KR102617186B1 - 처리 조건 선택 방법, 기판 처리 방법, 기판 제품 제조 방법, 처리 조건 선택 장치 및 프로그램을 저장한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체 - Google Patents

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Abstract

처리 조건 선택 방법은 공정(S21) 및 공정(S22)을 포함한다. 공정(S21)에 있어서, 대상물의 복수의 측정 위치에서 각각 측정된 복수의 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴(TM)과, 미리 기억되어 있는 복수의 참조 패턴(RP)을 비교하여, 복수의 참조 패턴(RP) 중에서 규정 룰에 의거하여 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정한다. 공정(S22)에 있어서, 복수의 참조 패턴(RP)에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정된 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건을 대상물의 처리 조건으로서 취득한다. 복수의 참조 패턴(RP) 각각은 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타낸다. 복수의 참조 처리 조건 각각은, 참조 패턴(RP)을 갖는 참조 대상물에 대해 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타낸다.

Description

처리 조건 선택 방법, 기판 처리 방법, 기판 제품 제조 방법, 처리 조건 선택 장치 및 프로그램을 저장한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체
본 발명은, 처리 조건 선택 방법, 기판 처리 방법, 기판 제품 제조 방법, 처리 조건 선택 장치, 컴퓨터 프로그램, 및, 기억 매체에 관한 것이다.
특허문헌 1에 기재되어 있는 반도체 장치에서는, 대응표를 작성하여, 반도체 기판 상에 형성된 절연막의 에칭 시간을 결정한다. 대응표는, 반도체 기판 상에 형성된 스토퍼막의 막두께 평균값과 절연막의 에칭 시간을 대비시키고 있다.
일본국 특허공개 2004-71862호 공보
그러나, 특허문헌 1에 기재되어 있는 반도체 장치에서는, 대응표는, 기판의 특정의 25 포인트에 대해서, 스토퍼막의 막두께를 측정하고, 측정 결과로부터 구해지는 막두께 평균값과, 절연막의 에칭 시간을 대비시키고 있는 것에 불과하다.
한편, 본원의 발명자는, 기판의 어느 위치(이하, 「위치 LC」라고 기재한다.)에 대한 에칭 처리가, 위치 LC의 근방의 막두께 분포에 영향을 준다는 것의 지견을 갖고 있다.
따라서, 대응표가, 기판의 특정의 25 포인트의 막두께 평균값에 대해 양호한 에칭 시간을 정하고 있어도, 기판의 광범위한 영역에 걸쳐 절연막의 에칭이 양호하다고는 할 수 없다. 그 결과, 기판의 광범위한 영역을 관찰하면, 에칭 후의 절연막의 두께에 편차가 발생할 가능성이 있다.
환언하면, 에칭액 등의 처리액에 의한 처리 후의 대상물의 두께에 편차가 발생할 가능성이 있다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 기판을 구성하는 대상물의 광범위한 영역에 있어서, 처리 후의 대상물의 두께의 편차를 억제할 수 있는 처리 조건 선택 방법, 기판 처리 방법, 기판 제품 제조 방법, 처리 조건 선택 장치, 컴퓨터 프로그램, 및, 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 국면에 의하면, 처리 조건 선택 방법에 있어서는, 기판을 구성하는 대상물을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택한다. 처리 조건 선택 방법은, 상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 상기 처리액에 의한 처리 전에 상기 대상물의 두께를 측정하는 공정과, 상기 복수의 측정 위치에서 각각 측정된 복수의 상기 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴과, 미리 기억부에 기억되어 있는 복수의 참조 패턴을 비교하여, 상기 복수의 참조 패턴 중에서, 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 참조 패턴을 특정하는 공정과, 상기 복수의 참조 패턴에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정된 상기 참조 패턴에 관련지어진 참조 처리 조건을, 상기 처리 조건으로서 상기 기억부로부터 취득하는 공정을 포함한다. 상기 복수의 참조 패턴 각각은, 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타낸다. 상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 상기 참조 패턴을 갖는 상기 참조 대상물에 대해, 상기 처리액에 의한 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타낸다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 복수의 참조 패턴 각각은, 복수의 참조 그룹 중 어느 하나로 미리 분류되어 있는 것이 바람직하다. 상기 복수의 참조 그룹은, 참조 패턴의 형상의 특징에 의거하여 정해져 있는 것이 바람직하다. 상기 참조 패턴을 특정하는 상기 공정은, 상기 두께 패턴을 상기 복수의 참조 그룹 중 어느 하나의 참조 그룹으로 분류하는 공정과, 상기 복수의 참조 패턴 중, 상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹으로 분류되어 있는 2 이상의 참조 패턴을 대상으로 하여, 상기 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상기 참조 패턴의 비교를 행하고, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 복수의 참조 그룹은, 제1 참조 그룹과 제2 참조 그룹과 제3 참조 그룹 중 적어도 1개를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제1 참조 그룹은, 상기 대상물 또는 상기 참조 대상물의 중심부로부터 에지부까지의 사이에 극소부를 갖는 패턴의 그룹을 나타내는 것이 바람직하다. 상기 제2 참조 그룹은, 상기 대상물 또는 상기 참조 대상물의 중심부로부터 에지부까지의 사이에 극대부를 갖는 패턴의 그룹을 나타내는 것이 바람직하다. 상기 제3 참조 그룹은, 상기 대상물 또는 상기 참조 대상물의 중심부로부터 에지부를 향해 일 방향으로 경사져 있는 패턴의 그룹을 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹이 상기 제1 참조 그룹인 경우, 상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴에 의거한 제1 차분과, 상기 참조 패턴에 의거한 제2 차분을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는 것이 바람직하다. 상기 제1 차분은, 상기 두께 패턴의 극소부에 의해 나타내어지는 상기 대상물의 두께와, 상기 두께 패턴의 에지부에 의해 나타내어지는 상기 대상물의 에지부의 두께의 차분을 나타내는 것이 바람직하다. 상기 제2 차분은, 상기 참조 패턴의 극소부에 의해 나타내어지는 상기 참조 대상물의 물리량과, 상기 참조 패턴의 에지부에 의해 나타내어지는 상기 참조 대상물의 에지부의 물리량의 차분을 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹이 상기 제2 참조 그룹인 경우, 상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴에 의거한 제1 거리와, 상기 참조 패턴에 의거한 제2 거리를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는 것이 바람직하다. 상기 제1 거리는, 상기 대상물의 중심부로부터 상기 두께 패턴의 극대부에 대응하는 위치까지의 거리를 나타내는 것이 바람직하다. 상기 제2 거리는, 상기 참조 대상물의 중심부로부터 상기 참조 패턴의 극대부에 대응하는 위치까지의 거리를 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹이 상기 제3 참조 그룹인 경우, 상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴의 경사와, 상기 참조 패턴의 경사를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 참조 패턴을 특정하는 상기 공정은, 상기 두께 패턴의 차원과 상기 참조 패턴의 차원을 일치시키는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴의 차원과 상기 참조 패턴의 차원이 일치된 후에, 상기 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 상기 참조 대상물을 포함하는 기판의 회전 속도를 나타내는 정보와, 상기 참조 대상물에 대해 상기 처리액을 토출하는 노즐의 반환 위치를 나타내는 정보와, 상기 참조 대상물을 따른 상기 노즐의 이동 속도를 나타내는 정보를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법은, 상기 두께 패턴의 특징을 나타내는 제1 특징량과, 상기 참조 패턴의 특징을 나타내는 제2 특징량을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 기억부로부터 취득하는 상기 공정에 의해 취득된 상기 처리 조건에 포함되는 상기 노즐의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 제1 특징량은, 상기 두께 패턴의 극값, 상기 두께 패턴이 나타내는 상기 대상물의 중심부의 두께, 또는, 상기 두께 패턴이 나타내는 상기 대상물의 에지부의 두께를 나타내는 것이 바람직하다. 상기 제2 특징량은, 상기 참조 패턴의 극값, 상기 참조 패턴이 나타내는 상기 참조 대상물의 중심부의 물리량, 또는, 상기 참조 패턴이 나타내는 상기 참조 대상물의 에지부의 물리량을 나타내는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 참조 패턴을 특정하는 상기 공정에서는, 유저로부터의 입력 장치로의 입력 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴이 특정되어도 된다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법은, 상기 처리액에 의한 처리 전의 상기 대상물의 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 특정 또는 조정하기 위해 이용되는 정보, 또는, 상기 처리액에 의한 처리 후의 상기 대상물의 두께 패턴을 평가하기 위해 이용되는 정보를, 표시 장치에 표시하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 처리액은, 상기 대상물을 에칭하는 에칭액인 것이 바람직하다. 상기 물리량은, 에칭 레이트 또는 에칭량인 것이 바람직하다.
본 발명의 처리 조건 선택 방법에 있어서, 상기 처리액은, 상기 대상물을 제거하는 제거액인 것이 바람직하다. 상기 물리량은, 제거 레이트 또는 제거량인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 상기 일 국면에 의한 처리 조건 선택 방법과, 상기 처리 조건 선택 방법에 있어서 선택된 상기 처리 조건에 따라, 상기 대상물을 상기 처리액에 의해 처리하는 공정을 포함한다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 상기 처리액에 의한 처리 후의 상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 처리 후의 상기 대상물의 두께를 측정하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 처리 전의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 상기 두께 패턴과, 처리 전의 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴과, 상기 처리 조건과, 처리 후의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴을 관련지어 기억부에 기억하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 처리 전의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 상기 두께 패턴과, 처리 전의 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴과, 상기 처리 조건과, 처리 후의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴과, 처리 후의 상기 두께 패턴에 대한 평가 결과를 관련지어 기억부에 기억하는 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 기판 제품 제조 방법에 있어서는, 상기 다른 국면에 의한 기판 처리 방법에 의해 상기 기판을 처리하여, 처리 후의 상기 기판인 기판 제품을 제조한다.
본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 처리 조건 선택 장치는, 기판을 구성하는 대상물을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택한다. 처리 조건 선택 장치는, 두께 측정부와, 기억부와, 특정부와, 취득부를 구비한다. 두께 측정부는, 상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 상기 처리액에 의한 처리 전에 상기 대상물의 두께를 측정한다. 기억부는, 각각이 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타내는 복수의 참조 패턴을 미리 기억하고 있다. 특정부는, 상기 복수의 측정 위치에서 각각 측정된 복수의 상기 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴과, 상기 복수의 참조 패턴을 비교하여, 상기 복수의 참조 패턴 중에서, 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 참조 패턴을 특정한다. 취득부는, 상기 복수의 참조 패턴에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정된 상기 참조 패턴에 관련지어진 참조 처리 조건을, 상기 처리 조건으로서 상기 기억부로부터 취득한다. 상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 상기 참조 패턴을 갖는 상기 참조 대상물에 대해, 상기 처리액에 의한 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타낸다.
본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 컴퓨터 프로그램은, 기판을 구성하는 대상물을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택한다. 컴퓨터 프로그램은, 상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 상기 처리액에 의한 처리 전에 상기 대상물의 두께를 측정하는 공정과, 상기 복수의 측정 위치에서 각각 측정된 복수의 상기 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴과, 미리 기억부에 기억되어 있는 복수의 참조 패턴을 비교하여, 상기 복수의 참조 패턴 중에서, 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 참조 패턴을 특정하는 공정과, 상기 복수의 참조 패턴에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정된 상기 참조 패턴에 관련지어진 참조 처리 조건을, 상기 처리 조건으로서 상기 기억부로부터 취득하는 공정을 컴퓨터로 하여금 실행하게 한다. 상기 복수의 참조 패턴 각각은, 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타낸다. 상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 상기 참조 패턴을 갖는 상기 참조 대상물에 대해, 상기 처리액에 의한 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타낸다.
본 발명의 또 다른 국면에 의하면, 기억 매체는, 상기 다른 국면에 의한 컴퓨터 프로그램을 기억하고 있다.
본 발명에 의하면, 기판을 구성하는 대상물의 광범위한 영역에 있어서, 처리 후의 대상물의 두께의 편차를 억제할 수 있는 처리 조건 선택 방법, 기판 처리 방법, 기판 제품 제조 방법, 처리 조건 선택 장치, 컴퓨터 프로그램, 및, 기억 매체를 제공할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 노즐에 의한 기판의 스캔 처리를 나타내는 평면도이다.
도 3은, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 광학 프로브에 의한 기판의 스캔 처리를 나타내는 평면도이다.
도 4의 (a)는, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의한 에칭 전의 두께 패턴을 나타내는 도면이다. 도 4의 (b)는, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의한 에칭 레이트 분포를 나타내는 도면이다. 도 4의 (c)는, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 의한 에칭 후의 두께 패턴을 나타내는 도면이다.
도 5는, 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 제어 장치를 나타내는 블록도이다.
도 6의 (a)는, 실시 형태에 따른 제1 참조 그룹으로 분류되는 두께 패턴을 나타내는 도면이다. 도 6의 (b)는, 실시 형태에 따른 제2 참조 그룹으로 분류되는 두께 패턴을 나타내는 도면이다. 도 6의 (c)는, 실시 형태에 따른 제3 참조 그룹으로 분류되는 두께 패턴을 나타내는 도면이다.
도 7의 (a)는, 실시 형태에 따른 제1 참조 그룹으로 분류되는 복수의 참조 패턴을 나타내는 도면이다. 도 7의 (b)는, 실시 형태에 따른 제1 참조 그룹으로 분류되는 참조 패턴의 상세를 나타내는 도면이다.
도 8의 (a)는, 실시 형태에 따른 제2 참조 그룹으로 분류되는 복수의 참조 패턴을 나타내는 도면이다. 도 8의 (b)는, 실시 형태에 따른 제2 참조 그룹으로 분류되는 참조 패턴의 상세를 나타내는 도면이다.
도 9의 (a)는, 실시 형태에 따른 제3 참조 그룹으로 분류되는 복수의 참조 패턴을 나타내는 도면이다. 도 9의 (b)는, 실시 형태에 따른 제3 참조 그룹으로 분류되는 참조 패턴의 상세를 나타내는 도면이다.
도 10은, 실시 형태에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 플로차트이다.
도 11은, 도 10의 공정 S3를 나타내는 플로차트이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙여 설명을 반복하지 않는다. 또, 본 발명의 실시 형태에 있어서, X축, Y축, 및 Z축은 서로 직교하고, X축 및 Y축은 수평 방향으로 평행하며, Z축은 연직 방향으로 평행하다. 또한, 「평면에서 봤을 때」는, 연직 상방으로부터 대상을 보는 것을 나타낸다.
도 1~도 11을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 우선, 도 1을 참조하여 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 1은, 기판 처리 장치(100)를 나타내는 도면이다. 도 1에 나타내는 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)을 처리액에 의해 처리한다.
구체적으로는, 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)을 구성하는 대상물을 처리액에 의해 처리한다. 이하, 처리액에 의한 처리 대상인 대상물을 「대상물(TG)」이라고 기재한다. 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)은, 예를 들면, 기판 본체(예를 들면, 실리콘으로 이루어지는 기판 본체), 또는, 기판 본체의 표면에 형성된 물질이다. 기판 본체의 표면에 형성된 물질은, 예를 들면, 기판 본체와 같은 재료의 물질(예를 들면, 실리콘으로 이루어지는 층), 또는, 기판 본체와 상이한 재료의 물질(예를 들면, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는, 레지스트)이다. 「물질」은 막을 구성하고 있어도 된다.
기판 처리 장치(100)는, 기판(W)을 1장씩 처리하는 매엽형(枚葉型)이다. 기판(W)은 대략 원판 형상이다.
기판(W)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display: FED)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 또는, 태양 전지용 기판이다. 이하의 실시 형태의 설명에서는, 기판(W)은, 반도체 웨이퍼이다.
특히, 본 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택하는 「처리 조건 선택 장치」로서 기능한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 처리 유닛(1)과, 표시 장치(19)와, 입력 장치(20)와, 제어 장치(21)와, 밸브(V1)와, 공급 배관(K1)과, 밸브(V2)와, 공급 배관(K2)을 구비한다.
제어 장치(21)는, 처리 유닛(1), 표시 장치(19), 입력 장치(20), 밸브(V1), 및, 밸브(V2)를 제어한다. 표시 장치(19)는 각종 정보를 표시한다. 표시 장치(19)는, 예를 들면, 액정 디스플레이이다. 입력 장치(20)는, 유저로부터의 입력을 접수하여, 입력 결과를 나타내는 정보를 제어 장치(21)에 출력한다. 입력 장치(20)는, 예를 들면, 터치 패널 및 포인팅 디바이스를 포함한다. 터치 패널은, 예를 들면, 표시 장치(19)의 표시면에 배치된다. 표시 장치(19)와 입력 장치(20)는, 예를 들면, 그래피컬 유저 인터페이스를 구성한다.
처리 유닛(1)은, 기판(W)에 처리액을 토출하여 기판(W)을 처리한다. 구체적으로는, 처리 유닛(1)은, 챔버(2)와, 스핀척(3)과, 스핀 모터(5)와, 노즐(7)과, 노즐 이동부(9)와, 노즐(11)과, 복수의 가드(13)(본 실시 형태에서는 2개의 가드(13))와, 두께 측정부(15)와, 프로브 이동부(17)를 포함한다.
챔버(2)는 대략 상자 형상을 갖는다. 챔버(2)는, 기판(W), 스핀척(3), 스핀 모터(5), 노즐(7), 노즐 이동부(9), 노즐(11), 복수의 가드(13), 두께 측정부(15), 프로브 이동부(17), 공급 배관(K1)의 일부, 및, 공급 배관(K2)의 일부를 수용한다.
스핀척(3)은, 기판(W)을 유지하여 회전한다. 구체적으로는, 스핀척(3)은, 챔버(2) 내에서 기판(W)을 수평으로 유지하면서, 회전 축선(AX) 둘레로 기판(W)을 회전시킨다. 구체적으로는, 스핀척(3)은, 스핀 모터(5)에 의해 구동되어 회전한다.
스핀척(3)은, 복수의 척 부재(32)와, 스핀 베이스(33)를 포함한다. 복수의 척 부재(32)는, 기판(W)의 주연을 따라 스핀 베이스(33)에 설치된다. 복수의 척 부재(32)는 기판(W)을 수평한 자세로 유지한다. 스핀 베이스(33)는, 대략 원판 형상이며, 수평한 자세로 복수의 척 부재(32)를 지지한다. 스핀 모터(5)는, 스핀 베이스(33)를 회전 축선(AX) 둘레로 회전시킨다. 따라서, 스핀 베이스(33)는 회전 축선(AX) 둘레로 회전한다. 그 결과, 스핀 베이스(33)에 설치된 복수의 척 부재(32)에 유지된 기판(W)이 회전 축선(AX) 둘레로 회전한다. 구체적으로는, 스핀 모터(5)는, 모터 본체(51)와, 샤프트(53)를 포함한다. 샤프트(53)는 스핀 베이스(33)에 결합된다. 그리고, 모터 본체(51)는, 샤프트(53)를 회전시킴으로써, 스핀 베이스(33)를 회전시킨다.
노즐(7)은, 기판(W)의 회전 중에 기판(W)을 향해 처리액을 토출한다. 처리액은 약액이다.
이하, 본 실시 형태에서는, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)(구체적으로는 대상물(TG))에 대해 에칭 처리를 실행하고, 처리액이 에칭액인 경우를 설명한다. 따라서, 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)을 에칭액에 의해 에칭 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택하는 「처리 조건 선택 장치」로서 기능한다.
에칭액은, 예를 들면, 불질산(불산(HF)과 질산(HNO3)의 혼합액), 불산, 버퍼드 불산(BHF), 불화암모늄, HFEG(불산과 에틸렌글리콜의 혼합액), 또는, 인산(H3PO4)이다.
공급 배관(K1)은 노즐(7)에 에칭액을 공급한다. 밸브(V1)는, 노즐(7)에 대한 에칭액의 공급 개시와 공급 정지를 전환한다.
노즐 이동부(9)는, 대략 연직 방향 및 대략 수평 방향으로 노즐(7)을 이동시킨다. 구체적으로는, 노즐 이동부(9)는, 아암(91)과, 회동축(93)과, 노즐 이동 기구(95)를 포함한다. 아암(91)은 대략 수평 방향을 따라 연장된다. 아암(91)의 선단부에는 노즐(7)이 배치된다. 아암(91)은 회동축(93)에 결합된다. 회동축(93)은, 대략 연직 방향을 따라 연장된다. 노즐 이동 기구(95)는, 회동축(93)을 대략 연직 방향을 따른 회동 축선 둘레로 회동시켜, 아암(91)을 대략 수평면을 따라 회동시킨다. 그 결과, 노즐(7)이 대략 수평면을 따라 이동한다. 또, 노즐 이동 기구(95)는, 회동축(93)을 대략 연직 방향을 따라 승강시켜, 아암(91)을 승강시킨다. 그 결과, 노즐(7)이 대략 연직 방향을 따라 이동한다. 노즐 이동 기구(95)는, 예를 들면, 볼나사 기구와, 볼나사 기구에 구동력을 부여하는 전동 모터를 포함한다.
노즐(11)은, 기판(W)의 회전 중에 기판(W)을 향해 린스액을 토출한다. 린스액은, 예를 들면, 탈이온수, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 또는, 희석 농도(예를 들면, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수이다.
공급 배관(K2)은 노즐(11)에 린스액을 공급한다. 밸브(V2)는, 노즐(11)에 대한 린스액의 공급 개시와 공급 정지를 전환한다.
복수의 가드(13) 각각은 대략 통 형상을 갖는다. 복수의 가드(13) 각각은, 기판(W)으로부터 배출된 처리액 또는 린스액을 받는다.
두께 측정부(15)는, 대상물(TG)의 두께를 비접촉 방식으로 측정하여, 대상물(TG)의 두께를 나타내는 정보를 제어 장치(21)에 출력한다. 두께 측정부(15)는, 예를 들면, 분광 간섭법에 의해 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 구체적으로는, 두께 측정부(15)는, 광학 프로브(151)와, 접속선(153)과, 두께 측정기(155)를 포함한다. 광학 프로브(151)는 렌즈를 포함한다. 접속선(153)은, 광학 프로브(151)와 두께 측정기(155)를 접속한다. 접속선(153)은 광섬유를 포함한다. 두께 측정기(155)는, 광원과 수광 소자를 포함한다. 두께 측정기(155)의 광원이 출사한 광은, 접속선(153) 및 광학 프로브(151)를 통해, 대상물(TG)에 출사된다. 대상물(TG)에 의해 반사된 광은, 광학 프로브(151) 및 접속선(153)을 통해, 두께 측정기(155)의 수광 소자에 수광된다. 두께 측정기(155)는, 수광된 광을 해석하고, 해석 결과에 의거하여, 대상물(TG)의 두께를 산출한다. 두께 측정기(155)는, 대상물(TG)의 두께를 나타내는 정보를 제어 장치(21)에 출력한다.
프로브 이동부(17)는, 대략 연직 방향 및 대략 수평 방향으로 광학 프로브(151)를 이동시킨다. 구체적으로는, 프로브 이동부(17)는, 아암(171)과, 회동축(173)과, 프로브 이동 기구(175)를 포함한다. 아암(171)은 대략 수평 방향을 따라 연장된다. 아암(171)의 선단부에는 광학 프로브(151)가 배치된다. 아암(171)은 회동축(173)에 결합된다. 회동축(173)은, 대략 연직 방향을 따라 연장된다. 프로브 이동 기구(175)는, 회동축(173)을 대략 연직 방향을 따른 회동 축선 둘레로 회동시켜, 아암(171)을 대략 수평면을 따라 회동시킨다. 그 결과, 광학 프로브(151)가 대략 수평면을 따라 이동한다. 또, 프로브 이동 기구(175)는, 회동축(173)을 대략 연직 방향을 따라 승강시켜, 아암(171)을 승강시킨다. 그 결과, 광학 프로브(151)가 대략 연직 방향을 따라 이동한다. 프로브 이동 기구(175)는, 예를 들면, 볼나사 기구와, 볼나사 기구에 구동력을 부여하는 전동 모터를 포함한다.
다음에, 도 2를 참조하여, 노즐(7)에 의한 기판(W)의 스캔 처리를 설명한다. 도 2는, 노즐(7)에 의한 기판(W)의 스캔 처리를 나타내는 평면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 노즐(7)에 의한 스캔 처리란, 평면에서 봤을 때, 대상물(TG)의 표면에 대한 처리액의 착액 위치가 원호 형상의 궤적(TJ1)을 형성하도록, 노즐(7)을 이동시키면서, 처리액을 대상물(TG)에 토출하는 처리이다. 궤적(TJ1)은, 기판(W)의 에지부(EG)와 기판(W)의 중심부(CT)를 지난다. 중심부(CT)는, 기판(W) 중 회전 축선(AX)이 지나는 부분을 나타낸다. 에지부(EG)는, 기판(W)의 주연부를 나타낸다. 노즐(7)에 의한 기판(W)의 스캔 처리는, 기판(W)의 회전 중에 실행된다. 노즐(7)에 의한 기판(W)의 스캔 처리 중에는, 노즐(7)의 이동 속도는 일정하다. 노즐(7)의 이동 속도는, 예를 들면, 노즐(7)이 이동할 때의 노즐(7)의 각속도 또는 속도에 의해 나타내어진다.
구체적으로는, 노즐(7)은, 시계 방향의 회동 방향(RT1)으로의 회동과, 반시계 방향의 회동 방향(RT2)으로의 회동을 행한다. 즉, 노즐(7)은, 회동 방향(RT1)으로 회동하고, 반환 위치(TR1)에서 반환되어, 회동 방향(RT2)으로 회동한다. 그리고, 노즐(7)은, 반환 위치(TR2)에서 반환되어, 회동 방향(RT1)으로 회동한다. 즉, 노즐(7)은, 반환 위치(TR1)와 반환 위치(TR2) 사이에서 이동을 반복한다. 반환 위치(TR1)는, 회동 방향(RT1)에서의 노즐(7)의 반환 위치를 나타낸다. 반환 위치(TR2)는, 회동 방향(RT2)에서의 노즐(7)의 반환 위치를 나타낸다. 반환 위치(TR1)와 반환 위치(TR2)는, 평면에서 봤을 때, 궤적(TJ1) 상에서 중심부(CT)를 사이에 두고 있다. 반환 위치(TR1)와 반환 위치(TR2)는, 처리액에 의한 처리 조건에 따라 적절히 변경된다. 또한, 반환 위치(TR3)에 대해서는 후술한다.
다음에, 도 3을 참조하여, 광학 프로브(151)에 의한 기판(W)의 스캔 처리를 설명한다. 도 3은, 광학 프로브(151)에 의한 기판(W)의 스캔 처리를 나타내는 평면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 광학 프로브(151)에 의한 스캔 처리란, 평면에서 봤을 때, 대상물(TG)에 대한 두께의 측정 위치가 원호 형상의 궤적(TJ2)을 형성하도록, 광학 프로브(151)를 이동시키면서, 대상물(TG)의 두께를 측정하는 처리이다. 궤적(TJ2)은, 기판(W)의 에지부(EG)와 기판(W)의 중심부(CT)를 지난다. 광학 프로브(151)에 의한 기판(W)의 스캔 처리는, 기판(W)의 회전 중에 실행된다.
구체적으로는, 광학 프로브(151)는, 평면에서 봤을 때, 기판(W)의 중심부(CT)와 에지부(EG) 사이를 이동하면서, 측정 위치를 이동한다. 환언하면, 두께 측정부(15)는, 대상물(TG)의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 그 결과, 기판(W)의 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지에 있어서, 대상물(TG)의 두께의 분포가 측정된다. 즉, 기판(W)의 경방향(RD)에 있어서의 대상물(TG)의 두께의 분포가 측정된다.
다음에, 도 4의 (a)~도 4의 (c)를 참조하여, 기판 처리 장치(100)에 의한 기판(W)(구체적으로는 대상물(TG))에 대한 에칭 처리를 설명한다. 도 4의 (a)는, 에칭 전의 두께 패턴(TA, TB, TC)을 나타내는 도면이다. 도 4의 (b)는, 에칭 레이트 분포(EA, EB, EC)를 나타내는 도면이다. 도 4의 (c)는, 에칭 후의 두께 패턴(TAR, TBR, TCR)을 나타내는 도면이다. 「두께 패턴」은, 대상물(TG)의 복수의 측정 위치에서 각각 측정된 복수의 두께의 분포를 나타낸다. 즉, 「두께 패턴」은, 기판(W)의 경방향(RD)에 있어서의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타낸다.
도 4의 (a)~도 4의 (c)에 있어서, 횡축은, 기판(W) 상의 위치를 나타내고 있다. 도 4의 (a) 및 도 4의 (c)에 있어서, 종축은, 대상물(TG)의 두께를 나타내고 있다. 도 4의 (b)에 있어서, 종축은, 대상물(TG)의 에칭 레이트를 나타내고 있다. 에칭 레이트는, 단위 시간당 에칭량이다.
도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이, 대상물(TG)이 에칭 전에 두께 패턴(TA)을 갖는 경우, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 두께 패턴(TA)과 상관이 높은 에칭 레이트 분포(EA)를 갖도록 처리 조건이 정해지고, 에칭 처리가 실행된다. 그 결과, 본 실시 형태에 의하면, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 대상물(TG)이 에칭 전에 두께 패턴(TA)을 갖는 경우에, 에칭 후의 대상물(TG)의 두께 패턴(TAR)이 대략 플랫해진다. 즉, 대상물(TG)의 광범위한 영역(중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 영역)에 있어서, 에칭 후의 대상물(TG)의 두께의 편차를 억제할 수 있다.
마찬가지로, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TB)과 상관이 높은 에칭 레이트 분포(EB)를 갖도록 처리 조건이 정해지고, 에칭 처리가 실행된다. 그 결과, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 대상물(TG)이 에칭 전에 두께 패턴(TB)을 갖는 경우에, 에칭 후의 대상물(TG)의 두께 패턴(TBR)이 대략 플랫해진다.
마찬가지로, 도 4의 (a) 및 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이, 에칭 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TC)과 상관이 높은 에칭 레이트 분포(EC)를 갖도록 처리 조건이 정해지고, 에칭 처리가 실행된다. 그 결과, 도 4의 (c)에 나타내는 바와 같이, 대상물(TG)이 에칭 전에 두께 패턴(TC)을 갖는 경우에, 에칭 후의 대상물(TG)의 두께 패턴(TCR)이 대략 플랫해진다.
또한, 만일, 대상물의 두께가 경방향으로 대략 균일한 것(즉, 대상물의 두께 패턴이 대략 플랫한 것)을 전제로 하여, 에칭 레이트 분포가 대략 일정해지는 처리 조건이 정해져 있는 경우는, 대상물의 두께가 경방향으로 불균일하면, 에칭 후의 대상물의 두께 패턴이 대략 플랫해지지 않고, 에칭 후의 대상물의 두께에 편차가 발생할 수 있다.
다음에, 도 5를 참조하여, 제어 장치(21)를 설명한다. 도 5는, 제어 장치(21)를 나타내는 블록도이다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(21)는, 제어부(31)와, 기억부(41)를 포함한다. 제어부(31)는 기억부(41)를 제어한다. 또, 제어부(31)는, 기판 처리 장치(100)의 그 외의 각 구성을 제어한다.
제어부(31)는, CPU(Central Processing Unit)와 같은 프로세서를 포함한다. 기억부(41)는, 기억 장치를 포함하고, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 구체적으로는, 기억부(41)는, 반도체 메모리와 같은 주(主) 기억 장치와, 반도체 메모리 및/또는 하드 디스크 드라이브와 같은 보조 기억 장치를 포함한다. 기억부(41)는, 광 디스크와 같은 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 제어부(31)의 프로세서는, 기억부(41)의 기억 장치가 기억하고 있는 컴퓨터 프로그램을 실행하여, 기판 처리 장치(100)의 각 구성을 제어한다. 기억부(41)는 「기억 매체」의 일례에 상당한다. 「기억 매체」는, 예를 들면, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 기억 매체이다.
구체적으로는, 기억부(41)는, 레시피 데이터(415)와, 컴퓨터 프로그램(417)을 기억한다. 또, 기억부(41)는, 참조 패턴 데이터베이스(411)를 포함한다. 기억부(41)는, 처리 결과 데이터베이스(413)를 포함하는 것이 바람직하다.
참조 패턴 데이터베이스(411)는, 복수의 참조 패턴(RP)을 기억하고 있다. 복수의 참조 패턴(RP) 각각은, 복수의 참조 그룹(G) 중 어느 하나로 미리 분류되어 있다. 복수의 참조 그룹(G)은, 참조 패턴(RP)의 형상의 특징에 의거하여 정해져 있다. 또, 참조 패턴 데이터베이스(411)는, 복수의 참조 처리 조건을 기억하고 있다. 복수의 참조 처리 조건은, 각각, 복수의 참조 패턴(RP)에 관련지어져 있다.
처리 결과 데이터베이스(413)는, 처리액에 의한 대상물(TG)의 처리 결과를 나타내는 정보를 기억한다. 레시피 데이터(415)는, 복수의 레시피를 나타내는 정보를 포함한다. 복수의 레시피 각각은, 기판(W)의 처리 내용 및 처리 순서를 규정한다. 컴퓨터 프로그램(417)은, 제어부(31)의 프로세서로 하여금, 본 실시 형태에 따른 처리 조건 선택 방법을 포함하는 기판 처리 방법을 실행하게 한다. 예를 들면, 컴퓨터 프로그램(417)은, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택하도록, 제어부(31)의 프로세서를 동작시킨다. 프로세서는 「컴퓨터」의 일례에 상당한다.
제어부(31)는, 특정부(311)와, 취득부(313)를 포함한다. 제어부(31)의 프로세서는, 컴퓨터 프로그램(417)을 실행하여, 특정부(311) 및 취득부(313)로서 기능한다.
특정부(311)는, 처리액에 의한 처리 전에 두께 측정부(15)에 의해 측정된 대상물(TG)의 두께를 나타내는 정보를, 두께 측정부(15)로부터 취득한다. 대상물(TG)의 두께를 나타내는 정보는, 처리액에 의한 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(이하, 「두께 패턴(TM)」으로 기재하는 경우가 있다.)을 포함한다.
특정부(311)는, 두께 패턴(TM)과, 미리 기억부(41)(구체적으로는, 참조 패턴 데이터베이스(411))에 기억되어 있는 복수의 참조 패턴(RP)을 비교한다. 그리고, 특정부(311)는, 복수의 참조 패턴(RP) 중에서, 규정 룰(이하, 「규정 룰(RU)」이라고 기재한다.)에 의거하여 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정한다. 환언하면, 본 명세서에 있어서, 「두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)」은, 예를 들면, 「두께 패턴(TM)의 형상(프로파일)과 유사한 형상(프로파일)을 갖는 참조 패턴(RP)」이다.
예를 들면, 특정부(311)는, 복수의 참조 패턴(RP) 중에서, 규정 룰(RU)에 의거하여 두께 패턴(TM)과 가장 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정한다. 환언하면, 본 명세서에 있어서, 「두께 패턴(TM)과 가장 상관이 높은 참조 패턴(RP)」은, 예를 들면, 「두께 패턴(TM)의 형상(프로파일)과 가장 근사한 형상(프로파일)을 갖는 참조 패턴(RP)」이다.
상관이 높다는 것의 기준은, 규정 룰(RU)로 정해져 있다. 상관이 높다는 것의 기준은, 실험적 및/경험적으로 정해진다. 예를 들면, 상관이 높다는 것은, 두께 패턴(TM)과 참조 패턴(RP) 사이에서, 1 이상의 특징이 일치 또는 근사하다는 것을 나타낸다.
두께 패턴(TM)과 가장 상관이 높은 복수의 참조 패턴(RP)이 존재하는 경우는, 특정부(311)는, 참조 패턴 데이터베이스(411)로의 등록 일시가 가장 최근인 참조 패턴(RP)을 선택한다. 그리고, 특정부(311)는, 선택한 참조 패턴(RP)을, 「두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)」으로서 특정한다.
규정 룰(RU)을 나타내는 정보는, 예를 들면, 기억부(41)에 기억되어 있다. 기억부(41)는, 복수의 규정 룰(RU)을 기억하고 있어도 된다. 이 경우, 유저는, 입력 장치(20)를 통해, 복수의 규정 룰(RU) 중에서, 상황에 따른 규정 룰(RU)을 선택할 수 있다. 그리고, 특정부(311)는, 유저에 의해 선택된 규정 룰(RU)에 의거하여 비교 동작을 행하고, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정한다.
또, 규정 룰(RU)을 내장 또는 읽어들임 가능한 검색 엔진을 이용해도 된다. 검색 엔진은, 두께 패턴(TM)을 입력 정보로서 검색함으로써 비교 동작을 행하고, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정한다.
복수의 참조 패턴(RP) 각각은, 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타낸다. 참조 대상물은, 과거에 처리된 기판을 구성하는 대상물이다. 참조 대상물은, 예를 들면, 과거에 처리된 기판 본체이다. 또는, 참조 대상물은, 예를 들면, 기판 본체의 표면에 형성된 물질로서, 과거에 처리된 물질이다. 기판 본체의 표면에 형성된 물질은, 예를 들면, 기판 본체와 같은 재료의 물질, 또는, 기판 본체와 상이한 재료의 물질이다. 「물질」은 막을 구성하고 있어도 된다.
「과거에 처리된 기판」의 소재 및 구성은, 대상물(TG)을 포함하는 기판(W)의 소재 및 구성과 동일하다. 또, 「참조 대상물」의 소재 및 구성은, 대상물(TG)의 소재 및 구성과 동일하다.
취득부(313)는, 복수의 참조 패턴(RP)에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정부(311)에 의해 특정된 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건을, 대상물(TG)에 대한 처리 조건으로서 기억부(41)(구체적으로는, 참조 패턴 데이터베이스(411))로부터 취득한다. 즉, 취득부(313)는, 취득한 참조 처리 조건을 처리 조건으로 결정한다. 「처리 조건」은, 대상물(TG)을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건이다.
복수의 참조 처리 조건 각각은, 참조 처리 조건이 관련지어져 있는 참조 패턴(RP)을 갖는 참조 대상물에 대해, 처리액에 의한 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타낸다. 이 경우의 「처리액」은, 대상물(TG)을 처리할 때의 처리액과 동일하다.
이상, 도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건이, 대상물(TG)에 대한 처리 조건으로서 취득된다. 즉, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건이, 복수의 참조 처리 조건 중에서, 대상물(TG)에 대한 처리 조건으로서 선택된다. 따라서, 선택된 처리 조건에 따라 대상물(TG)을 처리함으로써, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)의 광범위한 영역에 있어서, 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 편차를 억제할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 「광범위한 영역」은, 기판(W)의 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 영역을 나타낸다.
특히, 본 실시 형태에서는, 처리액은, 대상물(TG)을 에칭하는 에칭액이다. 이 경우, 참조 패턴(RP)을 정의하는 「참조 대상물의 물리량의 분포」에 있어서의 「물리량」은, 에칭 레이트이다. 즉, 참조 패턴(RP)은, 참조 대상물의 에칭 레이트의 분포를 나타낸다.
따라서, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 에칭 레이트의 분포를 나타내는 참조 패턴(RP)이 선택된다. 그리고, 이러한 에칭 레이트의 분포를 나타내는 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건이, 대상물(TG)에 대한 처리 조건으로서 취득된다. 따라서, 취득된 처리 조건에 따라 대상물(TG)을 에칭 처리함으로써, 대상물(TG)의 광범위한 영역에 있어서, 에칭 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 편차를 억제할 수 있다. 즉, 대상물(TG)의 광범위한 영역에 있어서, 에칭 처리 후의 대상물(TG)의 두께 패턴(이하, 「두께 패턴(TMR)」이라고 기재하는 경우가 있다.)을 대략 플랫하게 할 수 있다.
도 4의 (a)~도 4의 (c)를 예로 들면, 도 4의 (a)에 나타내는 에칭 처리 전의 두께 패턴(TA~TC) 각각이, 에칭 처리 전의 두께 패턴(TM)에 상당한다. 또, 도 4의 (b)에 나타내는 에칭 레이트 분포(EA~EC) 각각이, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 에칭 레이트의 분포를 나타내는 참조 패턴(RP)에 상당한다. 또한, 도 4의 (c)에 나타내는 에칭 처리 후의 두께 패턴(TAR~TCR) 각각이, 에칭 처리 후의 두께 패턴(TMR)에 상당한다.
또한, 참조 패턴(RP)을 정의하는 「참조 대상물의 물리량의 분포」에 있어서의 「물리량」은, 에칭량이어도 된다. 즉, 참조 패턴(RP)은, 참조 대상물의 에칭량의 분포를 나타내고 있어도 된다.
또, 본 실시 형태에서는, 복수의 참조 처리 조건 각각은, 참조 대상물을 포함하는 기판의 회전 속도를 나타내는 정보와, 참조 대상물에 대해 처리액을 토출하는 노즐(7)의 반환 위치를 나타내는 정보와, 참조 대상물을 따른 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보를 포함한다. 따라서, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건을, 대상물(TG)에 대한 처리 조건으로서 취득함으로써, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)에 따라, 처리 시의 기판(W)의 회전 속도와, 대상물(TG)에 대해 처리액을 토출하는 노즐(7)의 반환 위치와, 대상물(TG)을 따른 노즐(7)의 이동 속도를 적절하게 결정할 수 있다. 그 결과, 대상물(TG)의 광범위한 영역에 있어서, 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 편차를 더욱 억제할 수 있다. 구체적으로는, 대상물(TG)의 광범위한 영역에 있어서, 에칭 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 편차를 더욱 억제할 수 있다.
계속해서, 도 5를 참조하여, 제어부(31)의 특정부(311)를 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 특정부(311)는, 분류부(311a)와, 결정부(311c)를 포함하는 것이 바람직하다.
분류부(311a)는, 에칭 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)을 복수의 참조 그룹(G) 중 어느 하나의 참조 그룹(G)으로 분류한다. 그리고, 결정부(311c)는, 복수의 참조 패턴(RP) 중, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)이 분류된 참조 그룹(G)으로 분류되어 있는 2 이상의 참조 패턴(RP)을 대상으로 하여, 규정 룰(RU)에 의거하여 두께 패턴(TM)과 참조 패턴의 비교를 행하고, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 결정한다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 모든 참조 패턴(RP) 각각과 두께 패턴(TM)을 비교하여 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정하는 경우와 비교하여, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 단시간에 결정할 수 있다. 「결정부(311c)에 의해 결정된 참조 패턴(RP)」이, 「특정부(311)에 의해 특정된 참조 패턴(RP)」에 상당한다.
예를 들면, 결정부(311c)는, 복수의 참조 패턴(RP) 중, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)이 분류된 참조 그룹(G)으로 분류되어 있는 2 이상의 참조 패턴(RP)으로부터, 두께 패턴(TM)과 가장 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 결정한다.
두께 패턴(TM)과 가장 상관이 높은 복수의 참조 패턴(RP)이 존재하는 경우는, 결정부(311c)는, 참조 패턴 데이터베이스(411)로의 등록 일시가 가장 최근인 참조 패턴(RP)을 선택한다. 그리고, 결정부(311c)는, 선택한 참조 패턴(RP)을, 「두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)」으로 결정한다.
규정 룰(RU)은, 참조 그룹(G)마다 정해져 있다. 규정 룰(RU)를 나타내는 정보는, 예를 들면, 기억부(41)에 참조 그룹(G)마다 기억되어 있다. 기억부(41)는, 참조 그룹(G)마다, 복수의 규정 룰(RU)을 기억하고 있어도 된다. 이 경우, 유저는, 입력 장치(20)를 통해, 참조 그룹(G)에 따라, 복수의 규정 룰(RU) 중에서, 상황에 따른 규정 룰(RU)을 선택할 수 있다. 그리고, 결정부(311c)는, 유저에 의해 선택된 규정 룰(RU)에 의거하여 비교 동작을 행하고, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 결정한다.
또, 규정 룰(RU)을 내장 또는 읽어들임 가능한 검색 엔진을 이용해도 된다. 검색 엔진은, 두께 패턴(TM)이 분류된 참조 그룹(G)으로 분류되어 있는 2 이상의 참조 패턴(RP)을 대상으로 하여, 두께 패턴(TM)을 입력 정보로서 검색함으로써 비교 동작을 행하고, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 결정한다.
취득부(313)는, 결정부(311c)에 의해 결정된 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건을, 대상물(TG)에 대한 처리 조건으로서 기억부(41)(구체적으로는, 참조 패턴 데이터베이스(411))로부터 취득한다.
특정부(311)는, 전처리부(311b)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 전처리부(311b)는, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)의 차원([길이(L)])과 참조 패턴(RP)의 차원([길이(L)]/[시간(T)])을 일치시킨다.
예를 들면, 전처리부(311b)는, 참조 패턴(RP)의 차원을 두께 패턴(TM)의 차원으로 변환한다. 이 경우, 구체적으로는, 전처리부(311b)는, 변환 계수(CV)를 산출한다. 그리고, 전처리부(311b)는, 두께 패턴(TM)이 분류된 참조 그룹(G)에 포함되는 복수의 참조 패턴(RP) 각각에 변환 계수(CV)를 곱하는 것으로 인해, 복수의 참조 패턴(RP) 각각의 차원을 두께 패턴(TM)의 차원으로 변환한다.
변환 계수(CV)는, 평균값 AV1을 평균값 AV2로 나눔으로써 산출된다. 평균값 AV1은, 두께 패턴(TM)을 구성하고 있는 복수의 두께값의 평균값이다. 평균값 AV2는, 두께 패턴(TM)이 분류된 참조 그룹(G)에 포함되는 복수의 참조 패턴(RP)을 구성하고 있는 복수의 에칭 레이트값의 평균값이다.
예를 들면, 전처리부(311b)는, 두께 패턴(TM)의 차원을 참조 패턴(RP)의 차원으로 변환해도 된다. 예를 들면, 전처리부(311b)는, 두께 패턴(TM) 및 참조 패턴(RP)에 대해 규격화 또는 정규화를 실행하여, 두께 패턴(TM)과 참조 패턴(RP)을 무차원화해도 된다.
결정부(311c)는, 전처리부(311b)에 의해 두께 패턴(TM)의 차원과 참조 패턴(RP)의 차원이 일치된 후에, 두께 패턴(TM)이 분류된 참조 그룹(G)에 포함되는 복수의 참조 패턴(RP) 중에서, 규정 룰(RU)에 의거하여 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)(즉, 두께 패턴(TM)과 유사한 참조 패턴(RP))을 결정한다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)(즉, 두께 패턴(TM)과 유사한 참조 패턴(RP))을 보다 정밀하게 결정할 수 있다.
다음에, 도 5~도 9의 (b)를 참조하여, 참조 그룹(G)을 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 복수의 참조 그룹(G)은, 제1 참조 그룹(G1)과, 제2 참조 그룹(G2)과, 제3 참조 그룹(G3) 중 적어도 1개를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 복수의 참조 그룹(G)은, 제1 참조 그룹(G1)과, 제2 참조 그룹(G2)와, 제3 참조 그룹(G3)을 포함한다. 따라서, 분류부(311a)는, 에칭 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)을, 제1 참조 그룹(G1)~제3 참조 그룹(G3) 중 어느 하나의 참조 그룹으로 분류한다.
한편, 본 실시 형태에서는, 복수의 참조 패턴(RP) 각각은, 제1 참조 그룹(G1)~제3 참조 그룹(G3) 중 어느 하나의 참조 그룹(G)으로 미리 분류되어 있다. 그리고, 결정부(311c)는, 전처리부(311b)에 의해 두께 패턴(TM)의 차원과 참조 패턴(RP)의 차원이 일치된 후에, 제1 참조 그룹(G1)~제3 참조 그룹(G3) 중, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)이 분류된 참조 그룹(G)으로 분류되어 있는 2 이상의 참조 패턴(RP)으로부터, 규정 룰(RU)에 의거하여 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)(즉, 두께 패턴(TM)과 유사한 참조 패턴(RP))을 결정한다.
도 6의 (a)는, 제1 참조 그룹(G1)으로 분류되는 두께 패턴(T1)을 나타내는 도면이다. 횡축은 기판(W) 상의 위치를 나타내며, 종축은 대상물(TG)의 두께를 나타내고 있다. 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 분류부(311a)는, 에칭 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(T1)을, 제1 참조 그룹(G1)으로 분류한다. 제1 참조 그룹(G1)은, 대상물(TG) 또는 참조 대상물의 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 사이에 극소부를 갖는 패턴(즉, 아래에 볼록한 곡선형의 패턴)의 그룹을 나타낸다. 이러한 패턴은, 두께 패턴(T1) 및 참조 패턴(RP1)의 「특징」의 일례이다. 두께 패턴(T1)은, 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 사이에 두께의 극소부(P1)를 갖고 있다.
도 6의 (b)는, 제2 참조 그룹(G2)으로 분류되는 두께 패턴(T2)을 나타내는 도면이다. 횡축은 기판(W) 상의 위치를 나타내며, 종축은 대상물(TG)의 두께를 나타내고 있다. 도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 분류부(311a)는, 에칭 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(T2)을, 제2 참조 그룹(G2)으로 분류한다. 제2 참조 그룹(G2)은, 대상물(TG) 또는 참조 대상물의 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 사이에 극대부를 갖는 패턴(즉, 위에 볼록한 곡선형의 패턴)의 그룹을 나타낸다. 이러한 패턴은, 두께 패턴(T2) 및 참조 패턴(RP2)의 「특징」의 일례이다. 두께 패턴(T2)은, 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 사이에 두께의 극대부(P3)를 갖고 있다.
도 6의 (c)는, 제3 참조 그룹(G3)으로 분류되는 두께 패턴(T3)을 나타내는 도면이다. 횡축은 기판(W) 상의 위치를 나타내며, 종축은 대상물(TG)의 두께를 나타내고 있다. 도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 분류부(311a)는, 에칭 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(T3)을, 제3 참조 그룹(G3)으로 분류한다. 제3 참조 그룹(G3)은, 대상물(TG) 또는 참조 대상물의 중심부(CT)로부터 에지부(EG)를 향해 일 방향으로 경사져 있는 패턴의 그룹을 나타낸다. 본 실시 형태에서는, 제3 참조 그룹(G3)은, 대상물(TG) 또는 참조 대상물의 중심부(CT)로부터 에지부(EG)를 향해 증가하도록 경사져 있는 패턴의 그룹을 나타낸다. 이러한 패턴은, 두께 패턴(T3) 및 참조 패턴(RP3)의 「특징」의 일례이다. 두께 패턴(T3)은, 중심부(CT)로부터 에지부(EG)를 향해 증가하도록 경사져 있다.
도 7의 (a)는, 제1 참조 그룹(G1)으로 분류되는 복수의 참조 패턴(RP1)을 나타내는 도면이다. 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 참조 그룹(G1)에는, 복수의 테이블(BL1)이 속해 있다. 복수의 테이블(BL1) 각각은, 서로 상이한 복수의 참조 패턴(RP1)을 포함한다.
복수의 테이블(BL1)에는, 각각, 서로 상이한 복수의 회전 속도를 나타내는 정보가 관련지어져 있다. 그리고, 1개의 테이블(BL1)에 포함되는 복수의 참조 패턴(RP1)에는, 동일한 회전 속도를 나타내는 정보가 관련지어져 있다. 「회전 속도」는, 참조 대상물을 포함하는 기판의 회전 속도를 나타내고 있으며, 예를 들면, 단위 시간당 기판의 회전수에 의해 나타내어진다. 복수의 회전 속도를 나타내는 정보 각각은, 참조 처리 조건 중 하나이다.
복수의 테이블(BL1) 각각에 있어서, U축은, 회동 방향(RT1)(도 2)에서의 노즐(7)의 반환 위치(TR1)을 나타내고, V축은, 회동 방향(RT2)(도 2)에서의 노즐(7)의 반환 위치(TR2)를 나타낸다. 반환 위치(TR1) 및 반환 위치(TR2) 각각은, 기판의 중심부(CT)로부터의 위치를 나타낸다.
그리고, 복수의 테이블(BL1) 각각에 있어서, 1개의 반환 위치(TR1)와 1개의 반환 위치(TR2)에서, 1개의 참조 패턴(RP1)이 특정된다. 즉, 1개의 참조 패턴(RP1)에 대해, 1개의 반환 위치(TR1)와 1개의 반환 위치(TR2)가 관련지어져 있다. 반환 위치(TR1)를 나타내는 정보 및 반환 위치(TR2)를 나타내는 정보는, 참조 처리 조건 중 하나이다.
또, 제1 참조 그룹(G1)에 포함되는 복수의 참조 패턴(RP1)(구체적으로는 모든 참조 패턴(RP1))에는, 동일한 이동 속도를 나타내는 정보가 관련지어져 있다. 「이동 속도」는, 참조 대상물을 따른 노즐(7)의 이동 속도이다. 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보는, 참조 처리 조건 중 하나이다.
도 7의 (b)는, 참조 패턴(RP1)의 상세를 나타내는 도면이다. 횡축은 기판 상의 위치를 나타내며, 종축은 참조 대상물의 에칭 레이트를 나타내고 있다. 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 참조 패턴(RP1)은, 제1 참조 그룹(G1)으로 분류되어 있다. 참조 패턴(RP1)은, 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 사이에 에칭 레이트의 극소부(P1＃)를 갖고 있다.
도 8의 (a)는, 제2 참조 그룹(G2)으로 분류되는 복수의 참조 패턴(RP2)을 나타내는 도면이다. 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제2 참조 그룹(G2)에는, 복수의 테이블(BL2)이 속해 있다. 복수의 테이블(BL2) 각각은, 서로 상이한 복수의 참조 패턴(RP2)을 포함한다. 테이블(BL2)이 참조 패턴(RP2)을 포함하는 점에서, 테이블(BL2)은, 참조 패턴(RP1)을 포함하는 테이블(BL1)(도 7의 (a))과 상이하다. 단, 테이블(BL2)의 그 외의 점은, 테이블(BL1)과 동일하고, 설명을 생략한다.
도 8의 (b)는, 참조 패턴(RP2)의 상세를 나타내는 도면이다. 횡축은 기판 상의 위치를 나타내며, 종축은 참조 대상물의 에칭 레이트를 나타내고 있다. 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 참조 패턴(RP2)은, 제2 참조 그룹(G2)으로 분류되어 있다. 참조 패턴(RP2)은, 중심부(CT)로부터 에지부(EG)까지의 사이에 에칭 레이트의 극대부(P3＃)를 갖고 있다.
도 9의 (a)는, 제3 참조 그룹(G3)으로 분류되는 복수의 참조 패턴(RP3)을 나타내는 도면이다. 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제3 참조 그룹(G3)에는, 복수의 테이블(BL3)이 속해 있다. 복수의 테이블(BL3) 각각은, 서로 상이한 복수의 참조 패턴(RP3)을 포함한다. 테이블(BL3)이 참조 패턴(RP3)을 포함하는 점에서, 테이블(BL3)은, 참조 패턴(RP1)을 포함하는 테이블(BL1)(도 7의 (a))과 상이하다. 단, 테이블(BL3)의 그 외의 점은, 테이블(BL1)과 동일하고, 설명을 생략한다.
도 9의 (b)는, 참조 패턴(RP3)의 상세를 나타내는 도면이다. 횡축은 기판 상의 위치를 나타내며, 종축은 참조 대상물의 에칭 레이트를 나타내고 있다. 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 참조 패턴(RP3)은, 제3 참조 그룹(G3)으로 분류되어 있다. 참조 패턴(RP3)에서는, 중심부(CT)로부터 에지부(EG)를 향해 에칭 레이트가 일 방향으로 경사져 있다. 구체적으로는, 참조 패턴(RP3)에서는, 중심부(CT)로부터 에지부(EG)를 향해 에칭 레이트가 증가하도록 경사져 있다.
이상, 도 5~도 9의 (b)를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 실시 형태에 의하면, 제1 참조 그룹(G1)~제3 참조 그룹(G3) 각각은, 간소한 형상의 패턴의 그룹이다. 따라서, 분류부(311a)는, 두께 패턴(TM)의 분류를 쉽게 행할 수 있다.
다음에, 도 6의 (a) 및 도 7의 (b)를 참조하여, 두께 패턴(T1)이 제1 참조 그룹(G1)으로 분류되었을 때의 결정부(311c)의 처리의 상세를 설명한다. 두께 패턴(T1)이 분류된 참조 그룹(G)이 제1 참조 그룹(G1)인 경우, 두께 패턴(T1)과 참조 패턴(RP1)의 차원을 일치시킨 후에, 결정부(311c)는, 두께 패턴(T1)에 의거한 제1 차분(D1)과, 참조 패턴(RP1)에 의거한 제2 차분(D1＃)을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 복수의 참조 패턴(RP1) 중에서, 두께 패턴(T1)과 상관이 높은 참조 패턴(RP1)(즉, 두께 패턴(T1)과 유사한 참조 패턴(RP1))을 결정한다. 이러한 결정의 룰은, 제1 참조 그룹(G1)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 차분(D1)은, 두께 패턴(T1)의 극소부(P1)에 의해 나타내어지는 대상물(TG)의 두께(t2)와, 두께 패턴(T1)의 에지부(P2)에 의해 나타내어지는 대상물(TG)의 에지부(EG)의 두께(t0)의 차분의 절대값을 나타낸다.
도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 차분(D1＃)은, 참조 패턴(RP1)의 극소부(P1＃)에 의해 나타내어지는 참조 대상물의 에칭 레이트(t2＃)와, 참조 패턴(RP1)의 에지부(P2＃)에 의해 나타내어지는 참조 대상물의 에지부(EG)의 에칭 레이트(t0＃)의 차분의 절대값을 나타낸다.
기판(W)의 회전 속도의 영향은 대상물(TG)의 에지부(EG)의 에칭 레이트에 드러나기 쉽기 때문에, 본 실시 형태에서는, 제1 차분(D1)과 제2 차분(D1＃)의 비교 결과에 의거하여 두께 패턴(T1)과 상관이 높은 참조 패턴(RP1)을 결정함으로써, 두께 패턴(T1)을 갖는 대상물(TG)에 대해 보다 양호한 처리 조건(예를 들면, 기판(W)의 회전 속도)을 취득할 수 있다.
예를 들면, 결정부(311c)는, 제1 차분(D1)과 제2 차분(D1＃)의 차의 절대값이 가장 작은 참조 패턴(RP1)을, 복수의 참조 패턴(RP1) 중에서, 두께 패턴(T1)과 상관이 높은 참조 패턴(RP1)으로 결정한다. 예를 들면, 결정부(311c)는, 제1 차분(D1)과 제2 차분(D1＃)의 차의 절대값이 소정값 VA1 이하인 참조 패턴(RP1)을, 복수의 참조 패턴(RP1) 중에서, 두께 패턴(T1)과 상관이 높은 참조 패턴(RP1)으로 결정한다. 이들 예와 같은 결정의 룰은, 제1 참조 그룹(G1)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
또한, 결정부(311c)는, 도 6의 (a)에 나타내는 제1 차분(D1)과 거리(L0)와 거리(L1)와 두께(t0)와 두께(t1)와 두께(t2)와 차분(=t1-t2) 중 적어도 1 이상의 정보와, 도 7의 (b)에 나타내는 제2 차분(D1＃)과 거리(L0＃)와 거리(L1＃)와 에칭 레이트(t0＃)와 에칭 레이트(t1＃)와 에칭 레이트(t2＃)와 차분(=t1＃-t2＃) 중 적어도 1 이상의 정보를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 복수의 참조 패턴(RP1) 중에서, 두께 패턴(T1)과 상관이 높은 참조 패턴(RP1)을 결정해도 된다. 이들과 같은 결정의 룰은, 제1 참조 그룹(G1)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
거리(L0)는, 대상물(TG)의 중심부(CT)로부터 두께 패턴(T1)의 극소부(P1)에 대응하는 위치(R1)까지의 거리를 나타낸다. 거리(L1)는, 대상물(TG)의 극소부(P1)에 대응하는 위치(R1)로부터 대상물(TG)의 에지부(EG)까지의 거리를 나타낸다. 두께(t0)는, 대상물(TG)의 에지부(EG)의 두께를 나타낸다. 두께(t1)는, 대상물(TG)의 중심부(CT)의 두께를 나타낸다. 두께(t2)는, 두께 패턴(T1)의 극소부(P1)에 의해 나타내어지는 대상물(TG)의 두께를 나타낸다.
거리(L0＃)는, 참조 대상물의 중심부(CT)로부터 참조 패턴(RP1)의 극소부(P1＃)에 대응하는 위치(R1＃)까지의 거리를 나타낸다. 거리(L1＃)는, 참조 대상물의 극소부(P1＃)에 대응하는 위치(R1＃)로부터 참조 대상물의 에지부(EG)까지의 거리를 나타낸다. 에칭 레이트(t0＃)는, 참조 대상물의 에지부(EG)의 에칭 레이트를 나타낸다. 에칭 레이트(t1＃)는, 참조 대상물의 중심부(CT)의 에칭 레이트를 나타낸다. 에칭 레이트(t2＃)는, 참조 패턴(RP1)의 극소부(P1＃)에 의해 나타내어지는 참조 대상물의 에칭 레이트를 나타낸다.
또한, 제1 차분(D1), 거리(L0), 거리(L1), 두께(t0), 두께(t1), 두께(t2), 및, 차분(=t1-t2)은, 두께 패턴(T1)의 「특징」의 일례이다. 또, 제2 차분(D1＃), 거리(L0＃), 거리(L1＃), 에칭 레이트(t0＃), 에칭 레이트(t1＃), 에칭 레이트(t2＃), 및, 차분(=t1＃-t2＃)은, 참조 패턴(RP1)의 「특징」의 일례이다.
다음에, 도 6의 (b) 및 도 8의 (b)를 참조하여, 두께 패턴(T2)이 제2 참조 그룹(G2)으로 분류되었을 때의 결정부(311c)의 처리의 상세를 설명한다. 두께 패턴(T2)이 분류된 참조 그룹(G)이 제2 참조 그룹(G2)인 경우, 두께 패턴(T2)과 참조 패턴(RP2)의 차원을 일치시킨 후에, 결정부(311c)는, 두께 패턴(T2)에 의거한 제1 거리(L2)와, 참조 패턴(RP2)에 의거한 제2 거리(L2＃)를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 복수의 참조 패턴(RP2) 중에서, 두께 패턴(T2)과 상관이 높은 참조 패턴(RP2)(즉, 두께 패턴(T2)과 유사한 참조 패턴(RP2))을 결정한다. 이러한 결정의 룰은, 제2 참조 그룹(G2)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
도 6의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제1 거리(L2)는, 대상물(TG)의 중심부(CT)로부터 두께 패턴(T2)의 극대부(P3)에 대응하는 위치(R2)까지의 거리를 나타낸다.
도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제2 거리(L2＃)는, 참조 대상물의 중심부(CT)로부터 참조 패턴(RP2)의 극대부(P3＃)에 대응하는 위치(R2＃)까지의 거리를 나타낸다.
노즐(7)의 반환 위치에서는, 대상물(TG)의 에칭 레이트가 최대가 되는 경우가 있기 때문에, 본 실시 형태에서는, 제1 거리(L2)와 제2 거리(L2＃)의 비교 결과에 의거하여 두께 패턴(T2)과 상관이 높은 참조 패턴(RP2)을 결정함으로써, 두께 패턴(T2)을 갖는 대상물(TG)에 대해 보다 양호한 처리 조건(예를 들면, 노즐(7)의 반환 위치)을 취득할 수 있다. 노즐(7)의 반환 위치에 있어서 대상물(TG)의 에칭 레이트가 최대가 되는 이유는, 노즐(7)의 반환 위치에서는 노즐(7)이 정지하기 때문에, 노즐(7)의 반환 위치에서는 대상물(TG)로의 처리액의 토출량이 많아지기 때문이다. 이 현상은, 처리액이 불질산인 경우에 현저하다.
예를 들면, 결정부(311c)는, 제1 거리(L2)와 제2 거리(L2＃)의 차의 절대값이 가장 작은 참조 패턴(RP2)을, 복수의 참조 패턴(RP2) 중에서, 두께 패턴(T2)과 상관이 높은 참조 패턴(RP2)으로 결정한다. 예를 들면, 결정부(311c)는, 제1 거리(L2)와 제2 거리(L2＃)의 차의 절대값이 소정값 VA2 이하인 참조 패턴(RP2)을, 복수의 참조 패턴(RP2) 중에서, 두께 패턴(T2)과 상관이 높은 참조 패턴(RP2)으로 결정한다. 이들 예와 같은 결정의 룰은, 제2 참조 그룹(G2)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
또한, 결정부(311c)는, 도 6의 (b)에 나타내는 제1 거리(L2)와 거리(L3)와 두께(t3)와 두께(t4)와 두께(t5)와 차분(=t3-t5)과 차분(=t3-t4) 중 적어도 1 이상의 정보와, 도 8의 (b)에 나타내는 제2 거리(L2＃)와 거리(L3＃)와 에칭 레이트(t3＃)와 에칭 레이트(t4＃)와 에칭 레이트(t5＃)와 차분(=t3＃-t5＃)과 차분(=t3＃-t4＃) 중 적어도 1 이상의 정보를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 복수의 참조 패턴(RP2) 중에서, 두께 패턴(T2)과 상관이 높은 참조 패턴(RP2)을 결정해도 된다. 이들과 같은 결정의 룰은, 제2 참조 그룹(G2)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
거리(L3)는, 두께 패턴(T2)의 극대부(P3)에 대응하는 위치(R2)로부터 대상물(TG)의 에지부(EG)까지의 거리를 나타낸다. 두께(t3)는, 두께 패턴(T2)의 극대부(P3)에 의해 나타내어지는 대상물(TG)의 두께를 나타낸다. 두께(t4)는, 대상물(TG)의 중심부(CT)의 두께를 나타낸다. 두께(t5)는, 대상물(TG)의 에지부(EG)의 두께를 나타낸다.
거리(L3＃)는, 참조 패턴(RP2)의 극대부(P3＃)에 대응하는 위치(R2＃)로부터 참조 대상물의 에지부(EG)까지의 거리를 나타낸다. 에칭 레이트(t3＃)는, 참조 패턴(RP2)의 극대부(P3＃)에 의해 나타내어지는 참조 대상물의 에칭 레이트를 나타낸다. 에칭 레이트(t4＃)는, 참조 대상물의 중심부(CT)의 에칭 레이트를 나타낸다. 에칭 레이트(t5＃)는, 참조 대상물의 에지부(EG)의 에칭 레이트를 나타낸다.
또한, 제1 거리(L2), 거리(L3), 두께(t3), 두께(t4), 두께(t5), 차분(=t3-t5), 및, 차분(=t3-t4)은, 두께 패턴(T2)의 「특징」의 일례이다. 또, 제2 거리(L2＃), 거리(L3＃), 에칭 레이트(t3＃), 에칭 레이트(t4＃), 에칭 레이트(t5＃), 차분(=t3＃-t5＃), 및, 차분(=t3＃-t4＃)은, 참조 패턴(RP2)의 「특징」의 일례이다.
다음에, 도 6의 (c) 및 도 9의 (b)를 참조하여, 두께 패턴(T3)이 제3 참조 그룹(G3)으로 분류되었을 때의 결정부(311c)의 처리의 상세를 설명한다. 두께 패턴(T3)이 분류된 참조 그룹(G)이 제3 참조 그룹(G3)인 경우, 두께 패턴(T3)과 참조 패턴(RP3)의 차원을 일치시킨 후에, 결정부(311c)는, 두께 패턴(T3)의 경사와, 참조 패턴(RP3)의 경사를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 복수의 참조 패턴(RP3) 중에서, 두께 패턴(T3)과 상관이 높은 참조 패턴(RP3)(즉, 두께 패턴(T3)과 유사한 참조 패턴(RP3))을 결정한다. 이러한 결정의 룰은, 제3 참조 그룹(G3)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
도 6의 (c)에 나타내는 바와 같이, 두께 패턴(T3)의 경사는, 예를 들면, 경사각(θ)에 의해 나타내어진다. 경사각(θ)은, 대상물(TG)을 포함하는 기판(W)의 경방향에 대한 두께 패턴(T3)의 경사각을 나타낸다.
도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 참조 패턴(RP3)의 경사는, 예를 들면, 경사각(θ＃)에 의해 나타내어진다. 경사각(θ＃)은, 참조 대상물을 포함하는 기판의 경방향에 대한 참조 패턴(RP3)의 경사각을 나타낸다.
원심력에 기인하여, 대상물(TG)의 중심부(CT)에 대한 처리액의 양보다 에지부(EG)에 대한 처리액의 양이 많은 경우가 있기 때문에, 본 실시 형태에서는, 두께 패턴(T3)의 경사와 참조 패턴(RP3)의 경사의 비교 결과에 의거하여 두께 패턴(T3)과 상관이 높은 참조 패턴(RP3)을 결정함으로써, 두께 패턴(T3)을 갖는 대상물(TG)에 대해 보다 양호한 처리 조건(예를 들면, 기판(W)의 회전 속도)을 취득할 수 있다.
예를 들면, 결정부(311c)는, 경사각(θ)과 경사각(θ＃)의 차의 절대값이 가장 작은 참조 패턴(RP3)을, 복수의 참조 패턴(RP3) 중에서, 두께 패턴(T3)과 상관이 높은 참조 패턴(RP3)으로 결정한다. 예를 들면, 결정부(311c)는, 경사각(θ)과 경사각(θ＃)의 차의 절대값이 소정값 VA3 이하인 참조 패턴(RP3)을, 복수의 참조 패턴(RP3) 중에서, 두께 패턴(T3)과 상관이 높은 참조 패턴(RP3)으로 결정한다. 이들 예와 같은 결정의 룰은, 제3 참조 그룹(G3)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
또한, 결정부(311c)는, 도 6의 (c)에 나타내는 경사각(θ)과 두께(t6)와 두께(t8)과 차분(=t6-t8) 중 적어도 1 이상의 정보와, 도 9의 (b)에 나타내는 경사각(θ＃)과 에칭 레이트(t6＃)와 에칭 레이트(t8＃)와 차분(=t6＃-t8＃) 중 적어도 1 이상의 정보를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 복수의 참조 패턴(RP3) 중에서, 두께 패턴(T3)과 상관이 높은 참조 패턴(RP3)을 결정해도 된다. 이러한 결정의 룰은, 제3 참조 그룹(G3)에 있어서의 규정 룰(RU)의 일례이다.
두께(t6)는, 대상물(TG)의 에지부(EG)의 두께를 나타낸다. 두께(t8)는, 대상물(TG)의 중심부(CT)의 두께를 나타낸다.
에칭 레이트(t6＃)는, 참조 대상물의 에지부(EG)의 에칭 레이트를 나타낸다. 에칭 레이트(t8＃)는, 참조 대상물의 중심부(CT)의 에칭 레이트를 나타낸다.
또한, 경사각(θ), 두께(t6), 두께(t8), 및, 차분(=t6-t8)은, 두께 패턴(T3)의 「특징」의 일례이다. 또, 경사각(θ＃), 에칭 레이트(t6＃), 에칭 레이트(t8＃), 및, 차분(=t6＃-t8＃)은, 참조 패턴(RP3)의 「특징」의 일례이다.
다음에, 도 5~도 9의 (b)를 참조하여, 제어부(31)를 설명한다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 제어부(31)는, 해석부(315)와, 조정부(317)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 해석부(315)는, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)을 해석하여, 두께 패턴(TM)의 특징을 나타내는 제1 특징량(FT)을 산출한다. 제1 특징량(FT)은, 두께 패턴(TM)의 극값, 두께 패턴(TM)이 나타내는 대상물(TG)의 중심부(CT)의 두께, 또는, 두께 패턴(TM)이 나타내는 대상물(TG)의 에지부(EG)의 두께를 나타낸다. 두께 패턴(TM)의 극값은, 두께 패턴(TM)의 극대부 또는 극소부이다.
또, 기억부(41)는, 참조 패턴(RP)의 특징을 나타내는 제2 특징량(SC)을, 참조 패턴(RP)마다 미리 기억하고 있다. 제2 특징량(SC)은, 참조 패턴(RP)의 극값, 참조 패턴(RP)이 나타내는 참조 대상물의 중심부(CT)의 에칭 레이트, 또는, 참조 패턴(RP)이 나타내는 참조 대상물의 에지부(EG)의 에칭 레이트를 나타낸다.
그리고, 조정부(317)는, 두께 패턴(TM)의 특징을 나타내는 제1 특징량(FT)과, 참조 패턴(RP)의 특징을 나타내는 제2 특징량(SC)을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 취득부(313)에 의해 취득된 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정한다. 그 결과, 본 실시 형태에서는, 노즐(7)의 이동 속도가 더욱 양호해지므로, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)의 광범위한 영역에 있어서, 에칭 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 편차를 더욱 억제할 수 있다.
구체적으로는, 도 6의 (a) 및 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이, 두께 패턴(T1)이 제1 참조 그룹(G1)으로 분류된 경우, 두께 패턴(T1)과 참조 패턴(RP1)의 차원을 일치시킨 후에, 조정부(317)는, 두께 패턴(T1)의 제1 특징량(FT)으로서의 극소부(P1)에 의해 나타내어지는 두께(t2)와, 참조 패턴(RP1)의 제2 특징량(SC)으로서의 극소부(P1＃)에 의해 나타내어지는 에칭 레이트(t2＃)를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정한다.
예를 들면, 두께 패턴(T1)과 참조 패턴(RP1)의 차원을 일치시킨 후에, 극소부(P1)에 의해 나타내어지는 대상물(TG)의 두께(t2)가, 극소부(P1＃)에 의해 나타내어지는 에칭 레이트(t2＃)보다 큰 경우, 조정부(317)는, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를, 두께(t2)와 에칭 레이트(t2＃)의 차의 절대값에 따른 값만큼 작게 한다. 왜냐하면, 노즐(7)의 이동 속도가 작을수록, 에칭 레이트가 커지기 때문이다. 한편, 두께(t2)가 에칭 레이트(t2＃)보다 작은 경우, 조정부(317)는, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를, 두께(t2)와 에칭 레이트(t2＃)의 차의 절대값에 따른 값만큼 크게 한다.
또, 도 6의 (b) 및 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이, 두께 패턴(T2)이 제2 참조 그룹(G2)로 분류된 경우, 두께 패턴(T2)과 참조 패턴(RP2)의 차원을 일치시킨 후에, 조정부(317)는, 두께 패턴(T2)의 제1 특징량(FT)으로서의 대상물(TG)의 중심부(CT)의 두께(t4)와, 참조 패턴(RP2)의 제2 특징량(SC)으로서의 참조 대상물의 중심부(CT)의 에칭 레이트(t4＃)를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정한다.
예를 들면, 두께 패턴(T2)과 참조 패턴(RP2)의 차원을 일치시킨 후에, 대상물(TG)의 중심부(CT)의 두께(t4)가, 참조 대상물의 중심부(CT)의 에칭 레이트(t4＃)보다 큰 경우, 조정부(317)는, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를, 두께(t4)와 에칭 레이트(t4＃)의 차의 절대값에 따른 값만큼 작게 한다. 왜냐하면, 노즐(7)의 이동 속도가 작을수록, 에칭 레이트가 커지기 때문이다. 한편, 두께(t4)가 에칭 레이트(t4＃)보다 작은 경우, 조정부(317)는, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를, 두께(t4)와 에칭 레이트(t4＃)의 차에 따른 값만큼 크게 한다.
또, 도 6의 (c) 및 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이, 두께 패턴(T3)이 제3 참조 그룹(G3)으로 분류된 경우, 두께 패턴(T3)과 참조 패턴(RP3)의 차원을 일치시킨 후에, 조정부(317)는, 두께 패턴(T3)의 제1 특징량(FT)으로서의 대상물(TG)의 중점 위치(RM)의 두께(t7)와, 참조 패턴(RP3)의 제2 특징량(SC)으로서의 참조 대상물의 중점 위치(RM)의 에칭 레이트(t7＃)를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정한다.
예를 들면, 두께 패턴(T3)과 참조 패턴(RP3)의 차원을 일치시킨 후에, 대상물(TG)의 중점 위치(RM)의 두께(t7)가, 참조 대상물의 중점 위치(RM)의 에칭 레이트(t7＃)보다 큰 경우, 조정부(317)는, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를, 두께(t7)와 에칭 레이트(t7＃)의 차의 절대값에 따른 값만큼 작게 한다. 왜냐하면, 노즐(7)의 이동 속도가 작을수록, 에칭 레이트가 커지기 때문이다. 한편, 두께(t7)가 에칭 레이트(t7＃)보다 작은 경우, 조정부(317)는, 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를, 두께(t7)와 에칭 레이트(t7＃)의 차의 절대값에 따른 값만큼 크게 한다.
계속해서 도 5를 참조하여, 제어부(31)를 더 설명한다. 제어부(31)는, 처리 시간 산출부(318)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 처리 시간 산출부(318)는, 취득부(313)에 의해 취득된 처리 조건에 관련지어진 참조 패턴(RP)을 구성하는 복수의 에칭 레이트값의 평균값과, 대상물(TG)에 대한 원하는 에칭량에 의거하여, 에칭 처리 시간을 산출한다.
또는, 처리 시간 산출부(318)는, 조정부(317)에 의해 조정된 처리 조건에 의거한 에칭 레이트와, 대상물(TG)에 대한 원하는 에칭량에 의거하여, 에칭 처리 시간을 산출한다.
본 실시 형태에서는, 에칭 처리 시간은, 노즐(7)에 의한 기판(W)의 스캔 횟수에 의해 정해진다.
제어부(31)는, 표시 제어부(323)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 표시 제어부(323)는, 처리액에 의한 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정 또는 조정하기 위해 이용되는 정보 IN1을 표시하도록, 표시 장치(19)를 제어한다. 따라서, 표시 장치(19)는 정보 IN1을 표시한다. 그 결과, 본 실시 형태에 의하면, 유저는 정보 IN1을 쉽게 확인 또는 이용할 수 있다.
정보 IN1은, 예를 들면, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM), 두께 패턴(TM)의 특징량, 복수의 참조 패턴(RP), 복수의 참조 패턴(RP) 각각의 특징량, 또는, 복수의 참조 처리 조건이다.
다음에, 도 5를 참조하여, 기판(W)을 처리액에 의해 처리한 후의 처리를 설명한다. 두께 측정부(15)는, 처리액에 의한 처리 후의 대상물(TG)의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 처리 후의 대상물(TG)의 두께를 측정한다. 따라서, 유저는, 처리 후의 대상물(TG)의 두께를 알 수 있기 때문에, 처리 후의 대상물(TG)에 대한 에칭 처리의 평가를 행할 수 있다.
또, 제어부(31)는, 기억 제어부(321)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 기억 제어부(321)는, 처리 전의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 두께 패턴(TM)과, 처리 전의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)과, 취득부(313)에 의해 취득된 처리 조건과, 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴(TMR)을 관련지어 기억하도록, 기억부(41)(구체적으로는, 처리 결과 데이터베이스(413))를 제어한다. 따라서, 기억부(41)는, 두께 패턴(TM)과, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)과, 처리 조건과, 두께 패턴(TMR)을 관련지어 기억한다. 그 결과, 본 실시 형태에 의하면, 유저는, 입력 장치(20)를 통해 기억부(41)에 액세스함으로써, 이들 정보를 유효하게 활용할 수 있다.
또한, 제어부(31)는, 평가부(319)를 더 포함하는 것이 바람직하다. 평가부(319)는, 처리 전의 두께 패턴(TM)과 처리 후의 두께 패턴(TMR)을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 처리 후의 대상물(TG)에 대한 에칭 처리의 평가를 행한다.
또, 표시 제어부(323)는, 처리액에 의한 처리 후의 대상물(TG)의 두께 패턴(TMR)을 평가하기 위해 이용되는 정보 IN2를 표시하도록, 표시 장치(19)를 제어해도 된다. 이 경우, 표시 장치(19)는 정보 IN2를 표시한다. 따라서, 본 실시 형태에 의하면, 유저는, 정보 IN2를 확인하여, 처리 후의 대상물(TG)에 대한 에칭 처리의 평가를 행할 수 있다. 그리고, 입력 장치(20)는, 유저로부터 평가 결과를 나타내는 정보의 입력을 접수한다. 또한, 기억 제어부(321)는, 유저로부터 평가 결과를 나타내는 정보를 기억하도록, 기억부(41)(구체적으로는, 처리 결과 데이터베이스(413))를 제어한다.
정보 IN2는, 예를 들면, 취득부(313)에 의해 취득된 처리 조건, 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TM), 두께 패턴(TM)의 특징량, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP), 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)의 특징량, 처리 후의 대상물(TG)의 두께 패턴(TMR), 또는, 두께 패턴(TMR)의 특징량이다.
또, 기억 제어부(321)는, 처리 전의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 두께 패턴(TM)과, 처리 전의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)과, 취득부(313)에 의해 취득된 처리 조건과, 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴(TMR)과, 처리 후의 두께 패턴(TMR)에 대한 평가 결과를 관련지어 기억하도록, 기억부(41)(구체적으로는, 처리 결과 데이터베이스(413))를 제어한다. 따라서, 기억부(41)는, 두께 패턴(TM)과, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)과, 처리 조건과, 두께 패턴(TMR)과, 두께 패턴(TMR)에 대한 평가 결과를 관련지어 기억한다. 그 결과, 본 실시 형태에 의하면, 유저는, 입력 장치(20)를 통해 기억부(41)에 액세스함으로써, 이들 정보를 유효하게 활용할 수 있다.
또한, 제어부(31)의 프로세서는, 컴퓨터 프로그램(417)을 실행하여, 해석부(315), 조정부(317), 처리 시간 산출부(318), 평가부(319), 기억 제어부(321), 및, 표시 제어부(323)로서 기능한다.
다음에, 도 5 및 도 10을 참조하여, 본 발명의 실시 형태에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 도 10은, 기판 처리 방법을 나타내는 플로차트이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 방법은, 공정 S1~공정 S15를 포함한다. 기판 처리 방법은, 1장의 기판(W)마다 기판 처리 장치(100)에 의해 실행된다.
도 5 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 공정 S1에 있어서, 기판 처리 장치(100)의 제어부(31)는, 기판(W)을 유지하도록, 스핀척(3)을 제어한다. 그 결과, 스핀척(3)은 기판(W)을 유지한다.
다음에, 공정 S2에 있어서, 제어부(31)는, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)의 두께를 측정하도록, 두께 측정부(15)를 제어한다. 그 결과, 두께 측정부(15)는, 처리 전의 대상물(TG)의 두께를 측정하여, 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)을 나타내는 정보를 제어부(31)에 출력한다.
다음에, 공정 S3에 있어서, 제어부(31)는, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택한다.
다음에, 공정 S4에 있어서, 제어부(31)는, 레시피 데이터(415)에 포함되는 「처리액(에칭액)에 의한 처리 조건」을, 공정 S3에서 선택된 처리 조건으로 변경한다.
다음에, 공정 S5에 있어서, 제어부(31)는, 공정 S3에서 선택된 처리 조건에 따라 처리액에 의해 기판(W)을 처리하도록, 스핀 모터(5) 및 노즐 이동부(9)를 제어한다. 그 결과, 공정 S3에서 선택된 처리 조건에 따라 기판(W)이 처리된다. 구체적으로는, 공정 S3에서 선택된 처리 조건에 포함되는 회전 속도로 기판(W)이 회전된다. 또, 공정 S3에서 선택된 처리 조건에 포함되는 이동 속도로 노즐(7)이 이동한다. 또한, 공정 S3에서 선택된 처리 조건에 포함되는 반환 위치에서 노즐(7)이 반환된다.
다음에, 공정 S6에 있어서, 제어부(31)는, 노즐(11)이 린스액을 기판(W)에 토출하도록, 밸브(V2)를 제어한다. 그 결과, 노즐(11)이 린스액을 토출한다.
다음에, 공정 S7에 있어서, 제어부(31)는, 기판(W)이 회전하도록 스핀 모터(5)를 제어한다. 그 결과, 스핀 모터(5)가 스핀척(3)을 회전시킴으로써, 기판(W)이 회전한다. 기판(W)의 회전에 의해 기판(W)이 건조된다.
다음에, 공정 S8에 있어서, 제어부(31)는, 기판(W)을 구성하는 대상물(TG)의 두께를 측정하도록, 두께 측정부(15)를 제어한다. 그 결과, 두께 측정부(15)는, 처리 후의 대상물(TG)의 두께를 측정하여, 처리 후의 두께 패턴(TMR)를 나타내는 정보를 제어부(31)에 출력한다.
다음에, 공정 S9에 있어서, 제어부(31)의 기억 제어부(321)는, 처리 전의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 두께 패턴(TM)과, 처리 전의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)과, 공정 S3에서 선택된 처리 조건과, 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴(TMR)을 관련지어 기억하도록, 기억부(41)를 제어한다. 그 결과, 기억부(41)(구체적으로는, 처리 결과 데이터베이스(413))는, 이들 정보를 기억한다.
다음에, 공정 S10에 있어서, 제어부(31)는, 챔버(2)로부터 기판(W)을 취출(取出)하도록, 반송 로봇을 제어한다. 그 결과, 반송 로봇은 기판(W)을 챔버(2)로부터 취출한다.
다음에, 공정 S11에 있어서, 제어부(31)의 평가부(319)는, 처리 전의 두께 패턴(TM)과 처리 후의 두께 패턴(TMR)을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 처리 후의 대상물(TG)에 대한 에칭 처리의 평가를 행한다.
다음에, 공정 S12에 있어서, 제어부(31)의 기억 제어부(321)는, 처리 전의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 두께 패턴(TM)과, 처리 전의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)과, 공정 S3에서 선택된 처리 조건과, 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴(TMR)과, 처리 후의 두께 패턴(TMR)에 대한 평가 결과를 관련지어 기억하도록, 기억부(41)를 제어한다. 그 결과, 기억부(41)(구체적으로는, 처리 결과 데이터베이스(413))는, 이들 정보를 기억한다.
다음에, 공정 S13에 있어서, 제어부(31)의 표시 제어부(323)는, 참조 패턴 데이터베이스(411)에 기억되어 있는 정보, 또는, 처리 결과 데이터베이스(413)에 기억되어 있는 정보를 표시하도록, 표시 장치(19)를 제어한다. 그 결과, 표시 장치(19)는, 이들 정보를 표시한다.
다음에, 공정 S14에 있어서, 제어부(31)는, 입력 장치(20)를 통해 유저로부터의 입력을 접수한다. 구체적으로는, 공정 S13에서 표시된 정보를 열람하면서, 유저는, 입력 장치(20)를 통해 각종 정보를 입력한다. 그리고, 제어부(31)는, 입력 장치(20)를 통해 유저로부터의 입력을 접수한다.
다음에, 공정 S15에 있어서, 제어부(31)는, 유저로부터 접수한 입력에 의거한 정보를 기억하도록, 기억부(41)를 제어한다. 그 결과, 기억부(41)는, 유저로부터 접수한 입력에 의거한 정보를 기억한다. 공정 S15 후에, 처리는 종료된다.
본 실시 형태에 따른 기판 제품 제조 방법에서는, 공정 S1~공정 S15를 포함하는 기판 처리 방법에 의해 기판(W)을 처리하여, 처리 후의 기판(W)인 기판 제품을 제조한다.
다음에, 도 5 및 도 11을 참조하여, 도 10의 공정 S3을 설명한다. 도 11은, 도 10의 공정 S3을 나타내는 플로차트이다. 공정 S3은, 공정 S21~공정 S25를 포함한다. 공정 S3은, 「처리 조건 선택 방법」의 일례에 상당한다.
도 5 및 도 11에 나타내는 바와 같이, 공정 S21에 있어서, 제어부(31)의 특정부(311)는, 대상물(TG)의 복수의 측정 위치에서 각각 측정된 복수의 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴(TM)과, 미리 기억부(41)에 기억되어 있는 복수의 참조 패턴(RP)을 비교하여, 복수의 참조 패턴(RP) 중에서, 규정 룰(RU)에 의거하여 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정한다.
다음에, 공정 S22에 있어서, 취득부(313)는, 복수의 참조 패턴(RP)에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 공정 S21에서 특정된 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건을, 처리 조건으로서 기억부(41)로부터 취득한다.
다음에, 공정 S23에 있어서, 해석부(315)는, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)을 해석하여, 두께 패턴(TM)의 특징을 나타내는 제1 특징량(FT)을 산출한다.
다음에, 공정 S24에 있어서, 조정부(317)는, 두께 패턴(TM)의 특징을 나타내는 제1 특징량(FT)과, 참조 패턴(RP)의 특징을 나타내는 제2 특징량(SC)을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 공정 S22에 의해 취득된 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정한다.
다음에, 공정 S25에 있어서, 처리 시간 산출부(318)는, 공정 S24에 의해 조정된 처리 조건에 의거한 에칭 레이트와, 대상물(TG)에 대한 원하는 에칭량에 의거하여, 에칭 처리 시간을 산출한다.
구체적으로는, 공정 S21은, 공정 S31, 공정 S51, 공정 S52, 공정 S61, 공정 S62, 공정 S71, 및 공정 S72를 포함한다. 또, 공정 S22는, 공정 S53, 공정 S63, 및 공정 S73을 포함한다. 또한, 공정 S23은, 공정 S54, 공정 S64, 및 공정 S74를 포함한다. 또한, 공정 S24는, 공정 S55, 공정 S65, 및 공정 S75를 포함한다. 또한, 공정 S25는, 공정 S56, 공정 S66, 및 공정 S76을 포함한다.
공정 S31에 있어서, 제어부(31)의 분류부(311a)는, 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)을 복수의 참조 그룹(G) 중 어느 하나의 참조 그룹(G)으로 분류한다. 구체적으로는, 분류부(311a)는, 두께 패턴(TM)을 제1 참조 그룹(G1)~제3 참조 그룹(G3) 중 어느 하나의 참조 그룹(G)으로 분류한다.
공정 S31에서 두께 패턴(TM)이 제1 참조 그룹(G1)으로 분류된 경우, 처리는 공정 S51로 진행된다.
다음에, 공정 S51에 있어서, 전처리부(311b)는, 두께 패턴(TM)의 차원과 참조 패턴(RP1)의 차원을 일치시킨다.
다음에, 공정 S52에 있어서, 결정부(311c)는, 두께 패턴(TM)의 차원과 참조 패턴(RP1)의 차원이 일치된 후에, 규정 룰(RU)에 의거하여 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP1)(즉, 두께 패턴(TM)과 유사한 참조 패턴(RP1))을 결정한다.
다음에, 공정 S53에 있어서, 취득부(313)는, 복수의 참조 패턴(RP1)에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 공정 S52에서 결정된 참조 패턴(RP1)에 관련지어진 참조 처리 조건을, 처리 조건으로서 기억부(41)로부터 취득한다.
다음에, 공정 S54에 있어서, 해석부(315)는, 제1 참조 그룹(G1)으로 분류된 두께 패턴(TM)을 해석하여, 두께 패턴(TM)의 특징을 나타내는 제1 특징량(FT)을 산출한다.
다음에, 공정 S55에 있어서, 조정부(317)는, 두께 패턴(TM)의 특징을 나타내는 제1 특징량(FT)과, 참조 패턴(RP1)의 특징을 나타내는 제2 특징량(SC)을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 공정 S53에 의해 취득된 처리 조건에 포함되는 노즐(7)의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정한다.
다음에, 공정 S56에 있어서, 처리 시간 산출부(318)는, 공정 S55에 의해 조정된 처리 조건에 의거한 에칭 레이트와, 대상물(TG)에 대한 원하는 에칭량에 의거하여, 에칭 처리 시간을 산출한다. 그리고, 처리는, 도 10의 공정 S4로 진행된다.
한편, 공정 S31에서 두께 패턴(TM)이 제2 참조 그룹(G2)으로 분류된 경우, 처리는 공정 S61로 진행된다. 공정 S61~공정 S66의 처리는, 참조 그룹(G)이 상이한 점을 제외하고, 공정 S51~공정 S56의 처리와 동일하고, 설명을 생략한다.
또, 공정 S31에서 두께 패턴(TM)이 제3 참조 그룹(G3)으로 분류된 경우, 처리는 공정 S71로 진행된다. 공정 S71~공정 S76의 처리는, 참조 그룹(G)이 상이한 점을 제외하고, 공정 S51~공정 S56의 처리와 동일하고, 설명을 생략한다.
또한, 공정 S21에서는, 유저로부터의 입력 장치(20)로의 입력 결과에 의거하여, 처리 전의 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)이 특정되어도 된다. 마찬가지로, 공정 S24에 있어서, 유저로부터의 입력 장치(20)로의 입력 결과에 의거하여, 처리 조건이 조정되어도 된다.
이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했다. 단, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 양태에 있어서 실시할 수 있다. 또, 상기의 실시 형태에 개시되는 복수의 구성 요소는 적절히 개변 가능하다. 예를 들면, 어느 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소 중 어느 구성 요소를 다른 실시 형태의 구성 요소에 추가해도 되고, 또는, 어느 실시 형태에 나타나는 전체 구성 요소 중 어느 하나의 구성 요소를 실시 형태로부터 삭제해도 된다.
또, 도면은, 발명의 이해를 쉽게 하기 위해, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있으며, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 편의상 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기의 실시 형태에서 나타내는 각 구성 요소의 구성은 일례이며, 특별히 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.
(1) 도 1~도 11을 참조하여 설명한 본 실시 형태에서는, 참조 패턴(RP)을 정의하는 「참조 대상물의 물리량의 분포」에 있어서의 「물리량」은, 에칭 레이트였는데, 참조 대상물의 두께여도 된다. 즉, 참조 패턴(RP)은, 참조 대상물의 두께의 분포를 나타내고 있어도 된다.
이 경우, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 두께의 분포를 나타내는 참조 패턴(RP)(즉, 두께 패턴(TM)과 유사한 두께의 분포를 나타내는 참조 패턴(RP))이 선택된다. 그리고, 이러한 두께의 분포를 나타내는 참조 패턴(RP)에 관련지어진 참조 처리 조건이, 대상물(TG)에 대한 처리 조건으로서 취득된다. 따라서, 취득된 처리 조건에 따라 대상물(TG)을 에칭 처리함으로써, 대상물(TG)의 광범위한 영역에 있어서, 에칭 처리 후의 대상물(TG)의 두께의 편차를 억제할 수 있다.
(2) 도 1~도 11을 참조하여 설명한 본 실시 형태에서는, 처리액의 예로서, 에칭액을 설명했다. 단, 처리액은, 기판(W)을 처리하는 한에 있어서는, 에칭액으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리액은, 대상물(TG)을 제거하는 제거액이어도 된다. 이 경우, 참조 패턴(RP)을 정의하는 「참조 대상물의 물리량의 분포」에 있어서의 「물리량」은, 참조 대상물의 제거 레이트 또는 제거량이다. 따라서, 이 경우, 참조 패턴(RP)은, 대상물(TG)의 제거 레이트 또는 제거량의 분포를 나타낸다.
제거액은, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)에 대해 레지스트 제거 처리를 실행하는 경우는, 예를 들면, 황산 과산화수소수 혼합액(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture: SPM)이다. 레지스트 제거 처리란, 반도체 기판의 표면으로부터, 레지스트를 제거하는 처리이다.
(3) 도 5를 참조하여 설명한 본 실시 형태에서는, 전처리부(311b)는, 분류부(311a)에 의한 분류 후이며, 결정부(311c)에 의한 결정 전에, 대상물(TG)의 두께 패턴(TM)의 차원과 참조 패턴(RP)의 차원을 일치시켰다. 단, 기억부(41)가, 규격화 또는 정규화에 의해 무차원화된 복수의 참조 패턴(RP)을 미리 기억하고 있어도 된다. 그리고, 전처리부(311b)는, 분류부(311a)에 의한 분류 전에, 두께 패턴(TM)을 규격화 또는 정규화에 의해 무차원화해도 된다.
(4) 도 5에 나타내는 특정부(311)는, 복수의 참조 패턴(RP) 중에서, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 2 이상의 참조 패턴(RP)을 특정해도 된다. 이 경우는, 취득부(313)는, 2 이상의 참조 패턴(RP)에 각각 관련지어진 2 이상의 참조 처리 조건에 대해, 보간(내삽) 또는 외삽을 행하여, 처리 조건을 결정해도 된다.
(5) 도 5에 나타내는 특정부(311)는, 두께 패턴(TM)으로부터 노이즈 성분을 제거한 후에, 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정해도 된다. 이 경우는, 더 정밀하게 두께 패턴(TM)과 상관이 높은 참조 패턴(RP)을 특정할 수 있다.
(6) 도 5에 나타내는 두께 측정부(15)에 의한 대상물(TG)에 있어서의 측정 위치는, 임의로 정할 수 있다. 예를 들면, 두께의 측정 위치는, 등간격으로 설정되어도 된다. 예를 들면, 두께의 측정 위치는, 대상물(TG)의 중심부(CT)와 에지부(EG)와 중간 위치여도 된다. 중간 위치는, 중심부(CT)와 에지부(EG) 사이의 위치이며, 에칭 특성에 따라 정해지는 위치이다. 예를 들면, 대상물(TG)의 특정 영역에 대해서, 측정 간격을 짧게 하고, 다른 영역에 대해서 측정 간격을 길게 할 수도 있다.
(7) 도 2를 참조하여 설명한 본 실시 형태에서는, 노즐(7)은, 반환 위치(TR1)와 반환 위치(TR2)에서 반환되었다. 단, 노즐(7)은, 에지부(EG)측의 반환 위치(TR1)와 중심부(CT)측의 반환 위치(TR3)에서 반환되어도 된다. 이 경우는, 참조 처리 조건에는, 반환 위치(TR1)의 정보와 반환 위치(TR3)의 정보가 포함된다.
(8) 도 11의 공정 S23~공정 S25는, 설정하지 않아도 된다.
본 발명은, 처리 조건 선택 방법, 기판 처리 방법, 기판 제품 제조 방법, 처리 조건 선택 장치, 컴퓨터 프로그램, 및, 기억 매체에 관한 것이며, 산업상의 이용 가능성을 갖는다.
15: 두께 측정부
41: 기억부(기억 매체)
100: 기판 처리 장치(처리 조건 선택 장치)
311: 특정부
313: 취득부
417: 컴퓨터 프로그램
W: 기판

Claims (21)

  1. 기판을 구성하는 대상물을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택하는 처리 조건 선택 방법으로서,
    상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 상기 처리액에 의한 처리 전에 상기 대상물의 두께를 측정하는 공정과,
    상기 복수의 측정 위치에서 상기 처리액에 의한 처리 전에 각각 측정된 복수의 상기 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴과, 미리 기억부에 기억되어 있는 복수의 참조 패턴을 비교하여, 상기 복수의 참조 패턴 중에서, 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 참조 패턴을 특정하는 공정과,
    상기 복수의 참조 패턴에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정된 상기 참조 패턴에 관련지어진 참조 처리 조건을, 상기 처리 조건으로서 상기 기억부로부터 취득하는 공정
    을 포함하고,
    상기 복수의 참조 패턴 각각은, 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타내며,
    상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 해당 참조 처리 조건과 관련지어진 상기 참조 패턴을 갖는 상기 참조 대상물에 대해, 상기 처리액에 의한 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타내는, 처리 조건 선택 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 복수의 참조 패턴 각각은, 복수의 참조 그룹 중 어느 하나로 미리 분류되어 있고,
    상기 복수의 참조 그룹은, 참조 패턴의 형상의 특징에 의거하여 정해져 있으며,
    상기 참조 패턴을 특정하는 상기 공정은,
    상기 두께 패턴을 상기 복수의 참조 그룹 중 어느 하나의 참조 그룹으로 분류하는 공정과,
    상기 복수의 참조 패턴 중, 상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹으로 분류되어 있는 2 이상의 참조 패턴을 대상으로 하여, 상기 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상기 참조 패턴의 비교를 행하고, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는 공정
    을 포함하는, 처리 조건 선택 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 참조 그룹은, 제1 참조 그룹과 제2 참조 그룹과 제3 참조 그룹 중 적어도 1개를 포함하고,
    상기 제1 참조 그룹은, 상기 대상물 또는 상기 참조 대상물의 중심부로부터 에지부까지의 사이에 극소부를 갖는 패턴의 그룹을 나타내고,
    상기 제2 참조 그룹은, 상기 대상물 또는 상기 참조 대상물의 중심부로부터 에지부까지의 사이에 극대부를 갖는 패턴의 그룹을 나타내며,
    상기 제3 참조 그룹은, 상기 대상물 또는 상기 참조 대상물의 중심부로부터 에지부를 향해 일 방향으로 경사져 있는 패턴의 그룹을 나타내는, 처리 조건 선택 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹이 상기 제1 참조 그룹인 경우, 상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴에 의거한 제1 차분과, 상기 참조 패턴에 의거한 제2 차분을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하고,
    상기 제1 차분은, 상기 두께 패턴의 극소부에 의해 나타내어지는 상기 대상물의 두께와, 상기 두께 패턴의 에지부에 의해 나타내어지는 상기 대상물의 에지부의 두께의 차분을 나타내며,
    상기 제2 차분은, 상기 참조 패턴의 극소부에 의해 나타내어지는 상기 참조 대상물의 물리량과, 상기 참조 패턴의 에지부에 의해 나타내어지는 상기 참조 대상물의 에지부의 물리량의 차분을 나타내는, 처리 조건 선택 방법.
  5. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹이 상기 제2 참조 그룹인 경우, 상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴에 의거한 제1 거리와, 상기 참조 패턴에 의거한 제2 거리를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하며,
    상기 제1 거리는, 상기 대상물의 중심부로부터 상기 두께 패턴의 극대부에 대응하는 위치까지의 거리를 나타내고,
    상기 제2 거리는, 상기 참조 대상물의 중심부로부터 상기 참조 패턴의 극대부에 대응하는 위치까지의 거리를 나타내는, 처리 조건 선택 방법.
  6. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 두께 패턴이 분류된 상기 참조 그룹이 상기 제3 참조 그룹인 경우, 상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴의 경사와, 상기 참조 패턴의 경사를 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는, 처리 조건 선택 방법.
  7. 청구항 2 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 참조 패턴을 특정하는 상기 공정은,
    상기 두께 패턴의 차원과 상기 참조 패턴의 차원을 일치시키는 공정을 더 포함하고,
    상기 참조 패턴을 결정하는 상기 공정에서는, 상기 두께 패턴의 차원과 상기 참조 패턴의 차원이 일치된 후에, 상기 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 결정하는, 처리 조건 선택 방법.
  8. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 상기 참조 대상물을 포함하는 기판의 회전 속도를 나타내는 정보와, 상기 참조 대상물에 대해 상기 처리액을 토출하는 노즐의 반환 위치를 나타내는 정보와, 상기 참조 대상물을 따른 상기 노즐의 이동 속도를 나타내는 정보를 포함하는, 처리 조건 선택 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 두께 패턴의 특징을 나타내는 제1 특징량과, 상기 참조 패턴의 특징을 나타내는 제2 특징량을 비교하고, 비교 결과에 의거하여, 상기 기억부로부터 취득하는 상기 공정에 의해 취득된 상기 처리 조건에 포함되는 상기 노즐의 이동 속도를 나타내는 정보를 조정하는 공정을 더 포함하고,
    상기 제1 특징량은, 상기 두께 패턴의 극값, 상기 두께 패턴이 나타내는 상기 대상물의 중심부의 두께, 또는, 상기 두께 패턴이 나타내는 상기 대상물의 에지부의 두께를 나타내며,
    상기 제2 특징량은, 상기 참조 패턴의 극값, 상기 참조 패턴이 나타내는 상기 참조 대상물의 중심부의 물리량, 또는, 상기 참조 패턴이 나타내는 상기 참조 대상물의 에지부의 물리량을 나타내는, 처리 조건 선택 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 참조 패턴을 특정하는 상기 공정에서는, 유저로부터의 입력 장치로의 입력 결과에 의거하여, 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴이 특정되는, 처리 조건 선택 방법.
  11. 청구항 1, 청구항 2, 청구항 3, 청구항 4 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 처리액에 의한 처리 전의 상기 대상물의 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴을 특정 또는 조정하기 위해 이용되는 정보, 또는, 상기 처리액에 의한 처리 후의 상기 대상물의 두께 패턴을 평가하기 위해 이용되는 정보를, 표시 장치에 표시하는 공정을 더 포함하는, 처리 조건 선택 방법.
  12. 청구항 1, 청구항 2, 청구항 3, 청구항 4 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 처리액은, 상기 대상물을 에칭하는 에칭액이고,
    상기 물리량은, 에칭 레이트 또는 에칭량인, 처리 조건 선택 방법.
  13. 청구항 1, 청구항 2, 청구항 3, 청구항 4 또는 청구항 10에 있어서,
    상기 처리액은, 상기 대상물을 제거하는 제거액이고,
    상기 물리량은, 제거 레이트 또는 제거량인, 처리 조건 선택 방법.
  14. 청구항 1, 청구항 2, 청구항 3, 청구항 4 또는 청구항 10에 기재된 처리 조건 선택 방법과,
    상기 처리 조건 선택 방법에 있어서 선택된 상기 처리 조건에 따라, 상기 대상물을 상기 처리액에 의해 처리하는 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 처리액에 의한 처리 후의 상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 처리 후의 상기 대상물의 두께를 측정하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    처리 전의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 상기 두께 패턴과, 처리 전의 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴과, 상기 처리 조건과, 처리 후의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴을 관련지어 기억부에 기억하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    처리 전의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 전의 상기 두께 패턴과, 처리 전의 상기 두께 패턴과 상관이 높은 상기 참조 패턴과, 상기 처리 조건과, 처리 후의 상기 대상물의 두께의 분포를 나타내는 처리 후의 두께 패턴과, 처리 후의 상기 두께 패턴에 대한 평가 결과를 관련지어 기억부에 기억하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  18. 청구항 14에 기재된 기판 처리 방법에 의해 상기 기판을 처리하여, 처리 후의 상기 기판인 기판 제품을 제조하는, 기판 제품 제조 방법.
  19. 기판을 구성하는 대상물을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택하는 처리 조건 선택 장치로서,
    상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 상기 처리액에 의한 처리 전에 상기 대상물의 두께를 측정하는 두께 측정부와,
    각각이 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타내는 복수의 참조 패턴을 미리 기억하고 있는 기억부와,
    상기 복수의 측정 위치에서 상기 처리액에 의한 처리 전에 각각 측정된 복수의 상기 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴과, 상기 복수의 참조 패턴을 비교하여, 상기 복수의 참조 패턴 중에서, 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 참조 패턴을 특정하는 특정부와,
    상기 복수의 참조 패턴에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정된 상기 참조 패턴에 관련지어진 참조 처리 조건을, 상기 처리 조건으로서 상기 기억부로부터 취득하는 취득부
    를 구비하고,
    상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 해당 참조 처리 조건과 관련지어진 상기 참조 패턴을 갖는 상기 참조 대상물에 대해, 상기 처리액에 의한 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타내는, 처리 조건 선택 장치.
  20. 기판을 구성하는 대상물을 처리액에 의해 처리할 때에 사용 가능한 처리 조건을, 복수의 참조 처리 조건 중에서 선택하는 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체로서,
    상기 대상물의 복수의 측정 위치 각각에 있어서, 상기 처리액에 의한 처리 전에 상기 대상물의 두께를 측정하는 공정과,
    상기 복수의 측정 위치에서 상기 처리액에 의한 처리 전에 각각 측정된 복수의 상기 두께의 분포를 나타내는 두께 패턴과, 미리 기억부에 기억되어 있는 복수의 참조 패턴을 비교하여, 상기 복수의 참조 패턴 중에서, 규정 룰에 의거하여 상기 두께 패턴과 상관이 높은 참조 패턴을 특정하는 공정과,
    상기 복수의 참조 패턴에 각각 관련지어진 복수의 참조 처리 조건 중, 특정된 상기 참조 패턴에 관련지어진 참조 처리 조건을, 상기 처리 조건으로서 상기 기억부로부터 취득하는 공정
    을 컴퓨터로 하여금 실행하게 하고,
    상기 복수의 참조 패턴 각각은, 참조 대상물의 물리량의 분포를 나타내며,
    상기 복수의 참조 처리 조건 각각은, 해당 참조 처리 조건과 관련지어진 상기 참조 패턴을 갖는 상기 참조 대상물에 대해, 상기 처리액에 의한 처리를 과거에 실행했을 때의 처리 조건을 나타내는, 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체.
  21. 삭제
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