理量との差分を示す、請求項３に記載の処理条件選択方法。
  5. 前記厚みパターンが分類された前記参照グループが前記第２参照グループである場合、前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンに基づく第１距離と、前記参照パターンに基づく第２距離とを比較して、比較結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定し、
    前記第１距離は、前記対象物の中心部から前記厚みパターンの極大部に対応する位置までの距離を示し、
    前記第２距離は、前記参照対象物の中心部から前記参照パターンの極大部に対応する位置までの距離を示す、請求項３または請求項４に記載の処理条件選択方法。
  6. 前記厚みパターンが分類された前記参照グループが前記第３参照グループである場合、前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンの傾斜と、前記参照パターンの傾斜とを比較して、比較結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定する、請求項３から請求項５のいずれか１項に記載の処理条件選択方法。
  7. 前記参照パターンを特定する前記工程は、
    前記厚みパターンの次元と前記参照パターンの次元とを一致させる工程をさらに含み、
    前記参照パターンを決定する前記工程では、前記厚みパターンの次元と前記参照パターンの次元とが一致させられた後に、前記規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを決定する、請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の処理条件選択方法。
  8. 前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照対象物を含む基板の回転速度を示す情報と、前記参照対象物に対して前記処理液を吐出するノズルの折り返し位置を示す情報と、前記参照対象物に沿った前記ノズルの移動速度を示す情報とを含む、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の処理条件選択方法。
  9. 前記厚みパターンの特徴を示す第１特徴量と、前記参照パターンの特徴を示す第２特徴量とを比較して、比較結果に基づいて、前記記憶部から取得する前記工程によって取得された前記処理条件に含まれる前記ノズルの移動速度を示す情報を調整する工程をさらに含み、
    前記第１特徴量は、前記厚みパターンの極値、前記厚みパターンが示す前記対象物の中心部の厚み、または、前記厚みパターンが示す前記対象物のエッジ部の厚みを示し、
    前記第２特徴量は、前記参照パターンの極値、前記参照パターンが示す前記参照対象物の中心部の物理量、または、前記参照パターンが示す前記参照対象物のエッジ部の物理量を示す、請求項８に記載の処理条件選択方法。
  10. 前記参照パターンを特定する前記工程では、ユーザーからの入力装置への入力結果に基づいて、前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンが特定される、請求項１に記載の処理条件選択方法。
  11. 前記処理液による処理前の前記対象物の前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンを特定または調整するために利用される情報、または、前記処理液による処理後の前記対象物の厚みパターンを評価するために利用される情報を、表示装置に表示する工程をさらに含む、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の処理条件選択方法。
  12. 前記処理液は、前記対象物をエッチングするエッチング液であり、
    前記物理量は、エッチングレートまたはエッチング量である、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の処理条件選択方法。
  13. 前記処理液は、前記対象物を除去する除去液であり、
    前記物理量は、除去レートまたは除去量である、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の処理条件選択方法。
  14. 請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の処理条件選択方法と、
    前記処理条件選択方法において選択された前記処理条件に従って、前記対象物を前記処理液によって処理する工程と
    を含む、基板処理方法。
  15. 前記処理液による処理後の前記対象物の複数の測定位置の各々において、処理後の前記対象物の厚みを測定する工程をさらに含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 処理前の前記対象物の厚みの分布を示す処理前の前記厚みパターンと、処理前の前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンと、前記処理条件と、処理後の前記対象物の厚みの分布を示す処理後の厚みパターンとを関連付けて記憶部に記憶する工程をさらに含む、請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 処理前の前記対象物の厚みの分布を示す処理前の前記厚みパターンと、処理前の前記厚みパターンと相関の高い前記参照パターンと、前記処理条件と、処理後の前記対象物の厚みの分布を示す処理後の厚みパターンと、処理後の前記厚みパターンに対する評価結果とを関連付けて記憶部に記憶する工程をさらに含む、請求項１５に記載の基板処理方法。
  18. 請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理方法によって前記基板を処理して、処理後の前記基板である基板製品を製造する、基板製品製造方法。
  19. 基板を構成する対象物を処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択する処理条件選択装置であって、
    前記対象物の複数の測定位置の各々において、前記処理液による処理前に前記対象物の厚みを測定する厚み測定部と、
    各々が参照対象物の物理量の分布を示す複数の参照パターンを予め記憶している記憶部と、
    前記複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の前記厚みの分布を示す厚みパターンと、前記複数の参照パターンとを比較して、前記複数の参照パターンのうちから、規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い参照パターンを特定する特定部と、
    前記複数の参照パターンにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定された前記参照パターンに関連付けられた参照処理条件を、前記処理条件として前記記憶部から取得する取得部と
    を備え、
    前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照パターンを有する前記参照対象物に対して、前記処理液による処理を過去に実行したときの処理条件を示す、処理条件選択装置。
  20. 基板を構成する対象物を処理液によって処理するときに使用可能な処理条件を、複数の参照処理条件のうちから選択するコンピュータープログラムであって、
    前記対象物の複数の測定位置の各々において、前記処理液による処理前に前記対象物の厚みを測定する工程と、
    前記複数の測定位置でそれぞれ測定された複数の前記厚みの分布を示す厚みパターンと、予め記憶部に記憶されている複数の参照パターンとを比較して、前記複数の参照パターンのうちから、規定ルールに基づき前記厚みパターンと相関の高い参照パターンを特定する工程と、
    前記複数の参照パターンにそれぞれ関連付けられた複数の参照処理条件のうち、特定された前記参照パターンに関連付けられた参照処理条件を、前記処理条件として前記記憶部から取得する工程と
    をコンピューターに実行させ、
    前記複数の参照パターンの各々は、参照対象物の物理量の分布を示し、
    前記複数の参照処理条件の各々は、前記参照パターンを有する前記参照対象物に対して、前記処理液による処理を過去に実行したときの処理条件を示す、コンピュータープログラム。
  21. 請求項２０に記載のコンピュータープログラムを記憶した記憶媒体。
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